Dept. de Physique.

Univ. A. Mira de Béjaia.

Rattrapage

Physique des Semiconducteurs : 120 minutes

1er janvier 2011

EX01 (12 Pts)

En considérant un semiconducteur composé binaire II −IV de Sélénure de Zinc (Zinc Selenide :

ZnSe) de largeur de gap de 2.8222eV et de paramètre de réseau aZnSe = 5.6674Å 1 , Figure. 1.

1/ décriver le type de la structure cristalline caractérisant ce matériau.

2/ détailler le réseau et le motif d’une telle structure.

3/ du point de vue de la configuration électronique 2 , discuter les raisons de la formation des

liaisons quadrivalentes dans ce type de milieux de ZnSe.

4/ discuter la nature du gap du semiconducteur intrinsèque de départ, direct ou indirect ?.

5/ discuter le champ d’application technologique approprié aux semiconducteurs de ZnSe.

6/ En procédant à un dopage du matériau de départ avec ÑGa atomes de Gallium (Ga) à

faible teneur (composition, concentration), discuter l’objectif recherché à travers ce dopage des
milieux semiconducteurs intrinsèques 3 .

7/ donner la nature chimique des atomes dopants (de dopage) implantés.

8/ discuter l’effet du critère de taille (dimension) imposé sur ces atomes dopants.

9/ discuter la condition d’une ionisation complète des atomes de dopage.

10/ décriver le type de porteurs de charge majoritaires résultants dans le milieux dopé.

11/ établir l’équation de la neutralité globale du milieu matériel.

12/ développer les expressions des densités des électrons libres de la BC et des trous mobiles
de la BV 4 .
1. [1] O. Madelung, in Semiconductors : Data Handbook, 3rd Edition (Springer, New York, 2004).

2. les configurations électroniques des différents atomes sont données par :

[Zn] = [Ar]3d10 4s2 [Se] = [Ar]3d10 4s2 4p4 [Ga] = [Ar]3d10 4s2 4p4 avec [Ar] = 1s2 2sp8 3sp8

3. Un dopage de ZnSe avec de fortes teneurs en atomes de Ga va donner lieu à une série de composés ternaires
constituants des alliages de différentes configurations Znx Se1−x Ga (avec 0 < x ≤ 1).
4. L’évolution des densités des électrons libres (de la Bande de conduction : BC) et des trous mobiles (de la
Bande de valence : BV) en fonction de la température pour un semiconduteur intrinsèque est donnée sous la
forme :
EC −EF EV −EF
   
− KB T
+ KB T
ñ (T ) = ÑC .e , p̃ (T ) = ÑV .e
ÑC , ÑV représentant les densités effectives de ces porteurs de charge, respectivement.

1
EX02 (08 Pts)

En considérant le cas de la jonction PN de la Figure. 2. constituée par deux régions P et N

dopées respectivement avec ÑA atomes et ÑD atomes donneurs (par unité de volume). Les
profils des densités des charges électriques correspondants aux six (06) différentes régions de
cette jonction sont données par :


 0 xMIN ≤ x ≤ xP
− |e| . Ñ xP ≤ x ≤ −a

A



A.x + B −a≤x≤0

ρ (x) =

 C.x + D 0 ≤ x ≤ +a
+ |e| . Ñ + a ≤ x ≤ xN



 D
0 xN ≤ x ≤ xMAX


a décrivant la largeur des deux régions “linéaires” de la jonction et {A, B, C et D} quatre (04)
paramètres à déterminer et (avec a << xP et a << xN ) 5 .

1/ donner une définition de la zone de dépletion (de charge d’espace) et discuter son rôle dans
la physique de ce type de jonctions.

2/ En se basant sur le profil de la Figure. 1. illustrant la distribution de la charge électrique

à l’intérieur de la jonction PN, déterminer les expressions des quatre paramètres {A, B, C et D}.

3/ Pour le cas d’une jonction graduelle typique (i.e. aux limites −a → xP et +a → xN ) et sur
la base d’une application de l’equation de Poisson monodimensionnelle à la région P de la zone
de dépletion, montrer que le champ électrique résultant est développé sous la forme suivante 6 :
 
− |e| ÑA 2 2

V
ξP (x) = . x − xP
2ε.xP m SI

4/ montrer que le potentiel électique correspondant à cette région P de la zone de dépletion est
donné par :
+ |e| ÑA x3
 
2
VP (x) = . − x2P .x + x3P + VPSemi [V ]SI
2ε.xP 3 3

VPSemi et VNSemi étant les potentiels électriques des semiconductuers dopés P et N avant leur
jonction (i.e. avant leur contact), la différence entre ces deux poteniels est celle correspondant
au potentiel de diffusion :
Vdif f = VNSemi − VPSemi
5. A partir de la jonction PN de la figure.1, il est possible de remonter à :
– la jonction abrupte, en posant a → 0.

−a → xP
– la jonction graduelle, en posant
+a → xN

6. La forme générale de l’équation de Poisson décrivant la relation entre le pontentiel électrique d’un milieu
et sa charge électrique est donnée sous la forme :
ρ (~
r)
∆V (~
r) = − avec ξ~ (~ ~ (~
r ) = −∇V r)
ε
~ ∆) les opérateurs du Gradient et du
ǫ représentant la permitivité électrique du milieu semiconduteur et (∇,
Laplacien.

*/ Les conditions aux limites à appliquer pour le calcul des différentes grandeurs sont :
– Champs électriques : ξP (x = xP ) = 0 et ξN (x = xN ) = 0

– Potentiels électriques : VP (x = xP ) = VPSemi et VN (x = xN ) = VNSemi

– Largeurs des régions : VP (x = 0) = VN (x = 0)

2
5/ Compte tenu de l’expression du champ électrique correspondant à la région N de la zone de
dépletion :  
+ |e| ÑD V
. x2 − x2N


ξN (x) =
2ε.xN m SI
et sur a base d’une application de la condition de continuité ξP (x = 0) = ξN (x = 0) du champ
électrique, montrer que les largeurs {wP et wN } des régions respectives P et N sont dépendantes
l’une à l’autre à travers l’expression :

ÑA
wN = wP
ÑD

6/ discuter l’importance de ce dernier résultat.

7/ Compte tenu de l’expression du potentiel électrique correspondant à la région N de la zone

de dépletion :

− |e| ÑD x3
 
2
VN (x) = . − x2N .x + x3N + VNSemi [V ]SI
2ε.xN 3 3

montrer que la largeur de la région P de la zone de dépletion est développée sous la forme :
Vdif f
wP = h 2
i
|e| ÑA
3ε ÑA + ÑD

8/ Sur la base d’une application des résultats de 5/ et 7/, déduire l’expression de la largeur
totale w de la zone de dépletion :
w = wN + wP

Tue, 7th-09-2010 09 :30 AM

3
Figure 1 – Structure cristalline du Semiconducteur de ZnSe et sa Structure de bandes des
énergies à Température ambiente.

Figure 2 – Profil général de la distribution de la charge électrique à l’intérieur d’une jonction

PN.