TFT LCD - Array

In-cha Hsieh
National Chung-Hsing University
 我國全平面顯示器(FPD)產業架構

玻璃基板 偏光板
康寧、鉅晶、中晶、碧悠
驅動IC 威立盟
力特、協臻、汎
、發殷、台灣科技玻璃 納克、日東電工 華邦、聯 背光模組
詠、
彩色濾光片 中強光電、大
ITO玻璃 凌陽、茂
矽、 億、
南亞、奇美、和鑫、劍 默克光電、劍度 漢磊………. 瑞儀、輔祥、福
度、 、錸德、勝華 華、大安、慧 配向膜
展茂、世界巔峰、勝華、 炬、康峻、和立 大立高分子
昌益、宏東洋、華新 聯合、興隆
TFT:華映、友達、奇美、瀚宇、廣 面板 發………...
輝、元太、統寶(LTPS)
OLED：錸寶、東元激光、勝園、悠景
聯宗、光磊、 友達、奇美
PLED ：翰立、錸寶
LCOS ：友達、台灣微型影像 下游應用(NB,Monitor,IA,Projector,TV)

資料來源:PIDA,MIC,工研院IEK,金華信銀證券研究部整理
 LCD應用產品的現況與未來

Office
LCD M`onitor Notebook PC
¾15“(XGA~SXGA)、17.1”(SXGA) ¾12.1“(SVGA)、13.3”(XGA)、
18.1”(SXGA~UXGA)、20”(UXGA) 14.1”(XGA~SXGA)、15”(XGA~SXGA+)
¾TFT/LTPS ¾STN/TFT/LTPS
Navigator ¾薄型、重量輕、低耗電量 ¾薄型、重量輕、低耗電量
¾5.8~10吋
¾高耐久性
¾TFT/LTPS Mobile Family
eBook
¾6”~10”(XGA) Internet
Cellular Phones
¾輕薄、低耗電 ¾1.4~2.5吋
¾STN/TFT/plastic ¾STN/TFT
¾反射型 LCD TV LCD Monitor
Mini NB
PDA ¾15~50吋TFT ¾15”(XGA~SXGA)
¾10.4”(SVGA~XGA)
¾3~10吋 11.3”(SVGA~XGA)
¾高解析度 HDTV 18”(XGA~UXGA)
¾反射型 STN/TFT ¾TFT/LTPS ¾廣視角、高亮度 ¾TFT
¾輕、低耗電量 ¾輕薄、低耗電量 Portable Game ¾高反應時間 ¾大畫面
¾1.5~4吋 ¾高對比、色純度高 ¾高解析度
DSC ¾反射型STN/TFT
¾1.8~2.5吋 ¾重量輕、低耗電量
¾TFT/LTPS
¾低耗電量
TFT-LCD的面板構造
 TFT-LCD面板側面構造

彩色濾光板 上偏光板

液晶層
ITO
電極
上玻璃基板

下玻璃基板

間隔劑 液晶分子 框膠
下偏光板 配向膜
Cross-section of the color TFT LCD
彩色TFTLCD CELL剖面圖

Polarizer

Glass
Color Filter

Liquid Crystal
Polyimide
Passivation
Source / Drain Metal
n+a-Si
a-Si
SiNx
ITO
Glass Gate Metal
Polarizer

Back Light
TFT-LCD顯示原理示意圖
 TFT LCD機構原理
TFTLCD是由polaizer.colorfilter和TFT玻璃所組成.藉由玻璃上
的電路來改變液晶的排列.因而產生多樣化的色彩.左圖為ON的
狀態.箭頭表示背光源的方向.右圖則是OFF的狀態.

Polarizer
Front glass
Color filter
Conduc tor
Alignm ent layer

Liquid c rystal

Alignm ent layer

Conduc tor
Rear glass
Polarizer

Bac k light
 LCD 液晶顯示原理圖

Y 偏光板(一) 液晶 偏光板(二)

Z
亮
X 光行進方向
*不施加電場，液晶 Twist
光線沿液晶光軸偏轉

偏光板(一) 液晶
Y
偏光板(二)

暗
X 光行進方向 *施加電場，液晶 Tilt
光線直進不偏轉
成像示意圖
 TFT LCD 原理
TFT元件

液晶 保持電容
加入電壓

1.因TFT元件的動作類似一個開關(Switch)，液晶元件的
作用類似一個電容，藉Switch的ON/OFF對電容儲存的
電壓值進行更新/保持。
2.SW ON時信號寫入(加入、記錄)在液晶電容上，在以外
時間 SW OFF，可防止信號從液晶電容洩漏。
3.在必要時可將保持電容與液晶電容並聯，以改善其保持
特性。
 TFT LCD 原理

所謂的TFT LCD指的是利用TFT(Thin Film Transistor)當做開關，控制

液晶顯示器上每一個Pixel的明暗，而Array Process則是指製造TFT玻璃
基板時在薄膜、黃光及蝕刻等製作流程。
TFT元件 Gate線
L
D S
W

Source線

ITO畫素電極
G

D S D S
儲存電容(Cs)

G G
 TFT作動原理
(1)Vgs < Vth：訊號保持
D S
TFT元件
L Gate線

G
源極(S)雖有信號輸入，但Vgs < Vth ，
Source線 G側訊號不能完全觸發TFT的G極，那
S/D不能完全導通，訊號不能通過。
ITO畫素電極 (2)Vgs > Vth：訊號保持
D S

儲存電容(Cs)

G
當Vgs > Vth 時，G側訊號完全觸發G極，
S/D極完全導通，訊號讀取。
 TFT一個畫素的等效電路圖

掃描線

信號線
G
S D

液晶 保持電容
RON
ROFF

1.上圖為TFT一個畫素的等效電路圖，掃描線連接同一列有TFT閘極電
極，而信號線連接同一行所有TFT源極電極。
2.當ON時信號線的資料寫入液晶電容，此時，TFT元件成低阻抗(RON)
，當OFF時TFT元件成高阻抗(ROFF)，可防止信號線資料的洩漏。
3.一般RON與ROFF電阻比至少約為105以上。
 TFT LCD 原理

水庫水閘

電流-水流
水庫上水潭

電位差 水位差

水庫下水潭
 Array面板說明
S1 S2 S3 Sn-1 Sn

G1

G2
TFT
G3
Source 線
Gate 線
液晶電容
儲存電容
Gm-1

Gm
 a_Si TFT Structure
Etch Stop
Source electrode N+ a_Si
Gate insulator a_Si
Drain electrode
Gate electrode

Glass substrate

CHP
Source electrode Channel N+ a_Si
Gate insulator a_Si
Drain electrode
Gate electrode

Glass substrate

BCE
 1st layer (GE)

A A’

Photo Etch Stripper

Layer 1：GE (Gate電極形成)

1. 受入洗淨(Pre-Clean)
2. 玻璃表面檢查
3. 濺鍍AlNd/AlNdN (PVD)
4. 光阻塗佈/曝光/顯影(PEP1)
5. CD/Macro/defect檢查(ADI)
6. AlNd蝕刻(WET)
7. 剝膜前洗
8. CD/Macro/defect檢查(ASI)

A A’
 2nd layer (SE)

A A’
ThinFilm Photo Etch Stripper
Layer 2：SE (島狀半導體形成)

1. 成膜SiNx (CVD)
2. Pre-Clean
3. 成膜SiNx/a-Si/n+Si (3L)
4. 光阻塗佈/曝光/顯影(PEP2)
5. CD/Macro/defect檢查(ADI)
6. 蝕刻(DRY)
7. Macro/defect檢查(AEI)
8. 剝膜
9. CD/Macro/defect檢查(ASI)

A A’
 3rd layer (SD)
SD : Wet etching(Cr)
Channel N+/BCE : dry etching750Å
到a-Si layer

A A'
Layer 3：SD (Source及Drain電極形成)

1. 成膜Cr (PVD)
2. 光阻塗佈/曝光/顯影(PEP3)
3. CD/Macro/defect檢查(ADI)
4. Post Bake
5. 蝕刻Cr(WET)
6. 蝕刻a-Si&n+-Si(BCE-DRY)
7. Macro/defect檢查(AEI)
8. 剝膜
9. CD/Macro/defect檢查(ASI)

A A’
 4th layer (CH)

A A'
Layer 4：CH (Contact Hole形成)

1. 成膜SiNx (CVD)
2. 光阻塗佈/曝光/顯影(PEP4)
3. CD/Macro/defect檢查(ADI)
4. Post Bake
5. SiNx蝕刻(DIR)
6. Macro/defect
Macro 檢查(AEI)
7. 剝膜前洗
8. CD/Macro/defect檢查(ASI)

A
A A’
 ITO

5th layer (PE) PVD : (1000Å)

A A'
Layer 5： PE(畫素電極形成)

1. 成膜ITO (PVD)
2. 光阻塗佈/曝光/顯影(PEP5)
3. CD/Macro/defect檢查(ADI)
4. ITO蝕刻(WET)
5. Macro/defect檢查(AEI)
6. 剝膜前洗
7. CD/Macro/defect檢查(ASI)
8. 退火

A
A A’
 TFT-LCD Engineering

A
一.薄膜電晶體元件陣列基板工程( TFT Array
Engineering ):以半導體製造技術，於玻璃基板上 A’
製作TFT元件

二. 液晶面板組立工程( LC Cell Assembly

Engineering ): 將TFT Array 基板與Color Filter基
板貼合

三.模組組立工程( Module Assembly Engineering)

:將驅動IC(LSI)和印刷電路板(PWB)連接至液晶
面板的端子部，再將背光模組及控制電路板組裝
後即可形成LCD模組，之後再經點亮及時效測試

鐵框

AA
A
面板
AA
A

AA
A

背光
 TFT
TFT LCD
LCD Process
Process Flow
Flow

Array Process Cell Process Module Process

Glass Substrate Array Color TFT LCD Panel
Substrate Filter

Cleaning Cleaning OLB

Polyimide Film Printing
Thin Film Deposition PCB Soldering
Rubbing

Resist Coating Cleaning Assembly

Spacer Sealant
Spray Coating
Exposure Aging
Cycle Transfer
Coating
Development Final Inspection
Assembly
Etching
LC Injection

Resist Remove End Sealing

Anneal
TEST
TEST
Array Process flow
 TFT Array 工程

TFT Array
設計 洗淨

成膜
光罩製作
製版

蝕刻

各 工 程 重 覆
Source-Drain TFT Array
玻璃基板 Gate 電極形成 通道形成 畫素電極形成 檢查
電極形成

Gate Electrode i-Si Source/Drain

n-Si Gate Pixel Electrode Electrode
Dielectric Source Drain
Glass Substrate

TFT-Array製程TFT元件是在 閘極形成使用高融點的金屬
TFT Array設計功能,是以 薄膜為材料，以寫真製版和
無塵室的環境中，以先進的
特性模擬方式來設計元件 蝕刻的技術來成形的
半導體製造技術，沈積在玻
與線路，以達到客戶要求
璃基板上而形成
之規格

源極形成材料為金屬薄膜，再以微 畫素電極形成 材料為透明、導電性 通道形成 材料為非晶矽(a-Si)

影製版和蝕刻的技術來形成 薄膜，再以寫真製版和蝕刻的技術 ，以電漿化學沈積法(PCVD)沈積
來形成 薄膜後，再以寫真製版和蝕刻的
技術來形成
 Array主要製程目的

z 薄膜：利用CVD與PVD等技術方法在基板表面形成薄
膜。
z 黃光：基板各層薄膜欲製作之電極圖案，經由光阻塗
佈後，藉曝光機光源透過光罩，照射至基板上 之感光
材料，再經顯影等步驟，使電極圖案轉 印至玻璃基板
上。
z 蝕刻：在已經有光阻圖形之基板上，蝕刻出所需求的
圖形(蝕刻成膜)。
z 剝膜：已經蝕刻出所需求之圖形的基板，將覆蓋於圖
形上之光阻去除以便進行後續工程。
 薄膜工程(Thin Film)

分類 :
1.物理氣相沉積(PVD)(Physical Vapor Deposition)
z 主要運用在金屬層的鍍膜
z Step coverage能力差
z 均一性佳
z 製程控制簡單
z 乾淨的製程
z 膜附著性佳
2.化學氣相沉積(CVD)(Chemical Vapor Deposition)
z 可運用在金屬或絕緣層的鍍膜
z 成膜具多樣性
z Via filling能力佳
z High impurity level
 CVD與PVD之製程分別

CVD﹝化學氣相沉積﹞ PVD﹝物理氣相沉積﹞
原理 化學反應 物理現象
Film種類 導體、半導體、介電材質 金屬薄膜
例如 SIN-P、SIO、ASI、N+等 Al、Mo、ITO、Cr、W等
Temp. 約280-350度 約150-310度
Power 600-2000W 20
Pressure 0.6-1.2 mbar 0.3 KPa
薄膜沉積基本步驟
 濺鍍系統種類

DC濺鍍沉積系統
磁控式濺鍍沉積系統
RF濺鍍沉積系統
反應式濺鍍沉積系統
準直式或離子化濺鍍沉積系統
 Sputter原理

1.利用DC 放電之方式產生電漿，提供電漿產生及濺鍍過程中所需之能量。
2.電漿內所產生的部分離子，將脫離電漿並往陰極板移動。
3.以磁控管增加電子運動之平均自由徑(形成一螺線行進之運動路徑)，使得
系統可以在較低之氣體壓力操作，並增加電子之動能，提高濺鍍效率。
4.過程中被加速二次電子撞擊產生離子化之反應，被離子化之氣體(一般為
Ar)離子再被電場加速撞擊位於陰極之靶材表面，使靶材材料之原子被濺射
出來，濺鍍於基材上。

陽極
基板

電漿

M+ ♁ e-
靶材
DC 電源 S S S 陰極
N N N
 Sputter機構

Cr靶材

自由電子
-
Ar＋
二次電子
Cr原子
基板
+
通入 氣體

抽真空
Ar

利用電漿對目標物靶材進行離子轟擊，藉由離子轟擊的動量轉移撞擊
靶材表面的原子，使它以氣體分子的形式發射出來，並到達所要沉積的基
板上，再經過附著、吸附、表面遷徙、成核的過程在基板上形成薄膜的一
種製程。
 CVD沈積原理

以外加能量的方式，使通入反應室的反應氣體
產生化學反應，形成固態生成物，以達到成膜
的目的。
energy
A(g) + B(g) C(s) + 副產物

Ex.
非晶矽膜 (a-Si)
反應氣體 (Gas Source)： SiH4(Silane) 、H2
(n+a-Si反應時則加入PH3氣體)
RF
SiH4(g) + H2(g) a-Si:H(s)
 化學氣相沉積的反應步驟

• (1)反應氣體分子由主氣流 (Main Stream) 帶至反應區域 (基板)附近。

• (2)反應氣體分子因濃度差而擴散並穿越邊界層 (Boundary Layer)。
• (3)反應氣體分子到達基板表面。
• (4)反應氣體分子吸附(Absorption)在基板表面,化學沉積反應發生
• ------- 沉積膜及副產物 (By-Products)。
• (5)副產物及剩餘氣體吸解 (Desorption) 離開基板表面。
• (6)副產物及剩餘氣體穿越邊界層。
• (7)副產物及剩餘氣體進入主氣流，並由真空系統抽離。

(a)反應物 主氣流
(b)內擴散 (e)外擴散
boundary layer

(c)吸附 (d)化學反應

基板
 PECVD

PECVD (Plasma Enhanced Chemical Vapor Deposition電漿輔助化學氣相沉積):

乃是利用電漿內的高能電子，撞擊製程氣體分子，斷裂其化學鍵，提高活性，
在較低的製程溫度下於加熱的基板表面形成化學反應，而形成所需要的固態
沉積。

RF gas

A e- A* hυ
Plasma e-
e -
e-
+

e-
Pump
 微影工程

目的:
基板各層薄膜欲製作之電極圖案，經由光阻塗佈後，藉曝光機光源透過
光罩，照射至基板上之感光材料(光阻劑/ Photoresist)，再經顯影等步驟，使
光罩(Mask)上之電極圖案轉印至玻璃基板上。

微影製程亦稱之為黃光製程
在微影製程中所使用的
光阻材料屬於感光性高分子
材料。這種感光性材料對於
光在波長500 nm以下的區域
非常敏感，為了使光阻在製
程前不受外在環境的光線影
響，一般微影需要的照明光
波長都在黃光範圍的500 nm
左右，以確保光阻的品質，
故又稱為黃光製程。
 微影工程

一.主要製程:
1.去水烘烤（Dehydration Bake）
2.塗佈HMDS（HMDS Priming）
3.光阻塗佈（Photoresist Coating）
4.軟烤（Soft/Pre-Bake）
5.曝光(Exposure)
6.顯影（Development）
7.曝光後烘烤（Post-Bake）
二.主要設備
1.Track(Coater/Developer)
2.Scanner/Stepper(曝光機)
3.Titler/Edge Exposuer
 Photolithography Process flow

洗淨
清洗單元 基板清洗

AD (熱板) CP Coater DP
塗佈單元 HMDS塗佈 冷板冷卻 光阻塗佈 減壓乾燥

CP Pre-Bake ER
冷板冷卻 熱板軟烤 擦邊

Exposure 印字曝光
曝光單元 曝光 Titler

DEV Post-Bake CP
顯影單元 顯影 熱板硬烤 冷板冷卻
 Lithography Process Flow

Substrate
L_Scrubber/ Cleaner unit
Hot Plate Oven(HP)
Adhesion unit (AD) Film formation
Cooling unit (COL) Applying a resist
Coater, DP unit and Edge remover Pre-baking
Hot Plate Oven (HP)
Cooling unit (COL) Masking
Interface unit(I/F) Exposing
Exposure unit
(Titler) (E/E) Developing
Post-baking

Developer unit (DEV)

Hot Plate Oven (HP) Etching
Cooling unit (COL)
Removing the resist
Drying
 Photo Machine Structure

• DNS(SK-750G)清洗/塗佈/顯影裝置
Unit6 Unit5 Unit4 Unit3 Unit2 Unit1
04 03 A D
05 軟烤
熱板 02洗淨
L/UL
冷板 ER擦邊 減壓乾燥光阻塗佈
印字曝光機 冷板
L/UL
ARM ARM ARM ARM ARM
L/UL
NIKON 移載C/V
08 硬烤 C/V
Exposure 06暫存區 07 顯影 L/UL
冷板

Unit7 Unit8
• TEL(CS1000)清洗/塗佈/顯影裝置
 Etch

目的：
把光阻沒有覆蓋的部分， 以化學反應或物理作用方式加以將Film/薄膜
去除，達到轉移光罩圖案到薄膜上的目的。

PR
蝕刻前 Film
Substrate

PR
蝕刻後 Film
Substrate
 Etch Type

分類:

Wet Etch:
利用薄膜與特定溶液間所進行的化學反應，來去除未被
光阻覆蓋的薄膜，以達到蝕刻之目的。

Dry Etch:
利用電漿(離子化的氣體)對基板上薄膜進行侵蝕反應以
達到蝕刻之目的。
一.濕式蝕刻:(化學性反應蝕刻)(Isotropic Etch)

等向性蝕刻

二.乾式蝕刻:(物理性與化學性反應蝕刻)(Ani-isotropic Etch)

非等向性蝕刻與 等向與非等向性控制
 濕式蝕刻簡介
原理
Liquid -Solid reaction :
Bulk Solution
Reactant Product
Boundary Layer

PR PR
Chemical Reaction Ce4+
Thin Film a
Cr b 3Ce4++Cr → 3Ce3++Cr3+
Substrate
c
Ce3+, Cr3+
化學反應機構
利用擴散效應以液相(蝕刻液)與固相(薄膜)產生化學生成物，再利
用擴散效應將生成物由溶液排出，以達到蝕刻薄膜表面之作用。
PR
Undercut
Film
Substrate
 乾式蝕刻簡介

原理
在電漿環境中運用物理或化學的方式來達到去除光阻或侵蝕薄膜的技
術。

乾蝕刻設備基本構造
通入製程氣體

抽真空
～
Dry Etching反應機構
 Si 乾蝕刻反應機構

反應自由基與反應物作用過程
1. 非分解式吸附作用 :
SF6(gas) + Si SF6(abs) + Si

2. 分解式吸附作用 :
SF6(abs) + Si S(abs) + 6F(abs) + Si

3. 產物分子形成 :
xF(abs) + Si SiFx(abs)
4. 氣化 :
SiFx(abs) SiFx(gas)

5. 移出殘留物 :
S(abs) + F(abs) SFx(gas)
 等向性與非等向性蝕刻

„ 就濕蝕刻作用而言，對一種特定被蝕刻材料，通常可以找到一種可快
速有效蝕刻，而且不致蝕刻其它材料的『蝕刻劑』(etchant)，因此，
通常濕蝕刻對不同材料會具有相當高的『選擇性』(selectivity)。由於
化學反應並不會對特定方向有任何的偏好，因此濕蝕刻本質上乃是一
種『等向性蝕刻』(isotropic etching)。

„ 在電漿蝕刻中，電漿是一種部分解離的氣體，氣體分子被解離成帶電
荷正負離子、電子不帶電荷分子、原子團。乾蝕刻最大優點即是『非
等向性蝕刻』(anisotropic etching) 。然而，(自由基Radical)乾蝕刻的選
擇性卻比濕蝕刻來得低，這是因為乾蝕刻的蝕刻機制基本上是一種物
理交互作用；因此離子的撞擊不但可以移除被蝕刻的薄膜，也同時會
移除光阻。
 Wet Etch/Dry Etch之比較

Wet Etching Dry Etching

Etching Rate High Low
Uniformity Poor Good
Repeatability Poor Good
CD Loss Large Small
Selectivity Good Poor
Selectivity to PR Good Poor
Profile Control Very Poor Good
Muti-Layer Etch Difficult Possible
PR
PR
Film
Etching Profile Film

Substrate
Substrate
 Stripper
目的:
已經蝕刻出所需求之圖形的基板，將覆蓋於圖形上之光阻
去除以便進行後續工程。
PR
剝膜前 Film
Substrate

Film
剝膜後 Substrate
方法 :
濕式剝膜法 – 有機溶劑剝膜 -丙酮或芳香族有機溶液
無機溶劑剝膜 -硫酸或雙氧水~易破壞金屬層
乾式剝膜法 – 電漿剝膜
 剝膜液的組成&剝膜原理
界面活性劑：MEA (30%) 溶劑：DMSO (70%)
MonoEthanolAmine, HOCH2CH2NH2 DiMethylSulfOxide, (CH3)2SO
濕潤能力
溶解力
浸透力
可溶解能力（只形成可溶解的micelle） 浸透力
Polymer等之親和力