Electronique Analogique

2015-2016
ELECTRONIQUE ANALOGIQUE
M. Probus A. F. KIKI
Ingénieur Electrotechnicien
2015-2016
1
Table des matières

Chapitre 1 : Rappels d’électricité ............................................................................................................ 3
1- Loi d’ohm ..................................................................................................................................... 3
2- Diviseur de tension ...................................................................................................................... 3
3- Diviseur de courant ..................................................................................................................... 4
4- Lois de Kirchhoff .......................................................................................................................... 5
4-1- Loi des mailles .......................................................................................................................... 5
4-2- Loi des nœuds .......................................................................................................................... 6
5- Source de tension ........................................................................................................................ 6
6- Source de courant ....................................................................................................................... 7
7- Théorème de Thévenin ............................................................................................................... 8
8- Théorème de Norton ................................................................................................................... 8
9- Théorème de Millmann ............................................................................................................... 9
10- Théorème de superposition .................................................................................................... 9
Chapitre 2 : Conductivité des semi-conducteurs .................................................................................. 11
1- Conducteurs, semi-conducteurs et isolants .............................................................................. 11
2- Conductivité intrinsèque d’un semi-conducteur....................................................................... 12
3- Conductivité extrinsèque d’un semi-conducteur ...................................................................... 14
3-1- Semi-conducteur de type N ................................................................................................... 14
3-2- Semi-conducteur de type P ................................................................................................... 14
Chapitre 3 : La Jonction P-N et les diodes ............................................................................................. 16
1- La jonction PN............................................................................................................................ 16
2- Diode à jonction PN et sa caractéristique ................................................................................. 16
2-1- Diode à jonction PN polarisée en direct ................................................................................ 17
2-2- Diode Jonction PN polarisée en inverse................................................................................. 17
2-3- Caractéristique de la diode .................................................................................................... 17
3- Modélisation de la diode ........................................................................................................... 18
3-1 Modèle Idéale ......................................................................................................................... 18
3-2 Modèle à seuil ......................................................................................................................... 18
3-3 Modèle linéarisé ...................................................................................................................... 19
Chapitre 4 : Le Transistor bipolaire ....................................................................................................... 21
1- Généralités ................................................................................................................................ 21
2- Polarisation du transistor .......................................................................................................... 21
3- Paramètres caractéristiques de la polarisation à émetteur commun ...................................... 23
4- Droite de charge statique .......................................................................................................... 24
5- Etude de cas .............................................................................................................................. 26
ELECTRONIQUE ANALOGIQUE M. PROBUS A. F. KIKI

2
5-1 Polarisation par réaction d’émetteur...................................................................................... 26

5-2 Polarisation par résistance de Base ........................................................................................ 26
5-3 Polarisation par diviseur de tension à la base ......................................................................... 27
BIBLIOGRAPHIE ...................................................................................................................................... 28

3
Chapitre 1 : Rappels d’électricité

L’électronique est la partie de l’électricité qui étudie les courants faibles.
Ainsi, on ne saurait l’étudier sans maitriser les règles de bases de l’électricité. Ce
chapitre résume les lois les plus utilisés en électricité.
1- Loi d’ohm
Un dipôle électrique est un élément à deux bornes, caractérisé par le courant
I qui le traverse et par la tension V apparaissant à ses bornes.
Pour une Résistance R on a : 𝑉 = 𝑅𝐼
2- Diviseur de tension
Ce principe est utilisé pour calculer des tensions aux bornes des dipôles
placés en série (donc tous parcourus par le même courant I).
-cas de deux dipôles placés en série :
On peut écrire que U2 = R2 .I, avec I = U /( R1 +R2) On en déduit :
𝑅2
𝑈2 = 𝑈
𝑅1 + 𝑅2

4
-cas de n dipôles placés en série.
𝑅𝑘
𝑈𝑘 = 𝑈
𝑅1 + 𝑅2 … 𝑅𝑛
3- Diviseur de courant
Ce principe est utilisé pour calculer l'intensité du courant parcourant des
dipôles placés en dérivation (donc tous sont soumis à la même ddp).
-cas de deux dipôles placés en dérivation
On a deux résistances R1= 1/G1 et R2= 1/G2 placées en dérivation (G:

conductance)
On peut écrire que : U=I1 / G1 = I2/G2 = I/( G1 +G2) , on en déduit que :
𝐺2
𝐼2 = 𝐼
𝐺1 + 𝐺2
- On peut généraliser le principe à n dipôles placés en dérivation, on

détermine l'intensité Ik dans la branche k avec la relation ci-dessous:

5
𝐺𝑘
𝐼𝑘 = 𝐼
𝐺1 + 𝐺2 … 𝐺𝑛
4- Lois de Kirchhoff
Lois de Kirchhoff permettent de calculer la tension aux bornes de
chaque dipôle d’un circuit et le courant dans chacune des branches d’un
circuit.
Soit le circuit suivant :
Un nœud (N) est une connexion, qui relie au moins trois branche. Ex. : B
et E
Une maille est un chemin fermé, passant par différents points d’un
circuit électrique.
Ex. : ABEFA, BCDEB et ABCDEFA
4-1- Loi des mailles
La somme algébrique des tensions rencontrées dans une maille est

égale à 0. Ainsi, il faut choisir un sens positif de parcours de la maille (choix
le choix est arbitraire).
Ex : considérons la maille F, A, B, E, F
𝑈𝐴𝐹 − 𝑈𝐴𝐵 − 𝑈𝐵𝐸 + 𝑈𝐹𝐸 = 0

6
4-2- Loi des nœuds

Les charges électriques ne peuvent pas s’accumuler au cours du
temps en un point quelconque d’un circuit.
Soit le circuit suivant :
La somme des intensités des courants arrivant à un nœud est égale à

la somme des intensités des courants sortants du nœud.
𝑖1 + 𝑖4 = 𝑖2 + 𝑖3 + 𝑖5
5- Source de tension
Une source de tension idéale fournit une tension Vo constante
entre ses bornes, quel que soit le courant I débité. Le symbole d'une
source de tension ainsi que sa caractéristique courant-tension sont
montrés sur la figure suivante.
Une source de tension réelle peut se représenter schématiquement

comme une source de tension Vo idéale et d'une résistance Ri
représentant la résistance interne des éléments constituant la source.
𝑉0
𝑉=
𝑅
1+ 𝑖
𝑅

7
Donc la résistance interne 𝑅𝑖 doit être très inférieure à la résistance

de charge 𝑅
6- Source de courant
Une source de courant idéale fournit un courant constant
indépendamment de la tension apparaissant à ses bornes. La tension
dépend de la résistance de charge R (V = RI).
Idéalement, la tension peut avoir n'importe qu'elle valeur (suivant la
valeur de R) et donc la puissance que peut fournir une source de courant
idéale n'est pas limitée. Dans la réalité, les sources de courant constant
ont un domaine limité de fonctionnement. A partir d'une certaine
tension limite, le courant diminue.
𝐼0
𝐼=
𝑅
1+
𝑅𝑖
Donc la résistance interne 𝑅𝑖 doit être très supérieure à la résistance
de charge 𝑅

8
7- Théorème de Thévenin
Soit un réseau électrique (dipôle actif linéaire) :
Le but recherché est de remplacer tout réseau électrique (circuit linéaire),

qui alimente par les bornes A et B un dipôle D, par un générateur de tension idéal
VTH en série avec une résistance RTH, c'est ce qu'on appelle le modèle équivalent
de Thévenin (M.E.T).
La fém VTH du générateur est égale à la ddp mesurée (calculée) entre A et

B quand le dipôle est débranché (autrement dit, c'est la tension à vide U0 existante
entre les points A et B pour I = 0).
La résistance RTH est égale à la résistance mesurée (ou calculée) entre A et B

quand le dipôle D est débranché, on remplace virtuellement toute source de
tension par un court-circuit et toute source de courant par un circuit ouvert. Le
M.E.T sera ensuite utilisé pour effectuer tout genre de calculs sur le circuit de
départ.
8- Théorème de Norton
Le but recherché est de remplacer tout réseau électrique, qui alimente par les
bornes A et B un dipôle D, par un générateur de courant idéal IN en parallèle avec
une résistance RN.
L'intensité IN du générateur est égale au courant de court-circuit entre A et B

quand le dipôle D est débranché (autrement dit, c'est le courant ICC circulant entre
les points A et B pour U = 0), c'est ce qu'on appelle le modèle équivalent de
NORTHON (M.E.N).

9
La résistance RN est égale à la résistance mesurée (ou calculée) entre A et

B quand le dipôle D est débranché, on remplace virtuellement toute source de
tension par un court-circuit et toute source de courant par un circuit ouvert M.E.N
(avec la conductance GN = 1 / RN)
9- Théorème de Millmann
Ce théorème très utile, permet de calculer le potentiel d'un point sur un circuit,
prenons un exemple assez simple, c'est le calcul du potentiel V 0 sur circuit de la
figure 1.
𝑉1 𝑉2 𝑉3
+ +
𝑅1 𝑅2 𝑅3
𝑉0 =
1 1 1
+ +
𝑅1 𝑅2 𝑅3
10- Théorème de superposition

C'est un théorème qui est utilisé lorsqu'une charge est alimentée par
plusieurs sources (dipôles actifs et linéaires) de tension ou de courant
indépendantes: Si la charge est alimentée par plusieurs sources indépendantes le
courant traversant cette charge est la somme des courants dus à la contribution de
chacune des sources.
On peut démontrer aussi que la tension aux bornes de la charge est égale à
la somme des tensions calculées aux bornes de cette charge quand chaque source
agit seule.

10
Il faut éteindre toutes les sources sauf une et effectuer le calcul de la

grandeur : tension aux bornes de la charge (ou l'intensité dans la branche de la
charge), refaire l'opération jusqu'qu'il ait autant de grandeurs calculées que de
sources indépendantes.
Pour le cas ci-dessus on peut écrire que : I1 = I'1+ I"1 et I2 = I'2+ I"2 et I3 = I'3+ I"3.
Remarque: Si un ou plusieurs des dipôles actifs linéaires du circuit comportent

des sources de courant, il faut les remplacer lors de l'application du théorème, par
un circuit ouvert; les sources de tension sont à remplacer par un court-circuit.
Exercice d’application
Calculer la réponse du circuit (v) ci-dessous lorsqu'il n'est pas connecté à une
résistance de charge, c'est à dire lorsque i = 0 en sortie du circuit.
Calculer la tension UAB du circuit ci-dessus lorsqu'il n'est pas connecté à une
résistance de charge, c'est à dire lorsque i = 0 en sortie du circuit.
1) Donner le modèle équivalent de Thévenin du circuit aux bornes A et B.

2) Donner le modèle équivalent de Norton du circuit aux bornes A et B.
3) Conclure.
𝑅2 𝑅1 𝑅2 𝑅1 𝑅2
Solution : 𝑈𝐴𝐵 = (𝑉1 + 𝑉2 ) + 𝐼1, 𝑉𝑇ℎ = 𝑈𝐴𝐵 et 𝑅𝑇ℎ = ,
𝑅1 +𝑅2 𝑅1 +𝑅2 𝑅1 +𝑅2
𝑉1 +𝑉2
𝐼𝑁 = 𝐼1 + , 𝑉𝑇ℎ = 𝑅𝑇ℎ . 𝐼𝑁
𝑅1

11
Chapitre 2 : Conductivité des semi-conducteurs
1- Conducteurs, semi-conducteurs et isolants

Les semi-conducteurs sont des matériaux dont la conductivité est intermédiaire
entre celle des conducteurs et celle des isolants. (Tableau 1.1)
Tableau 1.1
Matériaux Conductivité, S/cm
Conducteurs 102 – 106
Semi-conducteurs 10-6 – 102
Isolants 10-16– 10-8
Il faut dire que la conductivité des semi-conducteurs, à la différence de celle

des conducteurs et des isolants dépend fortement de leur pureté, de
l’orientation et des irrégularités de leur structure, de la température et d’autres
quantités physiques et chimiques. Cette propriété représente leur avantage
principal puisqu’elle permet la construction de la plupart des composants
électroniques ayant des caractéristiques très diversifiées.
On peut classifier les matériaux en conducteurs, semi-conducteurs et
isolants par la largeur de leur zone interdite. (Figure 1)
Figure1 : Répartition des électrons d’un atome non isolé en bandes (Zones)
permises selon leur énergie
La conductivité des matériaux est déterminée par les électrons des deux
zones extérieurs appelées zone de valence et zone de conduction.
Les électrons qui se trouve dans la zone de valence n’ont pas assez d’énergie
pour se détacher du noyau, mais peuvent commencer par circuler autour de
deux noyaux rapprochés, créant ainsi une liaison covalente. (Figure 2)

12
Figure 2 : Liaisons covalentes dans un cristal de silicium

Les électrons qui se trouvent dans la zone de conduction possèdent une assez
grande énergie. Ce sont les électrons libres. Il se déplace facilement dans un
champ électrique en constituant un courant dont la valeur dépend de leur
quantité.
La zone de conduction des isolants est pratiquement vide. Elle est séparée de
la zone de valence par une zone interdite de largeur ∆𝑊 de 3 à 15 eV (1 eV
=1.6 10-19J). Dans les conditions normales, très rares sont les électrons de
valence qui reçoivent assez d’énergie pour sauter la zone interdite. Par
conséquent, la conductivité des isolants est très petite.
Pour les semi-conducteurs, leurs zone interdite est beaucoup plus faible (0.5 à
3eV). Une légère variation de la température permet à certains électrons de
valence de devenir libre. La conductivité des semi-conducteurs est donc plus
grande que celle des isolants.
La zone de conduction des conducteurs coïncide avec la zone de valence.
Autrement dit, tous les électrons de valence des conducteurs sont libres et la
largeur ∆𝑊 de leur zone interdite est égale à zéro. Par conséquent, la
conductivité des conducteurs est très grande.
2- Conductivité intrinsèque d’un semi-conducteur

Beaucoup de semi-conducteurs, comme le germanium(Ge), le silicium(Si),
sélénium(Se) et d’autres encore, sont utilisés en électronique. Mais le rôle du
silicium est bien de loin prédominant.
Les corps simples semi-conducteurs (Silicium pur ou intrinsèque) ont la
caractéristique principale d’être tétravalent, c’est-à-dire que leur couche
extérieure comporte 4 électrons. Ce sont des éléments qui ont une structure
cristalline.
Au zéro absolu (0K = -273°C), il n’y a pas d’agitation thermique et tous les
électrons périphériques participent aux liaisons covalentes ; aucun n’est donc

13
libre pour participer à la conduction électrique : le corps est isolant. Lorsqu’on

élève la température, l’agitation thermique permet à quelques électrons de se
libérer de la liaison covalente, et d’être mobiles dans le cristal. C’est la
thermogénération. Il est accompagné par le phénomène inverse qui est la
recombinaison.
Cette rupture des liaisons covalente donne naissance à des trous. (Figure 3)
Figure3 : création d’une paire électron trou

Le trou créé va participer à la conduction électrique. En effet, supposons que
le matériau semi-conducteur considéré soit baigné dans un champ électrique.
Les électrons libres vont bien sûr dériver dans la direction opposée au champ,
sous l’action de la force 𝐹⃗ .
𝐹⃗ = −𝑞𝐸⃗⃗
Figure 4 : Progression d’un trou sous l’effet d’un champ électrique

Le trou est défini comme un nouveau porteur de charge positive. Cela est
bien sûr fictif. Son déplacement est celui du courant. Et l’intensité de ce dernier
dépend de la conductivité 𝜎 du semi-conducteur.

14
3- Conductivité extrinsèque d’un semi-conducteur

L’utilisation du semi-conducteur pur présente assez peu d’intérêt.
L’utilisation de semi-conducteur dans la plupart des composants électroniques se
fait dans un état dit dopé (semi-conducteur extrinsèque), par opposition avec le
semi-conducteur pur, ou intrinsèque. Le dopage consiste à inséré un atome
d’impureté dans la structure du semi-conducteur pur.
3-1- Semi-conducteur de type N
Supposons par exemple que dans un semi-conducteur très pur, on introduise
volontairement un corps pentavalent (phosphore, arsenic, etc) dans une proportion
donnée (taux de dopage). On a alors, dans le cristal, la situation schématisée en
figure5.
Figure5 : Effet du dopage pour augmenter le nombre d’électron libre

L’électron en surplus n’entrant pas dans une liaison covalente n’est que
faiblement lié à l’atome pentavalent. À la température ambiante, il est libre dans
le semi-conducteur (à cause de l’agitation thermique) et participe à la conduction.
Il en est pratiquement ainsi de tous les électrons en excès venant de l’impureté
pentavalente.
Le semi-conducteur extrinsèque ainsi constitué est dit de type N.
L’impureté dans ce cas est appelée donneur.
3-2- Semi-conducteur de type P

Introduisons maintenant dans le semi-conducteur intrinsèque, en faible quantité,
un corps trivalent (par exemple Bore, Aluminium, Gallium ou Indium). Les
atomes de cette impureté vont se substituer, de place en place, à ceux du semi-
conducteur pur. (Figure6)

15
Figure6 : Effet du dopage pour augmenter le nombre de trous libres
Une lacune apparaît dans la liaison covalente, à l’endroit de chaque atome

accepteur. À la température ambiante, cette lacune est comblée par un électron
voisin sous l’effet de l’agitation thermique, formant un trou positif dans le cristal,
libre de se déplacer à l’intérieur de celui-ci. On trouve donc, à température
ambiante, pratiquement autant de trous libres que d’atomes accepteurs. Le semi-
conducteur extrinsèque ainsi crée est dit de type P.
Exercice d’application:
1- Sur quels critères atomique se base t-on pour classer les matériaux en
conducteur, semi-conducteur et en isolant ?
2- Donner un exemple d’atome donneur et un exemple d’atome accepteur.
3- Comment réalise-t-on un semi-conducteur ?
4- Expliquer le phénomène de recombinaison et de thermogénération.
5- A quel température on ne remarque plus d’agitation thermique dans la
structure cristalline

16
Chapitre 3 : La Jonction P-N et les diodes

1- La jonction PN
Soit un cristal de silicium composé d’un segment de type P et d’un segment
de type N. Au moment de la jonction, les porteurs majoritaires de la zone P
diffusent vers la région N, où ils sont beaucoup moins nombreux. De même, les
électrons de la région N diffusent vers la zone P. Ce phénomène de diffusion
s’arrête avant que la répartition des trous et des électrons dans tout le cristal ne
soit homogène (apparition d’un fort champ électrique). Voir figure 1. Cet état
d’équilibre est caractérisé par un champ électrique d’intensité E0, une largeur d0
de la jonction PN et une différence de potentiel entre les deux charges immobiles
et opposées dans la jonction, appelé potentiel de contact V0.
Les valeurs typiques de V0 pour les jonctions PN au silicium se situent entre
0,5 et 0,7V.
Figure 1 : Coupe transversale d’une jonction PN

2- Diode à jonction PN et sa caractéristique
Si l’on munit le cristal de silicium de deux électrodes, Il devient une diode
à jonction PN. Les électrodes s’appellent anode (A) et cathode (K). Le symbole
d’une diode à jonction PN dans les schémas électriques est donné sur la figure
suivante.
Figure 2 : Diode à jonction PN et son symbole

17
2-1- Diode à jonction PN polarisée en direct

Lorsque la tension VD appliquée entre l’anode et la cathode est positive, la
diode est polarisée en direct. La tension VD ne doit pas dépassée V0 si non la diode
peut être endommagée.
La tension aux bornes de la jonction est donc de V0 - VD. La largeur de la
jonction est donc réduite permettant ainsi une diffusion supplémentaire de trous
et d’électrons à travers la jonction. La Jonction n’est plus en équilibre et un
courant ID apparait dans la jonction.
2-2- Diode Jonction PN polarisée en inverse

Lorsque la tension VD appliquée entre l’anode et la cathode est négative, la
diode est polarisée en inverse. Dans ce cas, V0 et VD ont le même sens, ce qui
accroît la largeur de la jonction et donc diminue la diffusion à travers la Jonction.
Un courant négatif apparait.
Le comportement de la diode en direct et en inverse est décrit par une seule
équation :
𝑉𝐷
𝐼𝐷 = 𝐼𝑠 (𝑒 𝑉𝑇 − 1)
Avec,
𝑉𝑇 : Potentiel thermique
𝐼𝑆 : Courant inverse ou courant de saturation
2-3- Caractéristique de la diode

L’équation du courant ID est représentée sous forme graphique à la figure3.
C’est la caractéristique de la diode.
Figure 3 : Caractéristique d’une diode à jonction PN

Pour VD > 0, la caractéristique est exponentielle.

18
Pour VD < 0, la caractéristique devient très vite horizontale. Vu que I S est

très petit, son échelle est plus grande que le courant direct pour qu’il ne soit pas
confondu à l’axe des abscisses.
3- Modélisation de la diode
Un modèle consiste en une représentation simplifiée du fonctionnement de
la diode en vue de faciliter l’analyse d’un phénomène ou l’étude d’un système. La
diode est un élément non linéaire, or l’analyse d’un comportement non linéaire
est assez difficile. On remplace donc les diodes par des modèles linéaires.
Il y a différents modèles selon l’analyse ou l’étude souhaitée. Pour analyser
un circuit électrique qui fonctionne en régime continu (statique) on utilise trois
différents modèles.
3-1 Modèle Idéale
Figure 4 : Modèle idéal d’une diode à jonction PN

En direct, la diode est considérée comme un court-circuit : 𝑉𝐷 = 0 pour 𝐼𝐷 ≥ 0.
En inverse, la diode est considérée comme un circuit ouvert : 𝐼𝐷 = 0 pour 𝑉𝐷 ≤
0.
Ce modèle est le plus simple, mais le moins précis. Il est utilisé pour des
estimations rapides et pour des analyses de circuits complexes.
3-2 Modèle à seuil

19
Figure 5 : Modèle à seuil d’une diode à jonction PN

En direct, on rajoute une force contre électromotrice 𝑉0 : 𝑉𝐷 = 𝑉0 pour 𝐼𝐷 ≥ 0.
En inverse, la diode est considérée comme un circuit ouvert : 𝐼𝐷 = 0 pour
𝑉𝐷 ≤ 𝑉0 .
3-3 Modèle linéarisé
Figure 6 : Modèle linéarisé d’une diode à jonction PN

Dans ce modèle, dès que la tension dépasse 𝑉0 , on rajoute une résistance 𝑟𝐷
qui reflète une variation linéaire du courant en fonction de la variation de la
tension.
En direct, on rajoute 𝑉0 et une résistance dynamique moyenne 𝑟𝐷 :
𝑉𝐷 = 𝑉0 + 𝑟𝐷 𝐼𝐷 pour 𝐼𝐷 ≥ 0.
En inverse, la diode est considérée comme un circuit ouvert : 𝐼𝐷 = 0 pour
𝑉𝐷 ≤ 𝑉0 .

20
Soit le circuit de la figure 3-1-a :
a) b)
Figure 3-1
1- Déterminer le modèle équivalent de thévenin du circuit entre les points A
et B lorsque le dipôle D est déconnecté.
2- On suppose maintenant que V1 et V2 ont les allures de la figure 3-1-b. R1 =
R2 = R3 = 10Ω et Rc.
Evaluer à partir de la question 1, l’expression de la tension V Rc en tenant
compte du fait que la diode est représentée par son modèle idéal.
3- Tracer dans un repère, l’allure de la tension VRc sur deux périodes.

21
Chapitre 4 : Le Transistor bipolaire

1- Généralités
Le transistor est un composant électronique fabriqué à base de semi-
conducteur. Il dispose de deux jonctions et présente trois bornes. On
distingue deux types de transistor bipolaire :
- Le type NPN sur la figure 4-1-a

- Le type PNP sur la figure 4-1-b
Figure 4-1 Représentations schématiques et symbole des transistors bipolaires
Pour le type NPN, la base de type P est prise en sandwich entre l’émetteur et le
collecteur qui sont dopé de type N Mais différemment. L’émetteur est plus
fortement dopé que le collecteur.
Pour le type PNP, la base un matériau de type N est inséré entre deux autres
couche dopé de type P. Les jonctions sont constituée des frontières B-E d’une part
et B-C d’autre part.
Notre étude se basera particulièrement sur le transistor NPN.
2- Polarisation du transistor
Parmi les différentes façons de polariser un transistor de type NPN, une
seulement, présente un intérêt primordial. Si nous polarisons la jonction
émetteur-base en direct et la jonction collecteur-base en inverse, nous
obtenons la configuration visible sur la figure 4-2

22
Figure 4-2 : Polarisation directe et principe de l’effet transistor

Pour fonctionner, le transistor a besoin d’être polarisé et l’on distingue
plusieurs formes de polarisation. La polarisation du transistor permet de fixer son
point de fonctionnement au repos et de se rendre compte de sa zone de
fonctionnement linéaire. En mode linéaire, le transistor fonctionne comme un
amplificateur (de courant). Pour le transistor bipolaire et en mode non linéaire, le
transistor fonctionne en commutation.
Avec les trois bornes du transistor, on peut le monter soit en émetteur
commun (le plus répandu), soit en base commune pour un fonctionnement dans
les hautes fréquences ou en collecteur commun pour effectuer une adaptation
d’impédance.
a) Emetteur commun

23
b) Base commune
c) Collecteur commun
Figure 4-3 : différents montage d’un transistor
3- Paramètres caractéristiques de la polarisation à émetteur

commun
La polarisation à émetteur commun est caractérisée par un gain noté β qui lie le
courant collecteur et le courant de base (IC et IB). Ce gain est aussi appelé gain en
courant continue, gain statique et gain en régime statique. L’ordre de grandeur de
β est de 50 à 300 et parfois de l’ordre de mille pour certain modèle de transistor.
𝐼
On le note β, βCC, hFE. Avec β = 𝐶 . On définit aussi le rapport IC sur IE par le
𝐼𝐵
coefficient α et on obtient :
𝛽
𝛼= avec 0 < α < 1.
𝛽+1
Pour β très élevé, α tend vers 1.

24
4- Droite de charge statique
L’équation donnée par le circuit d’entrée est l’équation d’une droite appelée la
droite d’attaque statique du transistor.
𝑉𝐵𝐵 = 𝑅𝐵 𝐼𝐵0 + 𝑉𝐵𝐸0
𝑉𝐵𝐸0 𝑉𝐵𝐵
𝐼𝐵0 = − +
𝑅𝐵 𝑅𝐵
Cette droite permet de fixer le courant I B0 du transistor. Le point de
fonctionnement à l’entrée (𝑉𝐵𝐸0 , 𝐼𝐵𝐸0 ) doit satisfaire à la fois l’équation du
transistor et l’équation du circuit d’entrée ce qui nous permet de placer ce point à
l’intersection des deux caractéristiques.
Le circuit de sortie fournit aussi l’équation d’une droite appelée la droite de charge
statique :
𝑉𝐶𝐶 = 𝑅𝐶 𝐼𝐶0 + 𝑉𝐶𝐸0
𝑉𝐶𝐸0 𝑉𝐶𝐶
𝐼𝐶0 = − +
𝑅𝐶 𝑅𝐶
L’intersection de cette droite avec la caractéristique 𝐼𝐶 = 𝑓(𝑉𝐶𝐸 ) pour le courant
𝐼𝐵0 déterminé déjà par le circuit d’entrée, donne le point de fonctionnement en
sortie (𝑉𝐶𝐸0 , 𝐼𝐶0 ).

25
Figure 4-4 : Effet de la polarisation sur le réseau de caractéristiques d’un transistor

NPN.
La droite de charge statique est une droite donnée, tracé en fonction de la charge
et des éléments du circuit pour apprécier la région dans laquelle fonctionne le
transistor.
La pente de cette droite dépend essentiellement de la charge totale contenue dans
la maille de l’émetteur et du collecteur du transistor.
Le point de fonctionnement du transistor au repos est l’intersection de la droite de
charge tracé et de la courbe de courant IB engendré par la maille d’entrée. Cette
courbe de courant IB est repérée dans la famille de courbe caractérisant le
transistor.

26
5- Etude de cas
5-1 Polarisation par réaction d’émetteur
Déterminer la droite de charge statique et la droite d’attaque
5-2 Polarisation par résistance de Base

27
5-3 Polarisation par diviseur de tension à la base
Soit le circuit de la figure 3-1 :
Figure 3-1
1- Déterminer l’expression du courant IC en fonction de VCE et des résistances
R2 et R4.
2- Déterminer l’expression du courant IB en fonction de VBE et des résistances
R1 et R3.
3- On donne : R1 = 10kΩ, R2 = 3,5 kΩ, R3 = 2kΩ, R4 = 1kΩ, 𝑉𝐶𝐶 =
1
12𝑉, 𝑉𝐵𝐸 = 0,7𝑉, 𝑉𝐶𝐸 = 𝑉𝐶𝐶 et β = 100.
2
Calculer les courants IC, IB, IE.

28
BIBLIOGRAPHIE
1- Electronique Analogique, Cours et problème résolus, Stéphane VALKOV,
Edition CESTEILLA
2- Introduction à l’électronique Analogique, Tahar NEFFATI, Edition
DUNOD

Electronique Analogique

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Table des matières

ELECTRONIQUE ANALOGIQUE M. PROBUS A. F. KIKI

5-1 Polarisation par réaction d’émetteur...................................................................................... 26

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Chapitre 1 : Rappels d’électricité

Pour une Résistance R on a : 𝑉 = 𝑅𝐼

-cas de deux dipôles placés en série :

On peut écrire que U2 = R2 .I, avec I = U /( R1 +R2) On en déduit :

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-cas de n dipôles placés en série.

-cas de deux dipôles placés en dérivation

On a deux résistances R1= 1/G1 et R2= 1/G2 placées en dérivation (G:

On peut écrire que : U=I1 / G1 = I2/G2 = I/( G1 +G2) , on en déduit que :

- On peut généraliser le principe à n dipôles placés en dérivation, on

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Soit le circuit suivant :

4-1- Loi des mailles

La somme algébrique des tensions rencontrées dans une maille est

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4-2- Loi des nœuds

La somme des intensités des courants arrivant à un nœud est égale à

Une source de tension réelle peut se représenter schématiquement

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Donc la résistance interne 𝑅𝑖 doit être très inférieure à la résistance

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Le but recherché est de remplacer tout réseau électrique (circuit linéaire),

La fém VTH du générateur est égale à la ddp mesurée (calculée) entre A et

La résistance RTH est égale à la résistance mesurée (ou calculée) entre A et B

L'intensité IN du générateur est égale au courant de court-circuit entre A et B

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La résistance RN est égale à la résistance mesurée (ou calculée) entre A et

10- Théorème de superposition

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Il faut éteindre toutes les sources sauf une et effectuer le calcul de la

Remarque: Si un ou plusieurs des dipôles actifs linéaires du circuit comportent

1) Donner le modèle équivalent de Thévenin du circuit aux bornes A et B.

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Chapitre 2 : Conductivité des semi-conducteurs

1- Conducteurs, semi-conducteurs et isolants

Il faut dire que la conductivité des semi-conducteurs, à la différence de celle

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Figure 2 : Liaisons covalentes dans un cristal de silicium

2- Conductivité intrinsèque d’un semi-conducteur

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libre pour participer à la conduction électrique : le corps est isolant. Lorsqu’on

Figure3 : création d’une paire électron trou

Figure 4 : Progression d’un trou sous l’effet d’un champ électrique

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3- Conductivité extrinsèque d’un semi-conducteur

Figure5 : Effet du dopage pour augmenter le nombre d’électron libre

3-2- Semi-conducteur de type P

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Figure6 : Effet du dopage pour augmenter le nombre de trous libres

Une lacune apparaît dans la liaison covalente, à l’endroit de chaque atome

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Chapitre 3 : La Jonction P-N et les diodes

Figure 1 : Coupe transversale d’une jonction PN

Figure 2 : Diode à jonction PN et son symbole

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2-1- Diode à jonction PN polarisée en direct

2-2- Diode Jonction PN polarisée en inverse

2-3- Caractéristique de la diode

Figure 3 : Caractéristique d’une diode à jonction PN