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Studienf ach:

Datum
Einführung in die
2018
Elektrotechnik und Elektronik
Typ Klausur:
Übungsklausur EUE A

Prüfer: Studiengang:
Michael Greiner Bachelor Chemische Verfahrenstechnik,
Elektro- und Informationstechnik, Energiever-
fahrenstechnik, Fahrzeugtechnik,
Maschinenbau (-Informatik), Mechatronik,
Wirtschaftsingenieurwesen Logistik inkl.
Kurzstudiengang

Prüfungsdauer: 120 Minuten

Erlaubte Hilfsmittel: bezogene Studienhefte (GEM07a, EUE05), Standardtaschen-


rechner inkl. komplexer Arithmetik, Formelsammlung

Musterlösungen

1. Aufgabe: (20 Punkte)

Für die Bearbeitung der Aufgabe wird die Kennlinie einer Siliziumdiode durch
einen geknickt gradlinigen Verlauf approximiert. Dabei soll die Flussspannung
der Dioden D bei 0,75 V liegen. Der differenzielle Widerstand ist zu vernachlässigen.

a) Teilaufgabe (5 Punkte)

Skizzieren Sie die Kennlinie der Dioden unter Angabe wesentlicher Werte.

Die Dioden werden in die skizzierte Schaltung eingebaut:

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Einführung in die
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Elektrotechnik und Elektronik
Typ Klausur:
Übungsklausur EUE A

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Lösung:

b) Teilaufgabe (5 Punkte)

Skizzieren Sie den zeitlichen Verlauf der Ausgangsspannung UA für den


Fall, dass es sich bei der Eingangsspannung UE um eine Spannung mit
folgendem zeitlichen Verlauf handelt.

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Lösung:

c) Teilaufgabe (10 Punkte)

Berechnen Sie den arithmetischen Mittelwert und den Effektivwert der Ausgangsspannung
UA.

Lösung:

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2. Aufgabe: (15 Punkte)

a) Teilaufgabe (5 Punkte)

Skizzieren Sie die Temperaturabhängigkeit des Widerstandswertes eines


Kalt- und eines Heißleiters und erläutern Sie kurz die Unterschiede.

Lösung:

Ein Heißleiter ist ein temperaturabhängiger Widerstand welcher zu der Gruppe


der Thermistoren zählt. Er weist als wesentliche Eigenschaft einen negativen
Temperaturkoeffizienten auf und leitet bei hohen Temperaturen den elektrischen
Strom besser als bei tiefen Temperaturen.
Ein Kaltleiter ist ein temperaturabhängiger Widerstand welcher zu der Gruppe
der Thermistoren zählt. Er weist als wesentliche Eigenschaft einen positiven
Temperaturkoeffizienten auf und leitet bei tiefen Temperaturen den elektrischen
Strom besser als bei hohen Temperaturen.

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b) Teilaufgabe (10 Punkte)

Der Widerstandswert eines Pt-500-Messfühler wird durch eine Strom-Spannungs-


Messung mit 1200 ermittelt. Bestimmen Sie unter Berücksichtigung des
linearen Temperaturkoeffizienten = 3, 908 · 10 3K 1 und des quadratischen
Koeffizienten = 0, 580 · 10 6K 2 die Temperatur des Messfühlers.

Lösung:

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3. Aufgabe: (20 Punkte)

Gegeben ist ein Transistorverstärker mit Basisspannungsteiler entsprechend


der nachfolgenden Abbildung. Im interessierenden Frequenzbereich können
die Kondensatoren als Kurzschlüsse betrachtet werden.

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a) Teilaufgabe (6 Punkte)

Ermitteln Sie die Widerstände R1 und R2 so, dass der Spannungsteilerquerstrom


IQ den zehnfachen Wert des Basisstroms besitzt.

Lösung:

b) Teilaufgabe (6 Punkte)

Berechnen Sie den Kollektorstrom und den Kollektorwiderstand.

Lösung:

c) Teilaufgabe (8 Punkte)

Ermitteln Sie mithilfe der h-Parameter die Strom- und Spannungsverstärkung


vi und vu des Transistors für Kleinsignalwechselspannungen.

Lösung:

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4. Aufgabe: (20 Punkte)

a) Teilaufgabe (10 Punkte)

Zeichnen Sie den Arbeitspunkt des Transistors in das Ausgangskennlinienfeld ein.

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Lösung:

b) Teilaufgabe (5 Punkte)

Bestimmen Sie den Wert des Basisstromes.

Lösung:

Trägt man die gegebenen Werte im AP des Transistors in das Ausgangskennlinienfeld,


erhält man einen Wert von für den Basisstrom.
Für die Basis-Emitterspannung wählt man einen Wert von 0,7 V

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c) Teilaufgabe (5 Punkte)

Berechnen Sie den Wert für den Widerstand R1.

Hinweis: Nehmen Sie eine sinnvolle Abschätzung für UBE vor.

Lösung:

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5. Aufgabe: (25 Punkte)

Charakterisieren Sie das Speichervermögen, die Organisationsform und den


Adressraum eines 2k x 8 Bit EPROM Speicherschaltkreises.

a) Teilaufgabe (5 Punkte)

Erläutern Sie stichpunktartig die Merkmale eines EPROM-Speicherbausteins.

Lösung:

EPROM-Speicher:

Speicherzelle besteht aus einem FAMOS-Feldeffekttransistor


vom Anwender lösch- und programmierbar
Löschbar mittels UV-Licht (Quarzglasfenster)
für kleine Stückzahlen und Testanwendungen

b) Teilaufgabe (5 Punkte)

Welche Anzahl von Adress- und Datenleitungen besitzt dieser Schaltkreis?

Lösung:

2k x 8 Bit
Speicherkapazität: 2k x 8Bit = 2kByte oder 16kbit
Adressraum: 2k Adressen
11 Adressleitungen A0..A10, 5 Zeilen-, 6 Spaltenleitungen
8 Datenleitungen D0..D7

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c) Teilaufgabe (5 Punkte)

Welche Steuersignale besitzt dieser EPROM-Baustein? Charakterisieren


Sie diese kurz.

Lösung:

UB, GND Betriebsspannungsanschlüsse


CS Chip Select Schaltkreisaktivierungseingang
CE Output Enable Tri-State-Steuereingang der Datenausgänge
Vpp Programmiespannung

d) Teilaufgabe (10 Punkte)

Wie lassen sich Halbleiterspeicher der oben angegebenen Kapazität so


kombinieren, dass Gesamtspeicher der Größe 2kx16 entsteht?

Lösung:

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