1

PARTIE 1 : ETUDE
THEORIQUE

2
 I. Généralité :
1-Definition :
Le transistor est un composant électronique qui est utilisé dans la
plupart des circuits électroniques (circuits logiques, amplificateur,
stabilisateur de tension, modulation de signal, etc.) aussi bien en
basse qu'en haute tension.
Un transistor est un dispositif semi-conducteur à
trois électrodes actives, qui permet de contrôler un courant ou une
tension sur l'électrode de sortie (le collecteur pour le transistor
bipolaire et le drain sur un transistor à effet de champ) grâce à une
électrode d'entrée (la base sur un transistor bipolaire et la
grille pour un transistor à effet de champ).
C'est un composant fondamental des appareils électroniques et
des circuits logiques.

Quelques modèles de transistors.

3
2-Classification :
• Transistor bipolaire :
Un transistor bipolaire est un dispositif électronique à base de semi-
conducteur dont le principe de fonctionnement est basé sur deux jonctions
PN, l'une en direct et l'autre en inverse.

• Transistor à effet de champ :

Contrairement au transistor bipolaire la grille agit par « effet de champ »
(d'où son nom) et non par passage d'un courant électrique.

Parmi les transistors à effet de champ (ou FET, pour Field Effect Transistor),
on peut distinguer les familles suivantes :

Transistors MOSFET : ils utilisent les propriétés des structures

Métal/Oxyde/Semi-conducteur ;

Transistors JFET : ils utilisent les propriétés des jonctions PN.

• Transistor à unijonction :
Le transistor dit unijonction, n’est quasiment plus utilisé, mais servait à créer
des oscillateurs à relaxation.

• Technologie hybride :

L'IGBT, est un hybride bipolaire et de MOSFET, principalement utilisé en

électronique de puissance.

II. Les déférents types des transistors

❖ Les Transistors Bipolaires
1-Definition :
Un transistor bipolaire est un dispositif électronique à base de semi-
conducteur de la famille des transistors. Son principe de fonctionnement est
basé sur deux jonctions PN, l'une en direct et l'autre en inverse.
4
La polarisation de la jonction PN inverse par un faible courant électrique
(parfois appelé effet transistor) permet de « commander » un courant
beaucoup plus important, suivant le principe de l'amplification de courant. Il
est à noter qu'aucun électron n'est effectivement « créé » : la polarisation
appropriée permet à un réservoir d'électrons libres de circuler différemment.

2-Histoire
La découverte du transistor bipolaire a permis de remplacer
efficacement les tubes électroniques dans les années 1950 et ainsi
d'améliorer la miniaturisation et la fiabilité des circuits
électroniques.

Réplique du premier transistor

bipolaire inventé par les
laboratoires Bell en 1947.

3-Types et symboles

Les catalogues de transistors comportent un nombre élevé de modèles. On

peut classer les transistors bipolaires selon différents critères :

➢ Transistor NPN :

5
 ➢ Transistor PNP :

Les tensions de polarisation (VBE et VCE) et les courants (IB et IC) sont des
grandeurs continues données avec leurs signes respectifs (>0 ou <0) pour un
fonctionnement normal.

La puissance : les transistors pour l'amplification de petits signaux ne

dissipent que quelques dizaines ou centaines de milliwatts. Les transistors
moyenne puissance supportent quelques watts ; les transistors de puissance,
utilisés par exemple dans les amplificateurs audio de puissance ou dans les
alimentations stabilisées peuvent supporter, à condition d'être placés sur un
dissipateur thermique adéquat, plus de 100 W .

la gamme de fréquence : transistors pour fréquences basses (fonctionnent

correctement jusqu'à quelques MHz), moyennes (jusqu'à quelques dizaines
de MHz), hautes (jusqu'à quelques GHz), encore plus hautes (fréquences
maximales d'oscillation de plusieurs centaines de GHz).
La figure ci-contre montre le symbole et indique le nom des trois électrodes
des transistors. On peut donc distinguer trois différences de potentiel
intéressantes : VBE, VCE et VCB ; et trois courants :

6
Courant de base IB, d'émetteur IE et de collecteur IC. Cependant, ces six
variables ne sont pas indépendantes. En effet, on peut écrire :

V_{CE} = V_{CB} + V_{BE} et I_{E}=I_{C}+I_{B}}I_E = I_C + I_B

Certains constructeurs proposent de nombreux réseaux de caractéristiques,

mais cette tendance est en voie de disparition. De plus, il faut savoir que les
paramètres typiques des transistors se modifient avec la température, et
varient fortement d'un transistor à l'autre, même pour le même modèle.

4-Principe de fonctionnement :
Nous prendrons le cas d'un type NPN pour lequel les tensions
VBE et VCE, ainsi que le courant entrant à la base, IB, sont positifs.
Dans ce type de transistor, l'émetteur, relié à la première zone N,
se trouve polarisé à une tension inférieure à celle de la base, reliée
à la zone P. La diode émetteur/base se trouve donc polarisée en
direct, et du courant (injection d'électrons) circule de l'émetteur
vers la base.
En fonctionnement normal, la jonction base-collecteur est
polarisée en inverse, ce qui signifie que le potentiel du collecteur
est bien supérieur à celui de la base. Les électrons, qui ont pour la
plupart diffusé jusqu'à la zone de champ de cette jonction, sont
recueillis par le contact collecteur.
Idéalement tout le courant issu de l'émetteur se retrouve dans le
collecteur. Ce courant est une fonction exponentielle de la tension
base-émetteur. Une très petite variation de la tension induit une
grande variation du courant (la transconductance du transistor

7
bipolaire est très supérieure à celle des transistors à effet de
champ).

Principe physique du transistor

NPN

4-Caractéristiques d’un transistor

Les constructeurs donnent en général les valeurs ci-dessous à ne pas

dépasser afin d'éviter la détérioration du transistor :
• VCE0 ou VMAX : tension collecteur/émetteur maxi (à VBB = 0V)
• VBE0 : tension base/émetteur maxi
• IC max : courant maxi dans le collecteur

P : puissance maxi que peut dissiper le transistor (avec P = VCE.IC)

5- Polarisation du transistor
a) Droites de charge statiques
➢ Objectif de la polarisation : Fixer les valeurs des tensions VBE, VCE et
des courants IB, IC pour imposer la localisation des points de
fonctionnement dans le réseau

8
 Exemple : polarisation directe
de la base et du collecteur par
deux résistances RB et RC

➢ Droite de charge statique de sortie ∆ :

*tracé dans le réseau de caractéristique statique IC = f(VCE)

▪ Droite de charge statique d’entrée ∆’ :

*tracé dans le réseau de caractéristique statique IB = f(VBE)

b) Point de fonctionnement

➢ Le point de fonctionnement Q dans le réseau d’entrée IB = g(VBE) :est

situé à l’intersection de la droite de charge ∆’ et de la caractéristique.
➢ Le point de fonctionnement P dans le réseau de sortie IC = f(VCE) est
situé à l’intersection de la droite de charge ∆ et d’une caractéristique
IB = cste

9
 6-Transistor bloqué – transistor saturé

La partie de la droite de charge statique située entre les points de

blocage et de saturation définit la zone active

Au point de saturation, le transistor idéal est équivalent à un interrupteur

fermé.

10
Au point de blocage, le transistor idéal est équivalent à un interrupteur
ouvert.

❖ Autres exemples de circuits de polarisation

7- Modes de fonctionnement
D'une façon générale, on peut distinguer deux grands types de
fonctionnement des transistors :
*Fonctionnement dans la zone linéaire des caractéristiques ; il est utilisé
lorsqu'il s'agit d'amplifier des signaux provenant d'une source ou d'une autre
(microphone, antenne…) ;
*Fonctionnement en commutation : le transistor commute entre deux états,
l'état bloqué (Ic est nul), et l'état saturé (Vce faible). Ce mode de
fonctionnement à l'avantage de dissiper peu de chaleur dans le transistor lui-
même dans la mesure où on minimise en permanence, soit le courant de
collecteur, soit la tension collecteur-émetteur, ce qui a conduit à l'invention
des amplificateurs en classe (modulés en largeur d'impulsion). Cependant, les

11
circuits rapides évitent l'état saturé, qui correspond à un excès de porteurs
dans la base, car ces porteurs sont longs à évacuer, ce qui allonge le temps de
commutation de l'état saturé vers l'état bloqué.

8- Montages amplificateurs

Il existe trois montages de base pour le transistor bipolaire.

▪ Le plus classique est le montage en émetteur commun dans lequel un

courant est envoyé dans la base, commande le courant qui circule dans
le collecteur et détermine des variations de tension aux bornes de la
résistance de collecteur (RC) et produit une tension de sortie Vout qui
est une image amplifiée négativement du signal d'entrée (la tension du
collecteur diminue quand le courant de base augmente).

Émetteur commun.

▪ Très fréquent aussi est le montage en collecteur commun appelé

également émetteur suiveur. Dans ce montage, la tension de
l'émetteur suit la tension de la base de façon à permettre un courant
de base suffisant pour activer le courant de collecteur et faire passer un
courant plus important du collecteur vers l'émetteur. C'est

12
 essentiellement un amplificateur de courant et un abaisseur
d'impédance.

Collecteur commun.

▪ Le montage en base commune est plus rare. Il est utilisé (entre autres) pour amplifier des
signaux d'entrée à très basse impédance. Dans ce cas, de toutes petites variations de la tension
d'entrée vont engendrer des variations importantes du courant de base et donc du courant de
collecteur et d'émetteur qui vont s'ajuster de façon que la résistance interne de la source
compense la variation de la tension d'entrée et vont produire des variations importante de la
tension Vout.

Base commune.

13
 9-Zone de fonctionnement de l’amplificateur

10- Caractéristiques dynamiques

Schéma d'un montage

émetteur commun.

Le schéma complet d'un amplificateur à émetteur commun est représenté sur

la figure ci-contre. Comparé au schéma utilisé lors du calcul du point de
polarisation, le schéma utilisé comporte en plus les condensateurs de liaison
C1 et C2, la capacité de découplage C3 ainsi qu'une charge Rl.

14
Les condensateurs de liaison « empêchent » les tensions et courant continus
de se propager dans tout le montage et de se retrouver en entrée et en sortie
ou de modifier la polarisation des autres montages présents dans le circuit
final. Les capacités de découplage permettent « d'enlever » certains
composants (ici R4) du montage dans une certaine gamme de fréquence.

La valeur des condensateurs de couplage C1 et C2 est choisie de façon que

ceux-ci aient une impédance suffisamment faible dans toute la gamme des
fréquences des signaux à amplifier :

• par rapport à la résistance d'entrée de l'étage pour le condensateur C1 ;

• par rapport à la résistance de charge pour le condensateur C2 ;

La valeur de C3 choisie de façon que son impédance soit faible comparée à

celle de R4 dans la gamme de fréquence désirée.

Les condensateurs C1, C2 et C3 n'avaient pas été représentés jusqu'à présent,

car ils possèdent une impédance infinie au continu. La charge Rl n'était, elle
aussi, pas présente car le condensateur C2 empêchait le courant continu dû à
la polarisation de la traverser et donc d'influencer les caractéristiques
statiques du montage.

Afin de calculer les caractéristiques du montage en régime dynamique, on a

recours à un modèle petit signal du transistor. Ce modèle permet de décrire
le comportement du transistor autour de son point de polarisation. Le
modèle utilisé ici est le plus simple possible. Il modélise le transistor grâce à

15
une résistance Rbe et une source de courant dont l'intensité est
proportionnelle au courant de base. Si l'on désire une modélisation plus fine
du transistor, il faut utiliser un modèle plus complexe (Ebers-Moll par
exemple). La résistance Rbe modélise la pente de la droite Vbe(Ib) au point de
polarisation et se calcule comme suit :

Avec : Vt la tension thermique, k la constante de Boltzmann, q la charge

élémentaire, et T la température du transistor en kelvins. À température
ambiante Vt vaut 25 mV. Avec ce modèle, on obtient facilement :

Si on note G le gain en tension de l'étage et S, sa transconductance. on

obtient :

16
La transconductance peut être définie comme suit : c'est la variation du
courant collecteur due à une variation de la tension base-émetteur ; elle
s'exprime en A/V. Elle est essentiellement déterminée par le courant continu
d'émetteur Ie (fixé par le circuit de polarisation).

11-Puissance dissipée dans le transistor

Pour un montage amplificateur en classe A, la puissance dissipée dans le
transistor vaut :

Ou Vbe et Vce sont les différences de potentiels continues entre le collecteur

et l'émetteur, la base et l'émetteur Ib,Ic et sont respectivement les courants
de collecteur et de base. Cette puissance ne varie pas lorsqu'un signal est
appliqué à l'entrée de l'amplificateur. Comme le gain en courant (bêta) du
transistor est généralement très élevé (quelques dizaines à quelques
centaines), le second terme est généralement négligeable.

Pourquoi calculer la puissance dissipée dans le transistor ? Pour évaluer la

température de la jonction ce du transistor, qui ne peut dépasser environ 150
°C pour un fonctionnement normal de l'amplificateur.

La température de jonction sera calculée à l'aide de la Loi d'Ohm thermique.

12-Transistor bipolaire en hautes fréquences (HF)

17
– Schéma de GIACOLLETO

• Quand f augmante alors β diminue et apparition d’un déphasage entre les

courants d’entrée et de sortie.

➢ introduction de capacités parasites dans le schéma équivalent car ces

dernières ne peuvent plus être assimilées à des circuits ouverts B’ est
une base fictive interne au transistor .

Remarque : Les constructeurs ne donnent jamais les valeurs de ces éléments.

18
❖ transistor à effet de champ
1-Définition :
Un transistor à effet de champ (en anglais, Field-Effect transistor ou FET)
est un dispositif semi-conducteur de la famille des transistors. Sa
particularité est d'utiliser un champ électrique pour contrôler la forme et
donc la conductivité d'un « canal » dans un matériau semi-conducteur. Il
concurrence le transistor bipolaire dans de nombreux domaines
d'applications, tels que l'électronique numérique.

2-Symbole :

3-Historique
Le premier brevet sur le transistor à effet de champ a été déposé en
19251 par Julius E. Lilienfeld. Comme rien ne fut publié sur cette
invention, elle resta ignorée de l'industrie.
De même, le physicien Oskar Heil déposa en 1934 un brevet pour une
invention similaire2, mais il n'existe pas de preuve que cet appareil ait
été construit.
Ce n'est qu'après la guerre que le transistor à effet de champ sera
redécouvert, d'abord le JFET en 1952 puis le MOSFET en 1960, par
Kahng et Atalla.

19
 Circuit électronique avec transistor à effet de champ.

4- Comparaison avec le transistor bipolaire :

– fonctionnement lié au déplacement d'un seul type de porteur (porteur
majoritaire)

– Très forte impédance d’entrée (MΩ)

– Facteur de bruit inférieur au transistor bipolaire

5-Présentation :

20
Un transistor à effet de champ est un composant à trois broches : la Grille, le
Drain et la Source.

On considère que la commande du transistor se fait par l'application d'une

tension VGS négative dans le cas d'un type P, positive dans le cas d'un type N.

Les caractéristiques de sortie sont liées au rapport tension/courant

admissible entre le drain et la source, représenté par une résistance
équivalente RDSon lorsque le transistor est passant.

La pente (ou transconductance) du transistor est le rapport g=IDS/UGS . C'est

l'inverse d'une résistance (donc une conductance). Plus elle est élevée, et plus
le gain du transistor sera grand.

L'un des modèles les plus connus est le modèle 2N3819, toujours vendu de
nos jours. Donnons ses caractéristiques :

*puissance maximale dissipée : 0,36 W

*tension drain-source maximale : 15 V

*pente : 2 à 6,5 mS

Comme les transistors MOS et MOSFET, les transistors à effet de champ sont
plus fragiles que les transistors à jonction, notamment parce qu'ils peuvent
claquer à la suite d'une décharge d'électricité statique. C'est pourquoi on doit
les protéger contre les surtensions d'origine statique ou dynamique afin
d'éviter leur destruction. En court-circuitant les connexions externes pendant
leur stockage, leur manipulation ou leur soudure. En les piquant dans des
mousses conductrices.

21
 6-Fonctionnement du transistor à canal N

-VGS = 0 V (grille et source reliées) – VDS = 0 V

La mise en contact des zones P et

N donne naissance à des zones de
charges d’espace qui diminuent la
largeur effective du canal.

22
-VGS = 0 V (grille et source reliées) – VDS ≥ 0 V faible

La jonction grille drain est polarisée en

inverse – Les zones de charge d’espace
augmentent – Si VDS faible, le canal se
comporte comme une résistance RDS le
transistor à un comportement ohmique

-VGS = 0 V (grille et source reliées) – VDS ≥ 0 V élevée

Si VDS augmente la section conductrice du canal

diminue RDS augmente et le courant I D entre le
drain et la source commence à être limité –
Lorsque les deux zones de charge d’espace se
rejoignent le canal est pincé (VDS = VP)

23
• VGS < 0 V – VDS = 0 V

*Si |VGS|

• VGS < 0 V – VDS = 0 V

*Si |VGS| augmente alors l’épaisseur du canal se rétrécit – le canal est
totalement pincé lorsque VGS = -Vp
• VGS < 0 V – VDS > 0 V
*Si |VGS| < Vp le canal ne peut être complètement fermé Le courant ID qui
circule dépend de VDS et VGS
*Si VDS > VDS coude = Vp – VGS le courant ID n’augmente plus

24
 7-Caractéristiques statiques du TEC à canal N

8-Paramètres statiques du TEC

Paramètres obtenus en considérant le montage suivant :

25
 ➢ Paramètres d’entrée : IG et VGS
➢ Paramètres de sortie : ID et VDS

La tension VGS est toujours négative

➢ la jonction Grille-Source est polarisée en inverse donc IG ≈0

• Loi de variation du courant I

➢ Zone ohmique : VDS < VDS coude = Vp + VGS

➢ Zone de saturation : VDS > VDS coude

Dans ce cas ID est indépendant de VDS

26
 ➢ Résistance Grille-Source la jonction Grille-Source est polarisée en inverse
donc IG ≈0

• Résistance Drain Source

Pente de la caractéristique ID = f(VGS) dans la zone de saturation

9-Polarisation du TEC à canal N en zone de saturation

• Objectif de la polarisation : Fixer les valeurs des tensions VGS0, VDS0 et

du courant ID0 pour l’utilisation du transistor en alternatif.

* Conditions à respecter : –Vp < VGS≤ 0 et VDS≥ 0

27
10-Polarisation du TEC à canal N – Droite de polarisation

11-Polarisation du TEC à canal N – Droite de charge statique

28
12-Le TEC en régime dynamique
• Schéma équivalent du TEC en alternatif dans la zone de saturation
* Le transistor est considéré comme un quadripôle

29
 • Le quadripôle est décrit en utilisant les paramètres admittances

Ces grandeurs représentent de petites variations autour du point de

Fonctionnement

13-Le TEC en régime dynamique

• Schéma équivalent du TEC en alternatif dans la zone de saturation

13-Comportement du TEC à haute fréquence

*Si la fréquence augmente, des capacités parasites intrinsèques au transistor
CGS, CGD et CDS interviennent.
*Les deux premières sont du même ordre de grandeur (qq pF), la dernière
plus faible peut être négligée.

30
 14-Classification :

*JFET :

Un transistor de type JFET (Junction Field Effect Transistor

ou transistor à effet de champ à jonction) présente une
grille reliée au substrat. Dans le cas d'un canal dopé N, le
substrat et la grille sont fortement dopés P+ et
physiquement reliés au canal. Le drain et la source sont
des îlots très fortement dopés N+ dans le canal, de part et
d'autre de la grille. Dans le cas d'un canal dopé P, les
dopages de chaque partie sont inversés, ainsi que les
tensions de fonctionnement.

31
 *MOSFET

Un transistor de type MOSFET (Métal Oxyde Semi-conducteur

Field Effect Transistor) présente une grille métallique
électriquement isolée du substrat par un diélectrique de type
SiO2.

*MESFET :
Un transistor de type MESFET (MEtal Semi-conducteur Field Effect Transistor)
présente une grille métallique. Ce type de transistor apparu en 1966 et fut le
premier à être fabriqué à partir d’un composé III-V. Un MESFET est constitué
par un barreau de semi-conducteur de type N sur lequel sont réalisés à ses
deux extrémités les contacts ohmiques de source et de drain. Entre la source
et le drain, un contact Schottky matérialise l’électrode de grille. Le transistor
est réalisé sur un substrat semi-isolant de GaAs sur lequel on fait croître par
épitaxie ou par implantation ionique la couche active avec des impuretés de
type donneur (ND ≈ 2 E17 cm-3). L’adjonction d’une couche fortement dopée
(ND ≈ 2 E18 cm-3) permet l’accrochage des contacts ohmiques de source et de
drain, ainsi que la diminution des résistances parasites de source et de drain.

32
*MODFET, HEMT ou HFET :
Un MODFET (modulated-doping field effect transistor) ou HEMT (High
Electron Mobility Transistor) est un transistor à haute mobilité d'électrons
connu aussi sous le nom de transistor à effet de champ à hétérostructure. Il
est composé de deux semiconducteurs de bande interdite différente (ex
GaAlAs et GaAs) qui à leur frontière forment un puits quantique dans lequel
les électrons sont confinés formant ainsi un gaz bi-dimensionnel d'électrons.

*CNFET

*ChemFET

*ISFET

*EOSFET

*ENFET

*OFET

III. Boitier et brochage d'un transistor :

Il varie selon le type de boitier. On trouve essentiellement les boitiers ci-

dessous :

À côté de chaque image se situe le nom du boitier ainsi que les résistances
thermiques jonction vers ambiant et jonction vers boitier.

La résistance thermique jonction vers ambiant est particulièrement

intéressante dans le cas de calcul de température et de dissipation de
puissance. Si nous avons 1 Watt à dissiper par exemple, un boitier

TO202 s’élèvera de 100°C par rapport à la température ambiante.

33
Attention : les valeurs figurant dans ce tableau sont des ordres de grandeur.
Pour plus de précision,

Consulter les spécifications (ou datasheet) constructeur du composant.

34
 IV. Évolution
Les premiers transistors utilisaient le germanium comme semi-conducteur. Ce
matériau, de nouveau utilisé pour certaines applications, a vite été remplacé
par le silicium plus résistant, plus souple d’emploi, moins sensible à la
température. Il existe aussi des transistors à l’arséniure de gallium utilisés en
particulier dans le domaine des hyperfréquences.

Les transistors à effet de champ sont principalement utilisés en amplification

grand gain de signal de faible amplitude, très basse tension. Ils sont très
sensibles aux décharges électrostatiques.

Les évolutions technologiques ont donné les transistors ou commutateurs

MOS de puissance, ils sont de plus en plus utilisés dans toutes les applications

35
de commutation de forte puissance (classe D), basse tension, vu qu’ils n’ont
presque plus de résistance de drain contrairement aux transistors, ils ne
s'échauffent pas et n'ont donc pas besoin de refroidissement (radiateurs).

Le graphène, nouveau matériau très prometteur et performant, pourrait

remplacer le silicium dans les transistors de future génération

36
 PARTIE 2 :
ETUDE
INDUSTRUELLE

o Etude industrielle d’un transistor bipolaire :

Le fonctionnement en tout-ou-rien est fréquemment utilisé pour piloter des

charges telles que :

Ampoules à incandescence ; il faut utiliser des ampoules dont la tension

nominale est égale ou légèrement supérieure à Ucc (lorsqu'une ampoule est

37
alimentée par une tension inférieure à sa tension nominale, elle éclaire moins
mais sa durée de vie est accrue) ;

Diode électroluminescente ou DEL ; dans ce cas, la diode est placée en série

avec RL, cette dernière servant à limiter le courant dans la diode ; la tension
aux bornes d'une DEL varie entre 1,5 et 3,6 V selon le courant qui la parcourt
et sa couleur (qui dépend du matériau employé pour sa fabrication) ;

Bobine de relais : la tension nominale de la bobine du relais sera choisie égale

à Ucc ; il faut placer en parallèle de la bobine une diode dont la cathode est
reliée à Ucc ; la diode protégera le transistor en évitant l'apparition d'une
surtension importante au moment où Ic est interrompu.

o Etude industrielle :
Les transistors à effet chams sont principalement utilisés en électronique
numérique (réalisation d'opérations logiques). Ils peuvent être utilisés pour
faire des blocs analogiques dans des circuits numériques (régulateur de
tension par exemple). Ils sont aussi utilisés pour faire des commandes de
puissance (moteurs) et pour l'électronique haute tension (automobile). Leurs
caractéristiques s'apparentent plus à celles des tubes électroniques. Ils
offrent une meilleure linéarité dans le cadre d'amplificateurs Hi-Fi, donc
moins de distorsion.

38
 Partie3 :
ASPECT
TECHNOLOGIE

39
 o Constitution
Les substrats utilisés vont du germanium (série AC, aujourd’hui obsolète), en
passant par le silicium, l’arséniure de gallium, le silicium-germanium et plus
récemment le carbure de silicium, le nitrure de gallium, l'antimoniure
d'indium.

Pour la grande majorité des applications, on utilise le silicium alors que les
matériaux plus exotiques tels que l'arséniure de gallium et le nitrure de
gallium sont plutôt utilisés pour réaliser les transistors hyperfréquence et
micro-onde.

Un transistor bipolaire se compose de deux parties de substrat semi-

conducteur dopées identiquement (P ou N) séparées par une mince tranche
de semi-conducteur dopée inversement ; on a ainsi deux types : N-P-N et P-
NP.

Le transistor à effet de champ classiquement se compose d’un barreau de

semi-conducteur dopé N (ou P), et entouré en son milieu d’un anneau de
semi-conducteur dopé inversement P (ou N). On parle de FET à canal N ou P
suivant le dopage du barreau.

Le transistor MOS se compose d’un barreau de semi-conducteur P ou N sur

lequel on fait croître par épitaxie une mince couche d’isolant (dioxyde de
silicium par exemple), laquelle est surmontée d’une électrode métallique.

o Aspect technologique d'un transistor à effet de champ :

La structure générale d'un transistor à effet de champ n'est pas facile à
réaliser en raison des difficultés que l'on a à diffuser des impuretés des deux
côtés d'une plaquette de semi-conducteur. Pratiquement, on ne diffuse ces
impuretés que d'un seul côté de la plaquette en utilisant la même technique
que pour les diodes à jonction p-n. À cet effet, on part d'une plaquette de
silicium de type p, cette plaquette étant obtenue à partir de lingots
cylindriques de silicium monocristallin pur. Le substrat est mis en présence

40
d'un courant gazeux chargé d'une impureté de type n. La vapeur dépose des
films monocristallins qui s'arrangent suivant la structure du substrat, d'où le
nom de dépôt épitaxial. On protège la couche épitaxiale par un revêtement
de dioxyde de silicium (SiO2), revêtement que l'on obtient par un courant
d'oxygène à 1200°C. Ensuite, on crée une fenêtre en enlevant l'oxyde dans
une zone en forme de cadre, puis on diffuse vers 1200°C des impuretés
(accepteurs d'électrons) jusqu'à ce que les zones p se propageant dans le
cristal traversent la couche épitaxiale de type n. Pendant la diffusion qui peut
durer plusieurs heures une couche protectrice d'oxyde se forme à nouveau en
surface selon un phénomène de ré-oxydation propre à toute diffusion. La
grille est alors formée par le cadre p (parties supérieures) et par le substrat
(partie inférieure). Des connexions métalliques qui ne sont pas représentées
plusieurs figures établissent les différentes liaisons à travers la couche
isolante entre les électrodes et les éléments extérieurs.

41
 PARTIE 4 :
STIMULATION
AVEC ISIS
42
Montage d’un transistor Émetteur commun (transistor bipolaire)

43
Fonctionnement du MOS FET CANAL P VP2110

44
45