3D-Integration in Der Leistungselektronik

3D-Integration in der Leistungselektronik
Der Technischen Fakultät der

Universität Erlangen-Nürnberg
zur Erlangung des Grades
DOKTOR – INGENIEUR
vorgelegt von
Stephan Schuh
Erlangen – 2008
Als Dissertation genehmigt von
der Technischen Fakultät der
Universität Erlangen-Nürnberg
Tag der Einreichung: 22. November 2007

Tag der Promotion: 7. April 2008
Dekan: Prof. Dr.-Ing. Dr.-Ing. habil. J. Huber
Berichterstatter: Prof. Dr.-Ing. M. Albach
Prof. Dr.-Ing. Dr.-Ing. habil. R. Weigel
Kurzfassung
Kurzfassung
Im Bereich leistungselektronischer Schaltungen spielt die Miniaturisierung der Bauteile heute

und in Zukunft eine zunehmend wichtigere Rolle. Die Multilayer-Technologie mit dem
Konzept der embedded passives ist in diesem Zusammenhang für zukünftige
Serienproduktionen geeignet. Aktive und passive Komponenten werden dabei in
unterschiedlichen Schichten einer Leiterplatte realisiert. Für diese Technologie müssen dem
Entwickler neben der eigentlichen Prozesstechnologie auch Dimensionierungsformeln für die
einzelnen Bauteile im Vorfeld zur Verfügung stehen. Integrierte Kapazitäten und Widerstände
lassen sich weitgehend mit den zur Bestimmung von diskreten Bauteilen bekannten Formeln
berechnen. Aber bedingt durch die spiralförmigen Leiterbahnen und den geschichteten
Aufbau mit permeablen Materialien bei induktiven, integrierten Komponenten können hier
die Berechnungsformeln der diskreten induktiven Bauteile nicht übernommen werden.
Die Arbeit befasst sich deshalb hauptsächlich mit der Bestimmung der magnetischen
Feldverteilung innerhalb eines Multilayers, aus der die Berechnungsformeln für induktive
Bauelemente abgeleitet werden können. Insgesamt werden dazu drei Lösungsansätze
vorgestellt.
Im ersten Ansatz wird das Problem mithilfe der Methode der Spiegelströme untersucht. Dabei
ist die Untersuchung auf einfache Geometrien mit rein permeablen Schichten begrenzt, da der
Einfluss komplizierter aufgebauter Anordnungen oder die Berücksichtigung leitfähiger
Materialien nicht mehr graphisch übersichtlich dargestellt werden kann.
Die zweite Methode nutzt die Lösung eines Randwertproblems. Mit der Kenntnis des
magnetischen Vektorpotentials im gesamten Raum lassen sich die gesuchten Bauteilgrößen
bestimmen. Die Resultate selbst liefern auch Anhaltspunkte und grundsätzliche Vorschriften
für das Design der Bauteile. Gleichzeitig folgen aus den Ergebnissen des Randwertproblems
auch Aussagen über die Schirmwirkung der integrierten permeablen oder leitfähigen
Schichten.
Sowohl beim Randwertproblem, als auch bei der Methode der Spiegelströme wird darauf
geachtet, Vereinfachungen und Vernachlässigungen erst so spät wie möglich vorzunehmen,
um eine hohe Genauigkeit der Ergebnisse zu erreichen. Für das Design der Bauteile ist
gleichzeitig die Möglichkeit von Parameterstudien nach Material- und Geometriegrößen von
großem Vorteil.
Die beiden analytischen Methoden werden durch eine Lösung mittels eines Finite Elemente
Verfahrens ergänzt. Damit können komplizierte Aufbauten aus mehreren übereinander
geschichteten, unterschiedlichen Materialien einfacher untersucht werden. Aus diesen
Ergebnissen lassen sich abschließend einige grundlegende Erkenntnisse für die Optimierung
induktiver Komponenten ableiten.
Kurzfassung
Mithilfe der analytischen Feldberechnungen wird eine neue Bestimmungsmethode vorgestellt,

mit der die Permeabilität von weichmagnetischen planaren Werkstoffen bestimmt werden
kann. Dabei werden Ergebnisse der Berechnungen mit Messwerten verglichen, wodurch ein
Rückschluss auf die Permeabilität des Materials möglich ist. Das Material selbst wird dabei in
der vorliegenden planaren Struktur vermessen.
Die Ergebnisse der Feldberechnungen innerhalb des Multilayers liefern Berechnungsformeln
zu den verschiedenen passiven Komponenten. Sie werden durch Informationen zum Aufbau,
der Herstellung der einzelnen Bauteile und den zur Verfügung stehenden Materialien ergänzt.
Für die induktiven Bauelemente sind verschiedene Simulations- und Messergebnisse
aufgeführt.
Das Konzept eines Konverters mit integrierten Widerständen, Kapazitäten und Induktivitäten
vermittelt einen ersten Eindruck für die Einsatzmöglichkeiten der Technologie und ihren
Marktchancen. Durch den kompakten und robusten Aufbau ist im Automobilsektor und im
Bereich der Unterhaltungselektronik der größte Einsatzbereich zu erwarten.
Abschließend werden weitere Entwicklungsmöglichkeiten, Verbesserungen der bestehenden
Technologie und Einsatzgebiete behandelt.
Abstract
Abstract
In the field of power electronic circuits the miniaturization of construction units plays an
increasingly important role today and even more so in the future. In this context multilayer
technology with the concept of embedded passives is suitable for future series productions.
Active and passive components will thereby be implemented in different layers of a printed
circuit board (PCB). For this technology, the actual process technology must be available to
the developer in advance, as well as equations for dimensioning and calculations for separate
construction units. Integrated capacitors and resistors can be calculated widely with known
formulae for the determination of discrete construction units. The calculation formulae of the
discrete inductive devices can – due to the spiral circuit path and the layered construction with
permeable materials with inductive, integrated components – not be transferred.
Therefore, work in this field is primarily concerned with the determination of the magnetic
field distribution within a multilayer, from which the calculation formulae can be derived for
inductive construction elements. Altogether three methods of resolution will be presented for
that purpose.
First of all, the problem is being approached with the help of the mirror current method.
Thereby, examination is limited to simple geometry with purely permeable layers, because the
influence of complicated constructed arrangements or the consideration of conductive
materials cannot be graphically charted in a clear way.
The second method uses the solution of a boundary value problem. Construction unit sizes
searched for can be determined with the knowledge of the magnetic vector potential in the
whole area. The results themselves also supply an informative base and fundamental
specifications for the design of the construction units. Concomitantly, the results of the
boundary value problem are followed by statements about the screening effectiveness of
integrated permeable or conductive layers as well.
In order to achieve highly accurate results, both with the boundary value problem and the
method of the mirror currents, attention will be paid that simplifications and negligence are
carried out as late as possible. Simultaneously, the possibility of parameter studies about
material and geometry sizes is advantageous for the construction units’ design.
Both analytic methods will be supplemented with a solution by using a FEM tool. Hence
complicated constructions made up of several different materials piled up on top of each other
can be more simply examined. Finally, from these results fundamental knowledge for the
optimization of inductive components can be derived.
Using the analytic field computations, a new method will be presented with which the
permeability of soft-magnetic planar materials can be determined. Comparing the results of
computations with measured values, it is possible to reach a conclusion about the permeability
of the material. The material itself is thereby measured in the available planar structure.
Abstract
The results of field computations within multilayers supply calculation formulae with
different passive components. They will be amended by information for setting up the
production of individual construction units and materials. Different simulation and
measurement results are specified for inductive construction elements.
The concept of a converter with integrated resistors, capacitors and inductors conveys an
initial impression of the potential application of the technology and its market opportunities.
The largest application field is expected to be in the automobile sector and in entertainment
electronics, due to its compact and durable structure.
Finally, further development possibilities, improvements of the existing technology and
operational areas are explored.
Vorwort
Vorwort
Die vorliegende Arbeit entstand während meiner Tätigkeit als wissenschaftlicher Assistent am
Lehrstuhl für Elektromagnetische Felder der Friedrich-Alexander-Universität Erlangen-
Nürnberg und im Rahmen eines Verbundprojekts mit der Firma Philips Research (Aachen).
Mein besonderer Dank gilt Herrn Prof. Dr.-Ing. Manfred Albach, der die Anregung zu dieser
Arbeit gab, ihre Entstehung begleitete und in umsichtiger Weise förderte. Herrn Prof. Dr.-Ing.
Dr.-Ing. habil. Robert Weigel danke ich für die unkomplizierte Übernahme des Korreferats.
Für ihre Beteiligung an meiner Promotionsprüfung danke ich ebenfalls Herrn Prof. Dr.-Ing.
Jörn Thielecke und Herrn Prof. Dr.-Ing. Harald Meerkamm. Herrn Prof. Dr.-Ing. Thomas
Dürbaum und allen Mitarbeitern, Freunden und Kollegen des Lehrstuhls für
Elektromagnetische Felder danke ich für die vielfältigen Diskussionen und das angenehme
Arbeitsklima.
Für die vielfache Unterstützung, sowie für die Anregungen zu verschiedenen Publikationen
schulde ich dem Projektleiter des Verbundprojekts, Herrn Dr.-Ing. Eberhard Waffenschmidt
von Philips Research (Aachen) sehr großen Dank. Die weiteren Projektpartner, Frau Eike
Langkabel von Isola (Düren) und Herr Markus Wille von Ruwel (Wetter), haben meine
Fragen ebenfalls stets mit großer Geduld beantwortet und mir den Einstieg mit einer Vielzahl
von Fachinformationen in das Thema ungemein erleichtert.
Ich danke auch besonders „meinen“ Studenten Tobias Burghart, Christian Kägeler, Robert
Koch, Daniel Kübrich, Felix Kugler, Janina Patz, Sabrina Scherret, Sascha Tamada und Felix
Wolf, die im Rahmen von Studien- und Diplomarbeiten meinen Arbeitsalltag am Lehrstuhl
bereichert haben und an der Entstehung dieser Arbeit teilweise beteiligt waren.
Rückblickend schulde ich für die gesamte Korrekturphase Frau Janina Patz und Frau Claudia
Schuh für die jeweils sehr gewissenhafte Arbeit und die daraus entstandene Vielzahl an
hilfreichen Hinweisen sehr großen Dank. Für die kritische Durchsicht der feldtheoretischen
Inhalte möchte ich mich bei Herrn Dr.-Ing. Hans Roßmanith in vielfältiger Weise bedanken,
dessen Fachwissen fast schon beängstigend ist. Herr Daniel Kübrich half mir in seiner sehr
angenehmen Art mit vielen nützlichen Anregungen bei den leistungselektronischen Inhalten.
Raphaela Fischer, Jeannette Konhäuser und Susan Lauchstedt möchte ich für ihren nicht
unerheblichen Beitrag zu meiner Arbeit an dieser Stelle ebenfalls sehr herzlich danken.
Meinen Eltern und meinem gesamten Freundeskreis danke ich für die immerwährende
Unterstützung, auf die ich mich stets uneingeschränkt in allen Situationen verlassen konnte.
Inhaltsverzeichnis
Inhaltsverzeichnis
1 Einleitung 13
2 Multilayer-Technologie mit embedded passives 15

2.1 Integration passiver Komponenten – Motivation 15
2.2 Konzepte der Multilayer-Technologie 17
2.3 Vor- und Nachteile von embedded passives 18
2.4 Umsetzung der Konzepte 20
3 Integrierte resistive Komponenten 23

3.1 Resistive Komponenten – Fertigungsverfahren 23
3.1.1 Widerstände im Siebdruckverfahren mit Karbonpaste 23
3.1.2 Geätzte Widerstände aus Widerstandsfolie 25
3.2 Dimensionierung integrierter Widerstände 26
3.3 Materialien für integrierte resistive Komponenten 28
4 Integrierte kapazitive Komponenten 31

4.1 Kapazitive Komponenten – Fertigungsverfahren 31
4.2 Dimensionierung integrierter Kondensatoren 32
4.3 Spannungsfestigkeit der Kondensatoren 34
4.4 Materialien für integrierte kapazitive Komponenten 34
5 Integrierte induktive Komponenten 37

5.1 Induktive Komponenten – Fertigungsverfahren 37
5.1.1 Geätzte Leiterbahnstrukturen für induktive Elemente 37
5.1.1.1 Planare Spulen 38
5.1.1.2 Planare Transformatoren 40
5.1.2 Magnetische Kerne für planare Komponenten 42
5.2 Dimensionierung induktiver Komponenten 43
5.2.1 Induktivitätswert planarer Spulen 43
5.2.2 Selbst- und Gegeninduktivitäten planarer Transformatoren 48
5.2.3 Ohmscher Widerstand induktiver Komponenten 48
5.3 Bestimmung des magnetischen Vektorpotentials 49
5.3.1 Methode der Spiegelströme 50
5.3.1.1 Übersicht über die Einzelschritte der Herleitung 51
5.3.1.2 Vereinfachte Modellanordnungen des Multilayers 52
5.3.1.3 Erregendes Vektorpotential im gesamten Raum 54
5.3.1.4 Überlagerung von Störpotentialen 55
5.3.1.5 Vektorpotentiale für einen y-gerichteten Linienstrom 57
5.3.1.6 Durchführung des Grenzübergangs 59
5.3.1.7 Bestimmung der Spiegelströme 60
Inhaltsverzeichnis
5.3.1.8 Definition der Spiegelgesetze für einen Dipol 64

5.3.1.9 Anordnung mit zwei permeablen Schichten 66
5.3.1.10 Kreisförmige und rechteckige Windungen 70
5.3.1.11 Bewertung der Methode 73
5.3.2 Randwertproblem – Formulierung und Lösung 74
5.3.2.1 Übersicht über die Einzelschritte der Vorgehensweise 74
5.3.2.2 Multilayer-Modell für die Formulierung 75
5.3.2.3 Feldgleichungen für die einzelnen Teilbereiche 76
5.3.2.4 Lösung der Laplace-Gleichung mit dem Bernoulli-Ansatz 76
5.3.2.5 Lösung der Skingleichung – Produktansatz nach Bernoulli 78
5.3.2.6 Rand- und Grenzbedingungen des Problems 79
5.3.2.7 Auswertung der Rand- und Grenzbedingungen 81
5.3.2.8 Orthogonalentwicklung des Strombelags 83
5.3.2.9 Gesamtlösungen für das Problem 86
5.3.3 Finite-Elemente-Methode 87
5.3.3.1 Theoretische Grundlagen der Methode 87
5.3.3.2 Übersicht über die Implementierung 90
5.3.3.3 Individuelle Bedienoberfläche 92
5.4 Rechen- und Messergebnisse 93
5.4.1 Magnetisches Vektorpotential 94
5.4.2 Eigeninduktivitäten planarer Spulen 98
5.4.3 Gegeninduktivitäten planarer Transformatoren 104
5.5 Schirmwirkung der planaren Schichten 107
5.6 Optimierung des Multilayer-Mehrschichtaufbaus 113
5.7 Materialien für integrierte induktive Komponenten 119
5.7.1 Ferrite Polymer Compounds 119
5.7.2 Permeable Metallfolien 123
5.7.3 Permeabilitätsbestimmung bei lagenförmigen Materialien 125
6 Schaltungsdesign und Demonstrator 129

6.1 Eigenschaften verschiedener Schaltungsdesigns 129
6.1.1 Konventionelle Netzteile mit Längsregler 129
6.1.2 Der Sperrwandler 131
6.1.3 Resonante Konvertertopologien 132
6.2 Demonstrator mit embedded passives 133
7 Einsatzmöglichkeiten der Technologie 137

7.1 Unterhaltungselektronik 137
7.2 Lichttechnik 138
7.3 Automobilelektronik 139
7.4 Solarenergie 140
7.5 Mobile Geräte 141
8 Zusammenfassung und Ausblick 143

Inhaltsverzeichnis
Abbildungsverzeichnis 147
Tabellenverzeichnis 151
Literaturverzeichnis 153
Verzeichnis der verwendeten Symbole und Abkürzungen 161
Anhang A – Methode der Spiegelströme 165

A.1 Überprüfung der Randbedingungen bei Linienströmen 165
A.2 Überprüfung der Randbedingungen bei Dipolerregung 168
A.3 Vektorpotentiale für kreisförmige Leiterschleifen 170
Anhang B – Randwertproblem 175

B.1 Skin- und Laplace-Gleichung – Herleitung 175
B.2 Gewöhnliche Bessel-Funktionen 177
B.3 Einfluss des hochleitfähigen Zylinders 178
B.4 Struve-Funktionen 179
B.5 Konstanten und Abkürzungen für die Potentiale 179
Einleitung 13
1 Einleitung
Im Jahr 1902 erfand der Engländer Peter Cooper-Hewitt eine Art Röhrengleichrichter, der auf
der Basis von Quecksilberdampf arbeitete. Diese Erfindung gilt allgemein als Vorläufer der
Elektronenröhre, die schließlich 1904 vom englischen Physiker John Ambrose Felming
entwickelt wurde. Bereits in den 30er Jahren des vergangenen Jahrhunderts wurde ein Fokus
in der Entwicklung dieser Bauteile auf eine fortwährende Miniaturisierung gelegt, die zu
einem späteren Zeitpunkt zu bereits sehr kleinen, bedrahteten Röhren führte.
Mit diesen Elektronenröhren war es nun auch möglich, elektronische Maschinen zu
entwickeln, die Rechenoperationen durchführen können. Während die ersten drei Maschinen
von Konrad Zuse (Z1 bis Z3) die anstehenden Operationen noch mechanisch mittels Relais’
ausführten, gilt der 1944 in den USA gebaute ENIAC als der erste Computer. Durch den
Einsatz von Röhren erfüllte er das Kriterium „elektronisch“. Für die weiteren Entwicklungen
stand seit diesem Zeitpunkt die Leistungssteigerung bei gleichzeitiger Miniaturisierung im
Vordergrund.
Basierend auf dem grundlegenden Wirkprinzip der Elektronenröhre wurde 1947 der
Transistor als Halbleiterbauelement entwickelt. Bezogen auf den umbauten Raum, konnte der
Transistor plötzlich ein vergleichbar Vielfaches an Rechenoperationen durchführen. Während
die Röhre durch die notwendigen Anodenheizwendeln noch sehr große Verluste in Form von
Wärme produzierte, war es nun auch durch die vergleichsweise niedrigen Verluste des
Transistors möglich, viele einzelne Bauteile auf begrenztem Raum anzuordnen und somit die
Rechenleistung zu erhöhen. 1969 wurde von der Firma Intel der erste Halbleiter präsentiert,
der als erster Schritt für die Hochintegration von Transistoren auf Silizium gilt.
Als Schlüssel zu höherer Leistung gilt in diesem Bereich seither die zunehmende Integration
einer immer größeren Anzahl von Transistoren auf immer weniger Raum. Gordon Moore,
einer der Gründer der Firma Intel, hatte diesen Trend bereits 1965 erkannt. Seine Visionen
wurden später als Mooresche Gesetze formuliert und besagen allgemein, dass sich bei
minimalen Komponentenkosten die Komplexität der integrierten Schaltkreise etwa alle zwei
Jahre verdoppelt. Heute, knapp 40 Jahre später, ist diese Faustformel durch empirische
Beobachtungen weitestgehend gestützt. Die Zeitspanne für eine Verdopplung der Leistung
durch Integration in der Halbleiterindustrie liegt aktuell bei 18 Monaten.
Während sich die eigentliche Funktion der Halbleiterkomponenten seit Beginn nicht verändert
hat, wird der Fortschritt folglich durch Miniaturisierung und Integration erzielt. Aktuell
bewegen sich die gefertigten Strukturen im Bereich von etwa 100 Nanometer. Grenzen
werden hier in Zukunft durch die Atomgrößen der eingesetzten Materialien und die
Fertigungsverfahren gesetzt.
14 Einleitung
Für gewöhnlich besteht eine elektronische Schaltung jedoch nicht nur aus einem Chip mit
einer Vielzahl integrierter Transistoren. Um die beabsichtigte Funktion realisieren zu können,
sind weitere Bauelemente, wie beispielsweise Spulen, Kondensatoren und Widerstände
notwendig. Folglich sind auch für alle weiteren Bauteile bzw. Baugruppen einer Schaltung
Konzepte zur Integration notwendig, um eine zunehmende Miniaturisierung der
Gesamtschaltung bei steigender Funktionalität zu verwirklichen.
Bis zum Ende der 1980er Jahre war bei Serienproduktionen von Schaltungen auf Leiterplatten
die Durchsteckmontage üblich. Jedes Bauteil wird dabei einzeln auf die Leiterplatte gesetzt,
wobei seine Anschlussdrähte durch Bohrlöcher in der Leiterplatte geführt und anschließend
auf der Platinenunterseite verlötet werden. Bereits 1960 begannen die Entwicklungen für eine
Oberflächenmontagetechnik (engl. surface-mounting technology - SMT), bei der die
einzelnen Bauteile mittels lötfähiger Anschlussflächen direkt auf die Leiterplatte gelötet
werden. Durch die fehlende Bedrahtung der Bauteile ist eine wesentlich dichtere Bestückung
möglich. Gleichzeitig lässt sich zusätzlich durch die nicht notwendigen Durchführungen der
Anschlussdrähte zur Unterseite der Platine eine beidseitige Bestückung realisieren.
Die Oberflächenmontagetechnik ist inzwischen der Standardprozess für Serienfertigungen
von leiterplattenbasierten Elektronikschaltungen. Viele Baugruppen, vor allem im
Automobilbereich und im Bereich der Unterhaltungselektronik, wären ohne die durch SMT
erreichte Miniaturisierung inzwischen nicht mehr realisierbar.
Die Miniaturisierung von Schaltungen mittels SMT ist jedoch nicht beliebig fortsetzbar. Auch
bei beidseitiger Bestückung ist der Platz auf der Oberfläche der Leiterplatte, der in Summe für
alle notwendigen Bauteile zur Verfügung stehen muss, begrenzt. Allgemein sind die
Bauteilwerte passiver Komponenten wie Kondensatoren, Induktivitäten und Widerständen
von den eingesetzten Materialien und der Bauteilgeometrie abhängig. Für einzelne
Bauteilklassen kann daher ein Mindestplatzbedarf nicht unterschritten werden.
Ende der 90er Jahre wurden erste Konsortien gegründet, welche als Ziel die Integration von
passiven Bauteilen in Leiterplatten bei Produkten der Telekommunikation haben. Dabei
werden allerdings entscheidende Aspekte der Leistungselektronik wie Verluste, maximale
Energiedichte, Spannungsfestigkeit und Zuverlässigkeit nicht berücksichtigt.
Ähnlich wie bei der Integration einzelner Transistoren zu einem Halbleiter und der
Einführung neuer Produktionsprozesse wie die Oberflächenmontagetechnik, muss folglich
auch bei der Integration passiver Komponenten in der Leistungselektronik über neue
Konzepte nachgedacht werden, um wieder einen signifikanten Fortschritt in der
Miniaturisierung zu erreichen.
Multilayer-Technologie mit embedded passives 15
2 Multilayer-Technologie mit embedded passives
In vielen elektronischen Geräten der Unterhaltungselektronik, Kommunikationstechnik und

Informationstechnik wird heutzutage Leistungselektronik eingesetzt, um die verfügbare
Spannung der öffentlichen Versorgungsnetze auf andere Werte umzusetzen. Die
leistungselektronischen Schaltkreise ersetzen dabei in den meisten Fällen die klassischen
50 Hz Transformatoren. Des Weiteren werden leistungselektronische Schaltungen sehr häufig
für die Gleichspannungswandlung eingesetzt. Als Beispiele sind hier batteriebetriebene
Kleingeräte und der Automobilbereich zu nennen.
2.1 Integration passiver Komponenten – Motivation
Leistungselektronische Schaltungen setzen sich derzeit hauptsächlich aus verschiedenen,

einzeln hergestellten, diskreten Bauteilen auf Leiterplatten zusammen, die sich grob in zwei
Gruppen unterteilen lassen. Aktive Bauteile führen Schalthandlungen und logische
Operationen durch. Mittlerweile sind diese Komponenten meist sehr klein und kompakt
aufgebaut, da die Bauteilstrukturen sehr hoch siliziumintegriert sind. Als Beispiele aktiver
Bauteile sind Transistoren und ICs zu nennen. Als passive Komponenten einer Schaltung
werden dagegen alle Bauteile bezeichnet, die nicht auf Halbleitertechnologie basieren. Hierzu
zählen insbesondere Komponenten wie Widerstände, Kondensatoren, Spulen und
Transformatoren. Volumen, Gewicht und die Produktionskosten einer leistungselektronischen
Schaltung werden im Gegensatz zu vielen mikroelektronischen Schaltkreisen in erster Linie
durch die passiven Bauelemente bestimmt. Diese sind meist als diskrete Komponenten auf der
Oberfläche der Leiterplatte platziert. Sie nehmen dabei, wie in Abb. 2.1 deutlich erkennbar,
einen Großteil des zur Verfügung stehenden Platzes ein.
Abbildung 2.1: Konventionelle leistungselektronische Schaltung [boc01]

Neben dem verhältnismäßig großen Platzbedarf sind die passiven Komponenten im Vergleich
zu den siliziumintegrierten Schaltkreisen häufig auch Ursache für Störungen. Für die
Bestückung der Leiterplatten mit den meist stark unterschiedlichen Komponenten ist
zusätzlich eine große Vielfalt an Herstellungsprozessen notwendig. Dadurch steigen sowohl
die Produktionszeiten, als auch die Herstellungskosten. Passive Bauteile behindern daher
allgemein die möglichen Verkleinerungen und Kostensenkungen in der Serienproduktion
vieler elektronischer Systeme. Als Lösung kann versucht werden, mehr Funktionalität auf
gleichem Raum unterzubringen oder die Gesamt-Systemgröße zu reduzieren.
Um die Möglichkeiten einer Systemgrößenreduzierung zu beurteilen, werden die Formeln
einzelner passiver Komponenten betrachtet. Bei einem Widerstand mit dem Wert R gilt
zwischen der Länge l , der Leitfähigkeit κ und der Querschnittsfläche A der Zusammenhang
l
R= . (2.1)
κA
Das Produkt aus Länge und Querschnittsfläche ergibt gleichzeitig auch das Volumen, das das
Bauteil einnimmt, sodass ein Zusammenhang zwischen Bauteilwert und umbautem Raum
besteht. Bei Kondensatoren und Spulen kann dier im Bauteil
r gespeicherte Energie r We bzw.r
Wm mithilfe des Skalarprodukts der Feldstärke E bzw. H und der Flussdichte D bzw. B ,
das über dem Volumen der Komponente integriert wird, berechnet werden
r r
We =
1
∫∫∫ E ⋅ D dV = 1 CU 2 (2.2)
2 V 2
r r
H ⋅ B dV = LI 2 .
1 1
Wm = ∫∫∫
2 V 2
(2.3)
Aus den Gln. (2.2) und (2.3) folgt, dass die gespeicherte Energie We bzw. Wm in erster Linie
durch die Spannung U bzw. den Strom I bestimmt wird, nachdem die Bauteilwerte C und
L durch das Schaltungsdesign festgelegt sind. Die Größen C und L sind dabei nur von den
verwendeten Materialien und der Bauteilgeometrie abhängig. Zu einem festen Bauteilwert bei
vorgegebenen Materialien und Betriebsbedingungen gehört demnach auch ein bestimmtes
Volumen, das das passive Bauteil benötigt. Die Möglichkeit, die Komponenten an sich zu
verkleinern, um eine Systemgrößenreduzierung zu erreichen, ist bei vorgegebener Funktion
also nicht praktikabel und wird daher nicht weiter betrachtet.
Wenn dagegen eine planare Bauform für passive Komponenten gewählt wird, besteht durch
geschickte Anordnung der einzelnen Komponenten, über die gesamte Schaltung gesehen, die
Möglichkeit, Platz einzusparen. Nachdem durch den Einsatz sehr flacher Komponenten der
Platz auf der Leiterplattenoberfläche jedoch noch rascher erschöpft ist, liegt die Lösung für
eine Systemgrößenreduzierung in einer Übereinanderschichtung der einzelnen Bauteile. Bei
gleichem Volumen weisen die Bauteile nun folglich ein anderes Aspektverhältnis auf. Durch
die feste Verbindung der einzelnen diskreten, planaren Komponenten zu einer
übereinandergeschichteten Einheit entsteht ein sogenannter Multilayer, der aus verschiedenen
Materialien aufgebaut ist und mehrere Funktionen in sich vereint. Die vormals einzelnen
Bauteile mit teils unterschiedlichen Funktionen werden nun als integrierte, passive
Komponenten bzw. embedded passives bezeichnet.
2.2 Konzepte der Multilayer-Technologie
Zur Realisierung planarer Bauteile als integrierte Komponenten wird der Multilayer aus
verschiedenen Schichten aufgebaut, die jeweils unterschiedliche Funktionen haben.
Konventionelle Leiterplattenprozessschritte werden dabei als Basistechnologie eingesetzt, da
sie kostengünstig sind und die meisten industriellen Herstellungsprozesse darauf aufbauen.
Wenn embedded passives und diskrete Halbleiterkomponenten innerhalb eines Multilayers so
kombiniert werden, dass eine komplette Schaltung entsteht, bilden diese insgesamt ein
embedded passive integrated circuit (emPIC) [waf03]. Der prinzipielle Aufbau einer solchen
neuartigen Schaltung ist in Abb. 2.2 modellhaft dargestellt und zeigt die notwendigen
Materialschichten für die unterschiedlichen Komponenten. Diese Materiallagen werden dann
zu einer gesamten Schaltung zusammengefügt. Abb. 2.3 verdeutlicht ein vereinfachtes
Prinzipbild des fertig laminierten Multilayers.
Weichmagnetische Lage
für Spulenkerne
Strukturierte
Widerstände
Isolierung
Spulenwindungen
Leiterbahnen
Kondensatorelektroden
Dielektrische Lagen
Weichmagnetische Lage
für Spulenkerne
Abbildung 2.2: Aufbau einer hochintegrierten Leiterplatte für eine emPIC Schaltung [waf03]
Einlaminierte
Leistungshalbleiter Microchip in Flichip-Technologie
Spulenwindungen
Dielektrische Lagen
Durchkontaktierungen Integrierte Widerstände
Abbildung 2.3: emPIC Multilayer-Technologie mit integrierten passiven und aktiven

Komponenten [waf03]
Innerhalb des Multilayers finden für planare Kapazitäten dielektrische Schichten Einsatz, auf
deren Ober- und Unterseite Elektrodenflächen aus Kupfer strukturiert sind. Widerstände
werden durch resistive Materialien realisiert, die als diskrete Einheiten oder als strukturierte
Lagen integriert sind. Die weichmagnetischen Schichten bilden magnetische Kerne für
planare Induktivitäten und integrierte Transformatoren, deren Wicklungen aus spiralförmig
geätzten Leiterbahnen aus Kupfer auf Substraten aus FR4 bestehen. Die einzelnen
Durchkontaktierungen, sogenannte Via, stellen die notwendigen elektrischen Verbindungen
zwischen den Lagen bzw. den verschiedenen Bauteilen her. Dazu werden nach der
Laminierung der einzelnen Schichten Sacklöcher in den Multilayer gebohrt, die anschließend
mit einer Füllung aus leitfähigem Material versehen werden (vgl. Abb. 2.4). Einfache
Halbleiterbauteile mit wenigen Kontakten, wie Dioden oder Leistungstransistoren sind direkt
in die Multilayer-Leiterplatte integrierbar. Komplexere Halbleiter, wie Control-ICs, werden
dagegen konventionell an der Oberfläche als Naked-Dies mit Bonddrähten zur Kontaktierung
oder in Flip-Chip-Technologie mittels Low-Profile-Gehäusen als diskrete Komponenten
montiert. Ingesamt entsteht somit ein multifunktionaler, dreidimensionaler, integrierter
Aufbau, in dem die Leiterplatte selbst elektronische Funktionalität übernimmt.
Abbildung 2.4: Querschnitt durch eine hochintegrierte Leiterplatte mit Via [wos01]
2.3 Vor- und Nachteile von embedded passives
Die Multilayer-Technologie mit embedded passives bietet, ähnlich wie die

Halbleitertechnologie, die Möglichkeit, verschiedenartige Bauelemente in immer gleichen
Prozessschritten zu integrieren. Grundsätzlich ergibt sich daraus ein großes Potential für die
Weiterentwicklung elektronischer und leistungselektronischer Schaltungen.
In Hinblick auf die Produktion eines Multilayers werden die Serienfertigungskosten im
Vergleich zu herkömmlichen Schaltungen sinken, da die Herstellungsverfahren für
unterschiedliche Module und Schaltungen vereinheitlicht werden können. Der
Herstellungsprozess selbst kann weitgehend auf bestehenden und bewährten Technologien
der Leiterplattenfertigung aufgebaut und auch auf andere Anwendungsgebiete übertragen

werden. Damit ist eine Reihe von Synergieeffekten nutzbar, die zu einer Kostenreduzierung
führen.
Durch die lagenweise Ausführung der Komponenten können in einem Prozessschritt
gleichzeitig eine Vielzahl von Bauteilen hergestellt werden, wodurch eine sogenannte
integrale Fertigung entsteht. Folglich entfällt die aufwändige und kostenintensive Bestückung
der Leiterplatte mit diskreten Bauteilen in einem weiteren Arbeitsschritt, sowie deren
Beschaffung von unterschiedlichen Herstellern. Die Lagerhaltung der einzelnen
Komponenten und die damit verbundene Logistik vereinfachen sich dadurch nachhaltig.
Die Bauhöhe der gesamten Schaltung ist theoretisch durch die Integration aller Komponenten
auf die Dicke einer Leiterplatte reduzierbar. Die Gesamtgröße der Schaltung wird sich zudem
weiterhin deutlich verkleinern, da die Abstände zwischen den integrierten Bauteilen
wesentlich geringer ausfallen. Außerdem benötigen die einzelnen Bauteile keine zusätzlichen
Gehäuse. Der dreidimensionale Aufbau lässt darüber hinaus völlig neue Anordnungen der
Bauteile untereinander zu.
Die Zuverlässigkeit der Schaltung ist insgesamt größer, da im Vergleich zu bisherigen
Schaltungen die Anschlüsse der Bauteile entfallen, die bei diskreten Bauteilen der
elektrischen Kontaktierung und vor allem der mechanischen Befestigung dienten. Für die
Integration werden die Elektroden von Kondensatoren bzw. die Wicklung der Induktivitäten
meist aus Kupferschichten im Ätzverfahren hergestellt, wodurch eine größere Genauigkeit
und eine bessere Reproduzierbarkeit erreicht werden kann. Der geringere Abstand zwischen
den Bauteilen und die fehlenden externen Zuleitungen führen insgesamt zu einem besseren
Verhalten in Bezug auf die Elektromagnetische Verträglichkeit (EMV). Gleichzeitig können
einzelne Schichten des mehrlagigen Aufbaus auch zur Kompensation und zur Schirmung von
Störfeldern eingesetzt werden.
Mit embedded passives sind auch deutlich weniger Lötverbindungen innerhalb des
Schaltungsaufbaus notwendig. Dadurch kann insbesondere der Einsatz von bleihaltigen Loten
ohne Umstellung der Herstellungsverfahren weiter reduziert werden. Nach Ablauf der
Lebensdauer ist die Schaltung besser recyclebar, denn im Vergleich zu bisherigen
Schaltungen werden weniger unterschiedliche Materialien verwendet und der Aufbau ist
lagenweise standardisiert.
Der lagenweise Aufbau eines Multilayers führt jedoch auch zu Problemen in Umgebungen
mit stark schwankenden Temperaturen, da die einzelnen Materialen unterschiedliche
Temperaturausdehnungskoeffizienten besitzen. Durch die feste Laminierung der einzelnen
Schichten zu einer kompakten Einheit können bei großen Temperaturschwankungen
Spannungsbrüche auftreten, die schließlich zur Zerstörung des Multilayers führen. Innerhalb
des Bauteils selbst werden sich auch stark unterschiedliche Temperaturen einstellen, nachdem
Verluste in Form von Wärme, die an den innen liegenden Lagen entstehen, nicht direkt nach
außen abgeführt werden können. Je nach eingesetzter Schaltungstopologie und Effizienz ist
die Kühlung der Gesamteinheit daher sehr wichtig, aber teilweise auch schwierig.
Tritt ein Fehler auf, ist es bei herkömmlichen Schaltungen grundsätzlich möglich, einzelne
defekte Bauteile zu ersetzen. Zur Fehlersuche können Strom- und Spannungsverläufe an den
frei liegenden Lötverbindungen direkt gemessen werden. Durch die fest laminierte Struktur
eines Multilayers ist der Austausch einzelner, innen liegender Komponenten ohne Zerstörung
der gesamten Struktur nicht möglich. Strom- und Spannungsmessungen können nur sehr
eingeschränkt an den wenigen, bis zur Oberfläche geführten Vias vorgenommen werden. Im
Fehlerfall ist der Multilayer daher schlecht bis gar nicht zu reparieren. Dadurch werden
zwangsläufig auch während der Produktion die Ausschussraten steigen.
Diskrete magnetische Bauteile werden für gewöhnlich mit magnetischen Kernen aus Ferrit
oder Eisen ausgeführt. Dadurch wird die magnetische Kopplung erhöht und der Streufluss des
Bauteils reduziert. Bei planaren induktiven Bauteilen ist ein geschlossener, magnetischer
Kreis nur sehr schwer zu realisieren. Folglich sind vor allem die auftretenden Streufelder
vergleichsweise hoch. Diese führen häufig zu unerwünschten Einkopplungen in benachbarte
Komponenten und zu Problemen in Hinblick auf die Elektromagnetische Verträglichkeit der
Gesamtschaltung. Eine Beurteilung aller möglichen Auswirkungen im Vorfeld ist schwer, da
eine Analyse eines kompletten Multilayers für gewöhnlich zu komplex ist.
2.4 Umsetzung der Konzepte
Die Integration von Bauelementen der Leistungselektronik in die Leiterplatte wirft eine
Vielzahl an Fragen aus den Bereichen Technologie, Werkstoffe, System- und
Schaltungsdesign auf, woraus sich schließlich mehrere Aufgaben für die Umsetzung ergeben.
Des Weiteren sind Hilfsmittel für Entwurf und Analyse der Gesamtschaltung notwendig.
Erklärtes Ziel soll eine flache und kleine leistungselektronische Schaltung mit möglichst
hohem Integrationsgrad sein.
Für die Dimensionierung der passiven, planaren Komponenten sind im Vergleich zu den
herkömmlichen diskreten Bauteilen durch die geänderten Aspektverhältnisse neue
Berechnungsmethoden erforderlich. Während sich die Formeln für Widerstände und
Kapazitäten meist sehr einfach aus der Fläche oder dem Volumen des eingesetzten Materials
berechnen lassen, sind die Berechnungsformeln für neue induktive Komponenten nur direkt
aus der elektromagnetischen Feldtheorie ableitbar. Damit lassen sich die physikalischen
Zusammenhänge in einem Multilayer bei Einsatz permeabler Schichten exakt beschreiben
und richtig modellieren. Aufbauend auf diesen physikalischen Grundgleichungen können
schließlich Formeln für die Selbstinduktivität, die Schirmwirkung der Schichten und die
Kopplung zwischen verschiedenen Wicklungen angegeben werden. Mit diesen Erkenntnissen
ist dann auch ein Vergleich mit realen Aufbauten möglich. Im Laufe der theoretischen
Rechnungen eventuell vorgenommene Vereinfachungen und Vernachlässigungen sollten erst
sehr spät erfolgen. Die daraus resultierenden Fehler werden dann folglich relativ gering sein.
Eine weitgehend strukturierte, transparente und analytische Vorgehensweise schafft auch die
Voraussetzungen für Parameterstudien.
Um die Integration der passiven Komponenten industriell realisieren zu können, müssen
vorhandene bzw. neu zu entwickelnde Materialien hinsichtlich der darauf aufbauenden
Prozesstechnologien und Designregeln untersucht und weiterentwickelt werden. Die
angestrebte, erheblich erweiterte Leiterplattenfunktionalität stellt höhere, komplexere und
zusätzliche Anforderungen an die Basismaterialien, wodurch die mechanischen, thermischen
und elektrischen Materialeigenschaften systematisch an die anspruchsvolleren Anwendungen
anzupassen sind. Ziele für dielektrische und magnetische Lagen sind eine möglichst hohe
Materialkonstante, ein niedriger Verlustfaktor, geringe Wärmeausdehnung und eine hohe
Wärmeleitfähigkeit, sowie die einfache Integration der Materialien in einen Standardprozess
der Leiterplattenfertigung. Zur Strukturierung der Leiterbahnen, Elektroden und Windungen
auf den unterschiedlichen Materialien ist eine materialspezifische Anpassung der bisher
eingesetzten Ätztechniken erforderlich.
Für den gesamten Fertigungsprozess, bei dem die einzelnen Lagen zu einem Multilayer
laminiert werden, ist die Berücksichtigung der unterschiedlichen Materialeigenschaften
maßgeblich entscheidend. Des Weiteren werden kapazitive Lagen für gewöhnlich sehr dünn,
magnetische Schichten dagegen vergleichsweise sehr dick ausgeführt, um die geforderten
physikalischen Zusammenhänge zu realisieren. Um eine spätere Delamination zu verhindern,
ist zusätzlich eine gute gegenseitige Abstimmung der Materialen und der Prozessschritte
notwendig. Für die Verbindungen der einzelnen Lagen mittels Durchkontaktierungen ist der
Einsatz hochpräziser Bohrtechnik für Sacklöcher erforderlich. Die Bohrung selbst darf dabei
aber gleichzeitig den Gesamtaufbau mechanisch nicht beeinflussen. Die abschließende
Füllung der Löcher mit leitfähigem Material stellt eine weitere Herausforderung dar. Eine
umfassende Wärmeanalyse der Gesamtschaltung und Untersuchungen hinsichtlich der
Elektromagnetischen Verträglichkeit sind ergänzend für die Entwicklung und Fertigung
notwendig.
Die folgenden Kapitel behandeln die Technologieprozesse und Dimensionierungsformeln für
planare Widerstände, Kapazitäten und Induktivitäten. Zusätzlich werden die Bauformen
dieser integrierten passiven Komponenten zusammen mit den notwendigen Materialien
erläutert. Die Entwicklung dieser Materialien, sowie der eigentliche Fertigungsprozess des
Multilayers werden dagegen beispielsweise in [waf05] näher behandelt.
Integrierte resistive Komponenten 23
3 Integrierte resistive Komponenten
In den meisten leistungselektronischen Schaltungen spielen große Widerstände eine eher

untergeordnete Rolle, da die Effizienz und damit auch die Reduzierung der Verlustleistung im
Vordergrund steht. Eine Vielzahl kleinerer Widerstandswerte wird aber für den Steuer- und
Regelteil benötigt. Neben konventionellen Drahtwiderständen und SMT-Komponenten
werden in heutigen Schaltungen auch bereits integrierte Widerstände eingesetzt. Die
folgenden Unterkapitel behandeln daher die verfügbaren Materialien und beschreiben die
gängigen Produktionstechniken, die ohne größere Modifikationen in die Multilayer-
Technologie übernommen werden können.
3.1 Resistive Komponenten – Fertigungsverfahren
Für die Herstellung integrierter Widerstände existieren heute zwei verschiedene Verfahren,
die auf unterschiedlichen Ausgangsmaterialien basieren. Unter Verwendung der
Siebdrucktechnik ist es möglich, mit einer Karbonpaste Widerstände auf eine geätzte
Leiterstruktur aufzudrucken. Daneben können durch den Einsatz spezieller Laminate, die aus
einer widerstandsfähigen Beschichtung auf einer Kupferfolie bestehen, planare Widerstände
im Ätzverfahren produziert werden.
3.1.1 Widerstände im Siebdruckverfahren mit Karbonpaste
In einem ersten Schritt wird eine Elektrodenstruktur aus einer Kupferlage geätzt. Es entstehen
freiliegende Flächen zwischen den Resten der Kupferschicht. Mit einem Sieb als Schablone
werden dann die Zwischenräume mit einer Karbonpaste aufgefüllt. In einem abschließenden
Trockenschritt härtet die Paste vollständig aus. Der Herstellungsprozess von Widerständen im
Siebdruckverfahren ist schematisch in Abb. 3.1 dargestellt. Anschließend können die so
produzierten Innenlagen wieder dem normalen Fertigungsprozess der Leiterplattenproduktion
zugeführt werden.
In einem Druckvorgang kann jeweils nur eine Widerstandspaste mit einem
herstellerspezifischen Flächenwiderstand aufgetragen werden, wodurch die zu erzielenden
Widerstandswerte auf einen bestimmten Wertebereich begrenzt sind. Stark unterschiedliche
Widerstandswerte sind daher bevorzugt in unterschiedlichen Lagen zu realisieren. Theoretisch
ist es auch möglich, in einem zweiten Druckvorgang eine weitere Schicht aufzutragen. Dieser
Folgeprozess würde jedoch einen Einfluss auf die Werte des vorangegangenen
Widerstandsdruckes haben.
1) Ätzen
Kupfer
Flexfolie Kleber
2) Drucken Widerstände
3) Trocknen
Abbildung 3.1: Schematische Darstellung der Herstellung von Widerständen

im Siebdruckverfahren mit Karbonpaste
Im Siebdruckverfahren hergestellte integrierte Widerstände (siehe Abb. 3.2) unterliegen einer

relativ großen Streuung, da Variationen in den Karbonpastenschichtdicken und bei den
Geometriemaßen in der Siebdrucktechnik auftreten. Weiterhin besteht die Karbonpaste aus
einem System aus Harz und Karbonfüllstoff, in dem es lokal zu unterschiedlichen
Mischungsverhältnissen kommen kann. Der Widerstandswert wird durch nachfolgende
Prozesse, insbesondere Temperaturprozesse, weiter verändert. Im Allgemeinen liegen die
erreichbaren Toleranzen in der Größenordung von ± 20 % bis ± 30 %. Das Verfahren hat trotz
dieser hohen Toleranzen durch die niedrigen Produktionskosten einen entsprechend weit
verbreiteten Einsatz.
Elektrode
Anschluss
Widerstand
Abbildung 3.2: Integrierte Widerstände (4,7 kOhm) im Siebdruckverfahren

(Labormuster der Firma Ruwel – Wetter)
3.1.2 Geätzte Widerstände aus Widerstandsfolie
Die prozesstechnische Vorgehensweise zur Herstellung integrierter Widerstände in

Ätztechnik ist schematisch in Abb. 3.3 dargestellt. Eine Kupferfolie mit einer zusätzlichen
sehr dünnen resistiven Lage wird vollflächig auf ein Trägermaterial auflaminiert. In einem
nicht selektiven Ätzschritt werden zunächst alle Bereiche zwischen den Verbindungen
vollständig entfernt, sodass einzelne Inseln der Widerstandsfolie entstehen. Der nun selektive
Ätzschritt entfernt die Kupferschicht über der resistiven Lage teilweise, wodurch die
Widerstände strukturiert werden. Die Widerstandsfolie ist nun von zwei Seiten mit Kupfer
kontaktiert und bildet dazwischen den eigentlichen Widerstand. Zum Schutz werden die
entstandenen Leeräume wieder aufgefüllt und mit einer weiteren Substratschicht abgedeckt.
1) Laminieren
Kupfer
Resistive Lage
Flexfolie Kleber
2) Nicht-selektives Ätzen
Verbindungen
3) Selektives Ätzen Widerstände
4) Schutzschicht Flexfolie
Abbildung 3.3: Schematische Darstellung der Herstellung von

Widerständen im Ätzverfahren
Im Herstellungsprozess der integrierten Komponenten wird immer mit ganzflächigen Lagen

gearbeitet, um die Prozessschritte so einfach wie möglich zu gestalten. Aus der Homogenität
der Widerstandsfolie folgt damit aber auch gleichzeitig, dass in jeder Leiterbildlage nur mit
einem Flächenwiderstandswert gearbeitet werden kann. Unterschiedliche Widerstandswerte,
die sich um mehrere Größenordnungen unterscheiden, können daher nur in unterschiedlichen
Schichten oder durch Verkettung mehrerer Einzelwiderstände auf der gleichen Ebene
realisiert werden.
Hinsichtlich der Produktionskosten fällt bei diesem Verfahren nachteilig auf, dass die
Widerstandsfolie in einer Schicht zunächst vollflächig in den Multilayer integriert wird, um
dann in einzelnen Bereichen wieder komplett weggeätzt zu werden. Verfahren, in denen die
Folien anfangs selektiv aufgebracht werden, sind noch mit deutlich höheren
Herstellungskosten verbunden.
Mit dem Aufbringen der Schutzschicht sind die geätzten Widerstände beidseitig von
Leiterplattenmaterial eingeschlossen. In der Multilayer-Technologie kann diese Einheit als
komplette Schicht in den Fertigungsprozess übernommen werden. Nachdem die Fertigung der
Multilayer weitgehend auf den Technologien der Leiterplattenherstellung aufbaut, sind die
Materialien kompatibel.
Im Vergleich zur Karbonpaste sind die Schichtdicken der Widerstandsschicht sehr konstant.
Gleichzeitig liegt das Material durch den fehlenden Aushärteschritt sehr viel homogener vor.
Insgesamt folgt daraus eine etwas höhere Genauigkeit bei der Erreichung der
Widerstandswerte. Typische Bauteilwertabweichungen liegen im Bereich von ± 10 % bis
± 20 %. Das Ergebnis hängt dabei zusätzlich von der Ätzgenauigkeit und der geschickten
Auswahl der Geometrie ab.
Elektrode
Anschluss
Widerstand
Abbildung 3.4: Integrierte Widerstände (1 kOhm) in Ätztechnik

(Labormuster der Firma Ruwel – Wetter)
3.2 Dimensionierung integrierter Widerstände
Die Karbonpaste und die Widerstandsfolie werden durch den Flächenwiderstand R des
Materials charakterisiert. Der Wert ist auf eine definierte Schichtdicke bezogen und muss
folglich bei Einsatz der Karbonpaste auf die jeweilige Materialdicke skaliert werden. Für die
rechnerische Dimensionierung der integrierten Widerstände ist die Gl. (2.1) in die folgende
Form umzuformen
l
R= R . (3.1)
b
Der endgültige Widerstand wird neben dem Flächenwiderstand R des Materials auch durch
die Elementlänge l und die Elementbreite b der integrierten Komponente bestimmt.
Die Siebdruckvorlage und die Masken für das Ätzverfahren werden nach Gl. (3.1) ausgelegt.
Nachdem das Verhältnis zwischen Länge und Breite den Widerstandswert direkt bestimmt, ist
die absolute geometrische Größe der Komponente bei der Dimensionierung zunächst
uninteressant. Sie bestimmt aber die Erwärmung des Widerstands bei einer bestimmten
Verlustleistung und daher indirekt auch den Aufbau. Unter dem Aspekt des thermischen
Designs der Strukturen eignen sich fingerförmige Aufbauten für sehr kleine
Widerstandswerte. Sie werden zur Realisierung definierter Werte im unteren Bereich auch
parallel verschaltet. Mit rechteckigen Strukturen lassen sich Widerstandswerte in der
Größenordnung des Schichtwiderstands herstellen. Sehr große Werte von integrierten,
resistiven Komponenten werden dagegen durch Mäanderstrukturen aufgebaut, die sehr dünne
Widerstandsbahnen aufweisen. Mit diesen unterschiedlichen Widerstandstrukturen lassen sich
Widerstände im Bereich von unter 1 Ω bis über 1 MΩ pro Lage realisieren.
Mit den Masken für die Herstellungsverfahren, die nach Gl. (3.1) erstellt wurden, werden
zunächst Versuchsmuster erstellt und anschließend vermessen. Durch Toleranzen in der
Herstellung variieren die Messwerte von den berechneten Werten. Die Schablonen werden
daher in einem iterativen Prozess mehrfach nachbearbeitet. Die Daten dieser weiteren
Entwürfe können als Grundlage dienen, um entsprechende Vorhaltewerte beim Design der
Widerstandsstrukturen zur Reduzierung von Abweichungen einzuarbeiten.
Unabhängig von der eigentlichen Fertigung der integrierten Widerstände ändert sich der
Widerstandswert durch die anschließenden Produktionsschritte nochmals. Dabei sind die
Widerstände aus Karbonpaste im Vergleich zu den resistiven Komponenten, die aus
Widerstandsfolie hergestellt werden, deutlich empfindlicher gegenüber äußeren
Belastungseinwirkungen wie Druck und Temperatur. Beispielsweise wird die Karbonpaste
beim abschließenden Laminierungsprozess sehr stark komprimiert, wodurch sich die
Kohlenstoffpartikel in der Harzmatrix verdichten. Als Folge daraus steigt die Leitfähigkeit
des Widerstandsmaterials und der Widerstandswert selbst sinkt. Durch den harzfreien Aufbau
fällt dieser Effekt bei der Widerstandsfolie sehr viel geringer aus.
Andererseits kann die sehr dünne resistive Folie durch den eigentlichen Ätzprozess oder
andere Arbeitsschritte leicht angegriffen werden, wodurch die leitfähige Schicht stellenweise
beeinträchtigt wird. Als Folge daraus ergibt sich eine geringe Widerstandserhöhung im Laufe
der Produktion.
Allgemein werden alle Komponenten während des Laminiervorgangs über eine längere Zeit
stark erhitzt. Entsprechend dem Temperaturausdehnungskoeffizienten verändern sich die
Dimensionen des Basismaterials. Für gewöhnlich wird das Material gestreckt und es erfolgt
eine Erhöhung des Widerstandswerts. Durch das Verpressen am Ende des Prozesses
vergrößert sich also die Streubreite der Widerstände nochmals. Nach dem Laminieren
verändern sich die Werte dagegen kaum noch.
Je nach Verfahren liegen die Toleranzen der produzierten Widerstände zu den berechneten
Werten derzeit zwischen ± 10 % bis ± 30 %. Durch den Einsatz eines Lasertrimmverfahrens
zum Widerstandsabgleich am Ende der Prozesskette kann diese Streubreite jedoch noch
deutlich reduziert werden. Nachdem viele digitale Schaltungen gegenüber Abweichungen in
den Widerstandswerten weitgehend unempfindlich sind, wird auf diesen abschließenden,
kosten- und zeitintensiven Schritt verzichtet.
Alle bereits beschriebenen Ursachen für Widerstandsänderungen während dem

Produktionsprozess, wie variierende Schichtdicken, Unterätzen oder Veränderungen am
Ausgangsmaterial sind für gewöhnlich nicht lokal auf ein einzelnes Bauteil beschränkt.
Benachbarte Komponenten unterliegen normalerweise im Laufe des Herstellungsprozesses
den gleichen Veränderungen. Das Verhältnis aus den Widerstandswerten von nebeneinander
liegenden Widerständen wird daher allgemein eine geringere Streubreite aufweisen. Für den
Aufbau von Multilayer-Schaltungen mit integrierten resistiven Komponenten sind folglich
Teilerschaltungen aus Widerständen besser geeignet als einfache Widerstände. Eine
entsprechende Berücksichtigung ist bereits in der Entwicklungsphase der Schaltung
notwendig.
Der in Kapitel 6 vorgestellte Demonstrator einer leistungselektronischen Schaltung mit
embedded passives enthält eine Reihe von integrierten Widerständen aus Karbonpaste, die als
Spannungsteiler angeordnet sind.
3.3 Materialien für integrierte resistive Komponenten
Die Herstellung von integrierten Widerständen im Siebdruckverfahren setzt als resistives

Material Karbonpasten ein. Diese bestehen aus einer Mischung von Epoxydharzen in die
Kohlenstoffpartikel eingebettet sind. Je nach Größe der Partikel und Füllgrad werden
unterschiedliche Flächenwiderstände R der Paste erreicht. Verfügbar sind derzeit Werte
zwischen 10 Ω und 1 MΩ .
Für das Ätztechnikverfahren werden dagegen Widerstandsfolien eingesetzt, bei denen auf
einer Kupferfolie eine Legierung aus Nickel-Phosphor (NiP) oder Nickel-Chrom (NiCr)
aufgebracht ist. Ein hoher Flächenwiderstand R wird durch sehr geringe Schichtdicken, die
typischerweise im Bereich von 0.01 μm bis 0.4 μm liegen, erreicht. Der Widerstand der
Folien liegt aktuell zwischen 25 Ω und 1 kΩ .
Karbonpaste Widerstandsfolie
Flächenwiderstand 10 Ω – 1 MΩ 25 Ω – 1 kΩ
Dicke variabel 0.01 μm – 0.4 μm
Material Polymermatrix mit Karbonpartikel NiP oder NiCr auf Kupferfolie
Toleranz der Widerstände ± 20 % bis ± 30 % ± 10 % bis ± 20 %
Belastungstests ± 5 % bis ± 10 % ± 0.5 % bis ± 2 %
Verarbeitung Siebdrucktechnik Selektive Ätztechnik
Hersteller / Material Asahi, DuPont Ohmega-Ply, Gould TCR
Tabelle 3.1: Materialien für integrierte Widerstände [dat01], [dat02], [dat03], [dat04]
Neben den Materialparametern der Karbonpaste und der Widerstandsfolie sind in Tabelle 3.1
auch die Fertigungstoleranzen der Widerstände und die Ergebnisse von standardisierten
Belastungstests aufgeführt. Die Toleranzbereiche der gefertigten Widerstände wurden aus
einem Vergleich der theoretischen Berechnungen und verschiedenen Messungen an den
hergestellten Komponenten ermittelt. Zusammen mit den Informationen aus dem
vorangegangenen Unterkapitel lässt sich festhalten, dass beim Ätzverfahren, material- und
prinzipbedingt, eine höhere Genauigkeit der zu produzierenden Widerstände erreicht werden
kann. Gleichzeitig zeigen auch verschiedene Untersuchungen der Zuverlässigkeit und
Belastungsfähigkeit, dass integrierte Widerstände aus Widerstandsfolie sich im Laufe der
Tests deutlich stabiler verhalten. Bezogen auf einen vergleichbaren Widerstand sind jedoch
bei der Ätztechnik die Kosten für die Widerstandsfolie höher und gleichzeitig ist die
Produktion aufwändiger als beim Karbonpastendruck.
Integrierte kapazitive Komponenten 31
4 Integrierte kapazitive Komponenten
Kapazitive Bauteile sind notwendige Bestandteile vieler leistungselektronischer Schaltungen.

Sie werden als Resonanz-, Filter-, Lösch- und Entkopplungskondensatoren in Schaltungen mit
Halbleiterbausteinen eingesetzt. Kleine und mittlere Kapazitätswerte werden bereits als
integrierte Komponenten ausgeführt. Die derzeit erhältlichen Materialien sind dabei
kompatibel zu existierenden Leiterplattenprozessen und daher einfach auf die Multilayer-
Technologie übertragbar. Hochkapazitive Lagen zur Realisierung großer Kapazitäten, die zu
Elektrolytkondensatoren vergleichbare Werte besitzen, existieren aktuell nur in der Theorie.
4.1 Kapazitive Komponenten – Fertigungsverfahren
Die integralen Fertigungsmethoden für integrierte kapazitive Komponenten können in zwei

Verfahren unterschieden werden. Vergleichbar zu integrierten Widerständen können
Kondensatoren ebenfalls in der Siebdrucktechnik hergestellt werden oder alternativ durch
eine Strukturmethode.
Für die Herstellung mittels der Siebdrucktechnik wird zunächst eine strukturierte Leiterplatte
gefertigt, die die Anschlüsse für die Kondensatoren zur Verfügung stellt. Zwischen diese
Kupferbahnen wird durch ein Sieb eine Paste aus dielektrischem Material aufgebracht.
Aktuell befindet sich diese Druckmethode noch in der Entwicklungsphase, da serienreife
Pasten noch nicht zur Verfügung stehen. Ähnlich wie bei der bereits großtechnisch
realisierten Siebdrucktechnik für Widerstände werden sich auch hier entsprechend hohe
Variationen in den Bauteilwerten ergeben. Grund dafür ist die Siebdrucktechnik selbst, die
entsprechend hohe Toleranzen aufweist. Ebenso die Dicke der dielektrischen Schicht, die
direkt proportional zum erzielbaren Kapazitätswert ist und im Produktionsprozess variieren
wird. Nachdem das Material punktuell eingesetzt wird, werden die Kosten dagegen
vergleichsweise gering ausfallen.
Die Materialien für die Strukturmethode sind dagegen für großtechnische Prozesse bereits
verfügbar, wodurch diese Methode zur Herstellung von integrierten Kondensatoren derzeit
genutzt wird. Zunächst werden, wie bei der Siebdrucktechnik, Kupferlagen zu Elektroden
strukturiert, die dann eine Lage aus dielektrischem Material einschließen. Die Kupferflächen
können dabei anfänglich beidseitig auf der dielektrischen Schicht aufgebracht sein. Das
dielektrische Material muss dann gegenüber dem Ätzprozess resistent sein. Die Abb. 4.1.
zeigt einen schematischen Aufbau in dieser Technologie. Alternativ können auch zwei
kupferkaschierte FR4-Platten strukturiert werden, zwischen denen anschließend eine
dielektrische Lage laminiert wird. Im Vergleich zur Siebdrucktechnik wird das dielektrische
Material, um den Herstellungsprozess einfach zu gestalten, stets vollflächig eingesetzt.
Allerdings wird es dann nur teilweise genutzt.
Kondensatorelektroden
Dielektrische Lagen
Trägermaterial FR4
Abbildung 4.1: Schematische Darstellung integrierter Kondensatoren aus

kupferkaschiertem, dielektrischen Material (Ausschnitt aus Abb. 2.2)
Nachdem Ätzprozesse präziser als die Siebdrucktechnik ausgeführt werden können, ist die
Genauigkeit und Reproduzierbarkeit der Kapazitätswerte bei der Strukturmethode
vergleichsweise höher. Die eingesetzten Materialien sind kompatibel zu den meisten
Leiterplattenmaterialien, sodass die Kondensatoren einfach in den kompletten Multilayer
integriert werden können.
4.2 Dimensionierung integrierter Kondensatoren
Die integrierten, kapazitiven Komponenten werden aus strukturierten Kupferelektroden, die

dielektrische Schichten einschließen, aufgebaut. Ist die Fläche A der sich im Abstand d
gegenüber stehenden vorstrukturierten Flächen bekannt, gilt für den Wert des Kondensators
folgender Zusammenhang
εA
C= mit ε = ε r ε 0 . (4.1)
d
Die Dielektrizitätskonstante ε ist dabei eine Materialkonstante und gibt die dielektrischen
Eigenschaften des eingesetzten Materials zwischen den Elektroden wieder. Für dielektrische
Folien wird häufig auch die Flächenkapazität C des Materials angegeben, die sich auf die
Materialdicke bezieht. Der Abstand d , der normalerweise in die Berechnung einfließt, ist
dann bereits durch die Materialdicke fest vorgegeben. Für die Berechnung des
Kapazitätswertes gilt folglich der Zusammenhang
C =C A . (4.2)
Zur Erhöhung der Kapazitätswerte kann bei gleichbleibender Kupferfläche A entweder das
dielektrische Material durch dünneres Material ersetzt oder die dielektrischen Eigenschaften
des Materials, also ε bzw. C , vergrößert werden. Der Einsatz von finger- oder
mäanderförmigen Strukturen, wie bei integrierten Widerständen (vgl. Kapitel 3.2), ist
dagegen grundsätzlich nicht sinnvoll. Die einzelnen Bauteilwerte von parallel geschalteten
kapazitiven Elementen, wie sie bei Fingerstrukturen vorliegen, sind einfach zu addieren.
Wenn die Fläche der Finger zusammengefasst wird, ergibt sich folglich auf kleinerem Raum
der gleiche Kapazitätswert. Ebenso wird bei Mäanderstrukturen der Raum zwischen den
benachbarten Kupferbahnen für den Kondensator nicht genutzt. Auch hier kann der gleiche
Kapazitätswert vollflächig auf kleinerem Raum realisiert werden.
Integrierte kapazitive Komponenten 33
Sowohl die Gl. (4.1), als auch die Gl. (4.2) gelten in der beschriebenen Form nur, sofern eine
homogene Verteilung des elektrischen Feldes zwischen den Kondensatorplatten vorliegt. Sind
die Ausdehnungen der Kupferflächen sehr klein gegenüber dem Abstand, liegt allgemein eine
inhomogene Feldverteilung zwischen den Elektroden vor. Die sich einstellenden zusätzlichen
Streuflüsse des elektrischen Feldes außerhalb des Kondensators führen zu einer Vergrößerung
der Kapazität und der Verluste. Über feldtheoretische Lösungsansätze können für solche
Aspektverhältnisse der Kondensatoren auch Berechnungsformeln gefunden werden, die aber
nicht Gegenstand dieser Arbeit sind.
Innerhalb des Multilayers werden die verschiedenen kapazitiven Komponenten allgemein in
mehreren Lagen übereinander geschichtet. In Abb. 4.2 ist dazu eine schematische Darstellung
aus zwei Kondensatoren gezeigt. Jeweils eine der beiden Elektroden eines Kondensators
grenzt an den anderen Kondensator, nur durch eine Schicht des Trägermaterials getrennt.
Nachdem FR4 auch dielektrische Eigenschaften besitzt, entsteht neben C1 und C 2 ein
zusätzlicher, parasitärer Kondensator mit dem Wert C FR4 . Dieser zunächst unerwünschte
Kondensator kann entweder in das Schaltungsdesign als weiteres Element von vornherein mit
einbezogen werden oder es wird versucht, seinen Einfluss zu minimieren. Dazu können die
Elektroden von C1 und C 2 , die an C FR4 grenzen, auf das gleiche Potential, z. B. das
Bezugspotential, gelegt werden. Dadurch ist die an C FR4 anliegende Spannung, die sich aus
der Potentialdifferenz ergibt, gleich Null. Folglich ist nach Gl. (2.2) auch die in diesem
Kondensator gespeicherte Energie We gleich Null. Das Element hat dadurch keinen Einfluss
auf das Verhalten der Gesamtschaltung.
C1 Kondensatorelektroden
Dielektrische Lagen
CFR4
Trägermaterial FR4
C2
Abbildung 4.2: Ersatzschaltbild mit parasitärem Kondensator
Bei induktiven Bauteilen stehen sich sowohl bei einer Spule, als auch bei einem
Transformator Leiterbahnen mit unterschiedlichem Potential gegenüber, woraus sich eine
Windungs- bzw. Wicklungskapazität ergibt. Bei planaren, induktiven Komponenten (vgl.
Kapitel 5) ergeben sich durch den kleinen Abstand zwischen den Strompfaden und die
vergleichsweise breiten Leiterbahnen relativ große Werte für diese parasitären Elemente. Um
den Beitrag jeder Windung einer Spule zur Gesamtkapazität zu erfassen, ist in [neu01] ein
entsprechender Rechenalgorithmus dokumentiert.
Der in Kapitel 6 vorgestellte Demonstrator einer leistungselektronischen Schaltung mit
embedded passives enthält insgesamt 19 Kondensatoren für die Kapazitätswerte der
Resonanzkondensatoren auf drei kapazitiven Platinenlagen, die mit der Strukturmethode
hergestellt wurden.
4.3 Spannungsfestigkeit der Kondensatoren
Nach den gültigen Normen müssen Kondensatoren und damit auch integrierte kapazitive
Komponenten eine bestimmte Spannungsfestigkeit aufweisen. Aktuell wird in
leistungselektronischen Anwendungen eine Durchschlagsfestigkeit von mindestens 500 Volt
bei einer Kapazitätsdichte von 240 pF cm 2 gefordert. Die Basismaterialien der Komponenten
werden daher im Vorfeld bereits entsprechend ausgewählt. Fehler und verschiedene Einflüsse
während der Produktion können jedoch dazu führen, dass die geforderte Spannungsfestigkeit
nicht eingehalten wird.
Als mögliche Ursache ist die Oberflächenrauhigkeit der Materialien zu nennen, die punktuelle
Feldüberhöhungen nach sich zieht. An diesen Stellen erfolgt schließlich bevorzugt der
Durchbruch. Fremdpartikel beim Verpressen, die Vertiefungen und Einfallstellen auf den
Oberflächen hinterlassen, führen im Bereich der betroffenen Stellen zu stark verminderten
Isolationsdicken des Dielektrikums. Der Einschluss von leitfähigen Partikeln in den
Kapazitätslagen, die durch die Imprägnierlacke in der Fertigungskette eingebracht werden,
setzt die Spannungsfestigkeit auch herab. Für den gesamten Produktionsprozess sollten die
Grenzflächen daher entsprechend behandelt werden.
Innerhalb des Dielektrikums sind Defekte für gewöhnlich statistisch verteilt. Nachdem der
Kapazitätswert direkt proportional zur Fläche ist, wird mit der Größe des Kondensators
allgemein auch die Wahrscheinlichkeit für Spannungsdurchbrüche steigen.
4.4 Materialien für integrierte kapazitive Komponenten
Neben einer hohen Flächenkapazität müssen die Materialien für integrierte Kondensatoren
auch die Anforderungen an die Spannungsfestigkeit erfüllen. Nachdem große Kapazitätswerte
mit sehr dünnen dielektrischen Lagen realisiert werden können, ist die Durchbruchspannung
des Materials bereits in der Entwicklung zu berücksichtigen. Um alle Vorteile der Multilayer-
Technologie nutzen zu können, müssen die Materialien auch kompatibel zu einem
Standardprozess der Leiterplattentechnik sein.
Glasfaserverstärkte Werkstoffe, wie z. B. FR4, werden bei der Produktion der Materialien als
Basismaterial eingesetzt und mit dielektrischem Pulver angereichert. Die entstehenden Lagen
sind verhältnismäßig dick und erreichen nur geringe Flächenkapazitätswerte. Typische Werte
liegen im Bereich von 40 bis 100 μm für die Materialdicke und unter 1 nF cm 2 für den Wert
der Flächenkapazität.
Der Einsatz von Foliensubstraten, wie z. B. Polyimide, führt zu verhältnismäßig dünnen
Lagen, die bei der Durchbruchspannung oder der Flächenkapazität jedoch Defizite aufweisen.
Materialien auf der Basis von Teflon haben nur im Bereich des Verlustfaktors einen Vorteil.
Der Verlustfaktor tan δ ist ein Maß für die elektrischen Verluste im Material bei einer
bestimmten Frequenz.
Tabelle 4.1. zeigt für eine Auswahl verschiedener, dielektrischer Materialien von
unterschiedlichen Herstellern eine Übersicht der Parameter.
Tabelle 4.1:
Hersteller Isola Dupont 3M Polyclad/Hadco Rogers
Integrierte kapazitive Komponenten
Produktname C-Lam HiK C-Ply EmCap RO 3210

2 2 2 2 2
Flächenkapazitätswert C 0.2 nF cm 0.5 nF cm 1.0 nF cm 0.44 nF cm 0.07 nF cm
Verlustfaktor tanδ bei 1 kHz - - 0.005 - -
bei 1 MHz 0.02 - - 0.015 -
bei 100 MHz 0.015 - - - -
bei 10 GHz - 0.01 - - 0.003
Durchbruchspannung 1200 V 2700 V > 100 V > 1000 V -
Dielektrizitätskonstante εr 10 16 16 50 10.2
Materialdicke d 40 μm 25 μm 4 μm 100 μm 130 μm
Materialsystem FR4 Polyimide Polyimide FR4 PTFE (Teflon)
Materialien für integrierte Kapazitäten [dat02], [dat05], [dat06], [dat07]

35
Sowohl der Verlustfaktor tan δ , als auch die Dielektrizitätskonstante ε r sind im Allgemeinen
Funktionen der Frequenz. Während der Verlustfaktor eine starke Abhängigkeit zeigt, ist die
Materialkonstante in weiten Bereichen nahezu konstant. Das gängige Leiterplattensubstrat
FR4, das auch teilweise als Ausgangsmaterial dient, weist einen nahezu
frequenzunabhängigen Wert von ε r = 4 auf.
In Abb. 4.3 ist ein Muster einer strukturierten C-Lam Schicht gezeigt. Neben den Elektroden
für die Kondensatoren sind auch spiralförmige Leiterbahnen für Induktivitäten und
Transformatoren vorgesehen.
Abbildung 4.3: C-Lam Muster mit strukturierten Elektroden und Leiterbahnen aus Kupfer
(Labormuster der Firmen Isola – Düren und Ruwel – Wetter)
Dielektrische Pasten für die Siebdrucktechnik stehen derzeit nur als Labormuster zur
Verfügung und sind daher für den industriellen Einsatz noch nicht uneingeschränkt geeignet.
Die Materialparameter sind vergleichbar zu den Folienlagen auf FR4-Basis. In
Siebdrucktechnik hergestellte Kondensatoren werden aber deutlich höhere Toleranzen
aufweisen.
Für mittlere bis hohe Anforderungen an die Kapazitätsdichte können reine Keramik-Schichten
eingesetzt werden. Nachdem das Material aber sehr dünn und brüchig vorliegt, ist die
Integration in einen Standard-Leiterplattenprozess nur sehr schwer möglich. Gleichzeitig
liegen die Kondensatoren mehr oder weniger als diskrete Bauteile vor. Aus beiden Gründen
werden integrierte Kapazitäten aus keramischen Werkstoffen und die Materialien an sich in
dieser Arbeit nicht betrachtet.
Integrierte induktive Komponenten 37
5 Integrierte induktive Komponenten
Innerhalb einer Schaltung besitzen einzelne geätzte Strombahnen auf einem Trägermaterial
auch einen induktiven Charakter. Integrierte, planare Spulen werden daher aus verlängerten
Kupferbahnen aufgebaut. Mit verschiedenen Formen und Mustern der Stromwege wird
versucht, auf möglichst kleinem Raum einen maximalen Induktivitätswert zu erzielen. Die
geätzten Windungen ersetzen demzufolge die Wicklungen von konventionellen Spulen. Die
Selbstinduktivitätswerte dieser planaren Bauteile liegen bei wenigen μH . Nachdem die
Ätztechnologie weitgehend technisch ausgereift ist, sind die planaren induktiven
Komponenten die am einfachsten herzustellenden integrierten Bauteile.
Klassische Spulen werden, um den Induktivitätswert zu erhöhen, um einen Kern aus
Ferritmaterial gewickelt. Der Ferrit wird dazu in die jeweilige Form gesintert und mit einem
Wickelkörper versehen. Für planare Komponenten sind Ferritschichten erforderlich, die
aufgrund der Sprödigkeit des Materials nur vergleichsweise dick hergestellt werden können.
Gleichzeitig ist das Ferritmaterial zu den Produktionsschritten der Multilayer-Technologie
nicht kompatibel. Planare induktive Komponenten mit Ferritkernen befinden sich daher
weiterhin als diskrete flache Komponenten auf der Oberfläche der Schaltung. Trotz dieser
Einschränkung werden einfache planare Spulen und Transformatoren schon in vielen
Bereichen eingesetzt. Durch die Ätztechnik bei der Herstellung wird eine hohe
Reproduzierbarkeit und Kosteneinsparung erzielt. Die Komponenten selbst sind durch den
flachen Aufbau weitaus zuverlässiger.
5.1 Induktive Komponenten – Fertigungsverfahren
In den Multilayer integrierte induktive Komponenten setzen sich aus Windungen auf
Leiterplatten und dem magnetischen Kern zusammen. Als Kernmaterialien werden zwei
unterschiedliche Klassen von Werkstoffen verwendet, die während dem Fertigungsprozess in
den Multilayer-Aufbau integriert werden.
5.1.1 Geätzte Leiterbahnstrukturen für induktive Elemente
Die Windungen induktiver planarer Komponenten werden aus Kupfer auf Standard-
Trägermaterial geätzt. Der gewünschte Induktivitätswert bestimmt bei vorgegebenem Platz
die Form der Kupferbahnen. Durch die Breite der Kupferstreifen wird der maximale Strom
durch die Spule im späteren Einsatz begrenzt. Der Abstand zwischen den einzelnen
Spulenbahnen hat einen Einfluss auf die Spannungsfestigkeit und die parasitäre Kapazität der
Anordnung (vgl. Kapitel 4).
5.1.1.1 Planare Spulen
In Abb. 5.1 sind zwei verschiedene planare Spulendesigns dargestellt. In beiden Fällen
wurden die Leiterbahnen mittels Photolithographie auf die Oberseite einer FR4-Platte geätzt.
Für die Messungen außerhalb eines Multilayer-Aufbaus stehen die punktförmigen
Anschlusselektroden zur Verfügung. In Tabelle 5.1 sind die Geometriedaten der Aufbauten
dargestellt. Daneben sind auch die Eigeninduktivitäten der planaren Spulen angegeben.
Abbildung 5.1: Beispiele für planares Spulendesign – spiralförmig und rechteckig
Windungsform spiralförmig rechteckig
Windungsanzahl 5 5
Außenabmessung (Abstand vom Zentrum) 17.3 mm 17.3 mm
Innenabmessung (Abstand vom Zentrum) 12.5 mm 12.5 mm
Leiterbahnbreite 0.8 mm 0.8 mm
Abstand der Leiterbahnen 0.2 mm 0.2 mm
Komponentenhöhe (mit FR4) 1.5 mm 1.5 mm
Eigeninduktivität bei 100 kHz 1.32 μH 1.56 μH
Tabelle 5.1: Geometriedaten und Eigeninduktivität der planaren Spulendesigns
Bei beiden Spulendesigns ist der Wert der Eigeninduktivität, der bei Spulen ohne Magnetkern
nur von der Geometrie und der Anzahl der Windungen abhängig ist, sehr klein. Gleichzeitig
wird das Trägermaterial für den Aufbau der Spule nur an der Oberfläche benutzt. In den
Abbildungen 5.2 und 5.3 sind verschiedene Ansichten eines Beispiels für eine weitere planare
Spule dargestellt, bei der vier deckungsgleiche Spulen übereinander und innerhalb des FR4-
Materials angeordnet sind. Die sichtbaren Anschlüsse dienen der Kontaktierung der
verschiedenen Lagen. Die gesamte Anordnung weist insgesamt einen deutlich höheren Wert
für die Eigeninduktivität bei vergleichbaren Abmessungen auf (siehe Tabelle 5.2).
Abbildung 5.2: FR4 integrierte planare Spule mit sechs Windungen in vier Lagen
36 mm
70 µm 0.95 mm
z
FR4
0.8 mm 24 mm
Abbildung 5.3: Schematisches Schnittbild der Spule aus Abb. 5.2
Windungsform kreisförmig
Windungsanzahl 6
Lagenanzahl 4
Außenabmessung (Abstand vom Zentrum) 18 mm
Innenabmessung (Abstand vom Zentrum) 12 mm
Leiterbahnbreite 0.8 mm
Leiterbahnhöhe 70 μm
Abstand der Leiterbahnen 0.24 mm
Komponentenhöhe (mit FR4) 0.95 mm
Eigeninduktivität bei 100 kHz 26.3 μH
Tabelle 5.2: Geometriedaten und Eigeninduktivität der planaren Spule aus Abb. 5.2
5.1.1.2 Planare Transformatoren
Planare Transformatoren bestehen aus zwei oder mehr flachen Spulen, die in einem kleinen
räumlichen Abstand zueinander angeordnet sind. Die einzelnen Wicklungen sind für
gewöhnlich galvanisch voneinander getrennt, sodass die Leistungsübertragung ausschließlich
durch das magnetische Feld erfolgt. Diese gegenseitige magnetische Kopplung ist umso
besser, je kleiner der Abstand zwischen den einzelnen Wicklungen ist.
Für einen Aufbau mit zwei Wicklungen sind in Abb. 5.4 verschiedene Möglichkeiten zur
Anordnung der einzelnen Spulen untereinander schematisch dargestellt. Die Designs können
mit spiralförmigen oder rechteckigen Windungen ausgeführt werden. Für die ineinander
geführten Windungen in Abb. 5.4c sind Labormuster mit verschiedenen Windungsformen in
Abb. 5.5 gezeigt.
Primärwicklung
a) FR4 z
Sekundärwicklung
Primärwicklung Sekundärwicklung
b) FR4 z
Primärwicklung
c) FR4 z
Sekundärwicklung
Abbildung 5.4: Verschiedene Designs für planare Transformatoren mit

fünf Primär- und drei Sekundärwindungen [schuh01]
Abbildung 5.5: Labormuster mit ineinander geführte Transformatorenwindungen

In einem späteren Kapitel werden die Kopplungen der Wicklungen zueinander für die
verschiedenen Designs aus Abb. 5.4 berechnet. Um die Werte vergleichen zu können, sind die
Geometriedaten der einzelnen Anordnungen ähnlich. So besitzen alle drei Aufbauten die
gleichen Innenabmessungen. Zusätzlich sind in Fall a) und b) auch die Außenmaße identisch.
Alle Geometriedaten bei rechteckigen bzw. spiralförmigen Windungen sind in Tabelle 5.3
aufgeführt. Die Eigeninduktivitätswerte bei leerlaufender zweiter Wicklung, sowie die Werte
der Gegeninduktivitäten wurden messtechnisch ermittelt und sind in Tabelle 5.4 aufgelistet.
Transformatordesign Abb. 5.4a Abb. 5.4b Abb. 5.4c
Windungsanzahl Primärseite 5 5 5
Windungsanzahl Sekundärseite 3 3 3
Außenabmessung Primärseite (Abstand vom Zentrum) 17.3 mm 17.3 mm 23.3 mm
Innenabmessung Primärseite (Abstand vom Zentrum) 12.5 mm 12.5 mm 12.5 mm
Außenabmessung Sekundärseite (Abstand vom Zentrum) 15.3 mm 15.3 mm 18.3 mm
Innenabmessung Sekundärseite (Abstand vom Zentrum) 12.5 mm 12.5 mm 13.5 mm
Zentrumsabstand zwischen den Windungen 43 mm 1.5 mm 0 mm
Leiterbahnbreite 0.8 mm 0.8 mm 0.8 mm
Abstand der Leiterbahnen 0.2 mm 0.2 mm 1.2 mm
Komponentenhöhe (mit FR4) 1.5 mm 1.5 mm 1.5 mm
Tabelle 5.3: Geometriedaten der planaren Transformatordesigns
Transformatordesign Abb. 5.4a Abb. 5.4b Abb. 5.4c
Windungsform spiralförmig
Eigeninduktivität Primärseite bei 100 kHz 1.28 μH 1.32 μH 1.39 μH
Eigeninduktivität Sekundärseite bei 100 kHz 0.59 μH 0.62 μH 0.66 μH
Gegeninduktivität bei 100 kHz 0.49 μH 0.05 μH 0.62 μH
Windungsform rechteckig
Eigeninduktivität Primärseite bei 100 kHz 1.52 μH 1.56 μH 1.67 μH
Eigeninduktivität Sekundärseite bei 100 kHz 0.69 μH 0.73 μH 0.80 μH
Gegeninduktivität bei 100 kHz 0.62 μH 0.06 μH 0.78 μH
Tabelle 5.4: Eigen- und Gegeninduktivitätswerte der planaren Transformatoren

5.1.2 Magnetische Kerne für planare Komponenten
Eine signifikante Erhöhung des Eigeninduktivitätswerts ist durch einen magnetischen Kern
um das planare Bauteil erzielbar. Dazu werden spezielle Kunststoffmischungen, in die
pulverförmiges Ferrit eingebettet ist, eingesetzt. Diese Werkstoffe (vgl. Kapitel 5.7) werden
als Ferrite Polymer Compounds, kurz FPC, bezeichnet.
Einerseits stehen kommerziell verfügbare FPC-Materialien als dünne Folien zur Verfügung,
die auf den vorhandenen Lagen eines Multilayers in einem gesonderten Produktionsschritt
aufgeklebt werden. Das Material ist fertig ausgehärtet und besitzt während dem
Laminierungsschritt keine Fließeigenschaften. Bohrungen im Trägermaterial der Spule für
magnetische Durchkontaktierungen müssen aufwändig mit kleinen Stücken des Materials
gefüllt werden. Nachdem sich auch direkt aneinander grenzende Lagen des Materials nicht
verbinden, ist der magnetische Schluss entsprechend schlecht. Vorteilhaft ist dagegen die
gleichmäßige Dicke des Materials.
Andererseits stehen die FPC-Materialien auch als streichfähige Pasten in einem noch nicht
vollständig ausgehärteten Zustand zur Verfügung. Vor dem Laminieren des Multilayers wird
das permeable Material auf der Ober- und Unterseite einer planaren Spule aufgebracht. Der
Spulenträger ist mit Durchgangsbohrungen zwischen beiden Seiten versehen. Unter
Temperatur und Druck während des Laminiervorgangs schmilzt die Harzmatrix wieder auf.
Das Material füllt die Bohrungen und härtet vollständig aus, wodurch sich ein geschlossener
permeabler Kern mit einem optimalen magnetischen Schluss um die Spule ergibt. Aus
Konstruktionsgründen ist keine komplett geschlossene Struktur möglich. Der
Herstellungsvorgang ist in Abb. 5.6 an einem Beispiel schematisch verdeutlicht. Ein
Schliffbild einer realen Anordnung ist in Abb. 5.65 zu sehen.
Laminierungsschritt
Andere Lagen Magnetischer Kern Via
FPC
Windungen
FPC
Abbildung 5.6: Schematische Darstellung des Herstellungsprozesses [waf05]
Neben den FPC-Materialien werden auch spezielle Legierungen als Kernmaterialien

eingesetzt, die sowohl permeabel, als auch leitfähig sind. Diese dünnen Folien können nur
verklebt werden und eigenen sich daher nicht für die Herstellung von geschlossenen Kernen.
Die Folien besitzen jedoch sehr hohe Permeabilitätswerte, wodurch der rein lagenförmige
Einsatz innerhalb des Multilayers interessant ist.
5.2 Dimensionierung induktiver Komponenten
Für die Dimensionierung induktiver Komponenten innerhalb eines Multilayers müssen

verschiedene Aspekte berücksichtigt werden. Die Stromtragfähigkeit der Bauteile wird in
erster Linie durch die Leiterbahnbreite der Windungen bestimmt. Der Abstand zwischen den
einzelnen Kupferbahnen muss so groß gewählt werden, dass kein Überschlag erfolgen kann.
Ein Windungsschluss im Betrieb würde das Bauteil nachhaltig schädigen und die Funktion
beeinträchtigen. Alle bisher vorgestellten Designs sind bezüglich dieser beiden Punkte in
Hinblick auf die möglichen Anwendungen ausreichend bemessen.
Die Bauform der Spule oder des Transformators hat auch Einfluss auf die Eigeninduktivität
bzw. die Kopplung der Elemente. Bei der Dimensionierung stehen diese Werte für
gewöhnlich im Vordergrund. Während für integrierte Widerstände und Kapazitäten bekannte
Berechnungsformeln für die Bauteilwerte einfach übernommen werden konnten, besteht diese
Möglichkeit für induktive Elemente nicht. Die gesuchten Gleichungen müssen stattdessen aus
der Feldgleichung unter Berücksichtigung der vorliegenden Geometrie abgeleitet werden.
Alle Beschreibungen und Rechnungen
r r werden im Weiteren vorwiegend mitr dem
r
magnetischen Vektorpotential A(r, t ) durchgeführt. Die magnetische
r r Flussdichte B(r , t )
beschreibt dabei die Wirbel des magnetischen Vektorfeldes A(r , t ) . Das Vektorpotential
selbst ist unter Verwendung der Coulomb-Eichung quellenfrei [alb03]. Bei zeitlich
veränderlichen Problemstellungen ist es zweckdienlich,r die Rechnungenr rin der komplexen
r
Ebene durchzuführen. Der komplexe Zeiger der Größe A(r, t ) wird mit A(r ) bezeichnet.
Permeable oder leitfähige Schichten im Aufbau haben Einfluss auf die Feldgeometrie der
planaren Komponenten. Zusätzlich wird die Flussdichte vergrößert oder verkleinert. Beides
führt zu einer Änderung der Eigeninduktivität und der magnetischen Kopplung. Für die
Berechnungen der Bauteilkenngrößen in diesem Fall ist es daher erforderlich, den Einfluss
der Materialschichten auf das Vektorpotential zu erfassen. Die eigentliche Berechnung des
Vektorpotentials für verschiedene Anordnungen wird in Kapitel 5.3 beschrieben.
Bei allen bisher vorgestellten Designs induktiver planarer Komponenten ist die Höhe der
Leiterbahnen im Vergleich zur Länge und Breite klein. Um die Modellierung und die
Rechnungen zu vereinfachen, wird daher derr Strom i(t ) innerhalb der Windung nicht durch
r
den Vektor der räumlichen Stromdichte J (rr, t ) , sondern wegen der vernachlässigbaren
r
Leiterbahnhöhe als vektorieller Flächenstrom K (r, t ) berücksichtigt.
5.2.1 Induktivitätswert planarer Spulen
Der Induktivitätswert einer einfachen Spule wird auch als Eigen- oder Selbstinduktivität L
bezeichnet. Die Berechnung erfolgt im Wesentlichen durch Bildung des Quotienten aus dem
gesamten, die Stromschleife durchsetzenden magnetischen Fluss Ψm und dem diesen Fluss
verursachenden Strom in der Stromschleife. Die Eigeninduktivität L ist ein Maß für die
Fähigkeit der Anordnung, magnetische Energie zu speichern und wird nur durch
Geometriegrößen und Materialparameter bestimmt. Der Beitrag der inneren Selbstinduktivität
ist im Vergleich dazu klein und wird in den weiteren Betrachtungen nicht berücksichtigt.
Die Berechnungen werden zunächst beispielhaft an einer kreisförmigen Leiterschleife (vgl.

~
Abb. 5.7) mit Radius r1 bzw. Fläche A rdurchgeführt. In der Schleife fließt der
r
zeitunabhängige Strom I , der die Flussdichte B(r ) im gesamten Raum verursacht. Für den
magnetischen Fluss Ψm durch die Kreisschleife gilt dann
r r r r r r r r r
Ψm = ∫∫ B(r ) ⋅ dA = ∫∫ B(r ) ⋅ n dA = ∫∫ B(r ) ⋅ e z dA . (5.1)
~ ~ ~
A A A
r ~
Der Einheitsvektor n steht senkrecht auf der
r rFläche A und zeigt in Richtung positiver Werte
r
des Flusses Ψm , sofern die Flussdichte B(r ) größer als Null ist. Für gewöhnlich wird n
rechtshändig zum Strom I orientiert undrzeigt daherr rim gewählten Beispiel in Richtung des
r r
Vektors e z . Mit dem Zusammenhang B(r ) = rot rA (r ) kann der magnetische Fluss durch
r
Verwendung des magnetischen Vektorpotentials A(r ) berechnet werden
r r r
Ψm = ∫∫ rot A(r ) ⋅ dA . (5.2)
~
A
Unter Verwendung des Integralsatzes von Stokes ([bro01]) erfolgt die Umformung der
Flächenintegration in Gl. (5.2) in eine Integration über die geschlossene Kurve C
r r r r r r
Ψm = ∫ A(r ) ⋅ d s = ∫ A(r ) ⋅ e ϕ ds . (5.3)
C C
~
Die Kurve C beschreibt die Berandung der Fläche A und ist daher identisch zum inneren
Rand der Leiterschleife. Per Definition ist die Integrationsrichtung in Gl. (5.3) rechtshändig
r ~ r
zur Flächennormalen n von A festgelegt und zeigt in Abb. 5.7 in Richtung des Vektors eϕ .
r
ez
r
I r1 ds
r
0 r ey
~ eϕ
r A r
ex eρ
Abbildung 5.7: Kreisförmige Leiterschleife
Mit der Gl. (5.3) kann schließlich der

r r Zusammenhang zwischen der Selbstinduktivität L der
Schleife und dem Vektorpotential A(r ) hergestellt werden
Ψm 1 r r r
L= = ∫ A(r ) ⋅ d s . (5.4)
I IC
Sofern
r r von einer Leiterstruktur mit beliebiger Geometrie das magnetische Vektorpotential
A(r ) am Rand der Stromschleife als Formel bekannt ist, kann mit Gl. (5.4) die
Selbstinduktivität L der gesamten Leiterstruktur berechnet werden. Die innere
Selbstinduktivität wird nicht einbezogen. Der Integrationsweg C ist dabei nach wie vor als
rechtshändig orientierte innere Randkurve der Leiterstrukturfläche zu verstehen.
Innerhalb der Leiterbahn einer planaren
r r Spule wird der Strom I mit der anfangs formulierten
Vereinfachung r als Flächenstrom K (r ) angenommen. Zwischen dem Strom I und dem
r
Flächenstrom K (r ) besteht der folgende integrale Zusammenhang
r r r
I = ∫ K (r ) ⋅ n du . (5.5)
b
r
Das Wegelement du wird entlangr der Leiterbahnbreite b gebildet. Der Einheitsvektor n ist
r
senkrecht dazu, in Richtung von K (r ) , orientiert.
Aus den Gln. (5.4) und (5.5) folgt schließlich für die Bestimmung der Induktivität
r r
∫ ⋅ ds
A
L= r r
C
. (5.6)
∫ K ⋅ n du
b
Wenn die Spule insgesamt N solche Windungen besitzt, die alle vom gleichen Strom und
vom gleichen magnetischen Fluss durchsetzt werden, folgt für die Induktivität L ges der Spule
L ges = N 2 ⋅ L . (5.7)
Spiral- oder kreisförmige, planare Spulendesigns, wie in den Abbildungen 5.1 und 5.2
gezeigt, können für die Berechnung vereinfacht als konzentrische, einzelne kreisförmige
Leiterschleifen mit ansteigenden Radien angenommen werden. Die Anzahl der einzelnen
Schleifen entspricht der Windungszahl der Spule. Jede dieser Schleifen ist in sich geschlossen
und wird vom Spulenstrom durchflossen. Durch die verschiedenen Radien ist der magnetische
Fluss durch die einzelnen Schleifen unterschiedlich. Für die Berechnung der
Gesamtinduktivität L ges der Spule ist die Gl. (5.7) daher nur näherungsweise gültig.
Für eine exakte Berechnung der Induktivität muss die Kopplung zwischen diesen
benachbarten Stromschleifen zusätzlich berücksichtigt werden. Die Gesamtinduktivität L ges
setzt sich daher aus zwei verschiedenen Anteilen zusammen
Lges = Leig + Lkop . (5.8)
Mit Leig wird die Summe der Eigeninduktivitäten der einzelnen Leiterschleifen bezeichnet.
Wenn jede Schleife einzeln für sich betrachtet wird, kann der Beitrag zu Leig mit der Gl. (5.6)
berechnet werden. In der Größe Lkop sind alle gegenseitigen Kopplungsanteile der einzelnen
Spulen zusammengefasst.
Die Bestimmung von Lkop bzw. L ges kann allgemein mithilfe der in einer Anordnung aus n
massiven Leitern gespeicherten, magnetischen Energie Wm erfolgen. Der i -te Leiter wird von
einem Strom I i mit i = 1,2, .. n durchflossen. Mit den Induktivitätswerten Lik gilt ([alb02])
1 n n
Wm = ∑∑ I i I k Lik . (5.9)
2 i =1 k =1
Für i = k entspricht der Wert Lii der Selbstinduktivität des i -ten Leiters, während der Wert
Lik für i ≠ k die Induktivität zwischen dem i -ten und k -ten Leiter bezeichnet. Dabei gilt
allgemein Lik = Lki .
r r
Mit der räumlichen Stromdichter J i (r ) innerhalb des i -ten Leiters und dem magnetischen,
r
ortsabhängigen Vektorpotential A ik (r ) im Volumen des Leiters i infolge des Stromes I k im
Leiter k folgt
r r r r
1 n n J i (r ) A ik (r )
Wm = ∑∑ I i I k ∫∫∫ ⋅ dV . (5.10)
2 i =1 k =1 Vi
Ii Ik
Aus einem Vergleich der beiden letzten Gleichungen ergibt sich schließlich der folgende
Zusammenhang
r r r r
J i (r ) A ik (r )
Lik = ∫∫∫ ⋅ dV . (5.11)
Vi
I i I k
Nachdem die Ströme in den planaren Leiterbahnstrukturen nur flächenhaft in den

Berechnungen berücksichtigt werden, wird die Integration nicht über das Volumen Vi des
Leiters, sondern nur noch über seine Fläche Ai vorgenommen. Ai wird aus der
Leiterbahnbreite b und der Länge des Leiters gebildet.
r r r r
K i (r ) A ik (r )
Lik = ∫∫ ⋅ dA (5.12)
Ai
Ii Ik
Die gesuchte Gesamtinduktivität L ges einer planaren Spule, die vom Gleichstrom I
durchflossen wird, kann durch die zweifache Summe über die Gesamtzahl aller
Leiterschleifen gebildet werden
r r r r
n n n n
K i (r ) A ik (r ) 1 n n r r r r
L ges = ∑∑ Lik = ∑∑ ∫∫ ⋅ dA = 2 ∑∑ ∫∫ K i (r ) ⋅ A ik (r ) dA . (5.13)
i =1 k =1 i =1 k =1 Ai Ii Ik I i =1 k =1 Ai
In Hinblick auf die Gl. (5.8) ergeben die Beiträge mit i = k den Anteil Leig . Für die in Lkop
zusammengefassten Kopplungen gilt i ≠ k .
Die Berechnung der Kopplungsanteile zur Gesamtinduktivität wird weiterhin im Detail an

einer beispielhaften Anordnung aus sechs einzelnen, konzentrischen, kreisförmigen Spulen
gezeigt, die eine Lage der planaren Spule aus Abb. 5.2 als vereinfachtes Rechenmodell
darstellt. Weitere Geometriegrößen für die Formeln sind in der Schnittdarstellung des Modells
in Abb. 5.8 eingetragen.
r
Innerhalb der einzelnen, kreisförmigen
r r Spulen fließt der Strom I nur in e ϕ -Richtung. Das
magnetische Vektorpotential A(r ) kann dadurch in jeder Leiterschleife ebenfalls als nur in
r
e ϕ -Richtung orientiert angenommen werden. Gleichzeitig ist der gesamte Modellaufbau
rotationssymmetrisch. Die Problemstellung ist somit unabhängig r rvon der Koordinate ϕ .
Insgesamt kann daher für das magnetische Vektorpotential A(r ) bei der vorliegenden
Anordnung innerhalb der Leiterbahnen bei z = 0 der vereinfachte Ansatz
r r r
A(r ) = e ϕ A(ρ) (5.14)
gewählt werden.
z
Schleife i Schleife k
ρ
b a1i (Innenradius)
Δa
(Breite der Windung) (Abstand der Windungen)
a2i (Außenradius)
Abbildung 5.8: Modell einer planaren Kreisspule mit sechs Windungen
Der Strom I i innerhalb der i -ten Leiterbahn wird

r unter Vernachlässigung von Skin- und
r
Proximityeffekten als homogener Flächenstrom K i in Richtung des Vektors e ϕ
r r r Ii r I
K i = e φ K i = eφ = eφ i (5.15)
a2i − a1i b
berücksichtigt. Mit dem Ansatz für das magnetische Vektorpotential aus Gl. (5.14) und der
Gl. (5.12) für die gesuchte Induktivität folgt schließlich
r r
eφ I i eφ Aik (ρ) 1 Aik (ρ)
Lik = ∫∫ ⋅ dA = ∫∫ dA . (5.16)
Ai
bI i Ik Ai
b Ik
In Hinblick auf die vorliegende kreisförmige Struktur gilt mit dA = ρdφdρ weiterhin
1 Aik (ρ ) Aik (ρ)

2π
2π
a2 i a2 i
Lik = ∫ ∫
ρ = a1i φ = 0
b Ik
ρdφdρ =
b ∫
ρ = a1i
Ik
ρdρ . (5.17)
Eingesetzt in Gl. (5.13) ergibt sich schließlich die Gesamtinduktivität L ges der planaren Spule
mit sechs Windungen
2π
6 6 6 6 a2 i
Lges = ∑∑ Lik =
i =1 k =1 Ib
∑∑ ∫ A (ρ )ρdρ .
i =1 k =1 ρ =a1i
ik (5.18)
5.2.2 Selbst- und Gegeninduktivitäten planarer Transformatoren
Ein Transformator kann in Hinblick auf seine magnetischen Eigenschaften durch die Selbst-
bzw. Eigeninduktivitäten der einzelnen Wicklungen und die Kopplungen zwischen den
verschiedenen Spulen beschrieben werden. Die Berechnung der unterschiedlichen
Induktivitätswerte wird mithilfe der Gl. (5.13) durchgeführt.
Für die Berechnung der Eigeninduktivität einer Wicklung werden alle weiteren Wicklungen
des Transformators als stromlos angenommen. Der Eigeninduktivitätswert kann dann mit den
Formeln für planare Spulen aus dem vorangegangenen Unterkapitel berechnet werden. Die
benachbarten Kupferbahnen der anderen Wicklungen haben durch die sehr kleinen
Abmessungen einen vernachlässigbaren Einfluss auf das Ergebnis.
Die Kopplung zwischen den einzelnen Wicklungen wird als Gegeninduktivität M
bezeichnet. Die Berechnung erfolgt aus dem gesamten magnetischen Vektorpotential entlang
der einzelnen Leiterschleifen der Wicklung und dem dieses Vektorpotential verursachenden
Strom in einer weiteren Wicklung. Die Doppelsumme in Gl. (5.13) wird folglich über zwei
Wicklungen unter Berücksichtigung der Indizes ausgeführt.
5.2.3 Ohmscher Widerstand induktiver Komponenten
Allgemein kann der Widerstand einer induktiven Komponente mit der Gl. (2.1) berechnet
werden. Mithilfe verschiedener Zusammenhänge ist die Bestimmung des Widerstands auch r r
aus dem magnetischen Vektorpotential möglich. Wird das magnetische Vektorpotential A(r )
für die anschließenden Berechnungen als quellenfrei
r r angenommen (als Coulomb-Eichung
bezeichnet), dann gilt zum elektrischen Feld E(r ) der folgende Zusammenhang (vgl. [alb03])
r r r r
E(r ) = − jω A(r ) . (5.19)
r r r r
Innerhalb eines Leiters folgt mit J (r ) = κ E(r ) für die ohmsche Verlustleistung Pv
{ }
1 r r r r* 1 r r 2 !
1 1
Pv = ∫∫∫ E(r ) ⋅ J (r ) dV = κ ∫∫∫ − j ω A (r ) dV = Re uˆ ⋅ iˆ * = R iˆ 2
. (5.20)
2 2 2 2
Die Größe û bezeichnet dabei die Spannung am Bauteil. Wird die Gleichung nach dem
gesuchten Widerstand R umgestellt und dabei der Strom iˆ durch die Stromdichte unter
Berücksichtigung der Gl. (5.19) ausgedrückt, ergibt sich
r r r r r r 2
κω 2 ∫∫∫ A(r ) dV κω 2 ∫∫∫ A(r ) dV ∫∫∫ (r ) dV .
2 2
( 5.19 ) A1
R= = r r r 2 = r r r 2 (5.21)
iˆ
2
( ) ⋅ κ ( ) ⋅
∫∫ κ E r d A ∫∫ A r dA
Mit dieser Formel können auch ortsabhängige, nicht homogene Stromverteilungen in den
Leiterbahnen, die sich beispielsweise durch äußere Magnetfelder ergeben, bei der
Widerstandsberechnung verschiedener Anordnungen berücksichtigt werden. Eine Berechnung
im Gleichstromfall ist auf diese Weise allerdings nicht möglich.
5.3 Bestimmung des magnetischen Vektorpotentials
Die Gleichungen für die Induktivitätswerte der planaren, magnetischen Komponenten wurden r r
im letzten Unterkapitel mit dem noch unbekannten magnetischen Vektorpotential A(r, t )
formuliert. Für einen gegebenen Strom beschreibt das Potential die vektorielle Verteilung des
magnetischen Feldes abhängig von der Geometrie r r und
r r den Materialparametern
r r r r des
umgebenden Raumes. Mit den Gleichungen r r B(r, t ) = rot A(r , t ) und B(r, t ) = μ H(r, t ) kann
aus
r r dem magnetischen Vektorpotentialr r A(r,t ) die entsprechende magnetische Flussdichte
B(r , t ) und magnetische Feldstärke H (r, t ) berechnet werden.
r r
Für die Bestimmung des magnetischen Vektorpotentials A(r, t ) existieren mehrere
Lösungsmethoden, die sich jeweils durch verschiedene Vor- und Nachteile bezüglich der
Berechnung unterscheiden. Neben zwei analytischen Verfahren wird in den nächsten
Unterkapiteln auch eine Finite Elemente Methode näher beschrieben.
Alle Berechnungen werden an einem stark vereinfachten Modell des Multilayers aus Abb. 2.2
durchgeführt. In Abb. 5.9 wird dazu beispielhaft eine Anordnung mit einer spiralförmigen
Spule untersucht, bei der ein magnetischer Kern durch zwei permeable Schichten definierter
Dicke in einem festen Abstand realisiert wird. Nicht notwendigerweise muss b2 = b5 oder
d 2 = d 5 gelten. Das Modell wird in ρ -Richtung als unendlich ausgedehnt angenommen.
Nachdem alle weiteren, nicht permeablen Schichten des Multilayers nur einen geringen
Einfluss auf die magnetische Feldverteilung haben, lassen sich die Ergebnisse der
Modellanordnung auf den realen Multilayer übertragen. Die dabei auftretenden
Ungenauigkeiten sind im Allgemeinen vernachlässigbar klein. Mit den Formeln aus Kapitel
5.2 werden die Rechenergebnisse zusammen mit verschiedenen Messergebnissen in den
Kapiteln 5.4 bis 5.6 dargestellt.
z
μ0 = 0 b2 + d 2
μ2 ≠ μ0 d2
μ0 = 0 b2
iˆ ρ
planare Spule – 6 Windungen
μ0 = 0 − b5
μ5 ≠ μ 0 d5
μ0 = 0 − (b5 + d 5 )
Abbildung 5.9: Modell eines Multilayer-Aufbaus mit einer planaren Spule
Querverweise auf Abbildungen und Gleichungen, die in der Nummerierung mit A oder B
beginnen, sind in Anhang A bzw. B zu finden.
5.3.1 Methode der Spiegelströme
Als Veranschaulichung der analytischen Methode der Spiegelströme wird r

zunächst die
Situation in Abb. 5.10 betrachtet. Eine dreidimensionale Stromverteilung J (x, y, z ) befindet
sich im Halbraum z > 0 . Die beiden Halbräume der Anordnung besitzen unterschiedliche
Permeabilitäten. Ziel ist es nun, eine geeignete Ersatzanordnung von Strömen zu finden, mit
deren Hilfe der Einfluss der permeablen Halbebene auf die magnetische Feldverteilung
berücksichtigt werden kann. Dabei ist jedoch zu beachten, dass die Ersatzströme nicht im
betrachteten Gebiet eingeführt werden dürfen. Es treten ansonsten Polstellen bei den
gesuchten Feldgrößen auf, die bei der Ausgangsanordnung nicht vorhanden sind.
z
r
J
μ0
0
μ1
Abbildung 5.10: Stromverteilung über einem permeablen Halbraum [alb03]
In Abb. 5.11 sind entsprechende Ersatzanordnungen dargestellt. Die links abgebildete

Anordnung kann zur Berechnung der gesuchten magnetischen Feldgrößen im Bereich z > 0
der Anordnung verwendet werden. Der Einfluss des unteren permeablen r
Halbraumes wird
durch einen zusätzlichen Strom im unteren Halbraum mit dem Wert ηJ erfasst. Dieser Strom
ist von der Ebene z = 0 genau so weit entfernt, wie der ursprüngliche Strom auf der anderen
Seite und wird daher als Spiegelstrom bezeichnet.
z z
r r
J (1 + η ) J
r
μ0 B0 μ0
r r
H 0 = B 0 / μ0
r
0 0 r r B1
μ0 H1 = B1 / μ1
μ0 μ −μ
r η= 1 0
ηJ μ1 + μ0
Abbildung 5.11: Ersatzanordnung für den unteren und oberen Halbraum [alb03]
Für die Berechnung der Feldgrößen im Bereich z < 0 wird die ursprünglich vorliegende
Stromverteilung mit dem Faktor (1 + η ) multipliziert. Nachdem der Einfluss des unteren
permeablen Halbraumes durch entsprechende zusätzliche Spiegelströme erfasst wurde, haben
nun beide Halbräume die gleiche Permeabilität. Für die Feldberechnung wird dann in jedem
Punkt der Einfluss des betreffenden Spiegelstromes überlagert.
Beide Ersatzanordnungen wurden durch Auswertung der geltenden Feldgleichungen und den
vorliegenden Randbedingungen für die magnetischen Feldgrößen in der Trennebene ermittelt
(vgl. [alb03]).
5.3.1.1 Übersicht über die Einzelschritte der Herleitung
Die Herleitung und Formulierung der Spiegelgesetze für den Multilayer-Aufbau geschieht
unter Verwendung verschiedener Zwischenschritte. Vor der eigentlichen Durchführung wird
hier zum Verständnis eine Übersicht der Einzelschritte gegeben.
1. (Kapitel 5.3.1.2) Zunächst werden weitere Vereinfachungen an dem Modell aus

Abb. 5.9 vorgenommen, um den Rechenaufwand für die Herleitung zu reduzieren.
2. (Kapitel 5.3.1.3) Das magnetische Vektorpotential wird vorerst für einen Strombelag
in der Ebene z = 0 ohne permeable Schichten unter- oder oberhalb berechnet. Der
Strombelag wird in der Form einer Eigenschwingung des Systems angenommen,
sodass die Berechnung der Lösungsfunktionen mithilfe einer Orthogonalentwicklung
r r
einfach ist. Das Vektorpotential wird als erregendes Potential A er (r ) bezeichnet.
3. (Kapitel 5.3.1.4) Die Auswirkung
r rder permeablen Schicht aus Abb. 5.13 auf das
magnetische Vektorpotential A er (r )r wird durch die additive Überlagerung eines
r
bereichsabhängigen Störpotentials A st (r ) erfasst. Für den oberen Halbraum der
Anordnung ergeben sich drei beschreibende Vektorpotentiale für die einzelnen
Teilräume. Neben dem Feld des erregenden Strombelags wird nun auch der Einfluss
der permeablen Schicht berücksichtigt.
4. (Kapitel 5.3.1.5) Der Strombelag wird durch einen y -gerichteten, unendlich langen
Linienstrom I entlang der y -Achse, d.h. an der Stelle x = z = 0 , ersetzt. Um die
Ergebnisse der bisherigen Lösungen zu übertragen, wird der Linienstrom ebenfalls
durch eine Orthogonalentwicklung in x -Richtung beschrieben. Dazu werden zwei
hochpermeable Platten, die sich in x -Richtung jeweils im Abstand a zum
Linienleiter befinden, eingeführt (vgl. Abb. 5.14).
5. (Kapitel 5.3.1.6) Nach der erfolgreichen Orthogonalentwicklung in x -Richtung wird
in einem weiteren Schritt für den Abstand a der Grenzübergang a → ∞ ausgeführt.
Der Einfluss der zusätzlich eingeführten, hochpermeablen Berandung verschwindet
dadurch wieder. Der Linienstrom selbst wird dann als in der Ebene z = 0
befindlicher, y -gerichteter Strombelag interpretiert, der für x ≠ 0 den Wert Null
besitzt. Eine Integration über die Koordinate x in den Grenzen von x = −0 bis
x = +0 ergibt den Wert I des Linienstroms.
6. (Kapitel 5.3.1.7) Die bisherigen Ergebnisse werden mithilfe der geometrischen Reihe
in eine Form mit einzelnen Summanden umgewandelt. Aus einem Vergleich mit der
Formel für das magnetische Feld eines einzelnen Linienstromes kann für die drei
Teilbereiche eine äquivalente Lösung mit einer Summe von Strömen abgeleitet
werden. Diese Ströme sind entlang der z -Achse angeordnet. Nachdem diese
Linienströme vergleichbar zu den zusätzlichen Strömen in Abb. 5.11 den Einfluss
der permeablen Schicht beschreiben, werden sie ebenfalls als Spiegelströme
bezeichnet.
7. (Kapitel A.1) Die gefundenen Formeln beschreiben die vorliegende Feldverteilung
innerhalb der Anordnung richtig, wenn sowohl die Feldgleichung, als auch alle
Randbedingungen in den Trennebenen erfüllt werden. Zur Überprüfung der
durchgeführten Rechenoperationen werden die Lösungen daher in die
entsprechenden Bedingungen eingesetzt.
8. (Kapitel 5.3.1.8) In den gefundenen Ergebnissen werden nun die Linienströme durch
magnetische Dipole ersetzt. Ein magnetischer Dipol eignet sich bereits
näherungsweise für die Beschreibung planarer Spulen.
9. (Kapitel A.2) Die Richtigkeit der gefundenen Ergebnisse wird wieder verifiziert,
indem die resultierenden Ausdrücke aus dem achten Schritt in die vorliegende
Feldgleichung und die geltenden Randbedingungen eingesetzt werden.
10. (Kapitel 5.3.1.9) Die Schritte zwei bis neun werden nun in komprimierter Form
erneut für eine Anordnung mit einer permeablen Schicht ober- und unterhalb des
magnetischen Dipols durchgeführt. Für die Rechnung wird einschränkend
angenommen, dass die beiden magnetischen Lagen den gleichen Abstand zur Ebene
z = 0 , sowie die gleiche Permeabilität und Dicke besitzen.
11. (Kapitel 5.3.1.10) In einem abschließenden Schritt werden die bisher gefundenen
Gleichungen für einen magnetischen Dipol im Ursprung auf eine Anordnung mit
einer kreisförmigen bzw. rechteckigen Leiterschleife übertragen. Damit ist
schließlich eine Berechnung der Feldverteilung für die in Abb. 5.9 vorliegende
Situation möglich.
5.3.1.2 Vereinfachte Modellanordnungen des Multilayers
Für die bisher vorgestellten Spiegelgesetze ist es notwendig, dass die Stromverteilung einem
kompletten permeablen Halbraum gegenüber steht. Das Multilayer-Rechenmodell aus
Abb. 5.9 zeigt dagegen nur dünne Schichten permeablen Materials, die nicht als Halbräume
interpretiert werden können. Die Ersatzanordnungen aus Abb. 5.11 müssen daher durch eine
zusätzliche Auswertung der entsprechenden Randbedingungen an den weiteren Grenzflächen
modifiziert werden.
Nachdem bei der Methode der Spiegelströme die Gleichungen und Spiegelanordnungen für
umfangreichere Modelle sehr komplex werden, wird das Rechenmodell aus Abb. 5.9 zunächst
noch weiter vereinfacht. Die so gewonnenen Ergebnisse werden am Ende wieder auf das
Ausgangsmodell übertragen.
Zunächst wird eine Anordnung mit einer permeablen Schicht der Dicke d 2 im Abstand b2
über der Spule betrachtet. Von der Wicklung selbst wird nur eine Windung berücksichtigt.
Nachdem diese kreisförmige Windung als klein im Vergleich zu den restlichen rAbmessungen
r
angenommen wird, kann sie zunächst als punktförmiger, magnetischer Dipol M = e z M z mit
dem Dipolmoment M z = I ⋅ A′ in den weiteren Berechnungen berücksichtigt werden. A′
bezeichnet dabei die Fläche der Leiterschleife, in welcher der Strom I fließt. Zur
Veranschaulichung genügt eine Auswertung in zwei Dimensionen, weshalb zur Beschreibung
des Problems die xz -Ebene eines kartesischen Koordinatensystems verwendet wird.
Abb. 5.12 zeigt diese vereinfachte Modellanordnung des Multilayers mit einem magnetischen
Dipol im Koordinatenursprung.
z
μ0 b2 + d 2
μ2 ≠ μ0 d2
μ0 b2
r
ez M z
0 x
Abbildung 5.12: Vereinfachtes Modell des Multilayers
Um nun zu den für das Problem richtigen Spiegelanordnungen zu gelangen, reicht es

grundsätzlich aus, die beschreibende Feldgleichung (Laplace-Gleichung [alb02])
∂2 A ∂2 A ∂2 A
ΔA = + + =0 (5.22)
∂ x 2 ∂ y2 ∂ z2
zu lösen und die Ansätze für das magnetische Vektorpotential A mit den Gleichungen für die
Randbedingungen an das vorliegende Problem anzupassen.
z
μ0 b2 + d 2
μ 2 ≠ μ0 d2
μ0 b2
r r ⎛ x⎞
r K = e y K 0 cos ⎜ π ⎟
ey ⎝ a⎠
0 a x
Abbildung 5.13: Weiter vereinfachtes Modell des Multilayers

Die Problemstellung an sich führt nach wie vor zu einer sehr komplexen Rechenaufgabe,
sodass für die Lösung ein Umweg über eine weitere Ersatzanordnung gewählt wird. Im
homogenen Raum der Permeabilität μ 0 befindet sich in der Ebene z = 0 ein mit der Periode
2a örtlich kosinusförmig verteilter, y -gerichteter Strombelag
r r ⎛ x⎞
K = e y K 0 cos ⎜ π ⎟ . (5.23)
⎝ a⎠
Im Abstand z = b2 zu dem Strombelag befindet sich eine permeable Platte der Dicke d 2 mit
der Permeabilität μ 2 (siehe Abb. 5.13).
5.3.1.3 Erregendes Vektorpotential im gesamten Raum
Zunächst wird das magnetische Vektorpotential für die Anordnung nach Abb. 5.13 im
gesamten Raum berechnet, jedoch noch ohne Berücksichtigung r der permeablen Schicht. Das
r
so bestimmte Potential wird als erregendes Vektorpotential A er (r ) bezeichnet. Nachdem der
Strombelag aus Gl. (5.23) nur eine y -Komponente besitzt, wird für das gesuchte
Vektorpotential der folgende Ansatz verwendet
r r r
A er (r ) = e y Aer (x, z ) . (5.24)
Die Laplace-Gleichung aus Gl. (5.22) vereinfacht sich dann zu
∂ 2 Aer ∂ 2 Aer
ΔAer = + =0 . (5.25)
∂ x2 ∂ z2
Für die vollständige Formulierung des hier vorliegenden Randwertproblems sind zusätzlich
die folgenden Gleichungen für die Randbedingungen notwendig:
• Bz, er muss stetig sein bei z = 0 (5.26)
⎛ x⎞
• H x, er (z = +0) − H x, er (z = −0 ) = K 0 cos ⎜ π ⎟ (5.27)
⎝ a⎠
• H er muss für z → ∞ gegen Null streben (5.28)
Aus der Beziehung

r r
[ ] r ∂A r ∂A
B = rot e y A(x, z ) = − e x
∂z
+ ez
∂x
(5.29)
folgt für die einzelnen Komponenten der Flussdichte
∂A ∂A
Bx = − und Bz = . (5.30)
∂z ∂x
Aus einem Vergleich der Gln. (5.27) und (5.30) ist ersichtlich, dass das Vektorpotential die
gleiche x -Abhängigkeit wie der gegebene Strombelag besitzt. Es gelten daher für den oberen
und den unteren Teilraum die Ansätze
z
⎛ x ⎞ −π
Aer ,o = C ⋅ cos ⎜ π ⎟ ⋅ e a für z>0 (5.31)
⎝ a⎠
z
⎛ x⎞ π
Aer ,u = D ⋅ cos ⎜ π ⎟ ⋅ e a für z<0 (5.32)
⎝ a⎠
mit den unbekannten Konstanten C und D. Diese Ansätze erfüllen bereits die Feldgleichung
(5.25), sowie die Forderung (5.28). Aus den Gln. (5.26) und (5.30) folgt schließlich C = D .
Aus der verbleibenden Randbedingung in Gl. (5.27) kann die Konstante C zu
1 ∂ 1 2π
⎛ x⎞
= K 0 cos ⎜ π ⎟ = −
H x, er , o − H x, er ,u [ Aer ,o − Aer ,u ] = C
⎛ x⎞
cos ⎜ π ⎟
z =0
⎝ a⎠ μ0 ∂z z =0
μ0 a ⎝ a ⎠ (5.33)
a
→ C = μ0 K 0
2π
r r
bestimmt werden. Für das gesuchte, erregende Vektorpotential A er = e y Aer gilt
π
a ⎛ x⎞ − z
Aer = μ0 K 0 ⋅ cos ⎜ π ⎟ ⋅ e a . (5.34)
2π ⎝ a⎠
Das Potential klingt exponentiell in Richtung ± z mit dem Eigenwert π / a ab. Dies wird
durch die Erregung mit dem gegebenen Strombelag verursacht, der in der vorliegenden Form
einer Eigenfunktion des Systems entspricht.
5.3.1.4 Überlagerung von Störpotentialen
Infolge der permeablen Platte werden zusätzliche Störanteile beim Vektorpotential

hervorgerufen, die allgemein die gleiche x -Abhängigkeit wie das erregende Potential
aufweisen. Diese Anteile werden ebenfalls exponentiell von den beiden Randpositionen der
permeablen Platte abklingen. Es wird daher ein Ansatz für das gesamte magnetische
Vektorpotential aufgestellt, der ausgehend von Gl. (5.34) um zwei Störpotentiale erweitert
wird
π π π
a ⎛ x⎞ ⎡ − z − z-b2 − z-(b2 + d 2 ) ⎤
Ages = μ0 K 0 ⋅ cos ⎜ π ⎟ ⋅ ⎢e a + D e a + Ee a ⎥ . (5.35)
2π ⎝ a⎠ ⎣ ⎦
Die beiden unbekannten Koeffizienten der Lösung werden durch die Gleichungen für die
Randbedingungen bestimmt:
∂Ages
• Bz, ges = muss stetig sein bei z = b2 (5.36)
∂x
∂Ages
• Bz, ges = muss stetig sein bei z = b2 + d 2 (5.37)
∂x
1 ∂A 1 ∂A
• H x z =b = H x z =b → = (5.38)
2 −0 2 +0
μ0 ∂ z z=b −0 μ 2 ∂ z z=b +0
2 2
1 ∂A 1 ∂A
• H x z =b = H x z =b → = (5.39)
2 + d 2 −0 2 +d +0
μ2 ∂ z z =b 2 + d 2 −0
μ0 ∂ z z = b 2 +d2 +0
Die Forderungen in den Gln. (5.36) und (5.37) werden durch den Ansatz aus Gl. (5.35) bereits
erfüllt. Aus den Bedingungen (5.38) und (5.39) können die noch unbekannten Konstanten D
und E bestimmt werden. Mit der Abkürzung
η = (μ 2 − μ 0 ) (μ 2 + μ 0 ) (5.40)
folgt schließlich
⎛ ⎞ π π
⎜ η 2 +η ⎟ − a b2 η 2 +η − (b2 −d 2 )
D = η ⎜1 − 2π ⎟e und E= 2π
e a
. (5.41)
⎜ η 2 − e a d2 ⎟ η −e
2
d2
⎝ ⎠
a
r r
Für das resultierende Vektorpotential A ges = e y Ages ergeben sich mit
a ⎛ x⎞
A′ = μ0 K 0 ⋅ cos ⎜ π ⎟ (5.42)
2π ⎝ a⎠
folgende Gleichungen in den einzelnen Bereichen:

Oberhalb der permeablen Platte ( z ≥ b2 + d 2 )
⎡ π ⎛ ⎞ π π ⎤
⎢ − z ⎜ η 2 +η ⎟ −az η 2 +η − ( z −2 d 2 )
⎥
Ages = A′ ⋅ e a
+ η ⎜1 − ⎟ e + e a
(5.43)
⎢ 2π 2π ⎥
⎜ d2
⎟ d2
⎢⎣ ⎝ η −e η2 − e a ⎥⎦
2
⎠
a
Innerhalb der permeablen Platte ( b2 ≤ z ≤ b2 + d 2 )
⎡ π ⎛ ⎞ π π ⎤
⎢ − z ⎜ η 2 +η ⎟ −az η 2 +η − ( −z + 2 b2 )
⎥
Ages ′
=A ⋅ e a
+ η ⎜1 − ⎟ e + e a (5.44)
⎢ 2π 2π ⎥
⎜ d2
⎟ d2
⎢⎣ ⎝ η −e η − ⎥⎦
2 2
a
⎠ e a
Unterhalb der permeablen Platte ( z ≤ b2 )
⎡ π ⎛ ⎞ π π ⎤
⎢ − z ⎜ η 2 +η ⎟ − a (−z+2b2 ) η 2 +η − ( −z + 2 b2 )
⎥
Ages = A′ ⋅ e a
+ η ⎜1 − ⎟e + e a
(5.46)
⎢ 2π 2π ⎥
⎢⎣ ⎜ η 2 − e a d2 ⎟ η 2
− e
d2
⎥⎦
⎝ ⎠
a
5.3.1.5 Vektorpotentiale für einen y-gerichteten Linienstrom
Ausgehend von den bisherigen Ergebnissen wird nun das Vektorpotential im gesamten Raum
berechnet, wenn anstelle des Strombelages in der Ebene z = 0 ein y -gerichteter Linienstrom
mit dem Wert I entlang der y -Achse angebracht ist. Der unendlich lange Linienstrom liegt
folglich entsprechend Abb. 5.14 an der Stelle x = z = 0 .
z
μ→∞ μ0 μ→∞
−a a x
I
Abbildung 5.14: Linienstrom im Koordinatenursprung mit permeabler Berandung
Bei den bisherigen Teilaufgaben war ein erregender Strombelag in der Ebene z = 0
vorgegeben, dessen x -Abhängigkeit durch eine Orthogonal- bzw. Eigenfunktion des Systems
beschrieben werden konnte. Um diese Lösungen übernehmen zu können, muss für den
Linienstrom auch eine Beschreibung durch Orthogonalfunktionen in x -Richtung erfolgen.
Die Darstellung erfolgt durch eine Orthogonalentwicklung in x -Richtung, die in [alb04]
ausführlich behandelt wird.
Nachdem eine Orthogonalentwicklung nur innerhalb eines zweiseitig begrenzten Gebietes
durchführbar ist, werden relativ zum Linienstrom zwei hochpermeable Wände jeweils im
Abstand a angeordnet. Der Linienstrom selbst wird als ein in der Ebene z = 0 befindlicher,
y -gerichteter Strombelag interpretiert. Für x ≠ 0 besitzt er den Wert Null, sodass eine
Integration über die Koordinate x in den Grenzen von x = −0 bis x = +0 den Strom I
ergibt. Für das Randwertproblem gilt wieder die Laplace-Gleichung aus Gl. (5.25)
∂ 2 Aer ∂ 2 Aer
ΔAer = + =0 . (5.47)
∂ x2 ∂ z2
Die zur vollständigen Beschreibung ebenfalls notwendigen Randbedingungen sind durch die
folgenden Gleichungen gegeben:
• Bz, er muss stetig sein bei z = 0 (5.48)
• H x, er (z = +0 ) − H x, er (z = −0) = K y (x ) (5.49)
• H er muss für z → ∞ gegen Null streben (5.50)
• Bz = 0 x =± a (5.51)
Der gegebene Strombelag ist symmetrisch bezüglich dem Punkt x = 0 , sodass auch das
Vektorpotential eine entsprechende Symmetrie aufweisen muss. Es gilt daher der Ansatz
Aer (x, z ) = μ 0 ∑ C p ⋅ cos px ⋅ e

−p z
(5.52)
p
mit den zunächst noch unbekannten Eigenwerten p. Dieser Ansatz erfüllt bereits die
Feldgleichung (5.47), sowie die Randbedingungen (5.48) und (5.50). Unter Berücksichtigung
der Gl. (5.30) können die beiden Komponenten der Flussdichte berechnet werden
∂A >0
= ± μ 0 ∑ pC p ⋅ cos px ⋅ e
−p z
Bx = − für z< (5.53)
∂z p
∂A
= − μ 0 ∑ pC p ⋅ sin px ⋅ e
−p z
Bz = . (5.54)
∂x p
Die Gl. (5.54) wird nun in die Bedingung (5.51) eingesetzt, wodurch die Bestimmung der
gesuchten Eigenwerte möglich ist
nπ
sin pa = 0 → p= mit n = 0,1,2,... . (5.55)
a
Der Eigenwert für den Wert n = 0 liefert einen konstanten, von x unabhängigen Anteil des
Vektorpotentials. Bei der noch ausstehenden Bildung des Grenzübergangs a → ∞ im
nächsten Unterkapitel wird dieser Mittelwert verschwinden. Der Eigenwert für n = 0 wird
daher in den weiteren Rechnungen nicht berücksichtigt. Für die verbleibenden unbekannten
Konstanten C p werden aus der Randbedingung (5.49) zunächst die Konstanten C n bestimmt
∞
nπ nπ
H x, er (x,+0) − H x, er (x,−0) = K y (x ) → 2 ∑ Cn cos x = K y (x ) . (5.56)
n =1 a a
Die weitere Auflösung erfolgt mithilfe einer Orthogonalentwicklung in x -Richtung. Dazu

wird die vorliegende Gleichung beidseitig mit einer Orthogonalfunktion erweitert und
anschließend innerhalb der Bereichsgrenzen des vorliegenden Problems über die Koordinate
x integriert
nπ nπ mπ mπ
∞ a a 0
2 ∑ Cn ∫−acos a x cos a x dx = ∫ K y (x ) cos x dx = ∫ K (x ) dx
y
n =1 a −a
123 a −0
1444424444 3 0 für x ≠0 142
4 43
4
0 für m≠ n I (5.57)
a für m=n
I
→ Cn = .
2nπ
r r
Mit der Gl. (5.55) folgt schließlich für das erregende Vektorpotential A ges = e y Ages (x, z ) im
gesamten Raum
nπ
μ0 I ∞ 1 nπ − μ0 I 1 −p z π
Aer (x, z ) =
z
∑
2π n =1 n
⋅ cos
a
x ⋅e a
= ∑
2π p p
⋅ cos px ⋅ e ⋅ .
a
(5.58)
5.3.1.6 Durchführung des Grenzübergangs
Der Zusammenhang zwischen der ursprünglich vorliegenden Anordnung und den im letzten
Unterkapitel gewonnenen Ergebnissen kann durch eine Minimierung des Einflusses der
permeablen Berandung hergestellt werden. Dazu wird die Berandung ins Unendliche
verschoben. Aus mathematischer Sicht muss dann der Grenzübergang a → ∞ gebildet
werden.
Für die Eigenwerte p wird mit Δp die Differenz zwischen zwei benachbarten Eigenwerten
eingeführt
Δp=
(n + 1)π −
nπ π
= . (5.59)
a a a
Die Gl. (5.59) wird nun zuerst unter Berücksichtigung der Gl. (5.55) in Gl. (5.58) eingesetzt
μ0 I 1
Aer (x, z ) = ∑ −p z
⋅ cos px ⋅ e ⋅Δ p (5.60)
2π p p
und anschließend wird der Grenzübergang a → ∞ gebildet, wobei die Summe in eine
Integration mit dem Differential dp = d ξ übergeht
∞
μ0 I 1 μ I 1
lim Aer (x, z ) = lim ∑ ⋅ cos px ⋅ e ⋅ Δ p = 0 ∫ ⋅ cos ξ x ⋅ e
−p z −ξ z
dξ . (5.61)
a→∞ 2π p →0
p p 2π 0 ξ
Für das erregende Potential eines einzelnen Linienleiters gilt also

∞
μ I 1
Aer (x, z ) = 0 ∫ ξ ⋅ cos ξ x ⋅ e
−ξ z
dξ . (5.61)
2π 0
Der Ansatz für das gesamte Vektorpotential unter Berücksichtigung einer permeablen Platte
der Dicke d 2 an der Stelle z = b2 kann analog zur Gl. (5.35) aufgestellt werden
∫ ξ ⋅ cos ξ x ⋅ [e ]d ξ .
∞
μ0 I 1
Ages (x, z ) =
−ξ z − ξ z-b2 − ξ z-(b2 + d 2 )
+ De + Ee (5.62)
2π 0
Die Konstanten D und E wurden bereits in Gl. (5.41) für die gleiche geometrische
Anordnung bestimmt. In den unterschiedlichen Teilbereichen beschreiben die folgenden
Ergebnisse das magnetische Vektorpotential:
μ0 I ∞
1 ⎡ −ξ z ⎛ η 2 +η ⎞ −ξ z η 2 +η ⎤
Ages = ∫0 ξ ⋅ cos ξ x ⋅ ⎢ e + η ⎜ 1 −
⎜ η 2 − e 2 d2 ξ ⎟⎟ e + 2 2 d2 ξ e − ξ (z−2 d 2 ) ⎥ d ξ
2π ⎣ ⎝ ⎠ η −e ⎦ (5.63)
∞
μ I 1 1 −η 2
∫ ξ ⋅ cos ξ x ⋅ e
−ξ z
= 0 dξ
2π 0
1 − η 2 e −2 d 2 ξ
μ0 I ∞ 1 ⎡ −ξ z ⎛ η 2 +η ⎞ −ξ z η2 +η − ξ ( − z + 2 b2 )
⎤
2π ∫0 ξ
Ages = ⋅ cos ξ x ⋅ ⎢ e + η ⎜ 1 −
⎜ η 2 − e2d ξ ⎟⎟ e + 2 e ⎥ dξ
⎣ ⎝
2
⎠ η − e2d 2 ξ ⎦
μ0 I ∞ 1 1+η
= ∫
2π 0 ξ
⋅ cos ξ x ⋅ 2
η − e2d 2 ξ
(− e − ξ (z − 2 d 2 )
)
+ η e − ξ ( − z + 2 b2 ) d ξ
(5.64)
μ I
∞
1 ⎡ −ξ z ⎛ η 2 +η ⎞ − ξ (−z+2b2 ) η 2 +η ⎤
Ages = 0 ∫0 ξ ⋅ cos ξ x ⋅ ⎢ e + η ⎜ 1 −
⎜ η 2 − e 2 d2 ξ ⎟⎟ e + 2 2 d2 ξ e − ξ (−z+2b2 ) ⎥ d ξ
2π ⎣ ⎝ ⎠ η −e ⎦
μ I ∞
1 ⎡ −ξ z ⎛ η 2 −1 ⎞ − ξ (−z+2b2 ) ⎤
= 0
2π ∫0 ξ ⋅ cos ξ x ⋅ ⎢
⎣
e + η ⎜ 1 −
⎜ η 2 − e 2 d2 ξ
⎝
⎟⎟ e
⎠
⎥ dξ
⎦
(5.65)
5.3.1.7 Bestimmung der Spiegelströme
Der Ausgangspunkt für die Ableitung der Koordinaten und Größen der gesuchten
Spiegelströme ist die Entwicklung der geometrischen Reihe nach [bro01]
∞
1
= ∑qk für q <1 . (5.66)
1 − q k =0
Damit lässt sich die Gl. (5.63) auch in der folgenden Form
∞
μ I 1 1 −η 2
Ages = 0
2π ∫ξ
0
⋅ cos ξ x ⋅ e − ξ z
1 − η 2 e −2 d 2 ξ
dξ
∞
(5.67)
μ I ⎡
( )∑ (η )
⎤
∞
1 − ξ ( z + 2 kd 2 )
= 0 ∫0 ξ ⋅ cos ξ x ⋅ ⎢⎣ 1 − η ⎥ dξ
2 2k
e
2π k =0 ⎦
darstellen. Diese Gleichung kann nun mit dem Vektorpotential für einen einzelnen
Linienleiter aus Gl. (5.61) verglichen werden. Der Ausdruck in der eckigen Klammer
beschreibt demnach die Positionen und die Werte aller Spiegelströme, die für die Berechnung
des Vektorpotentials oberhalb der Platte z ≥ b2 + d 2 benötigt werden. Allgemein folgt, dass
der Strom I k an der Stelle x k = 0 , z k = −2kd 2 liegt und den Wert
( )
I k = 1 −η 2 η 2k I (5.68)
aufweist. Die Spiegelanordnung für die Bestimmung des magnetischen Vektorpotentials im

oberen Halbraum ist in Abb. 5.15 skizziert. An einem beliebigen Punkt mit z ≥ b2 + d 2 wird
das Vektorpotential aus einer Überlagerung der Beiträge aller Spiegelströme gebildet. Der
gesamte Raum weist nun die homogene Permeabilität μ0 auf.
z
A(x, z )
μ0
μ0 d2
μ0
0 I0 x
− 2d 2 I1
z k = − 2kd 2
− 4d 2 I2
I k = (1 − η 2 )η 2 k I
− 6d 2 I3
Abbildung 5.15: Ersatzanordnung für den Bereich oberhalb der permeablen Platte
Im nächsten Schritt erfolgt die Herleitung der Ersatzanordnung zur Berechnung des
Vektorpotentials innerhalb der Platte. Ausgangspunkt ist die Gl. (5.64), die mithilfe der
geometrischen Reihe in der folgenden Form dargestellt werden kann
μ0 I ∞ 1 1+η
Ages = ∫
2π 0 ξ
⋅ cos ξ x ⋅ 2
η − e2d 2 ξ
(− e − ξ (z − 2 d 2 )
)
+ η e − ξ ( − z + 2 b2 ) d ξ
μ0 I ∞ 1 1+η
= ∫
2π 0 ξ
⋅ cos ξ x ⋅
1 − η 2 e− 2d 2 ξ
(e −ξ z
)
− η e − ξ ( − z + 2 b2 + 2 d 2 ) d ξ (5.69)
μ0 I ∞ 1
⎢∑ (η e ) ⎤⎥ d ξ .
⎡ ∞ 2 k − ξ (z + 2 kd ) 2 k +1 − ξ (− z + 2b
( ) + 2 d 2 + 2 kd 2 )
2π ∫0 ξ
= ⋅ cos ξ x ⋅ 1 + η −η e 2 2
⎣k =0 ⎦
Ein hier ebenfalls durchgeführter Vergleich mit der Beziehung (5.61) zeigt, dass zwei Reihen
von Linienströmen existieren. Der erste Ausdruck der Summe liefert die gleichen Positionen
für die Linienströme wie bereits in Abb. 5.15 dargestellt, allerdings mit den Werten für die
Spiegelströme
I k = (1 + η ) η 2 k I . (5.70)
Die Linienströme der zweiten Folge liegen an den Stellen x k = 0 , z k = 2(b2 + d 2 ) + 2kd 2 und
besitzen die Werte
I k = − (1 + η ) η 2 k +1 I . (5.71)
Alle erforderlichen Spiegelströme sind in den beiden Teilbildern in Abb. 5.16 eingezeichnet.
Zur Bestimmung des gesuchten magnetischen Vektorpotentials an einem Punkt innerhalb der
permeablen Platte müssen die Beiträge aller Ströme aus beiden Bildern in diesem Punkt
aufsummiert werden.
z z
μ0 A(x, z ) 2b2 + 6d 2 I2
μ0 d2 z k = 2(b2 + d 2 ) + 2kd 2
μ0 2b2 + 4d 2 I1
I k = − (1 + η )η 2 k +1 I
2b2 + 2d 2 I0
0 I0 x
− 2d 2 I1 b2 + d 2
z k = − 2kd 2
− 4d 2 I2 A(x, z )
I k = (1 + η )η 2 k I
− 6d 2 I3
0 x
Abbildung 5.16: Ersatzanordnungen für den Bereich innerhalb der permeablen Platte
Abschließend wird die Ersatzanordnung für den Bereich unterhalb der permeablen Platte mit
z ≤ b2 bestimmt. Ausgangspunkt ist die Gl. (5.65), die ebenfalls wieder in eine Summe
umgeschrieben wird
μ0 I ∞
1 ⎡ −ξ ⎛ η 2 −1 ⎞ − ξ (− z 2 + 2b2 ) ⎤
∫0 ξ ⋅ cos ξ x ⋅ ⎢e + η ⎜⎜1 − 2 ⎟⎟ e ⎥ dξ
z
Ages =
2π ⎣ ⎝ η −e
2d2 ξ
⎠ ⎦
∞
μ I 1 ⎡ −ξ η ⎤
= 0 ∫ ⋅ cos ξ x ⋅ ⎢e
2π 0 ξ
z
+ −2d2 ξ
(e − ξ ( − z 2 + 2 b2 )
)
− e − ξ (− z + 2b2 + 2 d 2 ) ⎥ d ξ (5.72)
⎣ 1 −η e 2
⎦
∞
μ I ⎡ −ξ
(e ) ⎤
∞
1
= 0
2π ∫0 ξ ⋅ cos ξ x ⋅ ⎢⎣e
z
+ ∑η
k =0
2 k +1 − ξ ( − z + 2 b2 + 2 kd 2 )
− e − ξ (− z + 2b2 + 2 d 2 + 2 kd 2 ) ⎥ d ξ .
⎦
Neben dem erregenden Strom I im Ursprung zeigt der Vergleich mit Gl. (5.61), dass
zusätzlich zwei Reihen von Linienströmen zur Beschreibung des Vektorpotentials benötigt
werden. Die Ströme der ersten Folge liegen an den Stellen x k = 0 , z k = 2b2 + 2kd 2 und
besitzen die Amplituden
I k = η 2 k +1 I . (5.73)
Die Ströme der zweiten Folge befinden sich an den Stellen x k = 0 , z k = 2(b2 + d 2 ) + 2kd 2 mit
den Amplituden
I k = − η 2 k +1 I . (5.74)
Die Spiegelanordnung ist in Abb. 5.17 und in komprimierter Form in Abb. 5.18 dargestellt.
z z
2b2 + 6d 2 I2
z k = 2b2 + 2kd 2 z k = 2(b2 + d 2 ) + 2kd 2
2b2 + 4d 2 I2 2b2 + 4d 2 I1
I k = η 2 k +1 I I k = − η 2 k +1 I
2b2 + 2d 2 I1 2b2 + 2d 2 I0
2b2 I0
b2 + d 2
b2
A(x, z ) A(x, z )
0 I x 0 x
Abbildung 5.17: Ersatzanordnungen für den Bereich unterhalb der permeablen Platte
z k = 2b2 + 2kd 2
2b2 + 4d 2
I k = (η 2 − 1)η 2 k −1 I
I2
2b2 + 2d 2 I1
2b2 ηI
b2
A(x, z )
0 I x
Abbildung 5.18: Komprimierte Darstellung der Ersatzanordnungen aus Abb. 5.17

5.3.1.8 Definition der Spiegelgesetze für einen Dipol
Ausgehend von den bisherigen Ergebnissen für einen Linienstrom wird nun versucht, die
gefundenen Spiegelgesetze
r für eine entsprechende Anordnung mit einem magnetischen Dipol
r
der Orientierung M = M z ez im Ursprung anzugeben. Dazu werden zunächst in den
Abbildungen (5.15), (5.16) und (5.18) die Linienströme durch Dipole ersetzt.
z
A(x, y, z )
μ0
μ0 d2
μ0
y
0 M z0 x
− 2d 2 M z1
z k = − 2kd 2
− 4d 2 M z2
M zk = (1 − η 2 )η 2 k M z
− 6d 2 M z3
Abbildung 5.19: Ersatzanordnung mit Dipolen abgeleitet aus der Abb. 5.15
Die Abbildungen 5.19 bis 5.21 zeigen die neuen Ersatzanordnungen, in denen auch die
Amplituden und Positionen der notwendigen Spiegeldipole angegeben sind. Jede Anordnung
gilt für die Berechnung des magnetischen Vektorpotentials in einem bestimmten Bereich und
zeichnet sich dadurch aus, dass der gesamte Raum die homogene Permeabilität μ 0 besitzt.
In einem nächsten Schritt muss nun die Richtigkeit dieser Anordnungen bestimmt werden.
Dazu ist die Feldgleichung in den einzelnen Bereichen zu überprüfen. Nachdem in jeder
Anordnung in dem jeweils betrachteten Bereich kein zusätzlicher Spiegeldipol eingefügt
wurde, gilt die Feldgleichung unverändert. Weiterhin müssen die Randbedingungen an allen
Grenzflächen überprüft werden. In Kapitel A.2 wird gezeigt, dass keine der Bedingungen an
den Rändern verletzt wird. Damit lässt sich als Ergebnis festhalten, dass die so bestimmten
Anordnungen den Einfluss einer permeablen Schicht auf das magnetische Feld eines Dipols
richtig beschreiben.
Mit dem Vektorpotential eines einzelnen z -gerichteten Dipols im Vakuum ([alb02])
μ0 M z (− yex + xey )
r r
r
A(x, y, z ) = (5.75)
4π
( x 2 + y2 + z2 )
3
lassen sich die Vektorpotentiale explizit in den einzelnen Teilbereichen angeben:

z z
μ0 A(x, y, z ) 2b2 + 6d 2 M z2
μ0 d2 z k = 2(b2 + d 2 ) + 2kd 2
μ0 2b2 + 4d 2 M z1
M zk = − (1 + η )η 2 k +1 M z
y 2b2 + 2d 2 M z0
M z0 x
0
− 2d 2 M z1 b2 + d 2
z k = − 2kd 2
− 4d 2 Mz2 A(x, y, z )
M zk = (1 + η )η M z2k
− 6d 2 M z3
y
x
0
z k = 2b2 + 2kd 2
2b2 + 4d 2
( )
M z2
M zk = η 2 − 1 η 2 k −1 M z
2b2 + 2d 2 M z1
2b2 ηM z
b2 A(x, y, z )
y
Mz x
0

r
A(x, y, z ) = 0 z
(
μ M 1 −η 2 ) ∞
(− yer x + xer y )∑η 2k 1
(5.76)
4π k =0 ⎡ x 2 + y 2 + (z + 2kd )2 ⎤
3
⎢⎣ 2 ⎥⎦

r μ M (1 + η )
(
∞
A(x, y, z ) = 0 z (− yer x + xer y )∑ η 2k 1
4π k =0 ⎡ x 2 + y 2 + (z + 2kd )2 ⎤
3
⎢⎣ 2 ⎥⎦
⎞ (5.77)
⎟
1 ⎟
−η 2 k +1
⎡ x 2 + y 2 + (z − 2(b + d ) − 2kd ) ⎤ ⎟⎟
3
2
⎢⎣ 2 2 2 ⎥⎦ ⎠
⎡
r μ0 M z η
A(x, y, z ) = (− yex + xey )⎢
r r ⎢ 1
+
4π
[
⎣ x +y +z
2 2 2
]
⎢⎣
3
⎡ x 2 + y 2 + (z − 2b )2 ⎤
2 ⎥⎦
3
(5.78)
⎞
⎟
( )
∞
1
+ ∑ η −1 η
2 2 k −1
3
⎟
k =1 ⎡ x + y + (z − 2b − 2kd ) ⎤ ⎟⎟
2 2 2
⎢⎣ 2 2 ⎥⎦ ⎠
5.3.1.9 Anordnung mit zwei permeablen Schichten
Der bisher gezeigte Rechenweg wird nun auf eine Anordnung mit zwei permeablen Schichten
übertragen. Dazu ist in Abb. 5.22 eine Anordnung dargestellt, bei der im Abstand b2 und − b2
von dem Strombelag jeweils eine permeable Platte der Dicke d 2 mit der Permeabilität
μ 2 ≠ μ0 angeordnet ist. Um die Berechnungen zu vereinfachen wird hier explizit b2 = b5 ,
d 2 = d5 und μ 2 = μ5 festgelegt.
Mit beiden permeablen Platten liegt im Vergleich zu der Anordnung aus Abb. 5.13 nun ein
bezüglich der z -Achse symmetrisches Problem vor. Für die weiteren Überlegungen ist es
daher ausreichend, nur den oberen Halbraum der Anordnung zu betrachten. Die Ergebnisse
können abschließend auf den unteren Bereich übertragen werden. Durch die permeable Platte
wird der obere Raum feldtheoretisch wiederum in drei Bereiche aufgeteilt. Der Einfluss der
permeablen Platte wird durch Störpotentiale mit verschiedenen noch unbekannten
Konstanten, die dem erregenden Potential aus Gl. (5.34) in den einzelnen Bereichen
überlagert werden, berücksichtigt:
π π π
a ⎛ x⎞ ⎡ − z + z − z ⎤
Ages = μ0 K 0 ⋅ cos ⎜ π ⎟ ⋅ ⎢e a + A1 e a + A2 e a ⎥ für z ≥ b2 + d 2 (5.79)
2π ⎝ a⎠ ⎣ ⎦
π π π
a ⎛ x ⎞ ⎡ −az + z − z ⎤
Ages = μ0 K 0 ⋅ cos ⎜ π ⎟ ⋅ ⎢e + A3 e a
+ A4 e a ⎥ für b2 ≤ z ≤ b2 + d 2 (5.80)
2π ⎝ a⎠ ⎣ ⎦
π
a ⎛ x ⎞ ⎡ −az ⎛π ⎞ ⎛π ⎞ ⎤
Ages = μ0 K 0 ⋅ cos ⎜ π ⎟ ⋅ ⎢e + A5 cosh⎜ z ⎟ + A6 sinh ⎜ z ⎟ ⎥ für 0 ≤ z ≤ b2
2π ⎝ a⎠ ⎣ ⎝a ⎠ ⎝ a ⎠⎦
(5.81)
z
μ0 b2 + d 2
μ2 ≠ μ0 d2
μ0 b2
r r ⎛ x⎞
r K = e y K 0 cos ⎜ π ⎟
ey ⎝ a⎠
0 a x
μ 0 − b5 = −b2
μ5 = μ 2 ≠ μ 0 d5 = d 2
μ 0 − (b + d )
5 5
Abbildung 5.22: Modell mit zwei symmetrisch angeordneten Schichten
Die Vektorpotentiale aus den Gln. (5.79) bis (5.81) müssen zusätzlich die folgenden
Randbedingungen erfüllen:
• Ages muss für z → ∞ gegen Null streben (5.82)
∂Ages
• Bz, ges = muss stetig sein bei z = b2 (5.83)
∂x
∂Ages
• Bz, ges = muss stetig sein bei z = b2 + d 2 (5.84)
∂x
1 ∂Ages 1 ∂Ages
• H x z =b = H x z =b → = (5.85)
2 −0 2 +0
μ0 ∂ z z = b2 − 0
μ2 ∂ z z = b2 + 0
1 ∂Ages 1 ∂Ages
• H x z =b = H x z =b → = (5.86)
2 + d 2 −0 2 +d2 +0
μ2 ∂ z z = b2 + d 2 − 0
μ0 ∂ z z = b2 + d 2 + 0
1 ∂ASt
• H x, St =0 → =0 (5.87)
z =+0 μ0 ∂ z z = +0
Die Bedingung (5.87) berücksichtigt die Symmetrie der Anordnung. Der Index „St“
kennzeichnet dabei jeweils den dem erregenden Anteil überlagerten Störanteil. Die Gleichung
sagt aus, dass der überlagerte Störanteil der magnetischen Feldstärke an der Grenzfläche
z = 0 in Normalenrichtung vorliegt. Aus der Bedingung (5.87) folgt direkt A6 = 0 .
Mit den verbleibenden Bedingungen (5.82) bis (5.86) können die Konstanten A1 bis A5
bestimmt werden. Die Gl. (5.81) liefert dabei direkt das Ergebnis A1 = 0 . Mit der Abkürzung
2π 2π 2π
− (b 2 + d 2 ) − b2 − d2
T = 1+η e a
−η e a
−η 2 e a
(5.88)
ergeben sich für die restlichen Konstanten die folgenden Ausdrücke:

2π 2π 2π
η ⎛⎜ − b2 − d2 − (b 2 + d 2 ) ⎞
A2 = e a
+η e a
−e a
− η ⎟⎟ (5.99)
T ⎜⎝ ⎠
A3 =−
(1 + η )η − a (b + d
e
2π
2 2 )
(5.100)
T
2π 2π 2π
η ⎛⎜ − b2 − d2 − (b2 + d 2 ) ⎞
⎟
A4 = 1+ e a
+η e a
−e a
(5.101)
T ⎜⎝ ⎟
⎠
2π 2π
2η − b2 ⎛ − d2 ⎞
A5 = e a ⎜1 − e a ⎟ (5.102)
T ⎜ ⎟
⎝ ⎠
r r
Für das magnetische Vektorpotential A ges = e y Ages in den einzelnen Teilräumen gilt:
Oberhalb der oberen permeablen Platte ( z ≥ b2 + d 2 )
Ages = μ0 K 0
a ⎛ x ⎞ 1 −η
⋅ cos ⎜ π ⎟ ⋅
2 − z
⋅e a
( ) π
(5.103)
2π ⎝ a⎠ T
Innerhalb der oberen permeablen Platte ( b2 ≤ z ≤ b2 + d 2 )
⎛ x ⎞ (1 + η ) ⎡ − a z
π π
a − ( 2 (b2 + d 2 ) − z ) ⎤
Ages = μ0 K 0 ⋅ cos ⎜ π ⎟ ⋅ ⋅ ⎢e −η e a ⎥ (5.104)
2π ⎝ a⎠ T ⎣ ⎦
Unterhalb der oberen permeablen Platte ( 0 ≤ z ≤ b2 )

π π π π
a ⎛ x ⎞ 1 ⎡ − a z 2 − a ( z+2 d2 ) − ( 2 b2 −z ) − ( 2 (b2 + d 2 ) −z ) ⎤
Ages = μ0 K 0 ⋅ cos ⎜ π ⎟ ⋅ ⋅ ⎢e − η e +η e a
−η e a ⎥ (5.105)
2π ⎝ a⎠ T ⎣ ⎦
2π
a ⎛ x⎞ η − b2 ⎡ − πa z πa z − πa (z+2 d2 ) − πa (2 d2 −z ) ⎤
ASt = μ0 K 0 ⋅ cos ⎜ π ⎟ ⋅ ⋅ e a
⋅ ⎢e + e − e −e ⎥ (5.106)
2π ⎝ a⎠ T ⎣ ⎦
Zur eventuellen Überprüfung der Randbedingungen wurde das Vektorpotential ASt hier
zusätzlich angegeben. Es wird für die weiteren Rechnungen nicht benötigt.
Entsprechend der Übersicht in Kapitel 5.3.1.1 muss für das weitere Vorgehen zunächst der
Flächenstrom durch einen Linienstrom ersetzt werden. Gleichzeitig ist es wieder nötig,
beidseitig die hochpermeablen Wände einzuführen, um die Orthogonalentwicklung
durchführen zu können. Mit dem Grenzübergang a → ∞ erfolgt schließlich die
Integraldarstellung der Vektorpotentiale. Diese beiden mathematischen Operationen und der
Übergang zu Dipolen werden hier nicht im Detail beschrieben.
Die Vektorpotentiale bei Dipolerregung werden nun zur Ableitung der Spiegelungsgesetze
verwendet. Ausgangspunkt dazu ist die Entwicklung der geometrischen Reihe nach Gl. (5.66)
und zusätzlich der Binomische Satz ([bro01]
(a + b ) n = ∑ ⎛⎜⎜ ⎞⎟⎟a n−k b k (a − b ) n = ∑ (− 1)k ⎛⎜⎜ ⎞⎟⎟a n−k b k

n n n n
bzw. (5.107)
k =0k ⎝ ⎠ k =0 ⎝ ⎠
k
mit den zugehörigen Binomialkoeffizienten ([bro01])
⎛n⎞ n!
⎜⎜ ⎟⎟ = für 0≤k ≤n . (5.108)
⎝ k ⎠ k !(n − k )!
Diese mathematischen
r Umformungen werden nun verwendet, um das magnetische
r
Vektorpotential A ges = e y Ages in den einzelnen Teilbereichen wie folgt darzustellen:
Oberhalb der oberen permeablen Platte ( z ≥ b2 + d 2 )
r μ M 1 −η 2
A(x, y, z ) = 0 z
( )
r ⎡∞ k l
⋅ (− yex + xey ) ⋅ ⎢∑∑∑
r k!
(− 1)mη (k + l − m ) ⋅
4π ⎣k =0 l =0 m =0 (k − l )! (l − m )! m!
⎤
1 ⎥
3⎥
⎡ x 2 + y 2 + (z + 2b (k − l ) + 2d (l − m ) + 2(b + d )m )2 ⎤ ⎥
⎢⎣ 2 2 2 2 ⎥⎦ ⎦
(5.109)
Innerhalb der oberen permeablen Platte ( b2 ≤ z ≤ b2 + d 2 )

r μ M (1 + η ) r ⎡∞ k l
⋅ (− yex + xey ) ⋅ ⎢∑∑∑
r k!
A(x, y, z ) = 0 z (− 1)mη (k + l − m ) ⋅
4π ⎣ k = 0 l = 0 m = 0 (k − l )! (l − m )! m!
⎛
⎜ 1
⎜ 3
−
⎜ ⎡ x 2 + y 2 + (z + 2b (k − l ) + 2d (l − m ) + 2(b + d )m )2 ⎤
⎜⎢ ⎥⎦
⎝⎣
2 2 2 2
⎞⎤
η ⎟⎥
⎟
3 ⎥
⎡ x 2 + y 2 + (z − 2(b + d ) − 2b (k − l ) − 2d (l − m ) − 2(b + d )m )2 ⎤ ⎟⎟⎥
⎢⎣ 2 2 2 2 2 2 ⎥⎦ ⎠⎥⎦
(5.110)
Unterhalb der oberen permeablen Platte ( 0 ≤ z ≤ b2 )

r μM r ⎡∞ k l
A(x, y, z ) = 0 z ⋅ (− yex + xey ) ⋅ ⎢∑∑∑
r k!
(− 1)mη (k + l − m ) ⋅
4π ⎣ k = 0 l = 0 m = 0 (k − l )! (l − m )! m!
⎛
⎜ 1
⎜ 3
−
⎜ ⎡ x 2 + y 2 + (z + 2b (k − l ) + 2d (l − m ) + 2(b + d )m )2 ⎤
⎜⎢ ⎥⎦
⎝⎣
2 2 2 2
η2
3
+
⎡ x 2 + y 2 + (z + 2d + 2b (k − l ) + 2d (l − m ) + 2(b + d )m )2 ⎤
⎢⎣ 2 2 2 2 2 ⎥⎦
η
3
−
⎡ x 2 + y 2 + (z − 2b − 2b (k − l ) − 2d (l − m ) − 2(b + d )m )2 ⎤
⎢⎣ 2 2 2 2 2 ⎥⎦
⎞⎤
η ⎟⎥
⎟
3 ⎥
⎡ x 2 + y 2 + (z − 2(b + d ) − 2b (k − l ) − 2d (l − m ) − 2(b + d )m )2 ⎤ ⎟⎟⎥ (5.111)
⎢⎣ 2 2 2 2 2 2 ⎥⎦ ⎠⎥⎦
Ein Vergleich der Gln. (5.109) bis (5.111) mit Gl. (5.75) zeigt, dass die hier gefundenen
Vektorpotentiale grundsätzlich auch mithilfe von Spiegeldipolen dargestellt werden können.
Durch die verschachtelten Summen ist eine graphische Darstellung aber nur schwer möglich.
5.3.1.10 Kreisförmige und rechteckige Windungen
Sowohl für die Anordnung mit einer permeablen Schicht, als auch für das Modell mit zwei
permeablen Lagen wurden die Spiegelströme einfach durch entsprechende Dipole ersetzt. In
allen Fällen beschreibt die vorliegende Feldgleichung das Problem richtig. Weiterhin erfüllen
die Vektorpotentiale beider Quellenanordnungen jeweils alle notwendigen Randbedingungen
an allen Grenzflächen.
Allgemein wird die Feldgleichung von jeder Anordnung mit beliebigen Quellen erfüllt, wenn
die Quellenverteilung im betrachteten Bereich nicht geändert wird. Nachdem die Orte der
Quellen aber bereits durch die Spiegelgesetze für Liniendipole festgelegt werden, wird die
Feldgleichung auch mit allen anderen Quellen erfüllt.
Eine ähnliche Argumentation trifft auch auf die Erfüllung der Randbedingungen in den
einzelnen Trennebenen zu. Damit liegt grundsätzlich der Schluss nahe, dass die gefundenen
Spiegelanordnungen auf alle Quellenarten übertragen werden können. Notwendigerweise
muss das magnetische Vektorpotential dieser Stromquellen als Formel bekannt sein. Zur
Übertragung der Spiegelgesetze werden die Amplitude und die Ortsabhängigkeit der
Vektorpotentiale mit den bisher gewonnenen Informationen angepasst. Die Überprüfung
erfolgt, indem die Gleichungen für das Vektorpotential abschließend wieder in die
Feldgleichung und die Randbedingungen eingesetzt werden.
In Abb. 5.9 wurde ein Rechenmodell eines Multilayer-Aufbaus mit einer planaren Spule
eingeführt. Für die Berechnung dieser Anordnung müssen die bisher gefundenen
Spiegelgesetze auf kreisförmige Leiterschleifen übertragen werden.
Es wird eine dünne, kreisförmige Leiterschleife mit Radius r1 im Vakuum betrachtet. Sie liegt
in der Ebene z = 0 und wird vom Strom iˆ durchflossen. Mit den Bezeichnungen aus
Abb. 5.23 gilt für das magnetische Vektorpotential in einem beliebigen Punkt P im Raum
r r r r r μ iˆ r 2π cos(ϕ)
A(rP ) = eϕ P Aϕ (rP ) = eϕ P 0 1 ∫ dϕ . (5.112)
4π 0 r 2 + ρ 2 + z 2 - 2r ρ cos(ϕ)
1 P P 1 P
r
ez
P
r
r
zP
iˆ r r
rP r1 d sQ
0 r
ρP r ey
ϕQ rrQ e ϕQ
r ϕP Q r
ex eρQ
r r
eρ P eϕP
Abbildung 5.23 Dünne, kreisförmige Leiterschleife im Vakuum [alb02]
Unter Verwendung der vollständigen elliptischen Integrale

π 2
dα
K (q) = ∫
0 1 - q 2sin 2α
erster Art (5.113)
und
π 2
E(q) = ∫0
1 - q 2sin 2α dα zweiter Art, (5.114)
sowie der Abkürzung
4r1ρ P
q2 = , (5.115)
(r1 + ρP )2 + z P 2
kann das Vektorpotential aus Gl. (5.112) auch in der folgenden Form dargestellt werden
r μ iˆ r1 ⎡⎛ q 2 ⎞ ⎤
Aϕ (rP ) = 0 ⎢⎜⎜1 − ⎟⎟K (q ) − E(q )⎥ . (5.116)
πq ρ P ⎣⎝ 2⎠ ⎦
Nachdem die Spiegelgesetze in einem kartesischen Koordinatensystem hergeleitet wurden,

erfolgt noch eine Umformung. Für einen beliebigen Punkt in einem kartesischen
Koordinatensystem gilt
r μ iˆ ⎛ r ⎞ 1 ⎡⎛ q 2 ⎞ ⎤
A(x, y, z ) = 0 ⎜
1
(− yex + xey )⎟
r
⎟
r1
⎢⎜1 − ⎟⎟K (q ) − E(q )⎥
2 q ⎜
(5.117)
π ⎜⎝ x 2 + y 2 ⎠ x +y
2
⎣⎝ 2⎠ ⎦
mit der ebenfalls in kartesischen Koordinaten dargestellten Abkürzung aus Gl. (5.115)
4r1 x 2 + y 2
q2 = . (5.118)
(r +
1 x +y
2 2
) +z
2
2
In Kapitel A.3 sind die Gleichungen für das magnetische Vektorpotential in den einzelnen
Teilräumen sowohl für eine Anordnung mit einer permeablen Schicht oberhalb, als auch für
ein Modell mit zwei symmetrisch angeordneten Lagen aufgeführt. Für das Rechenmodell aus
Abb. 5.9 müssen die Vektorpotentiale aus den Gln. (A3.10), (A3.12) und (A3.15) für die
sechs ansteigenden Radien der einzelnen Windungen berechnet werden. Die Gesamtlösung
wird dann durch Überlagerung der sechs Teillösungen bestimmt.
Abb. 5.5 zeigt ein Labormuster für ineinander geführte Transformatorwindungen mit
rechteckigem Windungslayout. Um auch solche Designs mit der Methode der Spiegelströme
berechnen zu können, wird hier abschließend noch das Vektorpotential einer rechteckigen
Leiterschleife in kartesischen Koordinaten angegeben. Die Spiegelgesetze werden jedoch
nicht mehr explizit auf dieses Potential übertragen.
iˆ
−a
−c c y
Abbildung 5.24: Dünne, rechteckige Leiterschleife im Vakuum
Mit dem Gesetz von Biot-Savart ([alb02]) kann allgemein das magnetische Vektorpotential
r μ iˆ 1 r
A(x, y, z ) = 0 ∫ d sQ (5.119)
4π C r
einer geschlossenen Leiterschleife in einem beliebigen Raumpunkt berechnet werden.

Für die rechteckförmige Schleife aus Abb. 5.24 wird die Integration entlang der Kurve C in
Richtung des Stromes I durchgeführt. Unter Verwendung der Darstellung
r= (x − x ) + (y − y )
Q
2
Q
2
+ z2 (5.120)
ergibt sich das folgende Ergebnis

r μ iˆ r
A (x , y, z ) = 0 (ex Ax + e y Ay )
r
(5.121)
4π
mit
⎡ −1
⎤ ⎡ −1
⎤
Ax = −arsinh ⎢(x + a )⎛⎜ (y − c ) + z 2 ⎞⎟ ⎥ + arsinh ⎢(x − a )⎛⎜ (y − c ) + z 2 ⎞⎟ ⎥
2 2
⎣ ⎝ ⎠ ⎦ ⎣ ⎝ ⎠ ⎦
(5.122)
⎡ −1
⎤ ⎡ −1
⎤
+ arsinh ⎢(x + a )⎛⎜ (y + c ) + z 2 ⎞⎟ ⎥ − arsinh ⎢(x − a )⎛⎜ (y + c ) + z 2 ⎞⎟ ⎥
2 2
⎣ ⎝ ⎠ ⎦ ⎣ ⎝ ⎠ ⎦
⎡ −1
⎤ ⎡ −1
⎤
Ay = −arsinh ⎢(y − c )⎛⎜ (x − a )2 + z 2 ⎞⎟ ⎥ + arsinh ⎢(y + c )⎛⎜ (x − a )2 + z 2 ⎞⎟
⎣ ⎝ ⎠ ⎦ ⎣ ⎝ ⎠ ⎥⎦
(5.123)
⎡ −1
⎤ ⎡ −1
⎤
+ arsinh ⎢(y − c )⎛⎜ (x + a ) + z 2 ⎞⎟ ⎥ − arsinh ⎢(y + c )⎛⎜ (x + a ) + z 2 ⎞⎟ ⎥ .
2 2
⎣ ⎝ ⎠ ⎦ ⎣ ⎝ ⎠ ⎦
5.3.1.11 Bewertung der Methode
Die Methode der Spiegelströme lässt, sofern die Spiegelgesetze bekannt sind, eine einfache
Übertragung der Gesetzmäßigkeiten auf verschiedene, erregende Leiterstrukturen zu.
Gleichzeitig können Veränderungen in der Geometrie des Aufbaus in ihrer Wirkung einfach
interpretiert werden, indem die Auswirkungen auf die Amplituden und die Positionen der
Spiegelströme betrachtet werden.
Im Laufe der Herleitung zeigte sich aber auch, dass eine graphische Darstellung der
Lösungsformeln im Falle von zwei Schichten schon nicht mehr einfach möglich ist. Für
unsymmetrische Anordnungen, die die Bedingungen b2 = b5 , d 2 = d5 und μ 2 = μ5 nicht
erfüllen, ist im Allgemeinen die Umwandlung der Ergebnisse mithilfe der geometrische Reihe
nicht zu realisieren. Eine einfache Darstellung mit Spiegelströmen ist dann nicht mehr
praktikabel. Wenn das Modell auf permeable und gleichzeitig leitfähige Schichten erweitert
wird, ergeben sich Spiegelströme, deren Amplituden und Positionen periodisch variieren.
Eine graphische Darstellung ist dann ohne Rechnerunterstützung nicht mehr möglich.
Bei allen gefundenen Ergebnissen werden die Amplituden der Spiegelströme mit größerem
Abstand zum erregenden Strom kleiner. Das Vektorpotential wird also schon für eine
endliche Anzahl von Spiegelströmen eine entsprechende Genauigkeit aufweisen. Während der
Summierung der einzelnen Beiträge kann die Überprüfung der Randbedingungen als
Abbruchkriterium dienen. Auswertungen mit weniger als 50 Spiegelströmen erreichen bereits
eine sehr hohe Genauigkeit.
5.3.2 Randwertproblem – Formulierung und Lösung
Ein feldtheoretisches Problem kann durch die entsprechende Feldgleichung und die
vorliegenden Randbedingungen ausreichend beschrieben werden. Abhängig von den
Materialeigenschaften und den Quellen in den einzelnen Teilbereichen der Anordnung, gelten
verschiedene Feldgleichungen. Das Verhalten der Feldgrößen an oder auf den Rändern wird
durch unterschiedliche Gesetze beschrieben.
Für die Formulierung eines Randwertproblems (RWP) müssen zunächst alle Feldgleichungen
und Randbedingungen aufgestellt werden. Die allgemeine Lösung einer Feldgleichung wird
dann mithilfe der Randbedingungen an das vorliegende Problem angepasst. Beim
Randwertproblem 1. Art (Dirichletsches-Problem) ist die Lösung des Problems eindeutig. Das
Randwertproblem 2. Art (Neumannsches-Problem) bestimmt die Lösung dagegen nur bis auf
eine Konstante genau. Der Beweis der Eindeutigkeit dieser Lösungen wird in [alb03] geführt.
Bereits in Kapitel 5.3.1.3 wurde die Lösung eines Randwertproblems zur Ableitung der
Spiegelgesetze für eine einfache Anordnung durchgeführt. Diese Vorgehensweise wird nun
auf eine erweiterte Anordnung übertragen. Dabei steht nun nicht mehr die Ableitung der
Spiegelgesetze im Vordergrund, sondern die geschlossene Lösung des Randwertproblems für
einen möglichst realitätsnahen Aufbau.
5.3.2.1 Übersicht über die Einzelschritte der Vorgehensweise
Die Formulierung und Lösung des Randwertproblems für den Multilayer-Aufbau geschieht
unter Verwendung verschiedener Zwischenschritte. Vor der eigentlichen Durchführung wird
hier zum Verständnis eine Übersicht der Einzelschritte gegeben.
1. (Kapitel 5.3.2.2) Für die Formulierung des feldtheoretischen Randwertproblems wird

das Rechenmodell aus Abb. 5.9 verwendet. Der Formulierungsaufwand wird durch
weitere Vereinfachungen reduziert. Die permeablen Schichten werden nun zusätzlich
als leitfähig angenommen, um auch den Einfluss von Metallen auf die Feldverteilung
untersuchen zu können.
2. (Kapitel 5.3.2.3) Die feldtheoretischen Zusammenhänge können in jedem Teilbereich
der Anordnung durch die Laplace- oder Skingleichung beschrieben werden. Die
Feldgleichungen werden daher zunächst für jeden einzelnen Teilbereich angegeben.
3. (Kapitel 5.3.2.4) Unter Verwendung des Produktansatzes nach Bernoulli kann eine
allgemeine Lösung der Laplace-Gleichung mit einem noch unbekannten Satz von
Koeffizienten bestimmt werden. Für die einzelnen Teilbereiche wird diese Lösung
dann mit unterschiedlichen Koeffizientenansätzen formuliert.
4. (Kapitel 5.3.2.5) Der Produktansatz nach Bernoulli wird auch verwendet, um eine
allgemeine Lösung der Skingleichung zu bestimmen. Für die einzelnen Teilbereiche
wird dann auch diese Lösung für das Vektorpotential mit verschiedenen noch zu
bestimmenden Koeffizientensätzen formuliert.
5. (Kapitel 5.3.2.6) Im nächsten Schritt werden alle Rand- bzw. Grenzbedingungen zur
vollständigen Formulierung des Randwertproblems angegeben. Dabei wird der
erregende Strombelag K ϕ (ρ ) in der Ebene z = 0 als eigene Randbedingung
berücksichtigt.
6. (Kapitel 5.3.2.7) Für die Bestimmung der noch unbekannten Koeffizienten in den
Lösungsansätzen der Laplace- und Skingleichungen werden als Forderungen an den
Rändern die Grenzbedingungen des Problems verwendet. Der Umfang der
Lösungsansätze kann dadurch deutlich reduziert werden.
7. (Kapitel 5.3.2.8) Die Berücksichtigung des erregenden Strombelags in den Lösungen
geschieht durch eine Orthogonalentwicklung. Um die Entwicklung zu ermöglichen,
wird zunächst eine zylindrische, permeable Berandung eingeführt.
8. (Kapitel 5.3.2.9) In diesem abschließendem Kapitel werden die Ergebnisse aus den
vorherigen Kapiteln für die Darstellung der gesuchten Vektorpotentiale in den
einzelnen Teilbereichen verwendet. Damit ist schließlich eine Berechnung der
Feldverteilung für die in Abb. 5.9 vorliegende Situation möglich.
5.3.2.2 Multilayer-Modell für die Formulierung
Für das Rechenmodell des Multilayers zur Lösung des Randwertproblems werden an der
Anordnung aus Abb. 5.9 zusätzliche Vereinfachungen durchgeführt. Einerseits beschränken
sich die Betrachtungen auf eine einzelne Windung in der Ebene z = 0 . Der erregende Strom
innerhalb dieser Windung wird durch den Flächenstrom K ϕ (ρ) beschrieben. Andererseits
wird die Stromschleife als kreisförmig angenommen, wodurch die gesamte Anordnung aus
Symmetriegründen unabhängig von der Koordinate ϕ ist. Das Vektorpotential ist somit in
Richtung des Flächenstroms orientiert und nur von den Koordinaten ρ und z abhängig:
r r
A = A φ (ρ, z)e ϕ (5.124)
z
μ 0 , κ1 = 0 b2 + d 2 Bereich 1
μ2 ≠ μ0 ,κ 2 ≠ 0 d2 Bereich 2
K ϕ (ρ )
μ0 ,κ 3 = 0 b2 Bereich 3
ρ
μ0 ,κ 4 = 0 a1 a2
− b5 Bereich 4
μ5 ≠ μ0 , κ 5 ≠ 0 d5 Bereich 5
μ0 ,κ 6 = 0 − (b5 + d 5 ) Bereich 6
Abbildung 5.25: Einzelne Teilbereiche für das Randwertproblem

In Abb. 5.25 ist das Modell für das Randwertproblem mit diesen Vereinfachungen und einer
Kennzeichnung einzelner Teilbereiche dargestellt. Weiterhin gilt b2 = b5 , d 2 = d5 , μ 2 = μ5
und κ 2 = κ 5 . Die bisher rein permeablen Lagen an den Stellen z = b2 und z = −b5 können für
die Untersuchungen in diesem Kapitel auch zusätzlich leitfähigen Charakter aufweisen. Damit
wird es möglich sein, den Einfluss von reinen Metallflächen oder amorphen Siliziumkristallen
(vgl. Kapitel 5.7), die leitfähig und permeabel sind, auf die magnetische Feldverteilung zu
untersuchen.
5.3.2.3 Feldgleichungen für die einzelnen Teilbereiche
Allgemein kann die Feldverteilung der Multilayer-Anordnung durch Feldgleichungen

beschrieben werden. Diese Differentialgleichungen zweiter Ordnung für das magnetische
Vektorpotential sind jeweils auf Bereiche gleicher Materialcharakteristika beschränkt. Die
Materialparameter bestimmen zusätzlich auch die Form der Gleichungen.
Für das in Abb. 5.25 dargestellte Modell werden als Feldgleichungen die Skin- und Laplace-
Gleichung benötigt. Für beide Formeln ist die Herleitung in Anhang B durchgeführt.
In den leitfähigen Bereichenr 2 und 5 beschreibt die Skingleichung für das komplexe
r
magnetische Vektorpotential A(r )
r r r r r
rot rot A(r ) + α i A(r ) = 0
2
(5.125)
die Feldverteilung. Die Größe α wird als Skinkonstante bezeichnet und nimmt im Sonderfall
zeitlich periodischer Felder die folgende Form an
α i = jωμ i κ i für i = 2 und i = 5 . (5.126)
In allen anderen Bereichen ( i = 1 , 3, 4, 6) folgt durch die verschwindende Leitfähigkeit für

die Skinkonstante α i = 0 . Die Skingleichung geht dann in die Laplace-Gleichung über
r r r
rot rot A(r ) = 0 . (5.127)
Durch die Aufteilung des Bereichs − b5 < z < b2 in zwei Teilbereiche kann der Strombelag in
der Ebene z = 0 in den weiteren Berechnungen durch eine Randbedingung erfasst werden.
5.3.2.4 Lösung der Laplace-Gleichung mit dem Bernoulli-Ansatz
Zunächst wird für die Laplace-Gleichung (5.127) eine allgemeine Lösung mithilfe eines
Separationsansatzes nach Bernoulli bestimmt. Dazu wird das vereinfachte, magnetische
Vektorpotential aus Gl. (5.124) in die Gl. (5.127) eingesetzt. Es ergibt sich eine partielle
Differentialgleichung zweiter Ordnung
∂ 2 Aϕ 1 ∂ Aϕ ∂ 2 Aϕ 1
+ + − 2 Aϕ = 0 . (5.128)
∂ρ2 ρ ∂ρ ∂z 2 ρ
Nachdem das Vektorpotential selbst nur in ϕ -Richtung orientiert ist, ist die Gleichung skalar.
Mit einem Produktansatz nach Bernoulli kann eine partielle Differentialgleichung in mehrere
gewöhnliche Differentialgleichungen umgeformt werden, in denen jeweils nur noch nach
einer Variable differenziert wird. Dazu wird das Potential A(ρ, z ) als Produkt zweier
Funktionen R(ρ) und Z (z ) dargestellt, die jeweils nur von einer Koordinate abhängig sind
A(ρ, z ) = R(ρ)Z (z ) . (5.129)
Dieser Ansatz wird in die Feldgleichung (5.128) eingesetzt
1 ∂ 2 R(ρ ) 1 1 ∂ R(ρ) 1 ∂ 2 Z (z ) 1
+ + − 2 =0 . (5.130)
R(ρ ) ∂ρ2 ρ R(ρ ) ∂ρ Z (z ) ∂z 2 ρ
Drei Summanden der Gl. (5.130) sind nun nur noch von der Koordinate ρ abhängig, während
der weitere Summand nur durch die Koordinate z beschrieben wird. Die Gleichung kann
insgesamt nur erfüllt werden, wenn die von ρ abhängigen Teile einem in Summe konstanten
Wert entsprechen. Gleichzeitig muss der von z abhängige Anteil den gleichen konstanten
Wert mit entgegen gesetztem Vorzeichen ergeben. Diese Konstanten werden mit ± p 2
eingeführt. p selbst wird auch als Separationskonstante bezeichnet. Die Gl. (5.130) zerfällt in
zwei unabhängige, jeweils nur von der Koordinate ρ bzw. z abhängige, gewöhnliche
Differentialgleichungen zweiter Ordnung
1 ∂ 2 R(ρ) 1 1 ∂ R(ρ) 1
+ − 2 = − p2 (5.131)
R(ρ ) ∂ρ 2
ρ R(ρ) ∂ρ ρ
1 ∂ 2 Z (z )
= p2 , (5.132)
Z (z ) ∂z 2
die nach Umformungen in die folgende Darstellung übergehen
∂ 2 R(ρ) 1 ∂ R(ρ) ⎛ 2 1 ⎞
+ + ⎜⎜ p − 2 ⎟⎟ R(ρ) = 0 (5.133)
∂ρ2 ρ ∂ρ ⎝ ρ ⎠
∂ 2 Z (z )
− p 2 Z (z ) = 0 . (5.134)
∂z 2
Nachdem zu einem späteren Zeitpunkt (Kapitel 5.3.2.8) eine Orthogonalentwicklung des

gegebenen Strombelags in ρ -Richtung erforderlich ist, wurde die Konstante − p 2 nach
[alb04] bei den Funktionen R(ρ) verwendet.
Die Lösungen der beiden gewöhnlichen Differentialgleichungen lauten ([moo01]):
⎧ 1
⎪ A0ρ + B0 ρ für p = 0
R(ρ ) = ⎨ (5.135)
⎪ Ap J1 (ρp ) + B p Y1 (ρp ) für p ≠ 0
⎩
⎧⎪C0 + D0 z für p = 0
Z (z ) = ⎨ ~ ~ (5.136)
⎪⎩C p cosh ( pz ) + D p sinh ( pz ) = C p e + D p e
− pz
pz
für p ≠ 0
Das Symbol J1 bezeichnet die gewöhnliche Bessel-Funktion erster Art und erster Ordnung,
Y1 dagegen die Bessel-Funktion zweiter Art und erster Ordnung. In Abb. B2.1 ist der Verlauf
für beide Funktionen über dem Argument dargestellt.
Die Lösungsfunktionen (5.135) und (5.136) werden nun in den Produktansatz aus Gl. (5.129)
eingesetzt. Es ergibt sich die als Potentialansatz bezeichnete Darstellung
⎛ 1⎞
( )
A(ρ, z ) = ⎜⎜ A0ρ + B0 ⎟⎟(C0 + D0 z ) + ∑ (Ap J1 (ρp ) + B p Y1 (ρp )) C p e pz + D p e − pz .
ρ⎠
(5.137)
⎝ p
In den Teilbereichen 1, 3, 4 und 6 der Anordnung aus Abb. 5.25 beschreibt dieser Ansatz mit
jeweils spezifischen Koeffizienten das magnetische Vektorpotential.
5.3.2.5 Lösung der Skingleichung – Produktansatz nach Bernoulli
Die Bestimmung der Lösungsfunktionen der Skingleichung erfolgt durch Einsetzen des
vereinfachten Ansatzes für das Vektorpotential aus Gl. (5.124) in die Formel (5.125). Für die
so entstehende Differentialgleichung zweiter Ordnung
∂ 2 Aϕ 1 ∂ Aϕ ∂ Aϕ ⎛ 2 1 ⎞
2
+ + − ⎜⎜ α + 2 ⎟⎟ A ϕ = 0 (5.138)
∂ρ 2 ρ ∂ρ ∂z 2 ⎝ ρ ⎠
wird wieder der Produktansatz nach Bernoulli aus der Gl. (5.129) verwendet. Nachdem die
Skingleichung hier allgemein für alle Teilräume gelöst werden soll, erhält die Skinkonstante
in Gl. (5.138) keinen Index.
Aus der Darstellung
1 ∂ 2 R(ρ ) 1 1 ∂ R(ρ) 1 ∂ 2 Z (z ) ⎛ 2 1 ⎞
+ + − ⎜⎜ α + 2 ⎟⎟ = 0 , (5.139)
R(ρ ) ∂ρ2 ρ R(ρ) ∂ρ Z (z ) ∂z 2 ⎝ ρ ⎠
die unter Berücksichtigung des Produktansatzes folgt, leiten sich zwei nur von jeweils einer
Koordinate abhängige Differentialgleichungen ab
1 ∂ 2 R(ρ) 1 1 ∂ R(ρ) 1
+ − 2 = − p2 (5.140)
R(ρ ) ∂ρ 2
ρ R(ρ) ∂ρ ρ
1 ∂ 2 Z (z )
− α 2 = p2 . (5.141)
Z (z ) ∂z 2
Mit den gleichen Überlegungen wie im vorangegangenen Unterkapitel wird dazu wieder die
Separationskonstante p eingeführt. Die Konstante − p 2 findet in Hinblick auf die spätere
Orthogonalentwicklung des Strombelags in ρ -Richtung in Kapitel 5.3.2.8 nach [alb04] bei
der Gleichung mit den Funktionen R(ρ) Verwendung.
Für die Bestimmung der beiden gesuchten Teillösungsfunktionen R(ρ) und Z (z ) des
Vektorpotentials werden die beiden gewöhnlichen Differentialgleichungen in der folgenden
Form dargestellt
∂ 2 R(ρ) 1 ∂ R(ρ) ⎛ 2 1 ⎞
+ + ⎜⎜ p − 2 ⎟⎟ R(ρ) = 0 (5.142)
∂ρ2 ρ ∂ρ ⎝ ρ ⎠
∂ 2 Z (z )
∂z 2
( )
− p 2 + α 2 Z (z ) = 0 . (5.143)
Die Lösungen dieser Gleichungen lauten nach [moo01]:
⎧ 1
⎪ A0ρ + B0 ρ für p = 0
R(ρ ) = ⎨ (5.144)
⎪ Ap J1 (ρp ) + B p Y1 (ρp ) für p ≠ 0
⎩
~ ~
⎧⎪C 0 cosh (α z ) + D 0 sinh (α z ) für p = 0
Z (z ) = ⎨ ~
(
⎪⎩C p cosh p + α z + D p sinh
2 2 ~
) ( p2 + α 2 z ) für p ≠ 0
(5.145)
Für die Hyperbelfunktionen in der Lösungsfunktion Z (z ) nach Gl. (5.145) ist alternativ auch
eine Darstellung mit Exponentialfunktionen möglich:
⎧⎪C 0 e α z + D0 e −α z für p = 0
Z (z ) = ⎨ p 2 +α 2 z p 2 +α 2 z
(5.146)
⎪⎩C p e + Dpe− für p ≠ 0
Die Lösungsfunktionen (5.144) und (5.146) werden nun in den Produktansatz aus Gl. (5.129)
abschließend eingesetzt. Die Gl. (5.145) wird für die weiteren Berechnungen nicht mehr
verwendet. Es ergibt sich die als Potentialansatz bezeichnete Darstellung:
⎛ 1⎞
(
A(ρ, z ) = ⎜⎜ A0 ρ + B0 ⎟⎟ C 0 e α z + D0 e −α z +
ρ⎠
)
⎝ (5.147)
+ ∑ (A p J 1 (ρp ) + B p Y1 (ρp ))⎛⎜ C p e p +α z + D p e − ⎞⎟
2 2
p 2 +α 2 z
p ⎝ ⎠
In den Teilbereichen 2 und 5 der Anordnung aus Abb. 5.25 beschreibt dieser Ansatz mit
unterschiedlichen Koeffizienten das magnetische Vektorpotential.
5.3.2.6 Rand- und Grenzbedingungen des Problems
Für die vollständige Formulierung des hier vorliegenden Randwertproblems sind zusätzlich
die folgenden Gleichungen für die Rand- und Grenzbedingungen des Außenraums und der
einzelnen Teilbereiche notwendig:
• A(ρ, z ) muss in allen Teilräumen für ρ → ∞ gegen Null streben (5.148)
• A(ρ, z ) muss in allen Teilräumen für ρ → 0 endlich bleiben (5.149)
• A(ρ, z ) muss in den Bereichen 1 und 6 für z → ∞ gegen Null streben (5.150)
• Die Komponente der magnetischen Flussdichte in Normalenrichtung muss

an jeder Grenzfläche mit z = const der einzelnen Teilbereiche stetig sein (5.151)
• Die Tangentialkomponente der magnetischen Feldstärke springt an jeder

Grenzfläche mit z = const zwischen zwei Teilbereichen
r um den Wert
des auf der Grenzfläche vorliegenden Strombelags K (5.152)
r
Für die Modellanordnung des Multilayers aus Abb. 5.25 wird der Normaleneinheitsvektor n
r r
für alle Trennebenen mit n = + ez festgelegt. Die Bedingung (5.151) kann dann auch auf den
Teilbereichsgrenzen mit z = const in der folgenden Form
r r r r
n ⋅ Bi = n ⋅ Bi +1 für i = 1K5 (5.153)
z = const + 0 z = const − 0
r
dargestellt werden. Der Vektor Bi bezeichnet die magnetische
r Flussdichte
r in den einzelnen
Teilbereichen. Unter Verwendung der Beziehung Bi = rot A i folgen diese weiteren
Darstellungen:
r
(
r r
n ⋅ rot A i − A i +1 =0 )für i = 1K5
z = const
(5.154)
r r ⎛1 ∂
n ⋅ ez ⎜⎜ (ρ Ai )⎞⎟⎟ r r ⎛1 ∂
= n ⋅ ez ⎜⎜ (ρ Ai +1 )⎞⎟⎟ für i = 1K5 (5.155)
⎝ ρ ∂ρ ⎠ z = const + 0 ⎝ ρ ∂ρ ⎠ z = const − 0
⎛ ∂ Ai Ai ⎞ ⎛ ∂A A ⎞
→ ⎜⎜ + ⎟⎟ = ⎜⎜ i +1 + i +1 ⎟⎟ für i = 1K5 (5.156)
⎝ ∂ρ ρ ⎠ z = const + 0 ⎝ ∂ρ ρ ⎠ z = const − 0
Nur in der Ebene z = 0 liegt bei der Anordnung nach Abb. 5.25 ein kreisförmiger, homogener
Flächenstrom vor. Nach Gl. (5.15) gilt mit dem Strom iˆ
⎧r iˆ
r ⎪e φ für a1 < ρ < a 2 und z = 0
K (ρ) = ⎨ a 2 − a1 (5.157)
⎪r
⎩0 sonst .
Damit kann die Bedingung (5.152) auf den Teilbereichsgrenzen mit z = const auch in die
folgenden Darstellungen umgeformt werden:
r r
( )
r r
n × H i − H i +1 =K für i = 1K5 (5.158)
z = const
1 ∂ Ai 1 ∂ Ai +1
→ = für z ≠ 0 und i = 1, 2, 4, 5 (5.159)
μi ∂z z = const + 0
μi +1 ∂z z = const − 0
1 ∂ A3 1 ∂ A4
→ − + = K (ρ) für z = 0 und i = 3 (5.160)
μ 3 ∂z z = +0
μ 4 ∂z z = −0
5.3.2.7 Auswertung der Rand- und Grenzbedingungen
Die Forderungen (5.148) und (5.149) müssen in allen Teilräumen gleichermaßen erfüllt
werden. Die allgemeinen Lösungsfunktionen der Laplace- und Skingleichung werden daher
zunächst auf diese Forderungen angepasst, bevor die Potentiale für die einzelnen Teilräume
aufgestellt werden.
Sowohl in der Laplace-Gleichung, als auch in der Skingleichung wird die Forderung (5.148)
erfüllt, wenn in beiden Gleichungen der Koeffizient A0 gleich Null gesetzt wird. Wenn
zusätzlich die Koeffizienten B0 und B p in beiden Lösungsfunktionen zu Null gesetzt werden,
wird die Bedingung (5.149) ebenfalls erfüllt. Ohne Einschränkung der Allgemeinheit wird
zusätzlich Ap = 1 festgelegt. Für die Laplace-Gleichung verbleibt dann ausgehend von der
Gl. (5.137) als Lösungsfunktion
(
A(ρ, z ) = ∑ J1 (ρp ) C p e pz + D p e − pz . ) (5.161)
p
Entsprechend ergibt sich aus Gl. (5.147) die folgende angepasste Lösungsfunktion für
Teilbereiche, in denen die Skingleichung gilt
A(ρ, z ) = ∑ J1 (ρp )⎛⎜ C p e p 2 +α 2 z

+ Dpe− p 2 +α 2 z ⎞⎟ . (5.162)
p ⎝ ⎠
Mit den Informationen aus Kapitel 5.3.2.3 werden nun die Vektorpotentiale für die einzelnen
Teilräume aufgestellt. Als Lösungsfunktionen der geltenden Feldgleichungen werden die
Gl. (5.161) und (5.162) verwendet, die bereits einen Teil der Rand- und Grenzbedingungen
erfüllen:
(
A1 (ρ, z ) = ∑ J1 (ρp ) C p1e pz + D p1e − pz ) für z > b2 + d 2 (5.163)
p
A2 (ρ, z ) = ∑ J1 (ρp )⎛⎜ C p 2e p 2 +α 2 z

+ D p 2e − p 2 +α 2 z ⎞⎟ für b2 ≤ z ≤ b2 + d 2 (5.164)
p ⎝ ⎠
A3 (ρ, z ) = ∑ J1 (ρp )(C p 3e pz + D p 3e − pz ) für 0 ≤ z < b2 (5.165)

p
(
A4 (ρ, z ) = ∑ J1 (ρp ) C p 4 e pz + D p 4e − pz ) für − b5 < z < 0 (5.166)
p
A5 (ρ, z ) = ∑ J1 (ρp )⎛⎜ C p 5e p 2 +α 2 z

+ D p 5e − p 2 +α 2 z ⎞⎟ für − b5 − d5 ≤ z ≤ −b5 (5.167)
p ⎝ ⎠
(
A6 (ρ, z ) = ∑ J1 (ρp ) C p 6e pz + D p 6e − pz ) für z < −b5 − b2 (5.168)
p
Neben den noch unbekannten Koeffizienten sind auch die Werte p noch nicht bestimmt, die
allgemein auch als Eigenwerte des Systems bezeichnet werden. Zusammen mit den
Koeffizienten können sie aus den verbleibenden Forderungen (5.150) bis (5.152) bestimmt
werden.
Um die Bedingung (5.150) zu erfüllen, muss in Gl. (5.163) der Koeffizient C p1 zu Null
gesetzt werden
A1 (ρ, z ) = ∑ A p1 J 1 (ρp ) e − pz . (5.169)

p
Entsprechend folgt ausgehend von Gl. (5.168) zur Erfüllung der Forderung (5.150), dass der
Koeffizient D p 6 ebenfalls verschwinden muss
A 6 (ρ, z ) = ∑ A p 6 J 1 (ρp ) e pz . (5.170)

p
In beiden Gleichungen wurde der jeweils verbleibende Koeffizient in Api umbenannt.
Im nächsten Schritt wird die Bedingung (5.151) ausgewertet. Dazu werden die
Lösungsfunktionen aus den Gln. (5.164) bis (5.167), sowie die Gln. (5.169) und (5.170) in die
Gl. (5.156) an der betreffenden Grenzebene eingesetzt. Ingesamt ergeben sich aus der
Auswertung der Bedingung (5.151) fünf Gleichungen zur Bestimmung der noch
verbleibenden Koeffizienten:
p 2 + α 2 (b2 + d 2 ) p 2 + α 2 (b 2 + d 2 )
Ebene z = b2 + d 2 Ap1e − p (b2 + d 2 ) = C p 2e + Dp 2e− (5.171)
p 2 +α 2 b2 p 2 +α 2 b2
Ebene z = b2 C p 2e + D p 2e − = C p 3e pb2 + D p 3e − pb2 (5.172)
Ebene z = 0 C p3 + D p3 = C p 4 + D p 4 (5.173)
p 2 +α 2 b2 p 2 +α 2 b2
Ebene z = −b5 C p 4 e − pb2 + D p 4 e pb2 = C p 5 e − + D p5e (5.174)
p 2 +α 2 ( h2 + d 2 ) p 2 +α 2 ( h2 + d 2 )
Ebene z = −b5 − d5 C p 5e − + D p 5e = Ap 6 e − p (h2 + d 2 ) (5.175)
Durch die in Kapitel 5.3.2.2 vorgenommenen Vereinfachungen mit b2 = b5 , d 2 = d5 , μ 2 = μ5

und κ 2 = κ 5 wurde die Skinkonstante mit α 2 = α 5 = α in die Gleichungen eingesetzt.
Gleichzeitig ist die Symmetrie des Systems auch in den gefundenen Gleichungen zu
erkennen, nachdem die Gln. (5.171) und (5.175), sowie die Gln. (5.172) und (5.174) die
gleichen Aussagen für verschiedene Koeffizienten beinhalten. Ähnlich wie in Kapitel 5.3.1.9
würde es ausreichen, das magnetische Vektorpotential im oberen Teilraum zu bestimmen.
Aus Symmetriegründen ist dann die Verteilung für z < 0 ebenfalls bekannt. Die
verbleibenden Randbedingungen für z > 0 müssen dann um eine Forderung in der Ebene
z = 0 ergänzt werden. Sie sagt aus, dass die magnetische Feldstärke an der Grenzfläche in
Normalenrichtung zeigt.
Die Symmetrie wurde bei der Lösung des Randwertproblems zur Bestimmung des
Vektorpotentials bewusst nicht berücksichtigt, um bei Bedarf die Berechnung auf den
allgemeinen Fall b2 ≠ b5 , d 2 ≠ d 5 , μ 2 ≠ μ 5 und κ 2 ≠ κ 5 einfach übertragen zu können.
Abschließend wird nun noch die Forderung (5.152) ausgewertet. Für die Grenzebenen, an
denen kein Strombelag vorliegt, muss die Gl. (5.159) erfüllt werden:
Ebene z = b2 + d 2
1 ⎤ + 1 pA e − p (b2 + d 2 ) = 0
p 2 + α 2 ⎡C p 2 e p 2 +α 2 (b2 + d 2 )
− D p2e − p 2 +α 2 (b2 + d 2 )
(5.176)
μ2 ⎢⎣ ⎥⎦ μ p1
0
Ebene z = b2
1
[
p C p 3e pb2 − D p 3e − pb2 −
μ0
1
] μ2
p 2 + α 2 ⎡C p 2 e
⎢⎣
p 2 +α 2 b2
− D p 2e − p 2 +α 2 b2 ⎤=0
⎥⎦
(5.177)
Ebene z = −b5
1
μ2
p 2 + α 2 ⎡C p 5e −
⎢⎣
p 2 + α 2 b2
− D p 5e p 2 + α 2 b2
⎥⎦ μ0 p4 [
⎤ − 1 p C e − pb2 − D e pb2 = 0
p4 ] (5.178)
Ebene z = −b5 − d5
1 1 ⎤ = 0 (5.179)
pA p 6 e − p (b2 + d 2 ) − p 2 + α 2 ⎡C p 5 e − p 2 +α 2 (b2 + d 2 )
− D p2e p 2 +α 2 (b2 + d 2 )
μ0 μ2 ⎢⎣ ⎥⎦
In der Ebene z = 0 muss dagegen bei der Erfüllung der Forderung (5.152) der erregende
Strombelag berücksichtigt werden. Die Vektorpotentiale der angrenzenden Teilräume 3 und 4
müssen daher die Gl. (5.160) erfüllen:
Ebene z = 0 ∑ J (ρp ) p[C

p
1 p4 − D p 4 − C p 3 + D p 3 = μ 0 K (ρ ) ] (5.180)
Diese Gleichung wird im nächsten Unterkapitel mithilfe einer Orthogonalentwicklung weiter

aufgelöst, in deren Verlauf auch die noch unbekannten Eigenwerte p des Systems bestimmt
werden.
Mit den Gln. (5.171) bis (5.175), sowie den Gln. (5.176) bis (5.180) stehen insgesamt zehn
Gleichungen zur Bestimmung der zehn Unbekannten Ap1 , C p 2 , D p 2 , C p 3 , D p 3 , C p 4 , D p 4 ,
C p 5 , D p 5 , Ap 6 der Vektorpotentialansätze zur Verfügung.
5.3.2.8 Orthogonalentwicklung des Strombelags
Mithilfe einer Orthogonalentwicklung kann der Strombelag K (ρ ) in Gl. (5.180) ebenfalls in

eine Summe über die Eigenwerte p dargestellt werden, wodurch eine weitere Auflösung der
Gleichung möglich ist.
Nachdem der Strombelag selbst nur von der Koordinate ρ abhängig ist, wird die Funktion
auch in ρ -Richtung orthogonal entwickelt. Um die Orthogonalentwicklung durchführen zu
können, muss in ρ -Richtung für einen endlichen Wert von ρ eine definierte Randbedingung
vorliegen. Es wird daher ein Hohlzylinder aus hochleitfähigem Material mit κ → ∞
eingeführt, der den Innenradius ρ = g > a2 besitzt und sich in ρ - und z -Richtung bis ins
Unendliche erstreckt (vgl. Abb. 5.26). Die weiteren Bereiche der Anordnung aus Abb. 5.25
haben keinen Einfluss auf die Orthogonalentwicklung und werden daher nicht betrachtet.
κ →∞
μ0 ,κ 3 = 0
K ϕ (ρ ) Bereich 3
g ρ
μ0 ,κ 4 = 0 a1 a2 Bereich 4
Abbildung 5.26: Modell mit hochleitfähigem Zylinder für die Orthogonalentwicklung
In Abb. B3.1 ist das Vektorpotential im Bereich 3 für verschiedene Innendurchmesser des
Zylinders dargestellt. Aus einem Vergleich mit einer exakten Lösung folgt dort, dass der
Einfluss des hochleitfähigen Materials für g = 10 ⋅ a2 unter Berücksichtigung von 250
Eigenwerten am geringsten ist. Die Anzahl der verwendeten Eigenwerte und der Parameter g
werden daher für die weiteren Berechnungen auf diese Werte festgelegt.
r
An der hochleitfähigen Berandung bei ρ = g muss allgemein die Normalkomponente eρ Bρ
der dort vorherrschenden magnetischen Flussdichte verschwinden. Mit r dem rAnsatz für das
magnetische Vektorpotential aus Gl. (5.124) und dem Zusammenhang B = rot A folgt
r r ⎛ ∂ Aϕ ⎞ r ⎛ 1 ∂
(ρ Aϕ )⎞⎟⎟ = er ρ ⎛⎜⎜ − ∂ Aϕ ⎞⎟⎟ + er z ⎛⎜⎜ ∂ Aϕ + Aϕ ⎞⎟⎟ .
r
B = rot A = e ρ ⎜⎜ − ⎟⎟ + e z ⎜⎜ (5.181)
⎝ ∂z ⎠ ⎝ ρ ∂ρ ⎠ ⎝ ∂z ⎠ ⎝ ∂ρ ρ ⎠
r
Die Normalkomponente eρ Bρ verschwindet an der Stelle ρ = g für
∂ Aϕ
=0 . (5.182)
∂z ρ= g
In diese Forderung werden nun die Gln. (5.165) und (5.166) eingesetzt
∂ A3 (ρ, z )
∂z
( )
= ∑ J1 ( gp ) pC p 3e pz − pD p 3e − pz = 0 (5.183)
ρ= g p
∂ A4 (ρ, z )
∂z
( )
= ∑ J1 ( gp ) pC p 4e pz − pD p 4e − pz = 0 . (5.184)
ρ= g p
Diese beiden Gleichungen können für alle Werte von z nur erfüllt werden, wenn J 1 ( gp ) = 0
ist. Bezeichnet x1n die n -te Nullstelle der Bessel-Funktion J1 , dann folgt für die Eigenwerte
p n des Systems
x1n
pn = für n = 1, 2, K . (5.185)
g
Unter Verwendung der nun bestimmten Eigenwerte geht die Gl. (5.180) in den Ausdruck
∑ J (ρp ) p [C ]
∞
1 n n pn 4 − D pn 4 − C pn 3 + D pn 3 = μ 0 K (ρ ) (5.186)
n =1
über. Mit dem Koeffizienten
Ap n = C p n 4 − D p n 4 − C p n 3 + D p n 3 (5.187)
ergibt sich die folgende Ausgangsgleichung für die Orthogonalentwicklung

∞
∑A pn J 1 (ρp n ) p n = μ 0 K (ρ ) . (5.188)
n =1
Die Gl. (5.188) wird nun auf beiden Seiten mit der Eigenfunktion J1 (ρpm ) und dem
Gewichtsfaktor w (ρ ) = ρ (vgl. [alb04]) multipliziert
∞
∑A pn p n ρJ 1 (ρp n ) J 1 (ρp m ) = μ 0 K (ρ)ρJ 1 (ρp m ) . (5.189)

n =1
Anschließend wird die Gleichung beidseitig über die Koordinate ρ zwischen den Grenzen
ρ = 0 und ρ = g integriert
∞ g g
∑ Apn p n ∫ ρJ1 (ρp n ) J1 (ρpm )dρ = μ 0 ∫ K (ρ)ρJ1 (ρp m )dρ .

n =1
(5.190)
0 0
Für die Auswertung des Integrals auf der linken Seite gilt
g
⎧0 für m ≠ n
∫0 ρ J (ρp )J (ρp ) d ρ = ⎨ (5.191)
1 n 1 m
⎩N p für m = n
mit
[ ] [ ]
g
⎡ ρ²
g
⎤ g²
N p = ∫ ρ[J1 (ρpn )] dρ = ⎢ J1 (ρpn ) − J 0 (ρpn )J 2 (ρpn ) ⎥ = J1 ( gpn ) − J 0 ( gpn )J 2 ( gpn ) .
2 2 2
0 ⎣2 ⎦0 2
(5.192)
Die Größe N p wird allgemein als Norm bezeichnet, die unter Verwendung der Gl. (5.185)
noch weiter umgeformt werden kann
Np =
g²
2
[ 2
]g²
J1 ( x1n ) − J 0 ( x1n )J 2 ( x1n ) = − J 0 ( x1n )J 2 ( x1n ) .
2
(5.193)
Wenn der Strombelag K (ρ ) nach Gl. (5.157) im Bereich a1 < ρ < a2 als von der Koordinate
ρ unabhängig angenommen wird, folgt für das Integral auf der rechten Seite der Gl. (5.190)
a2
iˆ ⎡πρ ⎤
a2
K ∫ ρJ 1 (ρp n ) dρ = ⎢ [J1 (ρp n ) H 0 (ρp n ) − J 0 (ρp n ) H 1 (ρp n )]⎥ . (5.194)

a1
a 2 − a1 ⎣ 2 pn ⎦ a1
Die Größen H 0 und H1 bezeichnen Struve-Funktionen der Ordnung Null bzw. eins. Die
Funktionen sind in Abb. B4.1 dargestellt. Unter Verwendung der Gammafunktion Γ(x ) (vgl.
[bro01]) kann eine Struve-Funktion der ν -ten Ordnung mit der folgenden Gleichung
berechnet werden
2k
ν +1 ∞ (− 1) ⎛⎜ 1 x ⎞⎟ k
⎛1 ⎞ ⎝2 ⎠
Hν (x ) = ⎜ x ⎟ ∑ . (5.195)
⎝ 2 ⎠ k = 0 Γ⎛ k + 3 ⎞ Γ⎛ k + ν + 3 ⎞
⎜ ⎟ ⎜ ⎟
⎝ 2⎠ ⎝ 2⎠
Die Ergebnisse aus den Gln. (5.191), (5.193) und (5.194) werden nun wieder in die
Gl. (5.190) eingesetzt, die dann nach dem gesuchten Koeffizienten Ap n aufgelöst wird
a
μ0 iˆ ⎡ π ρ ⎤
2
2
A pn =− ⎢ [J1 (ρp n ) H 0 (ρp n ) − J 0 (ρp n ) H1 (ρp n )]⎥ .(5.196)
p n g ² J 0 (x1n )J 2 ( x1n ) a 2 − a1 ⎣ 2 p n ⎦ a1
5.3.2.9 Gesamtlösungen für das Problem
Für das magnetische Vektorpotential in den einzelnen Teilbereichen der Modell-Anordnung

aus Abb. 5.25 müssen die unbekannten Koeffizienten Ap n 1 , C p n 2 , D p n 2 , C p n 3 , D p n 3 , C p n 4 ,
D p n 4 , C p n 5 , D p n 5 , Ap n 6 in den Lösungsansätzen
( 5.167 ) ∞
A1 (ρ, z ) = ∑A pn 1 1J (ρpn )e − p n z für z > b2 + d 2 (5.197)
n =1
( 5.162 ) ∞
A2 (ρ, z ) = ∑ J1 (ρpn )⎛⎜ C p n 2e ⎞⎟ für b ≤ z ≤ b + d
p n 2 +α 2 z − p n 2 +α 2 z
+ D p n 2e (5.198)
n =1 ⎝ ⎠ 2 2 2
∑ J (ρp )(C )
( 5.163) ∞
A3 (ρ, z ) = 1 n pn 3 e pnz + D pn 3e − pnz für 0 ≤ z < b2 (5.199)
n =1
∑ J (ρp )(C )
( 5.164 ) ∞
A4 (ρ, z ) = 1 n pn 4 e p n z + D p n 4e − p n z für − b5 < z < 0 (5.200)
n =1
( 5.165 ) ∞
A5 (ρ, z ) = ∑ J (ρp )⎛⎜⎝ C
n =1
1 n pn 5 e
p n 2 +α 2 z
+ D p n 5e
− p n 2 +α 2 z ⎞⎟ für − b − d ≤ z ≤ −b
⎠ 5 5 5 (5.201)
( 5.168 ) ∞
A6 (ρ, z ) = ∑A J (ρpn )e p n z
pn 6 1 für z < −b5 − b2 (5.202)
n =1
mit den Gln. (5.171) bis (5.179), (5.187) und (5.196) bestimmt werden. Die Lösungen sind in
Kapitel B.5 zu finden.
Für das Rechenmodell aus Abb. 5.9 müssen die Vektorpotentiale aus den Gln. (5.198) bis
(5.202) mit den sechs ansteigenden Radien der einzelnen Windungen berechnet werden. Die
Gesamtlösung wird dann durch Überlagerung der sechs Teillösungen bestimmt.
Im Vergleich zur Methode der Spiegelströme ist die Ausgangsanordnung für die Lösung des
Randwertproblems ähnlicher zur eigentlichen Modellanordnung des Multilayers. Dadurch
entfallen verschiedene Zwischenrechnungen für notwendige Ersatzanordnungen. In die
Analyse können auch leitfähige Materialien mit einbezogen werden, deren Berücksichtigung
durch eine entsprechende Feldgleichung erfolgt. Die gefundenen Lösungen können zur
Verifikation abschließend auch in die Randbedingungen eingesetzt werden.
Die vergleichsweise komplizierten und umfangreichen Gesamtlösungen eignen sich jedoch
nicht für eine anschauliche Interpretation. Der Einfluss der Änderungen von Material- oder
Geometrieparameter bei gleichem Aufbau lässt sich teilweise nur schwer voraussagen.
Für eine geänderte Schichtenzahl muss die Analyse neu durchgeführt werden. Dabei treten
durch jede weitere Schicht zwei zusätzliche Unbekannte auf, die während der Lösung des
linearen Gleichungssystems bestimmt werden müssen. Eine analytische Lösung ist bereits für
wenige Schichten in endlicher Zeit nicht mehr möglich.
Für die Auswertung der Endformeln des Vektorpotentials ist theoretisch eine Summation über
unendlich viele Glieder notwendig. Mit zunehmenden Werten des Zählindex n werden
jedoch die Beiträge zur Gesamtlösung immer kleiner. Das gesuchte magnetische
Vektorpotential wird also schon für eine endliche Gliederanzahl der Summe eine
entsprechende Genauigkeit aufweisen. Im Vergleich zur Methode der Spiegelströme müssen
hier durch die oszillierende Bessel-Funktion jedoch mehr Glieder berücksichtigt werden. Mit
150 Eigenwerten des Systems wird eine für die meisten Berechnungen ausreichende
Genauigkeit erzielt.
5.3.3 Finite-Elemente-Methode
Bei beiden bisher behandelten analytischen Methoden nimmt der Rechenaufwand rasch mit
der Komplexität der Aufgabe zu. Für die Lösung umfangreicherer Anordnungen können
alternativ numerische Verfahren eingesetzt werden. Bedingt durch die zu Grunde liegenden
Algorithmen ist nur eine näherungsweise Lösung möglich. Der Rechenaufwand wird durch
das verwendete Verfahren und die angestrebte Genauigkeit bestimmt. Aus der Vielzahl der
verschiedenen numerischen Analyseverfahren wird im Weiteren nur die Finite-Elemente-
Methode (FEM) betrachtet.
5.3.3.1 Theoretische Grundlagen der Methode
Als Ausgangspunkt für das Analyseverfahren dient wieder die Feldgleichung, die eine
partielle Differentialgleichung zweiter Ordnung darstellt. Sie beschreibt allgemein die
feldtheoretischen Zusammenhänge innerhalb eines Gebiets. Wenn das vorliegende
Gesamtproblem zusätzlich durch seine Randbedingungen beschrieben wird und bei
zeitabhängigen Problemen auch über definierte Anfangsbedingungen verfügt, ergibt sich eine
eindeutige Lösung.
Bei der Methode der Finiten Elemente ist es nun das Ziel, die Feldgleichung nicht im
gesamten, endlichen Definitionsgebiet, sondern in kleinen Teilgebieten zu lösen. Zusätzlich
wird dazu eine einfachere, mathematische Beschreibung der Feldgleichung in diesen
Teilgebieten, den finiten Elementen, verwendet. Durch die räumlichen Beziehungen dieser
Elemente zueinander sind die einzelnen Lösungen untereinander an den Rändern gekoppelt.
Es entsteht ein entsprechend großes Gleichungssystem, das gelöst werden muss.
Zur Veranschaulichung der Vorgehensweise wird ein Beispiel mit einer inhomogenen,
partiellen Differentialgleichung zweiter Ordnung betrachtet. Die Funktionen u und f stehen
innerhalb des Definitionsgebietes Ω in folgendem Zusammenhang
− Δu = f . (5.203)
Auf dem Rand ∂Ω des Gebietes Ω gilt hier zusätzlich u = 0 .

Die Gl. (5.203) wird nun beidseitig mit einer noch unbekannten Funktion v multipliziert und
anschließend über das Volumen des gesamten Bereichs Ω integriert. Für die ansonsten
beliebige Funktion v soll dabei ebenfalls v = 0 auf ∂Ω gelten. Unter Verwendung des
Divergenzsatzes (vgl. [bro01]) ergibt sich die folgende Umformung
∫ f ⋅ v dΩ = −∫ v ⋅ Δu dΩ = −∫ v ⋅ div(grad u )dΩ (5.204)

= − ∫ div(v ⋅ grad u )dΩ + ∫ grad u ⋅ grad v dΩ .
Mit dem Integralsatz von Gauss (vgl. [bro01]) kann das erste Integral auf der rechten Seite der
Gleichung in eine Integration über den Rand ∂Ω umgewandelt werden
∫ f ⋅ v dΩ = 1 ⋅ grad u d(∂Ω ) + ∫ grad u ⋅ grad v dΩ

∫ v4 42443
=0 (5.205)
= ∫ grad u ⋅ grad v dΩ .
Das Randwertproblem ist nun auf die Aufgabe reduziert, eine Funktion u ∈ X zu finden, die
unabhängig von der Funktion v die Gleichung
∫ grad u ⋅ grad v dΩ = ∫ f ⋅ v dΩ (5.206)
für alle v ∈ X erfüllt. Der Funktionenraum X enthält dabei alle Funktionen, die auf dem
Rand ∂Ω verschwinden. Die Gl. (5.206) wird als „schwache Formulierung“ der
Ausgangsgleichung (5.203) bezeichnet, da die Funktion u nur noch einmal statt zweimal
differenzierbar sein muss.
In einem weiteren Schritt wird nun der Funktionenraum X durch einen endlichdimensionalen
Teilraum X h ersetzt. Die einzelnen Funktionen von X h sollen auf ∂Ω ebenfalls wieder
verschwinden.
Allgemein ist also eine Approximation mit den Funktionen uh für u gesucht, sodass für alle
v ∈ X h gilt
∫ grad u h ⋅ grad v dΩ = ∫ f ⋅ v dΩ . (5.207)

Im Weiteren werden nun die Funktionen (γ 1 ,K , γ N ) als orthogonale Basis für den
Funktionenraum X h angenommen. Die Funktion uh kann dann auch als Summe der
Basisfunktionen geschrieben werden
N
uh = ∑ unγ n . (5.208)
n =1
Für die bisher nicht weiter spezifizierte Funktion v soll nun
v = γm mit m ∈ [1, N ] (5.209)
gelten. Aus der Gl. (5.207) folgt dann unter Berücksichtigung der Gln. (5.208) und (5.209)
N
∑ u ∫ gradγ
n =1
n n ⋅ gradγ m dΩ = ∫ f ⋅ γ m dΩ . (5.210)
Mit den Abkürzungen
Gnm = ∫ gradγ n ⋅ gradγ m dΩ und Fm = ∫ f ⋅ γ m dΩ (5.211)
ergibt sich schließlich die folgende Darstellung

N
∑G
n =1
nm n u = Fm mit m = 1,K, N . (5.212)
Bisher wurden keine Aussagen über die Basis (γ 1 ,K , γ N ) und die Funktionenräume X und
X h getroffen. Das Gleichungssystem (5.212) ist allgemein einfach zu lösen, wenn die Basis
(γ 1 ,K, γ N ) einem Banachraum entspricht (vgl. [jue01]) und weiterhin so gewählt wird, dass
möglichst viele der Koeffizienten Gnm gleich Null sind. Dazu wird der Gesamtraum Ω nun
geometrisch so aufgeteilt, dass in jedem Teilgebiet ΔΩ möglichst viele der Koeffizienten von
Gnm verschwinden. Vergleichsweise einfache Lösungen sind nur für sehr kleine ΔΩ zu
finden, weshalb die Teilgebiete auch als finite Elemente bezeichnet werden. Allgemein leitet
sich die Form der Teilgebiete ΔΩ von der Dimension des Raumes Ω ab. Im
eindimensionalen Fall wird die vorliegende Strecke in einzelne Intervalle unterteilt. Für ein
Problem mit zwei Dimensionen bieten sich für die Aufteilung gerad- oder krummlinige
Dreiecke, Vierecke oder Parallelogramme an. Prismen, Tetraeder, Quader oder allgemein
krummflächig berandete Elemente sind für die Unterteilung im dreidimensionalen Raum
geeignet. Die Aufteilung des Raumes in Teilgebiete wird auch als Vermaschung bezeichnet.
Im letzten Schritt muss das N -dimensionale, lineare Gleichungssystem aus Gl. (5.212) gelöst
werden, wozu verschiedene mathematische Verfahren eingesetzt werden. Für die direkten
Lösungsalgorithmen liefert das Gauß’sche Eliminationsverfahren die Basis, die mit einem
Aufwand von N 3 notwendigen Rechenoperationen aber vergleichsweise langsam sind.
Iterative Lösungsverfahren nähern sich mit mehreren Iterationsschritten der Lösung an, wobei
pro Schritt ca. N Operationen ausgeführt werden. Vergleichsweise schnell kann die Lösung
mit einem Mehrgitter-Algorithmus bestimmt werden, bei dem ca. N Rechenoperationen für
die Lösung des Systems notwendig sind. Ergänzend werden auch adaptive Verfahren
eingesetzt, bei denen während der Berechnung die Vermaschung lokal verfeinert wird, wenn
die Fehlerindikatoren eine vorgegebene Grenze überschreiten.
5.3.3.2 Übersicht über die Implementierung
Für die Bestimmung des magnetischen Vektorpotentials mithilfe der Finiten-Elemente-

Methode wird im Rahmen dieser Arbeit das Programm Comsol Multiphysics der Firma
Comsol eingesetzt. Abb. 5.27 zeigt für die Implementierung eine graphische Übersicht der
notwendigen Einzelschritte. Diese Schritte werden im Folgenden erklärt:
Abbildung 5.27: Notwendige Einzelschritte für die Lösung mit Comsol Multiphysics [ban01]
Draw
Die Problemstellung muss zunächst mit allen Geometriegrößen in das FEM Programm
übernommen werden. Dazu kann die Anordnung nachgezeichnet bzw. über eine CAD
Schnittstelle importiert werden.
Das Modell aus Abb. 5.9 wird für die Berechnungen ohne weitere Vereinfachungen direkt mit
sechs Windungen und zwei Materialschichten eingesetzt. Die Rotationssymmetrie der
Anordnung zur z -Achse wird insofern ausgenutzt, dass nur die Darstellung für ϕ = 0 in das
Programm übernommen wird. Des Weiteren wird in dieser Aufgabe eine quasistationäre,
zeitharmonische Analyse gewählt, um die Induktionsströme innerhalb der Leiterbahnen und
ein ϕ -gerichtetes Vektorpotential berechnen zu können.
Physics
Im zweiten Schritt müssen die physikalischen Gesetzmäßigkeiten des Problems definiert
werden. Neben der Feldgleichung sind dazu die Grenzbedingungen auf allen Rändern
erforderlich.
An den Materialgrenzen des Systems in den Ebenen z = const sind hier ebenfalls die
Gln. (5.151) und (5.152) zu erfüllen. Die Fernkugel wird als umschließender Zylinder
definiert, auf dem Aϕ = 0 gilt. Für die Darstellung weiterer Größen werden zusätzlich auf
allen Rändern Integrations-Kopplungsvariablen vorgesehen.
Mesh
Das Programm unterteilt nun die Modellanordnung in eine Vielzahl von finiten Elementen.
Die Vermaschungsdichte ist dabei nicht konstant im gesamten Raum. Allgemein wird
zwischen der groben Gebietsvernetzung und der feinen Detailvernetzung unterschieden.
In Abb. 5.28 ist die Vermaschung für die Anordnung aus Abb. 5.9 mit den sechs Windungen
und den zwei Materialplatten zu sehen. Die z-Achse verläuft vertikal am linken Bildrand. In
der Nähe der Windung liegt eine deutlich sichtbare Detailvernetzung mit den
Dreiecksstrukturen vor.
Abbildung 5.28: Finite Elemente für die Modellanordnung
Abbildung 5.29: Darstellung des magnetischen Vektorpotentials mit

Postprocessing Fenster
Solve
Nach der Vermaschung der Anordnung kann das Problem gelöst werden. Dazu werden die
entsprechenden mathematischen Gleichungen programmintern erzeugt und einem der
integrierten Lösungsverfahren zugeführt. Die Rechengenauigkeit wird dabei als Parameter
definiert.
Postprocess
Die berechnete Lösung wird abschließend im Postprocess-Modus dargestellt, in dem die
Visualisierung noch angepasst werden kann. Für die untersuchte Anordnung ist in Abb. 5.29
das magnetische Vektorpotential für den gesamten Raum dargestellt.
5.3.3.3 Individuelle Bedienoberfläche
Im Rahmen der Arbeit [pat01] wurde eine individuelle Bedienoberfläche für Comsol
Multiphysics erstellt. Dazu wurde die MatLab basierte Programmierumgebung Comsol Script
des Programms verwendet.
Mithilfe dieser Oberfläche kann ein Multilayer-Aufbau mit mehreren Materialschichten auf
einfache Weise initiiert werden. Die meist sehr zeitaufwändigen Arbeiten des ersten Schrittes
„Draw“ werden dann basierend auf den Eingaben im Hintergrund automatisch erledigt.
Im Vergleich zu den beiden analytischen Methoden kann die Modellanordnung ohne weitere
Zwischenschritte direkt untersucht werden. Die Anzahl der Arbeiten, die ohne Unterstützung
eines Computers bewerkstelligt werden müssen, reduziert sich dadurch erheblich.
Gleichzeitig kann die Geometrie sehr flexibel und einfach geändert werden, insbesondere
unter Verwendung der CAD-Schnittstelle. Eine Berechnung von Aufbauten mit mehr als zwei
Materialschichten ist ebenfalls vergleichsweise einfach möglich. Neben den eigenen
Postprocessing-Modulen für die Weiterverarbeitung der Ergebnisse besitzt Comsol
Multiphysics auch eine Schnittstelle zum Programm MatLab.
Die meisten FEM Programme verfügen über vollgraphische Benutzeroberflächen, die eine
Bedienung auch ohne Programmierkenntnisse ermöglichen. Die einfache Erstellung eigener
Bedienoberflächen optimiert den Einsatz insbesondere für wiederkehrende Untersuchungen.
Grundsätzlich wird durch die „schwache Formulierung“ der Ausgangsgleichung keine exakte
Lösung bestimmt. Eine feinere Diskretisierung des Raumes führt jedoch einerseits zu einer
höheren Genauigkeit der Modellierung. Andererseits steigen dadurch auch die Anforderungen
an die Prozessorleistung und den Speicher des Rechners. Zusätzlich nimmt aber auch die
notwendige Zeit für die Lösung des Problems überproportional zu. Für gewöhnlich ist stets
ein Kompromiss zwischen Genauigkeit, Prozessorleistung, Speicheranforderungen und
Rechenzeit zu suchen.
5.4 Rechen- und Messergebnisse
Mit den in Kapitel 5.3 vorgestellten Methoden kann das magnetische Vektorpotential durch
verschiedene Verfahren für eine Anordnung nach Abb. 5.9 bestimmt werden. Daraus lassen
sich mit den Formeln aus Kapitel 5.2 die Eigen- und Gegeninduktivitäten planarer
Komponenten bestimmen. Zur Verdeutlichung der Zusammenhänge innerhalb der Anordnung
und zur Verifikation der Berechnungsmethoden und Formeln werden in diesem Unterkapitel
für verschiedene Anordnungen Rechen- und Messergebnisse dargestellt. Dabei ist in erster
Linie der Einfluss von verschiedenen Materialien auf den Verlauf des magnetischen
Vektorpotentials und die damit verbundene Änderung der Induktivität bzw. der Kopplung
interessant. Die dargestellten Untersuchungen beschränken sich daher aus der Vielzahl der
möglichen Anordnungen auf die Spule aus Abb. 5.2 mit verschiedenen Materialschichten.
Die verwendete Spule besitzt nach Abb. 5.3 vier vertikal übereinander geschichtete, einzelne
Lagen mit gleichen Abmessungen. Für die Berechnung des magnetischen Vektorpotentials
können diese Lagen als eine Wicklung in der Ebene z = 0 , durch die der vierfache Strom
fließt, angenommen werden. Dadurch entfallen bei den Berechnungen die Beiträge der
wechselseitigen Kopplungen zwischen den einzelnen Lagen. Die Ergebnisse werden durch
diese Vernachlässigung kaum beeinflusst. Gleichzeitig reduzieren sich aber Rechenaufwand
und -zeit erheblich.
Ober- und unterhalb der planaren Spule sind entsprechend der Anordnung aus Abb. 5.9
mehrere Schichten verschiedener Materialien angeordnet. Für die Durchführung der
Berechnungen und Messungen sind neben den Geometriedaten in erster Linie nur die
Permeabilität und die Leitfähigkeit interessant. Die verschiedenen Werkstoffe werden im
Detail in Kapitel 5.7 beschrieben. Für die hier vorgestellten Untersuchungen standen vier
Materialien, deren Parameter in Tabelle 5.5 aufgeführt sind, zur Verfügung. Das Material der
Firma Würth lag nur als Labormuster vor, bei dem die Permeabilität innerhalb der
Toleranzangaben mittig angenommen wurde. Die Leitfähigkeit der FPC-Materialien wurde
gleich Null angesetzt.
Material rel. Permeabilität Leitfähigkeit Dicke
Ferrite Polymer Compound (Epcos) FPC1 9 0 0.2 mm
Ferrite Polymer Compound (Würth) FPC2 11 0 0.4 mm

6 −1
Mu-Metall Mu 4000 ( f = 5 kHz ) 1.8 ⋅ 10 Sm 50 μm
6 −1
Kupfer Cu 1 58.82 ⋅ 10 Sm 50 μm
Tabelle 5.5: Materialien für die Berechnungen und Messungen
Mit FPC-Materialien und Mu-Metall können magnetische Kerne für planare Komponenten
entworfen werden (vgl. Kapitel 5.1.2). Um den Einfluss von kupferkaschierten
Platinenunterseiten, Metallgehäusen oder anderen Metallflächen in der Umgebung der Spule
zu berücksichtigen, wurde das Material Kupfer auch in die Berechnungen mit einbezogen.
Für alle untersuchten Anordnungen mit je einer Materialschicht ober- und unterhalb der Spule
gilt zunächst wieder b2 = b5 , d 2 = d 5 , μ 2 = μ5 und κ 2 = κ 5 . Zur Ergänzung wird auch ein
Modell betrachtet, bei dem nur eine Materialschicht der Dicke d 2 in der Ebene z = b2
angeordnet ist. Beide Modellanordnungen sind mit den relevanten Material- und
Geometrieparametern in Abb. 5.30 dargestellt.
z z
μ 0 , κ1 = 0 b2 + d 2 μ 0 , κ1 = 0 b2 + d 2
μ2 ≠ μ0 ,κ 2 ≠ 0 d2 μ2 ≠ μ0 ,κ 2 ≠ 0 d2
μ0 ,κ 3 = 0 b2
ρ
μ0 ,κ 3 = 0 b2
ρ
μ0 ,κ 4 = 0 μ0 ,κ 4 = 0 −b2
μ2 ≠ μ0 ,κ 2 ≠ 0 d2
μ0 ,κ 6 = 0 −b2 − d 2
Abbildung 5.30: Modellanordnungen für die Berechnungen und die Messungen
Die Berechnungen unter Verwendung der Ergebnisse der analytischen Verfahren wurden mit
den Programmen MathCad oder MatLab durchgeführt. Für die Auswertungen mithilfe der
Finite-Elemente-Methode kam das Programm Comsol Multiphysics zum Einsatz. Die
Frequenz f wurde für die Untersuchungen in Hinblick auf das Material Mu-Metall zunächst
auf den Wert 5 kHz festgelegt.
5.4.1 Magnetisches Vektorpotential
Für d 2 = 200 μm und b2 = 580 μm wurde mit dem FEM Programm der Verlauf des
magnetischen Vektorpotentials Aϕ im umgebenden Raum der Spule für verschiedene
Materialien berechnet. Die Abbildungen 5.31 bis 5.36 zeigen die Ergebnisse in der Ebene
ϕ = 0.
Bei allen Anordnungen mit zwei Materialschichten ist deutlich die Symmetrie zur Ebene
z = 0 erkennbar. In allen Fällen ändert sich die Amplitude des magnetischen Feldes an den
Materialgrenzen.
Durch die hohe Permeabilität des Mu-Metalls ist das Vektorpotential in der direkten
Umgebung der Spule deutlich höher als bei den Anordnungen mit anderen Materialien.
Gleichzeitig klingt das Potential in ρ -Richtung mit zunehmender Entfernung von der Spule
weniger schnell ab. Im Außenraum, d.h. für z > b2 ist das magnetische Vektorpotential
deutlich verkleinert.
0.008
1.8
0.006
1.6
0.004
z 1.4 Aϕ
ga 0.002
ha
m 10
-8
⋅ Vsm
−1
1.2
0
-0.002 1.0
-0.004 0.8
-0.006 0.6
-0.008 0.4
-0.010 0.2
ga f = 5 kHz
0.004 0.006 0.008 0.010 0.012 0.014 0.016 0.018 0.020 0.022 0.024 0
ρ m
Abbildung 5.31: Magnetisches Vektorpotential – einseitig FPC1
0.008
2.0
0.006
1.8
0.004
1.6
z Aϕ
ga 0.002
ha
m -8 −1
⋅ Vsm
1.4
0
10
1.2
-0.002
1.0
-0.004
0.8
-0.006
0.6
-0.008
0.4
-0.010
0.2
ga f = 5 kHz
0.004 0.006 0.008 0.010 0.012 0.014 0.016 0.018 0.020 0.022 0.024 0
ρ m
Abbildung 5.32: Magnetisches Vektorpotential – zweiseitig FPC1

0.008
0.006
2.5
0.004
z Aϕ
ga 0.002
ha
2.0 −1
m 10
-8
⋅ Vsm
0
-0.002 1.5
-0.004
1.0
-0.006
-0.008
0.5
-0.010
0
ga f = 5 kHz
0.004 0.006 0.008 0.010 0.012 0.014 0.016 0.018 0.020 0.022 0.024
ρ m
Abbildung 5.33: Magnetisches Vektorpotential – einseitig Mu-Metall
0.008
0.006 1.2
0.004
1.0
z Aϕ
ga 0.002
ha
m 10
- 7
⋅ Vsm
−1
0.8
0
-0.002
0.6
-0.004
0.4
-0.006
-0.008
0.2
-0.010
0
ga f = 5 kHz
0.004 0.006 0.008 0.010 0.012 0.014 0.016 0.018 0.020 0.022 0.024
ρ m
Abbildung 5.34: Magnetisches Vektorpotential – zweiseitig Mu-Metall

0.008
0.006 8.0
0.004 7.0
z Aϕ
ga 0.002 6.0 ha
m 10
- 9
⋅ Vsm
−1
0
5.0
-0.002
4.0
-0.004
3.0
-0.006
2.0
-0.008
1.0
-0.010
0
ga f = 5 kHz
0.004 0.006 0.008 0.010 0.012 0.014 0.016 0.018 0.020 0.022 0.024
ρ m
Abbildung 5.35: Magnetisches Vektorpotential – einseitig Kupfer
0.008
0.006
5.0
0.004
z 4.0 Aϕ
ga 0.002
ha
m 10
- 9
⋅ Vsm
−1
0
3.0
-0.002
-0.004 2.0
-0.006
1.0
-0.008
-0.010 0
ga f = 5 kHz
0.004 0.006 0.008 0.010 0.012 0.014 0.016 0.018 0.020 0.022 0.024
ρ m
Abbildung 5.36: Magnetisches Vektorpotential – zweiseitig Kupfer

5.4.2 Eigeninduktivitäten planarer Spulen
Die Veränderungen der Eigeninduktivität planarer Spulen bei zusätzlichen Materialschichten

im Aufbau werden zur Bewertung mit dem Wert der jeweils gleichen Spule im Vakuum
verglichen. Die Impedanz der Luftspule aus Abb. 5.2 kann dazu messtechnisch mit einem
Impedanzanalysator bestimmt werden. In Abb. 5.37 ist der induktive Anteil dieser Impedanz
in Abhängigkeit von der Frequenz f dargestellt.
26.45
26.40
26.35
26.30
LLS
ga 26.25
μH
m
26.20
26.15
26.10
26.05
26.00
25.95
1 10 100 1000
f kHz
Abbildung 5.37: Eigeninduktivität der Testspule
Die Luftspule besitzt im Bereich von 1 kHz bis 100 kHz einen nahezu konstanten Wert von
LLS = 26.35 μH . Wenn mit ΔL allgemein die durch die Materialschichten hervorgerufene
Änderung der Eigeninduktivität bezeichnet wird, so gilt für die gesamte Induktivität der Spule
L = ΔL + LLS = ΔL + 26.35 μH . (5.213)
Beim Einsatz von Mu-Metall und Kupfer wird das magnetische Vektorpotential durch im
Material induzierte Ströme, sogenannte Wirbelströme, beeinflusst. Diese Ströme sind
frequenzabhängig und verursachen allgemeinen ein zusätzliches magnetisches Feld, das sich
dem ursprünglichen Feld der Spule entgegen gerichtet überlagert. Dadurch verkleinert sich
der Wert der Eigeninduktivität. Zusätzlich treten bei Mu-Metall Magnetisierungsströme auf,
die den Wert der Eigeninduktivität wiederum um ein Vielfaches erhöhen.
Nachdem FPC-Materialien nahezu keine Leitfähigkeit besitzen, treten innerhalb der FPC-
Werkstoffe fast keine Wirbelströme auf. Bei der vorliegenden Leiterbahnbreite sind die
Skineffekte in der Leiterbahn der Spule bis 100 kHz vernachlässigbar klein. Dadurch ist das
magnetische Vektorpotential der Spule im Bereich von 1 kHz bis 100 kHz beim Einsatz von
FPC-Materialien weitgehend frequenzunabhängig. Die im Folgenden dargestellten Ergebnisse
für f = 5 kHz können daher beim Einsatz von FPC-Materialien für den gesamten
Frequenzbereich von 1 kHz bis 100 kHz übernommen werden.
Für eine Anordnung mit einer einseitig angeordneten FPC-Materialfolie mit zwei
unterschiedlichen Materialdicken und Permeabilitätswerten sind die Berechnungs- und
Messergebnisse in Abb. 5.38 gegenüber gestellt. Mit zunehmendem Abstand b2 zwischen
Spule und permeabler Schicht verkleinert sich der Einfluss des FPC-Materials auf die
Induktivität. Auch eine kleinere Schichtdicke verringert die zusätzliche Induktivität ΔL . Mit
der schwachen Permeabilität des verfügbaren weichmagnetischen Materials ist im rechten
Bild der Abb. 5.38 eine maximale Erhöhung der Eigeninduktivität von 5 μH erreichbar, die
nur etwa 20 % des Ausgangswerts der Luftspule entspricht.
Abb. 5.39 zeigt die zu Abb. 5.38 vergleichbaren Kurven für zwei permeable Schichten,
zwischen denen die erregende Spule symmetrisch angeordnet ist. Bei vergleichbarer
Materialdicke und gleichem Abstand sind die erzielbaren Werte im Vergleich mehr als
doppelt so groß. Absolut gesehen ist die Erhöhung der Induktivität um knapp 11 μH im
rechten Bild der Abb. 5.39 im Vergleich zur Ausgangsinduktivität der Luftspule jedoch
immer noch sehr gering.
5 6
einseitig FPC1 einseitig FPC2

5 berechnet
4
ΔL
gemessen
ΔL gemessen
berechnet 4
μH 3 μH
3
2
2
1
1
0 0
0 1 2 3 4 5 6 0 1 2 3 4 5 6
b2 / mm b2 / mm
Abbildung 5.38: Änderung der Eigeninduktivität – einseitig FPC-Material
10 12
zweiseitig FPC1 zweiseitig FPC2
10 gemessen
8
gemessen
ΔL ΔL berechnet
berechnet 8
μH 6 μH
6
4
4
2
2
0 0
0 1 2 3 4 5 6 0 1 2 3 4 5 6
b2 / mm b2 / mm
Abbildung 5.39: Änderung der Eigeninduktivität – zweiseitig FPC-Material

Die beiden linken Darstellungen der Abbildungen 5.38 und 5.39 zeigen für das Material FPC1
Abweichungen zwischen den berechneten und gemessenen Werten für die Induktivität der
Spule. Diese ergeben sich durch die Idealisierungen während der Berechnungen, sowie durch
Messfehler. Durch die endliche Ausdehnung der Messanordnung treten zusätzliche
Streufelder auf, die in den Berechnungen nicht berücksichtigt werden. Für die
Untersuchungen mit dem Material FPC2 weichen die Ergebnisse dagegen deutlich in die
andere Richtung ab. Als Hauptursache ist für das FPC-Labormuster ein örtlich stark
schwankender Wert der Permeabilität um den Wert aus dem Datenblatt zu nennen. Hinweise
hierzu lieferte die in Kapitel 5.7 vorgestellte Bestimmungsmethode.
In einem nächsten Schritt wird nun untersucht, ob durch eine Vergrößerung der Permeabilität
des eingesetzten Materials eine signifikante Änderung der Eigeninduktivität erzielt werden
kann. Das linke Bild in Abb. 5.40 zeigt den Zuwachs der Induktivität in Abhängigkeit des
Parameters μ r 2 für einen Aufbau mit einer einseitigen FPC1 Schicht ( d 2 = 0.2 mm ) im
Abstand b2 = 0.9 mm über der Spule. Die Kurve zeigt eine nichtlineare Charakteristik, die
einem Endwert zustrebt. Dieser Wert kann mit Gl. (5.78), die das Vektorpotential an der
Stelle der Spule unter Berücksichtigung der FPC Schicht angibt, bestimmt werden. Aus dieser
Gleichung folgt, dass die Summe aller Beiträge der Spiegelströme stets kleiner ist als der
Beitrag der erregenden Leiterschleife. Eine Verdoppelung der Eigeninduktivität mit einer
permeablen Schicht auf nur einer Seite der erregenden Spule ist also nicht möglich und stellt
den theoretischen Grenzfall dar. Wie das zweite Diagramm in Abb. 5.40 zeigt, ist allerdings
eine Verdoppelung der Induktivität mit jeweils einer permeablen Schicht ober- und unterhalb
der Spule möglich. Für sehr hohe Werte der Permeabilität tritt hier ebenfalls eine Abflachung
der Kurve ein.
10
30
8 25
ΔL ΔL
μH 20
6 μH
15
4
10
2
5
einseitig FPC1 zweiseitig FPC1
0
0
1 5 10 15 20 25 30 35
1 5 10 15 20 25 30 35
μr2 μr2
Abbildung 5.40: Änderung der Eigeninduktivität – ein- oder zweiseitig FPC1-Material

Abhängigkeit von der Permeabilität
Eine nichtlineare Kurve mit Grenzwert tritt auch auf, wenn die Änderung der Induktivität in
Abhängigkeit der Materialdicke der permeablen Schicht betrachtet wird (vgl. Abb. 5.41). Für
die Praxis bedeuten diese Berechnungsergebnisse, dass es ab einer bestimmten Dicke der
permeablen Schicht nicht mehr sinnvoll ist, die Materialstärke noch größer zu wählen. Die
dadurch erzielbare weitere Erhöhung der Induktivität fällt nämlich vergleichsweise gering
aus. Für eine Schicht oberhalb der Spule stellt der permeable Halbraum z > 0 den
theoretischen Grenzfall dar, der als gestrichelte Linie in das linke Diagramm in Abb. 5.41
eingezeichnet ist. Auch für eine Schicht ober- und unterhalb ist wieder eine Sättigung in
Hinblick auf die Eigeninduktivitätserhöhung zu beobachten, die jedoch erst bei sehr viel
größeren Werten eintritt. Auffällig ist jedoch, dass für sehr kleine Abstände zwischen der
Leiterschleife und den permeablen Schichten und Schichtdicken im unteren Bereich bereits
eine Verdopplung der Eigeninduktivität erzielbar ist.
16 80
14 b2 = 0.9 mm b2 = 0.9 mm
ΔL 12
b2 = 1.5 mm ΔL 60
μH 10
μH
b2 = 1.5 mm
8 40
6
b2 = 4.0 mm b2 = 4.0 mm
4 20
2
einseitig FPC1 zweiseitig FPC1
0 0
0 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 0 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10
d 2 / mm d 2 / mm
Abbildung 5.41: Änderung der Eigeninduktivität – ein- oder zweiseitig FPC1-Material

Abhängigkeit von der Materialdicke
Die Rechenergebnisse in den Abbildungen 5.38 bis 5.41 wurden mit der Methode der
Spiegelströme mit jeweils 15 Spiegelelementen bestimmt. Das Spiegelstrommodell basiert
allgemein auf der Annahme, dass die verschiedenen Räume ober- und unterhalb der
Spulenebene in ρ -Richtung unendlich ausgedehnt sind. Diese Annahme führt generell zu
deutlichen Unterschieden zwischen den Messergebnissen und den berechneten Größen bei
Anordnungen mit in ρ -Richtung sehr eng begrenzten, magnetischen Kernen. Es treten
feldverzerrende Inhomogenitäten auf, die in der Berechnung nicht berücksichtigt werden.
Die Anordnungen aus Abb. 5.30 werden nun mit Schichten aus Mu-Metall untersucht. Für die
Berechnungen wurden die Formeln aus der Lösung des Randwertproblems unter
Berücksichtigung von 150 Eigenwerten verwendet. In Hinblick auf die hohen Ergebniswerte
wird nun die Gesamtinduktivität in den folgenden Diagrammen dargestellt.
Im Vergleich zu den Ergebnissen in den Abbildungen 5.38 und 5.39 ist bereits mit einer
einseitigen Mu-Metall Schicht nahezu eine Verdopplung der Eigeninduktivität möglich (vgl.
Abb. 5.42). Wenn sich der Abstand zwischen der Mu-Metall Lage und der kreisförmigen
Spule vergrößert, wird das magnetische Feld weniger stark beeinflusst. Die Selbstinduktivität
der Anordnung nähert sich dann dem Wert der Luftspule an. Auf der rechten Seite der Abb.
5.42 sind die Ergebnisse für eine Anordnung mit einer Mu-Metall Schicht ober- und unterhalb
dargestellt. Die Induktivität erreicht in diesem Fall den 15-fachen Wert der Luftspule.
Die bessere Kopplung im Fall zweier Mu-Metall Schichten verkleinert die Streufelder der
realen Anordnung und ist die Ursache für die gute Übereinstimmung der Mess- und
Rechenergebnisse.
berechnet berechnet
gemessen gemessen
f = 5 kHz f = 5 kHz
L L
μH μH
einseitig Mu zweiseitig Mu
b2 mm b2 mm
Abbildung 5.42: Ein- oder zweiseitig Mu-Metall – Abstand als Parameter [schuh01]
L L
μH μH
f = 5 kHz f = 5 kHz
einseitig Mu zweiseitig Mu
μ r 2 dd μ r 2 dd
Abbildung 5.43: Ein- oder zweiseitig Mu-Metall – Permeabilität und Materialdicke

als Parameter
L L
μH μH
einseitig Mu f = 5 kHz zweiseitig Mu f = 5 kHz
κ 2 Sm −1 dd κ 2 Sm −1 dd
Abbildung 5.44: Ein- oder zweiseitig Mu-Metall – Leitfähigkeit und Materialdicke

als Parameter
In Abb. 5.43 ist die Induktivität in Abhängigkeit der Materialdicke und der Permeabilität des
Materials dargestellt. Für zunehmend größere Werte der Permeabilität, aber auch größere
Materialdicken, strebt die Induktivität in beiden dargestellten Fällen einem Grenzwert zu.
Innerhalb der Mu-Metall Schichten treten durch das magnetische Feld Wirbelströme auf,
deren Amplitude von der Leitfähigkeit des Materials abhängt. Nachdem diese Wirbelströme
ein magnetisches Feld hervorrufen, das am Ort der kreisförmigen Spule dem ursprünglichen
Feld entgegen gerichtet ist, verkleinern die Wirbelströme den Wert der Induktivität. In
Abb. 5.44 sind die berechneten Ergebnisse für verschiedene Materialdicken in Abhängigkeit
der Leitfähigkeit dargestellt. Für beide Anordnungen nach Abb. 5.30 stellt sich eine leichte
Reduzierung des Induktivitätswertes für steigende Leitfähigkeit ein. Die Frequenz wurde mit
f = 5 kHz festgelegt. Bei gleichzeitig größer werdender Materialstärke und Leitfähigkeit
können unter Berücksichtigung der Skintiefe zunehmend mehr Wirbelströme im Material
induziert werden, wodurch der Induktivitätswert insgesamt sinkt. Gleichzeitig steigen jedoch
die Verluste innerhalb der leitfähigen Schichten und erhöhen dadurch auch die
Gesamtverluste der Anordnung.
Abschließend wird eine Anordnung betrachtet, bei der sich an der Stelle z = −b5 eine Kupfer-
Schicht mit d 5 = 50 μm befindet. Bei z = b2 wird eine Mu-Metall Schicht angeordnet. Für die
Untersuchungen ist b2 variabel, während b5 = 0.58 mm für alle Ergebnisse gilt. Die
untersuchte Situation entspricht einer planaren Spule, die mittig in einer Leiterplatte mit
kupferkaschierter Unterseite integriert ist.
berechnet
gemessen
f = 5 kHz
L
μH
b2 mm
Abbildung 5.45: Eigeninduktivität einer Spule zwischen einer Mu-Metall und einer
Kupferschicht
Abb. 5.45 zeigt für diesen Fall die Rechen- und Messergebnisse bei einer Frequenz von
f = 5 kHz . Bei dieser Anordnung ist die Eigeninduktivität bei gleichem b2 im Vergleich
kleiner als bei einer Anordnung mit zwei Mu-Metall Schichten (vgl. Abb. 5.42). Die Werte
entsprechen aber fast der Anordnung mit einer Mu-Metall Schicht. Eine Vergrößerung der
Eigeninduktivität der Spule wird demnach in erster Linie durch die permeablen Eigenschaften
der Mu-Metall Folie verursacht.
5.4.3 Gegeninduktivitäten planarer Transformatoren
Mit den Ergebnissen aus Kapitel 5.2.2 können die Selbst- und Gegeninduktivitäten planarer
Transformatoren aus dem magnetischen Vektorpotential bestimmt werden. Abb. 5.46 zeigt
eine Beispielanordnung mit einem planaren Transformator, der fünf Primär- und drei
Sekundärwindungen besitzt. Die magnetische Kopplung wird durch einen weichmagnetischen
Kern, in Form von zwei FPC Schichten, verstärkt.
z
b2 + d 2
μ2 ≠ μ0 , κ 2 = 0 d2 FPC
b2
Primärwicklung ρ
0 FR4
Sekundärwicklung −b2
μ 2 ≠ μ0 , κ 2 = 0 d 2 FPC
−b2 − d 2
Abbildung 5.46: Modell eines planaren Transformators mit weichmagnetischem Kern
Für kreisförmige und rechteckige Leiterformen der Wicklungen wird die Gegeninduktivität in
den Abbildungen 5.47 und 5.48 als Funktion der Permeabilität des magnetischen Kerns
dargestellt. Das FPC-Material besitzt eine konstante Dicke von d 2 = 0.4 mm bei einem festen
Abstand von b2 = 1.45 mm zur Ebene z = 0 . Zusätzlich enthalten die Abbildungen
Messungen, bei denen das FPC-Material jeweils einseitig entfernt wurde. Der magnetische
Kreis schließt sich in diesen Fällen über weite Bereiche durch die Luft. Nachdem die Größe
der Kopplung in erster Linie von der vom magnetischen Fluss durchsetzten Fläche und
weniger von deren Form abhängt, sind die Ergebnisse für kreisförmige und rechteckförmige
Leiterschleifen in beiden Abbildungen vom Verlauf ähnlich. Wie bei den Ergebnissen des
vorangegangenen Unterkapitels strebt die Gegeninduktivität ebenfalls gegen einen Grenzwert,
wenn die Permeabilität erhöht wird. Die verschiedenen Kurven zeigen auch, dass die
Kernform ebenfalls einen großen Einfluss hat. Des Weiteren ist der Abstand des permeablen
Materials zu den Windungen wichtig, wie aus den beiden Kurven für eine einseitige
Kerngeometrie zu entnehmen ist. Die Kopplung des Transformators ohne magnetisches
Material ist für μ r 2 = 1 aus den Abbildungen ablesbar.
In der Tabelle 5.6 sind für die verschiedenen Designs planarer Transformatoren aus Abb. 5.4
Rechen- und Messergebnisse der Gegeninduktivität für verschiedene Windungsformen und
Kerngeometrien aufgeführt. Die Designs haben, wie in Kapitel 5.1.1.2 ausgeführt, ähnliche
Geometrieparameter, um die Ergebnisse einfacher vergleichen zu können. Der größte Wert
der Kopplung wird mit der Konfiguration c) aus Abb. 5.4 erreicht, bei der die Primär- und
Sekundärwicklung räumlich sehr eng zueinander angeordnet sind. Bedingt durch die relativ
kleine Permeabilität des verwendeten Materials ist die Gegeninduktivität in allen Fällen sehr
gering.
0.89
0.84
0.79
M 0.74
μH 0.69
0.64
0.59
0.54
f = 100 kHz
0.49
0 5 10 15 20 25 30 35 40 45 50
μ r 2 dd
FPC1 Schicht an der Stelle z = b2
FPC1 Schicht an der Stelle z = −b2
FPC1 Schicht an der Stelle z = b2 und z = −b2
Abbildung 5.47: Gegeninduktivität bei kreisförmigen Windungen
1.12
1.02
M
0.92
μH
0.82
0.72
f = 100 kHz
0.62
0 5 10 15 20 25 30 35 40 45 50
μ r 2 dd
FPC1 Schicht an der Stelle z = b2
FPC1 Schicht an der Stelle z = −b2
FPC1 Schicht an der Stelle z = b2 und z = −b2
Abbildung 5.48: Gegeninduktivität bei rechteckigen Windungen
Die Ergebnisse in den Abbildungen 5.47 und 5.48, sowie alle Größen in der Tabelle 5.6
wurden bei einer Frequenz f von 100 kHz bestimmt. Diese Frequenz liegt im typischen
Bereich der Schaltfrequenzen von leistungselektronischen Schaltungen. Nachdem die FPC-
Materialien für diese Frequenz spezifiziert sind, sind die Untersuchungen ohne
Einschränkungen gültig.
106
Tabelle 5.6:
FPC-Materialien an den Stellen
z = b2 und z = −b2 z = b2 z = −b 2
f = 100 kHz Design Berechnung Messung Berechnung Messung Berechnung Messung
Abb. 5.4a 0.713 μH 0.61 μH 0.556 μH 0.45 μH 0.613 μH 0.51 μH

Kreisförmige
Abb. 5.4b 0.275 μH 0.23 μH 0.157 μH 0.13 μH 0.157 μH 0.13 μH
Leiterschleifen
Abb. 5.4c 0.774 μH 0.68 μH 0.736 μH 0.63 μH 0.736 μH 0.63 μH
Abb. 5.4a 0.918 μH 0.85 μH 0.712 μH 0.64 μH 0.782 μH 0.68 μH

Rechteckige
Abb. 5.4b 0.348 μH 0.29 μH 0.201 μH 0.18 μH 0.201 μH 0.18 μH
Leiterschleifen
Gegeninduktivitäten der planaren Transformatoren

Abb. 5.4c 0.983 μH 0.89 μH 0.929 μH 0.86 μH 0.935 μH 0.86 μH
Integrierte induktive Komponenten
5.5 Schirmwirkung der planaren Schichten
In den Abbildungen 5.31 bis 5.36 ist deutlich zu sehen, dass die zusätzlichen Materialien im
Aufbau nicht nur das magnetische Vektorpotential in der Nähe der Spule, sondern im
gesamten Raum beeinflussen. Insbesondere für z > b2 + d 2 wird das Feld in allen Fällen im
Vergleich zum ursprünglichen Wert reduziert. Diese Eigenschaft ist nützlich, wenn die
Feldemissionen der betrachteten Anordnung nach außen reduziert werden müssen, um
beispielsweise EMV-Vorgaben zu erfüllen. Gleichzeitig können auch einzelne Komponenten
durch schirmende Schichten voneinander entkoppelt werden.
Um die Schirmeffektivität verschiedener Materialien in einem Aufbau nach Abb. 5.30
bewerten zu können, werden im Folgenden verschiedene Rechen- und Messergebnisse für die
Dämpfung des magnetischen Feldes in einem Raumpunkt dargestellt. Für die Berechnung der
erzielten Dämpfung wird die folgende Formel verwendet
r r
H oM (r ) r r 1 r r
mit H(r ) = B(r ) .
att
= 20 log r r (5.214)
dB H mM (r ) μ
r r r
Mit
r H
r oM (r ) wird die magnetische Feldstärke der Luftspule im Raumpunkt r bezeichnet.
H mM (r ) gibt die magnetische Feldstärke im gleichen Raumpunkt für Aufbauten nach
Abb. 5.30 an. Alle Berechnungen und Messungen wurden wieder mit der Spule aus Abb. 5.2
durchgeführt.
Zunächst wird eine Anordnung mit FPC2-Material ( μ r 2 = 11 , d 2 = 0.4 mm ) untersucht.
Zwischen der permeablen Schicht und der erregenden Spule im Ursprung des
Koordinatensystems wird ein Abstand von b = 1.6 mm eingehalten. Für z > b2 + d 2 sind die
Verläufe der Dämpfung abhängig von der Koordinate z in Abb. 5.49 dargestellt.
16 16
berechnet berechnet
14 gemessen
14 gemessen
12 12
10 10
8 8
6 6
4 4
z 2 z 2
mm 0 mm 0
-2 -2
-4 -4
-6 -6
-8 -8
-10 -10
-12 f = 100 kHz -12 f = 100 kHz
-14 einseitig FPC2 -14 zweiseitig FPC2
-16 -16
-4 0 4 8 12 -4 0 4 8 12
att dB att dB
Abbildung 5.49: Rechen- und Messergebnisse für die Dämpfung auf der z-Achse
mit FPC-Material
Mit einer FPC Schicht an der Stelle z = b2 wird die magnetische Feldstärke auf der z -Achse
oberhalb der Schicht, also im Bereich z > b2 + d 2 , um maximal 8 dB reduziert. Dieser Wert
wird jedoch nur direkt an der Oberfläche der planaren Schicht erreicht. Für größere Abstände
ist die Dämpfung entsprechend geringer. Im Bereich z < 0 nimmt die Dämpfung dagegen
negative Werte an. Die magnetische Feldstärke wird dort bezogen auf die Feldstärke, die ohne
permeable Schicht vorliegen würde, verstärkt.
Wenn die erregende Spule näherungsweise durch einen Dipol modelliert wird, kann das
magnetische Feld für den Bereich z < 0 mit der Spiegelanordnung nach Abb. 5.21 bestimmt
werden. Die für diesen Bereich notwendigen Spiegeldipole liefern einen zum erregenden
Dipol gleich gerichteten Beitrag und tragen daher zu einer Erhöhung der Feldstärke in diesem
Bereich bei.
Für eine Anordnung, bei der die Spule zwischen zwei FPC Schichten eingebettet ist, ergibt
sich entlang der z -Achse eine zweiseitig symmetrische Kurve der magnetischen Dämpfung
entsprechend dem rechten Bild in Abb. 5.49. Im Bereich z > b2 + d 2 ist dabei der Verlauf in
beiden Diagrammen der Abb. 5.49 grundsätzlich ähnlich, wobei sich für einen festen Abstand
zur permeablen Schicht im Fall zweier planarer Schichten ein geringfügig kleinerer Wert
ergibt. Prinzipiell lässt sich mit den Ergebnissen aus dem linken Bild der Abb. 5.49 folgern,
dass zwar die obere Schicht im Bereich z > b2 + d 2 für eine Dämpfung sorgt, aber
gleichzeitig die untere Schicht die Feldstärke erhöht. Hier ist dann aus dem linken Bild der
Abb. 5.49 der Bereich z < 0 relevant. Eine einfache Superposition zur Bestimmung des
Ergebnisses ist aber nicht möglich.
Eine Entkopplung der Anordnung zu umliegenden Bauteilen in z -Richtung durch die
Schirmwirkung der permeablen Schichten ist daher nur mit einem Zwei-Schichten-Aufbau
möglich. Bei Einsatz von nur einer permeablen Schicht ist die Erhöhung der auftretenden
magnetischen Feldstärke in Hinblick auf einzuhaltende Grenzen zu beachten. Mit den
Ergebnissen aus dem vorangegangenen Unterkapitel lässt sich weiterhin folgern, dass beim
Einsatz von permeablen Schichten im Aufbau eine Felderhöhung in der Ebene der Spule auch
immer mit einer Feldreduzierung im Außenbereich der Anordnung einher geht. Dieses Prinzip
behält auch seine Gültigkeit, wenn mehrere, verschiedene, permeable Materialschichten
horizontal übereinander angeordnet werden.
Die Schichten aus FPC-Material werden nun durch Mu-Metall mit μ r 2 = 4000 ,
κ 2 = 1.8 ⋅ 10 6 Sm −1 und d 2 = 50 μm ersetzt. Für die Berechnung der Dämpfung werden durch
das magnetische Vektorpotential sowohl die permeablen Eigenschaften, als auch die sich
einstellenden Wirbelströme berücksichtigt. Die Berechnungen und Messungen wurden mit
b2 = 0.58 mm bei einer Frequenz von 5 kHz durchgeführt. In den Diagrammen in Abb. 5.50
sind die Materialschichten eingezeichnet.
Mit je einer Mu-Metall Schicht ober- und unterhalb wird die magnetische Feldstärke im
Außenbereich der Anordnung maximal um 7 dB reduziert. Der Verlauf der Dämpfung ist
dabei wieder symmetrisch zur Ebene z = 0 . Die ergänzenden Messungen stimmen dabei über
einen weiten Bereich mit den Berechnungen gut überein. Die Abweichungen für sehr kleine
Abstände werden in erster Linie durch die Messsonde verursacht, die in Wechselwirkung mit
den Wirbelströmen innerhalb des leitfähigen Materials tritt.
4 4
berechnet berechnet
gemessen gemessen
3 3
2 2
z 1 z 1
cm 0 cm 0
-1 -1
-2 -2
-3 -3
einseitig Mu f = 5 kHz zweiseitig Mu f = 5 kHz
-4 -4
-10 -5 0 5 10 15 20 25 30 3 4 5 6 7 8 9
att dB att dB
Abbildung 5.50: Dämpfung der Feldstärke auf der z-Achse mit Mu-Metall
Für den Fall mit zwei Mu-Metall Schichten ist der Maximalwert der Dämpfung nahezu
vergleichbar zu einer Anordnung mit FPC-Material. Ein mehr als doppelt so großer Wert wird
für eine Anordnung mit einer Mu-Metall Schicht an der Stelle z = b2 erzielt. Im Bereich
z < 0 wird das Feld wiederum verstärkt. Die Magnetisierungsströme im Material verursachen
ein zusätzliches magnetisches Feld, das im Bereich unter der erregenden Spule die gleiche
Richtung wie das ursprüngliche Feld besitzt. Dies führt schließlich zu der im linken Bild der
Abb. 5.50 dargestellten negativen Dämpfung.
40
zweiseitig Mu
35
f = 5 kHz
30
h
att 25
f
dB 20
z1 = b2 + d 2 f
15
10
z 2 = −b2 − d 2 f
0
-5
-10
0 1000 2000 3000 4000 5000 6000 7000 8000 9000 10000
μr 2 f
Abbildung 5.51: Dämpfung auf der z-Achse – Abstand und Permeabilität als Parameter
Die Abb. 5.51 zeigt die Dämpfung in den Punkten z1 = b2 + d 2 und z2 = −(b2 + d 2 ) für eine
Anordnung mit einer Mu-Metall Schicht in Abhängigkeit des Abstandes b2 und der
Permeabilität μ r 2 . Die Kurven mit Werten größer Null gelten für z1 , während die weiteren
Linien die Zusammenhänge für z2 darstellen. Sowohl für zunehmenden Abstand, als auch für
größer werdende Permeabilität besitzt die Dämpfung in beiden Fällen einen Grenzwert.
In den Abbildungen 5.52 und 5.53 ist die Reduzierung der magnetischen Feldstärke für eine
oder zwei Schichten zweidimensional dargestellt. Die Berandungen der Materiallagen sind in
den Darstellungen durch schwarze Striche gekennzeichnet. Neben der Reduzierung der
Feldstärke im Außenbereich ist auch die Erhöhung im Bereich der Spule erkennbar.
2.0
30
1.5
ga 25
z att
ha
mm dB
1.0 20
15
0.5
10
0
5
-0.5 0
-5 ga f = 5 kHz
-1.0
0.005 0.010 0.015 0.020 0.025 0.030
ρ m
Abbildung 5.52: Dämpfung mit einer Mu-Metall Schicht
2.0
15
1.5
ga 10
z att
ha
mm 5 dB
1.0
0.5
-5
0 -10
-15
-0.5
-20
ga f = 5 kHz
-1.0
0.005 0.010 0.015 0.020 0.025 0.030
ρ m
Abbildung 5.53: Dämpfung mit zwei Mu-Metall Schichten

Abschließend wird noch der Einfluss der Frequenz auf die Dämpfung untersucht. Dazu wird
eine leitfähige und nicht permeable Schicht aus Kupfer an der Stelle z = b2 über der
erregenden Spule angeordnet. Die Schirmwirkung des magnetischen Feldes dieser Schicht ist
für z = b2 + d 2 als reziproke Funktion der Eindringtiefe δ relativ zur Materialdicke d 2 in
Abb. 5.54 dargestellt.
Die Eindringtiefe δ kann für Kupfer ( κ 2 = 58.82 ⋅ 106 Sm −1 ) zu
δ = 2 ⋅ (2π f κ 2 μ0 )−1 δ f = 5 kHz

= 928 μm δ f =100 kHz
= 207 μm (5.215)
bestimmt werden, die im Frequenzbereich von 5 kHz bis 100 kHz deutlich höher als die
verwendete Materialdicke von d 2 = 50 μm liegt. Die erzielbare Dämpfung ist dadurch
vergleichsweise sehr klein. Wie aus der Abb. 5.54 ersichtlich, nähern sich die Kurven im
Gegensatz zu allen bisher behandelten Fällen keinem Grenzwert an, wenn die Frequenz
erhöht wird.
0.50
zweiseitig Cu
0.45
0.40
att
f 0.35
dB
0.30
0.25
0.20
0.15
0.10
0.05
0
0 0.01 0.14 0.17 0.20 0.22 0.24 0.26 0.28 0.30 0.32
d2 δ f
Abbildung 5.54: Dämpfung auf der z-Achse für eine Kupferschicht

Abstand, Dicke und Skintiefe als Parameter
Für Anordnungen mit Kupferschichten ist die Dämpfung in den Abbildungen 5.55 und 5.56
zweidimensional dargestellt. Dabei ergeben sich durch die geringe Schirmwirkung des
Kupfers nahezu identische Darstellungen für beide Anordnungen. Die Erhöhung der
Feldstärke im Bereich der Spule ist ebenfalls nur schwach ausgeprägt.
Innerhalb eines Multilayers sind zur Vermeidung der Abstrahlung von magnetischen Feldern
Schichten geeignet, die sowohl leitfähig als auch permeabel sind. Dabei ist jedoch zu
beachten, dass gleichzeitig auch die Feldverteilung innerhalb des Multilayers geändert wird,
wodurch magnetische Bauteile ihren Wert ändern. Einkopplungen zu benachbarten Bauteilen,
die ebenfalls in der Ebene z = 0 liegen, können auf diese Weise nicht reduziert werden. Sie
befinden sich allgemein im feldverstärkten Bereich.
2.0 0.16
0.14
1.5
ga 0.12
z att
ha
mm
1.0
dB
0.10
0.5 0.08
0.06
0
0.04
-0.5
0.02
ga f = 5 kHz
-1.0
0.005 0.010 0.015 0.020 0.025 0.030
ρ m
Abbildung 5.55 Dämpfung mit einer Kupfer Schicht
2.0
0.30
1.5
0.25
ga
z att
ha
mm
1.0
0.20 dB
0.5 0.15
0 0.10
-0.5 0.05
ga f = 5 kHz
-1.0
0.005 0.010 0.015 0.020 0.025 0.030
ρ m
Abbildung 5.56: Dämpfung mit zwei Kupfer Schichten
Die Wirbelströme innerhalb der leitfähigen Schichten führen auch zu einer Erhöhung der
Gesamtverluste der Anordnung, die in der Gesamtbilanz berücksichtigt werden muss. Aus
dem magnetischen Vektorpotential ist ihre Berechnung möglich.
5.6 Optimierung des Multilayer-Mehrschichtaufbaus
In Kapitel 5.4 wurde gezeigt, dass die Eigeninduktivität einer planaren Spule durch
zusätzliche Materialschichten verändert wird. FPC und Mu-Metall erhöhen den Wert,
während ausschließlich leitfähige Schichten, wie Kupferfolien, die Eigeninduktivität
erniedrigen. Die verschiedenen Materialien beeinflussen dabei den Wert unterschiedlich stark.
Gleichzeitig ist auch der Aufbau der untersuchten Anordnung entscheidend. Ober- und
unterhalb der planaren Spule angeordnete, permeable Schichten bilden einen nahezu
geschlossenen magnetischen Kreis und erhöhen die Eigeninduktivität deutlich. Dagegen kann
mit einer nur einseitig angebrachten, permeablen Folie nur weniger als eine Verdoppelung
erreicht werden.
Grundsätzlich beeinflussen die zusätzlichen Schichten im Aufbau die magnetische
Feldverteilung im gesamten Raum. Die Ergebnisse aus Kapitel 5.5 machen deutlich, dass in
z -Richtung außerhalb der Anordnung das Feld je nach Position vergrößert oder verkleinert
wird. Dabei ist die Erkenntnis wichtig, dass ein Aufbau mit jeweils einer Schicht ober- und
unterhalb der Spule das Feld auf beiden Seiten symmetrisch verändert.
Aus den Ergebnissen in Abb. 5.49 ist dabei bereits ersichtlich, dass die Dämpfung eines
Mehrschichtaufbaus nicht durch Multiplikation oder Summation der Dämpfungswerte von
Anordnungen mit einzelnen Schichten abgeleitet werden kann. Die Dämpfung muss auch in
diesen Fällen mit der Gl. 5.214 nach der Bestimmung des magnetischen Feldes bzw. des
magnetischen Vektorpotentials im gesamten Raum berechnet werden.
Interessant für technische Anwendungen ist sicherlich eine Anordnung mit mehreren
Materialschichten, bei der einerseits die Eigeninduktivität deutlich erhöht wird, aber
gleichzeitig eine starke Reduktion des magnetischen Feldes im Außenraum stattfindet. Für die
Optimierung des Multilayer-Mehrschichtaufbaus hinsichtlich dieser beiden Ziele wurde unter
Berücksichtigung der bisher gewonnenen Ergebnisse eine Vielzahl verschiedener
Anordnungen mit mehreren Schichten untersucht. Die Berechnungen wurden mithilfe des
FEM Programms durchgeführt.
Aus den untersuchten Material- und Anordnungskombinationen werden im Folgenden zwei
Beispiele näher erläutert, deren Ergebnisse die grundsätzlichen Zusammenhänge am besten
verdeutlichen. Die Parameter der derzeit verfügbaren Materialien und die Grenzfrequenz des
Mu-Metalls schränken die Allgemeingültigkeit der Aussagen jedoch deutlich ein.
Zunächst wird ein Modell nach Abb. 5.57 mit vier Materialschichten untersucht, bei der ober-
und unterhalb der planaren Spule zu einer Kupferschicht jeweils eine zusätzliche Lage aus
Mu-Metall angeordnet ist. Alle Schichten besitzen die gleiche Dicke von d 2 = d 3 = 50 μm ,
liegen plan aufeinander und sind zudem zur Ebene z = 0 symmetrisch angeordnet. Für den
Abstand zwischen der Spule und der innersten Schicht gilt b3 = 150 μm . Der Betrag der ϕ -
Komponente des magnetischen Vektorpotentials für diese Anordnung ist in Abb. 5.58
dargestellt. Abb. 5.59 zeigt den Verlauf der Dämpfung entlang der z -Achse.
z
μ 0 , κ1 = 0 b3 + d 2 + d 3
μ2 ≠ μ0 ,κ 2 ≠ 0 d2 Mu
μ3 = μ0 , κ 3 ≠ 0 d3 Cu
μ0 , κ 4 = 0 b3
ρ
μ0 , κ 5 = 0 −b6 = −b3
μ6 = μ0 , κ 6 = κ 3 ≠ 0 d 6 = d 3 Cu
μ7 = μ 2 ≠ μ0 , κ 7 = κ 2 ≠ 0 d 7 = d 2 Mu
μ0,κ 8 = 0 −b3 − d 2 − d 3
Abbildung 5.57: Modellanordnung mit vier Schichten aus Kupfer bzw. Mu-Metall
Aus Abb. 5.58 ist bereits ersichtlich, dass mit diesem Aufbau sehr hohe Werte der Dämpfung
ober- und unterhalb der Materialschichten bei einer sehr kleinen Erhöhung der Induktivität
erreicht werden. Die Eigeninduktivität der Gesamtanordnung besitzt den sehr kleinen Wert
von 18.48 μH , was in erster Linie auf die innen liegenden Kupferschichten zurückzuführen
ist. Ein Aufbau mit je einer Mu-Metall Schicht ober- und unterhalb, ohne zusätzliche
Kupferschichten besitzt bei gleichem Abstand zwischen Spule und Materialschicht nach
Abb. 5.42 einen Induktivitätswert von 150 μH .
1.2
1.0
ga z 0.8 Aϕ
ha
-8 −1
0.6
10 ⋅ Vsm
0
0.4
0.2
-0.2
-0.4ga f = 5 kHz
ρv
Abbildung 5.58: Magnetisches Vektorpotential für die Anordnung aus Abb. 5.57
mit vier Schichten aus Kupfer bzw. Mu-Metall
Aus Abb. 5.59 kann für die Dämpfung an der Stelle z = ±0.02 m ein Wert von 56.5 dB
abgelesen werden. Im Vergleich dazu wird eine Anordnung mit einer Mu-Metall Lage ober-
und unterhalb der planaren Spule ohne zusätzliche Kupferschicht betrachtet. Laut der Kurve
in Abb. 5.50 beträgt dafür die Dämpfung an der gleichen Stelle nur 5.2 dB . Das zusätzliche
Kupfer im Aufbau sorgt demnach für eine Erhöhung der Dämpfung um mehr als 50 dB .
0.04
0.03
0.02
z 0.01
ga
m
0
-0.01
-0.02
-0.03
-0.04
f = 5 kHz v
50 55 60 65 70
att dB v
Abbildung 5.59: Dämpfung auf der z-Achse für die Anordnung aus Abb. 5.57
mit vier Schichten aus Kupfer bzw. Mu-Metall
Die bisher betrachtete Anordnung wird nun um zwei weitere Mu-Metall Schichten erweitert.
Die sechs Materialschichten sind nach Abb. 5.60 symmetrisch ober- und unterhalb der
planaren Spule angebracht. Die Kupferschichten sind folglich zwischen den hochpermeablen
Mu-Metall Schichten eingeschlossen. Die Dicke aller Schichten beträgt
d 2 = d 3 = d 4 = 50 μm , wobei die innerste Schicht einen Abstand von b4 = 150 μm zur
erregenden Spule aufweist. Die Spule aus Abb. 5.2 wurde auch in diesem Kapitel für die
Berechnungen verwendet.
In Abb. 5.61 ist der Betragsverlauf der ϕ -Komponente des magnetischen Vektorpotentials für
diese Anordnung dargestellt. Im Bereich der planaren Spule ist das magnetische
Vektorpotential deutlich erhöht, wodurch sich auch ein vergleichsweise großer Wert für die
Eigeninduktivität der Anordnung einstellt. Die Berechnungen ergeben für die Anordnung aus
Abb. 5.60 einen Wert von 178.1 μH . Ein Modell mit nur einer Mu-Metall Schicht ober- und
unterhalb der planaren Spule erreicht bei gleichen Geometrieverhältnissen entsprechend
Abb. 5.42 einen Wert von ungefähr 110 μH . Diese deutliche Erhöhung wird vor allem durch
die zweite Mu-Metall Schicht verursacht. Gleichzeitig wird der reduzierende Einfluss der
Kupferschichten durch die Einbettung des Kupfers zwischen dem Mu-Metall deutlich
abgeschwächt.
z
μ 0 , κ1 = 0 b4 + d 0
μ2 ≠ μ0 ,κ 2 ≠ 0 d2 Mu
μ3 = μ0 , κ 3 ≠ 0 d3 Cu
μ4 ≠ μ0 ,κ 4 ≠ 0 d4 Mu
μ0 ,κ 5 = 0 b4
ρ
μ0 , κ 6 = 0 −b7 = −b4
μ7 = μ4 ≠ μ0 ,κ 7 = κ 4 ≠ 0 d 7 = d 4 Mu
μ8 = μ 0 , κ 8 = κ 3 ≠ 0 d 8 = d 3 Cu
μ9 = μ 2 ≠ μ 0 , κ 9 = κ 2 ≠ 0 d 9 = d 2 Mu
μ 0 , κ10 = 0 −b4 − d 0
d0 = d 2 + d3 + d 4
Abbildung 5.60: Modellanordnung mit sechs Schichten aus Kupfer bzw. Mu-Metall
1.0
ga z Aϕ
ha
0.8 -7 −1
10 ⋅ Vsm
0
0.6
0.4
0.2
ga f = 5 kHz
0
ρv
Abbildung 5.61: Magnetisches Vektorpotential für die Anordnung aus Abb. 5.60
mit sechs Schichten aus Kupfer bzw. Mu-Metall
Entlang der z -Achse stellt sich für eine Anordnung nach Abb. 5.60 der in Abb. 5.62
dargestellte Verlauf der Dämpfung ein. Speziell für den Punkt z = ±0.02 m kann daraus ein
Wert von 45.5 dB abgelesen werden. Für die gleichen Abmessungen ergibt sich für eine
Anordnung mit nur einer Mu-Metall Schicht ober- und unterhalb der planaren Spule für die
Dämpfung ein Wert von 5.7 dB (vgl. Abb. 5.50).
0.04
0.03
0.02
z
ga 0.01
m
0
-0.01
-0.02
-0.03
-0.04
f = 5 kHz v
30 40 50 60 70 80
att dB v
Abbildung 5.62: Dämpfung auf der z-Achse für die Anordnung aus Abb. 5.60
mit sechs Schichten aus Kupfer bzw. Mu-Metall
Aus beiden Ergebnissen folgt, dass bei Mehrschichtaufbauten die magnetische Feldstärke und
damit die Eigeninduktivität durch symmetrisch angeordnete Mu-Metall Schichten ober- und
unterhalb der Spule deutlich erhöht wird. Gleichzeitig wird bei Anordnungen mit
Kupferschichten parallel zur erregenden Spule die magnetische Feldstärke in z -Richtung, vor
allem im Außenraum, vergleichsweise stark reduziert. Im Vergleich zu den Ergebnissen aus
Kapitel 5.4 und 5.5 wird also deutlich, dass eine Erhöhung der Eigeninduktivität bei
gleichzeitig guten Dämpfungseigenschaften nur mit einem Mehrschichtaufbau aus der
Kombination verschiedener Materialien erzielt werden kann.
Aus weiteren Untersuchungen, die hier nicht aufgeführt sind, folgte weiterhin das Ergebnis,
dass ein Aufbau mit insgesamt mehr als sechs Materialschichten keine weiteren Vorteile
hinsichtlich der Induktivität und der Dämpfung besitzt. Die Schichten wurden dabei wieder
ober- und unterhalb der Spule symmetrisch angeordnet. Gleichzeitig führt die Vielzahl der
Lagen auch zu einem entsprechend hohen Bauteil.
Bisher unberücksichtigt blieb bei den Untersuchungen der ohmsche Widerstand der planaren
Spule, der mit den Gleichungen aus Kapitel 5.2.3 berechnet werden kann. Der Einfluss der
Materialschichten auf das magnetische Vektorpotential führt auch zu Änderungen des
Widerstandswerts.
Für eine vergleichende Beurteilung ist zunächst für die planare Spule aus Abb. 5.2 der
ohmsche Widerstand als Funktion der Frequenz in Abb. 5.63 angegeben. Die Anordnung
wurde dabei ohne zusätzliche Materialschichten betrachtet.
3.5
3.0
2.5
R
ga
Ω 2.0
W
1.5
1.0
0.5
0
1 10 100 1000
f kHz
Abbildung 5.63: Ohmscher Widerstand der Spule aus Abb. 5.2
Um das Verhalten des ohmschen Widerstands abhängig von der Wahl des Schichtmaterials zu
verdeutlichen, wird ein Modell nach Abb. 5.9 untersucht, bei der relativ zur erregenden
planaren Spule eine Schicht ober- und unterhalb aus gleichem Material angeordnet ist. In
Tabelle 5.7 sind die Rechen- und Messergebnisse für verschiedene Werkstoffe aufgeführt.
Zum Vergleich ist der Widerstandswert der Luftspule ebenfalls angegeben. Grundsätzlich
geben die Werte nur den Widerstand der Spule wieder, der sich infolge der zusätzlichen
Materialschichten im Aufbau einstellt. Rückschlüsse auf die Verluste in den einzelnen
Schichten des Aufbaus sind nicht direkt möglich.
Widerstand ( f = 5 kHz ) berechnet gemessen
Luftspule 0.53 Ω 0.49 Ω
Kupferschichten 0.57 Ω 0.49 Ω
FPC1 Schichten 0.65 Ω 0.58 Ω
Mu-Metall Schichten 8.10 Ω 7.32 Ω
Tabelle 5.7: Ohmscher Widerstand der planaren Spule für verschiedene

symmetrisch angeordnete Materialschichten
Die permeablen und leitfähigen Eigenschaften des Mu-Metalls führen zu einer deutlichen
Erhöhung des Widerstands. Dadurch werden die Verluste gleichzeitig vergrößert und
insgesamt der Wirkungsgrad herabgesetzt.
5.7 Materialien für integrierte induktive Komponenten
Die Windungen der induktiven Komponenten werden als geätzte Kupferleiterbahnen auf
Basisträgermaterial, z. B. FR4, ausgeführt und in den Multilayer integriert. Auch ohne
zusätzliche Materialien erfüllt dieses Element grundsätzlich seine Funktion. Der
Induktivitätswert oder die Kopplung beim Transformator kann erhöht werden, wenn
permeables Material eingesetzt wird. Gleichzeitig werden dadurch auch die magnetischen
Streufelder reduziert.
Für klassische Spulen oder Transformatoren werden gesinterte Ferritkerne oder spezielle
Eisenbleche als Materialien mit permeablen Eigenschaften eingesetzt. Beide Werkstoffe sind
für die direkte Integration in einen Multilayer-Aufbau aus technologischer Sicht nicht
geeignet.
Ferrit kann aber in Pulverform in eine Plastikmatrix eingebettet werden. Der entstehende
Werkstoff wird als Ferrite Polymer Compound (FPC) bezeichnet. Die Herstellung erfolgt in
dünnen Lagen oder streichfähigen Pasten. Daneben existieren auch spezielle
Metalllegierungen, die sowohl leitfähig, als auch permeabel sind. Diese Werkstoffe werden
während des Herstellungsprozesses zu ultradünnen Lagen gewalzt. Beide Folientypen sind
grundsätzlich für einen Multilayer-Aufbau geeignet.
5.7.1 Ferrite Polymer Compounds
Zur Herstellung von Ferrite Polymer Compounds wird zunächst Ferrit zu Pulver gemahlen.
Die magnetischen Eigenschaften des Ausgangsmaterials bestimmen dabei auch zum Teil die
Parameter des Endprodukts. Das Pulver wird in einem zweiten Schritt mit einem Epoxydharz-
Gemisch vermengt, wobei sich das Ferritpulver in der Harzmatrix einlagert. Dabei hängt der
maximale Füllgrad entscheidend von der Körnung des Pulvers ab. Die strukturelle
Integritätsgrenze des Gesamtgemischs wird bei knapp über 90 % Ferritanteil am
Gesamtgewicht erreicht. Durch den Kunststoff sind die Ferritpartikel selbst elektrisch
voneinander isoliert, wodurch sich insgesamt ein hoher Widerstand des Materials ergibt.
Wirbelströme, die durch äußere magnetische Felder verursacht werden, können sich dadurch
innerhalb des Materials kaum ausbilden. Der Verlustfaktor der Ferrite Polymer Compounds
ist daher relativ gering. Gleichzeitig ist durch den Füllgrad nur eine relative Permeabilität μ r
von deutlich unter 100 erreichbar. Rein technisch gesehen werden Werte über 50 nur sehr
schwer zu realisieren und erst in ferner Zukunft verfügbar sein. Die Abb. 5.64 zeigt die
derzeit verfügbaren Materialien der verschiedenen Hersteller.
Die FPC-Materialien der Firmen Epcos und Würth Elektronik sind als rieselfähige
Pressmassen, Spritzgussmaterial und Klebefolien verfügbar. Das Material ist bereits komplett
ausgehärtet und ändert daher seinen Aggregatszustand bei der Integration in einen Multilayer
nicht. Für den Multilayer-Fertigungsprozess sind grundsätzlich nur Klebefolien geeignet,
wobei die verwendeten Materialien zum Standard-Leiterplattenprozess nicht kompatibel sind.
Für die Verklebung der einzelnen Lagen ist ein aufwändiger Zusatzschritt erforderlich und
gleichzeitig ist die Temperaturbeständigkeit für nachfolgende Laminierungsschritte nicht
gegeben.
Die vorgefertigten Lagen weisen eine konstante Materialdicke auf, weshalb diese Folien für
die Berechnungen und Messungen im 5. Kapitel verwendet wurden. In den Tabellen 5.8 und
5.9 sind ausgewählte Parameter der Materialien aufgeführt.
Isola (Maglam)
(bereits ausgehärtet)
Würth Elektronik
Epcos
Abbildung 5.64: Muster von FPC-Materialien verschiedener Hersteller
Materialname C350, C351
Hersteller Epcos
Zusammensetzung Ferrite Polymer Compound
Permeabilität μ r bei 1 MHz 9 ± 20%
Verluste tan δ μ r bei 10 MHz < 0.005
bei 1 GHz < 0.400
Sättigungsflussdichte bei 10 kHz 255 mT
Spezifischer Widerstand bei 1 kHz 500 Ω ⋅ m
bei 10 MHz 100 Ω ⋅ m
Dielektrizitätskonstante ε r bei 1 kHz 700
bei 10 MHz 21
Materialdicke 0.2 mm
Tabelle 5.8: Parameter der FPC Materialien der Firma Epcos [dat08]
Die magnetische Kopplung eines Bauteils wird vergrößert, je vollständiger der magnetische
Kern die induktive Komponente umschließt. Dazu sind Materialien notwendig, die
Bohrungen im Trägermaterial der Spiralspulen während des Verpressens auffüllen. So werden
die permeablen Lagen ober- und unterhalb der Windung miteinander verbunden. Die bereits
fertig ausgehärteten Folien besitzen keine Fließeigenschaften. Von der Firma Isola wurde
daher eine Materialpaste entwickelt, die erst während dem Laminierungsschritt aushärtet.
Materialname Labormuster 304025, 30405, 30410
Hersteller Würth Elektronik Würth Elektronik
Zusammensetzung Ferrite Polymer Compound Ferrite Polymer Compound
Permeabilität μ r 11 ± 25% 15 ± 10%
DC Widerstand unbekannt 2.0·1010 Ω
Materialdicke 0.4 mm 0.25, 0.50, 1.00 mm
Tabelle 5.9: Parameter der FPC Materialien der Firma Würth Elektronik [dat09]
Das von der Firma Isola hergestellte Maglam besteht aus einer pulverförmigen Mischung aus
Power-Ferriten in einer viskositätsoptimierten Epoxy-Flüssigharzmatrix. Das Material ist
pastenförmig im B-Zustand erhältlich, d.h. es ist noch nicht endgültig ausgehärtet. In der
Leiterplattenproduktion kann es folglich für das Verkleben beim Laminieren eingesetzt
werden. Die Verarbeitungstemperatur liegt bei entsprechendem Pressdruck durch das
verwendete Harzsystem zwischen 175 °C und 185 °C . Es ist daher mit allen Werkstoffen von
Standardprozessen gut kombinierbar. Tabelle 5.10 zeigt eine Übersicht der signifikanten
Materialparameter. In Abb. 5.65 ist ein Schliffbild einer Spule mit Maglam-Kern zu sehen.
Verbindung des magnetischen Kerns
Maglam
FR4
Windungen
Maglam
Abbildung 5.65: Schliffbild einer integrierten, vierlagigen Spule mit einem

magnetischen Kern aus Maglam [waf06]
Die gewünschten magnetischen und elektrischen Eigenschaften des Endprodukts bestimmen

die Auswahl der Weichferrite als funktionale Füllstoffe. Die maximal tolerierbare
Verarbeitungsviskosität stellt eine weitere Einschränkung dar. Das Gemisch erreicht derzeit
eine maximale Permeabilität von μ r = 17.6 . Reine, gesinterte Ferritkerne besitzen im
Vergleich dazu eine sehr viel größere Permeabilität. Die magnetischen Eigenschaften eines
FPC werden nach der Lichtenecker-Gleichung in erster Linie durch das verwendete
Harzsystem und durch die Dichte der Ferritpartikel in der Harzmatrix bestimmt.
Materialname Maglam
Hersteller Isola AG
Zusammensetzung Power Ferrit in Polymer-Matrix (PE)
Permeabilität μ r 17
3
Verluste bei 1 MHz , 10 mT 0.7 W cm
3
Performance-Faktor bei 1 MHz , 1 W cm 12500 T ⋅ Hz
Sättigungsflussdichte 300 mT
Spezifischer Widerstand 27.5 MΩ ⋅ m
Oberflächenwiderstand 4.95·104 MΩ
Dielektrizitätskonstante ε r bei 1 kHz 27
bei 1 MHz 10
Verlustfaktor (elektr.) tanδ bei 1 kHz 0.1
bei 1 MHz 0.3
Glasübergangstemperatur Tg 125 °C
Ausdehnungskoeffizient α unterhalb Tg 20 Ppm K
oberhalb Tg 25 Ppm K
Laminierungstemperatur 175 - 185 °C
Tabelle 5.10: Materialparameter von Maglam der Firma Isola [dat05]
Die Ummagnetisierungsverluste bilden einen wesentlichen Teil der Verluste der induktiven
Komponenten, welche durch das magnetische Feld hervorgerufen werden. Zwischen
Flussdichte und Verlusten besteht bei den meisten FPC-Materialien ein fast quadratischer
Zusammenhang. Die Frequenz verändert das Verhalten dagegen nahezu linear. Eine
Korrelation zwischen den Verlusten und der Permeabilität, die stark vom Füllfaktor abhängt,
besteht dagegen nicht. Die intrinsischen Eigenschaften der eingesetzten Ferrite bestimmen
daher in erster Linie ebenfalls die Kernverluste.
FPC-Materialien zeigen für gewöhnlich auch ein schwach dielektrisches Verhalten. Maglam
besitzt im Vergleich zu Standardferriten einen sehr kleinen Wert für die relative
Dielektrizitätszahl ε r . Er nimmt mit zunehmender Frequenz außerdem deutlich ab. Dadurch
fällt die parasitäre Windungs- oder Wicklungskapazität der integrierten, induktiven
Komponenten klein aus. Da gleichzeitig der elektrische Verlustfaktor des Materials tanδ
vergleichsweise hoch ist, können die kapazitiven Eigenschaften des Materials technisch nur
eingeschränkt genutzt werden.
Für das Material Maglam ist in Tabelle 5.10 auch der Performance-Faktor angegeben, der ein
Maß für die Leistung ist, die ein magnetisches Bauteil aus diesem Weichferrit übertragen
kann. Allgemein gilt, dass ein hoher Wert des Performance-Faktors auch für mehr
übertragbare Leistung steht. Die FPC-Materialien von Epcos und Würth Elektronik haben
einen etwa 20 % größeren Wert als Maglam. Der Performance-Faktor von gesintertem
Standard-Ferrit ist mehr als fünf Mal so hoch. Allgemein zeigen daher die FPC-Materialien
im Vergleich zu herkömmlichen Ferriten wesentlich höhere Wechselstromverluste bei
gleicher Materialdicke. Die Verluste machen sich durch Erwärmung der FPC-Folien im
Betrieb bemerkbar.
Der spezifische Gleichstromwiderstand von Maglam liegt in der gleichen Größenordnung wie
der Wert von einfachem Leiterplattenmaterial. Für den Produktionsprozess des Multilayers
ergibt sich daraus der Vorteil, dass leitende Lagen und Durchkontaktierungen gegenüber
Maglam nicht gesondert isoliert werden müssen. Die Schichten aus Maglam können daher
direkt in den Leiterplattenaufbau eingearbeitet werden.
Für den Einsatz in der Multilayer-Technologie sind neben den magnetischen und elektrischen
Eigenschaften auch die thermo-mechanischen Parameter des Materials entscheidend. Als
wichtigste Eigenschaften sind hier der thermische Ausdehnungskoeffizient α und der
Glasübergangspunkt Tg zu nennen. Mit beiden Werten lässt sich die zu erwartende
Zuverlässigkeit eines Materials im Einsatz beurteilen.
5.7.2 Permeable Metallfolien
Neben den Ferrite Polymer Compounds existieren permeable Metallfolien, die auch zur
Gruppe der weichmagnetischen Werkstoffe gehören. Großtechnisch verfügbare Folien werden
von der Firma Vakuumschmelze vertrieben. Tabelle 5.11 zeigt eine Übersicht der
Legierungen in Folienform.
Materialname VitroVac Mu-Metall
Hersteller Vacuumschmelze
Legierung Fe, amorph NiFe, nanokristallin
Permeabilität μ r > 10000 > 1000
Grenzfrequenz 500 kHz max. 10 MHz
Sättigungsinduktion 0.41 – 1.00 T 0.8 T
Spezifischer Widerstand 1.1 – 1.4 μΩm 0.55 μΩm
Materialdicke 0.1 mm 0.05 mm
Tabelle 5.11: Materialparameter permeabler Metallfolien [dat10]

Im Vergleich zu den FPC-Materialien liegen die Permeabilitäten dieser Legierungen deutlich

höher, wobei die Werte stark frequenzabhängig sind. Die nicht zu vernachlässigende
Leitfähigkeit der Materialen führt gleichzeitig aber zu hohen Wirbelstromdichten innerhalb
der Folien und damit auch zu hohen Verlusten.
Um diese Verluste möglichst gering zu halten, kann das Material mit radialen Schlitzen
versehen werden. Zunächst werden die Legierungsfolien dazu auf die fertig gestellten Lagen
der Leiterplatte mit Klebefolien auflaminiert. Mittels der Photolithographie erfolgt im
Anschluss die Strukturierung ätztechnisch, wobei Strukturbreiten bis 100 μm möglich sind.
VitroVac besitzt eine amorphe Struktur und besteht neben Eisen aus noch weiteren Metallen,
wie z. B. Kobalt, Nickel, Molybdän, Magnesium und Silizium. Nachdem es sich mit den
derzeit üblichen Ätzmedien nicht bearbeiten lässt, ist es für den Einsatz in der Multilayer-
Technologie nicht geeignet. Gleichzeitig liegt die Grenzfrequenz des Materials für viele
leistungselektronische Anwendungen zu tief.
Eine nanokristalline Legierung aus Nickel und Eisen bildet die Basis für Mu-Metall. Der
Nickelanteil liegt zwischen 72 % und 83 %. Weitere Zusätze sind Kupfer und Molybdän. Im
Gegensatz zu VitroVac kann Mu-Metall mit einer kupferchloridhaltigen Lösung geätzt
werden, die in den meisten Standard-Leiterplattenprozessen bereits eingesetzt wird. Für die
Laminierung muss das Material zunächst mit einem Haftvermittler, z. B. Silan, beschichtet
werden, da die Oberfläche sehr glatt ist. Ein Materialmuster ist in Abb. 5.66 zu sehen.
In den vorangegangen Unterkapiteln wurden Messungen mit Mu-Metall Folien beschrieben,
um die Berechnungen und Simulationen zu verifizieren. Die Folien wurden dafür nicht
verklebt und auch nicht strukturiert.
Abbildung 5.66: Mu-Metall der Firma Vakuumschmelze
Die sehr dünnen, biegsamen Folien sind zusammen mit geätzten Spulen auf Folien-
Leiterplatten (Flexfoils) auch zum Aufbau von flexiblen, planaren induktiven Elementen sehr
kleiner Größe geeignet.
5.7.3 Permeabilitätsbestimmung bei lagenförmigen Materialien
Induktive Bauelemente in planaren Strukturen benötigen für die Integration vorwiegend

Lagen aus weichmagnetischem Material. Neu entwickelte Werkstoffe müssen für den Einsatz
zunächst charakterisiert werden. Besonders interessant ist dabei der Wert der Permeabilität.
Um die Permeabilität eines magnetischen Materials zu bestimmen wird normalerweise ein
Toroid des Materials verwendet. In dieser Geometrie sind die magnetischen Feldgrößen sehr
einfach erfassbar und damit ist ein Rückschluss auf die Permeabilität möglich. Nachdem
weichmagnetische Lagen nur schwer zu einem Ringkern formbar sind, wird hier eine
Vorgehensweise für planare Werkstoffe beschrieben. Die Methode selbst baut auf den
Feldberechungen für induktive Komponenten aus Kapitel 5.2 und 5.3 auf.
Als Versuchsanordnung werden eine oder zwei weichmagnetische Lagen mit zunächst
unbekanntem Permeabilitätswert in definiertem Abstand ober- bzw. unterhalb einer planaren
Spule angeordnet. Der berechnete Wert der Eigeninduktivität dieses Aufbaus wird in
Abhängigkeit der Permeabilität für einen entsprechend großen Wertebereich in einem
Diagramm dargestellt. Sofern nun die gleichen Geometrieparameter für die Messungen mit
einem Impedanzanalysator verwendet werden, kann aus einem graphischen Vergleich der
Messergebnisse mit den Werten im Diagramm die gesuchte Permeabilität abgeleitet werden.
In Abb. 5.67 ist ein Diagramm für eine Anordnung mit einer weichmagnetischen Lage in
verschiedenen Abständen dargestellt. Links sind die gemessenen Werte für die
Eigeninduktivität der Spule für die gleichen Abstände eingetragen. Die Permeabilität des
Materials kann dann zu ca. 11.4 bestimmt werden. Die Messungen bei unterschiedlichen
Abständen zwischen der erregenden Spule und dem magnetischen Material dienen zur
Verifikation. Zusätzlich ist auch ein weiterer Messaufbau mit jeweils einer permeablen
Schicht ober- und unterhalb der erregenden Spule einsetzbar. Die Schichten müssen
entsprechend den zur Verfügung stehenden Formeln jedoch exakt gleiche Geometrien
aufweisen. Die Ergebnisse aus dieser zweiten Möglichkeit zur Bestimmung zeigt Abb. 5.68.
35
b2 = 0.42 mm
34
L
33
μH
32 b2 = 0.63 mm
31.47
30.85 31
b2 = 1.35 mm
30
29.65
29
28
27
26
0 2 4 6 8 10 12 14 16 18 20
~ 11.4 μr 2
Abbildung 5.67: Permeabilitätsbestimmung – Anordnung mit einer Folie

51
b2 = 0.42 mm
L 46
μH
40.05
41 b2 = 0.63 mm
38.10
36 b2 = 1.35 mm
34.43
31
26
0 2 4 6 8 10 12 14 16 18 20
~ 11.5 μr 2
Abbildung 5.68: Permeabilitätsbestimmung – Anordnung mit zwei Folien
Die Grenzen dieser Messmethode zeigen sich mit einem weiteren Laboraufbau. Dazu werden
die Abstände zwischen der permeablen Schicht bzw. den permeablen Schichten ober- und
unterhalb und der erregenden Leiterschleife vergrößert. Abb. 5.69 zeigt für diesen Aufbau die
berechneten Induktivitätswerte in Abhängigkeit von μ r 2 und die Messergebnisse. Die nun
resultierenden Permeabilitätswerte variieren mit dem Geometrieparameter und weichen mit
größerem Abstand b2 immer mehr von den Lösungen in den Abbildungen 5.67 und 5.68 ab.
Für die Genauigkeit der Bestimmungsmethode ist es daher notwendig, einen möglichst
kleinen Abstand zwischen permeabler Schicht bzw. Schichten und erregender Leiterschleife
einzuhalten. Der Einsatz von zwei permeablen Schichten liefert vergleichsweise genauere
Ergebnisse.
Zwei Folien b2 = 2 mm
34
L
μH
32
31.65
Eine Folie b2 = 2 mm
30
28.32
28.17 28 Zwei Folien b2 = 5 mm
27.02 Eine Folie b2 = 5 mm

26
0 2 4 6 8 10 12 14 16 18 20
10.0 – 11.0 μr 2
Abbildung 5.69: Ergebnisse für größere Abstände zwischen Spule und

weichmagnetischen Lagen
In Abb. 5.70 ist die Eigeninduktivität der Laboranordnung für vergleichsweise große Werte
der Permeabilität dargestellt. Der zunächst lineare Zusammenhang flacht zusehends ab. Für
die Bestimmung der Permeabilitätswerte bedeutet dies aber, dass aus einem kleinen
Ablesefehler der gemessenen Induktivität ein großer Streubereich in der Permeabilität
resultiert. Die Messmethode besitzt also eine obere Grenze für die sinnvolle Bestimmung der
Permeabilität. Als eine grobe Abschätzung kann hier für Folienabstände bis 1.5 mm eine
Permeabilität von 50 genannt werden.
76
b2 = 0.42 mm
L b2 = 0.63mm
66
μH
56 b2 = 1.35 mm
Angenommener
Messfehler
46
Fehler in der
Permeabilität
36
26
0 30 60 90 120 150
μr 2
Abbildung 5.70: Grenzen der Bestimmungsmethode
Permeabilitäten jenseits dieser Grenzen können zuverlässiger mithilfe der feldreduzierenden

Wirkung des Materials bestimmt werden. Dazu wird die durch das Material erzielte
Dämpfung oberhalb der permeablen Schicht mit den bekannten Formeln aus Kapitel 5.5 in
Abhängigkeit der Permeabilität berechnet.
50
att
dB 40
30
20
b2 = 0.42 mm
10 b2 = 0.63 mm
κ =0 b2 = 1.35 mm
0
0 2000 4000 6000 8000 10000
μr 2
Abbildung 5.71: Abschirmwirkung einer Folie in Abhängigkeit der Permeabilität

Mit einer Feldsonde kann die Feldänderung und daraus auch die Dämpfung messtechnisch
erfasst werden. Aus einem graphischen Vergleich, wie bei der zuvor beschriebenen Methode,
wird auch hier wieder abschließend der Permeabilitätswert bestimmt. Wie in den
Abbildungen 5.71 und 5.72 zu sehen, tritt auch hier wieder eine Abflachung der Kurve ein,
jedoch erst bei sehr viel höheren Werten der Permeabilität μ r 2 . Die Ergebnisse zeigen auch
eine Invarianz gegenüber dem Geometrieparameter b2 .
50
att 40
dB
30
20
b2 = 0.42 mm
10 b2 = 0.63mm
κ =0 b2 = 1.35mm
0
0 2000 4000 6000 8000 10000
μr 2
Abbildung 5.72: Abschirmwirkung zweier Folien in Abhängigkeit der Permeabilität
Beide hier vorgestellten Messmethoden beruhen auf den Berechnungsgrundlagen aus den
vorangegangenen Unterkapiteln, wodurch nur die magnetischen Eigenschaften der
Materialien in die Formeln einfließen. Verlustmechanismen innerhalb der Schichten bleiben
unberücksichtigt. Die Bestimmungsmethode ist grundsätzlich auch auf permeable und
gleichzeitig leitfähige Schichten anwendbar, wenn die Leitfähigkeit der Schicht bekannt ist.
Schaltungsdesign und Demonstrator 129
6 Schaltungsdesign und Demonstrator
Als Ziele für ein Schaltungsdesign mit embedded passives sind in erster Linie ein möglichst
großer Integrationsgrad, eine hohe Leistungsdichte, geringe Verluste, sowie eine kleine
Bauhöhe der Gesamtschaltung zu nennen. Dabei werden die einzelnen Komponenten
vorzugsweise lagenförmig gestaltet, um eine weitgehend automatisierte, integrale und
kostengünstige Fertigungsweise zu erreichen. Mit den zur Verfügung stehenden Materialien
sind die Bauteilwerte der realisierbaren, integrierten passiven Komponenten nach oben
begrenzt. Die Auswahl des Schaltungsdesigns unterliegt daher gewissen Einschränkungen.
6.1 Eigenschaften verschiedener Schaltungsdesigns
Konverterschaltungen mit embedded passives lassen sich derzeit sinnvoll im Leistungsbereich

bis 100 Watt einsetzen. Die dafür in Frage kommenden Schaltungsdesigns werden
hinsichtlich ihrer Vor- und Nachteile im Folgenden gegenübergestellt. Die eigentliche
Funktionsweise der leistungselektronischen Schaltregler soll an dieser Stelle nicht näher
erläutert werden. Für eine ausführliche Funktionsbeschreibung aller Designs sei auf [eri01]
verwiesen. Speziell der resonante Konverter wird im Detail in [bat01] behandelt.
6.1.1 Konventionelle Netzteile mit Längsregler
Zum Aufbau einfacher Netzteilschaltungen kann eine Schaltung mit einem Längsregler
verwendet werden. Die Forderungen an die Leistungsaufnahme im Standby-Betrieb können
mit dieser Schaltung aber meist nicht erfüllt werden, weshalb ihr Einsatz stark zurück geht. In
Abb. 6.1 wird ein grundlegendes Prinzipschaltbild gezeigt.
T
R
U in L11 L22 C1 C2 R U out
Abbildung 6.1: Prinzipschaltbild eines konventionellen Netzteils mit Längsregler

Einer der wesentlichen Nachteile eines Netzteils mit einem Längsregler ist der notwendige
Einsatz eines relativ großen Transformators, der bei Netzfrequenz die geforderte Leistung
übertragen kann. Bezogen auf die Gesamtkosten der Schaltung hat der Transformator einen
wesentlichen Anteil und macht die Schaltung gleichzeitig groß und schwer. Ein integrierter
Transformator für Netzfrequenz ist mit den zur Verfügung stehenden Materialien für den
angestrebten Leistungsbereich nahezu nicht realisierbar. Hier muss folglich auf ein
konventionelles, diskretes Bauteil zurück gegriffen werden, das auf der Leiterplattenoberseite
positioniert wird. Der durch embedded passives gewonnene Platzvorteil für die restlichen
Komponenten der Schaltung ist dann kaum mehr relevant.
Im Laufe eines Schaltvorgangs wird, bedingt durch das Funktionsprinzip der Schaltung, der
Glättungskondensator C1 periodisch nachgeladen. Die daraus resultierende diskontinuierliche
Stromaufnahme ist in Abb. 6.2 dargestellt. Als Folge entsteht eine Vielzahl niederfrequenter
Harmonischer des Stroms, die bei größeren Lastströmen zu einer unzulässig hohen
Netzrückwirkung führen können. Gleichzeitig werden die Oberwellen des Stroms einen
erheblichen Anteil der Leistung, auch Blindleistung genannt, übertragen, der zum
eigentlichen Nutzen aber keinen Beitrag liefert und eine deutliche Verschlechterung des
Wirkungsgrades zur Folge hat.
Spannung am
Kondensator C1
gleichgerichtete
Netzspannung
gleichgerichteter
Netzstrom
Abbildung 6.2: Strom- und Spannungsverläufe des Netzteils mit Längsregler
Am Längsregler selbst liegt stets die gesamte Differenzspannung zwischen Ein- und
Ausgangsspannung an, die zusammen mit dem lastabhängigen Strom am Längsregler zu einer
hohen Gesamtverlustleistung führt. Gleichzeitig steigt die Verlustleistung auch mit der Höhe
der Eingangsspannung und führt insgesamt zu einer Wirkungsgradverschlechterung. Die
Verluste selbst führen zu einer hohen Erwärmung einzelner Schaltungsteile, die teilweise nur
schwer abgeführt werden kann und bei einer schlechten Dimensionierung der
Gesamtschaltung zu einer thermischen Zerstörung führt.
Die regulativen Vorschriften bezüglich der Netztrennung müssen bei der Entwicklung der
einzelnen Schaltungen auf jeden Fall berücksichtigt werden. Grundsätzlich sind hier die
Konzepte der hochfrequent schaltenden Spannungswandler noch besser geeignet.
6.1.2 Der Sperrwandler
Aufgrund des relativ einfachen Aufbaus mit integrierter Netztrennung ist der Sperrwandler
eine weit verbreitete, leistungselektronische Schaltung mit einem großen Einsatzspektrum.
Die während der Leitphase des Transistors im Transformator gespeichert Energie wird in der
anschließenden Sperrphase an die Sekundärseite abgegeben. Durch das Hinzufügen weiterer
Sekundärwicklungen lassen sich auf einfache Weise weitere benötigte Ausgangsspannungen
unterschiedlichen Wertes generieren. In Abb. 6.3 ist das Prinzipschaltbild eines idealen
Sperrwandlers mit einer Sekundärwicklung gezeigt.
D
T
U in L11 L22 C R U out
Abbildung 6.3: Prinzipschaltbild eines idealen Sperrwandlers
Durch das Schaltungsprinzip bedingt erfordert der Sperrwandler eine Regelung der
Spannungsverstärkung in Abhängigkeit des Ausgangsstroms und über den Tastgrad der
Schaltung. Für den dazu notwendigen Regelkreis der Ausgangsspannung ist eine
potentialgetrennte Informationsübertragung zwischen Primär- und Sekundärseite notwendig.
Wird der Transformator als integriertes Bauelement ausgeführt, so stellt er im Multilayer
eines der größten Bauelemente dar, das meist die gesamte zur Verfügung stehende Fläche
einnehmen wird. Für die Signalübertragung des Regelkreises sind dann aber
Durchkontaktierungen für die Signalleitungen innerhalb des Multilayers notwendig. Diese
führen jedoch auch durch den Transformator und sind damit hinsichtlich der Produktion nicht
einfach umzusetzen.
In Abhängigkeit von der Kopplung der Sekundär- zur Primärseite besitzt der Sperrwandler
primärseitig eine entsprechend große Streuinduktivität, die zur eigentlichen Hauptinduktivität
in Reihe geschaltet ist. Nachdem diese parasitäre Induktivität nicht auf die Sekundärseite
gekoppelt ist, kann die während der Leitphase des Transistors aufgenommene Energie in der
folgenden Sperrphase nicht an den Ausgang abgegeben werden. Folglich liegt die beim
Abschalten des Transistors auftretende Spannungsspitze an der Streuinduktivität als
Sperrspannung am Transistor an, der dadurch zerstört werden kann. Durch den Einbau einer
zusätzlichen Klemmschaltung, wie z. B. einer Zenerdiode, parallel zur Haupt- und
Streuinduktivität, kann die gespeicherte Energie dort in Wärme umgesetzt werden. Wird der
Transformator als planares Bauteil ausgeführt, bei dem die Kopplung prinzip- und
materialbedingt vergleichsweise schlecht ist, ist dieser Effekt nur sehr schwer zu beherrschen.
Für den Schaltungsentwurf mit embedded passives ist daher eine Topologie interessanter, bei
der die Streuinduktivität ein fester Bestandteil der Dimensionierung ist.
6.1.3 Resonante Konvertertopologien
Resonante Konverter nutzen im Vergleich zu den vorangegangenen Schaltungen die

parasitären Elemente der Schaltung für das Funktionsverhalten. Die Abbildung 6.4 zeigt einen
schematischen Aufbau eines Resonanzwandlers. Über eine Halb- oder Vollbrücken-
Konfiguration wird aus der Konstantspannungs- oder Konstantstromquelle auf der linken
Seite des Netzwerks eine Rechteckspannung oder ein rechteckförmiger Strom an das
Resonanznetzwerk weitergeleitet. Die von der Quelle zur Verfügung gestellte Energie wird
im Resonanzkreis, der aus Induktivitäten und Kapazitäten besteht, zwischengespeichert und
anschließend an die Last abgegeben. Die Arbeitsfrequenz des Wandlers kann dabei ober- oder
unterhalb der Resonanzfrequenz des ungedämpften Resonanzkreises liegen.
Quelle
Resonanznetzwerk
Konstantspannungsquelle
oder n-ter Ordnung
Konstantstromquelle Last
Abbildung 6.4: Schematischer Aufbau eines Resonanzwandlers [sev01]
T1
L11
U in
Cs Ls
Lm L22 C R U out
T2
Abbildung 6.5: LLC-Konverter in der Prinzipschaltbilddarstellung
Für das Resonanznetzwerk wird die primäre Streuinduktivität des Transformators eingesetzt,
wobei der Kopplungsfaktor zwischen Primär- und Sekundärseite, der stets kleiner als eins ist,
die Größe der Streuinduktivität bestimmt. In der Prinzipschaltbilddarstellung in Abb. 6.5 ist
die Primärseite des Transformators daher in eine für die Übertragung wirksame
Hauptinduktivität Lm und die Streuinduktivität Ls aufgeteilt. Aus der Kombination des
Resonanzkreises von zwei Induktivitäten ( Lm und Ls ) und einer Serienkapazität Cs leitet

sich die ebenfalls gebräuchliche Bezeichnung LLC-Konverter für die Schaltung ab, die eine
Variante eines resonanten Konverters darstellt.
Die Leistung des Konverters wird, vergleichbar zum Sperrwandler, durch den
Längsspannungsabfall an der Streuinduktivität bei höheren Frequenzen mit zunehmender
Belastung begrenzt. Bildet jedoch die Längskapazität Cs mit der Längsinduktivität Ls einen
Serienschwingkreis mit der Resonanzfrequenz f s und entspricht die Schaltfrequenz des LLC-
Konverters der Resonanzfrequenz f s , so ergibt sich im Idealfall eine vollständige
Kompensation der Streuinduktivität durch den Serienkondensator. Die Leistungsübertragung
wird nun durch die Streuinduktivität, die bei planaren Komponenten einen nicht
vernachlässigbaren Einfluss hat, nicht mehr beschränkt. Gleichzeitig können folglich die
Schaltelemente spannungs- bzw. stromlos geschaltet werden.
Werden die planaren Wicklungen eines integrierten Transformators innerhalb des Multilayers
übereinandergeschichtet, ergeben sich zwangsläufig auch nicht vernachlässigbare
Wicklungskapazitäten, wodurch das Betriebsverhalten zusätzlich beeinflusst wird. In das
Prinzipschaltbild nach Abb. 6.5. können diese parasitären Elemente durch eine kapazitive
Komponente parallel zur Hauptinduktivität L11 eingezeichnet werden. Die nun vorliegende
LLCC-Topologie stellt einen Konverter vierter Ordnung dar, der beispielsweise in [bat01]
ausführlich behandelt wird.
Für den angestrebten Leistungsbereich und in Hinblick auf die derzeit zur Verfügung
stehenden Materialien ist der resonante Konverter in dieser Form (LLCC) eine für den Einsatz
von embedded passives geeignete Topologie, nachdem ein Großteil der parasitären Elemente
in die eigentliche Schaltung integriert ist und eine hohe Effizienz erzielt werden kann.
6.2 Demonstrator mit embedded passives
Auf der Basis der grundlegenden Prinzipien für Schaltungen mit embedded passives, die in
Kapitel 2 beschrieben wurden, und den Berechnungsformeln bzw. Designvorschriften aus den
folgenden Kapiteln, wurde von der Firma Philips Forschungslaboratorien (Aachen) in
Zusammenarbeit mit den Firmen Isola (Düren), Ruwel (Wetter), Straschu (Oldenburg) und
dem Lehrstuhl für Elektromagnetische Felder (Erlangen) ein Demonstrator mit embedded
passives aufgebaut (Abb. 6.6). Im Folgenden wird das Konzept mit Informationen zum
Aufbau und der erzielbaren Effizienz der Schaltung erklärt. Weitere Detailinformationen sind
in [waf05] und [neu01] zu finden.
Der Demonstrator wurde für den Einsatz in einem flachen LCD-Bildschirm entworfen, dessen
Stromverbrauch in erster Linie durch den Strombedarf der Hintergrundbeleuchtung bestimmt
wird. Beim Einsatz von Leuchtdioden für die Beleuchtung liegt die typische
Leistungsaufnahme im Bereich knapp unter 60 Watt, sodass dieser Leistungsbereich für die
gewählte Anordnung repräsentativ ist. Durch den angestrebten ultraflachen Aufbau soll
demonstriert werden, dass unter Verwendung eines Multilayers mit embedded passives die
leistungselektronische Schaltung auch direkt auf der Rückseite des LCD-Panels, also
innerhalb des eigentlichen Bildschirms, integriert werden kann.
Um die parasitären induktiven und kapazitiven Effekte der embedded passives im

Schaltungsdesign sinnvoll integrieren zu können, wurde als Schaltungstopologie ein
resonanter Halbbrückenkonverter mit Potentialtrennung gewählt. Insbesondere bei höheren
Schaltfrequenzen ergeben sich bei der LLCC-Topologie verschiedene Möglichkeiten zur
Optimierung des Wirkungsgrades, wodurch die Reduzierung der Wärmeentwicklung in der
Schaltung optimiert werden kann. Durch die Wahl des Arbeitspunktes nahe der
Resonanzfrequenz wirkt die Schaltung annähernd wie eine Konstantstromquelle, sodass die
Transistoren mit einer fest eingestellten Schaltfrequenz betrieben werden können. Der Aufbau
des Regelkreises vereinfacht sich dadurch entsprechend.
Abbildung 6.6: Resonanter Konverter mit 60 Watt Ausgangsleistung und

leiterplattenintegriertem Transformator, sowie planaren Kapazitäten [waf06]
Für den Betrieb an der Netzversorgung wurde der Demonstrator mit einer Schutzisolierung
ausgelegt. Der Transformator selbst ist in die Leiterplatte integriert und aus vier Kupferlagen
mit einer Dicke von 35 μm für jede der Wicklungen aufgebaut. Um den magnetischen Kern,
der den magnetischen Fluss um das Bauteil steuert, zu realisieren, werden zwei 1 mm dicke
Ferrite-Polymer-Compound Maglam Lagen eingesetzt. Mit dem Aufbau aus einzelnen Lagen
ergibt sich für den kompletten Transformator eine Bauhöhe von 3 mm . Die spiralförmigen
Windungen für Primär- und Sekundärseite sind dabei in einzelnen Lagen angeordnet. In
Abb. 6.7 ist die prinzipielle Anordnung dargestellt. Für den Serienresonanz-Kondensator und
zehn weitere Kondensatoren, die zum Entkoppeln, Filtern und für die Schaltsteuerung der
Leistungsschalter benötigt werden, enthält der Multilayer drei kapazitive C-Lam Lagen mit
einer Dicke von jeweils 40 μm .
Alle Lagen mit magnetischen oder dielektrischen Eigenschaften, sowie den Leiterplatten aus
FR4 als Träger der Schaltungsfunktionen oder Isolationsschichten wurden in einem
Standardprozess zu einem Paket laminiert (siehe Abb. 6.8). Die Durchkontaktierungen zu den
einzelnen Lagen mittels Sacklöchern werden abschließend mit leitfähigem Material gefüllt.
Die gesamte Schaltung ist auf der Fläche einer Kreditkarte (55 mm x 80 mm ) untergebracht,
wobei der gesamte Multilayer-Konverter, der in Abb. 6.6 dargestellt ist, eine Dicke von 4 mm
besitzt.
Plastikferrit MagLam
Primärwicklungen b) c)
Schutzisolierung
Sekundärwicklungen
Plastikferrit MagLam
a) d)
Abbildung 6.7: a) Schaltung mit integriertem Folienkondensator und Transformator

b) Anordnung der Spiralspulen des Transformators
c) Transformator geschlossen mit Ferritkern aus MagLam
d) Seitenansicht der zusammengesetzten Schaltung [neu01]
Halbleiter
FR4 - Leiterplatte
kapazitive Lagen
magnetische Lage
Windungen
magnetische Lage
Abbildung 6.8: Seitenansicht der laminierten Lagen des Konverters [waf06]
Zur Beurteilung der Effizienz der Schaltung wurden die elektrisch gemessenen Eingangs- und
Ausgangsleistungen zueinander ins Verhältnis gesetzt und ergaben für den ersten Prototyp
einen Wert von 72 Prozent. Folglich ist bei einer Ausgangsleistung von 60 Watt eine
Eingangsleistung von über 80 Watt erforderlich, wovon mehr als 20 Watt als Verlustleistung
in Form von Wärme aus dem Multilayer wieder abgeführt werden müssen. Die Schaltung
selbst war daher in einen entsprechend dimensionierten Kühlkörper direkt integriert. Im
Detail betrachtet entsteht ein Großteil der gemessenen Verluste in den Wicklungen des
Transformators, aber auch im magnetischen Kern.
Der Demonstrator wurde anschließend in einer überarbeiteten Version ein zweites Mal
vermessen. In Abb. 6.9 sind die gemessenen und die berechneten Verluste PLoss für eine
Ausgangsleistung von 60 Watt gegenübergestellt. Der Berechnungsalgorithmus ist in [waf05]
ausführlich dokumentiert.
16 gemessen
sonstige
14 ESR C
Aus. Dioden
12 MOSFETs
PLoss 10 Controller
f Treiber
W 8 Trafokern
Windungen
6
4
2
0
460 470 480 490 500 510 520
f kHz f
Abbildung 6.9: Verluste bei 60 Watt Ausgangsleistung [neu01]
Dieses Re-Design wurde mit dickeren Windungen und reduzierten Wicklungskapazitäten

aufgebaut, wodurch sich eine maximale Effizienz von 82 Prozent über alle Messungen ergab,
woraus sich ein Wert von annähernd 13 Watt für die Gesamtverluste der Schaltung ergibt. Die
Verluste innerhalb des Transformators haben hierbei, laut den Berechnungen, immer noch
den größten Anteil.
Der aufgebaute Demonstrator zeigt anschaulich die grundsätzliche Realisierbarkeit von
leistungselektronischen Schaltungen mit embedded passives in Form von Multilayern. Dabei
müssen sicherlich für Serienanwendungen weitere Konzepte erarbeitet werden, um die
Effizienz der Schaltungen zu steigern und um die Verluste weiter zu reduzieren.
Einsatzmöglichkeiten der Technologie 137
7 Einsatzmöglichkeiten der Technologie
In den vorangegangenen Kapiteln hat sich gezeigt, dass der Vorteil der Multilayer-
Technologie in der Kompaktheit und Robustheit der Komplettsysteme besteht. Neben
Anwendungen, bei denen für die Elektronik nur sehr wenig Platz zur Verfügung steht, ist die
Technologie in bewegten Systemen oder unter schwierigen äußeren Bedingungen, wie
beispielsweise starke Staubentwicklung, sehr gut einsetzbar. Durch die im Idealfall komplett
integrierten passiven Komponenten befinden sich auf der Oberfläche der Multilayer-
Baugruppe nur noch sehr flache, aufgeklebte und angelötete SMD-Bauteile, wodurch die
Schaltung insgesamt weitaus unempfindlicher gegenüber mechanischen Einflüssen,
Vibrationen und Staub ist.
Bedingt durch diese Vorteile kommt die vorrangige Verwertung der Ergebnisse dieses
Vorhabens grundsätzlich zahlreichen Schlüsselbranchen der Elektronikindustrie wie der
Informations-, Kommunikations- und Computertechnologie zu Gute. Breit gefächerte
Einsatzmöglichkeiten ergeben sich zusätzlich im Bereich der Automobilelektronik, aber auch
in anderen anspruchsvollen Anwendungsgebieten, in denen elektronische Systeme für mess-
und regelungstechnische Aufgaben benötigt werden.
Da heutzutage nahezu jedes elektronische Produkt Leiterplatten enthält, ist das Marktpotential
durch die kompakte, integrierte Bauweise in allen Bereichen entsprechend groß. Die
erforderliche Leistungselektronik hat auf Preis, Leistung und Verbrauch, Zuverlässigkeit,
Gewicht, Volumen und Herstellungskosten des Gesamtsystems einen wesentlichen Einfluss.
Im Folgenden wird eine Auswahl von möglichen Anwendungen vorgestellt, an denen der
Einsatz der Multilayer-Technologie exemplarisch unter Darstellung der damit verbundenen
Vorteile gezeigt wird.
7.1 Unterhaltungselektronik
Die klassische Bildröhre wird bei Fernsehern und Computeranwendungen zunehmend durch
Geräte mit Flachdisplays verdrängt bzw. ersetzt werden. Neben den Flüssigkristall-Displays
bei LCD-Bildschirmen werden vor allem im TV-Bereich auch großformatige Plasma Displays
eingesetzt. Bei der Produktion dieser Systeme ist neben hoher Zuverlässigkeit eine
kostengünstige und schnelle Produktion mit einfacher Technologie von entscheidendem
Marktvorteil im jeweiligen Segment. Gleichzeitig ist das Design der angebotenen Geräte
essentiell.
Zur Vermeidung von Zusatzgeräten in der Zuleitung wird bei heutigen Flachdisplaygeräten
die gesamte Leistungselektronik auf der Rückseite des Displays untergebracht. Damit ist beim
Einsatz diskreter passiver Bauelemente, die sich auf der Oberseite der Schaltung befinden und
eine endliche Höhe besitzen, die Mindesttiefe des Geräts vorgegeben. Durch den Einsatz der
Multilayer-Technologie kann nun die Gesamttiefe der Schaltung entscheidend reduziert
werden, wodurch die Gestaltungsfreiheit beim Design deutlich erweitert wird. Die Integration
der Herstellung der embedded passives in den Standard-Leiterplattenprozess reduziert,
bedingt durch die Technologie, zusätzlich die Kosten und den Zeitaufwand in der Produktion.
Abbildung 7.1: Plasma Panel Display [web01]
7.2 Lichttechnik
Die klassische Glühbirne wird zusehends von alternativen Lichtquellen, die bei geringerer
Leistungsaufnahme zugleich auch eine höhere Lichtausbeute und eine längere Lebensdauer
bieten, verdrängt. Diese modernen Lampentypen können meist nur mit speziell angepasster
Vorschaltelektronik am elektrischen Versorgungsnetz betrieben werden. Der Einsatz
leistungselektronischer Schaltungen in diesem Bereich wird in den nächsten Jahren
voraussichtlich stark ansteigen.
Sehr dünne und kompakte Bauformen dieser notwendigen Vorschaltelektronik, wie bei
Einsatz der Multilayer-Technologie, erlauben innovative Designs der kompletten
Lampensysteme, nachdem die Elektronik an unauffälligen Stellen versteckt bzw. integriert
werden kann. Gleichzeitig ist eine preiswerte Massenfertigung für den Wettbewerbsvorteil
entscheidend, die durch die integrierte Fertigung der passiven Komponenten in den Standard-
Leiterplattenprozess erreicht wird.
Abbildung 7.2: Moderne Lichttechnik mit Vorschaltgerät [waf03]
7.3 Automobilelektronik
Viele Funktionen werden heute in einem Automobil elektronisch bedient. Gleichzeitig

werden moderne Autos mit immer mehr Zusatzgeräten und –funktionen, wie beispielsweise
großflächige Fahrerinformationsdisplays, ausgestattet. Die im Auto derzeit zur Verfügung
stehende Gleichspannung von 12 Volt muss daher meist für jede Anwendung angepasst
werden, sodass eine Vielzahl leistungselektronischer Schaltungen notwendig ist. Durch den
geplanten Umstieg auf die 42 Volt Technologie würde sich die Anzahl zusätzlich um ein
Vielfaches erhöhen.
In Hinblick auf die Vermeidung von Fahrzeugausfällen ist bei dem vielfachen Einsatz der
leistungselektronischen Schaltungen eine hohe Zuverlässigkeit unabdingbar. Die
monolithische Integration der passiven Komponenten bei der Multilayer-Technologie lassen
neben geringeren Kosten im Vergleich zu keramischen Lösungen auch eine hohe
Zuverlässigkeit erwarten.
Erreicht wird diese Zuverlässigkeit durch die eingesetzten Materialien der embedded passives,
die in Hinblick auf die sehr hohen Temperaturschwankungen im Automobil einen
entsprechenden Wärmeausdehnungskoeffizienten besitzen, der zwischen herkömmlichen
Leiterplatten und Kupferleiterbahnen vermittelt. Verformungen und Sprödbrüche werden
dadurch besser vermieden. Durch die Integration der passiven Bauteile in das Innere entfallen
eine Vielzahl von Lötverbindungen auf der Oberfläche, wodurch die gesamte Schaltung
gegenüber mechanischen, äußeren Belastungen und den Umgebungsbedingungen, wie Staub
und Nässe, unempfindlicher ist. Durch die zur Verfügung gestellten Berechnungsformeln für
induktive Komponenten in der Nähe von metallischen Flächen, kann der Multilayer-Aufbau
auch berechnet werden, wenn die Schaltung direkt auf die Karosserie montiert wird. Dadurch
sind zusätzliche Verbesserungen in der Stabilität des Aufbaus und der Wärmeabführung zu
erwarten.
Abbildung 7.3: Displaytechnologie als Beispiel für Automobilelektronik [web02]
7.4 Solarenergie
Um eine möglichst große Ausbeute einzelner Solarmodule zu erreichen, sollte jedes dieser
Module je nach Einstrahlung in seinem optimalen Arbeitspunkt betrieben werden. Derzeit
werden einzelne Module zu einem Solarenergiearray zusammengefasst, das mit einer
leistungselektronischen Schaltung betrieben wird. In dieser Gruppe ist eine
Arbeitspunktanpassung für jedes Modul technisch nicht durchführbar.
Abbildung 7.4: Solarenergiepanel [waf03]
Konverterschaltungen, die mittels Multilayer-Technologie realisiert werden, sind

vergleichsweise dünn. Der Leistungskonverter kann daher, ohne dass die Architektur der
Module stark geändert werden muss, direkt in oder an das Solarmodul integriert werden.
Jedes Modul kann folglich in seinem optimalen Arbeitspunkt betrieben werden, wodurch sich
für das gesamte Solarpanel ein weitaus höherer Wirkungsgrad ergibt.
Solarmodule werden derzeit mit einer prognostizierten Lebensdauer von über 20 Jahren
gefertigt. Durch die eingesetzte Technologie werden Schaltungen mit integrierten Bauteilen
grundsätzlich sehr hohe Zuverlässigkeiten erreichen und sind daher gut einsetzbar. Eine
Herausforderung ist derzeit noch die benötigte Effizienz. Die aktuell zur Verfügung stehenden
Materialien schränken den Wirkungsgrad der leistungselektronischen Schaltungen noch stark
ein.
7.5 Mobile Geräte
Mobile Geräte, wie Mobiltelefone, PDAs oder Musikspieler werden durch eine Batterie oder
einen Akku versorgt. Die damit zur Verfügung gestellte Spannung muss an die jeweiligen
Erfordernisse des Geräts angepasst werden. Um Platz einzusparen werden zur
Energieumwandlung inzwischen nahezu ausschließlich leistungselektronische Schaltungen
eingesetzt.
Durch eine steigende Funktionalität der einzelnen Geräte und den Trend zu
Multifunktionsgeräten treten zunehmend mehr unterschiedliche Energieanforderungen in
einem Gerät auf. Die Konverterschaltungen bestehen daher meist aus mehreren
Konverterstufen, wodurch die eigentliche Schaltung wieder mehr Platz einnimmt. Mittels der
Multilayer-Technologie ist hier eine Bauvolumenreduzierung realisierbar.
Abbildung 7.5: Mobiles Gerät mit integrierter Leistungselektronik [waf03]

Zusammenfassung und Ausblick 143
8 Zusammenfassung und Ausblick
Im Bereich leistungselektronischer Schaltungen spielt die Miniaturisierung heute und in

Zukunft eine zunehmend wichtigere Rolle. Weiterentwickelte Produktionsprozesse und neue
Technologien sind hier vielversprechende Ansatzpunkte. Die Multilayer-Technologie mit
dem Konzept der embedded passives ist in diesem Zusammenhang ein schlüssiges Konzept
für zukünftige Serienproduktionen. Wichtig ist hierbei jedoch, dass dem Entwickler
Möglichkeiten und Werkzeuge im Vorfeld zur Verfügung stehen, um die einzelnen
Komponenten dieser neuen Technologie planen zu können.
Integrierte Kapazitäten und Widerstände lassen sich weitestgehend mit den zur Bestimmung
von diskreten Bauteilen bekannten Formeln berechnen. Zur Realisierung dieser Komponenten
stehen inzwischen eine Reihe verschiedener Materialien mit speziellen Eigenschaften zur
Verfügung, die kompatibel zu den Fertigungsbedingungen in einem Standard-
Leiterplattenprozess sind. Durch die Bauweise, den zur Verfügung stehenden Raum und auch
die Materialien sind den realisierbaren Bauteilwerten derzeit jedoch noch enge Grenzen
gesetzt.
Bedingt durch die spiralförmigen Leiterbahnen und den geschichteten Aufbau mit FPC-Folien
bei induktiven integrierten Komponenten konnten hier die Berechnungsformeln der diskreten
induktiven Bauteile nicht übernommen werden. Um dennoch eine Aussage über realisierbare
Induktivitätswerte und Abschirmverhalten mithilfe weichmagnetischer oder leitfähiger Lagen
zu erhalten, wurde zunächst die Feldverteilung im Multilayer durch die Formulierung eines
Randwertproblems bestimmt. Mit der Kenntnis des magnetischen Vektorpotentials im
gesamten Raum lassen sich die gesuchten Bauteilgrößen schließlich relativ einfach
bestimmen. Die Ergebnisse selbst liefern auch Anhaltspunkte und grundsätzliche Vorschriften
für das Design der Bauteile.
Gleichzeitig liefern die Ergebnisse des Randwertproblems aber auch eine genaue Aussage für
die Schirmwirkung der integrierten permeablen oder leitfähigen Schichten bezüglich der
vorherrschenden magnetischen Felder. Um im Vorfeld während der Entwicklung abschätzen
zu können, ob die einschlägigen EMV-Richtlinien erfüllt werden, ist die Kenntnis der
erzielbaren Schirmwirkung essentiell.
Sowohl für die Eigeninduktivität, als auch für die Dämpfung werden mit FPC-Materialien im
Aufbau nur sehr kleine Änderungen der Werte erzielt. Neben der geringen Permeabilität der
Materialien ist die Ursache auch im lagenförmigen Design des magnetischen Kerns zu
suchen. Der Kern besitzt dadurch einen umlaufenden Luftspalt mit vergleichsweise großen
Abmessungen. Alternativ können zusätzliche Bohrungen in der Trägerplatte der planaren
Spule vorgesehen werden, die von fließfähigem FPC-Material während des Verpressens
gefüllt werden. Die Kernhälften ober- und unterhalb der Spule werden somit magnetisch
verbunden. Für die Berechnung dieser Aufbauten müssen die bisher vorgestellten Formeln
konzeptionell überdacht und entsprechend erweitert werden.
Alternativ zur Lösung des Randwertproblems wurden zwei weitere Lösungsansätze

untersucht. Dabei ist die Untersuchung mittels dem Spiegelstromverfahren in erster Linie auf
einfache Geometrien mit nur permeablen Schichten begrenzt, da der Einfluss komplizierter
aufgebauter Anordnungen oder die Berücksichtigung leitfähiger Materialien nicht mehr
graphisch übersichtlich dargestellt werden kann. Für die einfachen Aufbauten liefert die
Darstellung mittels Spiegelladungen aber einen sehr guten Überblick über die
Zusammenhänge in Hinblick auf die Einflüsse der weichmagnetischen Lagen auf die
Feldverteilung innerhalb des Multilayers.
Sowohl beim Randwertproblem, als auch bei der Methode der Spiegelladungen wurde darauf
geachtet, Vereinfachungen erst so spät wie möglich vorzunehmen, um eine möglichst große
Genauigkeit der Ergebnisse zu erhalten. Für das Design der Bauteile ist gleichzeitig die
Möglichkeit von Parameterstudien nach Material- und Geometriegrößen von großem Vorteil.
Die beiden analytischen Lösungen unterscheiden sich hierbei deutlich von der Lösung mittels
eines FEM-Tools, bei dem beispielsweise Parameterstudien nach der Geometrie nur durch
eine zeitaufwändige Neuvermaschung des Multilayers für jede einzelne Geometrie möglich
sind. Gleichzeitig sind sehr komplizierte Aufbauten aus mehreren übereinander geschichteten
unterschiedlichen Materialien analytisch in endlicher Zeit nicht mehr lösbar, wodurch für die
Untersuchungen in diesem Bereich ausschließlich das FEM-Tool zur Verfügung stand. Aus
diesen Ergebnissen ließen sich abschließend einige grundlegende Erkenntnisse für das Design
induktiver Komponenten ableiten.
Mit der Berücksichtigung leitfähiger Materialien in der Nähe des induktiven Elements können
auch technisch interessante Anordnungen untersucht werden, bei denen der gesamte
Multilayer direkt auf eine metallische Oberfläche montiert wird, wie beispielsweise dem
Karosserieblech oder einem Kühlkörper. Durch die direkte Verbindung mit der metallischen
Oberfläche wird nicht nur die magnetische Feldverteilung signifikant verändert, sondern auch
eine effektive Möglichkeit zur Ableitung der Verlustwärme der innen liegenden Bauteile
geschaffen. Unberücksichtigt blieben bei den bisher präsentierten Ergebnissen und
Gleichungen die meist zackenförmigen Aufbauten der Kühlkörper bzw. die nicht planaren
Geometrien der Metalloberflächen im Automobilbereich. Um realitätsnahe Berechnungen
durchführen zu können, ist für die Zukunft eine Erweiterung der Gleichungen angedacht.
Die Berechnung und die Simulierung der Zusammenhänge innerhalb des Aufbaus gewinnen
mit zunehmender Miniaturisierung an Bedeutung. Allgemein ist es durch die Integration nicht
mehr möglich, einzelne Messwerte direkt im Aufbau zu erfassen. Neben den vorliegenden
kleinen Abmessungen ist hier auch der nicht vorhandene Zugang zu vollständig integrierten
Strukturen im Inneren des Aufbaus als Grund zu nennen.
Mittels Durchkontaktierungen werden die einzelnen Bauteile innerhalb zu einer Schaltung
verbunden. Diese senkrecht zum Schichtenaufbau verlaufenden Kontaktierungen bestehen aus
Metall und werden daher die Feldverteilung innerhalb des Multilayers zusätzlich
beeinflussen. Gleichzeitig verursacht auch der in diesen Metallstiften fließende Strom ein
magnetisches Feld, das sich dem vorliegenden Feld überlagert. Beide Effekte wurden in den
bisherigen Betrachtungen nicht berücksichtigt. Für Strukturen mit vielen Elementen, die
zwangsläufig auch eine Vielzahl von Durchkontaktierungen besitzen, stellt dies sicherlich
eine interessante Erweiterung der Berechnungen dar, um eine größere Genauigkeit der
Ergebnisse zu erzielen.
Zusammenfassung und Ausblick 145
Im Laufe der Untersuchungen wurde auch eine neue Methode entwickelt, um die
Permeabilität von weichmagnetischen planaren Werkstoffen bestimmen zu können. Dabei
werden Ergebnisse der Berechnungen mit Messwerten verglichen, wodurch ein Rückschluss
auf die Permeabilität des Materials möglich ist. Während bei den meisten derzeit üblichen
Bestimmungsverfahren das magnetische Material in Toroidform vorliegen muss, wird das
weichmagnetische Ausgangsmaterial bei der vorgestellten Bestimmungsmethode in seiner
lagenförmigen Struktur verwendet. In Hinblick auf die sicherlich zunehmende Entwicklung
weichmagnetischer Werkstoffe in den nächsten Jahren wird die Methode zunehmend an
Bedeutung gewinnen.
Mit dem Material Mu-Metall im Aufbau können vergleichsweise hohe Werte für die
Dämpfung und die Eigeninduktivität erzielt werden. Nachdem dieses Material aber auch eine
nicht vernachlässigbare Leitfähigkeit besitzt, treten innerhalb der Lagen Wirbelströme auf.
Neben der Reduzierung des Wirkungsgrades der Gesamtschaltung führen diese Ströme auch
zu einer Wärmeentwicklung innerhalb der Schichten durch ohmsche Verluste. Grundsätzlich
ist die Ableitung der Wärme aus dem Inneren des Multilayers nur schwer möglich. Interessant
sind daher Konzepte, mit denen die Entstehung der Wirbelströme unterbunden wird.
Beispielsweise kann der Pfad der Wirbelströme durch Schlitze im Material unterbrochen
werden, wodurch sich die induzierten Ströme nicht großflächig ausbreiten können. Für die
exakte Modellierung und Dimensionierung der planaren Bauteile liefert die Berücksichtigung
solcher geschlitzten Materiallagen sicherlich vielversprechende Ergebnisse und weitreichende
Erkenntnisse. Die Modifizierung der bisher gefundenen Gleichungen ist daher sicherlich
sinnvoll, aber gleichzeitig auch mit entsprechendem Aufwand verbunden.
Das vorgestellte Konzept eines Konverters mit integrierten Widerständen, Kapazitäten und
Induktivitäten gibt einen ersten Eindruck für die weitreichenden und vielfältigen
Einsatzmöglichkeiten der Technologie und ihren Marktchancen. Durch den kompakten und
robusten Aufbau ist im Automobilsektor und im Bereich der Unterhaltungselektronik der
breiteste Einsatzbereich zu erwarten. Derzeit ist die Verbreitung von embedded passives in
aktuellen Produkten jedoch noch gering, nachdem die zur Verfügung stehenden Materialien
und die mit der Technologie verbundenen Kosten noch nicht optimiert sind. Neuere
Entwicklungen in Hinblick auf Materialien mit höherer Dielektrizitätskonstante bzw. höherem
Permeabilitätswert versprechen aber grundsätzlich ein Vorankommen der Technologie.
Derzeit liegt der embedded passives Anteil an Multilayer-Leiterplatten im Bereich von
ungefähr 0,5 Prozent.
Bisher nicht im Detail wurde der Wirkungsgrad des Multilayers betrachtet. Neben den
Verlusten der Gesamteinheit sind hier sicherlich auch die Teilverluste in den einzelnen
Schichten interessant. Zur Beurteilung im Vorfeld sind dazu erweiterte Berechnungsmethoden
erforderlich, die durch neue, effektive Messmethoden verifiziert werden müssen. Der
komplexe Gesamtaufbau des Multilayers resultiert bei der Berücksichtigung der
verschiedenen Verlustmechanismen vermutlich in einer sehr aufwändigen Modellierung mit
umfangreichen Gleichungen, die aber sicherlich verwertbare Ergebnisse liefern.
Neben der Weiterentwicklung der bestehenden Materialien in Hinblick auf ihre
Materialparameter ist es auch notwendig, die verschiedenen Werkstoffe und Technologien in
die Produktionsschritte der Leiterplattenfertigung nahtlos zu integrieren. In erster Linie
müssen hierbei die Ausschussraten und die Produktionskosten deutlich gesenkt werden, um
die Multilayer-Technologie für den großflächigen Einsatz in Leiterplattenserienproduktionen

voranzutreiben. Nischenanwendungen, bei denen es verstärkt auf einen kompakten und
robusten Aufbau ankommt, werden sicherlich zu den bevorzugten Anwendungsgebieten
gehören.
Für viele Schaltungen werden zum Zwischenspeichern von elektrischer Energie kapazitive
Bauelemente mit großen Bauteilwerten benötigt. Mit den derzeit zur Verfügung stehenden
Materialien, die zur Integration benutzt werden können, ist vom Werkstoff selbst durch die
kleine Dielektrizitätszahl ein deutliches Limit für den Kapazitätswert gesetzt. Bei den
diskreten Bauelementen haben sich hier die Super-Capacitors durchgesetzt. Diese Bauteile
erreichen die relativ großen Kapazitätswerte durch spezielle Elektrolyte für die dielektrische
Zwischenschicht, verbunden mit einer großen Oberfläche der stromführenden Elektroden.
Grundsätzlich können diese Elektrolyte auch für die Integration in einem Multilayer
eingesetzt werden, wobei die einzelnen Fertigungsschritte für diese Technologie noch
komplett neu entwickelt werden müssen. Derzeitige Technologien sind hier nicht einsetzbar.
Die ebenfalls notwendige große Oberfläche könnte durch mehrere übereinander geschichtete
Kondensatoren realisiert werden, wodurch jedoch das Multilayer-Paket insgesamt sehr hoch
wird und damit einer der entscheidenden Vorteile der Multilayer-Technologie schwindet.
Stattdessen gehen erste Denkansätze zur Integration von Super-Capacitors von rauen
Oberflächen für die stromführenden Elektroden aus. Raue oder zerklüftete Oberflächen
besitzen eine vielfach größere Oberfläche als glatte Oberflächen gleicher Ausdehnung.
Besonders geeignet hierfür sind Schichten aus Aluminium, die sich aber durch die speziellen
Materialeigenschaften nur sehr schwer in den Produktionsprozess integrieren lassen.
Interessant für zukünftige Anwendungen und Entwicklungen ist auch der Einsatz flexibler
Leiterplatten, sogenannte Flex-Foils. Durch den Einsatz von Mu-Metall als hochpermeables
und flexibles Kernmaterial (Flex-Cores) können ultradünne, flexible Induktivitäten gebaut
werden. Diese sehr robusten, kompakten und biegbaren Bauteile werden für viele
Elektronikbereiche komplett neue Möglichkeiten eröffnen. Beispielhaft ist hier die geplante
Integration in Kleidung zu nennen, wodurch „wearable electronics“ entstehen werden.
Abbildungsverzeichnis
Abbildung 2.1 Konventionelle leistungselektronische Schaltung 15

Abbildung 2.2 Aufbau einer hochintegrierten Leiterplatte für eine emPIC Schaltung 17
Abbildung 2.3 emPIC Multilayer-Technologie mit integrierten passiven und aktiven
Komponenten 17
Abbildung 2.4 Querschnitt durch eine hochintegrierte Leiterplatte mit Via 18
Abbildung 3.1 Schematische Darstellung der Herstellung von Widerständen im
Siebdruckverfahren mit Karbonpaste 24
Abbildung 3.2 Integrierte Widerstände (4,7 kOhm) im Siebdruckverfahren 24
Abbildung 3.3 Schematische Darstellung der Herstellung von Widerständen im
Ätzverfahren 25
Abbildung 3.4 Integrierte Widerstände (1 kOhm) in Ätztechnik 26
Abbildung 4.1 Schematische Darstellung integrierter Kondensatoren aus
kupferkaschiertem, dielektrischen Material 32
Abbildung 4.2 Ersatzschaltbild mit parasitärem Kondensator 33
Abbildung 4.3 C-Lam Muster mit strukturierten Elektroden und Leiterbahnen
aus Kupfer 36
Abbildung 5.1 Beispiele für planares Spulendesign – spiralförmig und rechteckig 38
Abbildung 5.2 FR4 integrierte planare Spule mit sechs Windungen in vier Lagen 39
Abbildung 5.3 Schematisches Schnittbild der Spule aus Abb. 5.2 39
Abbildung 5.4 Verschiedene Designs für planare Transformatoren mit
fünf Primär- und drei Sekundärwindungen 40
Abbildung 5.5 Labormuster mit ineinander geführte Transformatorenwindungen 40
Abbildung 5.6 Schematische Darstellung des Herstellungsprozesses 42
Abbildung 5.7 Kreisförmige Leiterschleife 44
Abbildung 5.8 Modell einer planaren Kreisspule mit sechs Windungen 47
Abbildung 5.9 Modell eines Multilayer-Aufbaus mit einer planaren Spule 49
Abbildung 5.10 Stromverteilung über einem permeablen Halbraum 50
Abbildung 5.11 Ersatzanordnung für den unteren und oberen Halbraum 50
Abbildung 5.12 Vereinfachtes Modell des Multilayers 53
Abbildung 5.13 Weiter vereinfachtes Modell des Multilayers 53
Abbildung 5.14 Linienstrom im Koordinatenursprung mit permeabler Berandung 57
Abbildung 5.15 Ersatzanordnung für den Bereich oberhalb der permeablen Platte 61
Abbildung 5.16 Ersatzanordnungen für den Bereich innerhalb der permeablen Platte 62
Abbildung 5.17 Ersatzanordnungen für den Bereich unterhalb der permeablen Platte 63
Abbildung 5.18 Komprimierte Darstellung der Ersatzanordnungen aus Abb. 5.17 63
Abbildung 5.19 Ersatzanordnung mit Dipolen abgeleitet aus der Abb. 5.15 64
Abbildung 5.22 Modell mit zwei symmetrisch angeordneten Schichten 67
148 Abbildungsverzeichnis
Abbildung 5.23 Dünne, kreisförmige Leiterschleife im Vakuum 71

Abbildung 5.24 Dünne, rechteckige Leiterschleife im Vakuum 72
Abbildung 5.25 Einzelne Teilbereiche für das Randwertproblem 75
Abbildung 5.26 Modell mit hochleitfähigem Zylinder für die Orthogonalentwicklung 84
Abbildung 5.27 Notwendige Einzelschritte für die Lösung mit Comsol Multiphysics 90
Abbildung 5.28 Finite Elemente für die Modellanordnung 91
Abbildung 5.29 Darstellung des magnetischen Vektorpotentials mit
Postprocessing Fenster 91
Abbildung 5.30 Modellanordnungen für die Berechnungen und die Messungen 94
Abbildung 5.31 Magnetisches Vektorpotential – einseitig FPC1 95
Abbildung 5.32 Magnetisches Vektorpotential – zweiseitig FPC1 95
Abbildung 5.33 Magnetisches Vektorpotential – einseitig Mu-Metall 96
Abbildung 5.34 Magnetisches Vektorpotential – zweiseitig Mu-Metall 96
Abbildung 5.35 Magnetisches Vektorpotential – einseitig Kupfer 97
Abbildung 5.36 Magnetisches Vektorpotential – zweiseitig Kupfer 97
Abbildung 5.37 Eigeninduktivität der Testspule 98
Abbildung 5.38 Änderung der Eigeninduktivität – einseitig FPC-Material 99
Abbildung 5.39 Änderung der Eigeninduktivität – zweiseitig FPC-Material 99
Abbildung 5.40 Änderung der Eigeninduktivität – ein- oder zweiseitig FPC1-Material
Abhängigkeit von der Permeabilität 100
Abbildung 5.41 Änderung der Eigeninduktivität – ein- oder zweiseitig FPC1-Material
Abhängigkeit von der Materialdicke 101
Abbildung 5.42 Ein- oder zweiseitig Mu-Metall – Abstand als Parameter 102
Abbildung 5.43 Ein- oder zweiseitig Mu-Metall – Permeabilität und Materialdicke
als Parameter 102
Abbildung 5.44 Ein- oder zweiseitig Mu-Metall – Leitfähigkeit und Materialdicke
als Parameter 102
Abbildung 5.45 Eigeninduktivität einer Spule zwischen einer Mu-Metall und
einer Kupferschicht 103
Abbildung 5.46 Modell eines planaren Transformators mit weichmagnetischem Kern 104
Abbildung 5.47 Gegeninduktivität bei kreisförmigen Windungen 105
Abbildung 5.48 Gegeninduktivität bei rechteckigen Windungen 105
Abbildung 5.49 Rechen- und Messergebnisse für die Dämpfung auf der z-Achse
mit FPC-Material 107
Abbildung 5.50 Dämpfung der Feldstärke auf der z-Achse mit Mu-Metall 109
Abbildung 5.51 Dämpfung auf der z-Achse – Abstand und Permeabilität als Parameter 109
Abbildung 5.52 Dämpfung mit einer Mu-Metall Schicht 110
Abbildung 5.53 Dämpfung mit zwei Mu-Metall Schichten 110
Abbildung 5.54 Dämpfung auf der z-Achse für eine Kupferschicht
Abstand, Dicke und Skintiefe als Parameter 111
Abbildung 5.55 Dämpfung mit einer Kupfer Schicht 112
Abbildung 5.56 Dämpfung mit zwei Kupfer Schichten 112
Abbildung 5.57 Modellanordnung mit vier Schichten aus Kupfer bzw. Mu-Metall 114
Abbildung 5.58 Magnetisches Vektorpotential für die Anordnung aus Abb. 5.57
mit vier Schichten aus Kupfer bzw. Mu-Metall 114
Abbildung 5.59 Dämpfung auf der z-Achse für die Anordnung aus Abb. 5.57
mit vier Schichten aus Kupfer bzw. Mu-Metall 115
Abbildung 5.60 Modellanordnung mit sechs Schichten aus Kupfer bzw. Mu-Metall 116
Abbildung 5.61 Magnetisches Vektorpotential für die Anordnung aus Abb. 5.60
mit sechs Schichten aus Kupfer bzw. Mu-Metall 116
Abbildung 5.62 Dämpfung auf der z-Achse für die Anordnung aus Abb. 5.60
mit sechs Schichten aus Kupfer bzw. Mu-Metall 117
Abbildung 5.63 Ohmscher Widerstand der Spule aus Abb. 5.2 118
Abbildung 5.64 Muster von FPC-Materialien verschiedener Hersteller 120
Abbildung 5.65 Schliffbild einer integrierten, vierlagigen Spule mit einem
magnetischen Kern aus Maglam 121
Abbildung 5.66 Mu-Metall der Firma Vakuumschmelze 124
Abbildung 5.67 Permeabilitätsbestimmung – Anordnung mit einer Folie 125
Abbildung 5.68 Permeabilitätsbestimmung – Anordnung mit zwei Folien 126
Abbildung 5.69 Ergebnisse für größere Abstände zwischen Spule und
weichmagnetischen Lagen 126
Abbildung 5.70 Grenzen der Bestimmungsmethode 127
Abbildung 5.71 Abschirmwirkung einer Folie in Abhängigkeit der Permeabilität 127
Abbildung 5.72 Abschirmwirkung zweier Folien in Abhängigkeit der Permeabilität 128
Abbildung 6.1 Prinzipschaltbild eines konventionellen Netzteils mit Längsregler 129
Abbildung 6.2 Strom- und Spannungsverläufe des Netzteils mit Längsregler 130
Abbildung 6.3 Prinzipschaltbild eines idealen Sperrwandlers 131
Abbildung 6.4 Schematischer Aufbau eines Resonanzwandlers 132
Abbildung 6.5 LLC-Konverter in der Prinzipschaltbilddarstellung 132
Abbildung 6.6 Resonanter Konverter mit 60 Watt Ausgangsleistung und
leiterplattenintegriertem Transformator, sowie planaren Kapazitäten 134
Abbildung 6.7 a) Schaltung mit integriertem Folienkondensator und Transformator
b) Anordnung der Spiralspulen des Transformators
c) Transformator geschlossen mit Ferritkern aus MagLam
d) Seitenansicht der zusammengesetzten Schaltung 135
Abbildung 6.8 Seitenansicht der laminierten Lagen des Konverters 135
Abbildung 6.9 Verluste bei 60 Watt Ausgangsleistung 136
Abbildung 7.1 Plasma Panel Display 138
Abbildung 7.2 Moderne Lichttechnik mit Vorschaltgerät 139
Abbildung 7.3 Displaytechnologie als Beispiel für Automobilelektronik 140
Abbildung 7.4 Solarenergiepanel 140
Abbildung 7.5 Mobiles Gerät mit integrierter Leistungselektronik 141
Abbildung A1.1 Zählrichtungen für zwei Linienströme in einem kartesischen System 165
Abbildung B2.1 Gewöhnliche Bessel-Funktionen erster und zweiter Art 178
Abbildung B3.1 Vektorpotentiale für verschiedene Abmessungen 178
Abbildung B4.1 Struve-Funktionen erster und zweiter Ordnung 179
Tabellenverzeichnis 151
Tabellenverzeichnis
Tabelle 3.1 Materialien für integrierte Widerstände 28

Tabelle 4.1 Materialien für integrierte Kapazitäten 35
Tabelle 5.1 Geometriedaten und Eigeninduktivität der planaren Spulendesigns 38
Tabelle 5.2 Geometriedaten und Eigeninduktivität der planaren Spule aus Abb. 5.2 39
Tabelle 5.3 Geometriedaten der planaren Transformatordesigns 41
Tabelle 5.4 Eigen- und Gegeninduktivitätswerte der planaren Transformatoren 41
Tabelle 5.5 Materialien für die Berechnungen und Messungen 93
Tabelle 5.6 Gegeninduktivitäten der planaren Transformatoren 106
Tabelle 5.7 Ohmscher Widerstand der planaren Spule für verschiedene
symmetrisch angeordnete Materialschichten 118
Tabelle 5.8 Parameter der FPC-Materialien der Firma Epcos 120
Tabelle 5.9 Parameter der FPC-Materialien der Firma Würth Elektronik 121
Tabelle 5.10 Materialparameter von Maglam der Firma Isola 122
Tabelle 5.11 Materialparameter permeabler Metallfolien 123
Literaturverzeichnis
[abr01] Abramowitz, M.; Stegun, I. A.: Handbook of Mathematical Functions with

Formulas, Graphs and Mathematical Tables. Dover Publishing Inc., New York,
USA, 9. Aufl., 1972
[alb01] Albach, M.: Grundlagen der Elektrotechnik 1. Verlag Pearson Studium, München,
2004
[alb02] Albach, M.: Mitschrift zur Vorlesung „Elektromagnetische Felder I“. Universität
Erlangen-Nürnberg, Lehrstuhl für Elektromagnetische Felder, 2003
[alb03] Albach, M.: Mitschrift zur Vorlesung „Elektromagnetische Felder II“. Universität
Erlangen-Nürnberg, Lehrstuhl für Elektromagnetische Felder, 2003/2004
[alb04] Albach, M.: Mitschrift zur Vorlesung „Verfahren zur Lösung elektrodynamischer
Probleme“. Universität Erlangen-Nürnberg, Lehrstuhl für Elektromagnetische
Felder, 2002
[alb05] Albach, M.; Schuh, S.: Analysis of Embedded Passives Integrated Circuits for
Power Converters. PCIM Conference, Nürnberg, Germany, 2003
[ara01] Arab, M.; Laboure, E.; Costa, F.: Impedance Calculation of Integrated Magnetic
Components in a Wide Frequency Range. EPE Conference, Dresden, Germany,
2005
[ban01] Banjac, R.; Fluche, B.: Unterlagen zum Workshop „Comsol Multiphysics”.
Comsol, Göttingen, 2006
[bat01] Batarseh, I.: Power Electronic Circuits. John Wiley & Sons, New York, USA,
2004
[bin01] Binns, K. J.; Lawrenson, P. J.; Trowbridge, C. W.: The Analytical and Numerical
Solution of Electric and Magnetic Fields. John Wiley & Sons, New York, USA,
1992
[boc01] Bocock, G.: Mehr als ein Drei-Käse-Hoch. E&E Journal, Publish Industry Verlag,
München, Mai 2007
[bou01] Bourne, D. E.; Kendall, P.C.: Vektoranalysis. Teubner Verlag, Stuttgart, 1988
[bre01] Breitfeld, P.: Spezielle Funktionen. Bad Saulgau, 2007
[bro01] Bronstein, I. N.; Semendjajew, K. A.: Taschenbuch der Mathematik. Teubner
Verlag, Stuttgart, 25. Aufl., 1991
[bro02] Bronstein, I. N.; Semendjajew, K. A.: Ergänzende Kapitel zu Taschenbuch der
Mathematik. Verlag Harri Deutsch, Frankfurt, 6. Aufl., 1991
154 Literaturverzeichnis
[chen01] Chen, W.; Yan, Y.; Hu, Y.: Model and Design of PCB Winding Parallel for
Planar Transformer. Intermag Conference, Boston, USA, 2003
[chen02] Chen, W.; Wyk, J. D. van; Wang, S.; Odendaal, W. G.: Improving the
Characteristics of Integrated EMI Filters by Embedded Conductive Layers. IEEE
Transactions on Power Electronics, Volume 20, Issue 3, May 2005
[chen03] Chen, R.; Strydom, J. T.; Wyk, J. D. van: Design of Planar Integrated Passive
Module for Zero-Voltage Switched Asymmetrical Half Bridge PWM Converter.
IEEE Transactions on Industry Applications, Volume 39, Issue 6, November –
December 2003
[cro01] Croswell, R. T.: Case Studies of Integrated Modules. Electronic Circuits World
Convention, Cologne, Germany, 2002
[dat01] Datenblatt der Firma Asahi, www.asahicarbon.co.jp
[dat02] Datenblatt der Firma DuPont, www.dupont.com
[dat03] Datenblatt der Firma Ohmega, www.ohmega.com
[dat04] Datenblatt der Firma Gould Electronics, www.gouldelectronics.com
[dat05] Datenblatt der Firma Isola, www.isola.de
[dat06] Datenblatt der Firma 3M, www.3m.com
[dat07] Datenblatt der Firma Rogers, www.rogerscorportion.com
[dat08] Datenblatt der Firma Epcos, www.epcos.de
[dat09] Datenblatt der Firma Würth Elektronik, www.we-online.com
[dat10] Datenblatt der Firma Vacuumschmelze, www.vacuumschmelze.de
[duf01] Duffy, M.; O’Reilly, S.; O’Donnel, T.; Friesen, P.; McClosjey, P.; Mathuna, S.
C.: MCM-L Integrated Transformer for Low Power Applications. PESC
Conference, Galway, Irland, 2000
[eri01] Erickson, R. W.; Maksimović, D.: Fundamentals of Power Electronics. Kluwer
Academic Publishers, Niederlande, 5. Aufl., 2003
[ern01] Ernst, O.: Mitschrift zur Vorlesung „Finite Elemente I“. Technische Universität
Bergakademie Freiberg, Institut für Numerische Mathematik und Optimierung,
2007
[fau01] Faucher, S.; Joubert, C.; Forest, F.; Wilmot, F.; Labouré, E.; Costa, F.: Passive
Components Integration for Power Electronic. EPE Conference, Leoben, Austria,
2001
[fau02] Faucher, S.; Daveau, G.; Joubert, Ch., Forest, F.: Analytical Modelling dedicated
to Integrated Planar Passive Components. EPE Conference, Dresden, Germany,
2005
[fel01] Feldtkeller, E.: Dielektrische und magnetische Materialeigenschaften 1. Verlag

Anton Hain, Meisenheim/Glan, 1973
[fer01] Ferreira, J. A.; Waffenschmidt, E.; Strydom, J.; Wyk, J. D. van: Embedded
Capacitance in the PCB of Switchmode Converters. PESC Conference, Cairns,
Australia, 2002
[fer02] Ferreira, J. A.; Waffenschmidt, E.: Low Profile Switchmode Converters with
Embedded Passive Components in the PCB. EPE Journal, Volume 13, Issue 2,
May 2003
[fisch01] Fischer, J.: Elektrodynamik. Springer Verlag, Berlin, 1976
[gar01] Garrab, H.; Allard, B.; Morel, H.; Ammous, K.; Ghedira, S.; Amimi, A.; Besbes,
K.; Guichon, J.-M.: On the Extraction of PiN Diode Design Parameters for
Validation of Integrated Power Converter Design. IEEE Transactions on Power
Electronics, Volume 20, Issue 3, May 2005
[ger01] Gerber, M.; März, M.: System Integration in Automotive Power Systems. EPE
Conference, Dresden, Germany, 2005
[ger02] Gerber, M.; Ferreira, J. A.; Hofsajer, I. W.: High Density Packaging of the
Passive Components in an Automotive DC/DC Converter. IEEE Transactions on
Power Electronics, Volume 20, Issue 2, March 2005
[gra01] Gradshteyn, I. S.; Ryzhik, I. M.: Table of Integrals, Series and Products.
Academic Press Ltd., San Diego, California, USA, 5. Aufl., 1994
[haf01] Hafner, Ch.: Numerische Berechnung elektromagnetischer Felder. Springer
Verlag, Berlin, 1987
[her01] Hering, E.; Martin, R.; Stohrer, M.: Physik für Ingenieure. Springer Verlag,
Berlin, 6. Aufl., 1997
[heu01] Heuser, H.: Gewöhnliche Differentialgleichungen. Teubner Verlag, Stuttgart, 2.
Aufl., 1991
[hof01] Hofmann, H.: Das elektromagnetische Feld. Springer Verlag, Berlin, 3. Aufl.,
1986
[hof02] Hofsajer, I. W.; Ferreira, J. A.; Wyk, J. D. van: A comparative study of some
Electromagnetically Integrated Structures in Hybrid Technology. PESC
Conference, Fukuoka, Japan, 1998
[hof03] Hofsajer, I. W.; Wyk, J. D. van; Ferreira, J. A.: Volume Considerations of Planar
Integrated Components. PESC Conference, Charleston SC, USA, 1999
[hui01] Hui, S. Y. R.; Chung, H.; Tang, S. C.: Coreless PCB-Based Transformers for
Power MOSFET/IGBT Gate Drive Circuits. PESC Conference, St. Louis, USA,
1997
[hur01] Hurley, W. G.; Duffy, M. C.: Calculation of Self and Mutual Impedances in
Planar Magnetic Structures. IEEE Transactions on Magnetics, Volume 31, Issue
4, July 1995
[hur02] Hurley, W. G.; Duffy, M. C.: Calculation of Self and Mutual Impedances in
Planar Sandwich Inductors. IEEE Transactions on Magnetics, Volume 33, Issue 3,
May 1997
[hur03] Hurley, W. G.; Duffy, M. C.; O’Reilly, S.; O’Mathuna, S. C.: Impedance
Formulas for Planar Magnetic Structures with Spiral Windings. IEEE
Transactions on Industrial Electronics, Volume 46, Issue 2, April 1999
[jack01] Jackson, J. D.: Klassische Elektrodynamik. Walter de Gruyter Verlag, Berlin, 2.
Aufl., 1983
[jue01] Jüngel, A.: Das kleine Finite-Elemente-Skript. Universität Mainz, 2004
[kna01] Knabner, P.: Mitschrift zur Vorlesung „Numerik partieller
Differentialgleichungen für Ingenieure und Physiker“. Universität
Erlangen-Nürnberg, Lehrstuhl für Angewandte Mathematik 1, 1995
[kist01] Kistenmacher, P.; Schwab, A.: Schirmdämpfung mehrschichtiger und
mehrwandiger Schirmgehäuse im quasistationären Magnetfeld. Electrical
Engineering, Springer Verlang, Berlin, 1996
[koch01] Koch, R.: Magnetfeldabschirmung in passiven planaren Bauelementestrukturen.
Universität Erlangen-Nürnberg, Lehrstuhl für Elektromagnetische Felder,
Diplomarbeit, 2004
[kro01] Kröger, R.; Unbehauen, R.: Elektrodynamik. Teubner Verlag, Stuttgart, 3. Aufl.,
1993
[lau01] Laur, J.-P. et. all: Fabrication of an integrated spiral-type inductor dedicated to
DC-DC microconverters. EPE Conference, Dresden, Germany, 2005
[leh01] Lehner, G.: Elektromagnetische Feldtheorie für Ingenieure und Physiker. Springer
Verlag, Berlin, 3. Aufl., 1996
[leo01] Leonavičius, V.; Duffy, M.; Ó Mathúna, S. C.: Planar Controlled-Leakage-
Inductance Transformers with Magnetic Shunt – Application in Resonant AC/DC
Converter. EPE-PEMC Conference, Riga, Latvia, 2004
[lem01] Lembeye, Y.; Goubier, P.; Ferrieux, J.-P.: Integrated Planar L-C-T Component:
Design, Characterization and Experimental Efficiency Analysis. IEEE
[lin01] Linde, D. van der; Boon, C. A. M.; Klaassens, J. B.: Design of a High-Frequency
Planar Power Transformer in Multilayer Technology. IEEE Transactions on
Industrial Electronics Journal, Volume 38, Issue 2, April 1991
[lud01] Ludwig, M.; Duffy, M.; O’Donnell, T.; O’Mathina, C.: Design Study for Ultra-
Flat PCB Intgrated Inductors for Low Power Conversion Applications. Intermag
Conference, Boston, USA, 2003
[mai01] Maiti, C. K.; Bhattacharya, D.; Chakrabarti, N. B.: Thick-Film Ferrimagnetic

Pastes Using Lithium Ferrite. IEEE Transactions on Components, Hybrids and
Manufacturing Technology, Volume 8, Issue 1, March 1985
[max01] Maxwell, J. C.: A Treatise on Electricity and Magnetism - Band 1. Clarendon
Press, Oxford, England, 3. Aufl., 1891
[moo01] Moon, P.; Spencer, D. E.: Field Theory for Engineers. D. van Nostrand Company,
Princeton, New Jersey, USA, 1960
[mro01] Mrozynski, G.: Transientes Feld in einem Mehrwicklungstransformator. Electrical
Engineering, Springer Verlag, Berlin, 1996
[net01] Nethe, A.; Quast, R.; Stahlmann, H.-D.: Randbedingungen für Prozeßmodelle bei
hochfrequenten Wirbelstromproblemen. Electrical Engineering, Springer Verlag,
Berlin, 1997
[neu01] Neubert, T.: Aufbau eines Schaltnetzteils mit passiven integrierten Komponenten
für einen Flachmonitor. Technische Hochschule Aachen, Lehrstuhl für
Stromrichtertechnik, Diplomarbeit, 2004
[nie01] Niegl, M.: Erdungsanlagen in Schichtböden. Electrical Engineering, Springer
Verlag, Berlin, 1998
[pat01] Patz, J.: Mehrfachschirmung für planare passive Bauelemente in der
Leistungselektronik - analytische und numerische Untersuchungen. Universität
Erlangen-Nürnberg, Lehrstuhl für Elektromagnetische Felder, Diplomarbeit, 2006
[pfu01] Pfützner, H.: The Needle Method for Induction Tests: Sources of Error. IEEE
Transactions on Magnetics, Volume 40, Issue 3, May 2004
[pou01] Poulichet, P.; Tassetti, C. M.; Costa, F.; Labouré, E.: Corless Integrated
Transformer Gate Drive Circuit for Power MOSFET/IGBT. EPE PEMC
Conference, Riga, Latvia, 2004
[pop01] Popovic, J.; Ferreira, J. A.; Waffenschmidt, E.: PCB Embedded DC/DC 42V/14V
Converter for Automotive Applications. EPE Conference, Dresden, 2005
[pop02] Popovic, J.; Ferreira, J. A.: Converter Concepts to Increase the Integration Level.
IEEE Transactions on Power Electronics Journal, Volume 20, Issue 3, May 2005
[pre01] Pretscher, G.: Induktivitäten auf integrierten Schaltungen. Beitrag im Seminar
„Entwurf integrierter Schaltungen“, Universität Erlangen-Nürnberg, Lehrstuhl für
Rechnergestützen Schaltungsentwurf, November 2000
[pre02] Pretscher, G.: Untersuchung zur Reduzierung der Leistungsaufnahme von
Taktversorgungen mit integrierten Induktivitäten. Studienarbeit, Universität
Erlangen-Nürnberg, Lehrstuhl für Rechnergestützen Schaltungsentwurf, April
2001
[pri01] Prieto, M. J.; Pernía, A. M.; Lopera, J. M.; Martín, J. A.; Nuno, F.: Design and
Analysis of Thick-Film Integrated Inductors for Power Converters. IEEE
Transactions on Industry Applications, Volume 38, Issue 2, March – April 2002
[pri02] Prieto, M. J.; Lopera, J. M.; Martín, J. A.; Diaz, J.; Pernía, A. M.: Comparison of
Different Technologies to Develop Inductors for Low-Power, Low-Voltage
DC/DC Converter Modules. PESC Conference, Cairns, Australia, 2002
[rau01] Raum, H.: Mitschrift zur Vorlesung „Mathematik für Ingenieure 1 – 4“.
Universität Erlangen-Nürnberg, Lehrstuhl für Angewandte Mathematik 2, 1998 -
2000
[rao01] Rao, Y.; Wong, C. P.; Qu, J.: Self-consistent Model for Dielectric Constant
Prediction of Polymer-ceramic Composite. International Symposium an Advanced
Packaging Materials, Braselton, Georgia, USA, 2000
[schei01] Scheible, J.: Die Lösung des feldtheoretischen Viermedienproblems ebener
Schichten. Archiv für Elektrotechnik, Springer Verlag, Berlin, 1991
[schuh01] Schuh, S.; Albach, M.: EMC Shielding in Power Electronics Multilayers.
Electrical Power Quality and Utilisation Journal, Volume 11, Issue 2, December
2005
[schuh02] Schuh, S.; Albach, M.: Magnetic Field Distribution in Embedded Passive
Integrated Circuits. EPE Conference, Toulouse, France, 2003
[schuh03] Schuh, S.; Albach, M.; Waffenschmidt, E.: A New Characterisation Method for
Ferrite Polymer Compound. PCIM Conference, Nürnberg, Germany, 2004
[schuh04] Schuh, S.; Koch, R.; Albach, M.: A Universal Analytic Model for Planar Coils
with Circular Windings Close to Conductive-Permeable Foils. EPE Conference,
Dresden, Germany, 2005
[schuh05] Schuh, S.; Albach, M.; Koch, R.: Planar Inductive Components in the Vicinity of
Conductive Permeable Material. PCIM Conference, Nürnberg, Germany, 2005
[schuh06] Schuh, S.; Albach, M.: EMC Shielding of Planar Inductive Components in Power
Electronics Multilayers with Conductive Permeable Layers. CPE Conference,
Gdynia, Poland, 2005
[schuh07] Schuh, S.; Albach, M.: EMC Shielding in Power Electronics Multilayers with
Conductive Permeable Material. EMC Conference, Singapore, 2006
[schuh08] Schuh, S.; Albach, M.: EMC Analysis of Planar PCB-Based Coils in the Vicinity
of the Automobile Carriage. EMC Conference, Singapore, 2006
[schuh09] Schuh, S.; Albach M.: Influence of the Device Housing on Integrated Passives of
Power Electronics. PCIM Conference, Nürnberg, Germany, 2006
[schuh10] Schuh, S.; Albach M.: Planar PCB-Based Transformers – Method of Calculation
and Design Study. EPE-PEMC Conference, Riga, Latvia, 2004
[schwa01] Schwab, A. J.: Begriffswelt der Feldtheorie. Springer Verlag, Berlin, 5. Aufl.,
1998
[sev01] Severns, R. P.: Topologies for Three-Element Resonant Converters. IEEE
Transactions on Power Electronics, Volume 7, Issue 1, January 1992
[sim01] Simonyi, K.: Theoretische Elektrotechnik. VEB Deutscher Verlag der

Wissenschaften, Berlin, 1973
[sne01] Snelling, E. C.: Soft Ferrites. Iliffe Books Ltd., London, 1969
[stie01] Stielau, O. H.; Wyk, J. D. van; Ehsani, M.; Pitel, I. J.: Integrated Reactive
Components in Power Electronic Circuits. PESC Conference, 1990
[stry01] Strydom, J. T.; Ferreira, J. A.; Wyk, J. D. van; Hofsajer, I. W.; Waffenschmidt,
E.: Power Electronic Subassemblies with Increased Functionality Based on Planar
Sub-Components. PESC Conference, Galway, Irland, 2000
[tan01] Tang, S. C.; Hui, S. Y. R.; Chung, H.: Coreless Planar Printed-Circuit-Board
(PCB) Transformers – A Fundamental Concept for Signal and Energy Transfer.
IEEE Transactions on Power Electronics, Volume 15, Issue 5, September 2000
[tan02] Tang, S. C.; Hui, S. Y. R.; Chung, H.: A Low-Profile Power Converter using
Printed-Circuit Board (PCB) Power Transformer with Ferrite Polymer Composite.
IEEE Transactions on Power Electronics, Volume 16, Issue 4, July 2001
[tan03] Tang, S. C.; Hui, S. Y. R.; Chung, H.: Evaluation of the Shielding Effects on
Printed-Circuit-Board Transformers Using Ferrite Plates and Copper Sheets. IEEE
Transactions on Power Electronics, Volume 17, Issue 6, November 2002
[unb01] Unbehauen, R.: Grundlagen der Elektrotechnik 1. Springer Verlag, Berlin,
4. Aufl., 1994
[waf01] Waffenschmidt, E.: Systemdesign und Anwendungen von integrierten
Bauelementen. Philips GmbH Forschungslaboratorien, Aachen, 2004
[waf02] Waffenschmidt, E.; Ferreira, J. A.: Embedded Passives Integrated Circuits for
Power Converters. PESC Conference, Cairns, Australia, 2002
[waf03] Waffenschmidt, E.; Ackermann, B.; Langkabel, E.; Wille, M.; Marczinske, H.;
Schuh, S.: Integral Manufacturing of Embedded Passives Integrated Circuits for
Power Electronics. PCIM Conference, Nürnberg, Germany, 2004
[waf04] Waffenschmidt, E.; Ackermann, B.: Power Converter with Printed Circuit Board
Integrated Passive Components. EPE Conference, Toulouse, France, 2003
[waf05] Waffenschmidt, E.: Design and Application of Thin Planar Magnetic Components
for Embedded Passives Integrated Circuits. PESC Conference, Aachen, 2004
[waf06] Waffenschmidt, E.; Ackermann, B.; Ferreira, J. A.: Design Method and Material
Technologies for Passives in Printed Circuit Board Embedded Circuits. IEEE
[waf06] Waffenschmidt, E.: Performance limits of ultra-thin printed circuit board
inductors. PESC Conference, Jeju, Korea, 2006
[wan01] Wang, S.: Modeling and Design of Planar Integrated Magnetic Components.
Virgina Polytechnic Institute and State University, USA, Master Thesis, 2003
[web01] http://www.de.nec.de
[web02] http://www.tum.de
[wee01] Weeks, W. L.: Electromagnetic Theory for Engineering Applications. John Wiley
& Sons Inc., New York, USA, 1964
[wil01] Wilmot, F.; Labouré, E.; Costa, F.; Faucher, S.; Joubert, C.; Forest, F.: Design,
Optimization and Electromagnetic Modeling of Integrated Passive Components
for Power Electronic. PESC Conference, Vancouver, Canada, 2001
[wos01] Woske, M.: Quo vadis „Embeddes Passives“?. D&V Journal, Publish Industry
Verlag, München, Juni 2005
[wyk01] Wyk, J. D. van; Lee, F. C.; Liang, Z.; Chen, R.; Wang, S.; Lu, B.: Integrating
Active Passive and EMI-Filter Functions in Power Electronics Systems - A Case
Study of Some Technologies. IEEE Transactions on Power Electronics, Volume
20, Issue 3, May 2005
[wyk02] Wyk, J. D. van; Ferreira, J. A.: Evaluation and Future Prospects of an Integration
Technology for Hybrid Multikilowatt Power Electronic Converters. EPE
Conference, Trondheim, Norway, 1997
[zhu01] Zhu, N.; Wyk, J. D. van; Wang, F.: Design of Integrated Parallel Resonant
Transformers. PESC Conference, Recife, Brasilia, 2005
[zum01] Zumel, P.; Prieto, R.; Cobos, J. A.; Uceda, J.: Comparative Study of Flex-Foil
Technology in HF Planar Transformer Windings. PESC Conference, Cairns,
Australia, 2002
Verzeichnis der verwendeten Symbole

und Abkürzungen
Die Koordinatenbezeichnungen werden steil gesetzt.

r
Vektoren werden durch Fettdruck und mit Pfeil gekennzeichnet, z.B. s .
v
Ihr Betrag (Länge) wird in der Form s = s geschrieben.
Formelzeichen
Zeitgrößen a , a (t )
r
Zeigergrößen iˆ , A
Zeitunabhängige Größen A
r r
Vektoren A, n
Realteil Re{A}
Imaginärteil Im{A}
Imaginäre Einheit j
Naturkonstanten
μ0 = 4π ⋅10−7 Vs A −1m −1 Permeabilitätskonstante
e = 2,71828 K Eulersche Konstante
ε 0 = 8,854 ⋅ 10 −12 A s V −1 m −1 Dielektrizitätskonstante im Vakuum
Funktionen
J n (x ) Gewöhnliche Bessel-Funktion erster Art und n-ter Ordnung
Yn (x ) Gewöhnliche Bessel-Funktion zweiter Art und n-ter Ordnung
H n (x ) Struve-Funktion n -ter Ordnung
Γ (x ) Gammafunktion
E (k ) Vollständiges elliptisches Integral erster Art
K (k ) Vollständiges elliptisches Integral zweiter Art
162 Verzeichnis der verwendeten Symbole und Abkürzungen
Symbole
r
A [Vsm ] −1
Vektor des magnetischen Vektorpotentials
A [Vsm ] −1
Betrag des magnetischen Vektorpotentials
~
A, A, A [m ]
2
Fläche
A unbekannte Konstante
a [m] Radius
a1 [m] Innenradius
a2 [m] Außenradius
Δa [m] Abstand der Windungen
att [dB] Dämpfung
[Vsm ]
r −2
B Vektor der magnetischen Flussdichte
B [Vsm ] −2
Betrag der magnetischen Flussdichte
B unbekannte Konstante
b [m] Breite der Leiterbahn, Abstand
C [F = AsV ] -1
Kapazität
C unbekannte Konstante
C [Fm ] −2
Flächenkapazität
[Asm ]
r −2
D Vektor der elektrischen Flussdichte
D Diode, unbekannte Konstante
d [m] Dicke
[Vm ]
r −1
E Vektor der elektrischen Feldstärke
E [Vm ] −1
Betrag der elektrischen Feldstärke
r r r
ex , ey , ez Einheitsvektoren im kartesischen Koordinatensystem
r r r
eρ , eφ , ez Einheitsvektoren im Zylinderkoordinatensystem
f [Hz = s ] −1
Frequenz
f unbekannte Funktion
g [m] Radius
[Am ]
r −1
H Vektor der magnetischen Feldstärke
H [Am ] −1
Betrag der magnetischen Feldstärke
I [A] erregender Strom
i Anzahl der Windungen einer Spule

[Am ]
r −2
J Vektor der Stromdichte
[Am ]
r −1
K Vektor eines Flächenstroms bzw. eines Strombelags
k Anzahl der Windungen einer Spule
l [m] Länge
L [H = VsA −1
] Induktivität
LLS [H = VsA −1
] Induktivität einer Luftspule
ΔL [H = VsA −1
] Änderung der Induktivität
Lik [H = VsA −1
] Induktivität zwischen dem i -ten und k -ten Leiter
M [Am ] 2
Dipolmoment
N Windungsanzahl
r
n Normalenvektor der Länge 1
p Separationskonstante, Eigenwert
r
r [m] Ortsvektor
r [m] Radius
R [Ω = VA ] −1
Widerstand
R [Ω ] −1
Flächenwiderstand
T Transistor
t [s] Zeit
U [V] Spannung
u unbekannte Funktion
V [m ]
3
Volumen
v unbekannte Funktion
X Funktionenraum
x Nullstelle einer Funktion
α [m ]
−1
Skinkonstante
γ Basisfunktion
Δ Laplace Operator
δ [m] Eindringtiefe
ε = ε 0ε r [AsV −1
m −1 ] Dielektrizitätskonstante
εr relative Dielektrizitätszahl
164 Verzeichnis der verwendeten Symbole und Abkürzungen
Ω Bereich
∂Ω Rand des Bereichs Ω
ΔΩ Teilbereich von Ω
κ [AV −1
m −1 ] elektrische Leitfähigkeit
ϕe [V] elektrostatisches Potential
μ = μ0 μr [VsA −1
m −1 ] Permeabilität
μr relative Permeabilitätszahl
ω [s ]
−1
Kreisfrequenz
ϑ Winkel
Ψm [Vs] magnetischer Fluss
Abkürzungen
Abb. Abbildung
Cu Kupfer
emPIC embedded passive integrated circuit
EMV Elektromagnetische Verträglichkeit
FEM Finite Elemente Methode
FPC ferrite polymer compound
FR4 Leiterplatten Basismaterial
Gl. Gleichung
Gln. Gleichungen
Mu Mu-Metall
PCB printed circuit board
RWP Randwertproblem
SMD surface-mounted device
SMT surface-mounting technolgy
Anhang A – Methode der Spiegelströme

r r
In Kapitel 5.3.1 wird die Bestimmung des magnetischen Vektorpotentials A(r , t ) durch
Lösung mithilfe der Methode der Spiegelströme erläutert. Dabei werden nicht alle
Herleitungen oder Zwischenschritte im Detail erklärt. Sie werden aber zum Teil in diesem
Kapitel ausgeführt.
A.1 Überprüfung der Randbedingungen bei Linienströmen

Zur Überprüfung der Ergebnisse werden die Randbedingungen in den Trennebenen z = b2
und z = b2 + d 2 mit den Ersatzströmen kontrolliert. Dazu werden die in den Gln. (5.68),
(5.70), (5.71), (5.73) und (5.74) ermittelten Ströme in die Formel für das magnetische Feld
eines unendlich langen Linienleiters
r r r μI
B = e ϑ B ( r ) = eϑ 0 (A1.1)
2π r
mit den Zählrichtungen für x > 0 nach Abb. A1.1 eingesetzt.
−I
r2
ϑ2
P
μ0
μ0
μ0
r1
ϑ1
Abbildung A1.1: Zählrichtungen für zwei Linienströme in einem kartesischen System

166 Anhang A – Methode der Spiegelströme
Kontrolle der Randbedingungen in der Ebene z = b2+d2 mit den Gln. (5.37) und (5.39):
Berechnung von H x (z = b2 + d 2 + 0) mit den Gln. (A1.1) und (5.68):
μ0 (1 − η 2 )I ∞ η 2 k r r
H x (z = b2 + d 2 + 0) = ∑ e x eϑ
2πμ0 k = 0 rk k
(1 − η )I2 ∞
η 2k
=
2π
∑
k =0 rk
cos ϑk (A1.2)
(1 − η )I
2 ∞
b2 + d 2 + 2kd 2
= ∑η (b 2k
2 + d 2 + 2kd 2 ) + x
2π k =0
2 2
Berechnung von Bz (z = b2 + d 2 + 0) mit den Gln. (A1.1) und (5.68):
μ0 (1 − η 2 )I ∞ η 2 k r r
Bz (z = b2 + d 2 + 0) =
2π
∑k = 0 rk
e z eϑ k
μ0 (1 − η 2 )I ∞ η 2 k
=−
2π
∑k = 0 rk
sin ϑk (A1.3)
μ0 (1 − η 2 ) I ∞ 2 k x
=−
2π
∑k =0
η
(b2 + d 2 + 2kd 2 )2 + x 2
Berechnung von H x (z = b2 + d 2 − 0) mit den Gln. (A1.1), (5.70) und (5.71):
μ0 (1 + η ) I ∞ η 2 k r r μ0 (1 + η ) I ∞ η 2 k +1 r r
H x (z = b2 + d 2 − 0) = ∑ xϑ
2πμ2 k = 0 r1k
e e + 1k ∑
2πμ2 k = 0 r2 k
e x eϑ 2k
μ0 (1 + η ) I ∞ ⎛ η 2 k η 2 k +1 ⎞
= ∑ ⎜
⎜
2πμ2 k = 0 ⎝ r1k
cos ϑ1k + cos ϑ2 k ⎟⎟ (A1.4)
r2 k ⎠
μ0 (1 + η )2 I ∞ 2 k b2 + d 2 + 2kd 2
=
2πμ2
∑k =0
η
(b2 + d 2 + 2kd 2 )2 + x 2
Berechnung von Bz (z = b2 + d 2 − 0) mit den Gln. (A1.1), (5.70) und (5.71):
μ0 (1 + η ) I ∞ η 2 k r r μ0 (1 + η ) I ∞ η 2 k +1 r r
Bz (z = b2 + d 2 − 0) =
2π
∑k = 0 r1k
e z eϑ +
2π
1k ∑k = 0 r2 k
e z eϑ 2k
μ0 (1 + η ) I ∞ ⎛ η 2 k η 2 k +1 ⎞
=
2π
∑ ⎜
⎜ − sin ϑ1k + sin ϑ2 k ⎟⎟ (A1.5)
k =0 ⎝ r1k r2 k ⎠
μ0 (1 + η ) I ∞ 2 k x
=− ∑ η (1 − η )
2π k =0 (b2 + d 2 + 2kd 2 )2 + x 2
Sowohl die Gln. (A1.2) und (A1.4), als auch die Gln. (A1.3) und (A1.5) stimmen überein,
sodass die Randbedingungen in der Ebene z = b2 + d 2 für das magnetische Feld eines
unendlich langen Linienleiters erfüllt sind.
Kontrolle der Randbedingungen in der Ebene z = b2 mit den Gln. (5.36) und (5.38):
Berechnung von H x (z = b2 + 0) mit den Gln. (A1.1), (5.70) und (5.71):
( A1.4)
μ0 (1 + η ) I ∞ ⎛ η 2 k η 2 k +1 ⎞
H x (z = b2 + 0) = ∑ ⎜
⎜
2πμ2 k = 0 ⎝ r1k
cos ϑ1k + cos ϑ2 k ⎟⎟
r2 k ⎠
μ0 (1 + η ) I ∞ ⎛ 2 k b2 + 2kd 2 b2 + 2d 2 + 2kd 2 ⎞
= ∑
2πμ2 k = 0 ⎝
⎜η
⎜ (b2 + 2kd 2 ) + x
2 2
+ η 2 k +1
(b2 + 2d 2 + 2kd 2 ) + x ⎠
2
⎟
2 ⎟
(A1.6)
μ0 I ⎡ ⎛ ∞ ⎞ ⎤
= (1 + η ) ⎢(1 + η )⎜⎜ ∑η 2k −1 b2 + 2kd2 2 2 ⎟⎟ + 2 b2 2 ⎥
2πμ2 ⎢⎣ ⎝ k =1 (b2 + 2kd 2 ) + x ⎠ b2 + x ⎥⎦
Berechnung von Bz (z = b2 + 0) mit den Gln. (A1.1), (5.70) und (5.71):
( A1.5)
μ0 (1 + η ) I ∞ ⎛ η 2 k η 2 k +1 ⎞
Bz (z = b2 + 0) =
2π
∑ ⎜⎜ −
k =0 ⎝
sin ϑ1k + sin ϑ2 k ⎟⎟
r1k r2 k ⎠
μ0 (1 + η ) I ∞ ⎛⎜ 2 k x x ⎞
=
2π
∑ ⎜
k =0 ⎝
− η
(b2 + 2kd 2 ) + x 2
2
+ η 2 k +1
⎟
(b2 + 2d 2 + 2kd 2 ) + x 2 ⎟⎠
2
(A1.7)
μ0 I ⎡ 2 ⎛ ⎞ x ⎤
⎢(1 − η )⎜⎜ ∑η
∞
x
= 2 k −1
⎟ − (1 + η ) ⎥
2π ⎣⎢ ⎝ k =1 (b2 + 2kd 2 )2 + x 2 ⎟⎠ 2
b2 + x 2 ⎦⎥
Berechnung von H x (z = b2 − 0) mit den Gln. (A1.1), (5.73) und (5.74):
μ0 I 1 r r μI η 2 k −1 r r μI 1 rr
ex eϑ + 0 (1 − η 2 )∑
∞
H x (z = b2 − 0) = e x eϑ − 0 η e x eϑ
2πμ0 r1 2πμ0 1
k =1 r2 k 2πμ0 r20 2k 20
I ⎡1 ⎤
)∑ ηr η
2 k −1
(
∞
= ⎢ cos ϑ1 + 1 − η cos ϑ2 k − cos ϑ20 ⎥
2
(A1.8)
2π ⎣ r1 k =1 2k r20 ⎦
⎡ b2 ⎤
( )⎛⎜⎜ ∑η b2 + 2kd 2 ⎞
∞
=
I
⎢ 1 −η
2 2 k −1
⎟ + (1 − η ) ⎥
2π ⎢⎣ ⎝ k =1 (b2 + 2kd 2 ) + x 2 ⎟⎠
2 2
b2 + x 2 ⎥⎦
Berechnung von Bz (z = b2 − 0) mit den Gln. (A1.1), (5.73) und (5.74):
μ0 I 1 r r μ0 I 2 η 2 k −1 r r μI 1 rr
(
η − 1)∑
∞
Bz (z = b2 − 0) = e z eϑ − e z eϑ − 0 η e z eϑ
2π r1 2π 1
k =1 r2 k 2π r20 2k 20
μ0 I ⎡ 1 ⎤
)∑ ηr η
2 k −1
(
∞
= ⎢− sin ϑ1 + 1 − η sin ϑ2 k − sin ϑ20 ⎥
2
(A1.9)
2π ⎣ 1
r k =1 2k r20 ⎦
⎡ ⎞ x ⎤
μ0 I
( )⎛⎜⎜ ∑η
∞
x
= ⎢ 1 −η
2 2 k −1
⎟ − (1 + η ) 2
2 ⎟ ⎥
2π ⎢⎣ ⎝ k =1 (b2 + 2kd 2 ) + x ⎠
2
b2 + x 2 ⎥⎦
sodass die Randbedingungen in der Ebene z = b2 für das magnetische Feld eines unendlich
langen Linienleiters erfüllt sind.
A.2 Überprüfung der Randbedingungen bei Dipolerregung

Zur Überprüfung, ob die Übertragung der Ergebnisse der Linienströme auf einen Dipol
zulässig ist, werden die in den Trennebenen z = b2 und z = b2 + d 2 zu erfüllenden
Randbedingungen mit den angenommen Spiegelanordnungen kontrolliert.
Für einen Dipol im Koordinatenursprung mit dem Moment M z gilt für die Normal- bzw. die
Tangentialkomponente des magnetischen Feldes
M z μ0
Bz =
4π r 5
(
2z 2 − ρ 2 ) (A2.1)
3M z μ0
Bρ = ρz (A2.2)
4π r 5
mit
ρ = x 2 + y2 und r = z 2 + ρ2 . (A2.3)
Kontrolle der Randbedingungen in der Ebene z = b2+d2 mit den Gln. (5.37) und (5.39):
Berechnung von H ρ (z = b2 + d 2 + 0) mit Gl. (A2.2) und Abb. 5.19:
(
3M z μ 0 1 − η 2 ) ∞
η 2k
H ρ (z = b2 + d 2 + 0) =
4πμ0
∑r
k =0
5
zkρ
k
(
3M z 1 − η 2 ) ∞
(b2 + d 2 + 2kd 2 )ρ (A2.3)
=
4π
∑η 2k ⎡
5
k =0
⎢⎣
(b2 + d 2 + 2kd 2 )2 + ρ2 ⎤⎥
⎦
Berechnung von Bz (z = b2 + d 2 + 0) mit Gl. (A2.1) und Abb. 5.19:
μ0 M z (1 − η 2 ) ∞ η 2 k
Bz (z = b2 + d 2 + 0) =
4π
∑ 5
2
2z k − ρ 2( )
k = 0 rk
μ0 M z (1 − η 2 ) ∞ 2 k 2(b2 + d 2 + 2kd 2 )2 − ρ2 (A2.4)

=
4π
∑
k =0
η
⎡ (b + d + 2kd )2 + ρ2 ⎤
5
⎢ 2 2
⎣ 2 ⎥ ⎦
Berechnung von H ρ (z = b2 + d 2 − 0) mit Gl. (A2.2) und Abb. 5.20:
3M z μ0 (1 + η ) ∞ η 2 k 3M z μ0 (1 + η ) ∞ η 2 k +1
H ρ (z = b2 + d 2 − 0) =
4πμ2
∑
k =0 r1k
z
5 1k
ρ +
4πμ2
∑
k =0 r2 k
5
z 2k ρ
3M z μ0 (1 + η )
2 ∞
(b2 + d 2 + 2kd 2 )ρ (A2.5)
=
4πμ2
∑η 2 k 5
k =0 ⎡ (b2 + d 2 + 2kd 2 )2 + ρ2 ⎤⎥
⎢⎣ ⎦
Berechnung von Bz (z = b2 + d 2 − 0) mit Gl. (A2.1) und Abb. 5.20:
Bz (z = b2 + d 2 − 0) =
μ0 M z (1 + η ) ⎡ ∞ η 2 k
4π
( ∞
)
η 2 k +1
⎢∑ 5 2z1k − ρ − ∑ 5 2z 2 k − ρ
2 2 2 2
( )⎤⎥
⎢⎣ k = 0 r1k k = 0 r2 k ⎥⎦
μ M (1 − η 2 ) ∞ 2 k 2(b2 + d 2 + 2kd 2 )2 − ρ2
(A2.6)
= 0 z
4π
∑
k =0
η
⎡ (b + d + 2kd )2 + ρ2 ⎤
5
⎢ 2 2
⎣
2 ⎥ ⎦
sodass die Randbedingungen in der Ebene z = b2 + d 2 für das magnetische Feld eines z -
gerichteten Dipols erfüllt sind.
Kontrolle der Randbedingungen in der Ebene z = b2 mit den Gln. (5.36) und (5.38):
Berechnung von H ρ (z = b2 + 0) mit Gl. (A2.2) und Abb. 5.20:
⎡
3M z μ0 (1 + η ) ∞ ⎢ 2 k
(A2.3)
(b2 + 2kd2 )ρ
H ρ (z = b2 + 0) =
4πμ2
∑ ⎢η
k =0 ⎢ ⎡ (b + 2kd )2 + ρ2 ⎤
5
+
⎣ ⎢⎣ 2 2 ⎥⎦
⎤
+ η 2 k +1
(b2 + 2d 2 + 2kd 2 )ρ ⎥
5⎥
⎡ (b2 + 2d 2 + 2kd 2 )2 + ρ2 ⎤⎥ ⎥
⎢⎣ ⎦ ⎦
⎡ ⎤
3M z μ0 (1 + η ) ⎢ ∞ 2 k −1 (b2 + 2kd 2 )ρ ⎥ 3M z μ0 (1 + η )
2
b2 ρ
= ⎢∑η 5⎥
+
4πμ2 ⎢ k =1 ⎡ (b + 2kd )2 + ρ2 ⎤ ⎥ 4πμ2 ⎡ b 2 + ρ2 ⎤
5
⎣ ⎢⎣ 2 2 ⎥⎦ ⎦ ⎢⎣ 2 ⎥⎦
(A2.7)
Berechnung von Bz (z = b2 + 0) mit Gl. (A2.1) und Abb. 5.20:
⎡
μ M (1 + η ) ∞ ⎢ 2 k 2(b2 + 2kd 2 )2 − ρ2
(A2.6)
Bz (z = b2 + 0) = 0 z
4π
∑ ⎢η
k =0 ⎢ ⎡ (b + 2kd )2 + ρ2 ⎤
5
⎢ 2 2
⎣ ⎣ ⎥ ⎦
⎤
− η 2 k +1
2(b2 + 2 d 2 + 2 kd 2 )2
− ρ 2
⎥
5⎥
⎡ (b + 2d + 2kd )2 + ρ2 ⎤ ⎥
⎢⎣ 2 2 2 ⎥⎦ ⎦
⎡ ⎤
( )
μ0 M z 1 − η 2 ⎢ ∞ 2 k −1 2(b2 + 2kd 2 )2 − ρ2 ⎥ μ0 M z (1 + η ) 2b2 2 − ρ2
=− ⎢∑η 5 ⎥
+
4π ⎢ k =1 ⎡ (b + 2kd )2 + ρ2 ⎤ ⎥ 4π ⎡ b 2 + ρ2 ⎤
5
⎣ ⎢⎣ 2 2 ⎥⎦ ⎦ ⎢⎣ 2 ⎥⎦
(A2.8)
Berechnung von H ρ (z = b2 − 0) mit Gl. (A2.2) und Abb. 5.21:
(
3M z μ0 z1ρ1 3M z μ0 η 2 − 1 ) ∞
η 2 k −1 3M z μ0η z 20ρ
H ρ (z = b2 − 0) =
4πμ0 r1 5
−
4πμ0
∑
k =1 r2 k
5
z2k ρ −
4πμ0 r205
⎡ ⎤
=
3M z ⎢ b2 ρ
(
∞
)
− η 2 − 1 ∑η 2 k −1
( b2 + 2 kd 2 ) ρ
−η
b2 ρ ⎥
⎢ 5⎥
4π ⎢ ⎡ b2 2 + ρ2 ⎤
5
k =1 ⎡ (b + 2kd )2 + ρ 2 ⎤
5
⎡ b 2 + ρ2 ⎤ ⎥
⎣ ⎢
⎣ ⎥
⎦ ⎢
⎣ 2 2 ⎥
⎦ ⎢⎣ 2 ⎥⎦ ⎦
⎡ ⎤
( )
3M z 1 − η 2 ⎢ ∞ 2 k −1 (b2 + 2kd 2 )ρ ⎥ 3M z (1 − η ) b2 ρ
= ⎢∑η 5⎥
+
4π ⎢ k =1 ⎡ (b + 2kd )2 + ρ2 ⎤ ⎥ 4π ⎡ b 2 + ρ2 ⎤
5
⎣ ⎢⎣ 2 2 ⎥⎦ ⎦ ⎢⎣ 2 ⎥⎦
(A2.9)
Berechnung von Bz (z = b2 − 0) mit Gl. (A2.1) Abb. 5.21:
μ0 M z ⎡ (2z12 − ρ12 )
(
2z 20 − ρ2 ⎤
) ( )
2
η 2 k −1
+ (η − 1)∑ 5 2z 2 k − ρ + η
∞
2
Bz (z = b2 − 0) = ⎢
2 2
⎥
4π ⎣⎢ r1 5 k =1 r2 k r205 ⎦⎥
⎡ ⎤
μ M ⎢ 2b2 2 − ρ2 2(b2 + 2kd 2 ) − ρ2 2b2 − ρ2 ⎥
2 2
( )
∞
= 0 z⎢
4π ⎢ ⎡ 2 5
+ η 2
− 1 ∑ η 2 k −1
5
+ η 5⎥
b2 + ρ2 ⎤ k =1 ⎡ (b + 2kd )2 + ρ2 ⎤ ⎡ b 2 + ρ2 ⎤ ⎥
⎢ ⎣⎣ ⎥ ⎦ ⎢ 2 ⎣ 2 ⎥ ⎢ 2 ⎥ ⎦ ⎣ ⎦ ⎦
⎡ ⎤
μ M (1 − η 2 ) ⎢ ∞ 2 k −1 2(b2 + 2kd 2 )2 − ρ2 ⎥ μ0 M z (1 + η ) 2b2 2 − ρ2
=− 0 z ⎢∑η 5⎥
+
4π ⎡ 2⎤ ⎥ 4π ⎡ 2 2⎤
5
⎢ k =1
⎢⎣
(b2 + 2kd 2 )
2
+ρ
⎥⎦ ⎦ ⎢⎣
b2 + ρ
⎥⎦
⎣
(A2.10)
sodass die Randbedingungen in der Ebene z = b2 für das magnetische Feld eines z -
gerichteten Dipols erfüllt sind.
A.3 Vektorpotentiale für kreisförmige Leiterschleifen

Für eine kreisförmige Leiterschleife mit dem Radius r1 , die vom Strom iˆ durchflossen wird,
werden mit den Spiegelgesetzen aus Kapitel 5.3.1.8 und den Formeln für eine kreisförmige
Leiterschleife aus Kapitel 5.3.1.10 die folgenden Vektorpotentiale angegeben.
Für eine Anordnung mit einer permeablen Platte der Dicke d 2 und der Permeabilität μ 2 an
der Stelle z = b2 ergeben sich die folgenden Vektorpotentiale:
r
A(x, y, z ) =
μ0 iˆ 1 − η 2 ( ) r1
(− yer r ∞ η 2k
+ xe y )∑
⎡⎛ qk 2 ⎞
⎢⎜⎜1 −
⎤
⎟K (qk ) − E(qk )⎥ (A3.1)
2 ⎟⎠
x
π x 2 + y2 x 2 + y2 k = 0 qk ⎣⎢⎝ ⎦⎥
mit
2 4r1 x 2 + y 2
qk =
(r + ) + (z + 2kd )
2
(A3.2)
2
1 x 2 + y2 2
⎡ ⎡⎛ q 2 ⎞ ⎤
r μ iˆ (1 + η ) r ∞ η 2k
A(x, y, z ) = 0
r1
(− yex + xey )∑ ⎢
r
( ) ( )⎥
⎢⎜1 − 1k ⎟K q1 − E q1
2 ⎟
π x 2 + y2 x 2 + y2 k = 0 ⎢ q1k ⎢⎜ k k
⎥
⎣ ⎣⎝ ⎠ ⎦
η 2 k +1 ⎡⎢⎛⎜ q2 k ⎞⎟
2
⎤⎤
− 1−
2 ⎟
( ) ( )⎥ ⎥⎥
K q2 k − E q2 k
q2 k ⎢⎜ ⎥
⎣⎝ ⎠ ⎦⎦
(A3.3)
mit
2 4r1 x 2 + y 2
q1k =
(r + + y ) + (z + 2kd )
2
(A3.4)
2 2 2
1 x 2
2 4r1 x 2 + y 2
q2 k =
(r + ) + (z − 2(b + d ) − 2kd )
2
(A3.5)
2
1 x 2 + y2 2 2 2
r μ0 iˆ r ⎡ 1 ⎡⎛ q12 ⎞ ⎤
A(x, y, z ) =
r1
(− yex + xey )⎢ ⎢⎜⎜1 −
r
⎟K (q1 ) − E(q1 )⎥ +
π x 2 + y2 x 2 + y2 ⎣⎢ q1 ⎣⎢⎝ 2 ⎟⎠ ⎦⎥
η ⎡⎛⎜ 2
⎞ ⎤ ∞ η 2 k −1 ⎡⎢⎛⎜ q3k
2
⎞ ⎤⎤
q
⎢⎜1 − 2 ⎟K (q2 ) − E(q2 )⎥ + ∑ η 2 − 1
⎟ (
q3k ⎢⎜
1− ) ⎟
( ) ( )
⎟K q − E q
3k 3k
⎥⎥
q2 ⎣⎢⎝ 2 ⎠ ⎦⎥ k =1 2 ⎥⎥
⎣⎝ ⎠ ⎦⎦
(A3.6)
mit
2 4r1 x 2 + y 2
q =
(r + ) +z
1 2
(A3.7)
1 x 2 + y2 2
2 4r1 x 2 + y 2
q2 =
(r + ) + (z − 2b )
2
(A3.8)
2
1 x 2 + y2 2
2 4r1 x 2 + y 2
q3 k =
(r + ) + (z − 2b − 2kd )
2
(A3.9)
2
1 x 2 + y2 2 2
Für eine Anordnung mit zwei permeablen Platten der Dicke d 2 = d5 und den Permeabilitäten
μ 2 = μ5 an der Stelle z = b2 und z = −b5 mit b2 = − b5 ergeben sich die folgenden
Vektorpotentiale. Entsprechend dem Vorgehen in Kapitel 5.1.3.10 werden nur die Formeln
für die obere Hälfte dargestellt.
r
A(x, y, z ) =
μ0 iˆ 1 − η 2 ( ) r1
(− yer r ⎡∞ k l
+ xe y )⎢∑∑ ∑
k!
(− 1)mη (k + l − m )
⎣ k = 0 l = 0 m = 0 (k − l )! (l − m )! m!
x
π x 2 + y2 x 2 + y2
1 ⎡⎛⎜ qk ,l , m ⎞⎟
2
⎤⎤
⎢ 1− K (qk ,l , m ) − E(qk ,l , m )⎥ ⎥
qk ,l , m ⎢⎜ 2 ⎟ ⎥⎥
⎣⎝ ⎠ ⎦⎦
(A3.10)
mit
2 4r1 x 2 + y 2
qk , l , m =
(r + ) + (z + 2b (k − l ) + 2d (l − m) + 2(b + d )m)
2
(A3.11)
2
1 x +y
2 2
2 2 2 2
r μ iˆ (1 + η ) r ⎡∞ k l
A(x, y, z ) = 0
r1
(− yer + xe y )⎢∑∑ ∑
k!
(− 1)mη (k + l − m )
⎣ k = 0 l = 0 m = 0 (k − l )! (l − m )! m!
x
π x 2 + y2 x 2 + y2
⎛ ⎡⎛ q 2 ⎞ ⎤
⎜ 1
⎜q
⎢⎜1 − 1k ,l ,m ⎟K q1
⎢⎜ 2 ⎟
(
− E q1k ,l ,m ) ( ) ⎥−
⎥
⎜ 1k , l , m
k ,l , m
⎝ ⎣⎝ ⎠ ⎦
⎡ ⎤⎤
η ⎢⎛⎜ q2 ⎞
2
⎜
1−
q2 k ,l ,m ⎢
k ,l , m
2
⎟K q
⎟
( ) (
2 k , l , m − E q 2 k ,l , m ) ⎥⎥
⎥⎥
⎣⎝ ⎠ ⎦⎦
(A3.12)
mit
2 4r1 x 2 + y 2
q1k ,l ,m =
(r + ) + (z + 2b (k − l ) + 2d (l − m) + 2(b + d )m)
2
(A3.13)
2
1 x 2 + y2 2 2 2 2
2 4r1 x 2 + y 2
q 2 k ,l , m =
(r +
1 x 2 + y2 ) + (z − 2(b + d ) − 2b (k − l ) − 2d (l − m) − 2(b + d )m)
2
2 2 2 2 2 2
2
(A3.14)
r μ0 iˆ r ⎡∞ k l
A(x, y, z ) =
r1
(− yer + xe y )⎢∑∑ ∑
k!
(− 1)mη (k + l − m )
⎣ k = 0 l = 0 m = 0 (k − l )! (l − m )! m!
x
π x 2 + y2 x 2 + y2
⎛ ⎡⎛ q 2 ⎞ ⎤
⎜ 1
⎜q
⎢⎜1 − 1k ,l ,m ⎟K q1
⎢⎜ 2 ⎟
(
− E q1k ,l ,m ) ( )⎥⎥ −
⎜ 1k , l , m
k ,l , m
⎝ ⎣⎝ ⎠ ⎦
⎡ ⎤
η 2 ⎢⎛⎜ q2 ⎞
2
⎜
1−
q2 k , l , m ⎢
k ,l , m
2
⎟K q
⎟
( ) (
2 k , l , m − E q 2 k ,l , m )⎥⎥ +
⎣⎝ ⎠ ⎦
⎡ ⎤
η ⎢⎛⎜ q3 ⎞
2
⎜
1−
q3k ,l ,m ⎢
k ,l , m
2
⎟K q
⎟
( ) (
3 k ,l ,m − E q3 k ,l ,m )
⎥−
⎥
⎣⎝ ⎠ ⎦
⎡ ⎤⎞
η ⎢⎛⎜ q4 ⎞
2
1−
q4 k ,l ,m ⎢⎜
k ,l , m
2
⎟K q
⎟
( ) (
4 k , l , m − E q 4 k ,l , m )
⎥⎟
⎥ ⎟⎟
⎣⎝ ⎠ ⎦⎠
(A3.15)
mit
2 4r1 x 2 + y 2
q1k ,l ,m =
(r + ) + (z + 2b (k − l ) + 2d (l − m) + 2(b + d )m)
2
(A3.16)
2
1 x 2 + y2 2 2 2 2
2 4r1 x 2 + y 2
q 2 k ,l , m =
(r + ) + (z + 2d
2
(A3.17)
2 + 2b2 (k − l ) + 2d 2 (l − m ) + 2(b2 + d 2 )m )
2
1 x 2 + y2
2 4r1 x 2 + y 2
q3 k ,l ,m =
(r + ) + (z − 2b − 2b (k − l ) − 2d (l − m) − 2(b + d )m)
2
(A3.18)
2
1 x 2 + y2 2 2 2 2 2
2 4r1 x 2 + y 2
q 4 k ,l , m =
(r +
1 x 2 + y2 ) + (z − 2(b + d ) − 2b (k − l ) − 2d (l − m) − 2(b + d )m)
2
2 2 2 2 2 2
2
(A3.19)
Anhang B – Randwertproblem
r r
In Kapitel 5.3.2 wird die Bestimmung des magnetischen Vektorpotentials A(r , t ) durch
Lösung eines Randwertproblems erläutert. Dabei werden nicht alle Herleitungen oder
Zwischenschritte im Detail erklärt. Sie werden aber zum Teil in diesem Kapitel ausgeführt.
B.1 Skin- und Laplace-Gleichung – Herleitung

Die vier Maxwell Gleichungen lassen sich für nichtstationäre Felder in der folgenden Form
darstellen:
r r
r r ∂B(r , t )
rot E(r , t ) = − Induktionsgesetz (B1.1)
∂t
r r
r r r r ∂D(r , t )
rot H (r , t ) = J (r , t ) + Durchflutungsgesetz (B1.2)
∂t
r r
div D(r , t ) = ρ (B1.3)
r r
div B(r , t ) = 0 (B1.4)
Ergänzt werden diese Formeln durch die Materialgleichungen für isotrope Stoffe, bei denen
r
die Materialgrößen ε , μ und κ allgemein skalare Funktionen des Ortes r und der
Feldgrößen sind
r r r r r r r r rr r r
D(r, t ) = ε E(r , t ) B(r, t ) = μ H(r, t ) J (r, t ) = κ E(r, t ) . (B1.5)
r r
Aus der Gl. (B1.4) folgt dier Quellenfreiheit der magnetischen Induktion B(r, t ) . Zur
r
Beschreibung wird die Größe A(r, t ) eingeführt, für die
r r r r
div B(r , t ) = div rot A(r , t ) = 0 (B1.6)
r r
gilt. Daraus folgt die implizite Definition für das magnetische Vektorpotential A(r, t )
r r r r
B(r, t ) = rot A(r, t ) . (B1.7)
r r
Die Divergenz vonr A(r, t ) wird erst zu einem späteren Zeitpunkt festgelegt. Das magnetische
r
Vektorpotential A(r, t ) wird nun in Gl. (B1.1) eingesetzt, um eine Beschreibung des
elektrischen Feldes zu erhalten
r r r r
r r ∂B(r , t ) ∂ r r ⎛ ∂A(r , t ) ⎞
rot E(r , t ) = − = − rot A (r , t ) = rot ⎜⎜ − ⎟ . (B1.8)
∂t ∂t ⎝ ∂t ⎟⎠
176 Anhang B – Randwertproblem
Mittels einer einfachen Umformung

r r r r
⎛r r ∂A(r , t ) ⎞ r r r ∂A(r , t ) r
rot ⎜⎜ E(r , t ) + ⎟=0
⎟ mit E(r , t ) + = −gradϕ (r , t ) (B1.9)
⎝ ∂t ⎠ ∂t
ergibt sich schließlich die folgende Bestimmungsgleichung für das elektrische Feld
r r
r r ∂A(r , t ) r
E(r , t ) = − − gradϕ (r , t ) . (B1.10)
∂t
r
ϕ (r , t ) wird als skalares elektrisches Potential bezeichnet. In einem weiteren Schritt werden
die noch verbleibenden Maxwell Gleichungen, (B1.2) und (B1.4) in Abhängigkeit der
Potentiale dargestellt. Dazu werden die Gln. (B1.7) und (B1.10) in Gl. (B1.2)
r r r r r
r r ∂A(r , t ) ∂ 2 A(r , t ) ⎛ r ∂ϕ (r , t ) ⎞
rot rot A(r , t ) + κμ + με = −grad⎜ κμϕ (r , t ) + με ⎟ (B1.11)
∂t ∂t 2 ⎝ ∂t ⎠
und in Gl. (B1.4)

r r
⎛ ∂A(r , t ) ⎞ r
div⎜⎜ ⎟ = − Δϕ (r , t ) (B1.12)
⎟
⎝ ∂t ⎠
eingesetzt. Die daraus folgenden Formeln sind neben den eingeführten Potentialen nur noch
von den Materialgrößen
r r abhängig. Durch Einführung des elektromagnetischen
r
Vektorpotentials A(r, t ) und des elektrodynamischen Skalarpotentials ϕ (r , t ) wurden die vier
differentiellen Maxwell Gleichungen in zwei gekoppelte, partielle Differentialgleichungen
zweiter Ordnung zusammengeführt.
Im Allgemeinen wird ein Vektorfeld vollständig bestimmt, wenn seine Wirbel, seine Quellen
und die Bedingungen am Rand bekannt sind. Für das magnetische Vektorpotential wurde in
Gl. (B1.7) bisher nur eine Aussage über die Wirbel des Feldes getroffen. Die Quellen sind
daher noch unbestimmt und müssen noch festgelegt werden. Um Skineffekte behandeln zu
können, wird die Coulomb-Eichung für die Festlegung der Quellen verwendet. Eine
detaillierte Herleitung und Beschreibung der Coulomb-Eichung ist in [alb03] zu finden.
Aus der Coulomb-Eichung
r r folgt die Quellenfreiheit des zeitabhängigen, magnetischen
Vektorpotentials A(r, t )
r r
div A(r, t ) = 0 (B1.13)
und durch Einsetzen in die Gl. (B1.11) die Feldgleichung für das quellenfreie Vektorpotential
r r r r
r r ∂A(r , t ) ∂ 2 A(r , t ) r
rot rot A(r , t ) + κμ + με =0 . (B1.14)
∂t ∂t 2
Die Lösungen dieser Differentialgleichung müssen jedoch nicht zwangsläufig entsprechend

der Eichung quellenfrei sein. Sie sind daher nochmals in die Gl. (B1.13) zur Überprüfung
einzusetzen.
Zur Herleitung der Skin- und Laplace-Gleichung aus den bisher dargestellten, allgemeinen
Gleichungen für nichtstationäre Felder ist es ausreichend, sich bei den weiteren
Betrachtungen auf quasistationäre Felder zu beschränken. Grund hierfür ist die zeitliche
Änderung der Feldgrößen, die hinreichend langsam erfolgt. In einem Leiter, der eine
Leitfähigkeit verschieden von Nullr r besitzt, kann dann die Verschiebungsstromdichte
gegenüber der Leitungsstromdichte J (r , t ) vernachlässigt werden
r r
r r ∂D(r, t )
J (r , t ) >> . (B1.15)
∂t
Unter zusätzlicher Berücksichtigung der Gl. (B1.15) liefert die zweite zeitliche Ableitung in
Gl. (B1.14) keinen signifikanten Beitrag
r r
r r ∂A(r , t ) r
rot rot A(r , t ) + κμ =0 . (B1.16)
∂t
Die so entstandene Gleichung wird auch Skingleichung genannt. Für den Sonderfall zeitlich
periodischer Felder kann sie mit der Abkürzung
α = jωμκ , (B1.17)
die als Skinkonstante bezeichnet wird, in der folgenden Form geschrieben werden
r r r r r
rot rot A(r ) + α 2 A(r ) = 0 . (B1.18)
Für Bereiche mit verschwindender Leitfähigkeit, d.h. κ = 0 , resultiert aus Gl. (B1.18) die
Laplace-Gleichung
r r r
rot rot A(r ) = 0 . (B1.19)
B.2 Gewöhnliche Bessel-Funktionen

Die Lösungsfunktionen der Besselschen Differentialgleichung
d 2 Φ 1 dΦ ⎛ 2 n 2 ⎞
+ + ⎜λ − 2 ⎟⎟Φ = 0 (B2.1)
dx 2 x dx ⎜⎝ x ⎠
werden für λ2 ≠ 0 als gewöhnliche Bessel-Funktionen J n (λx ) erster Art und Yn (λx ) zweiter
Art und n -ter Ordnung bezeichnet. Beide Funktionen sind für n = 0,1, 2 in Abb. B2.1 als
Funktion der Koordinate x dargestellt.
Bei gewöhnlichen Bessel-Funktionen erster Art J n (λx ) können Ableitungen nach der
Koordinate x mit folgender Differentialbeziehung gebildet werden
d
J n (λx ) =
1
[J n−1 (λx ) − J n+1 (λx )] . (B2.2)
dλx 2
GewöhnlicheBessel-Funktionen
Gewöhnliche Bessel-Funktion 1.Art
1. Art Gewöhnliche
Gewöhnliche Bessel-Funktion 2.
Bessel-Funktionen 2.Art
Art
1 0.8
J0(x)
J0(x) Y0(x)
Y0(x)
J1(x)
J1(x) 0.6 Y1(x)
Y1(x)
J2(x)
J2(x) Y2(x)
Y2(x)
0.4
0.5
0.2
0 -0.2
-0.4
-0.6
-0.5
-0.8
0 2 4 6 8 10 0 2 4 6 8 10
x x
x x
Abbildung B2.1: Gewöhnliche Bessel-Funktionen erster und zweiter Art
B.3 Einfluss des hochleitfähigen Zylinders

In Abb. B3.1 ist das magnetische Vektorpotential aus Gl. (5.199) für verschiedene
Durchmesser des hochleitfähigen Zylinders dargestellt, um dessen Einfluss auf die
Berechnungen zu beurteilen. Der Radius g des Zylinders wird dabei als Vielfaches des
Außenradius a = a2 des Flächenstroms angegeben. Die Vergleichskurve (A exakt) wurde
mithilfe des Vektorpotentials einer kreisförmigen Schleife nach Gl. (5.112) bestimmt. Die
Berechungen wurden für a = r1 = 0.02 m und I = 5 mA unter der Berücksichtigung von 250
Eigenwerten in der Ebene z = 10 −3 m durchgeführt.
-9 -9 -9
x 10 x 10 x 10
A exakt A exakt A exakt

3 g=3a 3 g=10a 3 g=100a
2 2 2
Aϕ
ha
A in Vs/m
A in Vs/m
A in Vs/m
−1
⋅ Vsm
- 9
1 1 1 10
0 0 0
-1 -1 -1
0 0.02 0.04 0.06 0.08 0.1 0 0.02 0.04 0.06 0.08 0.1 0 0.02 0.04 0.06 0.08 0.1
ρ in m ρ in m ρ in m
ρ m
Abbildung B3.1: Vektorpotentiale für verschiedene Abmessungen [pat01]

Aus der Abb. B3.1 folgt einerseits, dass die Übereinstimmung der beiden Potentiale am
größten ist, wenn der Innendurchmesser des Zylinders den zehnfachen Wert des Außenradius
der Leiterschleife besitzt, sofern in den Berechnungen 250 Eigenwerte berücksichtigt werden.
Andererseits muss für andere Werte von g gleichzeitig die Zahl der Eigenwerte variiert
werden, um ebenfalls eine Deckungsgleichheit der Kurven zu erzielen.
B.4 Struve-Funktionen
Die Größen H 0 und H1 bezeichnen Struve-Funktionen der Ordnung Null bzw. eins. Unter
Verwendung der Gammafunktion Γ(x ) (vgl. [bro01]) kann eine Struve-Funktion der ν -ten
Ordnung mit Gl. (5.195) berechnet werden
1.2
1.0
0.8
0.6
0.4
0.2
-0.2
-0.4
0 2 4 6 8 10 12 14 16 18 20
x
Abbildung B4.1: Struve-Funktionen erster und zweiter Ordnung [koch01]
B.5 Konstanten und Abkürzungen für die Potentiale

Die Gln. (5.171) bis (5.179), (5.187) und (5.196) bilden ein lineares Gleichungssystem, mit
dem die unbekannten Koeffizienten Ap n 1 , C p n 2 , D p n 2 , C p n 3 , D p n 3 , C p n 4 , D p n 4 , C p n 5 , D p n 5 ,
Ap n 6 in den Lösungsansätzen bestimmt werden können.
Die Auflösung des linearen Gleichungssystems führt zu folgenden Lösungen:
Txne − xn (b2 + d 2 ) (1 + R )
Ap n 6 = Ap n (B5.1)
⎛p x ⎞
μ 2e − p n (b2 + d 2 ) ⎜⎜ n + n R ⎟⎟
⎝ μ0 μ 2 ⎠
Ap n 6e − p n (b2 + d 2 )e − x n b2 − Ap n Te − x n (2b2 + d 2 )
Dpn 5 = (B5.2)
e x n d 2 − Se − x n d 2
C p n 5 = Ap n T − D p n 5e 2 x n b2 S (B5.3)
1
C pn 5e − xnb2 + D pn 5e xnb2 − 2 Apn e − pnb2
D pn 4 = N +1 (B5.4)
N −1
e pnb2 − e − pnb2
N +1
2 Apn − D pn 5 ( N − 1)
C pn 4 = (B5.5)
N +1
C pn 4 + D p n 4
D pn 3 = (B5.6)
1 − e − 2 pnb2 M
C pn 3 = − D pn 3e −2 pnb2 M (B5.7)
] − p μ (x+ μx μ+ p+ eμ )e (x μ
x n (b 2 + 2 d 2 )
[
D p n 2 = C p n 3e p n b 2 + D p n 3e − p n b 2 n 0 n 2
2 xn d 2
+ pn μ 2 )
(B5.8)
n 2 n 0 n 0
p μ − xn μ 0
C pn 2 = − D pn 2 n 2
(B5.9)
e ( xn μ 0 + p n μ 2 )
xn ( 2 b2 + d 2 )
C pn 2 e xn (b2 + d 2 ) + D pn 2 e − xn (b2 + d 2 )
Ap n 1 = (B5.10)
e − pn (b2 + d 2 )
Mit den Abkürzungen:
pn xn pn μ 2 − xn μ0 + e 2 x n d 2 ( xn μ0 + pn μ 2 )
m1 = − + (B5.11)
μ0 μ2 − pn μ 2 + xn μ0 + e 2 xn d 2 ( xn μ0 + pn μ 2 )
pn xn pn μ 2 − xn μ0 + e 2 x n d 2 ( xn μ0 + pn μ 2 )
m2 = + (B5.12)
μ0 μ 2 − pn μ 2 + xn μ0 + e 2 x n d 2 ( xn μ0 + pn μ 2 )
m1
M= (B5.13)
m2
1 + e −2 p n b 2 M
N= (B5.14)
1 − e − 2 p n b2 M
N − 1 − p n b2
e p n b2 + e
Q= N +1 (B5.15)
N − 1 − p n b2
e p n b2
− e
N +1
pn (Q + 1)
2e − pnb2
μ 0 (N + 1)
T= (B5.16)
⎛x p ⎞
e − xnb2 ⎜⎜ n + n Q ⎟⎟
⎝ μ2 μ0 ⎠
pn xn
Q−
μ0 μ2
S= (B5.17)
pn xn
Q+
μ0 μ2
e x n d 2 + Se − x n d 2
R= (B5.18)
e x n d 2 − Se − x n d 2

3D-Integration in Der Leistungselektronik

Hochgeladen von

Dokumentinformationen

Originaltitel

Copyright

Verfügbare Formate

Dieses Dokument teilen

Dokument teilen oder einbetten

Freigabeoptionen

Stufen Sie dieses Dokument als nützlich ein?

Sind diese Inhalte unangemessen?

Copyright:

Verfügbare Formate

3D-Integration in Der Leistungselektronik

Hochgeladen von

Copyright:

Verfügbare Formate

3D-Integration in der Leistungselektronik

Der Technischen Fakultät der

Tag der Einreichung: 22. November 2007

Im Bereich leistungselektronischer Schaltungen spielt die Miniaturisierung der Bauteile heute

Mithilfe der analytischen Feldberechnungen wird eine neue Bestimmungsmethode vorgestellt,

2 Multilayer-Technologie mit embedded passives 15

3 Integrierte resistive Komponenten 23

4 Integrierte kapazitive Komponenten 31

5 Integrierte induktive Komponenten 37

5.3.1.8 Definition der Spiegelgesetze für einen Dipol 64

6 Schaltungsdesign und Demonstrator 129

7 Einsatzmöglichkeiten der Technologie 137

8 Zusammenfassung und Ausblick 143

Anhang A – Methode der Spiegelströme 165

Anhang B – Randwertproblem 175

2 Multilayer-Technologie mit embedded passives

In vielen elektronischen Geräten der Unterhaltungselektronik, Kommunikationstechnik und

2.1 Integration passiver Komponenten – Motivation

Leistungselektronische Schaltungen setzen sich derzeit hauptsächlich aus verschiedenen,

Abbildung 2.1: Konventionelle leistungselektronische Schaltung [boc01]

2.2 Konzepte der Multilayer-Technologie

Durchkontaktierungen Integrierte Widerstände

Abbildung 2.3: emPIC Multilayer-Technologie mit integrierten passiven und aktiven

2.3 Vor- und Nachteile von embedded passives

Die Multilayer-Technologie mit embedded passives bietet, ähnlich wie die

der Leiterplattenfertigung aufgebaut und auch auf andere Anwendungsgebiete übertragen

2.4 Umsetzung der Konzepte

3 Integrierte resistive Komponenten

In den meisten leistungselektronischen Schaltungen spielen große Widerstände eine eher

3.1 Resistive Komponenten – Fertigungsverfahren

3.1.1 Widerstände im Siebdruckverfahren mit Karbonpaste

Abbildung 3.1: Schematische Darstellung der Herstellung von Widerständen

Im Siebdruckverfahren hergestellte integrierte Widerstände (siehe Abb. 3.2) unterliegen einer

Abbildung 3.2: Integrierte Widerstände (4,7 kOhm) im Siebdruckverfahren

3.1.2 Geätzte Widerstände aus Widerstandsfolie

Die prozesstechnische Vorgehensweise zur Herstellung integrierter Widerstände in

3) Selektives Ätzen Widerstände

Abbildung 3.3: Schematische Darstellung der Herstellung von

Im Herstellungsprozess der integrierten Komponenten wird immer mit ganzflächigen Lagen

Abbildung 3.4: Integrierte Widerstände (1 kOhm) in Ätztechnik

3.2 Dimensionierung integrierter Widerstände

Alle bereits beschriebenen Ursachen für Widerstandsänderungen während dem

3.3 Materialien für integrierte resistive Komponenten

Die Herstellung von integrierten Widerständen im Siebdruckverfahren setzt als resistives

Dicke variabel 0.01 μm – 0.4 μm

Material Polymermatrix mit Karbonpartikel NiP oder NiCr auf Kupferfolie

Toleranz der Widerstände ± 20 % bis ± 30 % ± 10 % bis ± 20 %

Belastungstests ± 5 % bis ± 10 % ± 0.5 % bis ± 2 %

Verarbeitung Siebdrucktechnik Selektive Ätztechnik

Hersteller / Material Asahi, DuPont Ohmega-Ply, Gould TCR

4 Integrierte kapazitive Komponenten

Kapazitive Bauteile sind notwendige Bestandteile vieler leistungselektronischer Schaltungen.

4.1 Kapazitive Komponenten – Fertigungsverfahren

Die integralen Fertigungsmethoden für integrierte kapazitive Komponenten können in zwei

Abbildung 4.1: Schematische Darstellung integrierter Kondensatoren aus

4.2 Dimensionierung integrierter Kondensatoren

Die integrierten, kapazitiven Komponenten werden aus strukturierten Kupferelektroden, die

Abbildung 4.2: Ersatzschaltbild mit parasitärem Kondensator

4.3 Spannungsfestigkeit der Kondensatoren

4.4 Materialien für integrierte kapazitive Komponenten

Produktname C-Lam HiK C-Ply EmCap RO 3210

Flächenkapazitätswert C 0.2 nF cm 0.5 nF cm 1.0 nF cm 0.44 nF cm 0.07 nF cm

Verlustfaktor tanδ bei 1 kHz - - 0.005 - -