Memorias ROM

También se le conoce como memoria de solo lectura, es un dispositivo que sirve

como un medio o transporte de almacenamiento para computadoras y cualquier
dispositivo electrónico. La memoria ROM se encargan de leer la información, pero no
la escritura, sin importar la existencia de alguna fuente de energía.

Por otro lado, la memoria ROM se conoce como una memoria no volátil, ya que
la información que contiene dentro no se borra al apagar algún dispositivo electrónico,
es decir la información no podrá ser borrada ni reprogramable.

Este tipo de memoria, basada en semiconductores, la información se puede

recuperar pero no modificar, es de acceso secuencial su contenido no puede ser
modificado, al menos no de forma simple por un usuario, suelen contener información y
datos introducidos por el fabricante de tipo operativo, básico y funcional. Existen
diferentes formas de guardar la información en una ROM, siendo la más usada la que un
diodo o transistor, o su ausencia en el circuito hace que la salida sea 1 o 0.

Los ordenadores vienen con una memoria ROM, donde se encuentran los
programas del BIOS (Basic Input Output System), el cual contiene las instrucciones y
datos necesarios para activar y hacer funcionar el ordenador y sus periféricos. Debido a
que en esta memoria la información está disponible en cualquier momento, los
programas en una ROM son a menudo los cimientos sobre los que se construye el resto
de los programas. Por otro lado algunas de las consolas de videojuegos usan programas
basados en la memoria ROM. Estas están, pegadas a los cartuchos que usan los

diferentes juegos.
Estructura básica ROM

Memorias RAM estáticas

SRAM son las siglas de la voz inglesa Static Random Access Memory, que
significa memoria estática de acceso aleatorio, para denominar a un tipo de tecnología
de memoria RAM basada en semiconductores, capaz de mantener los datos, mientras
siga alimentada, sin necesidad que se actualice el circuito lo cual lo hace más rápida que
la DRAM.

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 El almacenamiento en RAM estática se basa en circuitos lógicos denominados
flip-flop, que retienen la información almacenada en ellos mientras haya energía
suficiente para hacer funcionar el dispositivo. Puede estar formado por cuatro o 6
transistores cableados que controlan el flujo de electricidad, al tener más partes que una
dinámica ocupa más espacio, en el que ofrece menor capacidad de memoria por lo que
es más cara que la DRAM. Lo que define a la SRAM es que debido a que nunca tiene
que ser actualizada sus datos permanecen en las celdas de memoria hasta que extrae la
alimentación o se sobrescriben.

Las SRAM se utilizan en sistemas científicos e industriales, electrónica del

automóvil, y similares, prácticamente, todos los productos de uso cotidiano que
implementen una interfaz electrónica de usuario. También se puede encontrar memorias
SRAM en los computadores personales, estaciones de trabajo, routers y la gran mayoría
de periféricos.

Ejemplos comerciales: SRAM ISSI IS61LV5128AL-10TLI 4Mbit, TSOP, 44

pines, SRAM Microchip 23LCV1024-I/SN 1Mbit, 20MHz, SOIC, 8 pines, SRAM
Microchip 23LC1024-I/P 1Mbit, 20MHz, PDIP, 8 pines, SRAM Microchip 23LC1024-
I/P 1Mbit, 20MHz, PDIP, 8 pines.

Estructura básica RAM estática

Memorias RAM dinámicas

DRAM son las siglas de la voz inglesa Dynamic Random Access Memory, que
significa memoria dinámica de acceso aleatorio, para denominar a un tipo de tecnología
de memoria RAM basada en condensadores, los cuales pierden su carga
progresivamente, necesitando de un circuito dinámico de refresco que, cada cierto
período, revisa dicha carga y la repone. Por lo tanto, si se interrumpe la alimentación
eléctrica, la información almacenada se volatiliza. En su interior cada chip almacena un
bit de información compuesto por un transistor y un condensador extremadamente
diminutos, ya que millones caben en un solo chip de memoria, el condensador es el

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 encargado de mantener el bit de información y el transistor actúa como un conmutador
que permite a los circuitos del chip leer el condensador y modificarlo. La necesidad de
ser refrescada es lo que hace característica a la RAM dinámica y lo que le da su nombre
la problemática del consumo de tiempo y la ralentización de memoria.

Se usa principalmente como módulos de memoria principal RAM de

ordenadores y otros dispositivos. Su principal ventaja es la posibilidad de construir
memorias con una gran densidad de posiciones y que todavía funcionen a una velocidad
alta: en la actualidad se fabrican integrados con millones de posiciones y velocidades de
acceso medidos en millones de bit por segundo.

Ejemplos comerciales: DRAM 4164 (64K x 1), DRAM 4256 (256K x 1), DRAM 4464
(64K x 4), DRAM 4100 (1M x 1)

Estructura DRAM 64K x 1

Memorias EPROM

EPROM son las siglas de Erasable Programmable Read-Only Memory (ROM

programable borrable). Es un tipo de chip de memoria ROM no volátil que permite la
lectura de información, pero no su borrado (se puede borrar solamente mediante
exposición a una fuerte luz ultravioleta ya que son una variable de EROM). Su principal
uso es el de almacenar firmware o programas básicos que ponen en marcha o realizan
diagnósticos de los sistemas en los dispositivos. Se fabrican en diferentes tamaños y
capacidades y pueden almacenar los datos durante una vida útil entre 10 y 20 años un
numero de lecturas infinitas.

Está formada por celdas de FAMOS (Floating Gate Avalanche-Injection Metal-

Oxide Semiconductor) o "transistores de puerta flotante", cada uno de los cuales viene
de fábrica sin carga, por lo que son leídos como 1. Para poder programarlas, se usa un

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 dispositivo electrónico que proporciona voltajes superiores a los normalmente utilizados
en los circuitos electrónicos. Las celdas que reciben carga se leen entonces como un 0.

Ejemplos comerciales: EPROM AT27C512R-70PU, 512kbit, 64K x 8 bits, 70ns, PDIP

28 pines, EPROM AT27C256R-70PU, 256kbit, 32K x 8 bits, 70ns, PDIP 28 pines,
EPROM DS2502P+, 1kbit, TSOC 6 pines.

EPROM 2764

Memorias EEPROM

EEPROM son las siglas de Electrically Erasable Programmable Read-Only

Memory (ROM programable y borrable eléctricamente). Es un tipo de memoria ROM
que puede ser borrada y reprogramada eléctricamente (entre 100.000 y un millón de
veces) y contiene una memoria no volátil.

Comparando con una memoria EPROM, en esta se evita tener que desconectarla
de la placa para ser reprogramada. En cuanto a la construcción, las celdas son similares
a las de la EPROM siendo la principal diferencia la capa aislante (más fina y no
fotosensible) alrededor de cada compuerta flotante. La posibilidad de borrar y
reprogramar estas memorias eléctricamente da una gran flexibilidad, aunque como
consecuencia la celda tiene una estructura más compleja, es decir, necesita un segundo
transistor de selección a parte del de puerta flotante. El tener dos transistores provoca
que sean de baja densidad y de un mayor coste.

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 Se usan principalmente para almacenar información de programación o
información de elemento periféricos como un monitor actualizándose cada vez que se
active.

Ejemplos comerciales: EEPROM en paralelo AT28C64B-15PU Microchip, 64kbit,

Paralelo, 150ns, 28 pines PDIP, EEPROM serie M24C16-WMN6TP
STMicroelectronics, 16kbit, I2C, 900ns,8 pines SOIC, EEPROM serie 24LC64-I/P
Microchip, 64kbit, I2C, 900ns, 8 pines PDIP.

Memorias FLASH

Las memorias flash son memorias no volátiles que permiten la lectura y escritura
de múltiples posiciones de memoria en la misma operación mediante impulsos
eléctricos. Esto se consigue gracias a que son un derivado de las memorias EEPROM
pero siendo aún más rápidos ya que pueden actuar sobre más de una celda de memoria
por interacción.

Su funcionamiento se basa en el uso de materiales semiconductores, al ser volátil

y re escribible, lo almacenado no se borra al ser desconectado del suministro eléctrico lo
que la diferencia de las RAM y los hace “extraíbles”. Las de tipo NAND son usadas
para tarjetas de memorias, USB y discos duros extraíbles entre otros.

Su uso muy extendido hoy en día en la informática por su tamaño, portabilidad y

bajo consumo hacen que se usen en Smartphones, tarjetas SD, Memory stick, Pendrive,
cámaras, dispositivos de audio, videoconsola etc

Ejemplos comerciales: SPI AT45DB321E-SHF-B 34603008bit, 8.192 páginas x 512

bytes, 7ns, SOIC, 8 pines, SPI AT45DB321E-SHF-B 34603008bit, 8.192 páginas x 512
bytes, 7ns, SOIC, 8 pines, SPI SST25VF016B-50-4I-S2AF 16Mbit, 2M x 8 bits, 8ns,
SOIC, 8 pines, SPI SST26VF064B-104I/SM 64Mbit, 8M x 8 bits, 3ns, SOIJ, 8 pines,
Quad-SPI SST26VF016B-104I/SM 16Mbit, 2M x 8 bits, SOIJ, 8 pines, SST39SF040-
70-4C-PHE 4Mbit, 512K x 8, 70ns, PDIP, 32 pines.

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