Mémoire Final PDF

République Algérienne Démocratique et Populaire
Ministère de l’Enseignement Supérieur et de la Recherche Scientifique
Université LARBI BEN M’HIDI

Oum El-Bouaghi
Faculté des Sciences et des Sciences Appliquées-Ain el Beida
Département de Génie Electrique
MEMOIRE
Pour l’obtention du diplôme de Master LMD
Spécialité : Génie Electrique
Thème
Réalisation d’un convertisseur

BUCK - MPPT
Proposé et Dirigé par : Présenté Par :

Dr. DIB abderrahmane ATCHOUM safa
Année Universitaire : 2016/2017

Remerciements
Mes remerciements vont tout premièrement à dieu tout
puissant pour la volonté,
La santé et la puissance qu’il m’a donnée durant tous ces
années d’études.
Je suis très heureux de témoigner m’a profond estime à mon
encadreur Monsieur
Pr Dib Abderrahmane, enseignant à l’Université d’Oum el
Bouaghi, je lui suis très reconnaissant de m’avoir fait
bénéficier de ces compétences scientifiques et
d’avoir proposé et dirigé ce travail.
Je tiens à lui exprimer mon grand respect et mon admiration
pour sa personnalité et sa générosité et je le remercie pour sa
contribution dans ma formation.
J’adresse mes sincères remerciements à mes parents, Maîtres
de ma vie.
Je ne manque pas de remercier tout le corps enseignant de la
faculté des
Sciences et sciences appliquées
- Je voudrais enfin exprimer mes reconnaissances à tous mes

amis, ma famille pour
m’avoir pu au long de ces ans être compréhensible et dévoués
même dans les
Moments les plus difficiles.
A tous qui m’aime et que j’aime
Avant tout je remercie dieu, qui ma aidé, ma donné la patience et le courage pour réussir
honorablement dans mes études qui m’a donné la force pour finir ce travail malgré tout.
- A mon pays L’ALGERIE que j’aime beaucoup.
- A la source de ma vie, ma raison, pour continue et le plus chaire cadeau qu’ALLAH ma

donné « mes chers parents » qui grâce à eux ceci n’aurait pas être possible.
- Pour leur soutiens, leur affection, surtout la confiance qu’ils ont toujours en moi et qui
m’ont appris comment patienter pour réussir dans ma vie surtout estudiantine.
- je remercie donc du fond du cœur mer parents:
"‫"وقـ ــل ربي ارحمهما كما ربياني صغي ـ ـ ـ ـ ــرا‬
- Mon père « SAID » le père idéal et exceptionnel, symbole du courage ; qui me donne la
sécurité, la confiance, l’intérêt, la tendresse, je suis fière d’être sa fille exemplaire. Qui était
toujours a mon coté même dans le moment les plus difficiles.
- Ma mère « DJAMILA » à qui tous les mots de tendresse du monde ne peuvent décrire son
amour éternel parce qu’elle est ma source d’amour et d’affection qui s’est sacrifiée jour
après jour pour notre bonheur, *dieu vous garde*.
A toute ma famille chaque sons prénom mes frère ABDESSAMED et sa femme « AMEL » ;
ABDELLATIF et sa femme «IBTISSEM » et Les an fans amran, bourhan, alaa, amaa et mes
petit frère CHOUAIB et AYMEN
Je rappelé a personnaliser ma collègue et copain amina labdani
Sans oublier mes d’autre camarades et amis, mahdia, khadidja. Sara. Halima. Imen. Lamis.
Samia. ; qui dieu éternise notre amitié.
A toute personne qui à intéressée à et mon injonctif et content et heureux de ma réussite.
« …safaa …»
Sommaire
Introduction générale
Chapitre I - Convertisseurs DC-DC
I-1- Introduction .......................................................................................................................1
I-2- Convertisseurs DC-DC …………………………………………………………………..1
I-3- Convertisseurs DC-DC pour les systèmes d'énergie solaire …………………………....1
I-3-1- Convertisseurs continu-continu non-isolés .............................................................2
I-3-1-1- Etude des convertisseurs classiques en mode de conduction continue...........2
I-3-1-1-1- Convertisseur Boost ................................................................................2
a- Application ………………………………………………………………..3
b- Principe de fonctionnement ……………………………………………...3
I-3-1-1-2- Convertisseur Buck ...................................................................................4
a- Application ……………………………………………………………….4
b- Principe de fonctionnement ……………………………………………..5
I-3-1-1-3- Convertisseur Buck-Boost .........................................................................5
a- Application………………………………………………………………..6
b- Principe de fonctionnement ……………………………………………..6
I-4- Etage d’adaptation abaisseur ………………………………………………………….6
a- Schéma de principe ……………………………………………………………………...6
I-5- modalisation d’un convertisseur Buck ….......…………………………………………7
I-6- Intérêt de recherche de point à puissance maximale ……………………………........9
7- Conclusion ……………………………………………………………………………….10
Chapitre II - Recherche du point de puissance maximale (mppt)

II-1- Introduction ……………………………………………………………………………….…..11
II-2- L’énergie solaire …………………………………………………………………........11

II-2-1 Avantages et inconvénients de l’énergie solaire ……………………….…......12
a- Avantage ………………..…………………………………………..…...12
b- Inconvénients …………..……………………………………………….12
II-3- Le générateur photovoltaïque …………………………….………………….……...13

II-3-1 Principe …………………………………………………………………………13
II-3-2- La conversion photovoltaïque ……………………………………..……………15
II-4- Modélisation d’une cellule PV ……………………………….….………………...15
II- 4-1 Schéma équivalent …………………………….…………….………….……..15
II-5- Les commandes MPPT …………….……………….….……….….….…………..16
II-5 - 1- Commande « Hill Climbing » ……………….………………..….………...16
II-5-2- Commande "Perturb and Observe (P&O)" …………………….……….….17
II-5-3- La commande « Incrément de conductance (IncCon) » ……….….…...…..19
II-6- Commande p&o "perturber et observer" …………………………………..……21
II-7- Convertisseur buck …………………………………………………….……….…22
II-7-1- Principe de fonctionnement …………………………………….....….….…23
II-8- Conclusion …………………………………………………………………..….…24
Chapitre III – Réalisation et simulation d’un convertisseur

BUCK-MPPT
III-1- Introduction ……………………………………………………………………..25
III-2- Caractérisation du module PV ………………………………………………….25
III-3- Matériels utilisé ………………………………………………………………….25
III-4- Réalisation d'un convertisseur BUCK …………………………………… …...30
III-5- Simulation ……………………………………………………………………….31
III-5-1- Montage complet ……………………………………………………………...31
III-5-2- Résulta de sumilasion ………………………………………………………...32
III-6- Résultats expérimentaux du montage ……………………………………….…32
III-6-1- Montage du système complet ………………………………………………...32
III-6-2- Le rapport cyclique génère par l’arduino …………………………………...33
III-6-3- La résulta de Driver HO et LO ……………………………………………...33
III-8- Conclusion ……………………………………………………………………. .34
Conclusion General
Références bibliographiques
Annexés
Listes des figures
Chapitre I - Convertisseurs DC-DC
Figure I.1 : convertisseur DC-DC ……………………………………………………………………..1
Figure I-2 : Les convertisseurs continu-continu non isolés……………………………………………..2
Figure I-3 : Formes d’ondes du convertisseur Boost (courants à gauche, tension à droite)…………...2
Figure I.4 : schéma de base d'un convertisseur Boost………………………………………………….3
Figure I .5 : Formes d’ondes du convertisseur Buck (courants à gauche, tension à droite) ..................4
Figure I .6 : Schéma de base d'un convertisseur Buck ………………………………………………..5
Figure I .7 : Formes d’ondes du convertisseur Buck-Boost (courants à gauche, tension à droite)........6
Figure I .8: Schéma de base d'un convertisseur Buck-Boost…………………………………………..6
Figure I .9 : Exemple de réalisation d’un étage d’adaptation abaisseur d’un GPV fonction MPPT
fonctionnant sur batterie ayant 𝑉𝑏𝑎𝑡 < 𝑉𝑜𝑐 ……………………………………………………………7
Figure I.10. Convertisseur dévolteur réel ………………………………………………………………8
Figure I. 11. Circuit topologies de convertisseur dévolteur ……………………………………………8
Figure I.12 : Connexion directe GPV-Charge par le biais d’une diode anti-retour…………………….9
Figure I.13 : Points de fonctionnement d’un GPV en fonction de charge en connexion direct……….10
Chapitre II - Recherche du point de puissance maximale (MPPT)

Figure II.1: Schéma bloc d’un algorithme de recherche du PPM …………………………………….11
Figure II.2 : Caractéristique I-V d’un GPV …………………………………………………………...13
Figure II.3 : Caractéristique P-V d’un GPV ………………………………………………………….13
Figure II.4 : Coupe transversale d’une cellule PV typique ……………………………………………14
Figure II .5 : Caractéristique I(V) d’une cellule photovoltaïque ……………………………………...14
Figure II .7 : Algorithme type de la commande Hill Climbing ……………………………………….17
Figure II .8 : Relation entre PPV et VPV le rapport cyclique d du convertisseur statique ……………..17
Figure II.9: Caractéristique PPV =f ( VPV) d’un panneau solaire. ……………………………………..18
Figure II.10 : Algorithme type de la méthode P&O …………………………………………………..19
dI
Figure II .11 : Positionnement du point de fonctionnement suivent le signe de dVPV ………………...20
PV
Figure II.13 : Organigramme de l’algorithme de commande (P&O) …………………………………22

Figure II.14 : Schéma du circuit électrique d’un convertisseur Buck ………………………………...22
Figure II.15 : Convertisseur Buck durant l’état on ……………………………………………………23
Figure II.16 : Convertisseur Buck durant l’état of …………………………………………………….23
Chapitre III- Montage d’un système PV complet et implantation de la
command MPPT
Figure III. 1 : Caractérisation du module PV ……………………………………………………….25
Figure III.2 : La carte Arduino uno …………………………………………………………………26
Figure III.3. Programmation de la carte Arduino …………………………………………………...27
Figure III .4 : Capteur de courant ACS712s ………………………………………………………...27
Figure III.5 : Capteur de tension …………………………………………………………………….28
LISTE DES ABREVIATIONS
DC Direct Current or Direct Conversion

GPV Générateur Photovoltaïque
MPPT Maximum Power Point Tracking
PV Photovoltaïque
PWM Pulse Width Modulation (MLI)
PPM Point de Puissance Maximum
Pmax Puissance Maximale d’un Générateur Photovoltaïque
P&O Perturb & Observe (Perturbation et Observation)
MPPT Rendement MPPT
Vopt et Iopt Tension et Courants optimaux correspondant à PMAX.
CS Convertisseur Statique
DC/DC Continue/Continue
AM : Air Mass
G : Conductance du GPV
D : Rapport cyclique
MLI : Modulation de Largeur d’Impulsion
IncCond: Increment of Conductance
S : durée d'insolation mesurée
C : la vitesse de propagation.
Vpv : La tension de la générateur PV [V].
Ipv : courant de la générateur PV [A]
Ppv: Puissance de la générateur PV [W]
Vch : tension à la sortie du convertisseur statique [V].
Les convertisseurs DC-DC sont des circuits d’électronique de puissance. Ils sont
largement utilisés dans les équipements pour munir en puissance plusieurs instruments
électroniques comme les PC, et aussi en applications spécialisés de la haute puissance telle
que le chargement des batteries, la gravure, la soudure, …etc. En plus du contrôle et la
transformation abaisseur et ou élévatrice de la tension continue, les circuits convertisseurs
DC-DC peuvent aussi engendrer une isolation de tension à travers un petit transformateur à
haute fréquence. La variété étendue des topologies des circuits convertisseurs DC-DC va du
simple interrupteur (convertisseurs Buck, Boost, et Buck-Boost) à des configurations
complexes comprenant deux à quatre interrupteurs et employant la simple commutation ou les
techniques de résonance pour commander la commutation d’abaissement ou d’élévation.
L’objectif de notre travail actuel est d’exploiter une production d’énergie électrique issue
d’un générateur photovoltaïque en réalisant une chaîne de mesure pour les composantes
électriques de la puissance. Cette acquisition numérique sera exploitée par une plateforme
embarquée (arduino par exemple) pour implémenter un algorithme de recherche de point de
puissance maximale MPPT.
Dans ce mémoire, on analyse la modélisation et la simulation du fonctionnement électrique

d’un système photovoltaïque adapté par trois commande (commande MPPT : perturbation et
observation, hill climbing, incrémental conductance) assurant la poursuite de la puissance
maximale fournie par le générateur photovoltaïque. L’objectif de ce travail est d’étude à une
meilleure compréhension des performances de convertisseur DC-DC adapté par la commande
MPPT lorsqu’il est couplé à un générateur photovoltaïque et améliorer sa tension de sortie
afin d’obtenir une bonne source qu’on peu utiliser comme un générateur d’électricité. Pour
décrire cela, ce mémoire est présenté en trois chapitres :
 Dans le premier chapitre, trois types de convertisseurs DC-DC, parmi les

convertisseurs les plus utilisés dans les systèmes photovoltaïques pour l’adaptation de
la source à la charge sont présentés. Donc il faut utiliser une technique qui assure la
conversion du maximum de puissance du panneau solaire vers la charge en effectuant
une recherche du PPM. Cette recherche est faite par l’association d’un convertisseur
continu DC-DC entre le panneau solaire et la charge.
 Dans le deuxième chapitre, on va présenter. les différentes techniques de la recherche
du point de puissance maximale MPPT. L’énergie solaire photovoltaïque (PV)
provient de la conversion directe de l’énergie, comprise dans le rayonnement solaire
caractéristique I (V) et P(V) a été abordée. Enfin on a présenté une synthèse
d'assemblage des panneaux et de fonctionnement ainsi que les avantages et
inconvénients de l’énergie photovoltaïque.
 Dans le troisième chapitre, à pour l’étude de simulation et pratique d’un système
photovoltaïque adapté par un hacheur dévolteur « Buck» avec une commande MPPT
numérique « perturbation et observation ». La simulation de ce GPV montrant le
comportement électrique et déterminer les caractéristiques I-V du panneau PV, à
l’aide d’un convertisseur DC-DC de type buck
A la fin, on termine ce mémoire par une conclusion générale.

Chapitre 1
Convertisseurs DC-DC
Chapitre I Convertisseurs DC-DC
I-1-Introduction
Dans ce chapitre, trois types de convertisseurs DC-DC (continue-continue), parmi les
convertisseurs les plus utilisés dans les systèmes photovoltaïques pour l’adaptation de la source à
la charge sont présentés. On decrira aussi trois algorithmes les plus courant pour la recherche du
point de puissance maximale (PPM); appelé MPPT (en anglais): l’algorithme « Perturb &
Observ », l’algorithme « incrément de conductance » et l’algorithme « Hill Climbing ».
I-2- Convertisseurs DC-DC

La conversion DC-DC qui a pour but de contrôler l'écoulement de l'énergie entre le panneau
solaire et la charge (Figure I.1). Pour ce type de convertisseur, la gamme de puissance que l'on
peut traiter s'étend de quelques watts, à des centaines de kilowatts. Cependant, l'apparition de
composants de puissance sans cesse plus performants, permet d'envisager le traitement de
puissances plus élevées.
𝐼𝑒 𝐼𝑠
=
𝑉𝑒 Charge R 𝑉𝑠
Figure I.1 : Convertisseur DC-DC

Dans cette partie nous présentons le principe des trois types de convertisseurs DC-DC : Buck,
=
Boost et Buck – Boost. Ces convertisseurs sont constitués essentiellement de composants réactifs
tels que les selfs et les capacités qui consomment peu ou pas d’énergie. C’est pour cette raison
qu'ils sont caractérisés par un grand rendement. Pour notre travail nous utiliserons le
convertisseur buck.
I-3- Convertisseurs DC-DC pour les systèmes d'énergie solaire [1]

Un Convertisseurs DC-DC est type de hacheur que peut être réalisé à l'aide d'interrupteur
électronique commandable à l'ouverture et à la fermeture tels que les thyristors, les transistors
bipolaires ou MOSFET fonctionnant en régime de commutation (tout ou rien). Le principe du
hacheur consiste à établir puis interrompre périodiquement la liaison source- charge à l'aide de
l'interrupteur électronique. Celui ci doit pouvoir être fermé ou ouvert à volonté afin d'avoir une
tension de sortie continue réglable.
Les convertisseurs DC-DC (ou hacheurs) sont utilisés dans les systèmes d'énergie solaire
pour adapter la source DC variable (panneau PV) à la charge qui demande en général une tension
1
DC constante. Les convertisseurs DC-DC sont classés en deux types : les convertisseurs non
isolés et les convertisseurs isolés de la source.
I-3-1- Etude des convertisseurs classiques en mode de conduction continue
Il existe trois structures principales de convertisseurs continu-continu non isolés dont
les schémas sont représentés sur la figure I-2 [1]
Figure I-2. (a) Convertisseur Boost (hacheur élévateur), (b) Convertisseur Buck (hacheur
abaisseur), (c) Convertisseur Buck-Boost (hacheur à stockage inductif), [1]
I-3-1-1- Convertisseur Boost

Ou hacheur parallèle, est une alimentation à découpage qui convertit une tension continue en une
autre tension continue de plus forte valeur.
a- Principe de fonctionnement :
Figure I. 3 : schéma de base d'un convertisseur Boost

Le fonctionnement d'un convertisseur Boost peut être divisé en deux phases distinctes selon l'état
de l'interrupteur Q (voir figure 1) :
 Une phase d'accumulation d'énergie : lorsque l'interrupteur Q (voir figure 1) est fermé (état
passant), cela entraîne l'augmentation du courant dans l'inductance donc le stockage d'une
quantité d'énergie sous forme d'énergie magnétique. La diode D est alors bloquée et la charge
est alors déconnectée de l'alimentation.
2
 Lorsque l'interrupteur est ouvert, l'inductance se trouve alors en série avec le générateur et
sa f.é.m. s'additionne à celle du générateur (effet survolteur). Le courant traversant
l'inductance traverse ensuite la diode D, le condensateur C et la charge R. Il en résulte un
transfert de l'énergie accumulée dans l'inductance vers la capacité.
 En mode de conduction continue, on a les formes d’ondes de courant et de tension

de la figure I-4.
Figure I-4. Formes d’ondes du convertisseur Boost (courants à gauche, tension à droite).[1]
b- Application
On utilise un convertisseur boost lorsqu'on désire augmenter la tension disponible d'une source
continue.
Les systèmes alimentés par batterie d'accumulateurs utilisent souvent plusieurs accumulateurs en
série afin de disposer d'un niveau de tension suffisamment élevé. La place disponible étant
souvent limitée, il n'est pas toujours possible de disposer d'un nombre suffisant d'éléments. Un
convertisseur boost permet d'augmenter la tension fournie par les batteries et ainsi diminuer le
nombre d'éléments nécessaires pour atteindre le niveau de tension désiré. Les véhicules
hybrides ainsi que les systèmes d'éclairage sont deux exemples typiques d'utilisation des
convertisseurs boost.
 Les convertisseurs boost sont utilisés dans des applications de faible puissance comme les
systèmes d'éclairage portatifs. Une diode électroluminescente blanche nécessite une tension
de 2,7 à 3,6 V environ pour fonctionner, un convertisseur boost permet d'augmenter la
tension fournie par une pile de 1,5 V afin de réaliser une lampe torche faible consommation.
3
 Les convertisseurs boost peuvent aussi délivrer des tensions bien plus élevées afin
d'alimenter les tubes à cathode froide présents dans le rétro-éclairage des écrans à cristaux
liquides ou les flash des appareils photo par exemple.
 Une automobile hybride comme la Toyota Prius utilise un moteur électrique, nécessitant une
tension de 500 V. Sans convertisseur boost, cette automobile devrait embarquer 417
éléments d'accumulateurs NiMH connectés en série pour alimenter ce moteur. Cependant, la
Prius n'utilise que 168 éléments ainsi qu'un convertisseur boost afin de passer la tension
disponible de 202 à 500V.
I-3-1-2-Convertisseur Buck
Un convertisseur Buck, ou hacheur série, est une alimentation à découpage qui convertit
une tension continue en une autre tension continue de plus faible valeur.
a- Principe de fonctionnement
Figure I. 5:Schéma de base d'un convertisseur Buck

Le fonctionnement d'un convertisseur Buck peut être divisé en deux configurations suivant l'état
de l'interrupteur Q (voir figure I.5) :
 Dans l'état passant, l'interrupteur Q (voir figure I.5) est fermé, la tension aux bornes de
l'inductance vaut.
 Le courant traversant l'inductance augmente linéairement. La tension aux bornes de la diode
étant négative, aucun courant ne la traverse.
 Dans l'état bloqué, l'interrupteur est ouvert. La diode devient passante afin d'assurer
 Continuité du courant dans l'inductance. La tension aux bornes de l'inductance vaut.
 Le courant traversant l'inductance décroît.
4
 Lorsque ce convertisseur fonctionne en mode de conduction continue, on a les

formes d’ondes de courant et de tension de la figure 1-6.
Figure I-6. Formes d’ondes du convertisseur Buck (courants à gauche, tension à droite). [1]
b- Applications
Ce type de convertisseur est utilisé pour des applications que l'on peut classer en deux
catégories :
 Les applications visant à obtenir une tension continue fixe (et parfois régulée) à partir d'un
générateur de tension continue supérieure.
 Conversion des 12-24V fournis par une batterie d'ordinateur portable vers les quelques Volts
nécessaires au processeur.
 Conversion de la tension du secteur redressée en continu fixe.
 Les applications permettant d'obtenir une tension réglable mais toujours inférieure à celle
présente à l'entrée.
 Variateur de tension continue.
Pour ces deux catégories d’application, on souhaite également que l'impédance interne du
système ainsi créée soit faible - du même ordre de grandeur que celle du générateur qui alimente
le dispositif - ce qui interdit l'usage d'un diviseur de tension dissipant sous forme de chaleur
l'excès de tension et possédant un faible rendement ce qui est rédhibitoire pour les applications
d'électronique de puissance.
Un convertisseur Buck bien conçu possède un fort rendement (jusqu'à 95 %) et offre la
possibilité de réguler la tension de sortie.
I-3-1-3- Convertisseur Buck-Boost
5
Un convertisseur Buck-Boost est une alimentation à découpage qui convertit une tension
continue en une autre tension continue de plus faible ou plus grande valeur mais de polarité
inverse. Un inconvénient de ce convertisseur est que son interrupteur ne possède pas de borne
reliée au zéro, compliquant ainsi sa commande.
b-Principe de fonctionnement
Figure I. 7:Schéma de base d'un convertisseur Buck-Boost
Le fonctionnement d'un convertisseur Buck-Boost peut être divisé en deux configurations

suivant l'état de l'interrupteur Q (voir figure 8) :
 Dans l'état passant, l'interrupteur Q (voir figure 8) est fermé, conduisant ainsi à une
augmentation de l'énergie stockée dans l'inductance.
 Dans l'état bloqué, l'interrupteur S est ouvert. L'inductance est reliée à la charge et à la
capacité. Il en résulte un transfert de l'énergie accumulée dans l'inductance vers la capacité et
la charge.
Comparé aux convertisseurs Buck et Boost, les principales différences sont:
 La tension de sortie est de polarité inverse de celle d'entrée
 La tension de sortie peut varier de 0 à (pour un convertisseur idéal).
 En conduction continue, les formes d’ondes de courant et de tension de ce

convertisseur sont présentées dans la figure 1-8.
Figure I.8. Formes d’ondes du convertisseur Buck-Boost (courants à gauche, tension à droite). [1]
6
I-4- Etage d’adaptation abaisseur. [4]

a- Schéma de principe.
La figure I.9 montre un GPV avec son étage d’adaptation constitué d’un convertisseur
abaisseur (buck). Pour assurer la protection du GPV, nous devons inclure la diode anti-retour
D1, celle-ci empêchant la batterie de se décharger pendant la nuit à travers la diode parasite Dp
du MOSFET.
Par la commande MLI, le convertisseur buck génère des courants pulsés sur le port
d’entrée. Afin d’éviter que les courants pulsés affectent le GPV et pour assurer que le courant
délivré par le GPV soit continu, il est nécessaire de placer un condensateur de filtrage C1 entre
le GPV et le convertisseur. Un compromis doit être fait sur la valeur de ce condensateur
devant assurer d’un coté un filtrage suffisant et, de l’autre, ne devant pas avoir une valeur trop
élevée pour ne pas ralentir trop la réponse du système. Nous avons choisi empiriquement une
valeur de 150 µF, valeur qui, en pratique, sur nos panneaux, est le bon compromis entre un
filtrage correct et une réponse dynamique rapide.
Figure I.9 : Exemple de réalisation d’un étage d’adaptation abaisseur d’un GPV fonction MPPT
fonctionnant sur batterie ayant 𝑉𝑏𝑎𝑡 < 𝑉𝑜𝑐 [4]
I-5- Modalisation d’un convertisseur Buck
Un convertisseur Buck, ou hacheur série, est une alimentation à découpage qui convertit une
tension continue en une autre tension continue de plus faible valeur,Ce type de convertisseur est
utilisé pour des applications que l'on peut classer en deux catégories :
 Les applications visant à obtenir une tension continue fixe (et parfois régulée) à partir
d'un générateur de tension continue supérieure.
 Les applications permettant d'obtenir une tension réglable mais toujours inférieure à celle
présente à l'entrée.
La Figure I .10 présente le schéma de principe du convertisseur dévolteur.
7
Figure I.10. Convertisseur dévolteur réel.
(a) Interrupteur position Q= 1 (b) Interrupteur position Q= 0
Figure I. 11. Circuit topologies de convertisseur dévolteur.
a) Si on considéré que l’interrupteur est fermé (Q=1) et appliquant les lois de

Kirchhoff au circuit on obtient les équations suivantes :
𝑑𝑖
𝐿 = E – 𝑉𝑠 …………… (1.1)
𝑑𝑡
𝑑𝑣 𝑣
𝐶 =𝑖− ….………. (1.2)
𝑑𝑡 𝑅
b) Pour Q=0 (l’interrupteur ouvert) :

𝑑𝑖
𝐿 = – 𝑉𝑠
𝑑𝑡
𝑑𝑣 𝑣
𝐶 =𝑖−
𝑑𝑡 𝑅
I-6- Intérêt de recherche de point à puissance maximale
8
Le point de fonctionnement du GPV raccordé à une charge à courant continu (DC)

quelconque résulte de l’intersection de la caractéristique (I-V) du GPV et la caractéristique (V-I)
de la charge DC.
Figure I.12 : Connexion directe GPV-Charge par le biais d’une diode anti-retour
Trois types de charges DC typiques existent : une charge purement résistive, une charge
capacitive de type source de tension et une charge inductive de type source de courant. Sur la
figure I.12, nous avons représenté les caractéristiques (I-V) et (P-V) d’un GPV ainsi que les
caractéristiques (I-V) de ces trois types de charge. Tout d’abord, nous pouvons identifier le point
de fonctionnement où la puissance fournie par le générateur est maximale Pmax pour un courant
optimal Iopt et une tension optimale Vopt, point nommé PPM. Ensuite, nous pouvons trouver le
point d’intersection entre les caractéristiques (I-V)
Du générateur et celles des trois types de charges :
1) point A pour une charge résistive,
2) point B pour une charge de type source de tension,
3) point C pour une charge en source de courant.
Pour ces trois points, la puissance fournie par le générateur est respectivement 𝑃𝐴 ,𝑃𝐵 et𝑃𝐶 ,
comme l’illustre la figure (I.12) correspondant à des valeurs de puissance inférieures à la
puissance maximale disponible Pmax. Comme les points A, B, C sont loin du point PPM pour un
éclairement et température donnés, une perte d’une partie de la puissance dé livrable aux bornes
du générateur PV implique des pertes de production énergétiques importantes [1].
Figure I.13 : Points de fonctionnement d’un GPV en fonction de charge en connexion direct
9
I-7- Conclusion
Ce chapitre a présenté une analyse du convertisseur DC-DC utiliser comme interface entre
la charge est le générateur photovoltaïque pour que celui-ci fonctionne à un rendement optimal.
Le mécanisme d’adaptation de l’impédance du convertisseur-charge à l’impédance optimale du
GPV a été développé. Nous avons vu aussi dans ce chapitre que la connexion des GPV à une
charge à travers l’étage d’adaptation DC -DC demande le branchement des batteries de stockage
pour ne pas limiter le rôle de la commande MPPT sinon le GPV doit être connecté à un système
qui peut absorber toute l’énergie produite telle que le réseau électrique.
10
Chapitre2
Recherche du point de
puissance maximale (MPPT)
Chapitre II Recherche du point de puissance maximale (MPPT)
I-1- Introduction:
L’énergie solaire photovoltaïque (PV) provient de la conversion directe de l’énergie
provenant de photons, comprise dans le rayonnement solaire, en énergie électrique, par le
biais de capteurs fabriqués avec des matériaux sensibles aux longueurs d’ondes du visible
(nommés cellules PV). L’association de plusieurs cellules PV en série/parallèle donne lieu à
un générateur photovoltaïque (GPV) qui a une caractéristique statique courant-tension I(V)
non linéaire et présentant un point de puissance maximale (PPM). Cette caractéristique
dépend du niveau d’éclairement et de la température de la cellule ainsi que du vieillissement
de l’ensemble. Le point de fonctionnement du GPV peut donc varier entre les points extrêmes
correspondant au courant de court-circuit Icc et la tension en circuit ouvert Voc. La
détermination du point de fonctionnement du GPV dépend directement de la charge à laquelle
il est connecté. Il est plus ou moins éloigné du PPM, caractérisé par le courant et la tension
optimaux notés (Iopt, Vopt).
I-2- L’énergie solaire
L’énergie solaire est la source alternative d’énergie la plus prometteuse compte tenu des avantages
qu’elle offre comme la propreté, disponibilité et durabilité. Cependant, il y en un facteur très
important qui limite la performance de cette source ; c’est l’efficacité de la conversion de l’énergie
qui très dépendante à la charge. Il faut utiliser une technique qui assure l’adaptation de la charge
pour le transfert du maximum de puissance du panneau solaire en effectuant une recherche du PPM.
Cette recherche est faite par l’association d’un convertisseur continu DC-DC entre le panneau
solaire et la charge.
la figure2.1 montre le schéma principe d’un tel fonctionnement
Figure II.1: Schéma bloc d’un algorithme de recherche du PPM
11
Cette technique de contrôle consiste à agir sur le rapport cyclique du convertisseur DC-DC, pour
assurer l’adaptation de l’impédance effective de la charge d’une manière automatique, et ceci pour
amener le GPV au PPM quelque soient les variations de la charge, de l’éclairement ou de la
température à n’importe quel instant.
La poursuite du PPM est réalisée en modifiant le rapport cyclique du convertisseur DC-DC de
manière automatique, rapide et précise pour assurer un fonctionnement optimal de GPV.
Toutes les techniques de commande MPPT, qu’on va présenter ultérieurement sont basées sur le
principe général de la figure II.1
I-2 .1 Avantages et inconvénients de l’énergie solaire

Les systèmes photovoltaïques présentent un grand nombre d’avantages et d’inconvénients qui sont:
a) Avantage
Les systèmes photovoltaïques présentent plusieurs avantages:
- ils sont non polluants sans émissions ou odeurs discernables.
- ils peuvent être des systèmes autonomes qui fonctionnent sûrement, sans surveillance pendant de
longues périodes.
- ils n'ont besoin d'aucun raccordement à une autre source d'énergie où à un approvisionnement en
carburant.
- ils peuvent être combinés avec d'autres sources d'énergie pour augmenter la fiabilité de système.
- ils peuvent résister à des conditions atmosphériques pénibles comme la neige et la glace.
- ils ne consomment aucun combustible fossile et leur carburant est abondant et libre.
- ils ont une usure très lente car l’installation ne comporte pas de pièces mobiles ; ce qui leur
procure une grande fiabilité - longue durée de vie.
-le système modulaire de panneaux photovoltaïques permet un montage adaptable à des besoins
énergétiques variés ; les systèmes peuvent être dimensionnés pour des applications allant du
milliwatt au mégawatt.
- la technologie photovoltaïque présente des qualités sur le plan écologiques car le produit et non
polluant, silencieux, et n’entraîne aucune perturbation du milieu.
b) Inconvénients
- la fabrication des modules photovoltaïques relève de la haute technologie, ce qui rend le coût très
élevé.
- le rendement réel d’un module photovoltaïque et de l’ordre de 10 à 15 %,
11
- ils sont tributaires des conditions météorologiques.

- l’énergie issue du générateur photovoltaïque est continu avec une tension relativement faible
donc il doit être transformé par l’intermédiaire d’onduleur pour faire fonctionner les differents
appareils à courant alternatif disponibles sur le marché.
Caractéristique électrique du panneau solaire GPV On peut ainsi retrouver l’allure des
caractéristiques courant-tension I(V) et puissance- tension P(V) du GPV par les figures (2), (3).
Figure II.2 : Caractéristique I-V d’un GPV
Figure II.3 : Caractéristique P-V d’un GPV
I-3- Le générateur photovoltaïque

I-3-1 Principe
Une cellule photovoltaïque est basée sur le phénomène physique appelé effet
photovoltaïque qui consiste à établir une force électromotrice lorsque la surface de cette
cellule est exposée à la lumière. La tension générée peut varier entre 0.3 V et 0.7 V en
fonction du matériau utilisé et de sa disposition ainsi que de la température de la cellule et du
vieillissement de la cellule [4]. La figure II .4 illustre une cellule PV typique où sa constitution
est détaillée. [4]
11
Une cellule PV est réalisée à partir de deux couches de silicium, une dopée P (dopée au
bore) et l’autre dopée N (dopée au phosphore) créant ainsi une jonction PN avec une barrière
de potentiel. Lorsque les photons sont absorbés par le semi-conducteur, ils transmettent leur
énergie aux atomes de la jonction PN de telle sorte que les électrons de ces atomes se libèrent
et créent des électrons (charges N) et des trous (charges P). Ceci crée alors une différence de
potentiel entre les deux couches. Cette différence de potentiel est mesurable entre les
connexions des bornes positives et négatives de la cellule. A travers une charge continue, on
peut en plus récolter des porteurs. La tension maximale de la cellule est d’environ 0.6 V pour
un courant nul. Cette tension est nommée tension de circuit ouvert (VOC). Le courant maximal
se produit lorsque les bornes de la cellule sont court-circuitées, il est appelé courant de court circuit
(ICC) et dépend fortement du niveau d’éclairement. Une cellule PV a, comme nous le
voyons sur la figure II.5, une caractéristique I(V) non linéaire avec un PPM.
Figure II.4 : Coupe transversale d’une cellule PV typique [4]
Figure II .5 : Caractéristique I(V) d’une cellule photovoltaïque [4]
I-3-2- La conversion photovoltaïque

La conversion de l’énergie solaire en énergie électrique repose sur trois grands principes:
- L’absorbation de photon.
- La conversion de l’énergie absorbée en charge électrique libre.
11
- La collecte de ces particules dans un circuit électrique extérieure.

Un dispositif photovoltaïque doit avoir :
- D’un matériau absorbant dans la gamme du spectre solaire et possèdent au moins une
transition possible entre deux niveaux d’énergie.
- D’une structure de collecte, de résistance la plus faible possible.
I- 4- Modélisation d’une cellule PV
Modélisation d’une cellule photovoltaïque
Pour établir un modèle équivalent d'une cellule photovoltaïque correcte sans considération le
courant et la tension il est nécessaire de faire un choix bien déterminé des circuits électriques qui
le constituent et de comprendre la configuration physique et les caractéristiques électriques des
éléments de la cellule. Pour cela, plusieurs modèles mathématiques sont développés pour
représenter le comportement non linéaire des jonctions des semi-conducteurs. Dans la suite nous
présentons deux modèles d’une cellule photovoltaïque, à savoir le modèle à deux diodes et le
modèle à une diode.
Dans notre projet no va réaliser le modèle à une diode:
I-Schéma équivalent
Le courant I généré par la photopile est :
𝑉+𝐼.𝑅𝑠
𝑉+𝐼.𝑅𝑠
I=Icc –I0 [𝑒 𝑞( 𝑛𝐾𝑇
)
− 1]-
𝑅𝑝
Icc (A), le courant de court-circuit de la cellule dépendant de l’ensoleillement et de la température.

Io (A) correspondant au courant de saturation de la diode.
K (1.381×10-23 J/K), la constante de Boltzmann.
T (K), la température effective de la cellule.
q (1.602×10-19 C), la charge de l’électron.
11
n, le facteur de non idéalité de la jonction de la diode.

I (A), le courant fourni par la cellule.
V (V), la tension aux bornes de la cellule.
Rp (Ω), la résistance de shunt caractérisant les courants de fuites de la jonction.
Rs (Ω), la résistance série représentant les diverses résistances des contacts et de connexions.
I-5- Les commandes MPPT

Il existe de nombreuses méthodes et techniques de commande MPPT disponibles dans la
littérature dont on cite les plus connues: Constant Voltage Method, Short-Current Pulse Method,
Open, Voltage Method, Température Methods et leurs combinaisons mais les techniques les
plus couramment utilisées sont Hill Climbing method, Perturb and Observe (P&O) method
et l’incrément de conductance (IncCon) [8].
I-5-1- Commande « Hill Climbing »

La technique de contrôle nommée Hill Climbing consiste à faire « monter » le
point de fonctionnement le long de la caractéristique du générateur présentant un maximum.
Pour cela, deux pentes (slopes) sont possibles. La recherche s'arrête théoriquement
quand le point de puissance maximal est atteint. Cette méthode est basée sur la relation
entre la puissance du panneau et la valeur du rapport cyclique appliqué au CS.
Mathématiquement, le PPM est atteinte lorsque ∂PPV/∂VPV est forcé à zéro par la
commande, comme le montre la figure (II.7) [8].
11
Figure II .7 : Algorithme type de la commande Hill Climbing [8]
Figure II .8 : Relation entre PPV et VPV le rapport cyclique d du convertisseur statique [8]
I-5-2- Commande "Perturb and Observe (P&O)"

C’est l’algorithme de poursuite du PPM le plus populaire dans la littérature, son principe
peut être résumé comme suit :"si suite à une perturbation de tension, la puissance du
GPV augmente, la direction de perturbation est maintenue. Dans le cas contraire, elle est
inversée pour reprendre la convergence vers le nouveau PPM".
Cet algorithme est basé sur la perturbation du système par l’augmentation ou la diminution de
la tension 𝑉𝑃𝑉 d’une faible amplitude autour de sa valeur initiale et d’analyser le
11
comportement de la variation de puissance 𝑉𝑃𝑉 qui en résulte comme il est indiqué par
la Figure (II.9). On peut déduire que si une incrémentation positive de la tension 𝑉𝑃𝑉 engendre
un accroissement de la puissance𝑉𝑃𝑉 , cela signifie que le point de fonctionnement se trouve à
gauche du PPM. Si au contraire, la puissance décroît, cela implique que le système a dépassé
le PPM. On peut donner une explication si la valeur de la puissance actuelle 𝑉𝑃𝑉 (k) du
panneau est supérieure à la valeur précédente 𝑉𝑃𝑉 (k-1) alors on garde la même direction
de perturbation précédente, sinon, on inverse la perturbation du cycle précédent [8].
Figure II.9: Caractéristique PPV =f ( VPV) d’un panneau solaire.
11
Figure II.10 : Algorithme type de la méthode P&O.[8]
I-5-3- La commande « Incrément de conductance (IncCon) »

En 1993, Hussein, Muta, Hoshino, et Osakada de l'Université de Saga, Japon, ont proposé
l’algorithme de commande nommé Incrément de conductance (IncCon) pour l’objectif
de résoudre le problème de la commande de type (P & O) en vertu de l'évolution
rapide des conditions atmosphériques.
L'idée de base est que la pente de la courbe P-V devient nulle au PPM, comme la montre
figure (11). Il est également possible de trouver une position relative du point de
fonctionnement au PPM en regardant les pentes. La pente est la dérivée de la puissance du
module PV à l'égard de sa tension [8].
11
dI
Figure II .11 : Positionnement du point de fonctionnement suivent le signe de dVPV [8]
PV
La conductance (G) du module photovoltaïque est définie par le rapport entre le courant et la
tension du GPV comme indiqué ci-dessous :
IPV
G=
VPV
Et une variation élémentaire (incrément) de conductance peut être définie par :

dIPV
dG =
dVPV
Les relations suivantes montrent la position de la pente sur la caractéristique P(V) et I(V) par
rapport au PPM :
dIPV
-si > 0 , le point de fonctionnement est à gauche du PPM
dVPV
dIPV
-si > 0 , le point de fonctionnement est sur le PPM
dVPV
dIPV
-si > 0 , le point de fonctionnement est sur la droite du PPM
dVPV
I-6- Commande p&o "perturber et observer"[10]

L'algorithme appelé "P&O" est une commande MPPT dont le fonctionnement est basé sur la
perturbation de la tension Vpv, en l'augmentant ou en la diminuant d’une faible amplitude autour de
sa valeur initiale. Cette perturbation a pour effet d'agir directement sur le rapport cyclique du signal
contrôlant le convertisseur DC-DC. La perturbation est suivie par l’observation de son impact sur la
puissance de sortie du panneau PV, en vue d'une éventuelle correction de ce rapport
cyclique. La Figure 6 présente l'organigramme décrivant l'algorithme assurant cette commande
appelée "P&O".
Toutefois, cette technique présente quelques problèmes liés aux oscillations autour du PPM qu’elle
11
engendre en régime établi, car la procédure de recherche du PPM doit être répétée périodiquement,
obligeant le système à osciller en permanence autour du PPM. Ces oscillations peuvent être
minimisées en réduisant la valeur de la variable de la perturbation.
Cependant, une faible valeur d’incrément ralenti la recherche du PPM, il faut donc trouver un
compromis entre précision et rapidité. Ce qui rend cette commande assez difficile à optimiser.
Figure II.13 : Organigramme de l’algorithme de commande (P&O)
I-7- Convertisseur buck
C'est un convertisseur direct DC-DC. Le convertisseur buck dévolteur peut être trouvé dans la
littérature sous le nom de hacheur dévolteur ou hacheur série .Ce type de convertisseur peut être
utilisé comme adaptateur source-charge, lorsque le point de fonctionnement en couplage direct est à
gauche du MPP
11
Figure II.14 : Schéma du circuit électrique d’un convertisseur Buck
I-7-1- Principe de fonctionnement
Si le commutateur S1 est activé à t0, un courant circule dans le circuit, mais ne passe pas par la
diode D puisqu’elle est inversement polarisée. Le courant iL n’augmente pas immédiatement, mais
plutôt linéairement avec un taux d’accroissement imposé par l’inductance L [1][11].
diL Vpv−V load

= « 3.5 »
dt L
Figure II.15 : Convertisseur Buck durant l’état on
Pendant ce temps, l’inductance emmagasine de l’énergie sous forme magnétique. Si S1 est

désactivé après t = t1, la charge est déconnectée de son alimentation. Le courant est toutefois
maintenu par l’énergie stockée dans l’inductance L et circule à travers la diode D appelée « diode
de roue libre ». Cette dernière permet d’évacuer l’énergie emmagasinée dans l’inductance à
l’ouverture du commutateur sans créer de surtension. Selon l’équation 3.5, le courant décroit,
puisque :
𝑑𝑖𝐿 𝑉 𝑙𝑜𝑎𝑑
=- « 3.6 »
𝑑𝑡 𝐿
11
Figure II.16 : Convertisseur Buck durant l’état on
La tension aux bornes de la charge est donnée par :

𝑡𝑜𝑛
Vload= VPV = D.VPV 3.7
𝑇
Avec T= ton + toff: est la période de commutation.

𝑡𝑜𝑛
D= : est le rapport cyclique (0< D <1)
𝑇
Grâce à cette équation, on peut voir que la tension de sortie varie linéairement avec le rapport
cyclique D.
Le convertisseur peut fonctionner suivant deux modes de fonctionnements dépendant de sa capacité

de stockage d’énergie, de la période de commutation et de la charge. Ces deux modes sont :
Mode de Conduction Continue (MCC) : Dans ce cas, l’énergie emmagasinée dans l’inductance L
est transférée partiellement. Le courant dans l’inductance ne s’annule pas sur une période de
commutation et est donc continu.
Mode de Conduction Discontinue (MCD) : Dans ce cas, l’énergie emmagasinée dans l’inductance L
est transférée totalement. Le courant dans l’inductance s’annule avant la .n d’une période de
commutation. Le courant dans l’inductance est discontinu.
I-8- Conclusion
Dans ce chapitre on a présenté les commandes classiques MPPT pour la recherche du point où
la puissance du générateur photovoltaïque est maximale, sous différentes conditions de
fonctionnement.le mécanisme de la poursuite du PPM pour l’extraction de la puissance maximale
sous différentes conditions de fonctionnement. On a présenté les méthodes MPPT basées sur contre
réaction de puissance, comme l’algorithme d’incrémentation de l’inductance, la méthode de
perturbation et observation et la méthode Hill climbing avec une simple comparaison des trois
algorithmes pour une journée ensoleille et autre nuageuse.
11
Chapitre 3
Montage d’un système PV
complet et implantation de la
commande MPPT
Chapitre III Réalisation et simulation d’un convertisseur BUCK-MPPT
III-1- Introduction
Ce chapitre, à pour l’étude de simulation et pratique d’un système photovoltaïque adapté par
un hacheur dévolteur « Buck» avec une commande MPPT numérique « perturbation et
observation ».
La réalisation du système est basée sur le dimensionnement et les caractéristiques techniques
des éléments disponibles en laboratoire de l’université larbi ben mhidi de ain beida –oum el
bouaghi.
Le montage expérimental d'un système PV complet (GPV+Buck+MPPT+charge) est décrit.
Toutes les opérations de simulation sont faites par le logiciel Proteus 8.
III-2- Caractérisation du module PV
DC/DC
La charge
BUCK
Capteur Capteur
de de
tension courant
Figure III. 1 : Caractérisation du module PV

III-3- Matériels utilisé
Le processeur
- Définition
Est une carte a microcontrôleur (Arduino) le rôle cette est de stocker un programme et de le
faire fonctionner, elle est reçoit des informations analogiques ou numériques sur ses entrées,
le microcontrôleur traitera ces informations et les transmettra vers les sorties.
L'idée est d'utiliser la carte Arduino comme un macro-composant dans des applications de
prototypage électronique. [10]
Le concepteur n'a plus qu'à développer des interfaces et programmer le macro-composant
pour réaliser son application, et ces avantages sont :
1
• Pas cher !
• Environnement de programmation clair et simple.
• Multiplateforme : tourne sous Windows, Macintosh et Linux.
• Nombreuses librairies disponibles avec diverses fonctions implémentées.
• Logiciel et matériel open source et extensible.
• Nombreux conseils, tutoriaux et exemples en ligne (forums, site perso etc...)
• Existence de « shield » (boucliers en français) : ce sont des cartes supplémentaires
qui se connectent sur le module Arduino pour augmenter les possibilités comme par
exemple interface ethernet, GPS, etc...
Dans notre projet on a utilisé une carte Arduino uno (figure 4.2) et ses principales
caractéristiques sont :
• Micro contrôleur : ATmega328
• Tension d'alimentation interne = 5V
• Tension d'alimentation (recommandée)= 7 à 12V, limites =6 à 20 V
• Entrées/sorties numériques : 14 dont 6 sorties PWM
• Entrées analogiques = 6
• Courant max par broches E/S = 40 mA
• Courant max sur sortie 3,3V = 50mA
• Mémoire Flash 32 KB dont 0.5 KB utilisée par le bootloader
• Mémoire SRAM 2 KB
• Mémoire EEPROM 1 KB
• Fréquence horloge = 16 MHz
• Dimensions = 68.6mm x 53.3mm
Figure III.2 : La carte Arduino uno
- L’interface logicielle
2
Sur un ordinateur, le logiciel de programmation de la carte Arduino sert d'éditeur de code

(langage proche du C). Une fois le programme tapé ou modifié au clavier, il sera transféré et
mémorisé dans la carte au travers de la liaison USB.
Le câble USB alimente à la fois en énergie la carte et transporte aussi l'information.
Figure III.3. Programmation de la carte Arduino

- Capteur de courant [3]
Ce capteur est basée sur le capteur ACS712, ce qui permet de détecter avec précision les
signaux AC ou DC.
Le AC maximum ou DC qui peut être détectée peut atteindre 5A, et le signal de courant
présente peuvent être lus via analogiques port.
Figure III .4 : Capteur de courant ACS712s
- Capteur de tension [3]

Capteur de tension 3 pin (VCC, GND, SIGnal). Jusqu'a 25V.
3
Ce module est basé sur le principe de pression de points de résistance, et il peut effectuer la
tension de puissance d'entrée du terminal rouge réduire 5 fois de tension initiale
Figure III.5 : Capteur de tension
- Driver de Mosfet (Simulation) [3]

Le driver de Mosfet permet de commander un Mosfet qui n’a pas sa source à la masse du
montage.
Nous appelons cela une alimentation « flottante ». De plus, la grille du Mosfet provoque un
fort appel
de courant pour charger ces capacités parasites. La sortie d’un microcontrôleur ne suffit
souvent pas.
Nous avons besoin d’un driver à double sortie pour commander les deux Mosfets.
4
- Driver de mosfet (pratique) [3]

C'est un circuit intégré qui permet le pilotage en haute fréquence de deux ou un seul mosfet,
sous des tensions pouvant atteindre 600v, en garantissant l'isolation électrique de l'arduino et
notre mosfet.
- Diode
Pour le dimensionnement de la diode en entrée du Buck, nous devons nous servir du courant
nominal
et trouver une diode ayant la chute de tension la plus faible. Nous prendrons donc une diode
Schottky. [3]
I=30A.
Référence : STPS60L30CW
Vfmax= 380mV
5
I=30A
Pd=4w
- Résistances de grille des Mosfets

Nous avons dimensionné les résistances de grille pour deux Mosfets différents. En effet,
chaque
résistance doit être bien dimensionnée pour optimiser l’amorçage des transistors. Une
résistance trop
élevée ferait commuter le transistor trop lentement et une trop faible créerait un fort appel de
courant
dans la grille.
III-4- Réalisation d'un convertisseur BUCK
Le dimensionnement du BUCK dépend des contraintes imposées par le panneau solaire et la
charge Nous l'avons fait précédemment.
Le convertisseur BUCK assure le transfert et la conversion de la puissance entre les deux
cotés, source et charge grâce à un système de commande cette commande est à base du
microcontrôleur Arduino uno alimenté par une tension de 5 V à travers le circuit de
protection.
Le circuit de protection est constitué un seule régulateur de tension l'une de 12v les deux
alimentent par notre source, ces deux régulateurs alimentent le driver IR2104pour faire
amorcé le mosfet. [4]
III-5- Simulation
III-5-1- Montage complet
6
Le rapport cyclique
par l’arduino
III-5-2- Résulta de sumilasion

= 12 v
= 5,22 v
7
= 0 .13 Ω
La fréquence
= T = 8 cm × 2 µF = 16
= 62500 = 62 KH
6- Résultats expérimentaux du montage

orsque nous avons voulu tester notre le montage, il nous manquait le régulateur 12V. Nous
avons donc utilisé une alimentation extérieure. Le driver IR2004, qui ne
peut commander par deux Mosfet. Nous avons donc utilisé une diode Schottky comme roue
libre.
III-6-1- Montage du système complet

Réalisée le montage complet. Elle est composée d’un convertisseur buck, Arduino, capteur
de courant (ACS712) et capteur de tension régulateur 12v, Driver IR2103
III-6-2- Le rapport cyclique génère par l’arduino
8
= T = 3.2 cm × 5 µF = 16
= 62500 = 62 KH
III-6-3- La résulta de Driver HO et LO
HO
LO
9
III-8- Conclusion
Les pertes de puissance dans la chaîne de conversion sont négligeables par rapport à la
puissance électrique prélevée sur le panneau solaire. La puissance électrique fournie à la
batterie sera donc approximativement égale à la puissance générée par le GPV. Avec une
commande MPPT, le générateur PV peut fonctionner sur sa courbe de puissance électrique
optimale sur toute la plage de variation d'éclairement et de température.
10
Conclusion
générale
Conclusion Generale
Le travail qu’on a présenté porte sur l’analyse, la modélisation et la simulation du
fonctionnement électrique d’un système photovoltaïque doté d’une commande numérique
(commande MPPT) assurant la poursuite de la puissance maximale des panneaux
photovoltaïques (PV). Dans un premier temps, on a étudié les systèmes PV, les principes de la
conversion PV et les caractéristiques techniques des cellules PV. Dans un deuxième temps,
nous avions analysé les techniques de la poursuite du PPM pour l’extraction de la puissance
maximale sous différentes conditions de fonctionnement, connue sous le nom de la technique
MPPT basée sur les algorithmes d’incrémentation de l’inductance, de perturbation et
observation et de Hill climbing suivi d’une comparaison des trois algorithmes de point de
vue temps de calcul, précision et stabilité. Notre jugement est que la technique Perturb and
observe est la plus adaptée du fait qu’elle plus facile a programmer et d’une rapidité
acceptable pour notre application. Ensuite nous avions décrit plus en détail le fonctionnement
des convertisseurs DC-DC parce qu’ils constituent l’organe principale du système
photovoltaïque. Le rôle d’un convertisseur DC-DC avec MPPT intégré joue le rôle d’un
adaptateur d’impédance automatique de la charge pour garantir le transfert de maximum de
puissance. Dans travail, nous avions utilisé un convertisseur buck avec MPPT avec une
commande suivant l’algorithme Perturb and observ installé sur une carte Arduino Uno. Le
convertisseur buck a été choisie du fait ce type de convertisseur présente le meilleur
rendement compare aux autres types, et que la tension des PV en circuit ouvert est de 21,5V
et tension au point de puissance maximale est de 17V , ce qui signifie que la tension de la
source est toujours supérieure a la tension requise par la charge (une batterie de 12V).
Par la simulation du convertisseur par le logiciel Protheus nous a permis de fixer par essai
erreur les valeurs des composants, notamment les résistances, les capacités et l’inductance
ainsi que les mosfets et leurs drivers haut et bas pour une meilleure performance possible. A
l’issue de la simulation nous avions réalisé le prototype du convertisseur buck avec MPTT
sur un breadbord. Le protype fut ensuite soumis aux différents tests et mesure pour le mettre
au point en variant les charges (résistives) et l’éclairement. Les résultats obtenus sont
satisfaisant malgré que la puissance délivré est relativement réduite et le surchauffe du
Mosfet. Le placement d’un dissipateur de chaleurs avait réduit l’échauffement du Mosfet.
En perspective, nous admettions que le prototype peut être amélioré davantage en en
augmentant la puissance de conversion en ajoutant des composants MOSFET plus puissants
avec des radiateurs pour les protéger.
REFERENCES BIBLIOGRAPHIQUES
[1] M. DAVAT Bernard-convertisseur continu-continu a rapport de transformation élève pour
applications pile à combustible-2009-Institut National Polytechnique de Lorraine
[3] LATRECHE Soufiane ET BOUZID Kheir eddine - Etude et Réalisation d'un système
photovoltaïque à base d’une carte
Arduino uno universite kasdi merbah ouargla -2016
[4] M. Angel cid pastor - conception et realisation de modules photovoltaiques electroniques-

laboratoire d’analyse et d’architectures des systèmes (laas-cnrs) -2006
[5] YAAKOUB BENYAHIA «Modélisation et simulation d’un système photovoltaïque

adapté par une commande MPPT» Oum El Bouaghi-2013
[7] fateh ounis-approche fréquentielle pour

l’analyse et la commande des convertisseurs dc-dcuniversite larbi ben m’hidi oum el
bouaghi-2010
[8] Said Chikha ; Optimisation de la puissance dans les systèmes photovoltaïques, université
larbi ben m’hidi Oum el bouaghi-2011
[9] 2015 Innovative Space of Scientific Research Journals http://www.ijias.issr-journals.org/

(Comparaison du contrôleur flou Takagi-Sugeno et de la commande "P & O"
pour l'extraction de la puissance maximale d'un système photovoltaïque)
[10] Livret Arduino en français par Jean-Noël Montagne, Centre de Ressources Art Sensitif,
novembre 2006, sous licence CC,
http://creativecommons.org/licenses/by-nc-sa/2.5/deed.fr
IR2103(S)PBF
Half-Bridge Driver
Features Product Summary
 Floating channel designed for bootstrap operation

 Fully operational to +600V VOFFSET (max) 600V
 Tolerant to negative transient voltage
 dV/dt immune IO+/- 130mA / 270mA
 Gate drive supply range from 10 to 20V
 Undervoltage lockout 10V – 20V
VOUT
 3.3V, 5V and 15V logic compatible
 Cross-conduction prevention logic
 Matched propagation delay for both channels ton/off (typ.) 680 & 150 ns
 Internal set deadtime
 High side output in phase with HIN input Deadtime (typ.) 520 ns
 Low side output out of phase with LIN input
Description Package Options
The IR2103(S) are high voltage, high speed power MOSFET and
IGBT drivers with dependent high and low side referenced output
channels. Proprietary HVIC and latch immune CMOS technologies
enable ruggedized monolithic construction. The logic input is
compatible with standard CMOS or LSTTL output, down to 3.3V
logic. The output drivers feature a high pulse current buffer stage
designed for minimum driver cross-conduction. The floating channel
can be used to drive an N-channel power MOSFET or IGBT in the 8 Lead SOIC 8 Lead PDIP
high side configuration which operates up to 600 volts.
Ordering Information
Standard Pack
Base Part Number Package Type Orderable Part Number
Form Quantity
IR2103SPBF SO8N Tube 95 IR2103SPBF
IR2103SPBF SO8N Tape and Reel 2500 IR2103STRPBF
IR2103PBF PDIP8 Tube 50 IR2103PBF
1 www.irf.com © 2013 International Rectifier April 18, 2013

IR2103(S)PBF
Table of Contents Page

Description 1
Ordering Information 1
Typical Connection Diagram 3
Absolute Maximum Ratings 4
Recommended Operating Conditions 4
Dynamic Electrical Characteristics 5
Static Electrical Characteristics 5
Functional Block Diagrams 6
Lead Definitions 7
Lead Assignments 7
Application Information and Additional Details 8
Package Details: PDIP8, SO8N 15
Tape and Reel Details: SO8N 16
Part Marking Information 17
Qualification Information 18

IR2103(S)PBF
Typical Connection Diagram

IR2103(S)PBF
Absolute Maximum Ratings

Absolute maximum ratings indicate sustained limits beyond which damage to the device may occur. All voltage
parameters are absolute voltages referenced to COM. The thermal resistance and power dissipation ratings are
measured under board mounted and still air conditions.
Symbol Definition Min. Max. Units

VB High side floating absolute voltage -0.3 625
VS High side floating supply offset voltage VB - 25 VB + 0.3
VHO High side floating output voltage VS - 0.3 VB + 0.3
V
VCC Low side and logic fixed supply voltage -0.3 25
VLO Low side output voltage -0.3 VCC + 0.3
VIN Logic input voltage (HIN & ¯¯¯)
LIN -0.3 VCC + 0.3
dVS/dt Allowable offset supply voltage transient — 50 V/ns
Package power dissipation 8 lead PDIP — 1
PD W
@ TA ≤ +25°C 8 lead SOIC — 0.625
Thermal resistance, junction to 8 lead PDIP — 125 °C/W
RthJA
ambient 8 lead SOIC — 200
TJ Junction temperature — 150
TS Storage temperature -55 150
°C
TL Lead temperature (soldering, 10 seconds) — 300
Recommended Operating Conditions

The input/output logic timing diagram is shown in figure 1. For proper operation the device should be used within
the recommended conditions. The VS offset rating is tested with all supplies biased at 15V differential.

VB High side floating absolute voltage VS + 10 VS + 20
VS High side floating supply offset voltage † 600
VHO High side floating output voltage VS VB
V
VCC Low side and logic fixed supply voltage 10 20
VLO Low side output voltage 0 VCC
VIN Logic input voltage (HIN & LIN) 0 VCC
TA Ambient temperature -40 125 °C
† Logic operational for VS of -5 to +600V. Logic state held for VS of -5V to -VBS. (Please refer to the Design Tip DT97-3 for
more details).

IR2103(S)PBF
Dynamic Electrical Characteristics

VBIAS (VCC, VBS) = 15V, CL = 1000 pF and TA = 25°C unless otherwise specified.
Symbol Definition Min. Typ. Max. Units Test Conditions

ton Turn-on propagation delay — 680 820 VS = 0V
toff Turn-off propagation delay — 150 220 VS = 600V
tr Turn-on rise time — 100 170
tf Turn-off fall time — 50 60 ns
Deadtime, LS turn-off to HS turn-on
DT 400 520 650
& HS turn-on to LS turn-off
MT Delay matching, HS & LS turn on/off — — 60
Static Electrical Characteristics

VBIAS (VCC, VBS) = 15V and TA = 25°C unless otherwise specified. The VIN, VTH, and IIN parameters are
referenced to COM. The VO and IO parameters are referenced to COM and are applicable to the respective
output leads: HO or LO.

Logic ―1‖ (HIN) & Logic ―0‖ ( ¯¯¯)
LIN
VIH 3 — — VCC = 10V to 20V
input voltage
V
Logic ―0‖ (HIN) & Logic ―1‖ ( ¯¯¯)
LIN
VIL — — 0.8 VCC = 10V to 20V
input voltage
VOH High level output voltage VBIAS - VO — — 100 IO = 0A
mV
VOL Low level output voltage, VO — — 100 IO = 0A
ILK Offset supply leakage current — — 50 VB = VS = 600V
IQBS Quiescent VBS supply current — 30 55 VIN = 0V or 5V
IQCC Quiescent VCC supply current 150 270 μA VIN = 0V or 5V
IIN+ Logic ―1‖ input bias current — 3 10 HIN = 5V, ¯¯¯
LIN =0V
IIN- Logic ―0‖ input bias current — — 1 HIN = 0V, ¯¯¯
LIN =5V
VCC supply undervoltage positive
VCCUV+ 8 8.9 9.8
going threshold
V
VCC supply undervoltage negative
VCCUV- 7.4 8.2 9
going threshold
Output high short circuit pulsed VO = 0V, VIN = VIH
IO+ 130 210 —
current PW ≤ 10 μs
mA
Output low short circuit pulsed VO = 15V , VIN = VIL
IO- 270 360 —
current PW ≤ 10 μs

IR2103(S)PBF
Functional Block Diagram

IR2103(S)PBF
Lead Definitions
Symbol Description
HIN Logic input for high side gate driver output (HO), in phase
¯¯¯
LIN Logic input for low side gate driver output (LO), out of phase
VB High side floating supply
HO High side gate drive output
VS High side floating supply return
VCC Low side and logic fixed supply
LO Low side gate drive output
COM Low side return
Lead Assignments
1 VCC VB 8
2 HIN HO 7
3 LIN VS 6
4 COM LO 5

IR2103(S)PBF
Application Information and Additional Details
Figure 1. Input/Output Timing Diagram
Figure 2. Switching Time Waveform Definitions
Figure 3. Deadtime Waveform Definitions

IR2103(S)PBF
Figure 4A. Turn-On Time vs. Temperature Figure 4B. Turn-On Time vs. Supply Voltage
Figure 4C. Turn-On Time vs. Input Voltage Figure 5A. Turn-Off Time vs. Temperature
Figure 5B. Turn-Off Time vs. Supply Voltage Figure 5C. Turn-Off Time vs. Input Voltage

IR2103(S)PBF
Figure 6A. Turn-On Rise Time vs. Temperature Figure 6B. Turn-On Rise Time vs. Voltage
Figure 7A. Turn Off Fall Time vs. Temperature Figure 7B. Turn Off Fall Time vs. Voltage
Figure 8A. Deadtime vs. Temperature Figure 8B. Deadtime vs. Voltage

IR2103(S)PBF
Figure 9A. Logic “1” ( HIN

¯¯¯) & Logic “0” ( ¯¯¯)
LIN Input Figure 9B. Logic “1” ( HIN
¯¯¯) & Logic “0” ( ¯¯¯)
LIN Input
Voltage vs. Temperature Voltage vs. Voltage
Figure 10A. Logic “0” ( HIN

¯¯¯)) & Logic “1” ( ¯¯¯)
LIN Input Figure 10B. Logic “0” (HIN) & Logic “1” (LIN) Input
Voltage vs. Temperature Voltage vs. Voltage
Figure 11A. High Level Output vs. Temperature Figure 11B. High Level Output vs. Voltage

IR2103(S)PBF
Figure 12A. Low Level Output vs. Temperature Figure 12B. Low Level Output vs. Voltage
Figure 13A. Offset Supply Current vs. Temperature Figure 13B. Offset Supply Current vs. Voltage
Figure 14A. VBS Supply Current vs. Temperature Figure 14B. VBS Supply Current vs. Voltage

IR2103(S)PBF
Figure 15A. VCC Supply Current vs. Temperature Figure 15B. VCC Supply Current vs. Voltage
Figure 16A. Logic “1” Input Current vs. Temperature Figure 16B. Logic “1” Input Current vs. Voltage
Figure 17A. Logic “0” Input Current vs. Temperature Figure 17B. Logic “0” Input Current vs. Voltage

IR2103(S)PBF
Figure 18A. VCC Undervoltage Threshold (+) vs. Figure 18B. VCC Undervoltage Threshold (-) vs.
Temperature Temperature
Figure 19A. Output Source Current vs. Temperature Figure 19B. Output Source Current vs. Voltage
Figure 20A. Output Sink Current vs. Temperature Figure 20A. Output Sink Current vs. Voltage

IR2103(S)PBF
Package Details: PDIP8, SO8N

IR2103(S)PBF
Tape and Reel Details: SO8N
LOADED TAPE FEED DIRECTION
B A H
F C
NOTE : CONTROLLING
DIMENSION IN MM E
CARRIER TAPE DIMENSION FOR 8SOICN

Metric Imperial
Code Min Max Min Max
A 7.90 8.10 0.311 0.318
B 3.90 4.10 0.153 0.161
C 11.70 12.30 0.46 0.484
D 5.45 5.55 0.214 0.218
E 6.30 6.50 0.248 0.255
F 5.10 5.30 0.200 0.208
G 1.50 n/a 0.059 n/a
H 1.50 1.60 0.059 0.062
B
C
A
E
REEL DIMENSIONS FOR 8SOICN

Metric Imperial
Code Min Max Min Max
A 329.60 330.25 12.976 13.001
B 20.95 21.45 0.824 0.844
C 12.80 13.20 0.503 0.519
D 1.95 2.45 0.767 0.096
E 98.00 102.00 3.858 4.015
F n/a 18.40 n/a 0.724
G 14.50 17.10 0.570 0.673
H 12.40 14.40 0.488 0.566

IR2103(S)PBF
Part Marking Information
Part number IRxxxxx
Date code YWW ? IR logo
Pin 1 ? XXXX Lot Code

Identifier
(Prod mode –
4 digit SPN code)
? MARKING CODE
P Lead Free Released
Assembly site code
Non-Lead Free Released Per SCOP 200-002

IR2103(S)PBF
†
Qualification Information
††
Industrial
(per JEDEC JESD 47)
Qualification Level Comments: This family of ICs has passed JEDEC’s
Industrial qualification. IR’s Consumer qualification level is
granted by extension of the higher Industrial level.
†††
MSL2
SOIC8N
Moisture Sensitivity Level (per IPC/JEDEC J-STD 020)
Not applicable
PDIP8 (non-surface mount package style)
RoHS Compliant Yes
† Qualification standards can be found at International Rectifier’s web site http://www.irf.com/

†† Higher qualification ratings may be available should the user have such requirements. Please contact your
International Rectifier sales representative for further information.
††† Higher MSL ratings may be available for the specific package types listed here. Please contact your
International Rectifier sales representative for further information.
The information provided in this document is believed to be accurate and reliable. However, International Rectifier assumes no responsibility
for the consequences of the use of this information. International Rectifier assumes no responsibility for any infringement of patents or of
other rights of third parties which may result from the use of this information. No license is granted by implication or otherwise under any
patent or patent rights of International Rectifier. The specifications mentioned in this document are subject to change without notice. This
document supersedes and replaces all information previously supplied.
For technical support, please contact IR’s Technical Assistance Center

http://www.irf.com/technical-info/
WORLD HEADQUARTERS:
233 Kansas St., El Segundo, California 90245
Tel: (310) 252-7105

Data Sheet No. PD60046-S
IR2104(S) & (PbF)

HALF-BRIDGE DRIVER
Features Product Summary
• Floating channel designed for bootstrap operation
Fully operational to +600V VOFFSET 600V max.
Tolerant to negative transient voltage
dV/dt immune
IO+/- 130 mA / 270 mA
• Gate drive supply range from 10 to 20V
VOUT 10 - 20V
• Undervoltage lockout
• 3.3V, 5V and 15V input logic compatible ton/off (typ.) 680 & 150 ns
• Cross-conduction prevention logic
• Internally set deadtime Deadtime (typ.) 520 ns
• High side output in phase with input
• Shut down input turns off both channels
• Matched propagation delay for both channels Packages
• Also available LEAD-FREE
Description
The IR2104(S) are high voltage, high speed power
MOSFET and IGBT drivers with dependent high and low 8 Lead SOIC
IR2104S 8 Lead PDIP
side referenced output channels. Proprietary HVIC and IR2104
latch immune CMOS technologies enable ruggedized
monolithic construction. The logic input is compatible with standard CMOS or LSTTL output, down to 3.3V logic.
The output drivers feature a high pulse current buffer stage designed for minimum driver cross-conduction. The
floating channel can be used to drive an N-channel power MOSFET or IGBT in the high side configuration which
operates from 10 to 600 volts.
Typical Connection
up to 600V
VCC
VCC VB
IN IN HO
SD SD VS TO
LOAD
COM LO
(Refer to Lead Assignment for correct pin configuration) This/These diagram(s) show electrical
connections only. Please refer to our Application Notes and DesignTips for proper circuit board layout.
www.irf.com 1
IR2104(S) & (PbF)
Absolute Maximum Ratings
Absolute maximum ratings indicate sustained limits beyond which damage to the device may occur. All voltage
parameters are absolute voltages referenced to COM. The thermal resistance and power dissipation ratings are
measured under board mounted and still air conditions.

VB High side floating absolute voltage -0.3 625
VS High side floating supply offset voltage VB - 25 VB + 0.3
VHO High side floating output voltage VS - 0.3 VB + 0.3
VCC Low side and logic fixed supply voltage -0.3 25 V
VLO Low side output voltage -0.3 VCC + 0.3

VIN Logic input voltage (IN & SD ) -0.3 VCC + 0.3
dVs/dt Allowable offset supply voltage transient — 50 V/ns
PD Package power dissipation @ TA ≤ +25°C (8 lead PDIP) — 1.0
W
(8 lead SOIC) — 0.625
RthJA Thermal resistance, junction to ambient (8 lead PDIP) — 125
°C/W
(8 lead SOIC) — 200
TJ Junction temperature — 150
TS Storage temperature -55 150 °C
TL Lead temperature (soldering, 10 seconds) — 300
Recommended Operating Conditions

The Input/Output logic timing diagram is shown in Figure 1. For proper operation the device should be used within the
recommended conditions. The VS offset rating is tested with all supplies biased at 15V differential.

VB High side floating supply absolute voltage VS + 10 VS + 20
VS High side floating supply offset voltage Note 1 600
VHO High side floating output voltage VS VB
V
VCC Low side and logic fixed supply voltage 10 20
VLO Low side output voltage 0 VCC
VIN Logic input voltage (IN & SD ) 0 VCC
TA Ambient temperature -40 125 °C
Note 1: Logic operational for VS of -5 to +600V. Logic state held for VS of -5V to -VBS. (Please refer to the Design Tip
DT97-3 for more details).
2 www.irf.com
IR2104(S) & (PbF)
Dynamic Electrical Characteristics
VBIAS (VCC, VBS) = 15V, CL = 1000 pF and TA = 25°C unless otherwise specified.

ton Turn-on propagation delay — 680 820 VS = 0V
toff Turn-off propagation delay — 150 220 VS = 600V
tsd Shutdown propagation delay — 160 220
tr Turn-on rise time — 100 170 ns
tf Turn-off fall time — 50 90
DT Deadtime, LS turn-off to HS turn-on & 400 520 650
HS turn-on to LS turn-off
MT Delay matching, HS & LS turn-on/off — — 60
Static Electrical Characteristics

VBIAS (VCC, VBS) = 15V and TA = 25°C unless otherwise specified. The VIN, VTH and IIN parameters are referenced to
COM. The VO and IO parameters are referenced to COM and are applicable to the respective output leads: HO or LO.

VIH Logic “1” (HO) & Logic “0” (LO) input voltage 3 — — VCC = 10V to 20V
VIL Logic “0” (HO) & Logic “1” (LO) input voltage — — 0.8 VCC = 10V to 20V
V
VSD,TH+ SD input positive going threshold 3 — — VCC = 10V to 20V
VSD,TH- SD input negative going threshold — — 0.8 VCC = 10V to 20V
VOH High level output voltage, VBIAS - VO — — 100 IO = 0A
mV
VOL Low level output voltage, VO — — 100 IO = 0A
ILK Offset supply leakage current — — 50 VB = VS = 600V
IQBS Quiescent VBS supply current — 30 55 VIN = 0V or 5V
IQCC Quiescent VCC supply current — 150 270 µA VIN = 0V or 5V
IIN+ Logic “1” input bias current — 3 10 VIN = 5V
IIN- Logic “0” input bias current — — 1 VIN = 0V
VCCUV+ VCC supply undervoltage positive going 8 8.9 9.8
threshold
V
VCCUV- VCC supply undervoltage negative going 7.4 8.2 9
threshold
IO+ Output high short circuit pulsed current 130 210 — VO = 0V
PW ≤ 10 µs
mA
IO- Output low short circuit pulsed current 270 360 — VO = 15V
PW ≤ 10 µs
www.irf.com 3
IR2104(S) & (PbF)
Functional Block Diagram
VB
HV
LEVEL Q
SHIFT HO
PULSE R
FILTER S
VS
IN
PULSE
GEN
UV
DEAD TIME & DETECT
SHOOT-THROUGH
PREVENTION
VCC
LO
SD
COM
Lead Definitions
Symbol Description
IN Logic input for high and low side gate driver outputs (HO and LO), in phase with HO
SD Logic input for shutdown
VB High side floating supply
HO High side gate drive output
VS High side floating supply return
VCC Low side and logic fixed supply
LO Low side gate drive output
COM Low side return
Lead Assignments
1 VCC VB 8 1 VCC VB 8
2 IN HO 7 2 IN HO 7
3 SD VS 6 3 SD VS 6
4 COM LO 5 4 COM LO 5
8 Lead PDIP 8 Lead SOIC
IR2104 IR2104S
4 www.irf.com
IR2104(S) & (PbF)
IN IN(LO)
50% 50%
SD
IN(HO)
ton tr toff tf
HO 90% 90%
LO
LO
HO 10% 10%
Figure 1. Input/Output Timing Diagram Figure 2. Switching Time Waveform Definitions
50% 50%
SD IN
50%
90%
tsd
HO 90% HO 10%
LO DT DT
LO 90%
Figure 3. Shutdown Waveform Definitions

10%
Figure 4. Deadtime Waveform Definitions
IN (LO)
50% 50%
IN (HO)
LO HO
10%
MT MT
90%
LO HO
Figure 5. Delay Matching Waveform Definitions
www.irf.com 5
IR2104(S) & (PbF)
1 40 0 1400
1 20 0 1200
Turn-On Delay Time (ns)

T urn -O n D e lay T im e (n s)
Max.
1 00 0 1000
M a x.
8 00 800
Typ.
6 00 600
T yp .
4 00 400
2 00 200
0 0
-50 -25 0 25 50 75 1 00 1 25 10 12 14 16 18 20
Temperature (°C) VBIAS Supply Voltage (V)
Figure 6A. Turn-On Time vs Temperature Figure 6B. Turn-On Time vs Supply Voltage
1000 5 00
Max.
Turn-On Delay Time (ns)
800 4 00
Turn-Off Delay Time (ns)
600 3 00
Typ.
400 2 00 M ax .
200 1 00
T yp .
0 0
0 2 4 6 8 10 12 14 16 18 20 -50 -25 0 25 50 75 1 00 1 25
Temperature (°C)
Input Voltage (V)
Figure 6C. Turn-On Time vs Input Voltage Figure 7A. Turn-Off Time vs Temperature
500 1000
Turn-Off Delay Time (ns)
800
Turn-Off Delay Time (ns
400
300 Max. 600
Ma x .
200 400
Typ.
100 200
Typ
0 0
10 12 14 16 18 20 0 2 4 6 8 10 12 14 16 18 20
VBIAS Supply Voltage (V) Input Voltage (V)
Figure 7B. Turn-Off Time vs Supply Voltage Figure 7C. Turn-Off Time vs Input Voltage
6 www.irf.com
IR2104(S) & (PbF)
500
500
Shutdown Delay Time (ns)
Shutdown Delay Time (ns)

400
400
300 Max.
300
200 M ax.
200
Typ.
100
T y p. 100
0
0
-5 0 -2 5 0 25 50 75 100 125
10 12 14 16 18 20
Figure 8A. Shutdown Time vs Temperature Figure 8B. Shutdown Time vs Voltage
500 500
Turn-On Rise Time (ns)
Turn-On Rise Time (ns)
400 400
300 300
M ax.
200 M ax. 200
100 100
Typ.
Typ.
0 0
-5 0 -2 5 0 25 50 75 100 125 10 12 14 16 18 20
Figure 9A. Turn-On Rise Time Figure 9B. Turn-On Rise Time vs Voltage
vs Temperature
20 0 200
Turn-Off Fall Time (ns)
Turn-Off Fall Time (ns)
15 0 150
M ax.
10 0 100
M ax.
50 50
Typ.
Ty p.
0 0
-50 -25 0 25 50 75 10 0 12 5 10 12 14 16 18 20
Figure 10A. Turn-Off Fall Time Figure 10B. Turn-Off Fall Time vs Voltage
vs Temperature
www.irf.com 7
IR2104(S) & (PbF)
1400 1400
1200 1200
Deadtime (ns)
1000 1000
Deadtime (ns)
M ax.
800 800
M ax.
600 600
Typ.
Typ.
400 400
M in .
200 M in . 200
0 0
-5 0 -2 5 0 25 50 75 100 125 10 12 14 16 18 20
Figure 11A. Deadtime vs Temperature Figure 11B. Deadtime vs Voltage
8 8
7 7
In pu t V olta g e (V )
6 6
Input V oltag e (V )
5 5
4 M in. 4 M in.
3 3
2 2
1 1
0 0
-50 -25 0 25 50 75 100 125 10 12 14 16 18 20
Temperature (°C) Vcc Supply Voltage (V)
Figure 12A. Logic "1" (HO) & Logic “0” (LO) Figure 12B. Logic "1" (HO) & Logic “0” (LO)
& Inactive SD Input Voltage & Inactive SD Input Voltage
vs Temperature vs Voltage
4 4
3.2 3 .2
Input Voltage (V)
In p u t V o lta g e (V )
2.4 2 .4
1.6 1 .6
Max. M ax.
0.8 0 .8
0 0
-50 -25 0 25 50 75 100 125 10 12 14 16 18 20
Figure 13A. Logic "0" (HO) & Logic “1” (LO) Figure 13B. Logic "0" (HO) & Logic “1” (LO)
& Active SD Input Voltage & Active SD Input Voltage
8 www.irf.com
IR2104(S) & (PbF)
1 1
High Level Output Voltage (V)

High Level Output Voltage (V)
0 .8 0 .8
0 .6 0 .6
0 .4 0 .4
M ax. M ax.
0 .2 0 .2
0 0
-5 0 -2 5 0 25 50 75 100 125 10 12 14 16 18 20
Figure 14A. High Level Output Figure 14B. High Level Output vs Voltage
vs Temperature
1 1
Low Level Output Voltage (V)
Low Level Output Voltage (V)
0 .8 0 .8
0 .6 0 .6
0 .4 0 .4
0 .2 0 .2
M ax. M ax.
0 0
-5 0 -2 5 0 25 50 75 100 125 10 12 14 16 18 20
Figure 15A. Low Level Output Figure 15B. Low level Output vs Voltage
vs Temperature
Offset Supply Leakage Current (µA)
Offset Supply Leakage Current (µA)
500 500
400 400
300 300
200 200
100 100
M ax. Max.
0 0
-5 0 -2 5 0 25 50 75 100 125 0 100 200 300 400 500 600
Temperature (°C) VB Boost Voltage (V)
Figure 16A. Offset Supply Current Figure 16B. Offset Supply Current
www.irf.com 9
IR2104(S) & (PbF)
1 50 150
VBS Supply Current (µA)
VBS Supply Current (µA)

1 20 120
90 90
60 60
M ax . Max .
30 30
T yp . Ty p.
0 0
-50 -25 0 25 50 75 1 00 1 25 10 12 14 16 18 20
Temperature (°C) VBS Floating Supply Voltage (V)
Figure 17A. VBS Supply Current Figure 17B. VBS Supply Current
700 700
Vcc Supply Current (µA)
Vcc Supply Current (µA)
600 600
500 500
400 400
300 M ax. 300

M ax.
200 200
100 Typ. 100

Typ.
0 0
-5 0 -2 5 0 25 50 75 100 125 10 12 14 16 18 20
Figure 18A. Vcc Supply Current Figure 18B. Vcc Supply Current vs Voltage
vs Temperature
30 30
Logic 1” Input Current (µA)
Logic 1” Input Current (µA)
25 25
20 20
15 15
10 10 M ax.
M ax.
5 5
Typ. Typ.
0 0
-5 0 -2 5 0 25 50 75 100 125 10 12 14 16 18 20
Figure 19A. Logic"1" Input Current Figure 19B. Logic"1" Input Current
10 www.irf.com
IR2104(S) & (PbF)
5 5
Logic "0" Input Current (uA)

Logic “0” Input Current (µA)
4 4
3 3
2 2
Max. Max.
1 1
0 0
-50 -25 0 25 50 75 100 125 10 12 14 16 18 20
Temperature (°C) VCC Supply Voltage (V)
Figure 20A. Logic "0" Input Current Figure 20B. Logic "0" Input Current
11 11
M ax.
VCC UVLO Threshold +(V)
VCC UVLO Threshold - (V)
10 10
Max.
Typ.
9 9
M in. Typ.
8 8
7 7 Min.
6 6
-50 -25 0 25 50 75 100 125 -50 -25 0 25 50 75 100 125
Temperature (°C) Temperature (°C)
Figure 21A. Vcc Undervoltage Threshold(+) Figure 21B. Vcc Undervoltage Threshold(-)
vs Temperature vs Temperature
500 500
Output Source Current (mA)
Output Source Current (mA)
400 400
Typ.
300 300
200 200
T y p.
100 Min. 100
M in.
0 0
-50 -25 0 25 50 75 100 125 10 12 14 16 18 20
Figure 22A. Output Source Current Figure 22B. Output Source Current
www.irf.com 11
IR2104(S) & (PbF)
7 00 70 0
6 00 60 0
Output Sink Current (mA)
Output Sink Current (mA)

5 00 T yp . 50 0
4 00 40 0
Ty p.
3 00 30 0
M in .
2 00 20 0
M in.
1 00 10 0
0 0
-50 -25 0 25 50 75 1 00 1 25 10 12 14 16 18 20
Figure 23A. Output Sink Current Figure 23B. Output Sink Current vs Voltage
vs Temperature
Case Outlines
01-6014
8 Lead PDIP 01-3003 01 (MS-001AB)
12 www.irf.com
IR2104(S) & (PbF)
INCHES MILLIMETERS
D B DIM
MIN MAX MIN MAX
A 5 FOOTPRINT A .0532 .0688 1.35 1.75
A1 .0040 .0098 0.10 0.25
8X 0.72 [.028]
b .013 .020 0.33 0.51
8 7 6 5 c .0075 .0098 0.19 0.25
6 H D .189 .1968 4.80 5.00
E E .1497 .1574 3.80 4.00
0.25 [.010] A
1 2 3 4 6.46 [.255] e .050 BASIC 1.27 BASIC
e1 .025 BASIC 0.635 BASIC
H .2284 .2440 5.80 6.20
K .0099 .0196 0.25 0.50
L .016 .050 0.40 1.27
6X e 3X 1.27 [.050] 8X 1.78 [.070] y 0° 8° 0° 8°
e1 K x 45°
A
C y
0.10 [.004]
A1 8X L 8X c
8X b
7
0.25 [.010] C A B
NOTES: 5 DIMENSION DOES NOT INCLUDE MOLD PROTRUSIONS.

1. DIMENSIONING & TOLERANC ING PER ASME Y14.5M-1994. MOLD PROTRUSIONS NOT TO EXCEED 0.15 [.006].
2. CONTROLLING DIMENSION: MILLIMETER 6 DIMENSION DOES NOT INCLUDE MOLD PROTRUSIONS.
MOLD PROTRUSIONS NOT TO EXCEED 0.25 [.010].
3. DIMENSIONS ARE SHOWN IN MILLIMETERS [INC HES].
7 DIMENSION IS THE LENGTH OF LEAD FOR SOLDERING TO
4. OUTLINE C ONFORMS TO JEDEC OUTLINE MS-012AA.
A SUBSTRATE.
01-6027
8 Lead SOIC 01-0021 11 (MS-012AA)
www.irf.com 13
IR2104(S) & (PbF)
LEADFREE PART MARKING INFORMATION
Part number IRxxxxxx

Date code YWW? IR logo
Pin 1 ?XXXX
Identifier
Lot Code
? MARKING CODE (Prod mode - 4 digit SPN code)
P Lead Free Released
Non-Lead Free
Released
Assembly site code
Per SCOP 200-002
ORDER INFORMATION
Basic Part (Non-Lead Free) Leadfree Part

8-Lead PDIP IR2104 order IR2104 8-Lead PDIP IR2104 order IR2104PbF
8-Lead SOIC IR2104S order IR2104S 8-Lead SOIC IR2104S order IR2104SPbF
IR WORLD HEADQUARTERS: 233 Kansas St., El Segundo, California 90245 Tel: (310) 252-7105
This product has been qualified per industrial level
Data and specifications subject to change without notice. 4/2/2004
14 www.irf.com
IRF830, SiHF830
www.vishay.com
Vishay Siliconix
Power MOSFET
FEATURES
PRODUCT SUMMARY
• Dynamic dV/dt rating
VDS (V) 500 Available
• Repetitive avalanche rated
RDS(on) () VGS = 10 V 1.5
• Fast switching Available
Qg max. (nC) 38
Qgs (nC) 5.0 • Ease of paralleling
Qgd (nC) 22 • Simple drive requirements
Configuration Single • Material categorization: for definitions of compliance
please see www.vishay.com/doc?99912
D
Note
* This datasheet provides information about parts that are
TO-220AB RoHS-compliant and / or parts that are non-RoHS-compliant. For
example, parts with lead (Pb) terminations are not RoHS-compliant.
Please see the information / tables in this datasheet for details.
G
DESCRIPTION
Third generation power MOSFETs from Vishay provide the
S
S
designer with the best combination of fast switching,
D ruggedized device design, low on-resistance and
G
N-Channel MOSFET cost-effectiveness. 
The TO-220AB package is universally preferred for all
commercial-industrial applications at power dissipation
levels to approximately 50 W. The low thermal resistance
and low package cost of the TO-220AB contribute to its
wide acceptance throughout the industry.
ORDERING INFORMATION
Package TO-220AB
IRF830PbF
Lead (Pb)-free
SiHF830-E3
IRF830
SnPb
SiHF830
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TC = 25 °C, unless otherwise noted)

PARAMETER SYMBOL LIMIT UNIT
Drain-Source Voltage VDS 500
V
Gate-Source Voltage VGS ± 20
TC = 25 °C 4.5
Continuous Drain Current VGS at 10 V ID
TC = 100 °C 2.9 A
Pulsed Drain Current a IDM 18
Linear Derating Factor 0.59 W/°C
Single Pulse Avalanche Energy b EAS 280 mJ
Repetitive Avalanche Current a IAR 4.5 A
Repetitive Avalanche Energy a EAR 7.4 mJ
Maximum Power Dissipation TC = 25 °C PD 74 W
Peak Diode Recovery dV/dt c dV/dt 3.5 V/ns
Operating Junction and Storage Temperature Range TJ, Tstg -55 to +150
°C
Soldering Recommendations (Peak temperature) d for 10 s 300
10 lbf · in
Mounting Torque 6-32 or M3 screw
1.1 N·m
Notes
a. Repetitive rating; pulse width limited by maximum junction temperature (see fig. 11).
b. VDD = 50 V, starting TJ = 25 °C, L = 24 mH, Rg = 25 , IAS = 4.5 A (see fig. 12).
c. ISD  4.5 A, dI/dt  75 A/μs, VDD  VDS, TJ  150 °C.
d. 1.6 mm from case.
S16-0754-Rev. C, 02-May-16 1 Document Number: 91063

For technical questions, contact: hvm@vishay.com
THIS DOCUMENT IS SUBJECT TO CHANGE WITHOUT NOTICE. THE PRODUCTS DESCRIBED HEREIN AND THIS DOCUMENT
ARE SUBJECT TO SPECIFIC DISCLAIMERS, SET FORTH AT www.vishay.com/doc?91000
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THERMAL RESISTANCE RATINGS

PARAMETER SYMBOL TYP. MAX. UNIT
Maximum Junction-to-Ambient RthJA - 62
Case-to-Sink, Flat, Greased Surface RthCS 0.50 - °C/W
Maximum Junction-to-Case (Drain) RthJC - 1.7
SPECIFICATIONS (TJ = 25 °C, unless otherwise noted)

PARAMETER SYMBOL TEST CONDITIONS MIN. TYP. MAX. UNIT
Static
Drain-Source Breakdown Voltage VDS VGS = 0 V, ID = 250 μA 500 - - V
VDS Temperature Coefficient VDS/TJ Reference to 25 °C, ID = 1 mA - 0.61 - V/°C
Gate-Source Threshold Voltage VGS(th) VDS = VGS, ID = 250 μA 2.0 - 4.0 V
Gate-Source Leakage IGSS VGS = ± 20 V - - ± 100 nA
VDS = 500 V, VGS = 0 V - - 25
Zero Gate Voltage Drain Current IDSS μA
VDS = 400 V, VGS = 0 V, TJ = 125 °C - - 250
Drain-Source On-State Resistance RDS(on) VGS = 10 V ID = 2.7 A b - - 1.5 
Forward Transconductance gfs VDS = 50 V, ID = 2.7 A b 2.5 - - S
Dynamic
Input Capacitance Ciss VGS = 0 V, - 610 -
Output Capacitance Coss VDS = 25 V, - 160 - pF
Reverse Transfer Capacitance Crss f = 1.0 MHz, see fig. 5 - 68 -
Total Gate Charge Qg - - 38
ID = 3.1 A, VDS = 400 V,
Gate-Source Charge Qgs VGS = 10 V - - 5.0 nC
see fig. 6 and 13 b
Gate-Drain Charge Qgd - - 22
Turn-On Delay Time td(on) - 8.2 -
Rise Time tr VDD = 250 V, ID = 3.1 A - 16 -
ns
Turn-Off Delay Time td(off) Rg = 12 , RD = 79, see fig. 10 b - 42 -
Fall Time tf - 16 -
Between lead, D
Internal Drain Inductance LD - 4.5 -
6 mm (0.25") from
nH
package and center of G
Internal Source Inductance LS die contact - 7.5 -

S
Gate Input Resistance Rg f = 1 MHz, open drain 0.5 - 2.7 

Drain-Source Body Diode Characteristics
Continuous Source-Drain Diode Current IS MOSFET symbol D

- - 4.5
showing the 
integral reverse A
G
Pulsed Diode Forward Current a ISM p - n junction diode S

- - 18
Body Diode Voltage VSD TJ = 25 °C, IS = 4.5 A, VGS = 0 V b - - 1.6 V

Body Diode Reverse Recovery Time trr - 320 640 ns
TJ = 25 °C, IF = 3.1 A, dI/dt = 100 A/μs b
Body Diode Reverse Recovery Charge Qrr - 1.0 2.0 μC
Forward Turn-On Time ton Intrinsic turn-on time is negligible (turn-on is dominated by LS and LD)
Notes
a. Repetitive rating; pulse width limited by maximum junction temperature (see fig. 11).
b. Pulse width  300 μs; duty cycle  2 %.

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TYPICAL CHARACTERISTICS (25 °C, unless otherwise noted)
3.0
RDS(on), Drain-to-Source On Resistance

VGS ID = 3.1 A
101 Top 15 V VGS = 10 V
10 V 2.5
8.0 V
ID, Drain Current (A)
7.0 V
6.0 V 2.0
(Normalized)
5.5 V
5.0 V 1.5
100 Bottom 4.5 V
4.5 V 1.0
0.5
20 µs Pulse Width
TC = 25 °C
10-1 0.0
100 101 - 60 - 40 - 20 0 20 40 60 80 100 120 140 160
91063_01 VDS, Drain-to-Source Voltage (V) 91063_04 TJ, Junction Temperature (°C)
Fig. 1 - Typical Output Characteristics, TC = 25 °C Fig. 4 - Normalized On-Resistance vs. Temperature
VGS 1500
101 VGS = 0 V, f = 1 MHz
Top 15 V Ciss = Cgs + Cgd, Cds Shorted
10 V 1250 Crss = Cgd
8.0 V Coss = Cds + Cgd
7.0 V
Capacitance (pF)
6.0 V 1000
5.5 V 4.5 V
5.0 V 750 Ciss
100 Bottom 4.5 V
500
Coss
250
20 µs Pulse Width
TC = 150 °C Crss
10-1 0
100 101 100 101
91063_02 VDS, Drain-to-Source Voltage (V) 91063_05 VDS, Drain-to-Source Voltage (V)
Fig. 2 - Typical Output Characteristics, TC = 150 °C Fig. 5 - Typical Capacitance vs. Drain-to-Source Voltage
20
101 ID = 3.1 A
VGS, Gate-to-Source Voltage (V)
150 °C 16 VDS = 400 V

VDS = 250 V
25 °C 12 VDS = 100 V
100
4
10-1 20 µs Pulse Width
For test circuit
VDS = 50 V
see figure 13
0
4 5 6 7 8 9 10 0 8 16 24 32 40
91063_03 VGS, Gate-to-Source Voltage (V) 91063_06 QG, Total Gate Charge (nC)
Fig. 3 - Typical Transfer Characteristics Fig. 6 - Typical Gate Charge vs. Drain-to-Source Voltage

IRF830, SiHF830
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Vishay Siliconix
5.0
101
ISD, Reverse Drain Current (A)
150 °C 4.0

3.0
25 °C
2.0
100 1.0
VGS = 0 V
0.0
0.4 0.6 0.8 1.0 1.2 25 50 75 100 125 150
91063_07 VSD, Source-to-Drain Voltage (V) 91063_09 TC, Case Temperature (°C)
Fig. 7 - Typical Source-Drain Diode Forward Voltage Fig. 9 - Maximum Drain Current vs. Case Temperature
RD
102 VDS
Operation in this area limited
5
by RDS(on)
2
VGS
10 µs D.U.T.
10 RG
+
5
100 µs - VDD
2
1 1 ms 10 V
Pulse width ≤ 1 µs
5
10 ms Duty factor ≤ 0.1 %
2
0.1 Fig. 10a - Switching Time Test Circuit

5
TC = 25 °C
2 TJ = 150 °C VDS
Single Pulse
10-2 2 5 2 5 2 5 2 5 2 5 90 %
0.1 1 10 102 103 104
91063_08 VDS, Drain-to-Source Voltage (V)
Fig. 8 - Maximum Safe Operating Area 10 %

VGS
td(on) tr td(off) tf
Fig. 10b - Switching Time Waveforms
10
Thermal Response (ZthJC)
1
0 - 0.5
0.2 PDM
0.1
0.1 0.05 t1
0.02 Single Pulse t2
0.01 (Thermal Response)
Notes:
1. Duty Factor, D = t1/t2
2. Peak Tj = PDM x ZthJC + TC
10-2
10-5 10-4 10-3 10-2 0.1 1 10
91063_11 t1, Rectangular Pulse Duration (S)

Fig. 11 - Maximum Effective Transient Thermal Impedance, Junction-to-Case

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Vishay Siliconix
L V(BR)DSS
VDS
Vary tp to obtain tp
required IAS VDD
RG D.U.T +
V DD
- VDS
IAS A
10 V
tp 0.01 Ω
IAS
Fig. 12a - Unclamped Inductive Test Circuit Fig. 12b - Unclamped Inductive Waveforms
600
ID
Top
EAS, Single Pulse Energy (mJ)
2.0 A
500 2.8 A
Bottom 4.5 A
400
300
200
100
VDD = 50 V
0
25 50 75 100 125 150
91063_12c Starting TJ, Junction Temperature (°C)
Fig. 12c - Maximum Avalanche Energy vs. Drain Current
Current regulator
Same type as D.U.T.
QG 50 kΩ
10 V 12 V 0.2 µF
0.3 µF
QGS QGD +
VDS
D.U.T. -
VG
VGS
3 mA
Charge
IG ID
Current sampling resistors
Fig. 13a - Basic Gate Charge Waveform Fig. 13b - Gate Charge Test Circuit

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Vishay Siliconix
Peak Diode Recovery dV/dt Test Circuit
+ Circuit layout considerations

D.U.T.
• Low stray inductance
• Ground plane
• Low leakage inductance
current transformer
-
- +
-
Rg • dV/dt controlled by Rg +
• Driver same type as D.U.T. VDD
-
• ISD controlled by duty factor “D”
• D.U.T. - device under test
Driver gate drive

Period P.W.
D=
P.W. Period
VGS = 10 Va
D.U.T. lSD waveform
Reverse
recovery Body diode forward
current current
dI/dt
D.U.T. VDS waveform
Diode recovery
dV/dt
VDD
Re-applied
voltage
Body diode forward drop
Inductor current
Ripple ≤ 5 % ISD
Note
a. VGS = 5 V for logic level devices
Fig. 14 - For N-Channel











Vishay Siliconix maintains worldwide manufacturing capability. Products may be manufactured at one of several qualified locations. Reliability data for Silicon
Technology and Package Reliability represent a composite of all qualified locations. For related documents such as package/tape drawings, part marking, and
reliability data, see www.vishay.com/ppg?91063.

Package Information
www.vishay.com
Vishay Siliconix
TO-220-1
A MILLIMETERS INCHES
E DIM.
MIN. MAX. MIN. MAX.
F
A 4.24 4.65 0.167 0.183
ØP b 0.69 1.02 0.027 0.040
Q
b(1) 1.14 1.78 0.045 0.070

H(1)
c 0.36 0.61 0.014 0.024

D 14.33 15.85 0.564 0.624
E 9.96 10.52 0.392 0.414
D
e 2.41 2.67 0.095 0.105

e(1) 4.88 5.28 0.192 0.208
F 1.14 1.40 0.045 0.055
H(1) 6.10 6.71 0.240 0.264
1 2 3
J(1) 2.41 2.92 0.095 0.115
L 13.36 14.40 0.526 0.567
L(1)
L(1) 3.33 4.04 0.131 0.159

M* ØP 3.53 3.94 0.139 0.155
Q 2.54 3.00 0.100 0.118
b(1)
ECN: X15-0364-Rev. C, 14-Dec-15
L
DWG: 6031
Note
• M* = 0.052 inches to 0.064 inches (dimension including
protrusion), heatsink hole for HVM
C
b
e
J(1)
e(1)
Package Picture
ASE Xi’an
Revison: 14-Dec-15 1 Document Number: 66542

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Vishay
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RELIABILITY, FUNCTION OR DESIGN OR OTHERWISE.
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technical experts. Product specifications do not expand or otherwise modify Vishay’s terms and conditions of purchase,
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République Algérienne Démocratique et Populaire

Ministère de l’Enseignement Supérieur et de la Recherche Scientifique

Université LARBI BEN M’HIDI

Réalisation d’un convertisseur

Proposé et Dirigé par : Présenté Par :

Année Universitaire : 2016/2017

- Je voudrais enfin exprimer mes reconnaissances à tous mes

- A mon pays L’ALGERIE que j’aime beaucoup.

- A la source de ma vie, ma raison, pour continue et le plus chaire cadeau qu’ALLAH ma

- je remercie donc du fond du cœur mer parents:

"‫"وقـ ــل ربي ارحمهما كما ربياني صغي ـ ـ ـ ـ ــرا‬

Je rappelé a personnaliser ma collègue et copain amina labdani

A toute personne qui à intéressée à et mon injonctif et content et heureux de ma réussite.

Chapitre II - Recherche du point de puissance maximale (mppt)

II-2- L’énergie solaire …………………………………………………………………........11

II-3- Le générateur photovoltaïque …………………………….………………….……...13

Chapitre III – Réalisation et simulation d’un convertisseur

Chapitre II - Recherche du point de puissance maximale (MPPT)

Figure II.13 : Organigramme de l’algorithme de commande (P&O) …………………………………22

DC Direct Current or Direct Conversion

Dans ce mémoire, on analyse la modélisation et la simulation du fonctionnement électrique

 Dans le premier chapitre, trois types de convertisseurs DC-DC, parmi les

A la fin, on termine ce mémoire par une conclusion générale.

I-2- Convertisseurs DC-DC

Figure I.1 : Convertisseur DC-DC

I-3- Convertisseurs DC-DC pour les systèmes d'énergie solaire [1]

I-3-1-1- Convertisseur Boost

Figure I. 3 : schéma de base d'un convertisseur Boost

 En mode de conduction continue, on a les formes d’ondes de courant et de tension

Figure I. 5:Schéma de base d'un convertisseur Buck

 Lorsque ce convertisseur fonctionne en mode de conduction continue, on a les

I-3-1-3- Convertisseur Buck-Boost

Figure I. 7:Schéma de base d'un convertisseur Buck-Boost

Le fonctionnement d'un convertisseur Buck-Boost peut être divisé en deux configurations

 En conduction continue, les formes d’ondes de courant et de tension de ce

I-4- Etage d’adaptation abaisseur. [4]

Figure I.10. Convertisseur dévolteur réel.

(a) Interrupteur position Q= 1 (b) Interrupteur position Q= 0

Figure I. 11. Circuit topologies de convertisseur dévolteur.

a) Si on considéré que l’interrupteur est fermé (Q=1) et appliquant les lois de

b) Pour Q=0 (l’interrupteur ouvert) :

I-6- Intérêt de recherche de point à puissance maximale

Le point de fonctionnement du GPV raccordé à une charge à courant continu (DC)

Figure II.1: Schéma bloc d’un algorithme de recherche du PPM

I-2 .1 Avantages et inconvénients de l’énergie solaire

- ils sont tributaires des conditions météorologiques.

Figure II.2 : Caractéristique I-V d’un GPV

Figure II.3 : Caractéristique P-V d’un GPV

I-3- Le générateur photovoltaïque

Figure II.4 : Coupe transversale d’une cellule PV typique [4]

Figure II .5 : Caractéristique I(V) d’une cellule photovoltaïque [4]

I-3-2- La conversion photovoltaïque

- La collecte de ces particules dans un circuit électrique extérieure.

I- 4- Modélisation d’une cellule PV

Modélisation d’une cellule photovoltaïque

Dans notre projet no va réaliser le modèle à une diode:

Le courant I généré par la photopile est :

Icc (A), le courant de court-circuit de la cellule dépendant de l’ensoleillement et de la température.

n, le facteur de non idéalité de la jonction de la diode.

I-5- Les commandes MPPT

I-5-1- Commande « Hill Climbing »

Figure II .7 : Algorithme type de la commande Hill Climbing [8]

I-5-2- Commande "Perturb and Observe (P&O)"