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Grundlagen d.

Elektrotechnik/elektronik 1 Teil

Manuskript zur Vorlesung

Grundlagen der Elektrotechnik / Elektronik

Teil 8: Halbleiterelektronik
Dr. Thomas Goldmann

Vorbemerkung
Das vorliegende Manuskript enthält in Stichpunkten den Inhalt der Vorlesung. Es ersetzt
weder ein Lehrbuch, noch den Besuch der Lehrveranstaltung. Abbildungen, Tabellen und
einige Textpassagen stammen aus unterschiedlichen Quellen, die, da dieses Manuskript nicht
veröffentlicht wird, nicht im Einzelnen zitiert sind.
Grundlagen d. Elektrotechnik/elektronik 2 Teil

8. Halbleiterbauelemente............................................................................................................ 3
8.1. Leitungsvorgänge in Halbleitern ..................................................................................... 3
8.1.1. Bändermodell ........................................................................................................... 3
8.1.2. Dotierung:................................................................................................................. 3
8.1.3. passive Halbleiterbauelemente ................................................................................. 4
8.1.4. pn-Übergang............................................................................................................. 4
8.2. Halbleiterdioden .............................................................................................................. 4
8.2.1. Gleichrichterdiode .................................................................................................... 4
8.2.2. Technische Daten von HL-Dioden:.......................................................................... 5
8.2.3. Technische Bauformen............................................................................................. 6
8.3. Gleichrichterschaltungen................................................................................................. 7
8.3.1. Einweggleichrichter ................................................................................................. 7
8.3.2. Siebketten ................................................................................................................. 7
8.3.3. Zweiweggleichrichter............................................................................................... 8
8.3.4. Dreiphasengleichrichter ........................................................................................... 8
8.3.5. Zeitliche Mittelwerte von Wechselgrößen ............................................................... 9
8.4. Spannungsverdoppler und –vervielfacherschaltung........................................................ 9
8.5. Spezielle Halbleiterdioden ............................................................................................ 10
8.5.1. Zener-Diode (Z-Diode) .......................................................................................... 10
8.5.2. Tunneldiode............................................................................................................ 11
8.5.3. Kapazitätsdiode ...................................................................................................... 11
8.5.4. Schottky-Diode....................................................................................................... 11
8.5.5. Thyristor ................................................................................................................. 11
8.6. Transistor....................................................................................................................... 12
8.6.1. Struktur und Funktion ............................................................................................ 12
8.6.2. Das Kennlinienfeld des Transistors........................................................................ 13
8.6.3. Anwendung ............................................................................................................ 15
8.7. Feldeffekttransistor........................................................................................................ 19
9. Operationsverstärker ........................................................................................................ 21
9.1. Eigenschaften ................................................................................................................ 21
9.1. Grundschaltungen und Anwendungen .......................................................................... 21
Grundlagen d. Elektrotechnik/elektronik 3 Teil

8. Halbleiterbauelemente
8.1. Leitungsvorgänge in Halbleitern

8.1.1. Bändermodell
Valenzband, Leitungsband, Bandlücke,
Bandstrukturen
a) halb gefülltes Leitungsband (einwertiges Metall)
b) Valenz- und Leitungsband überlappen sich
(zweiwertiges Metall)
c) Eigenhalbleiter
d) Isolator

HL: volles VB, leeres LB


keine Leitung bei 0K
Eigenleitung bei Energiezufuhr
thermische Anregung
Anregung durch Photonen
A durch Teilchenstrahlung
Elektronen- und Defektelektronen- (Löcherleitung)

Temperaturabhängigkeit des spezifischen


Widerstands beim Metall und beim Eigenhalbleiter

8.1.2. Dotierung:
n-Dotierung: Fremdatome mit fünf Elektronen im Leitungsband: Elektronenleitung
Energieniveaus ca. 0,05 eV unter dem LB (Donatortherm)
thermische Anregung bei 293 K reicht aus um e- in das LB zu heben

Dotierung von Germanium

links: n-Leitung durch 5.


Elektron des As-Atoms

rechts: p-Leitung durch


Defektelektron des dreiwertigen
Ga-Atoms

p-Dotierung: Fremdatome mit drei Elektronen im Leitungsband: Löcherleitung


bei thermischer Anregung wird e- von Nachbaratom eingefangen; es entsteht ein
Defektelektron,
Energieniveaus ca. 0,05 eV über dem VB (Akzeptortherm)
Grundlagen d. Elektrotechnik/elektronik 4 Teil

Störstellenleitung
im HL sind im allg. beide Ladungsträgertypen (Akzeptoren und Donatoren) vorhanden.
Die in Überzahl = Majoritätsträger

Temperaturabhängigkeit der Eigen- und Störstellenleitung


eU
κ = A ⋅ exp−
kT
eU: Ablösearbeit (Aufbrechen der Bindung)
A Leitfähigkeitskonstante (10-2 bis 10-6 S/cm
k: BOLTZMANNkonstante
T: absolute Temperatur

Anwendung Thermistor

8.1.3. passive Halbleiterbauelemente


Thermistor

Photowiderstand

8.1.4. pn-Übergang

Herstellung durch thermische Diffusion

pn-Übergang in Durchlassrichtung gepolt pn-Übergang in Sperrrichtung gepolt


(foreward bias) (reverse bias)

Sperrstrom aus Minoritätsträgern, die Stärke des Verarmungsgebiets wird durch


Sperrspannung gesteuert.

8.2. Halbleiterdioden

8.2.1. Gleichrichterdiode
Vorwiegend Si und Ge.
Vorteile von Si
große Stromstärken Si
Grundlagen d. Elektrotechnik/elektronik 5 Teil

Struktur und Schaltzeichen einer


Halbleiterdiode
Dreieck: p-Zone (Anode)
Strich: n-Zone (Kathode)

Kennlinie einer Germanium- und einer


Siliziumdiode

Reststrom,

Schwellenspannung, Schleusenspannung
Ge: ca. 0,3 V
Si: ca. 0,7 V

Teilung der Ordinate beachten


Sperrstrom:
Ursache: Eigenleitung
Ge: einige µA
Si: einige nA

Abb. BEUTH

8.2.2. Technische Daten von HL-Dioden:

Kennwerte:
beschreiben die Eigenschaften des Bauelements im Betriebszustand

Grenzwerte:
Bei Überschreitung der Grenzwerte wird das Bauelement zerstört
Durchlassspannung UF
Sperrstrom IR
Sperrschichtkapazität C

Spitzensperrspannung URM
Durchlassstrom IF
periodischer Spitzenstrom IFRM
totale Verlustleistung Ptot

Ge-Diode Si-Diode
Schwellspannung 0,3 V 0,7 V
Durchlasswiderstand RF in 5 bis 100 2 bis 50
PPð
Sperrwiderstand RR ELV0 0 ELV*
max. Sperrspannung ca. 200 V ca. 3000 V
max. Sperrschichttemperatur 90 °C 200 °C
Gleichrichterwirkungsgrad 98 % 99,5 %
Grundlagen d. Elektrotechnik/elektronik 6 Teil

UF
Gleichstromwiderstand RF =
IF
UF: Spannung in Durchlassrichtung
IF: Stromstärke in Durchlassrichtung

∆U F
differentieller Widerstand rF =
∆I F

Der differentielle Widerstand einer HL-Diode ergibt sich aus dem Verhältnis der Änderungen
von Spannung und Stromstärke und hat in jedem Punkt der Kennlinie einen anderen Wert.

8.2.3. Technische Bauformen

Spitzendiode
Mit Akzeptoratomen legierter Draht wird auf HL-Kristall geschweißt; Durch Diffusion der
Akzeptoratome in den Kristall entsteht p-Zone

Kleine Querschnittsfläche
Kleine Sperrschichtkapazität
geringe Durchlassstromstärke
Golddrahtdiode

Anwendung HF-Technik

Spitzendiode

Abb. BEUTH

Flächendioden
Große Querschnittsfläche des pn-Übergangs
Große Durchlassstromstärke
Große Sperrschichtkapazität führt zu Verlust der Gleichrichterwirkung bei hohen Frequenzen.
ESB der Diode: Ohmscher Widerstand in Reihe
Parallelkapazität
Innere Spannungsquelle
Längere Schaltzeiten

Flächendiode

Abb. BEUTH
Grundlagen d. Elektrotechnik/elektronik 7 Teil

Prüfung von HL-Dioden


Messbrücke oder Widerstandsmessgerät
Vorwiderstand
Messspannung > Schwellenspannung

Die Diode ist in Ordnung, wenn der Widerstand in Durchlassrichtung klein, in Sperrrichtung
groß ist. Ist der Widerstand in beiden Richtungen klein oder in beiden groß, so ist die Diode
defekt.

8.3. Gleichrichterschaltungen

8.3.1. Einweggleichrichter
Einweggleichrichter ohne Siebkette
Während der positiven Halbwelle wird der Strom
vom Lastwiderstand bestimmt. Für die
Ausgangsspannung gilt U 2 = RL ⋅ I F . Über der
Diode fällt die Schwellenspannung ab.
Während der negativen Halbwelle bestimmt der
sehr große Sperrwiderstand der Diode die
Stromstärke. Die Spannung an RL ist nahezu Null
U 2 = RL ⋅ I R . Über der Diode fällt fast die volle
Spannung U1 ab.

8.3.2. Siebketten
Die Ausgangsspannung des Einweggleichrichters ist eine „pulsierende Gleichspannung“. Der
zeitliche Mittelwert ist größer als Null. Es ist also eine Gleichspannung mit
Wechselspannungsanteil. Durch Nachschalten einer Siebkette wird die pulsierende
Gleichspannung in eine relativ „glatte“ Gleichspannung umgewandelt. Dies geschieht indem
der Wechselspannungsanteil herausgefiltert wird. Die Siebkette ist ein Frequenzfilter. Der
Widerstand R kann zur Verbesserung der Filterwirkung durch eine Spule („Siebdrossel“)
ersetzt werden.

Einweggleichrichter mit Siebkette


oben links: RC-Siebkette
unten links: RC-Glied als frequenzabhängiger
Spannungsteiler
rechts: Impulsdiagramme
oben: Ausgangsspannung des Einweggleichrichters
Mitte: Spannung am Glättungskondensator CL
Abb. BEUTH
unten: Spannung am Siebkondensator CS.

Wird kein Strom aus der Siebkette entnommen, so lädt sich CS auf den Scheitelwert der
Wechselspannung auf. Je größer der Laststrom, um so höher die Restwelligkeit, je größer die
Kapazität CS, um so kleiner die Restwelligkeit.
Grundlagen d. Elektrotechnik/elektronik 8 Teil

8.3.3. Zweiweggleichrichter
Zweiweggleichrichter
Der Transformator mit Mittelanzapfung
liefert sekundärseitig zwei gleich große, um
180° phasenverschobene Spannungen.
Beide speisen je einen Einweggleichrichter,
an dessen Ausgängen die positiven
Halbwellen um 180° versetzt erscheinen.
Vorteil: höherer Wirkungsgrad und deutlich
höhere Restwelligkeit.
Nachteil: Höhere Kosten beim
Abb. BEUTH Transformator.

Brücken-Zweiweg-Gleichrichter(Grätzschaltung)

Abb. BEUTH

8.3.4. Dreiphasengleichrichter
Dreiphasengleichrichter

Abb. BEUTH
Grundlagen d. Elektrotechnik/elektronik 9 Teil

8.3.5. Zeitliche Mittelwerte von Wechselgrößen


Bezeichnung Definition Bei sinusförmigem Signal
linearer Mittelwert 1
T u (t ) = 0
u (t ) = ∫ u (t )dt
T0
Gleichrichtwert 1
T
u = 0,637 ⋅ u

average rectified value u = ∫ u (t ) dt
T0
quadratischer T
1 2 1
u 2 (t ) = uˆ 2
T ∫0
Mittelwert u 2 (t ) = u (t )dt
2
Effektivwert T 1
1 2 U eff = uˆ = 0,707 ⋅ u


root mean square (rms) U eff = u (t )dt = u 2 (t ) 2
T0
Scheitelfaktor C= 2

Scheitelwert u
Crest-Faktor C= =
Effektivwert U eff
Formfaktor

Effektivwert 0,707u
F= F=  = 1,11
Gleichrichtwert 0,673u

Bei sinusförmigem Signal:


T
1
linearer Mittelwert: u (t ) = ∫ u (t )dt = 0
T0

Gleichrichtwert:

Effektivwert (root mean square (rms)):

Scheitelfaktor:

Formfaktor:

8.4. Spannungsverdoppler und –vervielfacherschaltung


Spannungsverdopplerschaltungen
a) Doppelte Einwegschaltung nach
Delon und Greinacher
U L ≤ 2 ⋅ Uˆ 2

b) Kaskadenschaltung nach Villard


Abb. SEIFART
U L ≤ 2n ⋅ Uˆ 2

Wichtige Zeitliche Mittelwerte von Wechselgrößen


Grundlagen d. Elektrotechnik/elektronik 10 Teil

8.5. Spezielle Halbleiterdioden

8.5.1. Zener-Diode (Z-Diode)


Lawineneffekt: In Sperrichtung fließt nur der Minoritätsträgerstrom. Bei etwa 100 V
Sperrspannung steigt der Strom sprunghaft an. Dieser reproduzierbare Durchbruch (die Diode
wird dabei nicht zerstört) wird auf die lawinenartige Generation von Elektron-Loch-Paaren
durch Wechselwirkung der Minoritätsträger mit dem Gitter zurückgeführt.

Zener-Effekt: Innere Feldemission aufgrund hoher Feldstärke. Spontane Bildung von


Elektron-Loch-Paaren aus inneren Elektronenschalen in der Sperrschichtzone. Der
wiederholbare Durchbruch erfolght schon bei ca. 5 V Sperrspannung.

Kennlinie einer Zenerdiode

Schaltzeichen einer Zener-Diode (Z-Diode)

Abb. BEUTH

Anwendungen: Spannungsstabilisierungsschaltung, Eingangsschutzschaltung

Spannungsstabilisierung
Einfache Schaltung mit Zener-Diode
(Flächendiode) für kleine Laststromstärken.
Der Wert der stabilisierten Spannung wird
durch die Kennlinie der Diode festgelegt.
Die Arbeitsweise der Schaltung wird klar,
wenn man die Widerstandsgerade von R1 in
das Kennlinienfeld einzeichnet.
Anwendung: Z. B. Autoradio
Abb. AMOS
Grundlagen d. Elektrotechnik/elektronik 11 Teil

Spannungsstabilisatorschaltung
für variable Ausgangsspannung
und hohe Lastströme
Der Sollwert der stabilisierten
Ausgangsspannung wird mit dem
Potentiometer R1 eingestellt.

8.5.2. Tunneldiode
Tunneleffekt: Störstellen durchtunneln die sehr dünne Sperrschicht. Die Kennlinie hat einen
negativen differentiellen Widerstand in einem bestimmten Spannungsbereich.
Anwendung: Oszillator und Verstärker in µ-Wellentechnik

8.5.3. Kapazitätsdiode
Die Raumladungszone in der Sperrschicht stellt
eine Kapazität dar, deren Wert
Spannungsabhängig ist. Die
Sperrschichtkapazität sinkt mit steigender
Spannung (Vergrößerung des Abstands)
Kapazitätsbereiche:
3..10 pF
Abb. BEUTH
20...50 pF
50...200 pF

8.5.4. Schottky-Diode
Metall-Halbleiter-Übergang. Es findet nur Transport nur einer Ladungsträgerart statt. In
Sperrichtung fließt kein Sperrstrom.
Wegen der fehlenden Sperrschichtkapazität ist ein Einsatz bis 20 GHz möglich
(Höchstfrequenzgleichrichter).

8.5.5. Thyristor
Vierschichtdiode, Triggerdiode: npnp-Struktur mit Schaltcharakteristik. Übersteigt die
Spannung zwischen Anode und Kathode einen bestimmten Schwellwert, wird die npnp-
Strecke niederohmig. Ein Strombegrenzender Widerstand ist erforderlich.
Grundlagen d. Elektrotechnik/elektronik 12 Teil

ESB der Vierschichtdiode


Abb. BEUTH Kennlinie der Vierschichtdiode

Thyristor
(auch Thyristortriode)
Gesteuerte Vierschichtdiode

In „Vorwärtsrichtung“ werden die beiden äußeren pn-Übergänge in Durchlassrichtung


betrieben, nur der mittlere pn-Übergang ist gesperrt. Der Thyristor ist dadurch „blockiert“.
Bei Steigerung der Spannung in Vorwärtsrichtung über den Wert der „Nullkippspannung“
bricht der mittlere pn-Übergang wiederholbar durch (Vierschichtdiode); der Thyristor leitet
Wird über den Steueranschluss G (Gate) eine gegenüber der Kathode positiven
Spannungsimpuls, wird die Vierschichtdiode vor Erreichen der Nullkippspannung
niederohmig. Die sich wechselseitig aufsteuernden Teiltransistoren (Siehe ESB der
Vierschichtdiode) können nach der Öffnung nicht wieder durch einen Steuerimpuls blockiert
werden. Der Thyristor bleibt niederohmig, bis der Strom den Wert des „Haltestroms“
unterschreitet.

Technischer Aufbau eines Thyristors


Abb. BEUTH

8.6. Transistor

8.6.1. Struktur und Funktion

Abb. BEUTH
Grundlagen d. Elektrotechnik/elektronik 13 Teil

Der erste Transistor Erfinder: J. Bardeen, W.H. Brattain, W. Shockley

Verschiedene Schaltzeichen
Bei pnp-Transistoren zeigt die Spitze des Pfeils zur Basis.

Abb. BEUTH

Ströme und Spannungen im Transistor


IC: Kollektorstrom
IB: Basisstrom
IE: Emitterstrom
UCB: Kollektor-Basis-Spannung
UBE: Basis-Emitter-Spannung
Abb. BEUTH
UCE: Kollektor-Emitter-Spannung

Eingangs- und Ausgangskreis

Abb. BEUTH

8.6.2. Das Kennlinienfeld des Transistors

Schaltung zur Aufnahme des Kennlinienfeldes eines


Transistors

Die Kondensatoren am npn-Transistor verhindern Eigenschwingungen des


Transistors und haben auf die Messergebnisse keinen Einfluss

Abb. KÖNIG
Grundlagen d. Elektrotechnik/elektronik 14 Teil

Bezeichnungen zu den
Kennlinienfeldern

Vierquadranten-Kennlinienfeld des Bipolar-Transistors

Kennlinienfeld eines Germanium-Transistors


1. Quadrant: Ausgangskennlinienfeld
Kollektorstrom in Abhängigkeit von der Emitter-
Kollektorspannung (Basisstrom ist Parameter)
Die maximale Verlustleistung darf nicht überschritten werden!
Für verschiedene Lastwiderstände ergeben sich unterschiedliche
Arbeitsgeraden

 
Sättigungsspannung UCEsatt und Sperrstrom ICE0
2. Quadrant:
Das Verhältnis C B ergibt den Stromverstärkungsfaktor
3. Quadrant: Eingangskennlinienfeld
Aus UB zu IB ergibt sich der Eingangswiderstand
Abb. KÖNIG

Transistor als Schalter

Transistor als Schalter


Der Transistor wird zwischen zwei Zuständen
geschaltet:
1. voll gesperrt: IB=0, es fließt nur der
Kollektorreststrom ICEo.
Kollektor-Emitter-Spannung:
U CE = U − I CE 0 RC ≈ U
2. Voll geöffnet: IB = IBmax. es fließt der durch den
Lastwiderstand bestimmte Kollektorstrom. Zwischen
Emitter und Kollektor fällt die Sättigungsspannung
UCEsatt ab.
Übersteuerung: UBE>UCE , Kollektor und
Emitterdiode in Durchlassrichtung.
Abb. BEUTH Zwischen den beiden Arbeitspunkten schaltet der
Transistor so schnell, dass die Arbeitsgerade die
Verlusthyperbel schneiden darf.
Grundlagen d. Elektrotechnik/elektronik 15 Teil

Stromverstärkungsfaktor

Der Stromverstärkungsfaktor ZLUGDXVGHP9HUKältnis von Kollektorstrom zu Basisstrom


bestimmt. In der Fachliteratur wird auch oft die Bezeichnung h21e verwendet. h21e ist einer der
vier sog. h-Parameter die den Transistor beschreiben.

∆I C
Kleinsignalverstärkung: β = h21e =
∆I B

I C − I CEo
Gleichstrom- oder Großsignalverstärkung: B =
IB

Transistor als Kleinsignalverstärker


Die Signalspannung (z.B. eine Tonfrequenz-
Wechselspannung) schwingt um die
Basisvorspannung, mit welcher der Arbeitspunkt des
Transistors eingestellt wird.
Die kleine Amplitude der Signalspannung bewirkte
einen mit ebenfalls kleiner Amplitude schwingenden
Basisstrom. Der Kollektorstrom schwingt um den
Wert des Kollektorruhestroms. Die Amplitude dieser
Schwingung ist um den Stromverstärkungsfaktor 
größer, als die Amplitude des Basisstroms.

Abb. KÖNIG

8.6.3. Anwendung

Transistor als Schalter

Ein Transistor kann z.B. als „Vorverstärker“


für ein Relais eingesetzt werden, wenn die
Signalstromstärke nicht ausreicht, um das
Relais zu schalten. Die Schutzdiode ist
erforderlich, um die beim Schaltvorgang
auftretende hohe Induktionsspannung
kurzzuschließen.
Grundlagen d. Elektrotechnik/elektronik 16 Teil

8.6.3.2. Grundschaltungen des Transistors

Verstärker in Emitterschaltung
Arbeitspunkteinstellung durch Spannungsteiler
R1+R2.
RE: Arbeitspunktstabilisierung: Erwärmt sich der
Transistor, so steigt der durch den AP bestimmte
Ruhestrom I0. Damit wird die Spannung über RE
größer. Da der Spannungsteiler R1R2 unverändert
bleibt, sinkt UBEo. Der AP bleibt unverändert. CE
schließt RE wechselstrommäßig kurz.
C1 und C2 dienen der galvanischen
Abb. BEUTH (gleichspannungsmäßigen) Abtrennung der
Verstärkerstufe.

Basisschaltungschaltung

Spannungsverstärkung: 100-200
Stromverstärkung: nur ca. 1
Ua in Phase mit Ue
Anwendung: HF-Verstärker, Verstärkung von
Spannungen sehr hoher Frequenz (bis 1GHz).

Abb. BEUTH

Kollektorschaltung

Vu<1,
Vi 0 100-200
Großer Eingangswiderstand
Kleiner Ausgangswiderstand
Impedanzwandler

Abb. BEUTH

8.6.3.3. Transistor als Kleinsignalverstärker


Dreistufiger Wechselstromverstärker

Basiswiderstände zur Festlegung der


Arbeitspunkte
Koppelkondensatoren zur galvanischen
Trennung der Stufen.
Grundlagen d. Elektrotechnik/elektronik 17 Teil

8.6.3.4. Gegentakt-Endstufe

Reihenschaltung eines npn- mit einem pnp-Transistor


Ein T1 verstärkt die negative, T2 die positive Halbwelle des
Eingangssignals. Das Potential der (verbundenen) Emitter
schwingt zwischen +UB und –UB
T1 und T2 müssen gleiche Eigenschaften, insbesondere
gleiche Stromverstärkungsfaktoren haben („Pärchen“).

8.6.3.5. Differenzverstärker

Die beiden in ihren Eigenschaften gleichen


Transistoren werden mit einer symmetrischen
Gleichspannung versorgt. Der Widerstand RE
stellt eine Konstantstromquelle dar.
Wird der linke Transistor durch eine positive
Eingangsspannung geöffnet, so sinkt der
Strom über den rechten Transistor T2; d.h. T2
schließt und umgekehrt. Die zwischen den
Klemmen A und B abgegriffene
Ausgangsspannung ist proportional der
Differenz der Eingangsspannungen.

Abb. BEUTH

8.6.3.6. Multivibratoren
Multivibratoren sind Kippschaltungen, die z.B. durch zwei Transistoren realisiert werden
können. Sie haben zwei Zustände: a) Transistor 1 ist gesperrt, wodurch Transistor 2 geöffnet
wird und b) Transistor 2 ist gesperrt, wodurch Transistor 1 offen gehalten wird. Je nach
Beschaltung können beide Zustände dauerhaft oder zeitweilig stabil sein.

Bistabiler Multivibrator
Funktion: T2 sei gesperrt. Dann beträgt UC(T2) fast +12V. Damit liegt an der Basis
von T1 auch eine positive Spannung; T1 öffnet. Damit ist UC(T1)=0,2V
(Sättigungsspannung). Damit liegt die Basis von T2 nahezu auf Massepotential; T2
bleibt gesperrt. Erst wenn Die Basis von T1 über E1 einen negativen Impuls bekommt,
sperrt T1 und UC(T1) steigt auf 12V. Dadurch wird T2 geöffnet, UC/T2) sinkt auf 0,2 V
und hält T1 im gesperrten Zustand.
Der bistabile MV verharrt im jeweiligen stabilen Zustand (T1 offen
und T2 gesperrt oder umgekehrt) so lange, bis er über einen nega-
tiven Impuls am Eingang des gerade geöffneten Transistors in den
Abb. BEUTH anderen stabilen Zustand gekippt wird.
Anwendung: Elementarer Speicher
Grundlagen d. Elektrotechnik/elektronik 18 Teil

Monostabiler MV
Funktion: Im stabilen Zustand ist T2 gesperrt und T1 offen. UC(T2) liegt demnach auf
+12 V. Die Basis des durchgesteuerten T1 hat ein Potential von +0,8 V. Also ist C2 auf
11,2 V aufgeladen, wobei der negative Pol des Kondensators an der auf +0,8V
liegenden Basis von T1 liegt. Wird nun über E2 ein positiver Impuls an die Basis von
T2 geleite, sinkt UC(T2) auf die Sättigungsspannung von 0,2 V. Das bedeutet aber, dass
C1 als negative Spannungsquelle auf die Basis von T2 wirkt; T2 sperrt. Dieser
metastabile Zustand besteht so lange, bis über RB1 der Kondensator C1 umgeladen
wird. Wenn dann T1 wieder öffnet, kippt die Schaltung zurück. Die Haltezeit wird
durch die Zeitkonstante des RC-Gliedes RB1C1 bestimmt.
Der monostabile MV („Monoflop“) hat nur einen stabilen
Abb. BEUTH Zustand T1 offen, T2 gesperrt. Wird über den Eingang E2
ein positiver Impuls auf die Basis von T2 geleitet, kippt
die Schaltung in den anderen Zustand, in welchem sie
aber nur eine bestimmte Zeit verharrt. Danach kippt die
Schaltung in den stabilen Zustand zurück.
Anwendung: Zeitschalter

Astabiler Multivibrator

Abb. BEUTH

Der astabile Multivibrator („FlipFlop“)kippt ständig


zwischen zwei Metastabilen Zuständen hin und her.
Funktion:
Die Funktion ist vergleichbar mit der des monostabilen
Multivibrators, mit dem Unterschied, dass anstelle eines
Eingangs an T2 das RC-Glied RB2C2 auf die Basis von T2
wirkt. Der Umkippprozess läuft in gleicher Weise ab und
wird durch das nebenstehende Zeitdiagramm illustriert. Abb. BEUTH
Anwendung: Taktgeber, Rechteckgenerator
Grundlagen d. Elektrotechnik/elektronik 19 Teil

8.7. Feldeffekttransistor

Abb. BEUTH

Abb. BEUTH
Sperrschicht-FET Liegt am Drain gegenüber der Source-Elektrode eine
Die zu steuernde Widerstandsstrecke ist das n- positive Spannung und das Gate auf Nullpotential, so
dotierte HL-Material zwischen Source und Drain, bildet sich an dem in Sperrrichtung gepolten pn-Über-
der Kanal (hier –Typ). Die beiden p-dotierten gang zwischen Gate und Kanal eine Raumladungszone,
die mit zunehmender Potentialdifferenz, also in
Bereiche sind außerhalb de HL-Kristalls leitend
Richtung Drain breiter wird. Das dadurch verursachte
miteinander verbunden (Steuerelektrode, Gate) innere elektrische Feld ist so gerichtet, dass Elektronen
Die Wirkung des Transistors basiert auf der daraus verdrängt werden. Durch eine negative Gate-
Sperrschisht zwischen Gate und Kanal: „n-Kanal- spannung, wird der Kanalquerschnitt eingeengt; der
Serrschicht-Feldeffekt-Transistor“. Analog dazu Elektronenstrom von Source zum Drain kann so
gibt es npn-dotierte p-Kanal-FET. gesteuert werden. Da der pn-Übergang zwischen Gate
und Kanal gesperrt ist, ist eine nahezu leistungslose
s Steuerung möglich. Im Unterschied zum Bipolartran-
sistor findet hier ein unipolarer Leitungsmechanismus
statt.

Schaltsymbol eines n-Kanal-Sperrschicht FET


Abb. BEUTH

Kennlinienfeld des n-Kanal-Sperrschicht FET


Abb. BEUTH
Grundlagen d. Elektrotechnik/elektronik 20 Teil

MOSFET
Metal-Oxyde-Semiconductor FET
In ein p-leitendes Substrat sind zwei n-leitende Inseln eindotiert
(Source und Drain). Die Struktur ist nach oben mit einer
Oxydschicht isoliert, auf die als Steuerelektrode (Gate) ein
Metallfilm aufgebracht ist. Legt man an das Gate gegenüber
dem Substrat eine positive Steuerspannung werden die Löcher
(Majoritätsträger im p-dotierten Substrat) von der Gateelektrode
weg, die Minoritätsträger im Substrat (Elektronen) aber zur
Gateelektrode hin bewegt. Aus der ursprünglich npn-dotierten Struktur und Spannungen
Struktur mit einem gesperrten pn-Übergang entsteht in der Nähe am MOSFET
der Gateelektrode, unterhalb der Oxydschicht eine durchgängig Abb. BEUTH
n-leitende Verbindung. Technologisch können selbstsperrende
(Anreicherungstyp) und selbstleitende (Verarmungstyp)
MOSFET hergestellt werden.

MOSFET-Schaltsymbole
n-Kanal Anreicherungstyp

p-Kanal Anreicherungstyp

n-Kanal Verarmungstyp

n-Kanal Verarmungstyp
(mit Substratanschlusss)

p-Kanal Verarmungstyp Kennlinienfeld eines MOSFET


(n-Kanal-Anreicherungstyp)
p-Kanal Verarmungstyp
(Substratanschlussintern an
Source)

Analogien zwischen den Grundschaltungen für


Bipolar- und Feldeffekttransistoren.

Abb. BEUTH
Grundlagen d. Elektrotechnik/elektronik 21 Teil

9. Operationsverstärker

9.1. Eigenschaften
Operationsverstärker wurden ursprünglich als Operationselemente in Analogrechnern
eingesetzt. Durch die Entwicklung der Digitaltechnik haben sie diese Bedeutung verloren.
Aufgrund ihrer Präzision sind sie aber unabdingbare Bausteine in der Mess- und
Regelungstechnik geworden.

Idealer Operationsverstärker Realer Operationsverstärkers (Innenschaltung)

Eigenschaften Eigenschaften
Verstärkungsfaktor: V=’ Verstärkungsfaktor V=1 000 000
Eingangswiderstand: Re = ’ Eingangswiderstand Re = 1 M bis 1 G
Ausgangswiderstand: Ra = 0 Ausgangswiderstand Ra = 10
untere Grenzfrequenz: fmin = 0 untere Grenzfrequenz fmin = 0
obere Grenzfrequenz: fmax = ’ obere Grenzfrequenz fmax = 100MHz
Gleichtaktverstärkung: Vgl = 0 Gleichtaktverstärkung Vgl = 0,2
Gleichtaktunterdrückung: G = ’ Gleichtaktunterdrückung: G = 5 000000
Rausch-Ausgangsspannung: Urausch = 0 Rausch-Ausgangsspannung Urausch = 3 µV

9.1. Grundschaltungen und Anwendungen


Es gibt zahlreiche Schaltungen mit denen mathematische Operationen realisiert werden
können (Addition, Subtraktion, Differentiation, Integration, Logarithmieren etc). Im
folgenden werden einige Beispiele gegeben.

Invertierende Grundschaltung Ue wird invertiert zum Ausgang übertragen.


Eingang liegt auf „virtueller Masse“
R1
Ua = − Us
R2
R1 und R2 bilden Eingangsspannungsteiler, d.h. die
Signalquelle wird belastet. Die Verstärkung lässt sich aus
den Eigenschaften des idealen OPV herleiten.
Abb. BEUTH
Grundlagen d. Elektrotechnik/elektronik 22 Teil

Nichtinvertierende Grundschaltung Die Eingangsspannung wird nichtinveriert zum Ausgang


übertragen.
 R 
U a = 1 + 1  ⋅ U s
 R2 
Fast leistungslose Steuerung; der Eingangswiderstand ist nicht
von R1 und R2 abhängig

Abb. BEUTH

Tonfrequenzverstärker mit Klangblende


Der Spannungsteiler in der Rückkopplung ist
Frequenzabhängig; die Grenzfrequenz kann mit dem
Potentiometer variiert werden.

Abb. BEUTH

Subtrahierverstärker Hier wird der OPV so beschaltet, dass er gleichzeitig als


invertie-render und nichtinvertierender Verstärker arbeitet.
Für den Betrieb als invertierenden Verstärker wird der (+)-

Eingang auf Masse gelegt, dann gilt:


Für den nichtinvertierenden Betrieb wird der (-)-Eingang
auf Masse gelegt, dann gilt:

Für die gesamte Schaltung gilt durch Überlagerung:


Abb. BEUTH
Sind speziell alle vier Widerstände gleich groß, so reduziert
sich die Gleichung auf eine Subtraktion der
Eingangsspannungen:
Ua = Ue + Ue - 
Sind R1=R3 und R2=R4, so ist die Ausgangsspannung gleich
der Differenz der Eingangsspannungen, multipliziert mit
R2
dem Faktor –R2/R1 : Ua = − (U e + − U e − )
R1
Zur Erläuterung der Konstante k Abb. BEUTH

Umkehraddierer Mit der Schaltung können beliebig viele Eingangsströme (bzw.


Spannungen über Widerstände) addiert werden. Da der invertierende
Eingang benutzt wird, addieren sich die Spannungen negativ.
RF R
Ua = − ⋅ U1 − F U 2 − ... − I1 '− I 2 '
R1 R2

Abb. SEIFART
Grundlagen d. Elektrotechnik/elektronik 23 Teil

Integrator Ein I. ist ein invertierender Verstärker mit frequenzabhängiger


Gegenkopplung, hier durch den Kondensator C. Der Kondensator dient
dabei als analoger „Speicher“ in dem die Eingangsspannung Ue über die
Zeit aufsummiert wird. Bei konstanter Eingangsspannung ergibt sich eine
linear ansteigende Ausgangsspannung. Integratoren sind in der analogen
Schaltungstechnik Grundlage von Funktionsgeneratoren (z.B. Dreieck-
oder Sägezahngenerator). Genutzt wird der Integrator auch in der
Regelungstechnik als Teilelement einer Regelstrecke bzw. eines Reglers.
Der I. kann auch als aktiver Tiefpass betrachtet werden. Für die
Ausgangspannung Ua als Funktion der Eingangsspannung Ue gilt:

Das dabei auftretende Produkt aus R und C nennt man Zeitkonstante, meist
mit dem Zeichen abgekürzt.

Differentiator Die hier dargestellte Schaltung stellt einen invertierenden Verstärker mit
frequenzabhängigem Einspeisewiderstand dar. Fließt durch den Kondensator auf
Grund von zeitlichen Änderungen der Eingangsspannung ein Lade-/
Entladestrom, bedingt dies einen Spannungsabfall am Widerstand und damit eine
Änderung der Ausgangsspannung. Der D. wird in der Regelungstechnik
eingesetzt, dann meistens in Kombination mit Proportionalverstärker und
Integrator (PD- und PID-Regler). Der D. kann auch als aktiver Hochpass
aufgefasst werden. Die Ausgangsspannung entspricht der links dargestellten
Differentialgleichung mit der Zeitkonstanten = RC.