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Datum: Studienfach:

2017 Elektrotechnik

Typ Klausur:
Übungsklausur EUEA

Prüfer: Studiengang:
Winfried Tiedge Bachelor Elektro- und Informationstechnik

Prüfungsdauer: 120 Minuten


Gesamtpunktzahl: 100 Punkte
Erlaubte Hilfsmittel: bezogene Studienhefte EUE05, GEM07A;
handschriftliche und /oder gedruckte Formelsammlungen
(sie dürfen keine gerechneten Aufgaben enthalten);
wissenschaftlicher Taschenrechner
(es gibt keine Einschränkung bzgl. der Funktionalitäten)

1. Aufgabe: Widerstand, Kondensator, Spule (20 Punkte)

a) Nennen Sie mindestens vier Eigenschaften von Schichtwiderständen und gegebenenfalls


das dafür notwendige Widerstandsmaterial. (5 Punkte)

b) Ein Drahtwiderstand mit RU = 33 U = 20°C erhitzt sich im Betrieb auf die


Temperatur = 16
ändert sich sein Wert? (4 Punkte)

c) Sie haben einen Vorrat an Metallschichtwiderständen mit einem positiven Temperatur-


koeffizienten M von 30 ppm/K und von Kohleschichtwiderständen mit einem negativen
Temperaturkoeffizienten K von -700 ppm/K. Können Sie damit temperaturunabhängige
Widerstandswerte erzeugen? Erklären Sie wie. (3 Punkte)

d) Ein Drahtwiderstand verträgt bei der Umgebungstemperatur U = 70°C die Verlust-


leistung PV = 5 W. Sein thermischer Widerstand wird vom Hersteller angegeben mit
RTH = 40 K/W. Berechnen Sie die Oberflächentemperatur des Widerstandes für die
angegebenen Werte. (4 Punkte)

e) Was spricht dafür, Kapazitäten anstatt Spulen zur Energiespeicherung einzusetzen?


(2 Punkte)

f) Bei welchen Anwendungen ist der Einsatz von Spulen sinnvoll? (2 Punkte)

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2017 Elektrotechnik

Typ Klausur:
Übungsklausur EUEA

Prüfer: Studiengang:
Winfried Tiedge Bachelor Elektro- und Informationstechnik

2. Aufgabe: Diode und MOS-FET (20 Punkte)

a) In Abb. 2.1 speist die sinusförmige Spannung u1(t) zwei


Einweggleichrichter mit identischen Kennwerten. Der
differentielle Widerstand im Durchlassbereich und der
Sperrstrom der Dioden werden vernachlässigt (rD = 0,
IS = 0). Die konstante Flussspannung UF der Dioden
beträgt 1 V und der Spitzenwert der Sinusspannung
1 = 10 V.

Abb. 2.1

i. Zeichnen Sie die Kennlinie der idealisierten Diode in ein ID = (UD) Diagramm und
markieren Sie UF. (2 Punkte)

ii. Welchen Wert hat die Ausgangsspannung u2(t) im eingeschwungenen Zustand für
t (3 Punkte)

iii. Ändert sich die Ausgangsspannung u2(t) im eingeschwungenen Zustand, falls statt eines
Sinussignals ein Dreiecksignal mit gleichem Spitzenwert verwendet wird? (2 Punkte)

b) Die Diode D eines Einweggleichrichters wird nach Abb. 2.2 durch einen selbstsperrenden
P-Kanal-MOS-FET ersetzt. Das Gate des Transistors T wird durch die Rechteck-
spannung uST(t) mit dem Aussteuerbereich uSTmax - uSTmin = 10 V angesteuert. Die
Frequenzen der Steuerspannung uST(t) und der gleichzurichtenden Spannung u1(t) sind
gleich.

Abb. 2.2 Gleichrichter mit P-Kanal-MOS-FET

i. Skizzieren Sie in einem Diagramm mit der Zeitachse t den Verlauf von uST(t), u1(t) und
u2(t) für eine Periode. Tragen Sie den Ein- und Ausschaltpunkt des FET für optimale
Gleichrichtung ein. (5 Punkte)

ii. Skizzieren Sie die Ausgangskennlinie ID(UDS) des P-Kanal MOS-FET für die im leitenden
Zustand anliegende Gatespannung UGS. Tragen Sie den Wert von UGS und mindestens
einen ungefähren Zahlenwert auf jeder Achse ein. (4 Punkte)

iii. Begründen Sie, ob im eingeschwungenen Zustand für t


u2(t) über der Ausgangsspannung eines Einweggleichrichters mit Dioden liegen kann.
(4 Punkte)

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3. Aufgabe: Emitterschaltung (20 Punkte)

Abb. 3 Transistorverstärker in Emitterschaltung

Die Schaltung wird mit den folgenden Einstellungen betrieben

Betriebsspannung UB = 10 V
Basisstrom im Arbeitspunkt IBA = 50 A
Gleichstromverstärkung B = 400
Basis-Emitterspannung im Arbeitspunkt UBEA = 0,7V
Kollektor-Emitterspannung im Arbeitspunkt UCEA = 5 V

a) Welche Funktion haben die Koppelkondensatoren C1 und C2? (2 Punkte)

b) Welche Funktionen haben die Widerstände R1 und R2? (3 Punkte)

c) Berechnen Sie die Widerstände R1 und R2 so, dass der Strom durch R2 den 10-fachen
Wert des Basisstroms IBA annimmt. (5 Punkte)

d) Berechnen Sie den Kollektorstrom ICA im Arbeitspunkt. (2 Punkte)

e) Zeichnen Sie das Kennlinienfeld IC = (UCE) (1. Quadrant) mit den angegebenen und
berechneten Zahlenwerten und tragen Sie die Widerstandsgerade von RC zur Darstellung
der möglichen Arbeitspunkte ein. (8 Punkte)

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4. Aufgabe: Gatter und Register (20 Punkte)

a)
A &

Abb. 4.1 UND-Gatter

i. Geben Sie für das UND-Gatter aus Abb. 4.1 in einer Tabelle mit den Spalten A, B, Y alle
Eingangs
Ausgangswert Y. (3 Punkte)

ii. Skizzieren Sie das CMOS Transistorschaltbild eines UND-Gatters mit zwei Eingängen.
Hierfür ist ein Basisgattertyp plus nachgeschaltetem Inverter vorzusehen. (5 Punkte)

iii. Beide Eingänge des CMOS Gatters liegen nun auf 0 V (GND). Markieren Sie alle
Transistoren die durchgeschaltet sind mit einem Kreis. (3 Punkte)

b) Abb. 4.2 zeigt einen einfachen 4bit-Binärzähler mit einem aktiv-


LOW Rücksetzeingang. Q0 ist das niederwerdigste Bit.

Abb. 4.2

i. Wie viele Ausgangskombinationen kann der Zähler durchlaufen? (1 Punkt)

ii. Verknüpfen Sie in einer Skizze die Ausgänge über Logikgatter (UND, ODER,
INVERTER) mit dem CLR Eingang so, dass der Zähler von 0 bis 13 zählt und bei 14
sofort zurücksetzt. (4 Punkte)

iii. Müssen Sie alle Ausgänge verwenden? (2 Punkte)

iv. Als 4bit Binärzähler kann ein asynchron oder synchron arbeitender Zähler verwendet
werden. Welche Zählerform ist einfacher im Aufbau und welchen Nachteil hat diese
Variante? (2 Punkte)

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5. Aufgabe: AD und DA-Umsetzer (20 Punkte)

a) Nennen Sie mindestens zwei DA-Umsetzungsverfahren mit je einer charakteristischen


Eigenschaft. (3 Punkte)

b) Abb. 5 zeigt den Mikrokontroller C mit enthaltenem 4-bit Digital-Analog-Umsetzer DA


und einem externen Komparator K mit digitalem Ausgang. Der Ausgang des Kompa-
rators ist mit dem digitalen Eingang X1 des C verbunden und der Ausgang AO des DA
Umsetzers mit dem Referenzeingang des Komparators. Der DA-Umsetzer hat einen
Ausgangsspannungsbereich von 0 V bis 5 V bei 0000bin bis 1111bin am Eingang E.

Abb. 5 AD-Umsetzer

Welchen logischen Wert [0, 1] hat der Ausgang des Komparators K in Abb. 5, wenn die
Spannung UREF kleiner als die Eingangsspannung UIN ist? (1 Punkt)

c) Welcher binäre Wert liegt am Eingang des DA-Umsetzer in Abb. 5 bei UREF = 2,5 V?
(1 Punkt)

d) In Abb. 5 steht der DA-Umsetzer am Ausgang auf 5 V. Versuchen Sie den binären Wert
der konstanten Eingangsspannung UIN = 3 V zu ermitteln, indem Sie vor jeder
Auswertung des Wertes am Eingang X1 die Spannung am DA-Umsetzer um die Hälfte
des vorherigen Wertes ändern.

i. Skizzieren Sie in einem UREF(tk)-Diagramm für jeden Auswertepunkt tk


Spannung UREF und den logischen Wert am Ausgang X1 des Komparators. Tragen Sie
UIN als waagerechte Linie ein. (9 Punkte)

ii. Nach wieviel Schritten n wird die Eingangsspannung mit 4-bit Auflösung ermittelt?
(2 Punkte)

iii. Welchen Wert hat UREF am Ende der Umsetzung? (4 Punkte)

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6. Zusatzaufgabe (20 Punkte)

a) Nennen Sie einen wesentlichen Unterschied im physikalischen Aufbau von bipolar


Transistoren und MOS-FETs. (2 Punkte)

b) Nennen Sie einen wesentlichen Unterschied im elektrischen Verhalten von bipolar


Transistoren und MOS-FETs. (2 Punkte)

c) Benennen Sie mindestens drei Schutzmaßnahmen für den Umgang mit CMOS-
Schaltungen und CMOS-Transistoren. (4 Punkte)

d) In welcher Reihenfolge sind Masse, Ein-/Ausgänge und Versorgungsspannung von


CMOS-Bauteilen anzuschließen? Begründen Sie Ihre Aussage. (5 Punkte)

e) Charakterisieren Sie die Unterschiede zwischen EEPROM und Flash-Speicher.


(4 Punkte)

f) Ist ein DRAM ein flüchtiger oder ein nichtflüchtiger Speicher? (1 Punkt)

g) Durch welche Maßnahme können Adressleitungen an DRAMs eingespart werden?


(2 Punkte)