REPÚBLICA BOLIVARIANA DE VENEZUELA

MINISTERIO DEL PODER POPULAR PARA LA DEFENSA

UNIVERSIDAD NACIONAL EXPERIMENTAL POLITÉCNICA

DE LA FUERZA ARMADA BOLIVARIANA

NÚCLEO ARAGUA

SEDE MARACAY

Realizado por :

Loggiodice Yvette

C.I 19.864.599

Sección:

TED-601

Maracay 06 de febrero de 2010

 Dispositivos fotonicos

Este tipo de dispositivos esta enfocado al diseño y caracterización de

dispositivos nanofotónicos que serán fabricados en obleas de Silicio dentro del
Área de Fabricación.

Se distinguen 2 líneas de investigación según el material que se emplee

(metales o dieléctricos):

* Metamateriales fotónicos
* Fotónica en Silicio
  En esta línea se diseñan dispositivos basados en metamateriales fotónicos.

Metamateriales fotónicos

Estos metamateriales, están compuestos por metales nanoestructurados

que poseen resonancias plasmónicas a frecuencias ópticas. Dichas
resonancias son responsables de fenómenos electromagnéticos poco
corrientes, como la refracción negativa, la focalización sublambda o la
transmisión óptica extraordinaria.

Esta línea también incluye el diseño de estructuras basadas en cristales

fotónicos para conseguir los fenómenos previamente mencionados.

Fotónica en Silicio
En esta línea se diseñan y caracterizan dispositivos nanofotónicos en
substratos de silicio (Silicon on Insulator, SOI).

Esta tecnología permite fabricar estos dispositivos usando herramientas y

procedimientos de la industria microelectrónica CMOS, lo que hace posible su
producción en masa con bajos costes de fabricación.

Además, el uso de guías de silicio integradas permite una elevada

densidad de integración, lo que deriva en unos componentes de elevadas
prestaciones y tamaños mucho más reducidos que los fabricados con
tecnologías convencionales.

Fotodiodos

Un fotodiodo es un semiconductor construido con una unión PN,

sensible a la incidencia de la luz visible o infrarroja. Para que su funcionamiento
sea correcto se polariza inversamente, con lo que se producirá una cierta
circulación de corriente cuando sea excitado por la luz. Debido a su
construcción, los fotodiodos se comportan como células fotovoltaicas, es decir,
en ausencia de luz exterior generan una tensión muy pequeña con el positivo
en el ánodo y el negativo en el cátodo. Esta corriente presente en ausencia de
luz recibe el nombre de corriente de oscuridad.

Un fotodiodo es una unión PN o estructura P-I-N. Cuando una luz de

suficiente energía llega al diodo, excita un electrón dándole movimiento y crea
un hueco con carga positiva. Si la absorción ocurre en la zona de agotamiento
de la unión, o a una distancia de difusión de él, estos portadores son retirados
de la unión por el campo de la zona de agotamiento, produciendo una
fotocorriente.
 Los diodos tienen un sentido normal de circulación de corriente, que se
llama polarización directa. En ese sentido el diodo deja pasar la corriente
eléctrica y prácticamente no lo permite en el inverso. En el fotodiodo la
corriente (que varía con los cambios de la luz) es la que circula en sentido
inverso al permitido por la juntura del diodo. Es decir, para su funcionamiento el
fotodiodo es polarizado de manera inversa. Se producirá un aumento de la
circulación de corriente cuando el diodo es excitado por la luz. característica
que lo hace muy especial: es un dispositivo que conduce una cantidad de
corriente eléctrica proporcional a la cantidad de luz que lo incide (lo ilumina).

Esta corriente eléctrica fluye en sentido opuesto a la flecha del diodo y

se llama corriente de fuga.

El fotodiodo se puede utilizar como dispositivo detector de luz, pues

convierte la luz en electricidad y esta variación de electricidad es la que se
utiliza para informar que hubo un cambio en el nivel de iluminación sobre el
fotodiodo.

Si el fotodiodo quedara conectado, de manera que por él circule la

corriente en el sentido de la flecha (polarizado en sentido directo), la luz que
lo incide no tendría efecto sobre él y se comportaría como un diodo
semiconductor normal.

La mayoría de los fotodiodos vienen equipados con un lente que

concentra la cantidad de luz que lo incide, de manera que su reacción a la luz
sea más evidente.

A diferencia del LDR o fotorresistencia, el fotodiodo responde a los

cambios de oscuridad a iluminación y viceversa con mucha más velocidad, y
puede utilizarse en circuitos con tiempo de respuesta más pequeño.

Si se combina un fotodiodo con una transistor bipolar, colocando el

fotodiodo entre el colector y la base del transistor (con el cátodo del diodo
apuntado al colector del transistor), se obtiene el circuito equivalente de un
fototransistor
 Fototransitor

Dispositivo semiconductor mucho más sensible que el fotodiodo. Se

conecta normalmente en configuración de emisor común con base abierta. La
radiación de luz se enfoca a la región cercana a la unión Jc (entre base y
colector). El funcionamiento del fototransistor puede entenderse si admitimos
que la unión Jc se polariza inversamente, luego suponemos primero que no
hay excitación radiante aplicada. En estas circunstancias, los portadores
minoritarios son generados térmicamente. Los electrones pueden desplazarse
libremente de la base al colector y los huecos pueden pasar del colector a la
base, los cuales constituyen la corriente inversa de saturación debido a
portadores minoritarios Ico. Si la corriente de base es cero (Ib=0), entonces la
corriente de colector está dada por Ic=(â+1)Ico. Si se inyecta luz a la unión Jc, se
incrementa el número de portadores minoritarios los cuales contribuyen a la
corriente inversa de saturación de la misma forma que los portadores
minoritarios generados térmicamente. Si la corriente inversa de saturación
generada debido a la luz incidente se denota como I ë, entonces la corriente de
colector del fototransistor se obtiene como: Ic ë= (â+1)Ico+ Ië

Un fototransistor es, en esencia, lo mismo que un transistor normal, solo

que puede trabajar de 2 formas diferentes:
Como un transistor normal con la corriente de base Ib (modo común). Como
fototransistor, cuando la luz que incide en este elemento hace las veces de
corriente de base. Ip (modo de iluminación).
Se pueden utilizar las dos en forma simultánea, aunque el fototransistor se
utiliza principalmente con el pin de la base sin conectar. Ib = 0
La corriente de base total es igual a corriente de base (modo común) +
corriente de base (por iluminación): Ibt = Ib + Ip.

Se llama fototransistor a un transistor sensible a la luz, normalmente a

los infrarrojos. La luz incide sobre la región de base, generando portadores en
ella. Esta carga de base lleva el transistor al estado de conducción. El
fototransistor es más sensible que el fotodiodo por el efecto de ganancia propio
del transistor.

Un fototransistor es igual a un transistor común, con la diferencia que el

primero puede trabajar de 2 formas:

1. Como transistor normal con la corriente de base Ib (modo común).

2. Como fototransistor, cuando la luz que incide en este elemento hace las
veces de corriente de base. Ip (modo de iluminación).
3. Puede utilizarse de las dos en formas simultáneamente, aunque el
fototransistor se utiliza principalmente con el pin de la base sin conectar.

En el mercado se encuentran fototransistores tanto con conexión de base

como sin ella y tanto en cápsulas plásticas como metálicas (TO-72, TO-5)
provistas de una lente.

Se han utilizado en lectores de cinta y tarjetas perforadas, lápices ópticos,

etc. Para comunicaciones con fibra óptica se prefiere usar detectores con
fotodiodos p-i-n. También se pueden utilizar en la detección de objetos
cercanos cuando forman parte de un sensor de proximidad.

Se utilizan ampliamente encapsulados conjuntamente con un LED,

formando interruptores ópticos (opto-switch), que detectan la interrupción del
haz de luz por un objeto. Existen en dos versiones: de transmisión y de
reflexión.

Para obtener un circuito equivalente de un fototransistor, basta agregar a un

transistor común un fotodiodo.
 Diodo emisor de luz

El diodo emisor de luz es un diodo de unión PN que entrega luz visible

cuando se le polariza directamente. En cualquier unión PN polarizada
directamente, dentro de su estructura y principalmente cerca de la unión, existe
una recombinación requiere que la energía producida por los electrones
relativamente libres, sea transferida a otro estado. En todas las uniones
semiconductoras PN, alguna energía se libera como calor y otra se libera como
luz en forma de fotones. En el germanio y el silicio, la mayoría de la energía
liberada se entrega como calo y es una minoría la que se genera como luz, por
lo cual los materiales más ampliamente utilizados en la fabricación de estos
dispositivos son el fosfito de arseniuro de Galio y el fosfito de Galio. El número
de fotones de energía liberada de estos materiales es suficiente para crear una
fuente de luz visible. El término eficiencia es, por definición, una medida de la
habilidad del dispositivo para crear el efecto deseado, esta es la razón del
número de lúmenes por watt.

Los LEDs son dispositivos en estado sólido que generan luz de una
manera radicalmente diferente a otras fuentes de luz. Las lámparas
incandescentes simplemente calientan un filamento de metal (tungsteno) a
miles de grados celsius debido a su resistencia al paso de la corriente eléctrica.
A estatemperatura el filamento emite luz, luz que se ubica en el área infrarroja
delespectro lumínico, de ahí la ineficiencia de este tipo de lámparas. Las
lámparasfluorescentes generan luz al pasar corriente eléctrica a través de
vapor demercurio, esta genera una excitación que hace al vapor de mercurio
emitir luzultravioleta (UV). La luz UV golpea el fósforo dentro de la lámpara que
hace que ésta se vuelva fluorescente y produzca luz blanca visible. El proceso
requiere de un balasto (dispositivo electrónico) para controlar el flujo de
electricidad.
 En los LEDs, un bajo voltaje de corriente continua (CC) circula a través
de dos
capas de material semiconductor. Esto resulta en la generación de fotones de
luz de un reducido rango de frecuencias. El color de la luz depende del material
semiconductor utilizado y del tipo de dopante (impurezas) que se le agregue. El
semiconductor se aloja en una caja epoxi que además funciona como un

sistema óptico (lente), que enfoca la luz producida. Para uso con la red de
suministro eléctrico, se necesitan controladores electrónicos y conversores de
voltaje. El nivel de innovación tecnológica y de ingeniería involucrada en los
LEDs modernos es mucho mayor que en las fuentes convencionales de luz.
Tecnología
Los diodos emisores de luz (LEDs) existen desde hace varias décadas,
aunquehasta no hace mucho, su uso estaba limitado a usos específicos. Antes
de1990, sólo estaban disponibles los LEDs de color rojo, verde y amarillo, esto
limitaba su utilidad. La invención de los LEDs azules y ultravioletas (UV) y el
incremento del brillo del LED permitieron recientemente la generación de luz
blanca. Desde 1990 se aceleró el desarrollo y comercialización de
semiconductores emisores de luz.

Desde la invención del LED rojo en la década del 60, la potencia de la

luz de este dispositivo se multiplicó por 20 cada 10 años, al mismo tiempo la
disminución del costo de la luz LED (por lumen) fue de 10 veces, siguiendo la
tendencia conocida como ley de Haitz (Steele 2007). En el caso de los nuevos
LEDs blancos, la potencia del lumen (por dispositivo) se multiplicó por 6 entre
2002 y fines de 2006 mientras que el costo por lumen disminuyó 7 veces su
valor. Entre 1995 y 2005 el mercado del LED blanco de alto brillo creció en un
promedio de 42% anual (Steele 2007). Sin embargo, la tecnología aún está
lejos de madurar con una penetración en el mercado limitada sólo para usos
específicos.
Los LEDs de colores actualmente superan en calidad a las fuentes
filtradas de luz incandescente por lo que comienzan a tener una mayor
demanda ncomercial. Los LEDs generan una limitada amplitud de onda de luz,
produciendo así directamente los colores deseados y consiguiendo eficiencias
superiores que las tecnologías alternativas que dependen principalmente de luz
blanca filtrada. Los LEDs que producen luz blanca aún deben esperar para
lograr esa penetración en el mercado, debido a cuestiones de conversión. La
luz no puede ser emitida directamente por un LED, debe ser generada por una
conversión de fósforo de luz azul o UV, a partir de la mezcla de luz
monocromática o por una combinación de las dos posibilidades. El uso de
LEDs individuales que posean fósforos es la tecnología más generalizada. No
obstante, esto presenta algunos grandes desafíos técnicos, especialmente en
la creación de luz blanca cálida (similar a las incandescentes) ya que la
eficiencia de los fósforos rojos queda por detrás de la de los disponibles para
generar otros colores (Schubert y Kim 2005). Las eficiencias de la conversión
de fósforo generalmente son bajas, esto reduce la eficiencia final de los
productos. En la industria muchos creen que el criterio de mezclar luz terminará
siendo dominante (brindando eficiencias de 200 lm/w – mucho más que una
lámpara incandescente o fluorescente), aunque la falta de LEDs verdes de alta
potencia actualmente limita la calidad del color blanco.
 Diodo Laser

Los Diodos láser, emiten luz por el principio de emisión estimulada, la

cual surge cuando un fotón induce a un electrón que se encuentra en un estado
excitado a pasar al estado de reposo, este proceso esta acompañado con la
emisión de un fotón, con la misma frecuencia y fase del fotón estimulante. Para
que el numero de fotones estimulados sea mayor que el de los emitidos de
forma espontánea, para que se compensen las perdidas, y para que se
incremente la pureza espectral, es necesario por un lado tener una fuerte
inversión de portadores, la que se logra con una polarización directa de la
unión, y por el otro una cavidad resonante, la cual posibilita tener una
trayectoria de retroalimentación positiva facilitando que se emitan mas fotones
de forma estimulada y se seleccione ciertas longitudes de onda haciendo mas
angosto al espectro emitido.

La presencia de una inversión grande de portadores y las propiedades

de la cavidad resonante hacen que las características de salida (potencia
óptica como función de la corriente de polarización) tenga un umbral a partir del
cual se obtiene emisión estimulada, el cual es función de la temperatura.

Un diodo láser es diferente en este aspecto, ya que produce luz

coherente lo que significa que todas las ondas luminosas están en fase entre
sí. La idea básica de un diodo láser consiste en usar una cámara resonante
con espejos que refuerza la emisión de ondas luminosas a la misma frecuencia
y fase. A causa de esta resonancia, un diodo láser produce un haz de luz
estrecho que es muy intenso, enfocado y puro.

El diodo láser también se conoce como láser semiconductor o también

conocidos como láseres de inyección, Estos diodos pueden producir luz visible
(roja, verde o azul) y luz invisible (infrarroja).

Se usan en productos de consumo y comunicaciones de banda ancha.

  Aplicaciones

La aplicación básica que se le ha dado al diodo LASER es como fuente de

alimentación lumínica para sistemas de telecomunicaciones vía fibra óptica. El
diodo láser es capaz de proporcionar potencia óptica entre 0.005-25mW,
suficiente para transmitir señales a varios kilómetros de distancia y cubren un
intervalo de longitud de onda entre 920 y 1650 nm. Sin embargo para utilizar un
diodo láser como fuente lumínica, es necesario diseñar un sistema de control
que mantenga el punto de operación del sistema fijo, debido a que un
corrimiento de este punto puede sacar al diodo fuera de operación o incluso
dañarlo.

CARACTERISTICAS BASICAS

Característica de salida de los diodos láser Dependencia de la característica de

salida como Función de la temperatura

Los diodos láser son más recomendables como fuentes ópticas para
sistemas de comunicación con grandes separaciones entre repetidores y altas
velocidades de transmisión. Se puede lograr distancias de 100Km sin
repetidores con velocidades de 1 GHz.
  Diferencias del diodo láser con un diodo LED.
LASER LED
*Más rápido *Mayor estabilidad térmica
*Potencia de salida mayor *Menor potencia de salida, mayor tiempo
de vida
*Emisión coherente de luz *Emisión incoherente
*Construcción es más compleja *Mas económico
*Actúan como fuente s adecuadasSe acoplan a fibras ópticas en distancias
en sistemas decortas de transmisión
telecomunicaciones
*Modulación a altas velocidades,*Velocidad de modulación hasta
hasta GHz 200MHz

Ventajas del diodo láser

 La emisión de luz es dirigida en una sola dirección: Un

diodo LED emite fotones en muchas direcciones. Un diodo láser, en
cambio, consigue realizar un guiado de la luz preferencial una sola
dirección.

 La emisión de luz láser es monocromática: Los fotones

emitidos por un láser poseen longitudes de onda muy cercanas entre sí.
En cambio, en la luz emitida por diodos LED, existen fotones con
mayores dispersiones en cuanto a las longitudes de onda.
 Con el láser se pueden conseguir rayos de luz monocromática dirigidos
en una dirección determinada. Como además también puede controlarse la
potencia emitida, el láser resulta un dispositivo ideal para aquellas operaciones
en las que sea necesario entregar energía con precisión.

Un diodo láser requiere de una fuente de alimentación de 100 a 200

mW. Se les hizo funcionar primero en el modo de pulsos en 1962. Luego se
usaron en operación en onda continua (OC) en los años setentas.
Los diodos láser han tenido uso extenso como emisores en comunicación por
fibras ópticas de alcance corto y largo, y como sensores en los reproductores
de discos de compactos (DC). Los diodos láser se modulan con facilidad,
conmutando la corriente de entrada a conectado y desconectado

Los diodos láser de un solo modo, capaces de emitir de 20 a 50 mW,

tienen demanda para grabación óptica, impresión a alta velocidad, sistemas de
distribución de datos, transmisión de datos y comunicaciones espaciales entre
satélites en órbita.

COMPOSICION QUIMICA DE UN DIODO LASER DE ESTADO SÓLIDO

El funcionamiento del diodo láser lo determinan su composición química

y su geometría.

Todos los diodos son, en esencia, estructuras de varias capas, formadas

por varios tipos diferentes de material semiconductor. Los materiales son
contaminados con impurezas por medio de químicos, para darles ya sea un
exceso de electrones (Tipo N) o un exceso de vacantes de electrones (Tipo P).

Los diodos láser que emiten en la región 0.78 a 0.9 micrón, están
formados por capas de arseniuro de galio (GaAs) y arseniuro de aluminio y
galio (ALGaAs) desarrollado sobre un subestrato de GaAs. Los dispositivos
para longitud de onda mayor, que emiten a 1.3 a 1.67 micrones, se fabrican
con capas de arseniuro fosfuro de indio y galio (InGaASP) y fosfuro de indio
(InP), desarrollado sobre un subestrato de InP.

Muchos diodos láser tienen una capa delgada de oxido, depositada

sobre la parte superior de la capa de cubierta final tipo P. En esta capa de
oxido se hace un ataque químico de manera que pueda formarse una cinta
metálica de contacto en receso de poca profundidad, longitudinalmente a lo
largo de la superficie superior del diodo. El índice de refracción de la capa
activa es mayor que el del material tipo P y del material tipo N (las capas de
recubrimiento) que están arriba y abajo de ésta. Como resultado, la luz es
atrapada en una guía dieléctrica de ondas formada por las dos capas de
recubrimiento y la capa activa, y se propaga en ambas, la capa activa y las de
recubrimiento.

El haz de luz que emerge del diodo láser forma una elipse vertical (en
sección transversal), aunque la región lasérica es una elipse horizontal. La luz
que se propaga dentro del diodo, se extiende hacia afuera en forma transversal
(verticalmente) desde las capas de recubrimiento superior e inferior.
Cuando el diodo está funcionando en el modo fundamental, el perfil de
intensidad de su haz emitido en el plano transversal, es una curva de Gauss de
forma acampanada.

En el láser se amplifica la luz al viajar hacia atrás y hacia adelante en la

dirección longitudinal, entre las facetas de cristal de cada extremo del diodo.
Los modos resonantes que se extienden en dirección perpendicular a la unión
PN, se llaman modos transversales. La inyección de electrones y huecos en la
capa activa situada abajo de la cinta metálica de contacto, altera el índice de
refracción de la capa activa, y confina la luz lateralmente para que no se
disperse hacia afuera, hacia ambos lados del centro de la capa activa.

JFET

El JFET (Junction Field-Effect Transistor, en español transistor de efecto

de campo de unión) es un dispositivo electrónico, esto es, un circuito que,

según unos valores eléctricos de entrada, reacciona dando unos valores de

salida. En el caso de los JFET, al ser transistores de efecto de campo eléctrico,

estos valores de entrada son las tensiones eléctricas, en concreto la tensión

entre los terminales S (fuente) y G (puerta), V GS. Según este valor, la salida del

transistor presentará una curva característica que se simplifica definiendo en

ella tres zonas con ecuaciones definidas: corte, óhmica y saturación.

Ejemplos:
 MOSFET

MOSFET son las siglas de Metal Oxide Semiconductor Field Effect

Transistor. Consiste en un transistor de efecto de campo basado en la
estructura MOS. Es el transistor más utilizado en la industria microelectrónica.
Prácticamente la totalidad de los circuitos integrados de uso comercial están
basados en transistores MOSFET.

Ejemplos:
 Circuitos optoelectricos integrados

El dispositivo optoelectrónico del circuito integrado abarca un interruptor

óptico 18 proporcionado en un puerto 12a de la entrada de una primera
entrada-salida 36a portuario sobre un substrato 10 y el cambiar sobre una
trayectoria óptica de una señal óptica entrada del puerto 12a de la entrada y
hacer salir la señal óptica con una de una pluralidad de los terminales de salida
24a - 24d; un elemento opto-eléctrico 26a de la conversión ópticamente
conectado con uno de los terminales de salida plurales del interruptor óptico 18,
y convertir la señal óptica outputted a partir del uno de los terminales de salida
24a - 24d del interruptor óptico 18 a una señal eléctrica y a entrar la señal
eléctrica convertida en un elemento 30 del semiconductor montado sobre el
substrato 10; y una guía de onda óptica 50 ópticamente conectada con otro del
terminal de salida plural 24d del interruptor óptico 18 y hacer salir la señal
óptica outputted de dicho otro terminal de salida 24d del interruptor óptico 18 a
través de un puerto de salida 32b de una segunda entrada-salida 36b portuario
sobre el substrato 10.