4 SEMICONDUCTORES POTENCIA Transparencias

Tema 2. Dispositivos de potencia.
Visión general de los dispositivos de potencia

El diodo de potencia.
Estructura tetraédrica
del silicio.
• Material de los componentes electrónicos de potencia es el

silicio 1962-
– Es el material usado casi en exclusivo desde el comienzo de la EP.
– Se está haciendo un gran esfuerzo por incorporar el Carburo de
Silicio (SiC)
• Se usara “seguramente” en el plazo de una década.
• Ya se fabrican los primeros componentes “experimentales”.
5º II Electrónica de Potencia 2009/10 -2-

El diodo de potencia. Niveles de energía de los átomos aislados
C 1s2 2s2 2p2

Si 1s2 2s2 2p6 3s2 3p2
Ge 1s2 2s2 2p6 3s2 3p63d10 4s2...
5s25p2
Subniveles s y
p: tipo de
orbital
Orbital tipo s Nivel de
energía Energía (eV)
3p2
3s2
3p6

El diodo de potencia. Semiconductores intrínsecos
•Cuando la distancia entre átomos decrece y los

electrones interactúan, sus niveles de energía se Banda de
expanden en bandas conducción
Energía
(eV)
3p (6N
Energía (eV)
4 estados)
3p6 (6N
estados)
N
Banda
3s2 (2N prohibi
estados) da
4 3s (2N
Distancia entre átomos
N estados)
Se asumen Banda de
N átomos en
el cristal de
valencia
2p
silicio
ɺ Separación atómica silicio
5 A

El diodo de potencia. Niveles de energía en materiales
(a) Conductor (b)Semiconductor c) Aislante
Si 4H-SiC 6H-SiC GaAs

Eg de
semiconductores Eg(Ev) 1,12 3,26 3,02 1,42
a 300 ºK
ni (cm-3) 1010 10-7 10-5 1,8 106

• En el átomo de silicio aislado, hay 4 electrones en la capa

externa (3s2+3p2).
– Por supuesto, en el cristal de silicio hay 4N electrones en la
banda de valencia y un total de 8N estados: 4N en las banda
de valencia y 4N en la banda de conducción.
• A T=0º K, todos los electrones ocuparán los estados con
más baja energía.
– Estos llenarán la banda de valencia, mientras que la de
conducción estará vacía.
Ec
Ev Eg
T = 0 ºK
• Para conducir corriente eléctrica debe haber electrones en

la banda de conducción.
– Cuando un electrón es excitado a la banda de conducción,
deja un estado vacante. Este estado se llama hueco (hole).
• Como los electrones en la banda de conducción, los
huecos en la banda de valencia son móviles y actúan
“como partículas cargadas positivamente”.
– Sin embargo, los huecos NO son partículas. Un hueco es sólo
la ausencia de un electrón.
Electrón móvil
Ec
Ev Eg
hueco
Si Si Si Si
El hueco está
ahora aquí
2
2
Si Si Si Si
1 1
Electrón 1 Electrón 2
Con ε > εC abandona con ε<εV se mueve a la posición
el enlace covalente que ocupaba el electrón 1
• El movimiento por electrones con E > EC produce una corriente
eléctrica que asociamos a electrones: ELECTRONES.
• El movimiento por electrones con E< EV produce una corriente
eléctrica que asociamos a unas “cargas equivalentes positivas”:
HUECOS.

Si Si C Si
Si SiC
Si Si Si C
• Un semiconductor puro se conoce como intrínseco (sin impurezas

añadidas).
• Una propiedad importante es que en un semiconductor intrínseco
los huecos y electrones sólo pueden ser creados por parejas: “pares
electrón-hueco”.
– Por supuesto en un semiconductor intrínseco, los electrones y huecos
están presentes en igual número:
n = p = ni
ni = concentración de portadores intrínseca.
• Cuando un electrón en la banda de conducción encuentra un hueco en

la banda de valencia (un estado vacante de menor energía), el electrón
ocupa este estado, cayendo de la banda de conducción a la de
valencia. Este proceso se llama recombinación.
• El exceso de energía es liberado en forma de calor (indirecto y Auger)
o de fotones (directo).
– Los 2 primeros son formas de recombinación en el silicio y el SiC.
– La recombinación con emisión de fotones es el fenómeno que se aprovecha
para construir los LED
Ec Ec
Centro de
Eg fonón recombinación Ev
Ev
Recombinación indirecta
Recombinación Auger

Corriente por campo eléctrico (I)

v
E
dz dz
dy dy
t=0 dx = v dt t=dt

dI dQ 1 qn(dA)vdt 1
J= = = = qnv
dA dt dA dt dA
n = concentración de cargas e = carga del electrón 1,6 10^-19 C
por cm-3 µ= movilidad

v = velocidad de movimiento de las
cargas v = µE
Corriente por campo eléctrico (II)

E
Si Si Si Si
Jn J = Jn + J p = e(nµn + pµ p )E = σ E
J conductividad:
Si Si Si Si
σ = e(nµn + pµ p ) ( Ω m)
-1
Jp
Si Si Si Si
300K Si 4H-SiC 6H-SiC

µn 1.500 800 400 cm 2
V ⋅s
µp 480 115 90
cm 2
V ⋅s
Sin embargo, la intensidad de campo eléctrico de ruptura es mucho

mayor para el SiC.

Corriente por difusión

JTotal
p (cm-3 ) n (cm-3 )
Jp Jn
x x
 dp dn 
27ºC Si 4H-SiC 6H-SiC J Total = J p + J n = e − D p + Dn 
 dx dx 
Dn 39 22 90 cm2 / s Dn Dp
= =
µn µp
Dp 12 3 2 cm2 / s KT
= VT (tensión térmica)
e

Semiconductores intrínsecos.
• Sustituyendo átomos de Si por elementos de la columna 5 del sistema

periódico:
– semiconductor tipo- n
• o de la columna 3:
– semiconductor tipo- p
• se consiguen portadores extras (huecos y/o electrones) a temperatura
ambiente cambiando la conductividad.
• Un semiconductor así dopado se conoce como extrínseco

Semiconductores extrínsecos
Semiconductor tipo-n
• Cada uno de estos

elementos tiene 5
electrones de valencia.
e- • 4 de estos electrones
As
se unen con los
electrones de átomos
de Si próximos
quedando fuertemente
A partir de un atrapados en la red.
Sustituyendo
semiconductor • Sin embargo el 5º
algunos átomos de
intrínseco. electrón queda
Si por átomos tales
• Crecimiento epitaxial. débilmente unido al
como P (fósforo), átomo de impureza
• Implantación iónica arsénico (As) o
antimonio (Sb)

Semiconductor tipo-n
• Los átomos de fósforo,
el arsénico o el
antimonio se llaman
donadores puesto que
donan un electrón
extra.
• La energía necesaria
para excitar los
electrones de los
donadores es muy
pequeña (30-60 meV).
• A temperaturas por
encima de 50 K la
mayor parte de los
donadores estarán
ionizados
– Han perdido el
electrón y aportan la
carga positiva de 1
electrón).
Semiconductor tipo-p • Cada uno de estos elementos

tiene 3 electrones de valencia.
– Estos 3 electrones se unen
con los electrones de 3
átomos de Si próximos
quedando fuertemente
atrapados en la red.
• Uno de los enlaces covalentes
con uno de los átomos de Si sólo
tendrá un electrón en el orbital del
enlace (el electrón vacante es un
hueco).
• Este enlace no cubierto atrae
Sustituyendo algunos fácilmente electrones de otros
A partir de un átomos de Si por átomos de Si más alejados
semiconductor átomos tales como B desligando el hueco del átomo de
(boro) Al (aluminio), impureza trivalente.
intrínseco.
galio (Ga) o antimonio • La impureza queda convertida en
(Sb) un ion negativo.

Semiconductor tipo-p
• Los átomos de boro,

aluminio, galio o indio se
llaman aceptadores puesto
que aceptan un electrón
extra.
• La energía necesaria para
que los electrones pasen al
nivel de energía aceptador
dejando huecos en la
banda de valencia es muy
pequeña (30 a 60 meV).
• A temperaturas por
encima de 50 K la mayor
parte de los donadores
estarán ionizados (han
ganado un electrón y
aportan la carga de 1
electrón).

Concentración extrínseca. Semiconductor tipo-n (I)
¿Cómo calcular el numero de electrones y huecos disponibles para conducción?

po − no + ( N d − nd ) = 0
• Na, concentración total de impurezas aceptadoras. Carga negativa cuando se
ionizan.
• Nd, concentración total de impurezas donadoras. Carga positiva cuando se
ionizan.
• nd, concentración de impurezas donadoras no ionizadas. Carga neutra.
• no, concentración total de electrones libres térmicos+extrínsecos en la banda
de conducción en equilibrio térmico. Carga negativa.
• po, concentración de huecos libres térmicos en la banda de valencia en
equilibrio térmico. Carga positiva .
• El producto de las concentraciones de huecos y electrones sólo cambia con la
temperatura.
no po = ni2 (T )

Concentración extrínseca. Semiconductor tipo-n (II)
• Si se despeja po en la expresión de • Típicamente como la

la concentración intrínseca : concentración de donadores es de
1016-1018 cm-3 >> 1010 cm-3,
ni2 concentración intrínseca, en un
po = semiconductor tipo-n se calcula
no más sencillamente a través de:
Y se sustituye en la ecuación de
la neutralidad suponiendo que ni2
: nd ≈ 0 no ≈ N d y po =
no
− no2 + N d no + ni2 = 0
Resolviendo la ecuación
cuadrática
1 1 2
no = Nd + N d + ni2
2 4
Concentración extrínseca. Semiconductor tipo-p (I)
¿Cómo calcular el numero de electrones y huecos disponibles para conducción?
p o − no − ( N a − na ) = 0
• Na, concentración total de impurezas donadoras. Carga negativa cuando
se ionizan.
• na, concentración de impurezas donadoras no ionizadas. Carga neutra.
• no, concentración total de electrones libres térmicos en la banda de
conducción en equilibrio térmico. Carga negativa.
• po, concentración de huecos libres térmicos +extrínsecos en la banda de
valencia en equilibrio térmico. Carga positiva.
• Na, concentración total de impurezas aceptadoras. Carga negativa cuando
se ionizan.
• El producto de las concentraciones de huecos y electrones sólo cambia
con la temperatura.
no po = ni2 (T )

Concentración extrínseca. Semiconductor tipo-p (II)
•Si se despeja no en la expresión • Típicamente como la concentración

de la concentración intrínseca : de aceptadores es de 1016-1018 cm-3
>> 1010 cm-3, concentración
ni2
no = intrínseca, en un semiconductor tipo-
po p se calcula más sencillamente a
Y se sustituye en la ecuación de la través de:
neutralidad suponiendo que na ≈ 0 ni2
po ≈ N a y no =
po
− po2 + N a po + ni2 = 0
Resolviendo la ecuación
cuadrática
1 1 2
po = N a + N a + ni2
2 4

Concentración de portadores en un semiconductor extrínseco,

tipo-n en función de la temperatura
SUPER
CONGELACIÓN
INTRINSECO
2
3 6957
EXTRINSECO −
ni (T) = 3.88×1016 ×T × e
2 T
cm−3
n/ND
INTRÍNSECO
n
200 400 600

TEMPERATURA (K)

Sumario semiconductores extrínsecos
Como la concentración de
impurezas es del orden de
1016-1018 cm-3, valor mucho
mayor que la intrínseca, la
concentración de
portadores es semejante a
la de donadores
Semiconductor tipo - n
N = 1016 ⇒ n = 1016 cm- 3
d o
2
2  1,5 × 1010 
n
p = i =  = 22.500 cm- 3
o n
o 1016
La unión p-n: diodo
• Este movimiento despuebla de

portadores de carga móviles las
proximidades de los dos lados de la
unión dejando iones
“aceptadores” en el lado p e iones
“donadores” en el lado n.
• Los iones crean un campo eléctrico
en la unión con la magnitud
suficiente para que la corriente neta
que la traviesa sea cero:
EQUILIBRIO.
Por difusión hay inicialmente

corrientes netas de huecos de la
zona p a la n y de electrones de la
zona n a la p

La unión p-n. Tensión en la unión (I)
El potencial en la
región de carga
espacial se calcula
como solución de la
ecuación de Poisson
 ρ
 ∆V = − 
 ε 
•Región tipo-n •Fuera de la región de carga espacial

d 2V + ( x ) eN d d2V+ ( x) d2V − ( x)
= − 0 < x < xn = 0 x > xn y = 0 x < −xp
dx 2 ε si dx2 dx2
•Región tipo-p
d 2V −( x ) eNa
= + − xp < x < 0
dx 2 ε si

La unión p-n. Tensión en la unión (II)
1ª Integración de la ecuación de Poisson Aplicando la 1ª Condición de

contorno:
dV + ( x ) eN d dV + ( x n ) qN d x n
=− x + A = − E + ( x ) 0 < x < xn = 0⇒ A=
dx ε si dx ε si
dV − ( x ) eN a dV − ( − x p ) qN a x p
= x + B = − E− ( x) − xp < x < 0 = 0⇒ B = +
dx ε si dx ε si
Como el potencial es constante fuera de la región de carga espacial, para que
este sea continuo la pendiente de la variación del potencial en los extremos
tiene que ser cero.
V+ ( x < xn ) = cte1 V− ( x < − x p ) = cte 2
qN d qN d
E+ ( x) = x− xn 0 < x < xn
ε si ε si
qN qN
E− (x) = − a x − a xp − xp < x < 0
εsi εsi

La unión p-n. Tensión en la unión (III)
eN d eN d eN a eN a
E+ ( x ) = x− xn 0 < x < xn E− ( x) = − x− xp − xp < x < 0
ε si ε si ε si ε si
Para los campos eléctricos se ha de cumplir que en la superficie de
separación de 2 medios, respecto a su componente normal a la superficie:
ε 1 E1 ( 0 ) = ε 2 E 2 ( 0 )
En este análisis ε1=εε2= ε s ⇒ E − ( 0) = E + ( 0)

V/cm
Aplicando esta condición que
− xp
E
cumplen los dos campos en x=0 xn
eN d eN a
xn = x p ⇒ N d xn = N a x p
ε si ε si
E − ( 0) = E + ( 0)

La unión p-n. Tensión en la unión (IV)

2ª Integración de la ecuación de Poisson
qN d 2 qN d x n +
V+ ( x ) = − x + x + C 0 < x < xn
2ε si ε si
qN a x 2 qN a x p −
V− ( x ) = + x + D − xp < x < 0
2ε si ε si
Aplicando la 2ª condición de contorno: arbitrariamente se fija la referencia de
potencial para que en x=0 el potencial sea cero
V+ (0) = V− (0) = 0
Sustituyendo x=0 en las 2 ecuaciones del potencial, para que se cumpla la
condición, las dos constantes de integración deben cumplir: C=D=0
qN d 2 qN d x n +
V+ ( x ) = − x + x 0 < x < xn
2ε si ε si
qN a x 2 qN a x p −
V− ( x ) = + x − xp < x < 0
2ε s εs

Extensión de la región de carga espacial en función de la tensión aplicada
qN d qN d x n qN a qN a x p
V+ ( x ) = − xn + xn = V− ( x ) = xp − xp =
2 2
2ε si ε si 2ε s εs
qN d x n qN a
= 0 < x < xn = − − xp < x < 0
2
xn xp
2ε si 2ε s
La diferencia de potencial entre los dos extremos de la región de
carga espacial
qN a qN d
V+ ( xn ) − V− (− x p ) = xp + x n = V Jo − V D = V J
2 2
2ε s 2ε s
Usando la condición N d x n = N a x p y despejando en la ecuación anterior
2ε s N a 2ε s 1
xn =
1
(VJo − VD ) si Nd << Na xn = (VJo − VD )
e N d (N a + N d ) e Nd
2ε s N d 2ε s N d
xp = −
1
(VJo − VD ) si Nd << Na xp = (VJo − VD )
e N a (N a + N d ) e Na 2

La unión p-n. Tensión en la unión (VI)

Región de carga espacial
Gráficas de las
funciones resultantes
de la resolución de la
ecuación de Poisson
•Carga espacial
•Campo eléctrico
•Diferencia de
potencial

Ruptura por avalancha
• El impacto de los electrones y

“huecos” con los electrones
de otros enlaces que libera
nuevos pares electrón-hueco
con la energía suficiente como
para producir una reacción en
E (V/cm) cadena comienza con valores
de Ecríticaª 2 105 V/cm.
• Cuando una unión p-n se encuentra en corte hay portadores de carga que
la atraviesan:
– En el interior de la región de carga espacial se generan pares electrón hueco.
– Además existen corrientes de generación térmica: electrones procedentes desde
la región p y huecos procedentes desde la n.
• Cuanto mayor es el dopado, mayor es la Ecrítica, porque se reduce la
distancia entre choques.
– No da tiempo a comunicar a los portadores la energía suficiente como para que
produzcan choques efectivos.

Ecuación de la ruptura por avalancha (ionización por impacto) (I)
I In(W)
In(x): corriente de electrones en x Ip(x) dIn(x)
Ip(x): corriente de huecos en x
La corriente total tiene que ser la
misma en todas las secciones aún
In(0) In(x)
en avalancha.
x
dx
I=In(x)+Ip(x) 0 W
Región de carga espacial
• αn (x) Número de pares electrón-hueco que cada electrón crea por cada cm
que recorre para un campo eléctrico E(x) dado.
bn
− V
α n ( x ) ≡ ane E( x)
a n = 7 × 105 cm −1 bn = 1,23 × 106
cm
• α p ( x)
Número de pares electrón-hueco que cada hueco crea por cada cm que
recorre para un campo eléctrico E(x) dado.
bp
− V
α p ( x) ≡ a pe E( x)
a p = 1,6 × 105 cm −1 b p = 2 × 10 5
cm
Ecuación de la ruptura por avalancha (ionización por impacto) (II)

• Aplicando la definición de los coeficientes de ionización, el incremento de
la corriente de electrones viene dada por:
dI n ( x ) = I n ( x )α n dx + I p ( x )α p dx = I n ( x )α n dx + ( I − I n ( x ))α p dx
•Suponiendo para simplificar que αn(x)=ααp(x)
W W W
dI n ( x )
= Iα ( x ) ⇒ ∫ dI n ( x ) = I ∫ α ( x )dx ⇒ I n (W ) − I n (0) = I ∫ α ( x )dx
dx 0 0 0
(1)
• Cerca de la avalancha, en el extremo x=W se cumplirá IªIn(W)
– Llamando Mn al factor por el que se multiplica la corriente del extremo x=W
de la región de carga espacial respecto al de x=0
I ≈ I n (W ) = M n I n (0)
Este coeficiente Mn cerca de la avalancha tiene que ser ª •

Ecuación de la ruptura por avalancha (ionización por impacto) (III)
Haciendo uso de las relaciones deducidas para la avalancha
W W
 1 
I n (W ) 1 −  = I n (W ) ∫ α ( x )dx ⇒ ∫ α ( x )dx ≈ 1
 M  0 0
La conclusión que se obtiene es que la avalancha tendrá lugar cuando

el campo eléctrico en la región de carga espacial, alcance unos valores
que hagan que los coeficientes de ionización sean tales que su integral
extendida a la región de carga espacial se haga próxima a la unidad.
eN d eN d
E+ ( x ) = x− xn 0 < x < xn
Campo Eléctrico (V/cm)

ε si ε si
1E+07
eNa eNa SiC

E− ( x ) = − x− xp − xp < x < 0 1E+06
ε si ε si
Si
eN d 1E+05
E (0) = Ecrítica = xn 1E+13 1E+14 1E+15 1E+16 1E+17 1E+18
ε si Concentración de dopado (cm-3)

Cálculo del valor del potencial de contacto VJO en función de las
concentraciones de dopado.
Al no haber tensión
externa aplicada el
semiconductor está en
equilibrio.
Una consecuencia de esto es que la corriente de electrones(o de huecos)

neta que atraviesa la unión tiene que ser cero Jng: movimiento de
electrones por campo eléctrico. Jnr : electrones por difusión
dn dV Dn KT n nnoppo NN
J nr = eDn = eµ n nE = eµ n n = J ng = =VT ⇒VJO =VT ln no =VT ln 2 ≈VT ln d 2 a
dx dx µn e npo ni ni
Vno nno
dn D n
µ n ∫ dV = Dn ∫ ⇒ VJO = Vno −Vpo = n ln no Nd Na
n µ n npo VJO ≈ VT ln
V po n po
ni2

La unión p-n. Potencial externo aplicado (I)

Ecuación de la corriente del diodo (II).
Cuando se aplica una tensión externa vD se rompe el equilibrio y aparece un exceso de

concentración de carga en las dos zonas neutras.
Justo en las dos lados de la región de carga espacial, la expresión de este exceso es:
(V Jo − v D )
δ n p (− x p ) = n p (− x p ) − n po = n no e
− Para pasar de la segunda a la tercera
VT
− n po igualdad en los dos casos se ha
 VvD  hecho uso de
= n po e − 1 
 T
  nno ppo nno

V
− JO
  VJO ≈VT ln 2 =VT ln ⇒ npo =nnoe VT
−
(V Jo − v D ) ni npo
δ p n ( x n ) = p n ( x n ) − p no = p po e VT
− p no V
− JO
nno ppo ppo
 VvD  VJO ≈VT ln 2 =VT ln ⇒ pno = ppoe VT
ni pno
= p no e − 1 
 T
 
 
Ecuación de la corriente del diodo (III).

Ecuación de la continuidad para semiconductores E
Ecuaciones de la conservación del
número de huecos y electrones
d2 p d ( pE x ) p ∂p J p ( x) J p ( x + dx )
g p + Dp 2 − µ p − =
dx dx τ p ∂t r
dz J px ( x + dx )
d ( nE x )
J px ( x )
2
d n n ∂n
gn + Dn 2 + µ p − =
dx dx τ n ∂t g
dy
Usando la siguientes condiciones:
no po x x + dx
g po = gno = = dx
τ no τ po
p = po + δ p d d δ p ∂δ p
D δ p − µ E δ p − =
n = no + δ n dx 2 x
dx τ ∂t
δ p=δn

Ecuación de la corriente del diodo (IV).
Para el resto de puntos a lo largo del eje x, la concentración del exceso de
portadores viene dada por las 2 siguientes ecuaciones diferenciales:
d 2δ n δ n d 2δ n δ n
Dn − = − 2 = 0
dx 2 τ dx 2 Ln τ → tiempo de vida media
( p a r a x < − x p : e le c tr o n e s e n la r e g ió n p ) D → constante de difusión.
Dp
d 2δ p δ p
− =
d 2δ p δ p
− 2 = 0
L= Dτ → longitud de difusión.
dx 2 τ dx 2 Lp
( p a r a x > x n : h u e c o s e n la r e g ió n n )
2 Condiciones de δ n p = n p − n po = 0 para x = −∞
contorno para la
 Vv D 
concentración de
electrones en exceso ( )
δ n p − x p = n po e − 1 


T

en la zona p.  
 Vv D 
2 Condiciones de δ p n ( x n ) = p no  e T − 1 
contorno para la  
 
concentración de
huecos en exceso en la δ p = pn − pno = 0 para x = +∞
zona n.
Ecuación de la corriente del diodo (V).
• Solucionando las dos ecuaciones anteriores con las referidas

condiciones de contorno, se obtienen las siguientes expresiones
exponenciales para el exceso de concentraciones de minoritarios.
Electrones en exceso en la región p:

 vD  x + x p
 V  L
δ n(x) =np (x) − npo = npoe − 1 e n
T
 
 
( para x < − x p : electrones en la región p )
Huecos en exceso en la región n:

 vD  − x −xn
 V  Lp
δ p ( x ) = p n ( x ) − p no = p no  e T − 1 e
 
 
( para x > x n : huecos en la región n )

Ecuación de la corriente del diodo (VI).
Polarización directa Polarización inversa
pp(x) Concentración Concentración

pp(x)
nn(x) ppo
ppo
nn(x)
nno nno
Exceso np(x) pn(x) Déficit
de de pn(x)
electron electro np(x)
es pno nes pno
npo npo
Exceso de Déficit
huecos de
xp xn xp xn huecos
Región de la Región de la
unión unión

Ecuación de la corriente del diodo (VII).
• Por conservación de la carga, la corriente en todas las secciones tiene que ser
la misma.
• La corriente total es la suma de las corrientes de huecos y electrones en cada
sección.
• Se usa la sección correspondiente a x=0 por ser la que nos puede hacer el
cálculo más sencillo.
• La corriente de huecos que se tiene en x=0 es con muy poco error igual a la
corriente de huecos que por difusión se tiene en:
x = x n → I p ( 0 ) = I pr − I pg ≈ I
dp n
I pn ( x n ) ≈ − eAD p
dx x = xn
• La corriente de electrones que se tiene en Ip(0)

x=0 es con muy poco error igual a la
corriente de electrones que por difusión
se tiene en:
x = − x p → I n (0) = I nr − I ng ≈ In(0) <0
dn p ( x )
I n ( − x p ) ≈ − eADn
dx x=− x p

Ecuación de la corriente del diodo (VIII).
 vD 
 D   V 
I = I p (0) − I n (0) = I pn (x n ) − I n p ( )
− x p = eA  pno

Dp
Lp
+ n po n 
Ln 
 e T − 1 =
  
 
 vD 
 Dp Dn   V 
eA ni2  +   e T −1

 nno Lp p po Ln   
 
  Curva estática
iD
iD
A K
+ -
vD
vD
Región
Polarización Polarización
de
ruptura inversa directa
inversa

Ecuación de la corriente del diodo (IX).
 Dp Dn 
I s = qAn i2  + 
 n no L p p po Ln 
• Is Representa la corriente inversa .  
– Cuanto mayor sea la concentración intrínseca, mayor valor alcanzará esta corriente. La
concentración intrínseca aumenta con la temperatura, y también es mayor para los
semiconductores con menor valor de la banda prohibida.
Dn
• El término
ppoLn
está ligado a la contribución de la corriente de electrones a
la corriente total
– cuanto mayor sea la concentración de huecos en el lado p, menor valor tendrá la
corriente de electrones.
• Lo mismo se puede decir respecto al aporte a la corriente total del transporte
de huecos:
Dp
n no L p
• Casi toda la corriente que fluye por la unión es transportada por el portador
que constituye la región fuertemente impurificada frente a la otra que lo está en
menor extensión.
I n (0 ) I p (0 )
ηn = ηp =
I I
Otra forma de obtener la corriente del diodo
∞
Q p = eA ∫ δ p( x )dx
xn
Qp =
 VvD  − x L− px n  VvD 
δ p( x ) = pno  e T − 1  e e A p no L p e − 1 
 T
   
   
− xp (1)
Qn = eA ∫ δ n( x)dx Qn =
−∞
x+ x p
 Vv D 
 
vD
e A n po L n e − 1 
 T
δ n( x) =npo e − 1 e
 VT Ln 



 
  (2)
En régimen permanente la aportación de carga tiene que ser la necesaria para
mantener constante la carga en exceso
L p  VDT
v

Ip =
Qp
= e A p no

e − 1

(
I = I p − I n = I pn ( x n ) − I n p − x p =)
τp τp  
 Dp Dn   VvD 
eA n 2
+  e T − 1
Qn L n  V DT
v
 n L
i   
In = = e A n po e − 1  no p p po Ln   
τn τn   

Que coincide con la expresión ya obtenida para I en la
transparencia 43
El diodo p-i-n
Polarización inversa
Suponiendo datos
p Na= 1019 cm-3

n- Nd = 1014 cm-3
n+ Nd= 1019 cm-3
εs=1,05 10-12F/cm
Tensión inversa
V=-1300 V
Resultados aplicando
las ecuaciones
Xn=130 µm
Xp=130 nm
Emax=199 kV/cm

El diodo p-i-n en conducción.(I)
Modulación de conductividad
δn δp
δp ≈ δn ≈ 1017
0 d
• Se crea un campo eléctrico en n- que atrae electrones desde la zona
n+, porque no hay carga libre de electrones en n- para compensar el
exceso de huecos inyectados desde la zona p de ánodo.
• En condiciones normales de conducción, no va a haber apenas
gradiantes de concentración.
– La conducción de corriente deberá ser en su mayor parte de arrastre, y por
lo tanto habrá un campo eléctrico a lo largo de n- que la provoque.

El diodo p-i-n en conducción.(II)
Expresión de la caída de tensión en la región de arrastre
• Como la corriente es por arrastre, la relación entre vd: tensión entre

los extremos de la región n- e IF es como la de una resistencia
IF =
vd
RON =
1 d
σ = e ( µn + µ p ) δ p IF =
( )
e µ n + µ p δ pAv d
RON σ A d
d
(1)
donde se ha hecho v d ( d ) = ∫ E ( x )dx = cte d y J =σE
0
• En régimen permanente, como ppoªnno la eficiencia de la inyección

es ª1 y:
Qp δ p [ Ad ]e (2)
IF ≈ I p ≈ ≈ I p (0) = Igualando (1) y (2)
τp τ
( 130 10 )
2
2 −6
d
vd =
(
µn + µ p τ ) vd =
( 13,60 + 4,90) 10 −6
= 9,13 mV

El diodo p-i-n en conducción.(III)
Dependencia de Vd con el valor de la corriente
• La movilidad disminuye con el incremento de concentración de
portadores en exceso.
– Aumentan los choques entre portadores
µo
µa = µn + µ p = Dependencia de la movilidad con el incremento de la
δn inyección de portadores debido a choques entre ellos.
1+ Modern Power Devices Jayant Baliga, Krieger.
nb
El diodo p-i-n en conducción.(IV)
Dependencia de Vd con el valor de la corriente
• El tiempo de vida medio disminuye con el incremento de portadores

en exceso.
– La probabilidad de recombinación aumenta
τo
τ = 2
 δn 
1 +  
 nb 
Dependencia del tiempo de vida medio con

el incremento de la inyección de
portadores debido a recombinación Auger.
Modern Power Devices Jayant Baliga,
Krieger. 1992

El diodo p-i-n en conducción.(V)
• Incremento de la caída de
tensión en conducción
consecuencia de un valor alto
de la inyección de portadores
– Valor alto cuando es
semejante a la concentración
de mayoritarios de equilibrio
térmico.
• Disminución de la movilidad
– Carrier-carrier scattering.
• y del tiempo de vida medio
– Recombinación Auger
• Otro fenómeno,
recombinación en los
extremos
I F2 d 2 AI F2 d 4 – Inyección de portadores
vd = +3 2 3 3 minoritarios desde las
eµa e µa nbτ a extremos de n- a las p+ y n+

El diodo p-i-n en conducción.(VI)
Modelo del diodo en conducción
iD
VJ Ron
vD
γvVJ VJ (1-γγ)VJo
o
•Caída de tensión en conducción •Potencia de pérdidas

(forma de onda periódica)
v D = i D RON + (VJO − VJ ) = 1
T
1
T T

P = ∫ v D i D dt =  ∫ i DVJ dt + ∫ i D RON dt  =
' 2
i D RON + VJ' T 0 T 0 0 
= VJ' I D ( media ) + I D2 ( RMS ) RON

Intervalos de conmutación. Conmutación resistiva del diodo.

VF
iD IF =
R
iD
trr
vs R t
VR
IF = −
vD vD,ON R
t
tvr≡ tif
Sobretensión en
ton ts VR
el encendido
vs trr: tiempo de recuperación inverso.
t tr=ts+tfi
0 ts: tiempo de almacenamiento.
tif: tiempo de caída de la corriente.
tvr: tiempo de subida de la tensión.
-VR IR: Corriente inversa.
IF: corriente directa.
Conmutación del diodo.
Intervalo de apagado en un diodo p-i-n. Decrecimiento de la concentración de

portadores en exceso.
<<Semikron. Application Book.>>

Modelos del diodo para representar los 2 intervalos de conmutación.
1. Crecimiento y decrecimiento de la carga de minoritarios.

– Intervalo de establecimiento en el encendido.
– Intervalo de almacenamiento en el apagado.
• Capacidad de difusión.
2. Crecimiento y decrecimiento de la región de carga espacial.

– Intervalo de caída de la tensión “inversa” en el encendido.
– Intervalo de crecimiento de la tensión “inversa” en el apagado,
• Capacidad de deplexión.
Qp Qn dQ p
dQn dQdeplexión
iD = + + + +
τ p τn dt dt dt
La ecuación del
balance de
Mantener la Variar la
carga en el Desalojar carga
carga de carga de
diodo minoritarios minoritarios próxima a la unión
para formar la región
de carga espacial

Crecimiento y decrecimiento de la carga de minoritarios. (I)
En el caso de la unión p-n- se

puede simplificar las
ecuaciones despreciando la
presencia del exceso de
carga Qn en p
Qp Qn dQp dQn dQdeplexión

iD = + + + +
τp τn dt dt dt
≈0 ≈0 ≈0
Qp dQp
•Para la conmutación de apagado iD = − I R ≈ − I RP = +
τp dt

Crecimiento y decrecimiento de la carga de minoritarios. (II)
• Usando la ecuación anterior se puede obtener un resultado

aproximado para el cálculo del tiempo de establecimiento, ts, que
ponga en relieve los parámetros que afectan a su valor.
t
[ ]
−
τp
Qp dQp Q p ( t ) = Q p∞ ( t ) − Q p∞ (0) − Q p (0) e (2)
− IR = + (1)
τp dt t
[ ] [[ ] ]
−
τp
Q p ( t ) = − I Rτ p − − I Rτ p − I Fτ p e (3)
•El tiempo de almacenamiento ts, por •Despejando ts en (4)

definición es cuando ocurre Qp(ts)=0
ts
[ ] [[ ] ]
−
τp IR + IF
0 = − I Rτ p − − I Rτ p − I Fτ p e t s = τ p ln
IR
• CONCLUSIÓN:
– ts aumenta cuando lo hacen τp e IF.
– ts disminuye cuando aumenta IR.

Crecimiento y decrecimiento de la carga almacenada en la región

de carga espacial. (I)
• La aparición de tensión inversa en
el diodo implica necesariamente
que en proporción a esta tensión
existe un valor acorde de
extensión de la región de carga
espacial en la unión p-n del diodo.
dQdeplexión dQdeplex dv J
iD = − =−
dt dv J dt C deplex ( v J ) =
dQ
=
A
x n (V J ) =
dv J 2
dv J
= −C deplex (v ) A Na Nd 1  1
dt  2 ε e 
Q = e N d A xn (VJ ) = 2
s
( N a + N d ) VJo   v 
1
2
 1 − D 
2ε s N a  V Jo 
e Nd A
1
(VJo − VD )
e N d (N a + N d ) =
C jo
1
 vD  2
A= Área de la sección del diodo  1 − 
 V Jo 
Crecimiento y decrecimiento de la carga almacenada en la región
de carga espacial. (II)
dQdeplexión dv J
Cdepl (v D ) iD = − = −C depl ( v D ) =
dt dt
d (v Jo − v D ) dv
Cjo − C depl (v D ) = C depl (v D ) D
dt dt
vD dv D
− VR = v D + Ri D = v D + RC depl (v D )
dt
0,7 V Cjo dv D
− VR = v D + R 1
Cdepl(v) dt
iD(t)  v  2
 1 − D  Ecuación
 VJO  diferencial no
Si Cdepl=cte lineal
vD(t) R
-VR  −
t


v D ( t ) = −VR 1 − e RCdepl 
 
 

Tipos de diodos
• Frecuencia de red (propósito general):
– Tensión en conducción muy baja 1 voltio o menos.
www.irf.com
– Valor grande de trr (sobre 25 µs) conmutación muy lenta.
– Hasta corrientes muy altas 5 kA y tensiones muy altas 5 kV.
– Usados principalmente en aplicaciones de red como rectificadores.
• Conmutación rápida (fast recovery):
– Tiempo de recuperación inversa pequeña entre 300ns y 2µ µs.
– Niveles de corriente hasta varios cientos de amperios y de tensión hasta
aproximadamente 1 kV.
– Circuitos de conmutación hasta unos 10 kHz.
• Conmutación ultrarrápida (ultra-fast recovery):
– Tiempo de recuperación inversa pequeña entre 30ns y 300 ns.
– Niveles de corriente hasta unos 500 A y tensión hasta 600 V.
– Circuitos de alta frecuencia de conmutación (hasta 10 MHz).
• Diodos Schottky:
– Diodos unión metal- semiconductor.
– Conducen con baja caída de tensión 0,5V, corrientes hasta 150 A y tensiones hasta
150 V.
– Tiempos de conmutación entre 15 ns y 100 ns.
– Uso en circuitos donde la caída de tensión es importante y alta frecuencia de
conmutación.
Empaquetados de diodos de potencia
Ánodo
Cátodo
Radiador
Montaje al radiador con el

empaquetado tipo puck dos diodos en
paralelo


El Transistor Bipolar de Unión de Potencia. (I)
Esquema de regiones
semiconductoras de un
transistor bipolar de
potencia
Construcción y
secciones.

El Transistor Bipolar de Unión de Potencia. (I)
Emisor
Base
Colector
Intrínseco
Colector
contacto
óhmico
Esquema de regiones semiconductoras de un transistor bipolar de potencia

El Transistor Bipolar de Unión de Potencia. (II)
• Zonas de trabajo
– Corte, activa, cuasisaturación y saturación.

• Tensiones de ruptura
– BVceo
• Máxima tensión que puede
soportar el transistor cuando la
base esta en circuito abierto.
– BVcbo
soportar el transistor cuando la
unión base-emisor se encuentra
en polarización inversa.
– BVsustained
soportar el transistor mientras
conduce una corriente
apreciable.
•Destrucción del transistor

–Ruptura primaria, su origen es la entrada en avalancha de la unión base-colector.
–Ruptura secundaria, su origen es la entrada en un proceso regenerativo que lleva a
concentrar la corriente en pequeñas secciones.

El Transistor Bipolar de Unión de Potencia. (III)
Principio de funcionamiento.
1019 1017 1014

• Zona activa, la unión de emisor polarizada en sentido directo y la de colector en sentido
inverso.
• Despreciando la corriente inversa de saturación de la unión de colector se verifican las
siguientes relaciones entre las corrientes en los terminales y el flujo interno de corrientes
en el transistor.3
i B = − (1 − f ) ie + i p i E = i p − ie iC = − fie
• En régimen estacionario del perfil de concentraciones de carga en el transistor se
verifica, con los sentidos de las corrientes consideradas en la figura:
iC + i B = i E
α
Definiendo
iC = iB = β iB
α npn = η e f ηe =
ie 1−α
i p + ie
El Transistor Bipolar de Unión de Potencia. (III)

Evolución del transistor desde activa a saturación.
• El proceso de modulación
de conductividad se
produce desde la unión de
colector.
– La consecuencia es la
misma que en los diodos,
disminuyendo la
resistividad de la región
de arrastre.
• En saturación, la base
virtual es mucho más
ancha.
– Esto aumenta la
recombinación de
electrones y la β baja.

Criterio para la elección de la corriente de base
BJT TIP31

El MOSFET de potencia.(I)
Esquema de regiones semiconductoras de

un transistor MOSFET de potencia Construcción y secciones HEXFET.
• La estructura de regiones es vertical para conseguir una estructura más robusta.

• En el MOSFET de potencia la fuente y el cuerpo siempre están cortorcircuitados.
– El motivo es cortocircuitar base-emisor del transistor npn parásito que existe en la
estructura del MOSFET.
• No hay problema para la puesta en paralelo debido a que cada celda presenta un
coeficiente de temperatura de la resistencia positivo.

El MOSFET de potencia.(II)
Conmutación de apagado
dv DB dv
C db ≈ C db DS
RD dt dt
idg
Cdg D En la pendiente de crecimiento de la tensión
vDS también influye la capacidad Cdg(v) que se
idb Cdb carga con la corriente Idg.
G VDD
Body
vbe
S Cortocircuitando el
cuerpo
con la fuente se
idg RD consigue polarizar en
Cdg inverso la unión p-n idg RD
cuerpo fuente Cdg
Cdb
VDD
VDD

Fuente
Puerta
iD D
n+ G
p
iD
n- Longitud del canal
n+
S
npn parásito
Drenador
• Como consecuencia del cortocircuito cuerpo-fuente aparece un diodo intrínseco.
• En el MOSFET no va a haber modulación de conductividad.

– La unión que soporta la tensión de corte es la p-cuerpo, n- drenador.
– Cuanto mayor es la tensión de corte mayor es la longitud de n-, como no hay modulación
de conductividad las pérdidas van a ser proporcionales a la longitud de la región de
arrastre.
– Como consecuencia las pérdidas de conducción en MOSFET de tensión de corte muy alta
llegarían a ser inadmisibles. Típicamente sólo se construyen MOSFET comerciales para
cortar hasta unos 1000 V

Formación del canal en el MOSFET.
v GS
G
E Mientras 0 < v GS < V t
S D
El campo eléctrico E aleja a los
huecos. Se crea una región de
n+ n+ carga espacial.
p zona de corte.
v GS  v GS > V t
G Mientras  v
E  GD > V t
S
D Hay un canal conductor que une
drenador y fuente.
n+ n+ Se crea una una región de
p acumulación y zona óhmica.

v GS
G v GS
E v DD
S iD 5V
D Cuanto mayor
R D 4V
3V es vGx más
n+ n+ profundo es el
p V DD v canal
DS
v DD
RD Vth=1,6 V
Zona óhmica G
E
Zona de
Zona de acumulación
inversión Favorece la
conducción

Deducción de la ecuación del canal del MOSFET de canal n en la zona óhmica.
[( )
Cox Vgs − Vt − v( x ) = ]
h( x ) × n × e
ε SiO
C ox = 2
F/cm 2
d
→ Capacidad por unidad de área
σ(x) = h(x) × n × e C/cm 2
→ Densidad de carga por unidad de área
Diferencial de Caída de Tensión a lo largo del canal
dx dx
I D × dRch = I D × = dv( x) I D × = dv ( x )
W ×µn × h( x) × n× e W × µ n × C ox [( v GS − V t ) − v ( x )]
Integrando a lo largo de toda la longitud del canal.
W × µ n × C ox
L v DS
iD = [ 2 ( v GS − V t )v DS − v DS
2
( x )] =
∫ I D dx = W × µ n × C ox ∫ [( v GS − V t ) − v ( x )] dv ( x ) 2L
0 0
K
[ 2 ( v GS − V t ) v DS − v DS
2
( x )]
2

Modelo en régimen ESTÁTICO del transistor que se usará en el circuito
según la zona de funcionamiento.
vGS < Vt . Corte. vGS > Vt y vGS − v DS < Vt . Zona Activa.
El modelo es el de un circuito abierto El modelo es una fuente de corriente

entre drenador y fuente. controlada por la tensión puerta-fuente
D
D G K
G iD = (vGS − Vt )2
2
S S
vGS > Vt y vGS − v DS > Vt . Zona óhmica.

D
D G iD = K(vGS −Vt )vDS=
G v DS << 1
vDS
RON
S S
K
iD = [2(vGS − Vt )v DS − v DS
2
]
2
Capacidades parásitas
de los MOSFET
Capacidad Justificación F/cm2
ε ox
Cgs Capacidad entre metal y semiconductor muy dopado. Cox 1 =
d
Capacidad entre metal y semiconductor.
MOSFET en la zona óhmica región de acumulación en la zona n- Cgd1 que es

que está próxima a la puerta. grande
Cgd
Cgd2 que es
MOSFET en la zona activa o en corte. Región de carga espacial pequeña
en la zona n- que está próxima a la puerta.
Cds
Capacidad de una unión pn Muy variable

Capacidades en el MOSFET (I)
• Capacidad entre 2 placas metálicas
1
– La parte de mayor valor de Cgs CM = ε F / cm 2
d
• Capacidad de una región de carga espacial
– Esta capacidad se calcula como resultado de aplicar la ecuación de Poisson
a regiones de densidad de carga constante
• Concentraciones de los iones donadores y aceptadores de la unión p-n
consonantes, por lo que la ecuación de Poisson parte de las dos siguientes
ecuaciones
d 2V+ N Dn− d 2V− N ABody
= − = −
dy 2 εs dy 2 εs
hasta llegar a la expresión de la capacidad para una unión p-n
1
−
dQ  v  2
C ds ( v ds ) = C deplex ( v J ) =
= C jo  1 − D 
dv J  V Jo 
• Capacidad ligada a una región donde existe carga libre: Cdg y la
parte en el canal de Cgs.
– En este caso la densidad de carga no es constante, sino que depende
de la diferencia de potencial que se aplique
dQsc
C sc =
dv sc
Capacidades en el MOSFET (II)
vm G Metal 1. Las capacidades Cox y Csc
están en serie y forman una
vGy C ox v ox SiO2
capacidad total
C sc C ox
CT =
C sc v sc Carga no
compensada
C sc + C ox
Si dvGy dv ox dv sc dv m dv ox dv sc
Eje y
Región = + + = +
0 neutra dt dt dt dt dt dt
Silicio E=0
=0
Demostración En el SiO2 como no hay carga libre el
vGy = v ox + v sc + v m campo eléctrico es constante
v ox Diferencia de potencial en el SiO2. v ox = E ox d

v sc Diferencia de potencial en el dvGy dEox dv sc dQsc
semiconductor. =d + =
vm Potencial de contacto Metal de puerta- dt dt dQsc dt
SiO2. CONSTANTE que depende de la
dEox 1 dQsc
naturaleza del metal y SiO2 d +
dt C sc (v ) dt
Capacidades en el MOSFET (III)

Aplicando Gauss ε s E sc (0) = Qsc = ε ox Eox
dQsc dE ox
Qsc Carga no compensada en el interior del semiconductor. = ε ox
dt dt
Sustituyendo en la ecuación de
dvGy
dt
dvGy d dQsc 1 dQsc  1 1  dQsc

= + = +  =
dt εox dt Csc(v) dt Cox(v) Csc(v) dt
Csc(v) + Cox(v) dQsc 1 dQsc
  =
 Cox(v)Csc(v)  dt CT (v) dt
• Con lo que queda demostrado que la capacidad total entre metal
y semiconductor separados por un dieléctrico se calcula como la
capacidad en serie de las capacidades de los materiales que
forman la estructura.

Capacidades en el MOSFET (III)

2. Capacidad ligada a una región donde existe carga libre.
Planteamiento.
La concentración de portadores de carga en cada punto de la región de carga no
compensada depende de la diferencia de potencial v sc ( y )
v sc ( y )
vm G Metal nsc ( y ) = nsco e VT

cm − 3
v sc ( y )
C ox v ox SiO2 −
psc ( y ) = psco e VT
cm − 3
Carga no
E( y) v sc ( y ) compensada
Donde
Silicio Eje y Región {nsco , psco }

E=0 0 neutra
0 la concentración en la zona neutra.
La ecuación de Poisson
d 2 v sc
= −
ρ ( y)
= −
( N D − N A + psc ( y ) − nsc ( y ))e
dy 2 εs εs

Capacidades en el MOSFET (IV)
En la zona neutra N D − N A + psco − nsco = 0 ⇒ N D − N A = nsco − psco
d 2 v sc ( y ) e 
v ( y)
− sc  v sc ( y )

= −  psco (e VT 
− 1) + nsco e VT
− 1 
dy 2
ε S   
 
• Integrando la ecuación anterior desde el exterior hacia la superficie de
separación con el SiO2, se obtiene la siguiente expresión para el campo
eléctrico.
dv sc 2 KT  v sc ( y ) nsco  VT ε
Es ( y) = − = F  ,  LD =
dy eLD  VT psco  e psco
1
 v ( y)
− sc v ( y) n
v ( y)
− sc v sc ( y )  2
F = [e VT
+ sc − 1] + sco [e VT
+ − 1]
 VT psco VT 
Como aplicando Gauss ε sVT v (y ) n 
Qs ( y s ) = 2 F  sc s , sco 
Qs ( y s ) = ε s E s ( y s ) LD  VT psco 
dQsc
Con lo que se ha obtenido una expresión
C sc (v sc ) =
analítica para Csc dv sc
Capacidades en el MOSFET (V)

Material base tipo p, cuerpo del MOSFET.
Vsc<0 î acumulación (en corte)

v sc
ε sVT
Qs ( y s ) ≈ 2 e VT Csc en esta
LD v sc zona es
dQs ( y s ) ε grande
C sc = ≈ 2 s e VT
dv sc LD
0<Vsc<0,6 î Región de carga espacial
+inversión débil.
εs
Qs ( y s ) ≈ 2VT v sc Csc en esta
LD zona es
dQs ( y s ) 1 ε sVT 1 pequeña
C sc = ≈
dv sc 2 LD v sc
0,6<Vsc<Vruptura puerta-fuenteî zona
óhmica Csc en esta
εs dQs ( y s ) 1 ε sVT 1
Qs ( y s ) ≈ 2VT v sc C sc = ≈ zona es
dv sc 2 LD v grande
LD sc

Capacidades en el MOSFET (VI)

Material base tipo n, (drenador debajo de la puerta).
Vsc>0 î acumulación, zona óhmica

v sc
ε sVT
Qs ( y s ) ≈ 2 e VT Csc en esta
LD v sc zona es
dQs ( y s ) ε grande
C sc = ≈ 2 s e VT
dv sc LD
-0,6<Vsc<0 î Región de carga espacial
+inversión débil.
εs
Qs ( y s ) ≈ 2VT v sc Csc en esta
LD zona es
dQs ( y s ) 1 ε sVT 1 pequeña
C sc = ≈
dv sc 2 LD v sc
-Vruptura puerta-fuente <Vsc<-0,6 î activa y
corte
Csc en esta
εs dQs ( y s ) 1 ε sVT 1
Qs ( y s ) ≈ 2VT v sc C sc = ≈ zona es
dv 2 L v grande
LD sc D sc

Capacidades en el MOSFET (VII)

Vgd<0
acumulación Óhmica
Vgd>0
Corte
Carga espacial
CSiO2-n- Acumulación
Cuando vgd<0, no se forma la región de Capacidad de
inversión, porque la zona donde debiera una región de
formarse es ocupada por la región de carga carga
espacial
espacial de la unión. La capacidad es la
correspondiente a la de una unión pn polarizada vds=vgs vds
inversamente (pequeña)

Capacidades en el MOSFET (VIII)
Cdg
Cds
Cgs
S
C ox C sn+ C ox C BP C ox C Dn −
C gs = AM C M + As + AB ≈ AM C M C dg = An −
C ox + C sn+ C ox + C BP C ox + C Dn −
Acumulación
Inversión
CSiO2-n- Acumulación
CBP
Capacidad de
una región de Región
carga de carga
espacial espacial
vds=vgs vds vgs=Vth vgs

C iss = C gs + C gd
• Capacidad de entrada
– Formada por el paralelo de Cgs y Cgd
– Como Cgs es prácticamente constante,
el cambio en Ciss se debe a Cgd
C rss = C gd
• Capacidad de realimentación,
Cgd
– Es muy variable
– Aunque es pequeña al estar
situada entre puerta y fuente
afecta bastante a las formas de
onda de conmutación.
C oss = C ds + C gd • Capacidad de salida.
– Combinación de Cds y Cgd en paralelo.
– Es una capacidad muy variable.
– La energía almacenada en Cds cuando el MOSFET estaba en
corte se disipa en su interior

Conmutación resistiva
is
Vin
vs
ts: tiempo de almacenamiento.

tr: tiempo de subida (rise)
tf: tiempo de caída (fall)

Conmutación inductiva
D D
L
Vin Vin
is is
vs
ton toff

• Durante el tiempo de caída o crecimiento de la tensión el transistor.

– se comporta para el circuito como una fuente de tensión que impone al
resto del circuito la dv/dt con la que conmuta.
• Lo dual para los intervalos de crecimiento y decrecimiento de la
corriente.
– Se comporta como una fuente de corriente que impone su di/dt al resto del
circuito.
• Energía de pérdidas en cada conmutación inductiva.
( t ri + t fv ) ( t rv + t fi )
1 1  1 1 
W SC = ∫ i S v S dt +
0
∫
0
i v
S S dt =  ri e o
 2
t V I +
2
t fv e o 
V I

+  rv e o
 2
t V I +
2
t fi e o 
V I

t onVe I o + t off Ve I o = ( t on + t off )Ve I o [J ]

1 1 1
2 2 2
• Pérdidas totales de potencia
PT = Pconducción + f SCW SC f SC Frecuencia de conmutación del convertidor
Comportamiento en Fuente de tensión

Resistencia (MOSFET)
conducción (BJT, IGBT…)
T T
1 1
PC = ∫ i S v S dt =
T 0
PC =
T ∫i S v S dt =
Cálculo pérdidas en 0
t on t on
conducción [W] 1 1
∫ i S ( i S R S )dt = R S I 2
T ∫i S V on dt = V on I AV
T 0
RMS
0

Conmutación de encendido del MOSFET (I)

Conmutación de encendido del MOSFET (II)

Intervalo 1. Corte. vgs crece
hasta que alcanza Vt.
1 t
−
( C dg + C gs ) R g
v gs = VGG (1 − e )
i g = i gs + idg
v g − v gs = Rg i g = Rg ( i gs + idg ) =
dv gs d (v gs − Vd )
Rg [C gs + C dg ]=
dt dt
dv gs
El intervalo 1 acaba cuando vgs=Vt Rg (C gs + C dg ) v gs (0) = 0
dt
Conmutación de encendido del MOSFET (III)

Intervalo 2. Zona activa y
crecimiento de la corriente a
tensión constante.
2
• Mientras haya corriente en el
diodo la tensión AK es cero.
• La tensión de entrada cae en
el transistor.
t
−
( C dg 1 + C gs ) R g
v gs = VGG (1 − e )
iD =
K
2
(
v gs − Vt ) 2
El intervalo 2 acaba cuando i D = I o

Conmutación de encendido del MOSFET (IV)

Intervalo 3.1. Zona activa. Efecto
Miller. Cdg1
3.1 • El diodo ha pasado a corte.

• La corriente casi constanteIo circula por el
transistor.
• Como se encuentra en la zona activa la
ecuación que relaciona la corriente Io con la
tensión Vgs es:
v g − v gs
Io =
K
2
(
v gs − Vt )
2
C dg 1
dv gd
dt
= ig =
R
El intervalo 3.1 termina cuando vds=vgs Como Io es constante también vgs

Conmutación de encendido del MOSFET (V)

Intervalo 3.2. Zona activa. Efecto
Miller. Cdg2
3.2 • Respecto al estado de corte del diodo y de

conducción en la zona activa del transistor es lo
mismo que en el intervalo anterior.
• El cambio es que ahora la capacidad drenador
fuente es Cdg2, mayor que Cdg1 por haberse
formado la zona de acumulación en n- próxima a
puerta
v g − v gs
Io =
K
2
(
v gs − Vt )
2
C dg 2
dv gd
dt
= ig =
R
El intervalo 3.2 termina cuando vds=vgs-Vt Como Io es constante también vgs

Conmutación de encendido del MOSFET (VII)

Intervalo 4. Zona óhmica.
4 •La tensión Vds es pequeña y el

transistor en la zona óhmica.
•La tensión del diodo es igual a
la tensión de entrada
Suponiendo vds ª0
t
−
( C dg 2 + C gs ) R g
v gs = VGG (1 − e )
El intervalo 4 termina cuando vgsªVGG

Conmutación de apagado del MOSFET.
• La conmutación de apagado es la
secuencia inversa a la de
encendido.
– La fuente de tensión ahora vg= 0 V

Circuito de gobierno MOSFET (con optoacoplador)
Fuente aislada
Conexión Push-Pull
ig
Optoacoplador
Circuito de control PWM

Diseño del circuito de gobierno
• Pasar a encendido o apagado

un MOSFET en un tiempo
determinado, características vDS
básicas del circuito de
gobierno.
• Ejemplo:
– Tensión de corte 50 V, ID
corriente ID=16 A.
– Conmutación en 150 ns
• De la gráfica, carga necesaria
hasta que pasa a la zona
óhmica
• Como al principio la corriente
Q ≈ 22 nC que hay que proporcionar es
• Corriente media necesaria de bastante mayor que la media, se
puerta −9
recomienda diseñar con uno
Q 22 10 que nominalmente sea capaz de
I gAV ≈ = = 0,14 A
t son 150 10 − 9 proporcionar el doble de la
corriente media
Opto acoplador HCPL2200
Un factor esencial del dispositivo de aislamiento es su inmunidad al transitorio de

tensión en modo común.
CARÁCTERÍSTICAS DE MOSFET COMERCIALES

Conmutación inductiva del diodo
Diodo ON Diodo OFF
D D
L
Vin Vin
is is
vs
toff ton

Conmutación de apagado del diodo (ocurre cuando se enciende el transistor)
• El transistor y su circuito de gobierno asociado es el que controla las

velocidades de cambio de la corriente y de la tensión del diodo.
– El diseñador puede controlar dentro de los límites de compromiso del diseño la
forma de conmutar.
– Los factores son pérdidas, ruidos, formas de conmutación próximas a la idealidad,
sobre corrientes y sobretensiones.
• Usando las hojas de características, a
partir de IF y de diD/dt se calculan
IF
IRRM, y trr o Qrr
trr
diD 1
Qrr ≈ I RRM t rr
ta tb 2
dt t
• S: factor de colapso (snap factor)
tb
VR
S= ≈5
IRRM
ta
VRRM
• Intuitivamente se ve que IRRM crece
con IF y diD/dt, mientras que trr tiene
que disminuir con diD/dt y aumentar
con IF.

Expresión aproximada de IRRM y trr en función de IF y de diD/dt para

los diodos de potencia
tb di di t 1 1 di D t rr2
S= I RRM = D t a = D rr Qrr ≈ I RRM t rr =
ta dt dt S + 1 2 2 dt ( S + 1)
Despejando trr y luego IRRM
2 Q rr ( S + 1 ) 2Qrr di D
t rr = I RRM =
di D ( S + 1) dt
dt
• Suponiendo que la carga que se desalojaa través de la corriente inversa es la que

previamente se había almacenado cuando el diodo se encontraba en conducción
Qrr≈QF≈IFτ
2 I Fτ ( S + 1) 2 I Fτ di D
t rr = I RRM =
di D ( S + 1) dt
dt

Expresión aproximada de IRRM y trr en función de IF y de diD/dt

• Por compromiso entre pérdidas y tensión de ruptura, un valor razonable se
consigue igualando aproximadamente la longitud de difusión con la longitud
de la región de carga espacial
2ε s 1
L = Dτ ≈ d d= BVBD BVBD :Tensión de ruptura
e Nd
Usando la relación de Einstein
Da 2ε s 1
= VT τ ≈ BVBD
µa VT µ e N d
Integrando la expresión del campo eléctrico y
despejando
2
E BD εs
Nd ≈
eNd eNd 2eBV BD
E+ ( x) = x− xn
εsi εsi 2
4 BVBD
0 < x < xn τ ≈
VT µ E BD
2

Dando valores a los parámetros de la expresión del tiempo de vida medio:
cm 2
VT = 25 mV µ = µ n + µ p = 900 E BD = 2 105 V/cm
Vs
1
4 BVBD 2 4 BVBD 2
τ ≈ = = 2,1 10 −6
BVBD s 2
VT µ E BD
2
25 10 900 10 ( 2 10 )
−3 −4 7
2
El tiempo de vida medio de los portadores de un diodo de 1000 V típicamente será de

2,1 ms
I F ( S + 1) I (5 + 1) IF
t rr ≈ 2 τ = 2 2,110− 6 BVBD F = 7,210− 6 BVBD
diD diD diD
dt dt dt
trr e IRRM proporcionales a BVBD
I F di D I F di D di
I RRM = 2 τ = 2 2,1 10 − 6 BVBD = 1,2 10 − 6 BVBD I F D
( S + 1) dt (5 + 1) dt dt
di D A
BVBD = 800 V I F = 300 A = 100 t rr ≈ 9,9 µs I RRM = 166 A
dt µs

Valores de la conmutación usando las hojas de características (diodo rápido)
300 A
70 µC
µs
100 A/µ Recovered charge
300 A
65 A
100 A/µµs
Peak reverse recovery current
2Qrr 2 7010−6
t rr = = = 2,15 µs
I RRM 65

Área de trabajo segura (Safe Operating Area) del MOSFET
En esta esquina trabaja en la zona óhmica,

pero se aplica la misma ecuación para el
cálculo de la temperatura máxima Si la trayectoria de conmutación se sitúa por
encima de este límite más de 1ms, se
destruye
Máxima tensión de corte
Máxima potencia que puede

disipar
T j − Ta = Rθ PD = Rθ VDS I D
T j = 175 º C
Máxima temperatura que puede soporta el
silicio sin destruirse como semiconductor.
Ta Temperatura ambiente
SOA

El Insulated Gate Bipolar Transistor (IGBT)
C(D)
n+ n+
E(S)
• El IGBT es básicamente un MOSFET al que se le añadido una región p+ en el

drenador
– Se trata de conseguir modulación de conductividad a la vez que se mantiene el control
a través de la tensión puerta-fuente.

• Al aplicar una tensión Vgs mayor que la tensión umbral, se forma un canal. Los
electrones inyectados desde el canal atraen huecos desde de la región p, iniciándose el
proceso de modulación de conductividad. Los huecos atraviesan la unión n--p cuerpo, y
se dirigen lateralmente por debajo de la región n-fuente hacia la metalización de fuente,
donde se recombinan con electrones procedentes de esta metalización.
– El funcionamiento se asegura, siempre que la corriente lateral de huecos en la región p-cuerpo,

no sea capaz de polarizar directamente la unión n-fuente-p-cuerpo.
– Si la citada polarización tiene lugar, la conducción es como en un tiristor, y el IGBT ya no se
puede apagar por puerta. Este queda en la situación de enclavamiento.
– Debido a la presencia de la región n-buffer, el IGBT no puede soportar tensiones inversas (IGBT
asimétrico). Sin esta región, esto seria posible, pero el apagado, seria mucho más lento.

Curva característica del IGBT
• La curva i-v refleja que este

dispositivo participa de las
características del transistor
bipolar y del MOSFET.
• Se distinguen tres zonas
saturación, activa y corte.
– En la zona activa se comporta
como una fuente de corriente
controlado por la tensión puerta-
fuente, pero acusa el efecto Early
al igual que un bipolar.
– La desviación de la tensión de
intersección de las curvas con el
eje de abcisas se e debe a la
caída en conducción de la unión
p-n de drenador.

iS
Canal conductor • En la corriente total del IGBT
participan tanto la corriente de
huecos como de electrones.
Ie – El estudio del flujo de las
corrientes en condiciones de
Ih
equilibrio de la concentración de
Ihd Ied cargas, conduce a una
importante ecuación de
funcionamiento del IGBT, que
determina la proporción de la
corriente de huecos y de
iD
electrones respecto a la total:
1. Huecos que alcanzan la región de 3. Como en el IGBT i D = iS entonces

cuerpo
ih = f ihd i h = fη p i S = fη p ( ie + ih ) = α pnp ( ie + ih )
2. Aplicando la definición de 4. Despejando se obtiene la
eficiencia de inyección relación buscada
ih = f η p i D = α pnp i D α pnp
ih = ie = β pnp ie
1 − α pnp
• El cortocircuito fuente-cuerpo es útil

para cortocircuitar la unión base
emisor del transistor parásito npn Q2
• Si este entra en conducción la puerta
pierde el control de apagado del IGBT
– El IGBT queda enclavado.
• Actualmente antes de alcanzar
corrientes que provocarían el
enclavamiento se ha destruido el IGBT
por disipación de potencia.
– Actualmente en las hojas de
Ie Drenador especificaciones de los fabricantes ni
Rd siquiera se suele mencionar la
Q1 posibilidad de enclavamiento.
Ih • Sin embargo es muy importante

Q2
tenerla en cuenta porque tiene una
gran influencia en cómo los
Puerta Rc fabricantes diseñan los IGBTs que
fabrican.
Fuente

Conmutación del IGBT Conmutación

MOSFET
Conmutación
BJT
(COLA DE
CORRIENTE)
• El proceso de encendido es muy similar al del MOSFET.

– Al IGBT le costará más tiempo alcanzar su tensión final de encendido, debido al tiempo
que lleva completar la modulación de conductividad.
• En la conmutación de apagado hay más diferencias con la del MOSFET.
– La principal es la presencia de una cola de corriente al final de la conmutación. En el
apagado del IGBT pueden distinguirse dos etapas diferenciadas.
– La primera parte de la conmutación corresponde a la conmutación de la parte MOSFET
del IGBT, corriente de electrones, que se produce a gran velocidad.
– La segunda corresponde a la corriente de huecos en exceso en la región de arrastre
cuya concentración debe reducirse por recombinación interna, y por difusión hacia la
región n+ buffer.
• Sin esta región, el único mecanismo para reducir la corriente de huecos sería la recombinación
interna, y la cola de corriente se prolongaría durante mucho tiempo.
COMPARACIÓN ENTRE EL MOSFET Y EL IGBT
• Con un MOSFET con un tamaño de silicio que le permite conducir 12-

15 A y soportar una tensión de corte de 600V, un IGBT puede
conducir 50 A. La capacidad Cds en el IGBT es la combinación en
serie de la capacidad Cds del MOSFET y la capacidad Cj de la unión
p-n de drenador. Por esta razón, esta capacidad es menor en el IGBT.
Además, como el tamaño del IGBT para conducir iguales corrientes
que en el MOSFET es menor, a igualdad de potencias manejadas, su
capacidad Cgs, también será menor en 1/5 en el IGBT.
• La resistencia en conducción del MOSFET se incrementa con la
temperatura, lo que limita su capacidad de conducir corriente. En el
IGBT, el coeficiente negativo de la resistividad de su parte de
transistor bipolar, se complementa con el coeficiente positivo de su
parte MOSFET, para hacer que su potencia de pérdidas sea casi
independiente de la temperatura. El inconveniente de la modulación
de conductividad es el incremento en los tiempos de conmutación del
IGBT con respecto al MOSFET.
• El diseño de los circuitos de gobierno del IGBT se basarán en las
mismas consideraciones que se aplicaron en el caso de los circuitos
de gobierno de los MOSFET.

DATOS DE IGBTs COMERCIALES

COMPARACIÓN DE DISPOSITIVOS DE POTENCIA
Hz

IGBT SKM 400GA 124D (I)
Seguridad de los equipos

de tratamiento de la
información incluyendo
los equipos eléctricos de
oficina EN60950

Definición de los tiempos de conmutación SEMIKRON
Conmutación de encendido Conmutación de apagado

IGBT SKM 400GA 124D (II)

IGBT SKM 400GA 124D (III)

BJT MOSFET IGBT Tiristor GTO IGCT
Finales Primero
Disponible Mitad 80s Mitad 90s Mitad 80s Mitad 90s
70s 60s
Madura/ Mejora
Estado Mejora
Madura rápidamen Madura Madura
Tecnología Mejora rápidamente
te
Tensión de
1 kV 500 V 3,3 kV 5 kV 5 kA 6,5 kV
corte
Corriente 400 A 200 A 1,2 kA 4 kA 5 kA 4 kA
Frecuencia
5 kHz 1 MHz 100 kHz 5 kHz 2 kHz 1 kHz
conmutación
Tensión en
1-2 V I Rds(on) 2-3 V 2V 2-3 V 3V
conduce
Circuito Muy
Difícil Muy simple Simple Muy difícil Simple
gobierno simple
El de
No usar en Para alta y mejor Semicontro El rey en Esta
Comentarios nuevos muy alta comporta lado Muy muy alta reemplazan
productos frecuencia miento robusto potencia do al GTO
general

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Tema 2. Dispositivos de potencia.

Visión general de los dispositivos de potencia

• Material de los componentes electrónicos de potencia es el

5º II Electrónica de Potencia 2009/10 -2-

El diodo de potencia. Niveles de energía de los átomos aislados

C 1s2 2s2 2p2

5º II Electrónica de Potencia 2009/10 -3-

•Cuando la distancia entre átomos decrece y los

5º II Electrónica de Potencia 2009/10 -4-

(a) Conductor (b)Semiconductor c) Aislante

Si 4H-SiC 6H-SiC GaAs

5º II Electrónica de Potencia 2009/10 -5-

• En el átomo de silicio aislado, hay 4 electrones en la capa

• Para conducir corriente eléctrica debe haber electrones en

5º II Electrónica de Potencia 2009/10 -8-

• Un semiconductor puro se conoce como intrínseco (sin impurezas

• Cuando un electrón en la banda de conducción encuentra un hueco en

5º II Electrónica de Potencia 2009/10 -10-

Corriente por campo eléctrico (I)

Corriente por campo eléctrico (II)

300K Si 4H-SiC 6H-SiC

Sin embargo, la intensidad de campo eléctrico de ruptura es mucho

5º II Electrónica de Potencia 2009/10 -12-

Corriente por difusión

5º II Electrónica de Potencia 2009/10 -13-

• Sustituyendo átomos de Si por elementos de la columna 5 del sistema

5º II Electrónica de Potencia 2009/10 -14-

• Cada uno de estos

5º II Electrónica de Potencia 2009/10 -15-

Semiconductor tipo-p • Cada uno de estos elementos

5º II Electrónica de Potencia 2009/10 -17-

• Los átomos de boro,

5º II Electrónica de Potencia 2009/10 -18-

¿Cómo calcular el numero de electrones y huecos disponibles para conducción?

5º II Electrónica de Potencia 2009/10 -19-

Concentración extrínseca. Semiconductor tipo-n (II)

• Si se despeja po en la expresión de • Típicamente como la

Concentración extrínseca. Semiconductor tipo-p (I)

¿Cómo calcular el numero de electrones y huecos disponibles para conducción?

5º II Electrónica de Potencia 2009/10 -21-

Concentración extrínseca. Semiconductor tipo-p (II)

•Si se despeja no en la expresión • Típicamente como la concentración

5º II Electrónica de Potencia 2009/10 -22-

Concentración de portadores en un semiconductor extrínseco,

200 400 600

5º II Electrónica de Potencia 2009/10 -23-

• Este movimiento despuebla de

Por difusión hay inicialmente

5º II Electrónica de Potencia 2009/10 -25-

•Región tipo-n •Fuera de la región de carga espacial

5º II Electrónica de Potencia 2009/10 -26-

1ª Integración de la ecuación de Poisson Aplicando la 1ª Condición de

5º II Electrónica de Potencia 2009/10 -27-

5º II Electrónica de Potencia 2009/10 -28-

La unión p-n. Tensión en la unión (IV)

5º II Electrónica de Potencia 2009/10 -29-

Extensión de la región de carga espacial en función de la tensión aplicada

5º II Electrónica de Potencia 2009/10 -30-

La unión p-n. Tensión en la unión (VI)

5º II Electrónica de Potencia 2009/10 -31-

Ruptura por avalancha

• El impacto de los electrones y

5º II Electrónica de Potencia 2009/10 -32-