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dE d 2 ( x)
Equation de Poisson dans un semiconducteur :
dx dx 2
n( x, t )
Modèle de dérive-diffusion du courant : J n ( x, t ) e.n( x, t ).n .E e.Dn
x
p( x, t )
J p ( x, t ) e. p( x, t ). p .E e.Dp
x
k BT
Relation d’Einstein : D µ
e
n( x, t ) 1 J n ( x, t )
Equations de continuité : Gn Rn
t e x
p( x, t ) 1 J p ( x, t )
G p Rp
t e x
E EC
n NC exp F
kB T
E EF
p NV exp V
k BT
Constantes universelles et données à T = 300 K pour le silicium
19 -3 19 -3 9 -3
kBT = 26 meV NV = 10 cm NC = 2,8×10 cm ni = 7,5x10 cm Eg=1,12 eV
2 2 -19 -23 -1 -5 -1
µn = 1345 cm /Vs µp=458 cm /Vs e = 1,6×10 C kB = 1,38×10 J.K =8,62×10 eV.K
I. Choix multiples :
Plus d’une réponse peut être correcte. Les mauvaises réponses seront pénalisées.
Sur votre copie, notez la (ou les) lettre(s) de la (ou des) réponse(s) correcte(s). Par ex. : 1. a ; 2.
b,c ; 3. d, e,f ; etc.
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1. La « bande interdite » ou « band gap » représente :
a. Une région physique où les électrons ne peuvent pas être présents. Non
b. Une région physique où les trous ne peuvent pas être présents. Non
c. Des valeurs d’énergie consécutives que des électrons ne peuvent pas avoir. Vrai (si
pas dopé)
d. Des valeurs d’énergie consécutives que des trous ne peuvent pas avoir. Je dirais
faux, car par définition les trous n’existent que dans la bande de valence. Cependant,
j’ai accepté des réponses « vrai ».
e. Toutes les réponses ci-dessus. Faux
f. Aucune des réponses ci-dessus. Vrai (si dopé)
g. Un groupe de voyous de renom international.
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b. Est un bon candidat pour faire un photodétecteur. Vrai.
c. Est un bon candidat pour faire des dispositifs électroniques. Vrai.
d. A le bas de la bande de conduction et le haut de la bande de valence à la même.
valeur du vecteur k (vecteur d’onde de l’électron) sur un graphique E(k) (énergie en
fonction du vecteur d’onde). Faux.
e. Est le silicium. Vrai.
f. Est le GaAs. Faux.
g. A une bande interdite qui varie avec le dopage. Faux.
E E E Ei E E kT N
NC exp i C NV exp V , Ei c v ln v
kB T k BT 2 2 Nc
2. Définir ce qu’est la densité de porteurs intrinsèque. Trouver une expression pour ni. A.N.
pour le silicium à température ambiante (300K).
ni : densité des électrons (par unité de volume) et des trous pour un semiconducteur pur (non-dopé).
ni N c e( Ei EC ) / kBT Eg / 2 kBT
Nc Nv e( Ec Ev ) / kBT ou ni (T ) Nc Nv e
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Pour un SC pur : ni
( Ev Ei ) / kBT
ni N v e
9 -3
A.N. ni = 7,4x10 cm
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Illustrez vos explications :
Dopage N Dopage P
Dopage p
Dopage n
Ec
Ev
Ec
EA
Ev
en prenant soin de traiter les deux types de dopage. Vous pourrez considérer que l’ionisation des
éléments introduits est complète à T=300K.
18 -3
2. On dope le silicium avec des atomes accepteurs (NA=10 cm ). Quel type de charges libres
a-t-on libéré ?
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Des trous
18 -3 2 -3
p~NA=10 cm n=ni / NA~56 cm
OU
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b. Identifier les trois différents régimes.
c. Tracer des diagrammes de bandes pour les trois différents régimes afin d’expliquer ce
qui se passe dans ces trois différentes gammes de températures. Sur votre schéma,
inclure quelques niveaux d’énergie des dopants et dessiner quelques porteurs.
d. Donner des expressions pour les concentrations des porteurs majoritaires dans le
régime de haute température et dans le régime de température moyenne.
On se place dans cette partie dans le cas d'un barreau de germanium de type P avec un dopage
uniforme sur toute la longueur du barreau.
18 -3 19 -3 2
Données pour le Ge : NV = 6×10 cm ; NC = 10 cm ; Eg=0,66 eV; µn=3900 cm /Vs ;
2
µp=1900 cm /Vs. Nous supposons toutes ces données constantes avec la température.
Pour la circulation d’un courant électrique au sein d’un composant, seul nous intéresse la vitesse
de dérive d’un grand nombre de charges, que l’on notera vd .
1- Indiquer quelle est la structure cristalline du germanium sachant que c'est la même que celle
du silicium.
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La structure cristalline du germanium est de type diamant, c'est-à-dire avec deux réseaux
cubiques faces centrées dont l'un est la translation de l'autre par décalage d'un quart de la
diagonale principale du cube.
2- Calculer vd v moyenne
à partir du principe fondamental de la dynamique appliqué à un trou.
F F
De F m*a, on a v dt ; vmoyenne v car l’électron émerge d’une
m* m*
collision dans une direction aléatoire, la vitesse initiale ne contribue pas à la vitesse
moyenne de l’électron (autrement dit, vo 0 ).
3- Le barreau de germanium est soumis à un champ électrique. Donner alors la loi de dépendance de
la vitesse de dérive vd des porteurs en fonction du champ électrique E présent dans un
semiconducteur homogène. En déduire l’expression du coefficient de proportionnalité µp entre vd et
E . Comment s’appelle un tel coefficient et quelle est son unité ?
e e v
vd v E ; mobilité de trou p * d (unités: cm2/Vs)
mv*
mv E
5- Montrer que, dans les domaines de température moyenne et haute définis à la partie III.4, la
variation en fonction de la température de la conductivité est donnée par l'expression :
T
0 1 exp 1 . Préciser les expressions de 0, 1 et T1 dans les domaines de température
T
moyenne et haute. (Attention ! Tous les paramètres ne sont pas forcément définis dans ces deux
régimes). N’hésitez pas à utiliser des expressions/résultats obtenus dans d’autres questions.
Eg / 2 kBT EG
Pour T haute, p ~ ni (T ) Nc Nv e 0 = 0, 1 eµp NC NV et T1 .
2k B
6- Tracer l’allure de ln( en fonction de 1/T pour des températures moyennes et élevées.
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ln
1
T
1 1
Tmax Tmin
d
T /
d /
T1
T
1e ( 12 ); T
dt
dt T T / T T / T
T1
T
1 1 e T
S T
T1
0 1e T
8-Cette sonde est-elle efficace pour toute température ? Commenter. Pourquoi utiliser un barreau de
germanium plutôt que du silicium ?
Un barreau de Si (NA=10 cm , =1 µs, T=300K) est d’abord illuminé pendant un temps t>> avec
14 -3
16 3
une lumière qui génère des paires électrons-trous à un taux de GL0=10 paires/cm -s
uniformément dans le volume du barreau ; à un temps t=t0=0, l’intensité de la lumière est réduite,
pour que maintenant GL=GL0/2.
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1. Déterminer n pour t < 0.
n(t<0) = GL0cm-3
t
d n n
GL => n Ae GL
dt
t
n(t ) GL (e 1)
3L/4<x<L
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4. Quelles sont les concentrations d’électrons dans la bande de conduction
et de trous dans la bande de valence à x=L/2 ?
n~ni (T) ~p
a) x=L/2
E =0 (1)
b) x=L
E =0 (1)
c) x=5L/16
E=0,4 eV/ [e L/8]=0,4V/ [0,8 cm/8]=4 V/cm
7. Quelle est la valeur du courant total dans le dispositif ? Expliquer votre
réponse.
Le dispositif est à l’équilibre thermodynamique, car EF est constant. Il n’y a donc pas
de courant total dans le dispositif. Par contre il y peut avoir un courant de dérive
contrebalancé par un courant de diffusion.
Non, il n’est pas nul. Il y a un champ électrique (voir 6.c) donc il doit avoir un courant
de dérive. Mais comme le courant total est nul (voir 7), il doit avoir un courant de
diffusion qui contrebalance ce courant de dérive.
10
0.44 eV
0.83 eV 0.7 eV
0.42 eV Ec
EF 0.12 eV
0.29 eV
0.7 eV 1 eV
Ei
x=5L/16 Ev
3L/8 5L/8
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