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La diode en commutation
Sommaire
1 INTRODUCTION ..................................................................................................................................... 11
1.1 SCHEMA EQUIVALENT......................................................................................................................... 11
1.1.1 Etude de VF < Vt0 .......................................................................................................................... 11
1.1.2 Etude de VF ≥ Vt0 ........................................................................................................................... 12
2 LA DIODE EST ALIMENTEE PAR UNE SOURCE DE TENSION .................................................. 12
2.1 COMMUTATION A LA FERMETURE ....................................................................................................... 12
2.1.1 Calcul du temps t1 ......................................................................................................................... 13
2.1.2 Calcul du temps t2......................................................................................................................... 14
2.1.3 Synthèse......................................................................................................................................... 15
2.2 COMMUTATION A L'OUVERTURE ......................................................................................................... 17
2.2.1 Calcul du temps de stockage ts des charges libres ........................................................................ 17
2.2.2 Calcul du temps de stockage tT des charges stockées.................................................................... 19
3 LA DIODE EST ALIMENTEE PAR UNE SOURCE DE COURANT. ............................................... 20
3.1 COMMUTATION A LA FERMETURE ....................................................................................................... 20
3.2 COMMUTATION A L'OUVERTURE......................................................................................................... 21
4 PERTES PAR COMMUTATION ........................................................................................................... 22
5 CONCLUSION .......................................................................................................................................... 24
Chapitre II : La diode en commutation
1 Introduction
Il existe de nombreux types de diodes :
Signal,
Régulation,
Redresseur,
Commutation (schockley, schottky)
Hyperfréquence et/ou atténuateur (PIN, snap off, …)
Emission ou oscillation (à effet gunn),
A résistance négative (tunnel),
A capacité variable,
…
Toutefois nous nous contenterons, ici, d'étudier une simple diode à jonction PN.
Sens direct
VF
Vt0 VF Vd
Avec :
IF, courant direct (Forward), VF, tension directe,
Rd, résistance différentielle, Vt0, tension de seuil.
La diode est encore bloquée, seule la tension aux bornes varie, il n'y a pratiquement aucun
courant. La jonction PN est soumise à un champ électrique, donc des charges de même signe
sont accumulées aux extrémités de la jonction. Par conséquent la diode est équivalente à un
condensateur.
CT
VF
VF
Figure 2 : Quand VF < Vt0 la diode est équivalente à un condensateur.
La diode est maintenant passante, la tension et le courant peuvent varier. La jonction PN est
toujours soumise à un champ électrique, donc des charges de même signe sont présentes aux
extrémités de la jonction. La diode est encore équivalente à un condensateur mais cette fois ci
en parallèle avec une résistance, image de la difficulté que les électrons ont à traverser la
jonction PN. D'où le schéma équivalent à la jonction.
Rd
P
N
Cd
Mais ce schéma n'est pas complet car il ne prend pas en compte la tension de seuil Vt0. Le
schéma équivalent complet est donc le suivant :
Vt0
IF Rd
Cd
VF
VF
R
i d(t)
E1
D1 V d(t)
e(t)
E2
e(t) est un créneau suffisamment long devant le temps de commutation du composant de telle
sorte qu'il soit vu pour cet instant précis comme un échelon. Alors nous le définissons comme
suit :
e(t)
E1
E2
Nous venons de voir que la mise en conduction se déroule en deux temps. Dans une première
phase on peut calculer le temps t1 que la capacité de transition CT met à se charger. Dans une
deuxième phase, on calcul le temps t2 que la capacité Cd met à se charger.
R
i d(t)
E1
Ct V d(t)
e(t)
E2
VF(t)
e(t)
E1
V t0
t1 t
E2
Dans cette phase, la tension Vd est au moins égale à la tension de seuil Vt0. La diode conduit.
Son schéma équivalent est le suivant :
R
id(t)
Rd Cd
E1 Vcd (t)
Vd (t)
Vt0
Nous devons donc trouver l’expression de la tension Vcd aux bornes de Cd. Pour cela nous
utilisons le schéma équivalent obtenu par application du théorème de Thévenin au circuit
alimentant Cd. Soit le schéma suivant :
R
i d(t)
Rd
E1 Vcd(t)
V d(t) B
V t0
Vu des bornes AB le circuit est alimenté par une tension E1-Vt0 à travers une résistance
équivalente à R//Rd.
Le schéma devient :
A
R//R d
V cd(t) Cd
E0
Avec :
Rd
E 0 = (E1 − Vt 0 )
R + Rd
Nous sommes en présence d'un système linéaire du premier ordre dont la réponse à un
échelon est du type :
t
−
Vcd (t ) = E0 (1 − e τd
) avec τd = (R//Rd)Cd
Vcd
E0
0,95E 0
tr t
t2 est équivalent à un temps de réponse tr. Il peut être défini à 90 ou 95% de la valeur finale.
t2 (90%) = 2,3τ et t2 (95%) = 3τ.
R * Rd
Remarque : dans la plupart des cas R>>Rd. Or τ d = * C d soit τd ≈RdCd
R + Rd
Or pour t1, τ=RCt, comme Cd et Ct sont du même ordre de grandeur, t2 sera négligeable devant
t1 (cf. valeurs en TD).
2.1.3 Synthèse
La mise en conduction totale d'une diode se fait en t1+t2. Cette somme est appelée temps de
recouvrement direct ou Forward Recovery Time, c'est-à-dire tfr = t1+t2.
Vcd
E0
Vt0+E0
0,95E0
Vt0
t2
0 t1 tfr
t
E2
Pour la clarté du schéma les échelles ne sont pas respectées entre tensions négative et positive.
En effet, E0 est une très faible valeur, de l'ordre de la dizaine de millivolts.
A t=0, le courant est maximum et n'est limité que par la résistance du circuit R, sa valeur vaut
E − E2
IM = 1 , ensuite le courant subit une décroissance exponentielle puisque c'est une
R
charge de capacité.
A t = t1, la diode commence à conduire et son schéma équivalent change. Le courant continu
sa décroissance jusqu'à sa valeur finale :
E −V E −V E
I F = 1 F ≈ I F = 1 t 0 (cf. remarque suivante) ≈ I F = 1 car Vt0 <<E1.
R R R
id
IM
t 1> >t 2
IF
t1 tfr t
t2
Remarque :
Rd
On a vu que E0 = (E1 − Vt 0 ) et que R>>Rd
R + Rd
Si on trace la droite de charge sur la caractéristique statique d'une diode on obtient :
Id
-1
Rd
IM(R1)
R1
Sens direct
R2>R1
IM(R2) R2
Vt0 E1 Vd
VF
tension aux bornes
de la diode
La tension aux bornes de la diode varie d'un ∆V très faible. Donc quand la diode conduit la
tension à ces bornes est de l'ordre de Vt0.
E2
Là encore, le blocage n'est pas immédiat. Dans un premier temps la diode présente une
impédance faible (elle est conductrice) jusqu'à complète recombinaison des porteurs
minoritaires et reconstitution de la barrière de potentiel. En effet le condensateur de diffusion
Cd a emmagasiné des charges libres et le condensateur de transition Ct a stocké des charges
qu'il faut maintenant évacuer. Donc le temps de recouvrement inverse dépend de la charge
stockée dans la jonction et de la durée de vie des porteurs c'est-à-dire de la dimension de la
jonction et du dopage du cristal.
Là encore, on trouve deux étapes identiques aux précédentes avec chacune un schéma
équivalent.
E2
D1 VF
Cst
i d(t)
Remarque : Une diode de roue libre court-circuite systématiquement la source quand celle-ci
redevient positive.
Rd Cd
E2 Vcd(t)
VF
Vt 0
i d(t)
Cd
IR
Rd
iC
i Rd
IR
Q
Qs
ts
t
tdIR
Par conséquent, les charges stockées seront évacuées quand Q(ts)=0. Donc en se référant à
l'expression générale d'un temps en fonction du logarithme du contexte on trouve :
τ I − Qs Rd E −V
t s = τ d ln d R Or Qs = C d E0 = C d (E1 − Vt 0 ) = τ d 1 t 0 = τ d I F
τd IR R + Rd R + Rd
D'où finalement :
I −I
t s = τ d ln R F à partir de ce temps ts, le condensateur de diffusion Cd est déchargé, la
IR
diode n'est toujours pas bloquée, elle change de schéma équivalent.
E2
Ct V d(t)
id(t)
a t=tT, la valeur aux bornes de la diode vaut Vt0, elle va décroître jusqu'à E2 en suivant la loi
déjà évoquée. tT est donc équivalent à un temps de réponse à 90 ou 95%. D'où :
−
t
E − Vt 0
Vd (t ) = (Vt 0 − E 2 )e + E 2 d'où tT = t r (90%) = τ ln 2
τ
0,1E 2
Vd
V t0
tT
t
0,9E 2
E2
Figure 22 : tT = temps de réponse tr qui permet d'affirmer que la diode est bloquée.
Vd Vd
E0
tT tT
V t0
E0
tr r trr t
ts t ts
E2
E2 Dilatation
des
échelles
Id
Id
IF
IF
tT
tT
ts t
ts t rr
t rr t
IR
IR
t
vd
VFP
Vto
tfr t
Tout se passe comme si la jonction PN présentait une résistance série de valeur élevée au
début de la commutation. Puis au fil de la mise en conduction de la jonction, la résistance
série diminue jusqu'à une valeur finale R0. D'où la possibilité d'un pic de tension aux bornes
de la diode.
On retrouve le temps de recouvrement direct (forward recovery time) tfr et un nouveau point à
prendre en compte : VFP ou VFM soit le pic de tension (forward peak voltage). Sur les data
sheet, cette valeur représente un maximum à ne pas dépasser.
D Vd
0
k
E2
En général la vitesse de décroissance du courant est limitée. Juste avant la coupure, le courant
E
est établi à une valeur proche de 1 . A t=0, on ferme l'interrupteur k. La tension E2 est alors
R
appliquée à la diode par l'intermédiaire de l'inductance l.
courant
IFM=E1/R
ta tb
Vt0 tension t
tc
IRM
E2
A l'instant t=tc le courant dans la diode décroît avec une pente dIF/dt imposée par le circuit.
Les charges stockées pendant la conduction commencent à se recombiner, mais quand le
courant s'annule il reste encore beaucoup de porteurs et la diode reste conductrice pendant le
temps ta.
Le courant s'inverse et atteint la valeur IRM. A cet instant, les charges étant pratiquement
évacuées, la diode s'ouvre et le courant s'annule, après un temps tb, avec une pente dIR/dt
caractéristique de la structure du redresseur.
La tension aux bornes de la diode reste voisine de zéro jusqu'au moment où le courant atteint
IRM. Ensuite la tension du circuit VR est brutalement appliquée avec, généralement, une
surtension et, dans certains cas, des oscillations dues à la réponse des inductances et des
capacités parasites du circuit au dIR/dt généré par la diode.
On a coutume de définir le temps de recouvrement inverse (reverse recovery time) trr = ta+tb.
Ce temps et la surface hachurée sont plus ou moins long en fonction du type de diode utilisé.
(redressement, long ; snapp off et diode SiC, court).
La surface hachurée représente la quantité de charges recouvrée que l’on note Qrr. On
caractérise le recouvrement des diodes à l’aide du rapport :
S = tb/ta.
4 Pertes
4.1 PERTES EN CONDUCTION
A noter que Irev est proportionnel à la tension Vrev et à la température de jonction Tj. Il y a
donc un risque d’emballement si Tj augmente !!!
4.3.1 à la fermeture
Les pertes à la fermeture peuvent être évaluées en fonction de la formule suivante :
Pon = Won F
avec :
Won (en J) l'énergie dissipée à chaque commutation,
F (en Hz) la fréquence de commutation.
L’énergie Won peut , quant à elle, être évaluée selon la formule :
Won = k (VFp − VF stat ) I M t fr
k prend généralement comme valeur typique : 0,4.
4.3.2 A l’ouverture
dIF/dt=E1/L
courant (fixé par l'inductance)
tension ta tb
IRM E2
∆V =L. dIR/dt
Figure 27 : Formes d'ondes approchées pour le calcul des pertes par commutation d'une
diode.
5 Conclusion
La diode est un des composants de puissance le plus utilisé. Elle est présente dans tous les
convertisseurs et onduleurs. C'est le composant de base de l'électronique de puissance.