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Datum: Studienfach:

2017 Elektrotechnik

Typ Klausur:
Übungsklausur EUEA

Prüfer: Studiengang:
Winfried Tiedge Bachelor Elektro- und Informationstechnik
Musterlösungen

1. Aufgabe: Widerstand, Kondensator, Spule (20 Punkte)

a) Preiswert, klein, geringe Überlastbarkeit


geringe Toleranz bei abgeglichenen Widerständen möglich (Wendelung)
niedriger positiver Temperaturkoeffizient bei Metallschichtwiderständen
hoher negativer Temperaturkoeffizient bei Kohlesichtwiderständen (5 Punkte)

b) Angaben: U 20 C; 160 C; RU 330 ; 40 ppm / K


R RU 1 U 331,85
R RU 1,85 ; 0,56% Änderung (4 Punkte)

c) Ja, durch Reihenschaltung R RMetall RKohle


R RM0 1 M RK0 1 K
Linearer Zusammenhang, 2 Geraden
R0 RM0 RK0
RM0 M RK0 K RM0 K
1 1 0
RM0 RK0 RK0 M

Anmerkung: Bei der Parallelschaltung RM RK ist die Kompensation nur für 2 Punkte
möglich (Nichtlinearer Zusammenhang). (3 Punkte)

d) Angaben: U 70 C; PV 5 W; RTH 40 K / W
U
PV PV RTH U 270 °C (4 Punkte)
RTH

e) Kondensatoren haben i. A. einen niedrigeren Verlustfaktor.


Für Spulen ist mehr Material erforderlich (Kupfer, Kernmaterial) (2 Punkte)

f) Spulen benötigt man in der Hochfrequenztechnik in Schwingkreisen und Drosseln.


In der Leistungselektronik wird die stromglättende Wirkung von Spulen (Drosseln)
genutzt. (2 Punkte)

1 Fortsetzung
Datum: Studienfach:
2017 Elektrotechnik

Typ Klausur:
Übungsklausur EUEA

Prüfer: Studiengang:
Winfried Tiedge Bachelor Elektro- und Informationstechnik
Musterlösungen
2. Aufgabe: Diode und MOS-FET (20 Punkte)

a) Spannungsverdoppler mit Dioden

i.

Abb. A2.1 Kennlinie einer idealisierten Diode (2 Punkte)

ii. Die Ausgangsspannung ist nach der Einschwingzeit konstant und doppelt so groß wie die
einer Einweg-Gleichrichterschaltung u2 t 2 u1 U F 18 V . (3 Punkte)

iii. Das Ergebnis ist unabhängig von der Kurvenform (2 Punkte)

b) Gleichrichter mit P-Kanal-MOS-FET

i.

Abb. A2.2 Signale am Gleichrichter mit P-Kanal-MOS-FET (5 Punkte)

ii.

Abb. A2.3 Ausgangskennlinie eines P-Kanal-MOS-FET (4 Punkte)

iii. Gegen Ende der Ladephase sinkt UDS unter die Abschnürspannung. Der MOS-FET
verhält sich wie ein Widerstand. Unter Vernachlässigung von Leckströmen kann UDS
beliebig klein werden. (4 Punkte)

2 Fortsetzung
Datum: Studienfach:
2017 Elektrotechnik

Typ Klausur:
Übungsklausur EUEA

Prüfer: Studiengang:
Winfried Tiedge Bachelor Elektro- und Informationstechnik
Musterlösungen
3. Aufgabe: Emitterschaltung (20 Punkte)

Angaben: U B 10 V; I BA 50 A; B 400; U BEA 0,7 V; U CEA 5V

a) Die Koppelkondensatoren dienen der Gleichspannungsentkopplung der Verstärkerstufe


von weiteren Schaltungsteilen und stellen die Lage des Arbeitspunktes sicher. Ein
Gleichanteil in der Wechselspannung wird entfernt. (2 Punkte)

b) Mit R1 wird im Wesentlichen der Basisstrom festgelegt; I R1 I R2 I BA


Da der Strom durch R2 wesentlich größer als der Basisstrom sein soll, wird die
Eingangsspannung UBE von thermischen Einflüssen auf den Transistor entkoppelt. Der
Arbeitspunkt wird stabilisiert. (3 Punkte)

U B U BEA U BEA
c) R1 16,9 k R2 1, 4 k (5 Punkte)
11 I BA 10 I BA

d) I CA B I BA 20 mA (2 Punkte)

e)

Abb. A3 Transistorkennlinie mit Arbeitspunkt


(8 Punkte)

3 Fortsetzung
Datum: Studienfach:
2017 Elektrotechnik

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Übungsklausur EUEA

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Winfried Tiedge Bachelor Elektro- und Informationstechnik
Musterlösungen
4. Aufgabe: Gatter und Register (20 Punkte)

a) UND-Gatter

i.

Abb. A4.1 UND-Gatter (3 Punkte)

ii.

Abb. A4.2 UND-Schaltung = NAND + INVERTER (5 Punkte)

iii. Die Transistoren in den grauen Kreisen in Abb. A4.2 sind durchgeschaltet. (3 Punkte)

4 Fortsetzung
Datum: Studienfach:
2017 Elektrotechnik

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Übungsklausur EUEA

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Winfried Tiedge Bachelor Elektro- und Informationstechnik
Musterlösungen
b) Binärzähler

i. 16 Kombinationen werden durchlaufen: 0 15 (1 Punkt)

ii.

Abb. A4.3 Binärzähler 0 bis 13 (4 Punkte)

iii. Ein am Ausgang negiertes UND-Gatter (NAND) mit 3 Eingängen genügt, da die
Zählerstände 14 und 15 das Rücksetzen auslösen dürfen (2 Punkte)

iv. Asynchrone Zähler sind einfacher aufgebaut als synchrone Zähler. Sie haben große
Verzögerungszeiten und undefinierte Übergangszustände (2 Punkte)

5 Fortsetzung
Datum: Studienfach:
2017 Elektrotechnik

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Übungsklausur EUEA

Prüfer: Studiengang:
Winfried Tiedge Bachelor Elektro- und Informationstechnik
Musterlösungen
5. Aufgabe: AD und DA-Umsetzer (20 Punkte)

a) DA-Umsetzungsverfahren
Parallelverfahren schnell, garantiert monoton
Wägeverfahren geringer Aufwand, Glitches möglich
Zählverfahren sehr geringer Aufwand, langsam
(3 Punkte)

b) Der Komparator Ausgang liefert den logischen Wert '1', da UIN am '+' -Eingang liegt.
(1 Punkt)

c) Wertebereich = 16 = 10000bin => X = 16 2,5 V / 5 V = 8 = 1000bin (1 Punkt)

d) AD-Umsetzer mit sukzessiver Approximation

i.

Abb. A5 AD-Umsetzung mit sukzessiver Approximation (9 Punkte)

ii. Bei einem 4bit-Wandler wird das Ergebnis nach 4 Schritten erreicht. (2 Punkte)

iii. U REF 4 5 V 0,5 V 0, 25 V 0,125 V 0,0625 V 2,8125 V


Anmerkung: UREF und das über die Bitfolge gewonnene Wandlungsergebnis UBF können
sich um einen Bitwert unterscheiden. Hier sind sie gleich.
U BF 5 V 1 0,5 V + 0 0, 25 V + 0 0,125 V + 1 0,0625 V 2,8125 V (4 Punkte)

6 Fortsetzung
Datum: Studienfach:
2017 Elektrotechnik

Typ Klausur:
Übungsklausur EUEA

Prüfer: Studiengang:
Winfried Tiedge Bachelor Elektro- und Informationstechnik
Musterlösungen

6. Zusatzaufgabe (20 Punkte)

a) Bipolartransistor: Die Steuerelektrode geht in eine Halbleiterzwischenschicht (Basis).


MOS-FET: Unter der Steuerelektrode liegt eine Isolierschicht (Gateoxid). (2 Punkte)

b) Bipolartransistor: Die Steuerung erfolgt über den Basisstrom.


MOS-FET: Die Steuerung erfolgt über die Gatespannung und das elektrische Feld im
Gateoxid. (2 Punkte)

c) 1. Vermeidung der Berührung der Eingangskontakte


2. Niederohmige Erdung des verwendeten Lötwerkzeuges
3. Verbindung aller Eingänge mit dem Masseeingang des Schaltkreises durch leitende
hochohmige Verpackungsmaterialien.
4. Beschaltung ungenutzter Eingänge im Betrieb
5. Berührungsschutz der Eingänge (4 Punkte)

d) Zuschalten der 1. Masseverbindung


2. Betriebsspannung
3. Eingangssignale
Vermeidung des gleichzeitigen Durchschaltens der Gegentakttransistoren und des Latch-
up Effektes. (5 Punkte)

e) EEPROM
Zellen vom Anwender einzeln programmierbar
Wenig Pins bei seriellem Interface
Relativ teuer, beschränkte Anzahl von Schreibzyklen
FLASH
Im System nur mit höherem Aufwand beschreibbar, schneller Lesevorgang, hohe
Kapazität, kostengünstig
Schreiben nur im Block-Modus (4 Punkte)

f) DRAMs sind flüchtige Speicher. Sie verlieren ihren Inhalt bei fehlender
Versorgungsspannung (1 Punkt)

g) DRAM-Adressierung: Übertragung der Adresse in zwei Teilen (Reihe und Spalte - RAS,
CAS) im Zeitmultiplex (2 Punkte)