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INTRODUCTION GENERALE
I. INTRODUCTION ................................................................................................ 5
II. TYPES DE CABLES ............................................................................................ 5
1. Les câbles bananes avec reprise arrière ou non .....................................................5
2. Les câbles coaxiaux BNC, BNC-BNC .................................................................5
3. Les sondes d’oscilloscope ....................................................................................5
III. ELEMENTS PASSIFS .......................................................................................7
1. Les résistances ....................................................................................................7
2. Les condensateurs ............................................................................................. 10
3. Les selfs inductances ......................................................................................... 11
IV. LES ELEMENTS ACTIFS ............................................................................... 11
1. Les diodes......................................................................................................... 11
2. Les transistors ................................................................................................... 15
V. APPAREILS DU LABORATOIRE .................................................................... 20
1. Appareils de mesure .......................................................................................... 20
2. Générateurs ...................................................................................................... 22
VI. AUTRES EQUIPEMENTS .............................................................................. 23
1. Plaque à essai.................................................................................................... 23
2. Boitier de réseau de résistances et boitier de réseau de capacités.......................... 24
3. Equipements de soudure et dessoudure à l’étain ................................................. 24
VII. CONCLUSION PARTIELLE .......................................................................... 27
I. INTRODUCTION .............................................................................................. 29
II. PRESENTATION DU MONTAGE ET CAHIER DE CHARGE ....................... 29
III. TRACE EXPERIMENTAL DES CARACTERISTIQUES COURANT-
TENSION DES TRANSISTORS ............................................................................... 30
Compétences attendues :
- Identification des différents appareils et instruments de base en électronique;
- Compréhension du principe de fonctionnement de chaque appareil et
instrument;
- Utilisation de ces appareils lors des différentes manipulations.
Les câbles et les sondes permettent de relier les composants du circuit et/ou de
connecter les appareils de mesure. Au laboratoire d’électronique nous disposons des
différents types de câbles suivants :
1. Les câbles bananes avec reprise arrière ou non
On dispose de deux diamètres : 4mm et 2mm. Les câbles bananes de 2mm sont prisés pour
les circuits logiques tels que dans les multimètres et en général les câbles bananes sont adaptés
pour le continu et la très basse tension. Le câble banane de 4mm est muni d’un système de
ressort pour permettre une bonne connexion avec le câble dans lequel il sera inséré.
𝑍𝑝
𝐼𝑚 ( ) = 0 signifie donc 𝑅𝑝 𝑅0 𝐶0 𝜔(𝑅𝑝 + 𝑅0 ) − 𝑅𝑝 2 𝑅0 𝜔(𝐶0 + 𝐶𝑝 ) = 0
𝑍𝑝 + 𝑍0
Donc 𝑹𝟎 𝑪𝟎 = 𝑹𝒑 𝑪𝒑
On dispose de plusieurs méthodes pour obtenir la valeur d’une résistance. L’une des
méthodes faciles est d’utiliser un multimètre. Pour cela il suffit de régler le multimètre a la
position ohm sur un calibre suffisamment élevé ensuite connecter les deux sondes du
multimètre. Si aucune valeur ne s’affiche diminuer le calibre jusqu’à obtention d’une
valeur. La valeur affichée est alors celle de la résistance. Cependant on dispose d’une autre
méthode appelée code de couleur des résistances qui permet d’avoir l’ordre de grandeur
d’une résistance ou sa valeur à une incertitude près. Cette méthode peut être appliquée
avant une mesure au multimètre afin de bien choisir le calibre. On a quatre ou cinq
anneaux de couleur et à chaque couleur correspond un chiffre. Les 2/3 premiers chiffres
sont pour la valeur, le suivant pour le multiplicateur et le dernier pour la tolérance. Le tableau
ci-dessous donne l’équivalence couleur-chiffre.
2. Les condensateurs
Tout comme les résistances, on peut déterminer la valeur d’un condensateur par un
code de couleur en plus de sa mesure avec un multimètre.
1. Les diodes
Les principaux types de diodes rencontrés au laboratoire sont :
Diode de redressement
Elles sont utilisées essentiellement dans les montages redresseurs pour passer d'une
tension alternative à une tension continue. Elles présentent généralement les
caractéristiques suivantes : fort courant direct, de quelques 10A à quelques milliers
Diode zener
La diode zener ou diode à avalanche contrôlée présente la particularité de ne pas se
détruire lorsqu'en inverse elle atteint sa zone d'avalanche. Elle est essentiellement utilisée
pour cette caractéristique donc en inverse. La diode zener ne laisse passer le courant que
dans un un sens, mais permet le passage du courant dans le sens inverse à partir d’une
certaine tension inverse sans destruction de la diode. Une diode zener correspond à un
clapet anti retour équipé d’une soupape de sécurité dans un circuit hydraulique.
Diode électroluminescente
Les diodes électroluminescentes (LED ou DEL) présentent la particularité d'émettre de
la lumière dans un spectre plus ou moins large suivant la conception de la diode.
L'ensemble du spectre visible est actuellement couvert, mais on trouve aussi des diodes
infrarouges. La tension de seuil de la diode est d'autant plus grande que le spectre émis est
énergétique. Ces diodes ne supportent généralement que quelques volts de tension inverse.
Les diodes électroluminescentes sont utilisées en traitement du signal dans les
photocoupleurs.
Photodiode
La photodiode génère un courant à partir des paires électrons-trous produites par
l'incidence d'un photon suffisamment énergétique dans le cristal. L'amplification de ce
courant permet de réaliser des commandes en fonction de l'intensité lumineuse perçue par
Diode varicap
La diode varicap est utilisée en polarisation inverse. Sa particularité est de présenter
une capacité qui dépend de cette polarisation. Elles sont généralement utilisées dans tous
les systèmes à accord numérique tels que des récepteurs radios et TV.
Diode schottky
Ce sont des diodes rapides qui présentent la particularité d'avoir une tension de seuil faible.
Ses autres caractéristiques sont similaires aux diodes rapides : faible courant direct,
quelques dizaines de mA, faible tension inverse, quelques dizaines de volts, faible
dissipation de puissance, quelques dizaines de mW, commutation très rapide.
V
d
MANMBEM ARLETTE (14P196) & EMA’A JOEL (14P050) 14
La figure ci-dessous regroupe les caractéristiques de différentes diodes.
2. Les transistors
Les trous injectés dans la base par l'émetteur ont une faible probabilité de se recombiner
avec les électrons de la base pour deux raisons :
la base est faiblement dopée, donc, les porteurs majoritaires (électrons) seront peu
nombreux.
c. Effet transistor
L’effet transistor consiste à contrôler, à l’aide du courant de base𝐼𝐵 , relativement faible,
un courant de collecteur𝐼𝐶 , beaucoup plus important.
d. Caractéristique électrique
Quand on branche un transistor, si on s'arrange pour qu'il y ait une patte commune à
l'entrée et à la sortie du montage, il y a 3 manières fondamentales de procéder :
Si la patte commune est l'émetteur alors on parle de montage émetteur commun.
L'entrée est la base et la sortie le collecteur.
Si la patte commune est la base alors on parle de montage base commune. L'entrée est
l'émetteur et la sortie le collecteur.
Si la patte commune est le collecteur alors on parle de montage collecteur commun.
L'entrée est la base et la sortie l'émetteur.
Nous pouvons utiliser le montage suivant :
Les constructeurs précisent, pour chaque type de transistor, les valeurs à ne pas dépasser
sous peine de détruire le composant. La puissance que peut dissiper un transistor est donnée par
:
𝑷𝒅 = 𝑽𝑪𝑬 𝑰𝑪 + 𝑽𝑩𝑬 𝑰𝑩
Ainsi,
𝑷𝒅 = 𝑽𝑪𝑬 𝑰𝑪
Les coordonnées des points pour lesquels la puissance maximale est atteinte sont liées
par la relation :
𝑷𝒅𝒎𝒂𝒙 = 𝑽𝑪𝑬 𝑰𝑪
Donc
𝑷𝒅
𝑰𝑪 = 𝒎𝒂𝒙
𝑽𝑪𝑬
Dans le réseau de sortie, cette relation est l’équation de l’hyperbole de dissipation
maximale (H).
V. APPAREILS DU LABORATOIRE
1. Appareils de mesure
C’est un appareil de mesure qui permet de visualiser la tension mesurée sur un écran
gradué selon deux axes : L’axe vertical (tension en volt) possède 10 divisions et l’axe
horizontal (temps en seconde) il possède aussi 10 divisions. Chaque division est divisée en
5 sous divisions. L’oscilloscope possède 2 entrées CH1 et CH2 dont l’impédance d’entrée
de chaque entrée est : (Rentrée = 1 Mega ohm, Centrée = 20 pF) Ces deux entrées peuvent
être visualisées sur l’écran séparément en agissant sur le bouton CH I/II ou en ensemble.
On peut également additionner ces deux entrées.
Chaque entrée de l’oscilloscope peut être utilisée sur l’un des trois modes suivants :
Le multimètre
Le multimètre est un appareil de mesure très utilisé en électronique grâce à ses multiples
fonctions. Il est doté de 02 sondes ; rouge et noire placées respectivement sur la borne de
mesure (tension, courant, impédance…) et sur la borne COM comme référence.
La formule pour le calcul d’erreur est donnée par le constructeur et est de la forme :
𝑥% 𝑣𝑎𝑙𝑒𝑢𝑟 𝑙𝑢𝑒 + 𝑎 U. R
Où U.R (unité de représentation) est l’unité du dernier chiffre affiché.
2. Générateurs
Pour générer une tension ou un courant électrique. Nous distinguons :
Générateurs de tension continue
Générateurs de tension alternative
Générateur audio
Générateur basse fréquence
La soudure (brasure) à l’étain repose sur quelques principes de base simples. Son but
premier est d’assurer une excellente conductibilité électrique entre différents conducteurs
(électrodes métalliques d’un composant, circuit imprimé, fil, etc.). Pour effectuer une
soudure parfaite, il faut toujours garder en tête que les deux conducteurs doivent avoir
une température supérieure au point de fusion du fil à souder. Pour atteindre les
températures voulues, il faut favoriser le transfert de chaleur du fer chaud vers les
conducteurs. Dans le cas de soudure sur un circuit imprimé, il faut contrôler son état de
conductibilité électrique (validation) avant d’implanter les composants.
La soudure se fait en chauffant les deux parties métalliques à souder (dans ce cas, le
circuit imprimé et le composant électronique mis en place) et en y appliquant le fil de
soudure (mélange étain +plomb + flux de soudure) qui fond à la chaleur et se combine aux
éléments à souder. Cela permet d'obtenir un lien métallique solide entre les deux parties,
qui assure à la fois la continuité électrique et la solidité mécanique.
Fil à souder (soudure) (#6) : On retrouve des fils composés de différents alliages
d’étain. La température de fusion sera différente d’un alliage à un autre et s’il
contient ou pas de plomb (ex : avec plomb ± 180oC et sans plomb ± 220oC).
Généralement, le fil à souder contient du flux de soudure. Ce produit acide permet
un nettoyage des pièces et favorise l’adhérence de la soudure sur ces dernières. Un
fil à souder d’un diamètre entre 0,5 et 0,8 mm est idéal pour les soudures effectuées
en classe.
A la fin de cette première partie de notre TP qui avait pour but de nous familiariser à
l’environnement du laboratoire d’électronique et combler nos lacunes des années
antérieures. Nous pensons avoir atteint cet objectif car maitrisons dès lors le
fonctionnement de chacun des composants identifiés ci-dessus à savoir : appareils de
mesures, composants actifs et passifs, différents câbles et sondes ; ainsi que les techniques
de soudure. Nous sommes donc aptes à aborder la deuxième partie de notre TP qui consiste
à une application de ces différentes notions acquises via un mini projet de conception.
Le but de ce mini-projet est de permettre à chaque étudiant que nous sommes d’acquérir
un savoir-faire effectif en électronique en passant de la théorie à la pratique. Le projet
consiste en la conception et réalisation d’un amplificateur 2 étages classe A à contre
réaction. Un cahier de charges nous a été fourni avec des directives et instructions
nécessaires.
Ce rapport s’articule en quatre principales parties:
- PRESENTATION DU MONTAGE ET CAHIER DE CHARGE
- TRACE EXPERIMENTAL DES CARACTERISTIQUES COURANT-
TENSION DES TRANSISTORS
- DETERMINATION DES PARAMETRES 𝐻𝑖𝑗𝐸
- ETUDE DE L’AMPLIFICATEUR EN REGIME STATIQUE
Cahier de charges
RC1
5.6k
+88.8
mA
RB1
390k
C3
+88.8
mA
100u
Q2 B1
+88.8 BC327 +88.8 20V
µA Volts
C1(1) C1 Q1
+88.8 BC327 +88.8
µA Volts
100u
R5
1.8k C2
RB2 100u
68k R2
1.5k
D
A
B
III. TRACE EXPERIMENTAL DES CARACTERISTIQUES
COURANT-TENSION DES TRANSISTORS
Matériel utilisé
RC
+88.8
mA 8.2K
RB1
RB0 T
BC327
3M
CN1206K30G
EC
EB +88.8 1.5V
30V Volts
+88.8
Volts
dimensionnement du montage
Pour chacune des valeurs d’IB comprise entre 0 et 𝐼𝐵𝑚𝑎𝑥 prise à des pas réguliers,
nous calculons RB1. Ensuite pour chacune des valeurs de Ec fixée nous mesurons VCE,
VBE et IC.
Nous appliquons la loi des mailles dans la maille d’entrée du transistor afin de
déterminer l’expression du courant de base. On obtient :
𝐸𝐵 − 𝑉𝐵𝐸
𝐼𝐵 =
𝑅𝐵0 + 𝑅𝐵1
Sachant que 𝐸𝐵 ≫ 𝑉𝐵𝐸
𝐸𝐵
𝐼𝐵 ≈
𝑅𝐵0 + 𝑅𝐵1
D’où
𝐸𝐵
𝑅𝐵1 = − 𝑅𝐵0
𝐼𝐵
Nous appliquons la loi des mailles dans la maille de sortie afin de déterminer le courant
collecteur.
𝐸𝑐𝑚𝑎𝑥
𝐼𝐶𝑚𝑎𝑥 =
𝑅𝐶
D’où
𝐸𝑐𝑚𝑎𝑥 𝐸𝑐𝑚𝑎𝑥
𝑅𝐶 = =
𝐼𝐶𝑚𝑎𝑥 𝛽𝐼𝐵𝑚𝑎𝑥
Photo du montage
1. Caractérisation de T1
30
𝑅𝐶 = = 8.17 ∗ 103 Ω
367 ∗ 10 ∗ 10−6
La valeur normalisée appartenant à la série (E12, 10%) est : 𝑹𝑪 = 𝟖. 𝟐 ∗ 𝟏𝟎𝟑 Ω
Les valeurs obtenues sont récapitulées dans le tableau ci-dessous. Toutes les valeurs ont été
multipliées par -1 afin d’alléger les notations et limiter l’effet miroir du au renversement
des caractéristiques. On se ramène ainsi au cas des transistors NPN pour qui toutes les
grandeurs sont positives.
Ib=0.5uA
Ic 0 0,000 0,000 0,000 0,000 0,000 0,000 0,000 0,000 0,000
14 14 14 15 16 17 17 18 19
Vce 0 0,721 1,67 2,278 4,73 7,65 10,6 13,5 16,5 19,3
Vb 0 0,535 0,536 0,536 0,536 0,536 0,536 0,536 0,536 0,536
e
Ib=1uA
Ic 0 0,000 0,000 0,000 0,000 0,000 0,000 0,000 0,000 0,000
22 28 3 3 31 35 36 37 39
Vce 0 0,136 0,568 1,5 3,39 6,25 9,12 12 14,87 17,75
Vb 0 0,556 0,56 0,561 0,561 0,56 0,56 0,56 0,56 0,56
e
ib=2uA
Ic 0 0,000 0,000 0,000 0,000 0,000 0,000 0,000 0,000 0,000 0,000
23 346 47 598 633 661 692 715 743 767
Vce 0 0,088 0,109 0,11 1,12 4,02 6,49 9,2 11,95 14,72 17,42
Vb 0 0,558 0,568 0,576 0,58 0,58 0,579 0,579 0,578 0,578 0,577
e
Ib=3uA
Ic 0 0,000 0,000 0,000 0,000 0,000 0,000 0,001 0,001 0,001 0,001 0,001
228 34 477 715 915 965 02 05 086 123 161
Vce 0 0,072 0,09 0,102 0,13 1,5 4,04 6,64 9,32 11,97 14,66 17,3
Vb 0 0,559 0,57 0,576 0,587 0,591 0,59 0,589 0,589 0,588 0,587 0,586
e
Ib=
4
Ic 0 0,000 0,000 0,000 0,000 0,001 0,001 0,001 0,001 0,001 0,001 0,001 0,001
224 36 479 717 073 23 296 349 401 454 503 55
Vce 0 0,06 0,078 0,088 0,11 0,166 1,9 4,26 6,79 9,48 11,95 14,37 17,05
Vb 0 0,559 0,57 0,577 0,587 0,597 0,598 0,598 0,597 0,596 0,595 0,596 0,593
e
Ib=5uA
Ic 0 0,000 0,000 0,000 0,000 0,001 0,001 0,001 0,001 0,001 0,001 0,001 0,001
228 359 467 714 056 428 558 632 7 765 826 889
Vce 0 0,055 0,069 0,079 0,097 0,126 0,205 2,16 4,45 6,96 9,42 11,8 14,25
1.2. Courbes de T1
Nous avons choisi de tracer nos courbes sur EXCEL du fait de sa facilité d’utilisation
et de sa bonne précision même sur des valeurs de mesure très petites.
1er quadrant : courbe de Ic=f(Vce) à Ib=cste
0,0025
IB=0.5uA
IB=1uA
0,002
IB=3uA
IB=4uA
0,0015
IB=5uA
IB=6uA
0,001
IB=7uA
IB=8uA
0,0005
IB=9uA
0 iB=2uA
0 5 10 15 20 25
Vce(V)
20
IB=0.5uA
IB=1uA
15 IB=2uA
Vce(V)
IB=3uA
IB=4uA
10 IB=5uA
IB=6uA
IB=7uA
5
IB=8uA
IB=9uA
0
0,53 0,54 0,55 0,56 0,57 0,58 0,59 0,6 0,61 0,62 0,63
vbe(V)
Ib 0 0,00000 0,00000 0,00000 0,00000 0,00000 0,00000 0,00000 0,00000 0,00000 0,00000
(A) 05 1 2 3 4 5 6 7 8 9
0,0025
0,002
Vce=6.54V
Ic(A)
0,0015
Vce=5V
Vce=3.33V
0,001
Vce=1.79V
0,0005
0
0 0,0000010,0000020,0000030,0000040,0000050,0000060,0000070,0000080,0000090,00001
Ib(A)
0,000009
0,000008
0,000007
0,000006
Vce=6.54V
Ib(A)
0,000005
Vce=5V
0,000004
Vce=3.33V
0,000003 Vce=1.79V
0,000002
0,000001
0
0 0,1 0,2 0,3 0,4 0,5 0,6 0,7
Vbe(V)
2. Caractérisation de T2
30
𝑅𝐶 = = 1.8 ∗ 103 Ω
304 ∗ 50 ∗ 10−6
La valeur normalisée appartenant à la série (E12, 5%) est : 𝑹𝑪 = 𝟏. 𝟖 ∗ 𝟏𝟎𝟑 Ω
Les valeurs obtenues sont récapitulées dans le tableau ci-dessous. Toutes les valeurs ont été
multipliées par -1 afin d’alléger les notations et limiter l’effet miroir du au renversement
des caractéristiques. On se ramène ainsi au cas des transistors NPN pour qui toutes les
grandeurs sont positives.
Vcc 0 1 2 3 4 6 9 12 15 18 21 24 27 30
Ib=2uA
Ic 0 0,000 0,001 0,001 0,001 0,001 0,001 0,001 0,001 0,001 0,001
51 02 19 24 27 32 37 41 45 49
Vce 0 0,082 0,164 0,858 1,768 3,714 6,624 9,534 12,46 15,39 18,31
2 8
Vbe 0 0,586 0,602 0,605 0,605 0,604 0,604 0,602 0,602 0,6 0,6
Ib=4uA
Ic 0 0,000 0,000 0,000 0,000 0,001 0,001 0,001 0,001 0,001 0,001
486 938 978 997 026 062 098 13 165 198
Vce 0 0,125 0,311 1,239 2,205 4,153 7,088 10,02 12,96 15,90 18,84
2 6 6 4 2 4 36 6 3 36
Vbe 0 0,585 0,601 0,601 0,601 0,6 0,6 0,599 0,599 0,597 0,597
ib=6uA
Ic 0 0,000 0,000 0,001 0,001 0,001 0,001 0,001 0,001 0,001 0,001
496 997 434 47 52 581 636 686 737 786
Vce 0 0,107 0,205 0,418 1,354 3,264 6,154 9,055 11,96 14,87 17,78
2 4 8 2 2 52 34 52
Vbe 0 0,587 0,603 0,611 0,611 0,61 0,608 0,608 0,606 0,605 0,603
Ib=12uA
Ic 0 0,000 0,001 0,001 0,002 0,002 0,003 0,003 0,003 0,003 0,003 0,00
505 018 53 14 89 04 17 28 39 5 362
Vce 0 0,091 0,167 0,246 0,148 0,798 3,528 6,294 9,096 11,89 14,7 17,4
6 8 84
Vbe 0 0,59 0,605 0,615 0,623 0,629 0,628 0,626 0,624 0,622 0,619 0,61
6
Ib=18uA
Ic 0 0,000 0,001 0,001 0,002 0,003 0,004 0,004 0,004 0,005 0,005 0,00 0,00 0,00
53 07 61 15 23 4 67 82 01 18 536 552 565
Vce 0 0,046 0,074 0,102 0,13 0,186 1,08 3,594 6,324 8,982 11,67 14,3 17,0 19,8
6 52 64 3
Vbe 0 0,593 0,607 0,616 0,623 0,632 0,636 0,634 0,63 0,628 0,623 0,62 0,61 0,61
6 5
Ib=24uA
Ic 0 0,000 0,001 0,001 0,002 0,003 0,004 0,005 0,006 0,006 0,006 0,00 0,00 0,00
53 07 61 15 24 87 88 15 41 65 692 714 745
Vce 0 0,046 0,074 0,102 0,13 0,168 0,234 1,416 3,93 6,462 9,03 11,5 14,1 16,5
44 48 9
Vbe 0 0,596 0,609 0,618 0,625 0,635 0,644 0,647 0,644 0,641 0,636 0,63 0,62 0,61
1 6 9
Ib=30uA
Ic 0 0,000 0,001 0,001 0,002 0,003 0,004 0,006 0,007 0,007 0,008 0,00 0,00 0,00
53 07 62 16 25 89 52 44 83 15 845 876 895
Vce 0 0,046 0,074 0,084 0,112 0,15 0,198 0,264 1,608 3,906 6,33 8,79 11,2 13,8
32 9
Vbe 0 0,598 0,61 0,618 0,624 0,633 0,643 0,649 0,648 0,644 0,638 0,63 0,62 0,62
5 9 6
Ib=36uA
Ic 0 0,000 0,001 0,001 0,002 0,003 0,004 0,006 0,008 0,008 0,009 0,00 0,01 0,01
54 07 62 17 26 9 54 17 9 34 973 014 052
Vce 0 0,028 0,074 0,084 0,094 0,132 0,18 0,228 0,294 1,98 4,188 6,48 8,74 11,0
6 8 64
Vbe 0 0,601 0,612 0,62 0,626 0,636 0,646 0,652 0,658 0,656 0,652 0,64 0,64 0,63
7 1 5
Ib=42uA
2.2 Courbes de T2
0,012 IB=2uA
IB=4uA
0,01
IB=6uA
0,008 IB=12uA
Ic (A)
0,006 IB=18uA
IB=24uA
0,004
IB=30uA
0,002 IB=36uA
IB=42uA
0
0 2 4 6 8 10 12 14 16 18 20 IB=48uA
Vce (V)
20 IB=2uA
IB=4uA
IB=6uA
15
Vbe(V)
IB=12uA
IB=18uA
10
IB=24uA
IB=30uA
5 IB=36uA
IB=42uA
0 IB=48uA
0,58 0,59 0,6 0,61 0,62 0,63 0,64 0,65 0,66 0,67 0,68
Vce(V)
Les quadrants à Vce=cste sont déduits des mesures précédentes les résultats obtenus sont
regroupés dans le tableau de mesures ci-dessous :
Vce=4V
Ic en 0 0,0010300 0,0012 0,0015 0,0030 0,0046 0,0061 0,0078 0,0093 0,0109 0,0124
A 75 93 64 53 62 5 05 08 77 66
Vbe 0 0,6006451 0,6058 0,6112 0,6290 0,6354 0,6451 0,6451 0,6512 0,6541 0,6593
en V 61 06 9 32 52 61 61 9 94 55
Vce=3V
Ic en 0 0,0009774 0,0012 0,0015 0,0030 0,0046 0,0060 0,0076 0,0090 0,0108 0,0121
A 44 78 04 08 47 9 99 98 27 65
Vbe 0 0,6009677 0,6061 0,6112 0,6290 0,6354 0,6464 0,6464 0,6551 0,6545 0,6619
en V 42 29 9 32 84 52 52 61 16 35
Vce=2V
Ic en 0 0,0009774 0,0012 0,0014 0,0029 0,0045 0,006 0,0075 0,0088 0,0105 0,0118
A 44 78 74 77 86 64 87 71 8
Vbe 0 0,6022580 0,6064 0,6125 0,6296 0,6377 0,6483 0,6487 0,6564 0,6564 0,6638
en V 65 52 81 77 42 87 1 52 52 71
Ib 0 0,000002 0,0000 0,0000 0,0000 0,0000 0,0000 0,0000 0,0000 0,0000 0,0000
04 06 12 18 24 3 36 42 48
0,012
0,01
0,008
Ic (A)
Vce=2V
0,006
Vce=3V
0,004 Vce=4V
0,002
0
0 0,00001 0,00002 0,00003 0,00004 0,00005 0,00006
Ib (A)
0,00005
0,00004
Vbe(V)
0,00003 Vce=2V
0,00002 Vce=3V
Vce=4V
0,00001
0
0 0,1 0,2 0,3 0,4 0,5 0,6 0,7
ib(A)
1. Transistor T1
1000000
800000
vce=6.54V
600000
vce=5v
h11
400000 vce=3.33V
200000 vce=1.79V
0
0 0,000001
0,000002
0,000003
0,000004
0,000005
0,000006
0,000007
0,000008
0,0000090,00001
-200000
IB (A)
350
300
250
vce=6.54V
200
vce=5v
h21
150 vce=3.33V
100 vce=1.79V
50
0
0 0,0005 0,001 0,0015 0,002 0,0025 0,003
Ic (A)
On obtient :
0,02
0,015
ib=0.5uA
h22
0,01 ib=3uA
ib=6uA
0,005 ib=9uA
0
0 5 10 15 20 25
-0,005
vce(V)
12
10
8 ib=0.5uA
h12
6 ib=3uA
4 ib=6uA
ib=9uA
2
0
0 0,1 0,2 0,3 0,4 0,5 0,6 0,7
-2
vbe(V)
2. Transistor T2
Ib(A) 0 0,000002 0,0000 0,0000 0,0000 0,0000 0,0000 0,0000 0,0000 0,0000 0,0000
04 06 12 18 24 3 36 42 48
Ib=2uA
Ic 0 0,0005 0,00 0,00 0,0 0,001 0,00 0,001 0,001 0,001 0,001
1 102 119 012 27 132 37 41 45 49
4
V 0 0,16 0,85 1,7 3,714 6,62 9,534 12,46 15,39 18,31
ce 0,082 4 8 68 4 2 8
V 0 0,586 0,60 0,60 0,6 0,604 0,60 0,602 0,602 0,6 0,6
be 2 5 05 4
h1 0 7,1463 0,19 0,00 0 - 0 - 0 - 0
2 4146 5121 4322 0,000 0,000 0,000
95 77 5138 6872 6830
7 9 6
Ib=18uA
Ic 0 0,0005 0,00 0,00 0,0 0,003 0,00 0,004 0,004 0,005 0,005 0,005 0,005 0,005
3 107 161 021 23 44 67 82 01 18 36 52 65
5
V 0 0,046 0,07 0,10 0,1 0,186 1,08 3,594 6,324 8,982 11,67 14,35 17,06 19,83
ce 4 2 3 6 2 4
V 0 0,593 0,60 0,61 0,6 0,632 0,63 0,634 0,63 0,628 0,623 0,62 0,616 0,615
be 7 6 23 6
h1 0 12,891 0,5 0,32 0,2 0,160 0,00 - - - - - - -
2 3043 1428 5 7142 4474 0,000 0,001 0,000 0,001 0,001 0,001 0,000
57 9 27 7955 4652 7524 8559 1210 4749 3615
4 5 8 8 3 3
Ib=24uA
300000
250000
200000
h11
vce=4V
150000
vce=3V
100000 vce=2V
50000
0
0 0,00001 0,00002 0,00003 0,00004 0,00005 0,00006
-50000
ib(A)
500
400
h21
300 vce=4V
vce=3V
200 vce=2V
100
0
0 0,002 0,004 0,006 0,008 0,01 0,012 0,014
ic(A)
0,07
0,06
0,05
IB=2uA
0,04
IB=18uA
h22
0,03 IB=24uA
0,02 IB=48UA
0,01
0
0 5 10 15 20 25
-0,01
vce(v)
20
15 ib=2uA
h12
10 ib=18uA
ib=24uA
5
ib=48uA
0
0 0,1 0,2 0,3 0,4 0,5 0,6 0,7
-5
Vbe(V)
1.1. Transistor T1
La droite charge statique s’obtient en faisant la loi de maille dans la maille de sortie :
Vce 0V Vcemax=20V
Ic Icmax = β1*Ibmax=367*𝟏𝟎 ∗ 𝟏𝟎−𝟔=3.67 0A
mA
En superposant cette droite sur le 1er quadrant du transistor on obtient la courbe ci-
dessous. Le point de fonctionnement est choisi à l’intersection de la droite de charge et du
réseau de caractéristiques. Il doit être pris près du milieu de la droite de charge et du régime
linéaire.
1.2. Transistor T2
La droite charge statique s’obtient en faisant la loi de maille dans la maille de sortie :
Vce 0V Vcemax=20V
Ic Icmax = β2*Ibmax=304*𝟓𝟎 ∗ 0A
𝟏𝟎−𝟔 =0.0152A
En régime statique, les condensateurs sont ouverts. Le montage se ramène au schéma ci-
dessous. La résistance RE=RE1+RE2.
RC1
4.7k
+88.8
Amps
+88.8
Amps
RB1
180k
+88.8
Amps
T1 T2
+88.8 BC327 +88.8 BC327
Amps Volts +88.8
Volts
+88.8
RB2 +88.8 Volts
18k Volts
RE R2
560 1.3k
E
20V
Détermination de Rc1
En étudiant la maille de d’entrée de T2 nous avons la relation : 𝐸 − 𝑉𝐵𝐸2 − 𝑅2 𝐼𝑆 = 𝑅𝐶1 ∗ 𝐼
Ou 𝐼 = 𝐼𝐵2 + 𝐼𝐶1
𝐸 − 𝑉𝐵𝐸2 − 𝑅2 𝐼𝑆
𝑅𝐶1 =
𝐼𝐵2 + 𝐼𝐶1
A.N :
20 − 0.633(1.3 ∗ 1000(24 ∗ 10−6 + 6.93 ∗ 10−3 ))
𝑅𝐶1 = = 4.885𝐾
24 ∗ 10−6 + 2.09 ∗ 10−3
La valeur normalisée de Rc1 dans la série (E12, 10%) est : Rc1=4.7k Ω
Détermination de RE
En étudiant la maille de sortie de T1 nous avons la relation : 𝐸 − 𝑉𝐶𝐸1 − 𝑅𝐶1 𝐼 = 𝑅𝐸 𝐼𝐸1
Ou 𝐼𝐸1 = 𝐼𝐵1 + 𝐼𝐶1
𝐸 − 𝑉𝐶𝐸1 − 𝑅𝐶1 𝐼
𝑅𝐸 =
𝐼𝐵1 + 𝐼𝐶1
A.N :
20 − 8.47 − 4.7 ∗ 1000( 24 ∗ 10−6 + 2.09 ∗ 10−3 )
𝑅𝐸 = = 574Ω
6 ∗ 10−6 + 2.09 ∗ 10−3
La valeur normalisée de RE dans la série (E12, 10%) est : RE=560 Ω
Détermination de RB1
𝐸 − 𝑉𝐵𝐸1 − 𝑅𝐸 𝐼𝐸1
𝑅𝑏1 =
16𝐼𝐵1
A.N :
20 − 0.605 − 560 ∗ (6 ∗ 10−6 + 2.09 ∗ 10−3 )
𝑅𝑏1 = = 189.35𝐾
16 ∗ 6 ∗ 10−6
La valeur normalisée de Rb1 dans la série (E12, 10%) est : Rb1=180k Ω
Détermination de RB2
𝑉𝐵𝐸1 + 𝑅𝐸 𝐼𝐸1
𝑅𝑏2 =
𝐼2
𝑉𝐵𝐸1 +𝑅𝐸 𝐼𝐸1
Ou 𝐼2 = 15𝐼𝐵1 D’où 𝑅𝑏2 = 15𝐼𝐵1
Nous pouvons à présent câbler l’amplificateur sur plaque à essai. Cela nous permettra de
vérifier les coordonnées théoriques de nos points de fonctionnement choisis.
Photo du câblage
Transistors T1 T2
Grandeurs Vce(V) Ic(mA) Ib(uA) Vbe(V) Vce(V) Ic(mA) Ib(uA) Vbe(V)
Valeurs 8.47 2.09 6 0.605 10.96 6.93 24 0.633
théoriques
Valeurs 9.09 2.05 5.6 0.602 10.06 7.41 24 0.620
pratiques
Ecart(%) 7.32 1.91 6.66 0.5 8.21 6.92 0 2.05
Nous constatons que les écarts sont tous inférieurs à 15% par conséquent notre étude
en régime statique est acceptable. Nous pouvons donc dès lors calculer les paramètres
hybrides de nos transistors au niveau des points de fonctionnement.
Le gain du transistor par défaut dans PROTEUS étant différent des nôtres, nous
n’avons pas pu obtenir les mêmes valeurs obtenues ni en théorie ni en pratique. Nous
notons cependant ces valeurs et leurs écarts dans le tableau ci-dessous.
Les écarts étant trop grands, les données de PROTEUS ne seront pas pris en compte.
Détermination de h11
C’est la pente de la caractéristique IB = f(VBE ) à VCE constant. C’est la résistance
d’entrée du transistor.
△ 𝑉𝐵𝐸
ℎ11 = ( )
△ 𝐼𝐵 𝑉𝐶𝐸 =𝑉𝐶𝐸 0
𝟎,𝟔𝟎𝟔𝟖𝟏𝟖𝟏𝟖𝟏𝟖𝟏𝟖𝟏𝟖𝟐−𝟎,𝟔𝟎𝟐𝟐𝟕𝟐𝟕𝟐𝟕𝟐𝟕𝟐𝟕
𝒉𝟏𝟏 = (𝟎.𝟎𝟎𝟎𝟎𝟎𝟕−𝟎.𝟎𝟎𝟎𝟎𝟎𝟔)
= 4545
calcul de h11
0,00001
0,000009
0,000008
0,000007
0,000006
Vce=6.54V
Ib(A)
0,000005
Vce=5V
0,000004
Vce=3.33V
0,000003
Vce=1.79V
0,000002
0,000001
0
0 0,1 0,2 0,3 0,4 0,5 0,6 0,7
Vbe(V)
Détermination de h12
C’est la pente de la caractéristique VBE = f(VCE ) à IB constant. Elle est sensiblement
nulle car les droites sont pratiquement horizontales. C’est l’amplification en tension du
transistor.
Détermination de h21
C’est la pente de la caractéristique IC = f(IB ) à VCE constant qui est sensiblement une
droite d’équation IC = βIB . Cela représente l’amplification en courant du transistor.
△ 𝐼𝐶
ℎ21 = ( ) =β
△ 𝐼𝐵 𝑉𝐶𝐸 =𝑉𝐶𝐸 0
𝟎.𝟎𝟎𝟐𝟒−𝟎.𝟎𝟎𝟐𝟎𝟒𝟎𝟓𝟒𝟏
𝒉𝟐𝟏 = (𝟎.𝟎𝟎𝟎𝟎𝟎𝟕−𝟎.𝟎𝟎𝟎𝟎𝟎𝟔)= 359.5≈ 𝟑𝟔𝟎
calcul de h21
0,003
0,0025
h21
0,002
Vce=6.54V
Ic(A)
0,0015
Vce=5V
Vce=3.33V
0,001
Vce=1.79V
0,0005
0
0 0,000002 0,000004 0,000006 0,000008 0,00001
Ib(A)
Détermination de h22
C’est la pente de la caractéristique IC = f(VCE ) a IB constant. Elle est censée être faible afin
1
que ℎ soit élevé. Elle représente la résistance de sortie du transistor.
22
△ 𝐼𝐶
ℎ22 = ( )
△ 𝑉𝐶𝐸 𝐼𝐵 =𝐼𝐵 0
𝟎.𝟎𝟎𝟐𝟏𝟒−𝟎.𝟎𝟎𝟐𝟎𝟗
𝒉𝟐𝟐 = (𝟗.𝟒𝟓−𝟖.𝟒𝟕)
= 5.10∗ 𝟏𝟎−𝟓
𝟏
D’où 𝝆 = 𝒉 = 𝟏𝟗𝟔𝟎𝟎
𝟐𝟐
Détermination de h11
𝟎, 𝟔𝟒𝟓 − 𝟎, 𝟔𝟑𝟑
𝒉𝟏𝟏 = = 𝟐𝟎𝟎𝟎
(𝟎. 𝟎𝟎𝟎𝟎𝟎𝟑 − 𝟎. 𝟎𝟎𝟎𝟎𝟎𝟐𝟒)
calcul de h11
0,00006
0,00005
0,00004
Ib(A)
0,00003 Vce=2V
Vce=3V
0,00002
Vce=4V
0,00001
0
0 0,1 0,2 0,3 0,4 0,5 0,6 0,7
Vbe(V)
Détermination de h12
Les droites de VBE = f(VCE ) à IB constant sont pratiquement horizontales. Donc
△ 𝑽𝑩𝑬
𝒉𝟏𝟐 = ( ) ≈𝟎
△ 𝑽𝑪𝑬 𝑰𝑩 =𝑰𝑩 𝟎
calcul de h21
0,014
0,012
0,01
0,008
Ic (A)
Vce=2V
0,006 Vce=3V
0,004 Vce=4V
0,002
0
0 0,00001 0,00002 0,00003 0,00004 0,00005 0,00006
Ib (A)
Détermination de h22
𝟎.𝟎𝟎𝟕𝟏𝟒−𝟎.𝟎𝟎𝟔𝟗𝟑
𝒉𝟐𝟐 = (𝟏𝟒.𝟏𝟒𝟖−𝟏𝟎.𝟗𝟔)
= 6.59∗ 𝟏𝟎−𝟓
𝟏
D’où 𝝆 = 𝒉 = 𝟏𝟓𝟏𝟖𝟏
𝟐𝟐
I. COMMENTAIRES
Les différentes manipulations effectuées durant cette première partie du projet ont été
très intéressantes et très instructives, la structuration du projet en plusieurs étapes le rendant
fort compréhensible et réalisable. En cas de difficultés, nous étions conseillés et même
parfois débloqué par les assistants du professeur. Le professeur KAMDEM nous donnait
à chaque fois des astuces et des « briques de connaissances », ravivant ainsi l’engouement
pour la finalisation du mini-projet.
En effet, nous avons exploré le fonctionnement des transistors et obtenus des résultats
pratiques concordant avec ceux théoriques. Nos résultats ont été d’autant plus satisfaisants
que les erreurs calculées ont toutes été inférieures à 15%. Les points de polarisation de nos
deux transistors ont été choisis de telle sorte que les paramètres h𝑖𝑗E soit le plus stable
possible lors du fonctionnement en dynamique.
Pour ce qui est du tracé des différents réseaux quatre quadrants de chaque transistor, la
comparaison avec les données prévisionnelles du datasheet atteste de la vraisemblance de
nos mesures. En effet, comme on peut le voir dans la figure ci-après l’allure des courbes
concorde.
De même les allures des courbes des autres quadrants concordent avec les prévisions
faites lors des rappels théoriques dans la première partie du présent rapport.
Ib=1uA
0,6
Ib=2uA
0,5
Ib=3uA
0,4
Ic (A)
Ib=4uA
0,3 Ib=5uA
0,2 Ib=6uA
0,1 Ib=7uA
Ib=8uA
0
0 5 10 15 20 25 Ib=9uA
Vce (V)
hyperbole de dissipation
maximale
Série6
0,3
Série7
0,2 Série8
Série9
0,1
Série10
0 hyperbole de dissipation
0 5 10 15 20 25
Vce (V)