Universidad de Pamplona

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TALLER Nº1 ELECTIVA PROFESIONAL

CONVERTIDORES DE FRECUENCIA

ÁLVARO ORDÓÑEZ SALDARRIAGA

CÓDIGO: 1.098.764.764
EDUARDO LUIS PINEDO JIMENEZ
CÓDIGO: 1.120.746.299
RUBÉN DARÍO TARAZONA PÉREZ
CÓDIGO: 1.098.757.005

UNIVERSIDAD DE PAMPLONA
FACULTADE DE INGENIERIA Y ARQUITECTURA
INGENIERÍA ELÉCTRICA
PAMPLONA-NORTE DE SANTANDER
2017

Formando líderes para la construcción de un nuevo 1

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Objetivos

Objetivo general

Objetivos específicos

MARCO TEÓRICO

Transistor de unijuntura(UJT)

El UJT es un componente que posee tres terminales: dos bases y un emisor, como se puede
apreciar en la siguiente figura.

IMAGEN Nº 1Aspecto físico del encapsulado

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IMAGEN Nº2 Representación esquemática del UJT

FUENTE: electrónica industrial,dispositivo y sistemas,Timothy j. maloney

PROCEDIMIENTO

1. Seleccionar el transistor unijuntura UJT de encapsulado metálico

2. A partir del calculo del voltaje iterbase realice la estimcaion de los valores para: el
voltaje de alimentación VCC, resistencia variable del emisor Rv, la resistencia del
emisor RE y el valor del capacitor del emisor CE
3. Con los valores teóricos de los componentes lleve estos a los correspondientes
establecidos comercialmente.
4. Realice el montaje de la siguiente figura con los componentes
5. tome la medida del voltaje interbase VB2B1
6. Coloque una punta del osciloscopio entre el capacitor y la tierra y varie la resistencia
RV hasta que aparezca la grafica del capacitor teniendo en cuenta los parámetros
teóricos
7. Coloque una punta del osciloscopio en el voltaje de salida Vo para comprobar que
Vp-Vv=VGT
8. tome la medida del voltaje interbase VB2B1

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IMAGEN Nº3 CIRCUITO DEL OSCILADOR DE RELAJACION CON UJT

Elaborado por Autores Fuente: Software Eagle 5.4.0

PREDISEÑO

Cálculo y justificación de los componentes

Para empezar a realizar los cálculos teóricos de los parámetros que contiene el circuito del
oscilador de relajación con el transistor de unijuntura[UJT] el docente dio los valores del
voltaje de disparo[Vp] y del tiempo de carga minimo [tcmín]

Cálculo del voltaje interbase [V B 2 B1]

Ecuación [1] para calcular el voltaje de disparo

Vp=0,6[V ]+η∗V B2 B 1 [1]

Donde :

Vp=Voltaje de disparo ; 10 [ V ]
η=relacionintrinseca entre contactos del UJT ; 0,75
V B 2 B1=Voltaje interbase
0,6 [ V ] :Caída de voltaje en sentido directode la unión pn de silici o
que existe entre el emisor y base 1

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A partir de la ecuación [1] se despeja el parámetro del voltaje interbase VB2B1 dando como
resultado la ecuación [2]
Ecuación [2]
Vp−0,6
V B 2 B1 = [2]
η

10[V ]−0,6
V B 2 B1=
0,75

V B 2 B1=12,53[V ]

Cálculo de la resistencia interna RB1*

Ecuación [3]

R B¿1
η= [3]
RBB

Donde :

R B ¿1=resistenciaintern a
RBB=Resistenciainterna total ó resistencia interbase ; 9,1[ K Ω]

Ecuación [4]
RB ¿1=η∗RBB [4]
RB ¿1=0,75∗9,1 ¿
RB ¿1=6,825[ KΩ]

Cálculo de la corriente interbase [ I B2 B1 ]

Ecuación [5]

V B2 B1
I B2 B1 = ¿ [5]
RB 1

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Donde :

I B2 B1 =Corriente interbase

12,53[V ]
I B2 B1 =
6,825 [KΩ ]

I B2 B1 =1,8358 [ mA ]

Cálculo de la resistencia R1

Ecuación [6]

VGT
R 1= [6]
2∗I B 2 B1

Donde :

VGT =Voltaje de compuerta disparo ; 1 [ V ]

R1=Resistencia externa

1 [V ]
R 1=
2∗1,8358 [mA ]

R1=272,36 [ Ω ]

Cálculo del voltaje VCC

Ecuación [7]

( RBB + R1 + R2 )
VCC= ∗V B2 B1 [7]
RBB

Donde :

VCC=Voltaje de alimentación
R2=Resistencia externa ; 220 [ Ω ]

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( 9,1[KΩ ]+272,36[Ω]+ 220[Ω])

VCC= ∗12,53 [V ]
9,1[ KΩ]

VCC=13,207 [V ]

Cálculo de la resistencia variable [ RVMÁX ¿

Ecuación [8]

VCC −Vp
RVMÁX = [8]
Ip

Donde :

RVMÁX =Resistencia variable maxima

Ip=C orriente de disparo ; 5[μA ]

13,207 [V ]−10 [V ]
RVMÁX =
5[μA ]

RVMÁX =641,5[ KΩ]

Cálculo de la resistencia emisor RE

Ecuación [9]

VCC −Vv
ℜ= [9]
Iv

Donde :

Vv=Voltaje de valle ;3,5 [ V ]

Iv=Corriente de valle ; 4 [ mA ]

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13,207 [V ]−3,5[V ]
ℜ=
4 [mA ]

ℜ=2,426[ KΩ]

Cálculo del capacitor CE

Ecuación [10]

−t cmín
CE=
Vp [10]
ℜ∗ln [1− ]
VCC

Donde :

t cmín =Tiempo de carga minimo; 1 [ mS ]

−1[mS]
CE=
10 [V ]
2,426[ KΩ]∗ln[1− ]
13,207 [V ]

CE=291,223 [nf ]

DATOS EXPERIMENTALES

Valor real de

Vp−0,6
η=
VB2 B1

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Donde :

Vp=10 [ V ]

VB 2 B1=11,7 [ V ] ; Valor medido∗¿

Valor real de RBB

V CC
RBB= −R 1−R 2
IB 2 B1

Donde :

VCC=13,207 [ V ]

R 1=276,3 [ Ω ] ; Valor medido

R 2=221,3 [ Ω ] ; Valor medido∗¿

IB2 B 1=2,91 [ mA ] ; Valor medido∗¿

13,207 [ V ]
RBB= −276,3 [ Ω ] −221,3 [ Ω ]
2,91 [ mA ]

RBB=4,040 [K Ω]

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