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2017 Elektrotechnik
Typ Klausur:
Übungsklausur EUEA
Prüfer: Studiengang:
Winfried Tiedge Bachelor Elektro- und Informationstechnik
f) Bei welchen Anwendungen ist der Einsatz von Spulen sinnvoll? (2 Punkte)
1
Datum: Studienfach:
2017 Elektrotechnik
Typ Klausur:
Übungsklausur EUEA
Prüfer: Studiengang:
Winfried Tiedge Bachelor Elektro- und Informationstechnik
Abb. 2.1
i. Zeichnen Sie die Kennlinie der idealisierten Diode in ein ID = (UD) Diagramm und
markieren Sie UF. (2 Punkte)
ii. Welchen Wert hat die Ausgangsspannung u2(t) im eingeschwungenen Zustand für
t (3 Punkte)
iii. Ändert sich die Ausgangsspannung u2(t) im eingeschwungenen Zustand, falls statt eines
Sinussignals ein Dreiecksignal mit gleichem Spitzenwert verwendet wird? (2 Punkte)
b) Die Diode D eines Einweggleichrichters wird nach Abb. 2.2 durch einen selbstsperrenden
P-Kanal-MOS-FET ersetzt. Das Gate des Transistors T wird durch die Rechteck-
spannung uST(t) mit dem Aussteuerbereich uSTmax - uSTmin = 10 V angesteuert. Die
Frequenzen der Steuerspannung uST(t) und der gleichzurichtenden Spannung u1(t) sind
gleich.
i. Skizzieren Sie in einem Diagramm mit der Zeitachse t den Verlauf von uST(t), u1(t) und
u2(t) für eine Periode. Tragen Sie den Ein- und Ausschaltpunkt des FET für optimale
Gleichrichtung ein. (5 Punkte)
ii. Skizzieren Sie die Ausgangskennlinie ID(UDS) des P-Kanal MOS-FET für die im leitenden
Zustand anliegende Gatespannung UGS. Tragen Sie den Wert von UGS und mindestens
einen ungefähren Zahlenwert auf jeder Achse ein. (4 Punkte)
2
Datum: Studienfach:
2017 Elektrotechnik
Typ Klausur:
Übungsklausur EUEA
Prüfer: Studiengang:
Winfried Tiedge Bachelor Elektro- und Informationstechnik
Betriebsspannung UB = 10 V
Basisstrom im Arbeitspunkt IBA = 50 A
Gleichstromverstärkung B = 400
Basis-Emitterspannung im Arbeitspunkt UBEA = 0,7V
Kollektor-Emitterspannung im Arbeitspunkt UCEA = 5 V
c) Berechnen Sie die Widerstände R1 und R2 so, dass der Strom durch R2 den 10-fachen
Wert des Basisstroms IBA annimmt. (5 Punkte)
e) Zeichnen Sie das Kennlinienfeld IC = (UCE) (1. Quadrant) mit den angegebenen und
berechneten Zahlenwerten und tragen Sie die Widerstandsgerade von RC zur Darstellung
der möglichen Arbeitspunkte ein. (8 Punkte)
3
Datum: Studienfach:
2017 Elektrotechnik
Typ Klausur:
Übungsklausur EUEA
Prüfer: Studiengang:
Winfried Tiedge Bachelor Elektro- und Informationstechnik
a)
A &
i. Geben Sie für das UND-Gatter aus Abb. 4.1 in einer Tabelle mit den Spalten A, B, Y alle
Eingangs
Ausgangswert Y. (3 Punkte)
ii. Skizzieren Sie das CMOS Transistorschaltbild eines UND-Gatters mit zwei Eingängen.
Hierfür ist ein Basisgattertyp plus nachgeschaltetem Inverter vorzusehen. (5 Punkte)
iii. Beide Eingänge des CMOS Gatters liegen nun auf 0 V (GND). Markieren Sie alle
Transistoren die durchgeschaltet sind mit einem Kreis. (3 Punkte)
Abb. 4.2
ii. Verknüpfen Sie in einer Skizze die Ausgänge über Logikgatter (UND, ODER,
INVERTER) mit dem CLR Eingang so, dass der Zähler von 0 bis 13 zählt und bei 14
sofort zurücksetzt. (4 Punkte)
iv. Als 4bit Binärzähler kann ein asynchron oder synchron arbeitender Zähler verwendet
werden. Welche Zählerform ist einfacher im Aufbau und welchen Nachteil hat diese
Variante? (2 Punkte)
4
Datum: Studienfach:
2017 Elektrotechnik
Typ Klausur:
Übungsklausur EUEA
Prüfer: Studiengang:
Winfried Tiedge Bachelor Elektro- und Informationstechnik
Abb. 5 AD-Umsetzer
Welchen logischen Wert [0, 1] hat der Ausgang des Komparators K in Abb. 5, wenn die
Spannung UREF kleiner als die Eingangsspannung UIN ist? (1 Punkt)
c) Welcher binäre Wert liegt am Eingang des DA-Umsetzer in Abb. 5 bei UREF = 2,5 V?
(1 Punkt)
d) In Abb. 5 steht der DA-Umsetzer am Ausgang auf 5 V. Versuchen Sie den binären Wert
der konstanten Eingangsspannung UIN = 3 V zu ermitteln, indem Sie vor jeder
Auswertung des Wertes am Eingang X1 die Spannung am DA-Umsetzer um die Hälfte
des vorherigen Wertes ändern.
ii. Nach wieviel Schritten n wird die Eingangsspannung mit 4-bit Auflösung ermittelt?
(2 Punkte)
5
Datum: Studienfach:
2017 Elektrotechnik
Typ Klausur:
Übungsklausur EUEA
Prüfer: Studiengang:
Winfried Tiedge Bachelor Elektro- und Informationstechnik
c) Benennen Sie mindestens drei Schutzmaßnahmen für den Umgang mit CMOS-
Schaltungen und CMOS-Transistoren. (4 Punkte)
f) Ist ein DRAM ein flüchtiger oder ein nichtflüchtiger Speicher? (1 Punkt)