Fiee

DISPOSITIVOS SEMICONDUCTORES DE
POTENCIA

CÁTEDRA: ELECTRÓNICA DE POTENCIA

CATEDRÁDITO: ING. BARTOLOMÉ SÁENZ LOAYZA

INTEGRANTES:
CORONEL BUJAICO SAMIR GABRIEL

SEMESTRE: VI

1
 INDICE
DISPOSITIVO IGBT ………………………………………………………………………3
1 Introducción ...................................................................................................... 3
2 Símbolo............................................................................................................. 3
3 La estructura básica ......................................................................................... 3
4 Circuito equivalente .......................................................................................... 4
5 Funcionamiento del dispositivo IGBT................................................................ 6
6 Aplicaciones del IGBT....................................................................................... 7
MOSFET'S…………………………………………………………………………………9
1 Introducción……………………………………………………………………………9
2 Ideas generales y símbolos…………………………………………………………10
3 Regiones de operación……………………………………………………………..11
4 Características de los Mosfet's……………………………………………………..13
5 Mosfet como interruptor…………………………………………………………….14
6 Conclusiones…………………………………………………………………………15
TRANSISTOR BIPOLAR BJT…………………………………………………………..16
1 Introducción…………………………………………………………………………..16
2 Características del transistor bipolar………………………………………………16
3 Ejemplos constructivos……………………………………………………………..18
4 Tiempos de conmutación…………………………………………………………...19
5 Disipación de potencia en conmutación…………………………………………..20
TIRISTORES……………………………………………………………………………..20
1 Introducción………………………………………………………………………….20
2 Características………………………………………………………………………21
3 Métodos de disparo………………………………………………………………….26
CONCLUSINES Y BIBLIOGRAFIA………………………………………………….....28

2
 DISPOSITIVO IGBT (ISOLATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR)
1.- INTRODUCCIÓN
La sigla IGBT corresponde a las iniciales de isolated gate bipolar transistor o sea
transistor bipolar de puerta de salida
Durante muchos años se ha buscado la forma de crear un dispositivo que fuese lo
suficientemente veloz y que pudiese manejar grandes cargas, pero han surgido
nuevas ideas con la unión de un mosfet como dispositivo de disparo y un TBJ de
dispositivo de potencia y de esta forma se llego a la invención del IGBT el cual será
expuesto en el siguiente documento.
2.- Símbolo

Símbolo del IGBT: Gate o puerta (G), colector (C) y emisor (E)
3.- La estructura básica

La estructura recuerda mucho la de un transistor MOSFET de potencia donde se

3
utilizan obleas dopadas de Tipo N sobre las que se deposita una fina capa
epitaxial. El IGBT esta construido de forma casi idéntica. La capa epitaxial
presenta el mismo espesor y se dopa igual que en un FET. Sin embargo, existe
una importante diferencia: el material de partida es una oblea dopada Tipo P en
lugar de Tipo N. La unión PN adicional, así creada, inyecta portadores (huecos) en
la región epitaxial Tipo N reduciendo su resistividad y rebajando la caída de
tensión en conducción.
A este proceso se le conoce también por "Modulación de la Conductividad" y
puede contribuir a incrementar la capacidad de conducción de corriente hasta 10
veces mas.
Por otro lado, la adición de esta capa Tipo P, introduce un nuevo transistor parasito
que con el NPN inherente a la estructura de un MOSFET, conforma un Tiristor
parasito, el cual en caso de ser activado puede destruir al IGBT.
4.- CIRCUITO EQUIVALENTE
El transistor IGBT puede representarse funcionalmente por el modelo de
transistores equivalentes, dado el camino principal de la corriente, su región de
operación está en función del MOSFET horizontal de entrada, que puede
controlarse con precisión mediante la tensión de compuerta.

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 a) b)

Circuitos equivalentes para un IGBT;

a) circuito equivalente completo. El cual incluye el transistor parasito NPN
formado por la fuente del MOSFET de tipo-n+, la región del cuerpo del
tipo-p y la región n- de la deriva.
b) circuito equivalente aproximado para condiciones normales de operación.
En la fig. a) también se muestra la resistencia lateral de la región de tipo-p. Si la
corriente que atraviesa esta resistencia es lo suficientemente alta producirá una
caída de voltaje que polarice directamente la unión con la región n+ que
encenderá el transistor parasito que forma parte del tiristor parasito. Una vez que
suceda esto hay una alta inyección de electrones de la región n+ en la región de p
y se pierde todo el control de la compuerta. Esto es conocido como “latch up” y
generalmente conduce a la destrucción del dispositivo.
El modelo completo con dos transistores bipolares corresponde a una estructura
de tiristor. La entrada en conducción determina la activación del transistor parasito,
5
con la consiguiente saturación de ambos transistores, de modo que el IGBT
resulta prácticamente cortocircuitado entre colector y emisor. En estas
condiciones, el MOSFET no conduce y, por tanto, no existe control externo de la
estructura desde la terminal de compuerta y puede darse la destrucción del IGBT
si el circuito exterior no limita suficientemente la corriente.
El disparo indeseado del tiristor parasito se produce por la conducción del
transistor T2, como resultado de una caída de tensión en RBE igual al valor de
conducción de la unión base-emisor. Este fenómeno de amarre (latch-up) puede
suceder cuando el IGBT conduce una corriente excesiva. Así mismo, toda la
tensión externa es soportada en régimen permanente por la unión J2inversamente
polarizada, lo que provoca que el condensador C se cargue a la tensión de
bloqueo. De este modo, si la corriente de carga de C es suficientemente alta, con
un tiempo de conmutación de la tensión suficientemente bajo, puede producirse la
conducción de T2 y el amarre del IGBT.

5.- Funcionamiento del dispositivo IGBT

(El IGBT cuenta con tres pines Puerta (G), Emisor (E) y Colector (C))
Cuando se le aplica un voltaje VGE a la puerta, el IGBT enciende inmediatamente,
la corriente del colector IC es conducida y el voltaje VCE se va desde el valor de
bloqueo hasta cero. La corriente IC persiste para el tiempo de encendido en que la
señal en la puerta es aplicada. Para encender el IGBT, el terminal C debe ser
polarizado positivamente con respecto a la terminal E. La señal de encendido es
un voltaje positivo VG que es aplicado a la puerta G.
Este voltaje, si es aplicado como un pulso de magnitud aproximada de 15 volts,
puede causar que el tiempo de encendido sea menos a 1 seg. Después de lo cual
la corriente de colector ID es igual a la corriente de carga IL (asumida como
constante). Una vez encendido, el dispositivo se mantiene así por una señal de

6
voltaje en el G. Sin embargo, en virtud del control de voltaje la disipación de
potencia en la puerta es muy baja.
El IGBT se apaga simplemente removiendo la señal de voltaje VG de la terminal
G. La transición del estado de conducción al estado de bloqueo puede tomar
apenas 2 microsegundos, por lo que la frecuencia de la conmutación puede estar
en el rango de los 50 KHz.
El IGBT requiere un valor limite VGE (TH) para el estado de cambio de encendido
a apagado y viceversa. Este es usualmente de 4V. Arriba de este valor el voltaje
VCE cae a un valor bajo cercano a los 2 V. Como el voltaje de estado de
encendido se mantiene bajo, el G debe tener un voltaje arriba de 15 V y la
corriente IC se auto limita.

6.- Aplicaciones del IGBT

El IGBT ofrece a los usuarios las ventajas de entrada MOS, más la capacidad de
carga
en corriente de los transistores bipolares, trabaja con tensión, tiempos de
conmutación
bajos, disipación mucho mayor (como los bipolares).
El IGBT se suele usar cuando se dan estas condiciones:
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• Bajo ciclo de trabajo
• Baja frecuencia (< 20 kHz)
• Aplicaciones de alta tensión (>1000 V)
• Alta potencia (>5 kW)
Aplicaciones típicas:
• Control de motores
• Sistemas de alimentación ininterrumpida
• Sistemas de soldadura
• Iluminación de baja frecuencia (<100 kHz) y alta potencia
El principal campo de aplicación para estos transistores es la electrónica de
potencia, en donde son utilizados en aplicaciones de control de motores y fuentes
de alimentación, principalmente.
En la actualidad se utilizan IGBT de la tercera generación. La característica mas
importante de esta generación es que alcanzan velocidades muy similares a las
ofrecidas por los transistores bipolares, ofreciendo una mayor robustez, brindando
mayor soporte contra sobrecargas y consumiendo menor potencia.
Aplicaciones Generales:
Los IGBT acumulan la mayor parte del mercado de componentes de
potencia para aplicaciones de media y alta tensión, no solo por su capacidad de
potencia sino también porque son tan rápidos que la frecuencia de los impulsos
que generan son imperceptibles por el oído humano.
Otro ejemplo curioso de aplicación de esta tecnología es su utilización para
activar o desactivar los pixeles en las pantallas táctiles de nueva generación,
sistemas de iluminación de edificios o centrales de conmutación telefónica.
Estos dispositivos semiconductores de potencia se utilizan en convertidores
CC/CA, en maquinaria, robots industriales, compresores de equipos de aire
acondicionado, equipos de fabricación de semiconductores, unidades de control

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de motores en automóviles y vehículos eléctricos híbridos, equipos de soldadura.
Aplicaciones de IGBT en control por modos deslizantes:
La teoría de sistemas de Control por Modo Deslizante (CMD) consiste en el
empleo de acciones de control conmutadas o discontinuas sobre una o varias
superficies de conmutación. Uno de los principales inconvenientes asociados a la
técnica de CMD es la intensa actividad que debe ejercer la señal de control, lo que
resulta en la presencia de oscilaciones de alta frecuencia.

MOSFET´s
1 Introducción
El MOSFET (Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor) de Potencia es
el transistor de efecto de campo del tipo MOS, base de los circuitos digitales de
señal, que ha sido modificado para su utilización como llave apagable en
electrónica de potencia, sustituyendo así a los BJT por sus siguientes
limitaciones:
➢ Los tiempos de conmutación son del orden de varios µs,
fundamentalmente en el apagado, lo que limita la frecuencia máxima de
operación a unos 20kHz, decreciendo con la potencia manejada.
➢ El control por corriente de base, que además debe ajustarse a la corriente
de colector, obliga a usar circuitos de comando complejos y con consumo
apreciable de energía.
➢ La conducción se realiza por difusión de portadores minoritarios, lo que
hace que el dispositivo presente el fenómeno de Segundo Breakdown, que
limita las zonas de operación segura.
➢ La ganancia en emisor común baja fuertemente con el aumento de la
tensión de bloqueo.
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 Para realizar la parte de conmutación, existen varios dispositivos
semiconductores:

2 Ideas Generales y Símbolo

➢ Es un dispositivo unipolar: la conducción sólo es debida a un tipo de
portador.
➢ Los usados en Electrónica de potencia son de tipo “acumulación”.
➢ Los más usados son los MOSFET de canal N
➢ La conducción es debida a los electrones y, por tanto, con mayor movilidad
habrá menores resistencias de canal en conducción
➢ El símbolo más utilizado para su representación a nivel de circuito se
muestra en la siguiente figura, la flecha en el terminal de Fuente (Gate)
nos informa sobre el sentido de la corriente.

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3 Regiones de Operación
En los MOSFET modernos se requieren modelos computacionales que exhiben
un comportamiento mucho más complejo.
Para un transistor NMOS de enriquecimiento se tienen las siguientes regiones:
3.1 Región de Corte
Cuando VGS < Vth
Donde: Vth es la tensión de umbral del transistor
De acuerdo con el modelo básico del transistor, en esta región el
dispositivo se encuentra apagado. No hay conducción entre la fuente (S)
y el drenador (D), de modo que el MOSFET se comporta como un
interruptor abierto.
3.2 Región Lineal u Óhmica
Cuando: VGS > Vth y VDS < (VGS – Vth)
Al polarizarse la puerta con una tensión mayor que la tensión de umbral,
se crea una región de agotamiento en la región que separa la fuente y el
drenador. Si esta tensión crece lo suficiente, aparecerán portadores
minoritarios (huecos en PMOS, electrones en NMOS) en la región de
agotamiento, que darán lugar a un canal de conducción. El transistor pasa
entonces a estado de conducción, de modo que una diferencia de
potencial entre drenador (D) y fuente (S) dará lugar a una corriente. El
transistor se comporta como una resistencia controlada por la tensión de
puerta.
3.3 Región de Saturación o Activa
Cuando: VGS > Vth y VDS > (VGS – Vth)
Cuando la tensión entre drenador (D) y fuente (S) supera cierto límite, el
canal de conducción bajo la puerta (G) sufre un estrangulamiento en las
cercanías del drenador y desaparece. La corriente que entra por el
drenador y sale por la fuente no se interrumpe, ya que es debida al campo
eléctrico entre ambos, pero se hace independiente de la diferencia de
potencial entre ambos terminales.

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3.4 Región de Ruptura

Esta zona apenas se utiliza porque el transistor MOSFET pierde sus

propiedades semiconductoras y se puede llegar a romper el componente
físico. La palabra ruptura hace referencia a que se rompe la unión
semiconductora de la parte del terminal del drenador.

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4 Características de los MOSFET
4.1 Máxima Tensión Drenador - Fuente
➢ Corresponde a la tensión de ruptura de la unión que forman el
substrato (unido a la fuente) y el drenador.
➢ Medida con VGS = 0.
➢ Ayuda a clasificar a los transistores MOSFET de potencia

4.2 Máxima Corriente de Drenador

➢ Corriente continua máxima ID
➢ Corriente máxima pulsada IDM
4.3 Resistencia en Conducción
➢ Cuanto menor sea, mejor es el dispositivo
➢ Se representa por las letras RDS(on)
➢ Crece con la temperatura y decrece con VG
4.4 Tensiones Umbral y Máximas de Puerta
➢ VGS debe alcanzar un valor umbral para la conducción entre D y S
➢ Las tensiones umbrales suelen estar en el margen de 2-4 V
4.5 Velocidad de Conmutación
➢ Son más rápidos que otros dispositivos usados en electrónica de
potencia
➢ Los niveles de corriente conducida no están asociados al aumento
de la concentración de portadores minoritarios, que luego son
difíciles de eliminar para que el dispositivo deje de conducir
➢ La limitación en la rapidez está asociada a la carga de las
capacidades parásitas del dispositivo:
- Cgs, capacidad de lineal
- Cds, capacidad de transición
- Cdg, capacidad Miller, no lineal, muy importante
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5 El MOSFET como Interruptor
Sabemos que si en un MOSFET la tensión entre la Puerta y la Fuente es menor que
la tensión umbral (VGS < VTh), el transistor está cortado; es decir, entre los terminales
de Fuente y Drenador la corriente es nula (ID=0), ya que existe un circuito abierto.
Sin embargo, cuando VGS > VTh, se crea el canal y el transistor entra en conducción.
Cuanto mayor es la tensión de puerta menor es la resistencia del canal, y ésta puede
llegar a aproximarse a un cortocircuito. Así, el MOSFET es capaz de funcionar como
un interruptor.
El MOSFET como interruptor se emplea frecuentemente en electrónica digital para
transmitir o no, los estados lógicos a través de un circuito, pero existe una pequeña
dificultad: cuando el MOSFET tipo N actúa como cortocircuito es capaz de transmitir
las tensiones bajas; sin embargo las tensiones altas se ven disminuidas en una
cantidad igual al valor de la tensión umbral.
Para que exista el canal bajo la puerta, la tensión en ésta ha de ser VH (VH > VTh).
Al transmitir VH, el terminal de la izquierda actúa como Drenador, ya que está a una
tensión más alta, y el de la derecha como Fuente. A medida que la tensión en el
terminal de Fuente aumenta, la tensión entre la Puerta y la Fuente, V GS, disminuye.
Todo esto ocurre hasta que la tensión de la Fuente alcanza el valor VH-VTh, momento
en que VGS iguala la tensión umbral y el transistor deja de conducir. En cambio, al
transmitir la tensión VL el terminal de la izquierda actúa como Fuente y el de la
derecha como Drenador. La tensión entre la Puerta y la Fuente permanece en todo
momento constante, a igual a VH-VL (valor que debe ser superior a la tensión
umbral), por lo que en el Drenador se llega a alcanzar VL.
De forma similar, el MOSFET tipo P transmite correctamente las tensiones altas, y
falla en las bajas. Para evitar estos inconvenientes se conectan en paralelo dos
transistores MOSFET, uno N y otro P.

Las tensiones bajas son transmitidas sin error por el MOSFET tipo N, mientras que
las altas lo son por el tipo P. Esta configuración, se denomina puerta de paso. Para
su funcionamiento, las tensiones en las puertas han de ser complementarias

14
(cuando una es alta la otra es baja, y viceversa); esto se indica añadiendo un círculo
a una de las puertas, o una barra sobre una de las tensiones.
6 Conclusiones
➢ El MOSFET es un dispositivo normalmente apagado y se enciende por la
aplicación de una tensión de compuerta-fuente lo bastante grande para
inducir una capa de inversión en la zona del canal del MOSFET que pone
en cortocircuito el drenaje a la fuente.
➢ Es importante resaltar que el MOSFET como dispositivo conmutador o
interruptor, debe pasar de la zona de corte atravesando la zona activa y
llegar hasta la zona óhmica.
➢ Como dispositivo cuyo funcionamiento está ligado con el factor
temperatura, es importante considerar en su modo de operación este
parámetro, ya que su resistencia de conducción define también la calidad
del dispositivo.

15
 TRANSISTOR
BIPOLAR, BJT

1.- INTRODUCCIÓN

El transistor bipolar es conocido como un elemento amplificador de señal. En el

contexto de los componentes electrónicos de Potencia, es usado como un
dispositivo de conmutación, ya que, dispone de las características que lo
convierten en un conmutador casi ideal. A diferencia del transistor bipolar
normal, en el cual, la zona de trabajo más importante es la lineal, en el transistor
de potencia los estados más importantes de funcionamiento son saturación y
corte. Estos dos estados se corresponden con los estados cerrado y abierto del
conmutador ideal.
Nota: El interés actual del Transistor Bipolar de Potencia (BJT) es muy
limitado, ya que existen dispositivos de potencia con características muy
superiores. Le dedicamos un tema porque es necesario conocer sus
limitaciones para poder comprender el funcionamiento y limitaciones de otros
dispositivos de gran importancia en la actualidad.

2.- CARACTERÍSTICAS DEL TRANSISTOR BIPOLAR

El funcionamiento y utilización del transistor de potencia es idéntico al del
transistor normal, teniendo como característica especial la capacidad de
soportar altas tensiones e intensidades y por tanto elevadas potencias a
disipar.

Características a tener en cuenta en el transistor bipolar:

• IC = Intensidad máxima que puede circular por el Colector
• VCE0 = Tensión de ruptura de colector con base abierta, (máxima tensión
C-E que se puede aplicar en extremos del transistor sin provoca la
ruptura)
• Pmax = Potencia máxima
• Tensión en sentido directo
• Corriente de fugas
• Frecuencia de corte
• VCBO = Tensión de ruptura colector - base con base abierta
• VEBO = Tensión de ruptura emisor - base con base abierta
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• VCEOSUS = Tensión de ruptura por un aumento excesivo de la corriente
de colector y de la tensión C - E

En función de la polarización B-E, se pueden definir otras características:

• VCEO = Tensión de ruptura colector – emisor, con base abierta.

• VCER = Tensión colector – emisor con resistencia de base especificada.
• VCEX = Tensión colector – emisor con circuito especificado entre base –
emisor.
• VCEV = Tensión colector – emisor con tensión especificada entre base –
emisor.
• VCES = Tensión colector – emisor con unión base – emisor cortocircuitada.
En relación con los parámetros definidos anteriormente, se puede decir que la
VCEmáx depende esencialmente de tres factores.
• La polarización base - emisor.
• El gradiente de tensión (dV/dt).
• La estructura interna del transistor (tecnología de fabricación).

Los transistores bipolares de potencia presentan durante la conmutación un

fenómeno complejo conocido como efecto de segunda ruptura. Si la ruptura por
avalancha se denomina primera ruptura, la segunda ruptura se puede definir
como la ruptura de la unión debido a efectos térmicos localizados (creación de
puntos calientes). La primera ruptura se debe a un aumento excesivo de la
tensión C - E. Sin embargo, la ruptura secundaria se produce cuando la tensión
C - E y la corriente de colector aumentan excesivamente, de tal forma que ésta
última se concentra en una pequeña área de la unión de colector polarizado
inversamente. La concentración de corriente forma un punto caliente (falta de
uniformidad en el reparto de la corriente) y el dispositivo se destruye
térmicamente. Este tipo de ruptura podrá presentarse tanto en turn on como en
turn off. Al igual que en uno de pequeña potencia, se pueden distinguir tres
zonas: activa, corte y saturación.

17
3.-EJEMPLOS CONSTRUCTIVOS DE BJT :

18
4.-TIEMPOS DE CONMUTACIÓN

Para aplicaciones en las cuales se usa el transistor de potencia como

interruptor, es necesario hacerle cambiar de estado, on - off, reiteradamente. El
paso de un estado a otro se denomina conmutación y no se realiza de forma
instantánea, sino que requiere un cierto tiempo. Esta limitación cobra mayor
importancia a medida que aumenta la velocidad de conmutación o lo que es lo
mismo, la frecuencia de control.
Cada uno de los dos tipos de conmutación, turn on y turn off lleva asociado un
tiempo de conmutación que a su vez se puede subdividir en otros dos tiempos.

*Tiempo de encendido, ton: Es el tiempo que necesita el dispositivo para

conmutar de corte a conducción, turn on.

Tiempo de retardo (Delay Time, td) Es el que transcurre desde el instante en

que se aplica la señal de entrada al dispositivo conmutador, hasta que la
señal de salida alcanza el 10% de su valor final.
Tiempo de subida (Rise Time, tr) Tiempo que emplea la señal de salida para
evolucionar desde el 10% hasta el 90% de su valor final.

*Tiempo de apagado, toff : Es el tiempo que necesita el dispositivo para

conmutar de conducción a corte, turn off.

Tiempo de almacenamiento (Storage Time, ts) Tiempo que transcurre desde

que se quita la excitación de entrada y el instante en que la señal de salida
baja al 90% de su valor inicial. Tiempo de caída (Fall time, tf) Tiempo que
emplea la señal de salida para evolucionar desde el 90% hasta el 10% de su
valor inicial.

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5.-DISIPACIÓN DE POTENCIA EN CONMUTACIÓN
La disipación de potencia del transistor trabajando en conmutación se puede
subdividir en varias componentes: la potencia en la base, la potencia en estado
de corte, la potencia en estado de conducción y la potencia perdida en las
conmutaciones.

La potencia que se utiliza para controlar el terminal de control o base, viene

dada por la expresión.

Esta potencia puede ser despreciable, sino se acumula a la disipación del

transistor.

TIRISTORES

1.- INTRODUCCION

El tiristor (también llamado SCR, Silicon Controlled Rectifier o Rectificador

Controlado de Silicio), es un dispositivo semiconductor biestable formado por tres
uniones PN con la disposición PNPN. Está formado por tres terminales, llamados
Anodo, Cátodo y Puerta. El instante de conmutación (paso de corte a conducción),
puede ser controlado con toda precisión actuando sobre el terminal de puerta, por
lo que es posible gobernar a voluntad el paso de intensidades por el elemento, lo
que hace que el tiristor sea un componente idóneo en electrónica de potencia, ya
que es un conmutador casi ideal, rectificador y amplificador a la vez como
comprobaremos con posterioridad.

El tiristor es un elemento unidireccional y sólo conduce corriente en el

sentido ánodo – cátodo, siempre y cuando el elemento esté polarizado en sentido
directo (tensión ánodo – cátodo positiva) y tengamos aplicado un impulso en la
puerta. En el caso de que la polarización sea inversa, el elemento estará siempre
bloqueado (de ahí que sea un elemento unidireccional).

En la figura 1.2 podemos ver representada la curva característica idealizada del

tiristor, en la que podemos apreciar tres zonas bien diferenciadas:

20
 Símbolo Curva del tiristor

La característica real V – I del tiristor está representada

2.- CARACTERÍSTICAS.-

El tiristor posee una serie de características que lo hacen apto para su

utilización en circuitos de potencia:
21
 • Interruptor casi ideal.
• Amplificador eficaz (pequeña señal de puerta produce gran señal A
– K).
• Fácil controlabilidad.
• Características en función de situaciones pasadas (Memoria).
• Soporta altas tensiones.
• Capacidad para controlar grandes potencias.
• Relativa rapidez.

Las características de los tiristores pueden dividirse en :

A.- Características estáticas.-
Las características estáticas corresponden a la región ánodo - cátodo y
son los valores máximos que colocan al elemento en el límite de sus
posibilidades.
B.- Características de control.-

Determinan la naturaleza del circuito de mando que mejor responde a las

condiciones de disparo.

Entre los parámetros más importantes podemos destacar los siguientes:

− VGT e IGT que determinan las condiciones de encendido del dispositivo

semiconductor.

C.- Características dinámicas.-

Tensiones Transitorias

Son valores de tensión que van superpuestos a la señal sinusoidal de la

fuente de alimentación. Son de escasa duración, pero de amplitud considerable,
mayor que la señal de alimentación. Estas tensiones transitorias nos obligan a
seleccionar un elemento cuya tensión directa e inversa de pico no repetitiva V DSM,
VRSM, esté dentro de los valores probables de tensión transitoria.

− Impulsos de corriente

Para cada tiristor, el fabricante proporciona unas curvas que dan la cantidad
22
 de ciclos durante los cuales pueden tolerarse unos determinados valores de
corriente de pico como podemos apreciar en la figura 1.16. El comienzo de la
curva representa el valor de pico de una corriente senoidal, para la cual el
semiciclo tiene una duración de 10 ms. Cuanto mayor sea el valor del impulso de
corriente, menor será la cantidad de ciclos durante los cuales podrá admitirse
este valor.

D.- Características de conmutación:

Los tiristores, al no ser interruptores perfectos, necesitan un tiempo para

pasar del estado de bloqueo al estado de conducción y viceversa. Para
frecuencias inferiores a 400Hz podemos ignorar estos efectos. En la mayoría de
las aplicaciones se requiere una conmutación más rápida (mayor frecuencia), por
lo que éste tiempo debe tenerse en cuenta.

23
 Haremos un análisis por separado del tiempo que tarda el tiristor en pasar
de corte a conducción o tiempo de encendido (tON) y el tiempo que tarda el tiristor
en pasar de conducción a corte o tiempo de apagado (tOFF).

Tiempo de Encendido (tON)

El tiempo de encendido o tiempo en pasar de corte a conducción (t ON), lo

podemos dividir en dos partes:
a1.- Tiempo de retardo. (td)
a2.- Tiempo de subida. (tr)

24
 tiempo de Apagado (toff)
Para el estudio del tiempo de apagado (extinción) del tiristor, esto es, el paso del
estado de conducción al estado de bloqueo (toff), nos basaremos en las formas de
onda características que aparecen en la figura.

E.- CARACTERÍSTICAS TÉRMICAS

Dependiendo de las condiciones de trabajo de un tiristor, éste disipa una
cantidad de energía que se manifiesta produciendo un aumento de la temperatura
en las uniones del material semiconductor que forman el dispositivo. Este
aumento de la temperatura provoca un aumento de la corriente de fugas, que a
su vez provoca un aumento de la temperatura, creando un fenómeno de
acumulación. Esta acumulación de calor debe ser evitada y para ello es necesaria
la colocación de radiadores (disipadores de calor), que permitan evacuar el calor
producido por el tiristor.

Para proteger a los dispositivos de este aumento de temperatura, los fabricantes

proporcionan en las hojas de características una serie de datos térmicos que nos
permiten determinar las temperaturas máximas que puede soportar el elemento sin
destruirse y que ya estudiamos con anterioridad.

25
3.- MÉTODOS DE DISPARO

Los distintos métodos de disparo de los tiristores son:

• Disparo por puerta.

• Disparo por módulo de tensión. (V)
• Disparo por gradiente de tensión. (dV/dt)
• Disparo por radiación.
• Disparo por temperatura.

El modo usado normalmente es el disparo por puerta. Los disparos por

módulo y gradiente de tensión son modos no deseados, por lo que los evitaremos
en la medida de lo posible.

3.1.- Disparo por puerta

Es el proceso utilizado normalmente para disparar un tiristor. Consiste en la

aplicación en la puerta de un impulso positivo de intensidad (generalmente),
mediante la conexión de un generador adecuado entre los terminales de puerta
y cátodo a la vez que mantenemos una tensión positiva entre ánodo y cátodo.

3.2.- Disparo por módulo de tensión

El disparo por módulo de tensión se puede explicar mediante el mecanismo

de multiplicación por avalancha. Este método de disparo podemos desarrollarlo
basándonos en la estructura de un transistor, así si aumentamos la tensión
colector - emisor, alcanzamos un punto en el que la energía de los portadores
asociados a la corriente de fugas es suficiente para producir nuevos portadores
en la unión de colector, que hacen que se produzca el fenómeno de avalancha.
Esta forma de disparo no se emplea para disparar al tiristor de manera
intencionada; sin embargo ocurre de forma fortuita provocada por sobretensiones
anormales en los equipos electrónicos.

26
 3.3.- Disparo por gradiente de tensión

Si a un tiristor se le aplica un escalón de tensión positiva entre ánodo y

cátodo con tiempo de subida muy corto (del orden de microsegundos), puede
provocarse el disparo que permite al tiristor comenzar a conducir.

Para aumentar la inmunidad del dispositivo ante estas variaciones tan

bruscas, algunos fabricantes recurren a una técnica que consiste en cortocircuitar
parcialmente la zona de control y la zona de cátodo, haciendo que parte de la
intensidad de fugas provocada por el escalón derive por el cortocircuito, evitando
la inyección de electrones por el cátodo.

En tiristores de baja potencia es aconsejable conectar entre puerta y cátodo

una resistencia por la que se derive parte de la intensidad de fugas antes
comentada.

3.4.- Disparo por radiación

El disparo por radiación está asociado a la creación de pares electrón -

hueco por la absorción de luz por el elemento semiconductor. La acción de la
radiación electromagnética de una determinada longitud de onda provoca la
elevación de la corriente de fugas de la pastilla por encima del valor crítico,
obligando al disparo del elemento.

Los tiristores preparados para ser disparados por luz o tiristores

fotosensibles (llamados LASCR o Light Activated SCR) son de pequeña potencia
y se utilizan como elementos de control on - off.

3.5.- Disparo por temperatura

El disparo por temperatura está asociado al aumento de pares electrón - hueco
generados en las uniones del semiconductor. Así, la suma ( 1+ 2) tiende
rápidamente a la unidad al aumentar la temperatura. La tensión de ruptura
permanece constante hasta un cierto valor de la temperatura y disminuye al
aumentar ésta.
27
 CONCLUSION

➢ Bibliografía
➢ eva.fing.edu.uy. (25 de Setiembre de 2018). Obtenido de
https://eva.fing.edu.uy/pluginfile.php/66655/mod_folder/.../0/Cap7_mosfet.p
df?
➢ García, V. (25 de Setiembre de 2018). Obtenido de
hispavila.com/total/3ds/atmega/mosfets.html
➢ Martínez, M. J. (25 de Setiembre de 2018). Obtenido de
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tecnicas/electronica/contenido/Tema5_CircConmutac.pdf
➢ Universidad de Oviedo. (25 de Setiembre de 2018). Obtenido de
https://www.unioviedo.es/sebas/S_E_Alimentacion/Leccion_5_MOSFET.ppt

28