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2º Semestre de 2009
INSTITUTO DE TECNOLOGIA
TRABALHO SUBMETIDO AO
COLEGIADO DO CURSO DE
ENGENHARIA ELÉTRICA PARA
OBTENÇÃO DO GRAU DE
ENGENHEIRO ELETRICISTA.
Belém - PA
2010
iii
__________________________________________
Prof. Dr. Wilson Negrão Macêdo
ORIENTADOR
__________________________________________
Dr. Marcos André Barros Galhardo
CO-ORIENTADOR
__________________________________________
Prof. Dr.-Ing. João Tavares Pinho
MEMBRO DA BANCA EXAMINADORA
__________________________________________
Prof. Msc. Edinaldo José da Silva Pereira
MEMBRO DA BANCA EXAMINADORA
__________________________________________
Prof. Msc. Raimundo Rosemiro Pamplona Ribeiro
MEMBRO DA BANCA EXAMINADORA
__________________________________________
Prof. Msc. Ronaldo Nonato Silva Lima
DIRETOR DA FACULDADE DE ENGENHARIA ELÉTRICA
BELÉM - PA
2010
iv
AGRADECIMENTOS (FILLIPE)
Agradeço a Deus por ter me dado forças durante todos os momentos de minha
vida, principalmente nos de fraqueza.
Aos meus pais, Ângela e Ozimar, pelo amor e educação que me deram sem medir
esforços.
Aos Drs. Wilson Negrão, Marcos Galhardo e João Tavares Pinho, e aos Msc.
Edinaldo Pereira e Rosemiro Pamplona, pelos ensinamentos que me proporcionaram
durante o meu curso de graduação e pela amizade desenvolvida ao longo desses cinco
anos, auxiliando no meu desenvolvimento profissional.
v
AGRADECIMENTOS (GILBERTO)
A Deus, por engrandecer a existência da raça humana.
Aos meus avós Regina e Carlos Octávio, por me acolherem durante a graduação e
serem verdadeiros pais para mim.
Aos meus pais, Mariléa e Gilberto, pelos ensinamentos e por me mostrarem que o
amor está acima de tudo.
Aos Drs. Wilson Macêdo, Marcos Galhardo e João Pinho; e aos Mscs. Edinaldo
Pereira e Rosemiro Pamplona, pelas orientações e ensinamentos no período da
graduação, que levarei durante toda a minha vida profissional.
vi
SUMÁRIO
LISTA DE FIGURAS.....................................................................................................X
RESUMO.................................................................................................................... XVI
INTRODUÇÃO .............................................................................................................. 1
3.5. Inversor....................................................................................................... 94
3.5.1. Introdução................................................................................................... 94
4.1. Introdução.................................................................................................121
CONCLUSÕES........................................................................................................... 165
LISTA DE FIGURAS
FIGURA 1.1 - JUNÇÃO PN COM DETALHE DA REGIÃO DE DEPLEÇÃO .............................................................. 4
FIGURA 1.2 – REPRESENTAÇÃO DO EFEITO FV.. ........................................................................................... 5
FIGURA 1.3 – JUNÇÃO DAS CÉLULAS DE SILÍCIO AMORFO. ............................................................................ 6
FIGURA 1.4 – ESPECTROS DA RADIAÇÃO SOLAR ........................................................................................... 8
FIGURA 1.5 – SENSIBILIDADE ESPECTRAL EM FUNÇÃO DO COMPRIMENTO DE ONDA [2] ............................... 8
FIGURA 1.6 – REPRESENTAÇÃO DA JUNÇÃO PN DA CÉLULA FV .................................................................... 9
FIGURA 1.7 – COMPARAÇÃO ENTRE A CURVA DO DIODO E DA CÉLULA FV [6] ........................................... 10
FIGURA 1.8 – CIRCUITO EQUIVALENTE IDEAL DA CÉLULA FV .................................................................... 11
FIGURA 1.9 – CURVA IXV E CURVA DE POTÊNCIA DA CÉLULA FV .............................................................. 12
FIGURA 1.10 – VARIAÇÃO DE VOC E ISC COM A RADIAÇÃO SOLAR [2] .......................................................... 13
FIGURA 1.11 – CURVAS IXV PARA VÁRIOS NÍVEIS DE IRRADIÂNCIA[3] ...................................................... 14
FIGURA 1.12 – CURVAS IXV PARA VÁRIOS NÍVEIS DE TEMPERATURA [3] ................................................... 15
FIGURA 1.13 – VALORES DE EFICIÊNCIA AO LONGO DOS SÉCULOS XX E XXI (FONTE: ARQUIVO GCEP) .. 16
FIGURA 1.14 – TECNOLOGIAS DE MÓDULOS DE SILÍCIO. ............................................................................. 17
FIGURA 1.15 – GERADOR FV DE FILME FINO (FONTE: ARQUIVO LABSOLAR/UFSC) .............................. 18
FIGURA 1.16 - CONEXÃO SÉRIE DE MÓDULOS FV. ...................................................................................... 18
FIGURA 1.17 – CONFIGURAÇÕES DE SFV AUTÔNOMOS .............................................................................. 20
FIGURA 1.18 – PARQUE FOTOVOLTAICO DE OLMEDILLA (ESPANHA) [61] .................................................. 21
FIGURA 1.19 – SFCR UTILIZADO EM UMA MINIRREDE ISOLADA ................................................................. 22
FIGURA 1.20 – EXEMPLO DE UM SFCR RESIDENCIAL ................................................................................. 23
FIGURA 1.21 – DETALHE DA ESTRUTURA DO GERADOR FV ........................................................................ 24
FIGURA 1.22 – SFCR INTEGRADO AO TELHADO [2] .................................................................................... 25
FIGURA 1.23 – SFCR INTEGRADO AO TERRAÇO DE UMA EDIFICAÇÃO [2] ................................................... 26
FIGURA 1.24 – SFCR INTEGRADO SEM ESTRUTURAS DE SUSTENTAÇÃO [2]. ............................................... 27
FIGURA 1.25 – SFCR COM UTILIZAÇÃO DE TELHAS FV [2] ........................................................................ 27
FIGURA 1.26 – SFCR INTEGRADO À FACHADA DE UMA EDIFICAÇÃO [59]................................................... 28
FIGURA 1.27 – PONTO DE CONEXÃO IDEAL DO SFCR ................................................................................. 30
FIGURA 1.28 – CONFIGURAÇÃO DO SFCR EM LOCALIDADES SEM INCENTIVOS. ......................................... 31
FIGURA 1.29 – CONFIGURAÇÃO DE SFCR EM LOCALIDADES COM INCENTIVO AO EXCEDENTE................... 31
FIGURA 1.30 – CONFIGURAÇÃO DE SFCR COM INCENTIVO A TODA ENERGIA GERADA............................... 32
FIGURA 2.1 – CIRCUITOS EQUIVALENTES DOS INVERSORES ........................................................................ 37
FIGURA 2.2 – FORMAS DE ONDA NA SAÍDA EM DIFERENTES TIPOS DE CHAVEAMENTO. ............................... 38
FIGURA 2.3 – CURVAS DE POTÊNCIA DE GERADORES FV [9]. ..................................................................... 39
FIGURA 2.4 – CIRCUITO DE UM INVERSOR CSI [19] .................................................................................... 40
FIGURA 2.5 – FATOR DE POTÊNCIA E THD EM FUNÇÃO DA POTÊNCIA GERADA [57]................................... 41
FIGURA 2.6 – CIRCUITO AUXILIAR PARA O DESLIGAMENTO DO TIRISTOR. .................................................. 42
FIGURA 2.7 – COMPARAÇÃO ENTRE POTÊNCIA MEDIDA E GERADA EM DIA DE CÉU NUBLADO .................... 44
FIGURA 2.8 - COMPARAÇÃO ENTRE POTÊNCIA MEDIDA E GERADA EM DIA DE CÉU CLARO. ......................... 45
FIGURA 2.9 – EFICIÊNCIA DO SPMP PARA O DIA 17/01/2006. .................................................................... 45
xi
FIGURA 3.8 – CURVA P-V PARA O MÓDULO MSX-77, A 1000 W/M² , N = 1, VARIANDO OS VALORES DE
TEMPERATURA DA JUNÇÃO P-N PARA 0 ºC; 25 ºC; 50 ºC E 75 ºC. ........................................................ 85
FIGURA 3.9 – CURVA I-V PARA O MÓDULO MSX-77, A 1000 W/M², N = 1, A 25 ºC, VARIANDO OS VALORES
DE RESISTÊNCIA SÉRIE (RS) PARA 0 Ω; 10 MΩ E 20 MΩ. .................................................................... 86
FIGURA 3.10 – CURVA P-V PARA O MÓDULO MSX-77, A 1000 W/M², N = 1, A 25 ºC, VARIANDO OS
VALORES DE RESISTÊNCIA SÉRIE (RS) PARA 0 Ω; 10 MΩ E 20 MΩ. ..................................................... 87
FIGURA 3.11 – CURVA I-V PARA O MÓDULO MSX-77, A 1000 W/M², A 25 ºC, VARIANDO OS VALORES DE
RESISTÊNCIA SHUNT (RSH) PARA INFINITO; 500 Ω, 100 Ω E 10 Ω. ...................................................... 88
FIGURA 3.12 – CURVA P-V PARA O MÓDULO MSX-77, A 1000 W/M², A 25 ºC, VARIANDO OS VALORES DE
RESISTÊNCIA SHUNT (RSH) PARA INFINITO; 500 Ω, 100 Ω E 10 Ω. ...................................................... 88
xii
FIGURA 3.16 – MÉTODO DE GOW E MANNING. COMPARAÇÃO DAS CURVAS CALCULADAS COM AS DO
FABRICANTE NA CONDIÇÃO DE 1000 W/M² PARA O MÓDULO MSX-83. ........................................... 102
FIGURA 3.17 – MÉTODO DE GOW E MANNING. COMPARAÇÃO DAS CURVAS CALCULADAS COM AS DO
FABRICANTE PARA O MÓDULO SP75 ................................................................................................ 102
FIGURA 3.21 – CURVA I-V NAS STC PARA AS COMBINAÇÕES NSG = 1:2 E NPG = 1:2 UTILIZANDO O
MÓDULO FOTOVOLTAICO MSX-77. ................................................................................................. 108
FIGURA 3.22 – CURVA I-V E CURVA P-V NAS STC PARA UM GERADOR FOTOVOLTAICO EM ÚNICO ARRANJO
COMPOSTO DE 21 MÓDULOS EM SÉRIE SP75, CUJOS VALORES CALCULADOS SÃO: ,
E . ....................................................................................... 109
FIGURA 3.23 – MÓDULO IS230 (FONTE: CATÁLOGO DO FABRICANTE SIEMENS)...................................... 111
FIGURA 3.24 – INVERSOR SB 7000US (FONTE: CATÁLOGO DO FABRICANTE SMA) ................................ 112
FIGURA 3.25 – CURVA DE EFICIÊNCIA DO INVERSOR SB 7000US (FONTE: CATÁLOGO DO FABRICANTE
SMA). ............................................................................................................................................. 113
FIGURA 3.26 – TABELA QUE INDICA POTÊNCIA NOMINAL E MÁXIMA ADMISSÍVEL DO INVERSOR, E AS
RESPECTIVAS EFICIÊNCIAS QUANDO OPERANDO EM 10, 50 E 100% DA POTÊNCIA NOMINAL PARA OS
INVERSORES SMC 11000TL E SB 7000US (FONTE: CATÁLOGO DO FABRICANTE SMA). ............... 113
FIGURA 3.28 – MODELO SMA SB5000TL-20 MOSTRANDO ATRAVÉS DE UMA IMAGEM TERMOGRÁFICA OS
VALORES DE TEMPERATURA DOS COMPONENTES INTERNOS. O ELEMENTO MAIS QUENTE ESTAVA A
63,7ºC (FONTE: PHOTON INTERNATIONAL. THE PHOTOVOLTAIC MAGAZINE. EDIÇÃO DE MAIO DE 2009.
........................................................................................................................................................ 115
FIGURA 3.29 – EFICIÊNCIA MÉDIA ANUAL DO INVERSOR EM FUNÇÃO DO FDI PARA AS CONDIÇÕES DE
BELÉM. ............................................................................................................................................ 116
FIGURA 3.30 – PRODUTIVIDADE ANUAL DO SFCR EM FUNÇÃO DO FDI PARA AS CONDIÇÕES DE BELÉM.
........................................................................................................................................................ 116
FIGURA 3.31 – INTERFACE DO PRIMEIRO PROGRAMA DESENVOLVIDO NA FERRAMENTA GUIDE DO
MATLAB. ...................................................................................................................................... 119
xiii
FIGURA 4.17 – MÓDULOS QUE COMPÕEM O NOVO SISTEMA DE AQUISIÇÃO DE DADOS DO GEDAE/UFPA.
........................................................................................................................................................ 132
FIGURA 4.18 - ESQUEMA REPRESENTATIVO DAS LIGAÇÕES PARA LEVANTAMENTO DAS CURVAS DOS
TRANSDUTORES DE TENSÃO E DE CORRENTE CC. ............................................................................ 133
FIGURA 4.19 – CURVA DO TRANSDUTOR DE TENSÃO LV 25-P PARA O MÓDULO DE MEDIÇÃO CC. ........... 133
FIGURA 4.20 – CURVA DO TRANSDUTOR DE CORRENTE HAL 50-S PARA O MÓDULO DE MEDIÇÃO CC. .... 134
FIGURA 4.21 – CURVA DO TRANSDUTOR DE TENSÃO LV 25-P PARA O MÓDULO DE MEDIÇÃO CA............ 134
FIGURA 4.22 – CURVA DO TRANSDUTOR DE CORRENTE HAL 50-S PARA O MÓDULO DE MEDIÇÃO CA. ... 135
FIGURA 4.23 – MONITORAÇÃO DO SISTEMA FOTOVOLTAICO INTERLIGADO À REDE ELÉTRICA. ................ 137
FIGURA 4.24 – MONITORAÇÃO DAS FORMAS DE ONDA DE TENSÃO E CORRENTE CC E CA DO SISTEMA
FOTOVOLTAICO CONECTADO À REDE ELÉTRICA. .............................................................................. 137
FIGURA 4.52 – VISTA LATERAL DO GEDAE MOSTRANDO TRANSFORMADOR QUE ALIMENTA A EDIFICAÇÃO.
........................................................................................................................................................ 163
FIGURA 4.53 – CURVA MEDIDA DE EFICIÊNCIA DO INVERSOR VERSUS POTÊNCIA DE SAÍDA (CA) .............. 163
xv
LISTA DE TABELAS
TABELA 1.1 –SFCR JÁ INSTALADOS NO BRASIL. ............................................................................... 33
TABELA 2.1 –LIMITES DE HARMÔNICOS DE CORRENTE [32]. ...................................................................... 57
TABELA 2.2 –LIMITES DOS HARMÔNICOS DE TENSÃO [33].......................................................................... 58
TABELA 2.3 –LIMITES DE HARMÔNICOS DE TENSÃO DEFINIDOS PELO PRODIST [58].. .............................. 59
TABELA 2.4 –MÉTODOS PASSIVOS PARA DETECÇÃO DE OPERAÇÃO ILHADA [16]. ...................................... 60
TABELA 2.5 –MÉTODOS ATIVOS PARA DETECÇÃO DA OPERAÇÃO ILHADA. [16, 18, 34, 35]. ....................... 60
TABELA 2.6 –LIMITES ESTABELECIDOS PARA OPERAÇÃO DOS INVERSORES [32]. ....................................... 61
TABELA 3.1 –CARACTERÍSTICAS ELÉTRICAS¹ DO MÓDULO FOTOVOLTAICO MSX-77 FORNECIDA PELO
FABRICANTE (SOLAREX). ................................................................................................................ 76
TABELA 3.6 –COMPARAÇÃO ENTRE OS MODELOS E DADOS FORNECIDOS PELO FABRICANTE NO PMP EM
DIFERENTES NÍVEIS DE TEMPERATURA. ............................................................................................ 107
TABELA A.1 –DADOS EXTRAÍDOS DA CURVA I-V APRESENTADA NO CATÁLOGO DO MÓDULO MSX-77 DA
SOLAREX, UTILIZANDO O SOFTWARE TECHDIG. ........................................................................... 180
TABELA A.2 –DADOS EXTRAÍDOS DA CURVA I-V APRESENTADA NO CATÁLOGO DO MÓDULO MSX-83 DA
SOLAREX, UTILIZANDO O SOFTWARE TECHDIG. ........................................................................... 180
TABELA A.3 –DADOS EXTRAÍDOS DA CURVA I-V APRESENTADA NO CATÁLOGO DO MÓDULO SP75 DA
SIEMENS, UTILIZANDO O SOFTWARE TECHDIG. ............................................................................ 181
TABELA C.1 –TEMPO DE CARGA (TC) EM FUNÇÃO DA TENSÃO DE CIRCUITO ABERTO (VOC) E DA CORRENTE
DE CURTO-CIRCUITO (ISC) DE DIFERENTES GERADORES FV PARA CADA UMA DAS OPÇÕES DE
CAPACITOR. ..................................................................................................................................... 185
xvi
RESUMO
Esse trabalho apresenta fundamentos teóricos de sistemas fotovoltaicos, com
ênfase nos sistemas conectados à rede elétrica de baixa tensão. São feitas análises de
geradores fotovoltaicos por meio de programas desenvolvidos em diferentes
plataformas (Matlab e LabVIEW). Além disso, são explanados os fundamentos teóricos
sobre os inversores utilizados nos sistemas conectados à rede, explicando suas
funcionalidades. Por fim, é feita uma análise operacional, estudando o desempenho de
um sistema fotovoltaico de 1,575 kWp de potência nominal conectado à rede, em
operação em Belém do Pará, via sistema de aquisição de dados, que foi desenvolvido no
trabalho.
xvii
ABSTRACT
1
Trends in Photovoltaic Application (1992-2008) – Photovoltaic Power Systems Program (PVPS-IEA).
2
CAPÍTULO 1
2
Alexandre Edmond Becquerel, em 1839, percebe que uma solução de um eletrólito com eletrodos de metal,
quando exposta à radiação, tem sua condutividade aumentada. Em 1873, Willoughby Smith descobre a
fotocondutividade no selênio sólido. Em 1876, Adams e Day percebem que uma junção de selênio e platina
desenvolve o efeito fotovoltaico quando exposta a luz solar.
4
A célula FV é uma junção pn, e quando a radiação solar incide sobre essa junção,
somente alguns fótons com determinada quantidade de energia conseguem contribuir para o
efeito FV, enquanto que alguns passam direto pela célula sem contribuir para o efeito e outros
5
fino” (do inglês thin-film) e são tão finos que necessitam ser depositados em um suporte
mecânico (substrato), como uma camada de tinta em uma peça de madeira ou um metal
reflexivo sobrepondo uma peça de vidro[1].
As células de a-Si absorvem melhor a radiação solar incidente na superfície da Terra,
além de sua produção ser mais barata do que as células mc-Si e c-Si devido ao processo de
fabricação se dar em temperaturas mais baixas, consumindo assim menos energia. Dessa
forma, a utilização de células a-Si mais finas tem a vantagem de serem ainda mais baratas.
Entretanto, a eficiência de conversão das células comercializadas ainda é bastante inferior às
bolachas de silício, ficando em torno de 4% a 10% dependendo do grau de degradação da
célula.
Outras tecnologias para filmes finos também alcançaram níveis de produção de
mercado. As células de CuInGaSe2 possuem o maior índice de eficiência de conversão (17%),
em laboratório, de todas as tecnologias para filmes finos. Comercialmente, a eficiência dessa
tecnologia fica em torno de 10 %. As células de CdTe também podem ser utilizadas em filmes
finos através de um processo relativamente simples, chamado eletrodeposição ou
galvanoplastia. Nessa tecnologia, a eficiência de conversão a nível comercial fica em torno de
10%, porém ela contém cádmio que é uma substância altamente tóxica e perigosa. Algumas
empresas que fabricavam células de CdTe pararam sua produção devido à rejeição do
mercado por causa da presença de cádmio, mesmo as empresas afirmando que as células não
trariam risco para os compradores.
A capacidade de absorção da radiação solar pelas células fotovoltaicas depende das
características espectrais da fonte de radiação, nesse caso o Sol. A distribuição espectral é a
ferramenta que mostra de que forma a potência contida na radiação solar varia de acordo com
o comprimento de onda da emissão eletromagnética. Nesse sentido, é importante definir o
conceito da Massa de Ar (AM), que indica como o espectro da radiação solar é afetado pela
distância que os raios percorrem até atingir um observador. AM = 0 significa que esse
observador está localizado fora da atmosfera terrestre, AM = 1 significa que o observador está
na superfície da terra e sol em seu zênite, e AM = 1,5 significa que observador está na
superfície da terra e os raios solares incidem sobre este em um ângulo 48,l9º em relação ao
zênite. A figura 1.4 mostra o espectro da radiação solar para AM = 0 e AM = 1,5, além do
espectro do corpo negro, representando a distribuição espectral ideal no espaço se o sol fosse
um irradiador perfeito.
8
UV Visível Infravermelho
ID
VD
VD
I
I +
I
ID
I
+
ID
V
IL V
V - V
I
I
V I
+ I
ID +
ID
IL V
IL V
-
-
A célula FV ideal é uma fonte de corrente variável, onde a corrente fotogerada (IL) varia
de acordo com a mudança do nível de radiação no plano da célula e, em menor escala, as
mudanças de temperatura do dispositivo. Desse modo é possível representar a célula a partir
do circuito ideal mostrado na figura 1.8.
Pode-se perceber que o circuito não leva em consideração as perdas resistivas
decorrentes ao processo de conversão FV e transmissão da corrente fotogerada. No Capítulo 3
é feita uma análise mais aprofundada dos modelos representativos da geração FV, onde são
representados e considerados todos os aspectos que interferem no processo.
11
IL
ID
VD = VOC
VD
3
As condições padrão de teste são definidas para os valores de 1000 W/m2 de irradiância, 25ºC de temperatura
de célula e AM = 1,5 para a massa de ar.
12
I SC
IM
Curva de potência
V
VM VOC
A partir da análise da figura 1.9, percebe-se que apesar dos valores Voc e Isc serem os
mais significativos em termos de tensão e corrente, não há transferência de potência quando a
célula trabalha nesses pontos, uma vez que em circuito aberto não há carga conectada ao
sistema e em curto-circuito a tensão entre os terminais da célula é zero.
A máxima transferência de potência ocorre devido a uma única combinação de valores
de tensão e corrente. Esse ponto é localizado próximo à curvatura e possui valores típicos,
chamados de Vmp e Imp. Esses valores podem ser estimados tendo como base Isc e Voc [2].
VOC
Tensão de Circuito Aberto
Corrente de Curto-Circuito
I SC
Radiação Solar
Figura 1.10 – Variação de Voc e Isc com a radiação solar [2].
Uma vez que o fluxo de corrente gerada a partir do processo de conversão FV depende
da quantidade de fótons capazes de contribuir para o efeito FV, é fácil perceber que a corrente
14
Como qualquer outra fonte de energia elétrica, as células FV não têm a capacidade de
transformar toda a energia incidente em eletricidade devido às limitações da tecnologia e as
perdas inerentes ao processo. Portanto, faz-se necessário destacar as figuras de mérito que
caracterizam o balanço de energia inerente a conversão FV.
A eficiência de conversão de energia é o parâmetro mais importante das células FV e é
definida como a razão entre a máxima potência elétrica gerada pelo dispositivo e a potência
incidente no mesmo. Esse último valor depende exclusivamente do espectro da luz incidente
no plano da célula. Algebricamente, a eficiência pode ser vista como:
44
Células concentradoras de junção mútipla
Junção tripla
40 Junção dupla
Células de Si cristalino
36 c-Si
mc-Si
Filme fino
Eficiência de conversão(%)
16
12
0
1975 1980 1985 1990 1995 2000 2005
Figura 1.13 – Valores de eficiência ao longo dos séculos XX e XXI (Fonte: Arquivo GCEP).
Como a energia elétrica gerada depende da área disponível para a conversão FV, ou
seja, somente as áreas ocupadas pelas células, é análogo concluir que quanto maior for o
espaço ocupado por células na estrutura do módulo, maior será a potência fornecida por este.
Atualmente, é possível encontrar no mercado módulos com 300 Wp de potência nominal, o
que equivale a aproximadamente 200 células FV conectadas, uma vez que cada uma tem a
capacidade de produzir em torno de 1,5 Wp.
No caso da tecnologia de filmes finos não há conexão entre células, uma vez que o
gerador FV é construído de maneira uniforme, em um único substrato. Desse modo, os
geradores fabricados com essa tecnologia não possuem subdivisões e sua potência nominal
depende da área total utilizada para a conversão FV. A figura 1.15 mostra um gerador FV de
filme fino, que também funciona como elemento de sombreamento.
Os geradores FV são constituídos pela associação de um determinado número de
módulos FV, objetivando alcançar a tensão de operação do sistema. Dependendo da
aplicação, podem-se efetuar as associações do tipo série, paralelo ou série/paralelo. A escolha
da configuração mais adequada para o gerador depende exclusivamente da tensão de operação
dos equipamentos de condicionamento de potência e/ou de acumulação do sistema.
Quando os módulos (ou células) são conectados em série, o mesmo fluxo de corrente
passa por todos os elementos da associação e a tensão total se dá pela soma das contribuições
de cada elemento, como mostra a figura 1.16.
18
Esse tipo de conexão causa alguns efeitos indesejados ao gerador quando um elemento é
total ou parcialmente sombreado. Uma vez que um módulo ou célula, quando sombreado, não
produz fluxo de corrente, este se comporta como uma carga para os demais elementos do
gerador. Como está se tratando de uma conexão de várias fontes de corrente em série, o valor
mais baixo de uma das fontes limita as outras, fazendo diminuir drasticamente a potência de
saída do gerador. Além disso, há a formação de pontos quentes quando células individuais são
sombreadas, o que também afeta a geração de energia devido ao aumento de temperatura da
célula. Para evitar esse tipo de situação, são conectados diodos de bypass em anti-paralelo,
como mostrado na figura 1.16. Nos módulos comercializados, cada diodo protege um
conjunto de células, e na maioria das vezes podem ser acessados na caixa de conexão do
dispositivo.
19
Uma vez alcançada a tensão desejada, a partir da conexão série, pode-se aumentar a
capacidade de corrente do sistema agrupando várias cadeias de módulos (células) em paralelo.
Nesse tipo de conexão há a necessidade de proteger cada cadeia contra correntes reversas que
ocorrem devido às variações na tensão de saída de cada sub-grupo. Desse modo, padronizou-
se a utilização de diodos de bloqueio na saída de cada ramo série do gerador para fazer essa
proteção.
Outro aspecto importante para a operação eficiente do gerador FV diz respeito a sua
orientação e inclinação. Como em sistemas de menor porte o uso de seguidores solares é
evitado, por razões de custo-benefício, deve-se orientar devidamente o gerador para que haja a
máxima captação da radiação solar média ao longo do ano. Isso é feito orientando os
geradores para o norte geográfico, se a instalação for no hemisfério sul; e para o sul
geográfico, se a instalação for no hemisfério norte. A inclinação do gerador deve ser igual à
latitude do local, adotando-se o mínimo de 10º para localidades com latitude próxima de zero
(-10º a 10º). Apesar da redução pouco significativa da captação da radiação solar incidente,
este último procedimento é indicado para evitar o acúmulo de sujeira na superfície dos
módulos FV, quando instalados em posição muito próxima à horizontal, o que reduz o
rendimento da conversão. Inclinações iguais ou maiores que 10° favorecem a limpeza dos
módulos fotovoltaicos pela própria ação da água das chuvas.
Assim como o recurso solar, a energia gerada pelos módulos FV é variável e, por esse
motivo, necessita de dispositivos acumuladores para suprir a demanda de energia quando o
recurso solar estiver indisponível ou quando for insuficiente. Os SFV autônomos são
caracterizados por não estarem conectados a uma rede elétrica convencional e, possuem como
única fonte de energia a radiação solar.
Esses sistemas possuem uma infinidade de aplicações, como eletrificação de
comunidades isoladas por meio de minirredes, bombeamento FV e atendimento de pequenas
demandas individuais. Em grande parte das aplicações há o uso de algum tipo de acumulador
20
que, no caso de sistemas de eletrificação rural, acaba se tornando como ponto negativo dos
SFV autônomos devido aos processos de manutenção e troca das baterias.
Além disso, outro componente é utilizado nesses sistemas para evitar o
sobrecarregamento ou a descarga profunda do elemento acumulador. Esse dispositivo é
conhecido como controlador de carga e se localiza, eletricamente, entre o gerador FV e o
acumulador.
Se a carga a ser atendida necessitar de uma forma de onda periódica, usa-se um
inversor, que converte a potência CC em CA. Várias tecnologias de inversores para SFV
autônomos podem ser encontrados no mercado com diferentes formas de onda, seja senoidal,
quadrada ou quadrada modificada. A figura 1.17 mostra duas configurações usuais para SFV
isolados.
Os SFCR são caracterizados por injetar a energia produzida pelo processo de conversão
FV diretamente na rede elétrica, através de um inversor. Esse tipo de sistema pode ser usado
tanto para geração de energia em grandes quantidades quanto para a geração distribuída.
21
Esses sistemas são mais eficientes, econômicos, em média 40 % mais baratos, e duradouros
que os sistemas fotovoltaicos autônomos, pois, geralmente, não necessitam de sistemas de
armazenamento.
As grandes centrais FV necessitam de extensa área disponível para acomodar as
estruturas do gerador FV. Nessas aplicações, o uso de seguidores solares é muito comum, pois
esses dispositivos mecânicos possibilitam o gerador FV acompanhar a trajetória do sol ao
longo do dia e dos meses do ano, assim otimizando a quantidade de radiação incidente no
plano do gerador. Além disso, em alguns casos, é necessário o uso de transformadores de alta
tensão e por consequência linhas de transmissão para transportar a energia gerada.
A figura 1.18 mostra a maior central FV construída até hoje, localizada na cidade
espanhola de Olmedilla de Alarcón. O empreendimento e o projeto ficaram a cargo da
empresa espanhola Nobesol [60], sendo que a central foi construída em duas etapas: a
primeira, finalizada em novembro de 2006, totalizou 24 MWp instalados; já a segunda,
finalizada em outubro de 2008, totalizou 36 MWp instalados. Isso caracteriza a central com
capacidade nominal de 60 MWp, sendo que a mesma utiliza estratégia de seguimento da
trajetória solar em dois eixos e módulos Siliken SLK60 com 233/235 Wp de potência nominal
[60, 61].
Outra vantagem dos sistemas fotovoltaicos com respeito a outros sistemas de produção
de eletricidade é que estes não ocupam necessariamente espaço adicional ao já ocupado pelas
edificações. Adaptáveis para pequenas residências, grandes edifícios, fábricas, fazendas ou
sistemas independentes, o gerador fotovoltaico pode integrar-se acima de superfícies
construídas e até exercer a função de elemento de construção, como é mostrado em tópicos
subsequentes.
Os SFCR em baixa tensão se caracterizam por serem constituídos apenas do gerador FV
e do inversor (sendo que em alguns casos é empregado um transformador de isolamento),
formando a chamada geração distribuída de eletricidade. Essa aplicação pode ser
implementada não somente na rede elétrica convencional. Hoje em dia é comum encontrar
SFCR instalados em sistemas isolados que possuem minirredes de distribuição. A figura 1.19
mostra um diagrama esquemático de sistemas FV conectados à uma minirrede isolada, que
possui inversores tanto do tipo autônomo quanto para conexão à rede[4].
Gerador FV Gerador FV
= =
≈ = ≈
≈ =
≈
Minirredes
≈ ≈ ≈ ≈ ≈ ≈ ≈ ≈ Gerador FV
= = = = = = = =
Gerador Gerador =
Baterias FV Diesel Baterias FV ≈
Rede elétrica
Medidor da energia
FV gerada
Cargas residenciais
Um dos fatores que favorecem esse tipo de aplicação nas edificações comerciais diurnas
e prédios públicos é devido à coincidência da curva de demanda com a curva de geração do
SFCR. Desse modo, dependendo do porte do sistema e da energia consumida pelos usuários,
pode ocorrer da edificação não comprar energia da concessionária, ou, se comprar, diminuirá
consideravelmente o gasto com energia proveniente da rede.
Neste trabalho é dada ênfase aos SFCR em baixa tensão, já que o estudo de caso
apresentado é para um sistema bifásico com potência nominal de 1,575 kWp. É feita ainda
uma análise de desempenho do referido sistema, via aquisição de dados, visando identificar as
características de operação do mesmo, considerando as peculiaridades da região amazônica.
Os SFCR, como dito anteriormente, têm como vantagem a possibilidade de não ocupar
espaço adicional da edificação. Assim sendo, a integração do gerador FV à arquitetura se
torna um aspecto importante a ser considerado na concepção desses sistemas. Com o
crescimento da indústria FV ao longo dos anos, torna-se importante fazer do projeto de
SFCR um instrumento multidisciplinar que considere não somente a demanda energética da
24
Outro fator importante diz respeito à inclinação e à orientação do gerador FV, uma vez
que, em edificações já construídas, dificilmente esses parâmetros estarão nos valores ideais
para a máxima eficiência de conversão. Em relação à inclinação, uma saída é tentar
compensar na estrutura de sustentação, fazendo com que se aproxime do valor ótimo. A
orientação deve ser feita utilizando a área disponível do telhado que esteja o mais próximo da
orientação ao norte, supondo que a edificação esteja localizada no hemisfério sul. A figura
1.22 mostra um exemplo desse tipo de aplicação em uma edificação residencial.
25
Os SFCR também podem ser agregados a estrutura em telhados que estejam no plano
horizontal, o que é muito comum em prédios residenciais, comerciais e públicos. Nesse caso,
o gerador FV é instalado em estruturas, geralmente metálicas, montadas na superfície do
telhado plano. Dessa forma, é possível obter a inclinação ótima para o arranjo, uma vez que
este depende somente de como está inclinada a estrutura de sustentação.
É possível encontrar no mercado materiais que servem perfeitamente para a confecção
dessas estruturas, como o ferro galvanizado, e que não degradam a integridade do telhado da
edificação. Além disso, é possível, nesse tipo de instalação, evitar que o telhado seja
perfurado para a passagem dos cabos do gerador FV que são conectados ao inversor. Este
último pode ficar localizado logo abaixo da estrutura de sustentação, protegido por algum tipo
de abrigo à prova d’água. Como a distância de cabeamento CC é consideravelmente
diminuída quando essa estratégia é adotada, há redução nas perdas por efeito joule, além do
aumento da segurança dos operadores do sistema contra choque elétricos de altos níveis de
tensão CC.
A figura 1.23 mostra um exemplo dessa instalação no telhado de um edifício. Nota-se
que é necessário um espaço mínimo entre as fileiras dos arranjos FV objetivando evitar
sombreamentos indesejados.
26
A fachada é uma componente da edificação que desempenha uma série de funções, das
quais se pode citar: proteção contra intempéries (chuva, vento, umidade, radiação solar, etc.),
ruídos e calor; aproveitamento da iluminação natural; blindagem eletromagnética; entre
outras. Desse modo, a integração de geradores FV em fachadas deve ser realizada objetivando
cumprir a função determinada para a mesma no local de instalação. A experiência mundial
28
mostra que os materiais de fabricação dos módulos FV são capazes de satisfazer todas as
funções já citadas, além de poderem substituir com confiabilidade alguns materiais de
construção convencionais.
A inserção de geradores FV em fachadas de edificações já construídas tem a
desvantagem de não prover a máxima eficiência de conversão, visto que dificilmente ocorrerá
a inclinação e orientação ótimas, se fazendo necessário o uso de estruturas de sustentação, o
que descaracteriza a natureza do projeto arquitetônico. Desse modo, a idéia de considerar, à
nível de projeto, fachadas que possam ser substituídas por materiais FV, com devida
inclinação e orientação, é bastante útil, à medida que a edificação se torna um exemplo de
desenvolvimento sustentável e geração de energia limpa.
Vários empreendimentos, públicos e privados, têm adicionado SFCR às fachadas de
suas edificações. Desse modo, o prédio ganha um diferencial e a empresa se torna mais bem
vista pelos clientes em relação à concorrência, devido ao fomento as energias renováveis. A
figura 1.26 mostra a fachada de uma edificação em Sunderland, Reino Unido. O SFCR é
comporto de 480 módulos policristalinos de potências nominais variadas (285 Wp, 238 Wp,
221 Wp, 218 Wp, 182 Wp, 176 Wp, 143Wp, 109 Wp e 70 Wp) divididos em quatro sub-
grupos, resultando em um gerador com potência nominal de 73 kWp, além de contar com
quatro inversores trifásicos, dois de 35 kW e dois de 0,7 kW [59].
Rede
Medidor da Elétrica
Gerador FV
Inversor concessionária
Medidor
kWh
Ponto de
Carga
QGD conexão
Local
Todavia, como ainda não há uma regulamentação específica para esse tipo de
tecnologia, no Brasil, faz-se necessário avaliar diferentes formas de conexão dos SFCR com a
rede elétrica da concessionária, para fins de faturamento da energia fotogerada, ou não. Os
modelos mostrados são baseados nas experiências bem sucedidas de países como Alemanha e
Espanha, que desenvolveram a utilização de SFCR por parte da população, incrementando a
geração distribuída de eletricidade através de políticas públicas de incentivo.
Os SFCR em baixa tensão podem ter a interconexão com a rede elétrica localizada no
quadro de distribuição da edificação. É evidente que deve haver dispositivos de proteção
contra curtos-circuitos e sobrecargas, dedicados a cada inversor, como disjuntores, fusíveis,
DR’s, etc. Além disso, é importante prever, no projeto dos SFCR, um correto balanceamento
das fases da concessionária quando houver a instalação de dois ou mais inversores
monofásicos na edificação
Em localidades onde não há subsídios para a implementação de SFCR, a maior
compensação, devido aos gastos com equipamentos e instalação do sistema, é a redução da
energia comprada da concessionária e a conseqüente diminuição da conta de eletricidade
mensal. Todavia, a energia injetada na rede, nos momentos de baixo consumo na edificação e
de elevada disponibilidade do recurso solar, não é tarifada, virando um inconveniente ao
usuário. A figura 1.28 mostra uma possibilidade de configuração do SFCR em localidades
onde não há incentivos, mas que também pode ser aplicada em minirredes isoladas.
31
Rede
Medidor da Elétrica
Gerador FV
Inversor concessionária
Medidor FV
kWh
Ponto de
conexão
Carga kWh
QGD
Local Medidor da
energia excedente
Figura 1.28 – Configuração do SFCR em localidades sem incentivos.
Desse modo, é possível ilustrar algumas situações para o ponto de conexão dos SFCR
com a rede da concessionária local, supondo distintos tipos de incentivos, através de políticas
públicas ou privadas, para a implantação desse tipo de tecnologia. Primeiramente, se somente
o excedente da energia gerada tiver algum tipo de subsídio, uma possibilidade de
configuração é mostrada na figura 1.29. Nota-se que o ponto de conexão continua sendo no
quadro de distribuição da residência, o que facilita o acesso a parte CA do sistema, além de
dar maior segurança aos usuários e maior proteção ao próprio sistema.
Rede
Medidor da Elétrica
Gerador FV
Inversor concessionária
Ponto de
conexão
kWh
Carga QGD
Local Medidor da
energia excedente
Figura 1.29 – Configuração de SFCR em localidades com incentivo ao excedente.
local também depende de uma normatização, que leve em consideração fatores técnicos e de
segurança dos usuários e dos operadores do sistema.
Rede
Elétrica
Gerador FV
Inversor
Medidor
kWh
Carga
Local QGD
Medidor da Ponto de
concessionária conexão
Figura 1.30 – Configuração de SFCR com incentivo a toda energia gerada.
No Brasil, ainda não há nenhuma regulamentação oficial para SFCR, ainda que haja
diversos sistemas instalados em várias regiões do país, principalmente em centros de
pesquisas e universidades. Alguns laboratórios e grupos de pesquisa, como o Laboratório de
Energia Solar/Universidade de Santa Catarina (LABSOLAR/UFSC), o Laboratório de
Sistemas Fotovoltaicos/Universidade de São Paulo (LSF/USP), o Laboratório de Energia
Solar da Universidade Federal do Rio Grande do Sul (UFRGS) e o Grupo de Estudos e
Desenvolvimento de Alternativas Energéticas/Universidade Federal do Pará
(GEDAE/UFPA), vem desenvolvendo projetos que envolvem a instalação, monitoração e
análise de SFCR com vistas a criar maior conhecimento de causa e tentar viabilizar a
disseminação da tecnologia.
Somente a partir da segunda metade da década de 90 que começaram a surgir pelo país
as primeiras aplicações da tecnologia de SFCR. A partir dessas experiências, outros sistemas
foram colocados em operação, a maioria desses em centros de pesquisa [9, 10]. Há registros
de SFCR financiados por instituições privadas, como concessionárias de energia, e empresas
estatais [7, 8]. A tabela 1.1 mostra os sistemas instalados no Brasil até o ano de 2008, sendo
que alguns deles já foram desativados.
33
À medida que os SFCR são disseminados pelo país, faz-se necessário um conjunto
normativo que oriente e regule a instalação, operação e manutenção desses sistemas. Como
ainda não há nada oficial em relação à isso no Brasil, tem-se a informação de que está em
34
que este último terá através da divisão dos custos entre os consumidores finais e o momento
em que o preço da energia FV e da energia convencional será o mesmo para o usuário, ou
seja, quando haverá a paridade da rede.
Os resultados obtidos em relação às análises de impactos tarifários e de investimento
podem ser considerados satisfatórios. Considerando a tarifa prêmio, as simulações mostraram
que, apesar da redução da mesma de acordo com o ano do programa, ela sempre será maior
que a tarifa convencional de energia elétrica da localidade escolhida. Além disso, o encargo a
ser pago pelos usuários finais com vistas a suprir o pagamento das tarifas aos PI’s, no pior dos
casos, foi inferior a R$ 0,01/kWh. Em relação à contribuição energética, ao final do programa
(que foi considerado com duração de 10 anos), o setor residencial seria contemplado com
1,6% do consumo anual do setor residencial (considerou-se o consumo de 2006, que foi de
72.062.231 MWh) sendo suprido pelos SFCR [14].
A paridade da rede, que é definida como o momento no qual o preço da energia FV se
equipara ao valor da energia convencional, foi simulada a partir de diferentes valores de
crescimento anual da tarifa convencional de energia e do custo da energia FV no Brasil, com
taxa interna de retorno de investimentos fixada em 12% a.a para garantir a atração de
possíveis investidores. Os resultados obtidos mostraram que quanto maior for a taxa de
reajuste anual da tarifa convencional, mais rápido acontecerá a paridade da rede. A paridade
aconteceria mais aceleradamente nas regiões onde há a combinação de altos índices de
radiação solar e elevadas tarifas convencionais de energia, como são os casos de Minas Gerais
e Mato Grosso do Sul [15].
Isso ilustra que a energia FV pode, em um futuro próximo, competir com outras fontes
de energia, se medidas de incentivo forem tomadas para a disseminação dessa tecnologia. O
Brasil, apesar de ser um país em desenvolvimento, apresenta uma parcela considerável de sua
população que teria condições de arcar com os custos de um programa de fomento a
tecnologia dos SFCR.
Além disso, por mais que a tecnologia FV ainda continue sendo uma fonte de energia
cara, a literatura mostra que seus custos estão declinando ao longo dos anos e as perspectivas
para os anos seguintes são animadoras por reduções ainda maiores. Já as fontes de energia
convencionais não possuem perspectivas de redução e, pelo contrário, seus encargos
aumentam a cada ano. Portanto, a partir de políticas de incentivo ao uso de SFCR, a paridade
da rede é catalisada, o que torna a diversificação da matriz energética nacional, com vistas às
fontes renováveis, um futuro próximo promissor e possível.
36
CAPÍTULO 2
INVERSORES DE SFCR
Os inversores dos SFCR são circuitos estáticos, ou seja, não possuem partes móveis, e
que têm por finalidade efetuar a conversão da potência CC, fornecida pelo gerador FV, em
potência CA, que será injetada diretamente na rede elétrica, com a frequência e tensão ou
corrente de saída desejada e, na maioria das vezes, com forma de onda senoidal de tensão e
corrente com taxa de distorção harmônica dentro dos limites estabelecidos por norma. Além
disso, esse dispositivo tem por função efetuar o seguimento do ponto de máxima potência do
gerador FV, fazendo com que sempre esteja disponível, na entrada do inversor, a máxima
potência que o gerador pode suprir em determinado momento.
Considerando o lado CA, os inversores de SFCR devem possuir controles que efetuem a
desconexão e isolamento, ou seja, ele deve se desconectar da rede se os níveis de tensão e
freqüência não estejam dentro de limites estabelecidos. Sistemas de controle e proteção, que
desconectam o inversor quando a rede elétrica da concessionária falha, também devem ser
agregados ao equipamento, evitando assim a operação ilhada.
Desse modo, esse dispositivo é responsável por todo o sistema de chaveamento e
controle que sincroniza a forma de onda gerada na sua saída com os parâmetros elétricos da
rede.
(a) VSI em meia ponte (b) VSI em ponte completa (c) CSI
Figura 2.1 – Circuitos equivalentes dos inversores.
Visto pelo lado CC, o inversor pode ser do tipo fonte de tensão (VSI - do inglês
“voltage source inverter”) ou fonte de corrente (CSI – do inglês “current source inverter”).
No primeiro caso, a entrada do inversor é considerada uma fonte de tensão constante, e na
saída é produzida uma forma de onda de tensão com amplitude definida e período de
chaveamento variável. No segundo caso, a entrada é uma fonte de corrente constante e na
saída é produzida uma forma de onda para a corrente com amplitude constante e período de
chaveamento variável.
Em se tratando de inversores VSI, quando o chaveamento é feito de maneira simples, ou
seja, quando os dispositivos são chaveados alternadamente, mudando a polaridade da tensão
sobre a carga de acordo com a frequência desejada, é possível obter uma onda quadrada na
saída do inversor. Esse esquema, no qual a forma de onda de saída é mostrada na figura 2.2
(a), é usado em alguns inversores para aplicações isoladas e não é indicado para o uso em
cargas indutivas, uma vez que estas, para funcionar corretamente, demandam uma forma de
onda senoidal ou próxima à senoidal. Apesar de ser simples, o esquema de chaveamento para
onda quadrada tem a desvantagem de não prover controle da forma de onda entregue à carga,
o que resulta em elevada taxa de distorção harmônica. Desse modo, fica evidente que esse
tipo de inversor não é usado em aplicações conectadas à rede.
Outra forma de onda pode ser obtida na saída do inversor, chamada de quadrada
modificada. Isso é possível através da modificação da lógica de chaveamento, fazendo com
que os pares de chaves não atuem simultaneamente, ou seja, há um defasamento entre eles. A
consequência dessa modificação pode ser vista na figura 2.2 (b), a qual mostra que há
intervalos onde os dois lados da ponte inversora aplicam o mesmo nível de tensão na carga,
fazendo a resultante ir a zero. A forma de onda modificada criada na saída do inversor tem o
mesmo valor rms da onda senoidal equivalente. Ao contrário do esquema anterior, é possível
38
fazer o controle da tensão rms submetida à carga e reduzir a taxa de distorção harmônica na
saída fazendo a onda modificada se assemelhar ainda mais à onda senoidal. Inversores de
onda quadrada modificada são disponíveis no mercado para aplicação isolada, apesar de não
serem indicados para o uso em cargas indutivas que requerem sua alimentação na forma de
onda senoidal.
Inversores mais modernos utilizam a modulação por largura de pulso (PWM – do inglês
“Pulse Width Modulation”) para sintetizar uma senoide na saída do inversor e, assim, reduzir
a taxa de harmônicos e obter melhor controle da forma de onda gerada. A figura 2.2 (c)
mostra as formas de onda da saída modulada e da senoide sintetizada a partir da média de
cada período da modulação, considerando apenas a frequência fundamental. Os tempos de
chaveamento são determinados a partir da comparação entre as amplitudes em cada semi-
ciclo de uma onda senoidal de referência e uma portadora de alta frequência em formato
triangular.
Os inversores do tipo CSI também podem ser chaveados pelos métodos descritos
anteriormente, porém, nesse caso a fonte de tensão é substituída por uma fonte de corrente em
série com uma indutância de valor elevado. É este último que mantém um nível eficaz e
constante da corrente de alimentação, em um curto período de tempo [17]. O controlador,
mostrado na figura 2.1(c), faz o casamento entre a tensão da carga e da fonte, mantendo,
assim, a corrente no indutor constante. Esse tipo de inversor somente é utilizado para SFCR, e
a corrente de saída é gerada a partir da comparação entre uma referência com a forma de onda
de tensão da rede, fato que comanda a sequência de chaveamento dos dispositivos
comutadores. Como ambas devem estar em fase, a referência pode ser variada tanto em fase
como em amplitude, garantindo assim que a corrente de saída do inversor também esteja em
fase com a rede.
Em SFCR, é mais usual a utilização de inversores VSI, devido ao fato do gerador FV
operar de maneira mais adequada com um circuito intermediário de tensão, por causa da sua
característica não linear quando o ponto de operação se aproxima do de máxima potência.
Para um circuito intermediário de corrente, a estabilização é mais complicada devido à
variação acentuada desse parâmetro quando o ponto de operação está perto do de máxima
potência [9]. Ambas as situações são mostradas na figura 2.3.
Q1
Q2 Q9
Q7
Q3
Q4 Q8
Q10
Q5
Q6
L1 L2 L3 L4 L5 L6
Fonte CC
(Gerador FV)
Fonte CA C
(Rede Elétrica)
Figura 2.4 – Circuito de um inversor CSI [19].
Visto pelo lado CA, os inversores VSI podem ser controlados por tensão ou por
corrente. A estratégia de controle diz respeito à referência utilizada para o processo de
chaveamento. No primeiro caso, a tensão a ser fornecida para a carga é utilizada como padrão
a ser seguido, e a forma de onda de tensão na saída do inversor deve se assemelhar a
referência. Esse tipo de configuração é mais utilizado em sistemas autônomos, uma vez que o
inversor consegue produzir uma tensão com forma de onda senoidal e amplitude constante,
mesmo que a carga seja não linear e esteja demandando corrente não senoidal.
Quando o controle é realizado por corrente, este parâmetro é utilizado como referência,
e o chaveamento deve ser efetuado com a finalidade de gerar uma onda que se assemelhe a
padrão. Como em SFCR a finalidade é produzir energia elétrica de qualidade que poderá ser
fornecida à rede elétrica, o modo de controle por corrente é massivamente utilizado nos
inversores dessa aplicação, uma vez que é possível obter, através de um circuito de controle
relativamente simples, um fator de potência bem próximo da unidade e uma pequena taxa de
distorção harmônica na corrente de saída, dependendo da situação operacional do inversor. A
figura 2.5 mostra os valores do fator de potência e da Taxa de Distorção Harmônica de
corrente (THDI) em função da razão entre a potência gerada pelo SFCR (PAC) e a potência
nominal do inversor (Pnom). Observa-se que PAC acima de 50% da potência nominal, a THDI é
inferior a 5 %, com o sistema operando com fator de potência unitário.
41
Fator de Potência
THDI (%)
PAC (%)
_____
Pnom
Fator de Potência THD I
C Tiristor
a potência teórica é calculada pela equação 2.1. Essa metodologia de cálculo leva em
consideração somente as influências das variações da irradiância no plano do gerador, além
do coeficiente de perda de potência com a temperatura. Algumas perdas associadas, como
aquelas por dispersão entre os módulos FV, as perdas ôhmicas no cabeamento CC, perdas por
temperatura devido ao aquecimento do inversor, além da eficiência do SPMP contribuem para
que os valores medidos e calculados sejam diferentes nos horários de maior disponibilidade
do recurso solar, que coincidem com os horários de temperatura ambiente mais elevada.
SPMP - 01/01/2006
700
600
500
Potência (W)
400
P medida
300 P calculada
200
100
0
0:00 2:24 4:48 7:12 9:36 12:00 14:24 16:48 19:12 21:36
Figura 2.7 – Comparação entre potência medida e calculada em dia de céu nublado.
45
SPMP - 17/01/2006
1400
1200
1000
Potência (W)
800
P medida
600 P calculada
400
200
0
00:00 04:48 09:36 14:24 19:12 00:00
Figura 2.8 - Comparação entre potência medida e calculada em dia de céu claro.
A figura 2.9 mostra a eficiência do SPMP no dia 17/01/2006. Percebe-se que os maiores
valores de eficiência se dão no período da manhã, no qual a temperatura ambiente e,
consequentemente, a temperatura do inversor são mais baixas.
Inversor
CC/CC Carga
Gerador
FV
Controlador
Medição da
PI
Tensão
Figura 2.10 – Método da tensão constante.
Inversor
CC/CC Carga
Gerador
FV
Controlador
Medição da Tensão e da
PI
Corrente de curto-circuito
Figura 2.11 – Método do pulso de curto-circuito.
condição de circuito aberto. Além disso, como nos outros métodos, a tensão de operação do
arranjo deve ser medida para servir como sinal para o controlador PI, o qual age no conversor
CC/CC. A figura 2.12 ilustra esse método.
Inversor
CC/CC Carga
Gerador
FV
Controlador
Medição da Tensão de
operação e de circuito aberto
PI
Onde IFV e VFV são, respectivamente, a corrente e a tensão de operação do gerador FV.
Quando a relação da equação 2.2 for menor que zero, o ponto de operação estará à direita do
PMP da curva P x V. Se a relação for maior que zero, o ponto de operação estará à esquerda
do PMP. Desse modo, o PMP pode ser encontrado através da comparação entre a condutância
instantânea (IFV/VFV) e a condutância incremental (dIFV/dVFV). O algoritmo somente necessita
da medição dos dois parâmetros elétricos do gerador, e a maneira de calcular o PMP faz esse
método ter um bom desempenho quando há mudanças nas condições atmosféricas em curtos
intervalos de tempo. A figura 2.13 ilustra a filosofia desse método.
49
Inversor
CC/CC Carga
Gerador
FV
Controlador
Medição da Tensão e da
PI
Corrente de operação
Figura 2.13 – Método da condutância incremental.
Inversor
CC/CC Carga
Gerador
FV
Controlador
Medição da Tensão e da PI
Temperatura de operação
e y devem ser estimadas para cada nível de irradiância. É comum calcular as constantes e
defini-las em intervalos fixos (0 a 100 W/m2, 100 W/m2 a 200 W/m2 e assim sucessivamente)
até o valor de irradiância padrão (1000 W/m2). As variáveis necessárias para correta operação
do controlador PI, que devem ser medidas, são a tensão e temperatura do gerador FV, além da
irradiância no plano do mesmo.
PMP
Outro aspecto que afeta o desempenho dos SPMP é a flutuação (ripple) de tensão nos
terminais do gerador FV. Esse valor deve ser suficientemente pequeno para que o sistema
opere próximo ao ponto de máxima potência sem oscilações consideráveis. Segundo [20], há
51
uma relação entre a amplitude do ripple de tensão e a eficiência do SPMP dada através da
equação 2.5.
Nos períodos em que não há potência CC suficiente para alimentar os elementos que
constituem o inversor, durante períodos nublados e/ou chuvosos, por exemplo, o autoconsumo
de operação inversor (k0) é reduzido (0 ≤ k0’ ≤ k0) e ele desliga devido ao conceito de
autoconsumo de stand by (k0’). Se k0’ = 0, então se tem um desligamento completo. Todavia,
se k0’ = k0, a operação é completa, porém não há fluxo de potência da geração para a carga, ou
seja, não há carga nem potência de operação. Como k0’ é um parâmetro de difícil obtenção e
gera erro desprezível, k0 é um valor fixo calculado na equação 2.18 [9].
55
Onde Pinjetada é a potência instantânea gerada, pinjetada é a potência média injetada, ωrede é
a frequência da rede elétrica e t é o tempo. Idealmente, a equação 2.11 descreve a forma como
se comporta a potência entregue pelo inversor em sistemas monofásicos. A partir dela é
possível concluir que a potência instantânea injetada na rede elétrica varia com o quadrado do
seno da frequência fundamental da rede e o dobro da potência média injetada. Isso reflete do
lado CC, ocasionando oscilações tanto na potência quanto tensão do gerador FV.
Outras situações indesejáveis que podem ocorrer nos SFCR e que devem ser limitadas
ou suprimidas pelo inversor dizem respeito à injeção de níveis em CC na rede, emissões
eletromagnéticas, geração de harmônicos e operação ilhada. Nos tópicos subseqüentes são
detalhados esses problemas.
Como visto no item anterior, a potência instantânea do SFCR varia com o dobro da
potência média injetada na rede e com o quadrado do seno da frequência da rede. A oscilação
na potência CA também causa uma variação na potência e na tensão do lado CC do sistema.
Nos itens relacionados aos SPMP, foi mostrado que os métodos apresentados utilizam como
parâmetro de atuação a tensão do gerador FV. Se o ripple de tensão for acentuado, o trabalho
do SPMP para achar a tensão ótima de operação será mais complexo, uma vez que o gerador
FV terá seu ponto de operação deslocado a todo o momento. Esse inconveniente é evitado a
partir da inserção de um dispositivo de armazenamento em paralelo ao gerador FV, o que
diminui o nível do ripple de tensão. Capacitores eletrolíticos ou de filme são utilizados para
56
esse fim nos inversores de SFCR. A equação 2.12 mostra como o corre o dimensionamento da
capacitância em relação à potência nominal do sistema, PFV, a amplitude da tensão do gerador
FV, VFV, a máxima amplitude do ripple, r, e à frequência da rede elétrica, ωrede [20].
Essa norma define que o THD máximo de tensão deve ser menor que 8%.
No Brasil, a Agência Nacional de Energia Elétrica (ANEEL) publicou, em 2008, um
documento normativo, a partir da resolução normativa nº 345/2008 que rege as os
procedimentos nos sistemas de distribuição, intitulado Procedimentos de Distribuição de
Energia Elétrica no Sistema Elétrico Nacional (PRODIST). Nesse documento há uma seção
destinada à qualidade de energia elétrica, o qual estabelece os limites de harmônicos de tensão
individuais e total, a qual é limitada em 10 % para sistemas com tensão de operação menores
que 1 kV. A tabela 2.3 mostra os valores limites dos harmônicos em relação à frequência
fundamental.
59
A operação ilhada de um SFCR ocorre quando este continua a operar e fornecer energia
elétrica para as cargas locais mesmo nas ocasiões nas quais a rede elétrica da concessionária é
desconectada do sistema, seja por manobras para manutenção ou faltas. De outra forma, esse
fenômeno pode ser definido como a condição na qual uma parte da rede de distribuição, a
qual contém tanto carga como geração, é isolada do restante do sistema, continuando a operar.
A operação ilhada é desvantajosa tanto do ponto de vista da segurança quanto da
qualidade de energia. Primeiro porque nessas condições o circuito que deveria estar
desenergizado continua a operar, oferecendo riscos principalmente aos funcionários da
concessionária local quando houver serviços de manutenção no alimentador onde o sistema
está conectado. Segundo porque o equipamento dificilmente conseguirá manter os níveis dos
parâmetros elétricos dentro da norma, uma vez que o sinal de referência foi perdido. Além
disso, danos podem ser causados no inversor e na rede elétrica local devido à re-energização
não sincronizada.
Ao longo dos anos, vários métodos para a detecção da operação ilhada foram estudados
e implementados nos inversores dos SFCR. Basicamente, os métodos para detecção podem
ser divididos em passivos e ativos.
No primeiro caso, há medições contínuas das grandezas elétricas (tensão, frequência e
fase), havendo o desligamento do inversor da rede se alguma das grandezas estiver fora dos
intervalos normatizados. Nos métodos passivos não há inserção de qualquer tipo de
perturbação na rede pelo inversor, uma vez que eles detectam a perda do sinal da rede
somente pela medição dos parâmetros do sistema citados anteriormente.
60
Tabela 2.5 – Métodos ativos para detecção da operação ilhada. [16, 18, 34, 35].
Métodos Ativos Características Operacionais
Deslocamento da Monitora o valor da frequência e desliga o sistema se esta
Frequência divergir dos limites estabelecidos.
Detecta o valor da impedância vista pelo ponto de conexão
Medição da Impedância
pela injeção de corrente na rede.
Medição da Impedância Detecta a resposta em forma de impedância após a injeção de
Harmônica pulsos em alta frequência.
Variação de Potência Ativa Detecta as respostas em tensão e frequência a partir das
e Reativa variações de potência ativa e reativa.
Detecta as mudanças de tensão e frequência a partir da
Comunicação pela rede
transmissão entre o inversor e a rede elétrica.
métodos passivos são maiores quando, por exemplo, a potência gerada pelo SFCR se equivale
à potência total das cargas locais ligadas no ponto de conexão do sistema.
Desse modo, é imprescindível que o dispositivo seja equipado com outro método de
detecção, principalmente algum método ativo mostrado na tabela 2.5, já que estes possuem
maior confiabilidade. Como ainda não há uma padronização para o método de detecção, a
escolha do mesmo fica a cargo dos fabricantes de inversores.
A conexão e operação contínua do SFCR, vista pelo lado CA, depende dos parâmetros
elétricos envolvidos no processo de monitoramento e proteção do sistema. Desse modo, a
norma IEEE 929 define os limites para os valores operacionais de tensão e frequência, assim
como o tempo admissível para o dispositivo operar em situações indesejáveis. A tabela 2.6
mostra as condições previstas na norma, limitando o tempo que o inversor deve operar sob as
mesmas antes de se desconectar da rede elétrica da concessionária.
Quando há qualquer tipo de contingência, prevista na tabela 2.5, que faça o inversor
interromper a sua operação, o mesmo deve se manter desconectado da rede elétrica até que
haja a restituição da mesma. Além disso, os valores de frequência e tensão da rede devem se
manter constantes e com valores dentro dos limites estabelecidos por um tempo mínimo de
cinco minutos. Após decorrido esse intervalo, o inversor reconecta o sistema com a rede
automaticamente.
essa aplicação [20, 21]. Nessa tecnologia era necessário um elevado número de módulos FV,
conectados em série (conexão comumente chamada de string) para atingir a tensão CC
operacional sem necessitar de amplificação. Cada string era conectada em paralelo, através de
diodos de bloqueio, até atingir o nível de potência necessário na entrada do inversor, como
mostra a figura 2.19 (a). Essa configuração, porém, possuía severas limitações, como por
exemplo: necessidade de cabos de alta tensão CC entre o gerador FV e o inversor, fato que
traz riscos nos casos de manutenção do sistema; perdas de potência devido ao SPMP
centralizado, principalmente nos períodos de baixa disponibilidade do recurso solar; perdas
por dispersão entre os módulos, perdas nos diodos de bloqueio, além de não serem flexíveis
quanto a sua configuração, o que dificultou a produção em massa. Por serem comutados pela
rede, esses inversores utilizavam tiristores, o que ocasionava altas taxas de distorção
harmônica, degradando a qualidade da energia injetada. Esses fatores levaram ao
desenvolvimento de novas topologias, para atender às normatizações desenvolvidas.
b) Inversores String: Essa tecnologia é uma versão reduzida dos inversores
centralizados, uma vez que é necessário na maioria das vezes, para cada inversor, somente
uma string de módulos FV, como mostra a figura 2.19 (b). Não há perdas envolvendo diodos
de bloqueio devido a não utilização desse componente, e o SPMP é facilitado, devido à
redução do tamanho do gerador FV conectado ao inversor. Esses inversores possuem maior
eficiência de conversão e melhor qualidade da energia gerada, quando comparados com os
centralizados, uma vez que são auto-comutados através de IGBT’s ou MOSFET’s.
c) Inversores multi-string: a tecnologia multi-string se baseia no fato de que o
inversor faz a interface com o gerador FV através de múltiplos conversores CC/CC, cada um
conectado a uma string de módulos FV, como mostra a figura 2.19 (c). Essa configuração traz
grandes benefícios, quando comparada às anteriores, uma vez que cada string é controlada
individualmente, através de um SPMP dedicado. As perdas são reduzidas, devido a não
existência de diodos de bloqueio entre as strings, além de a eficiência ser aumentada, devido
ao maior controle de cada componente do gerador FV. Essa tecnologia possibilita ao dono do
sistema começar a geração com uma pequena quantidade de módulos e, posteriormente,
aumentar a capacidade do gerador através da inserção de novas strings.
d) Módulos e células CA: um módulo CA envolve a integração de um único
módulo FV e um inversor dedicado a este, o qual é diretamente conectado à rede elétrica,
como mostra a figura 2.19 (d). Essa tecnologia acaba com as perdas por dispersão entre
módulos, além de prover um ajuste ótimo entre a geração e os processos de seguimento do
PMP e inversão. Um grande atrativo dessa tecnologia é tornar o SFCR um dispositivo “plug
64
and play”, o qual pode ser manipulado por qualquer pessoa sem conhecimento específico. O
grande desafio dessa tecnologia está na necessidade de amplificação da tensão, o que reduz a
eficiência do processo e aumenta o preço por Watt do dispositivo [20].
As células CA são equipamentos nos quais uma única célula FV é conectada a um
inversor. Essa tecnologia representa o futuro dos SFCR, pois permite que a energia gerada por
uma célula seja diretamente injetada na rede sem a necessidade de conexões elétricas com
outras células, evitando as perdas que ocorrem nos módulos FV. Como dito anteriormente, o
grande desafio dessa tecnologia também está na amplificação da tensão, pois o inversor deve
ser capaz de transformar níveis de tensão em torno de 0,5 V a 1 V, para os níveis compatíveis
com a rede elétrica, além de alcançar eficiências de conversão consideráveis. Isso requer o
desenvolvimento de novas topologias, por isso ainda é objeto de estudo nas pesquisas
envolvendo a tecnologia FV.
(a) Único estágio (b) Duplo Estágio (c) Duplo Estágio (multi-string)
Figura 2.20 – Estágios de processamento do inversor.
A figura 2.22 mostra as diversas topologias, encontradas na literatura [9, 20, 21, 22, 36],
dos inversores de SFCR, quando se considera a presença ou não de um transformador.
Figura 2.23 – Circuito de um inversor multi-string com trafo de alta frequência [20].
A topologia que não utiliza transformador, mostrada na figura 2.22 (d), se torna
interessante quando não é necessária a existência de isolação galvânica entre os lados CC e
CA do sistema, ou seja, quando não há imposição de uma norma reguladora para tal. Essa
configuração é mais simples, mais barata e possui maior eficiência que as anteriores. Todavia,
problemas com correntes de fuga são comuns em sistemas sem transformador, devido à
conexão momentânea entre os pólos do gerador e o neutro da rede, e também às capacitâncias
parasitas entre o gerador FV e a terra. Essas correntes devem ser limitadas pelo inversor,
68
S1
S3
FV
S4
S2 REDE
S5
FV S1 S3
REDE
FV S4
S2
CAPÍTULO 3
Como visto antes, uma célula solar consiste de um material semicondutor que apresenta
duas regiões distintas eletricamente: uma tipo p e outra tipo n, criando uma junção
denominada pn. Quando essa junção é exposta à radiação solar, a incidência de fótons com
energia igual ou superior ao gap (Eg) do semicondutor contribui para o efeito FV, excitando
portadoras de carga que podem fluir produzindo corrente elétrica proporcional a radiação
incidente, se a célula estiver conectada a uma carga.
Seguindo este princípio, o circuito equivalente mais simples descrito na maioria das
literaturas que modelam células solares é composto por uma fonte de corrente elétrica em
paralelo com um diodo. A saída da fonte de corrente é diretamente proporcional a incidência
de luz no plano da célula (Iph). Durante a ausência de luz, a célula não produz corrente nem
tensão, operando como um diodo, equivalente a junção pn.
4
O Matlab (acrônimo de Matrix Laboratory) é uma plataforma computacional interativa de alta performance
voltada para cálculos de análise numérica, matrizes, processamento de sinais, etc, permitindo a construção de
gráficos, de modo que os problemas e soluções são tratados de maneira mais simples que em diversas linguagens
de programação tradicionais.
71
a) Resistência em série - RS: as perdas série estão presentes em células FV reais e são
associadas aos contatos entre os materiais semicondutores, tanto na região da base, em geral
com baixo teor de dopantes, como na região do emissor, que embora altamente dopada, é
estreita. A resistência da grade metálica, contatos e barramento de coleta da corrente também
contribuem para perdas totais resistivas.
b) Resistência em paralelo ou shunt - Rsh: as perdas em paralelo estão associadas a
fugas de corrente pelo topo da camada emissora ou pelas derivações ao longo da fronteira das
células. Isto é devido às imperfeições na junção p-n resultado da produção em massa das
células nas indústrias. O ideal é que Rsh seja a maior possível, de forma que a corrente
fotogerada seja integralmente transferida à carga.
c) Dependência da corrente fotogerada – Iph – com a temperatura: essa
dependência, apesar de não ser tão significativa, em relação à tensão da célula, é considerada
nas modelagens efetuadas no capítulo. O aumento da temperatura da célula causa também um
ligeiro aumento na corrente fotogerada. Esse fato é representado pelo coeficiente de
temperatura da corrente de curto-circuito.
d) Dependência da corrente de saturação reversa – I0 – com a temperatura: em
um diodo de junção pn, a corrente reversa é devido ao fluxo de elétrons do lado p para o lado
n e das lacunas do lado n para o lado p. Por isso, a corrente reversa de saturação depende do
coeficiente de difusão de elétrons e lacunas. Os portadores minoritários são termicamente
gerados, logo a corrente de saturação reversa é altamente sensível a mudanças de temperatura.
e) Fator de idealidade do diodo – n: na prática a maioria dos dispositivos não exibe
um coeficiente de idealidade do diodo igual à unidade, isto é, existe um caminho em paralelo
à fonte de corrente permitindo a passagem de um fluxo de corrente. É comum adicionar um
parâmetro n para levar em conta estas não idealidades. O fator de idealidade do diodo pode
ser um parâmetro variável (ao invés de ser fixada em 1 ou 2), constituindo o Modelo de Único
Diodo, ou então podem ser introduzidos dois diodos em paralelo com diferentes valores de
corrente de saturação (um com n = 1, outro com n = 2), representando o Modelo de Dois
Diodos.
72
5
STC – Standard Test Conditions ou Condições padrão de testes, equivalente a irradiância de 1000 W/m²,
temperatura de célula de 25ºC e massa de ar 1,5.
73
Nesse contexto, este trabalho avalia um modelo de 4 parâmetros, que é mais simples
que o de 5, porque considera RSh tendendo para o infinito, entretanto, segundo alguns autores,
essa consideração não acarreta em perdas significativas de precisão da modelagem [43,44]. O
modelo que é apresentado foi obtido através da incorporação de algumas equações de diversas
referências [37,43-45] como base para o estudo de modelagem matemática para geradores
FV. Por questão de simplicidade e compromisso com a confiabilidade, também é estudado e
comparado o modelo simplificado de Gow e Manning [42], o qual é usado para análise do
comportamento de módulos fotovoltaicos mediante variação de parâmetros como temperatura
da célula (Tj), irradiância no plano do gerador fotovoltaico (H), fator de idealidade do diodo
(n), resistência série (RS) e resistência paralelo ou shunt (RSh). Para este último caso, o valor
de RSh não é calculado, mas são introduzidos valores distintos para verificação do
comportamento das curvas I-V e P-V.
Para este tópico, o modelo utilizado tem complexidade moderada, pois inclui a
dependência da corrente fotogerada (Iph) e da corrente de saturação reversa do diodo (I0) com
a temperatura. A resistência série RS também foi incluída, ao contrário da resistência paralelo
Rsh, pois na maioria das células modernas esse parâmetro é considerado infinito [44]. O
Modelo de Único Diodo será utilizado e o fator de idealidade do diodo será um parâmetro a
ser inserido de forma a melhor se adequar a curva I-V ou medida ou retirada do catálogo do
fabricante. A figura 3.1 mostra o circuito equivalente do diagrama de uma célula FV.
O modelo foi adaptado de acordo com diversas referências [42-47] e tem o objetivo de
investigar a variação do ponto de máxima potência nos diferentes níveis de temperatura e
irradiância de uma única célula ou de um único módulo FV. A equação 3.1, mostrada a
seguir, é obtida através da 1ª Lei de Kirchhoff.
Onde IG é a corrente gerada pela célula FV para o circuito exterior, Iph é a corrente
fotogerada, diretamente dependente da irradiância e da temperatura de célula, Id é a corrente
de polarização da junção p-n e ISh é a corrente que flui pela resistência shunt. As outras
variáveis que estão contidas neste modelo e que são utilizadas ao longo do capítulo são:
A efeito de simplicidade, considerou-se que ISh → 0, pois Rsh → ∞ para células mais
modernas, logo o último termo da equação 3.2 pode ser eliminado, resultando em:
O equacionamento mostrado nas equações 3.4 a 3.10 são mostrados em [46] e em [47]
como uma simplificação de [42], e incluem a dependência de Iph e I0 com a temperatura. A
simbologia foi modificada para se adequar basicamente com as referências [43, 44, 45].
75
Onde o índice ref significa que está nas condições de referência (1000 W/m², 25ºC e
massa de ar 1,5), logo Href = 1000 W/m².
Vale mencionar que as variáveis com índice 1 significam que são valores instantâneos
conhecidos. Por exemplo, Tc1 é um valor instantâneo conhecido de temperatura da célula, cuja
corrente fotogerada Iph(Tc1) neste mesmo instante também é conhecida. Sugere-se utilizar estas
variáveis como os valores nas condições de referência, pois são de fácil obtenção através da
extração dos dados do próprio catálogo do fabricante.
A resistência série foi incluída e representa as perdas ôhmicas, podendo ser obtida
como:
Onde XV é um termo com dimensão de reatância [A/V] obtida durante os cálculos para
obtenção da resistência série.
Todas as constantes apresentadas nas equações acima podem ser determinadas através
da extração de dados dos catálogos do fabricante juntamente com a curva I-V ou, de outro
76
MSX-77 –
77 16,9 4,56 21 5,0 (0,065±0,015) (-80±10)
pc7
6
As características elétricas utilizadas na Tabela 3.1 são: Pmp é a máxima potência; Vmp é a tensão de máxima
potência; Imp é a corrente de máxima potência; Voc é a tensão de circuito aberto; Isc é a corrente de curto-circuito;
µI,SC é o coeficiente de corrente de curto-circuito com a temperatura; µV,OC é o coeficiente de tensão de circuito
aberto com a temperatura.
7
Os módulos fotovoltaicos classificados como pc são policristalinos, mc são monocristalinos e a são amorfos.
77
FV. Os dados mostrados são valores de entrada tanto do modelo simplificado de Gow e
Manning, assim como do outro modelo mostrado no tópico 3.4.
MSX-70 –
70 16,0 4,55 20,5 4,97 (0,065±0,015) (-80±10)
mc
Figura 3.2 – Curva I-V e curva P-V nas STC para o módulo fotovoltaico MSX-77, cujos
valores calculados são: , e .
Uma célula real pode ser caracterizada por parâmetros fundamentais definidos a seguir:
78
Se uma carga R grande for conectada ao módulo fotovoltaico, o módulo opera na região
D-E da curva (figura 3.2), onde a célula se comporta mais como uma fonte de tensão
constante, quase igual à tensão VOC.
Corresponde a máxima potência disponível que pode ser fornecida a uma carga
conectada aos terminais do módulo fotovoltaico em uma dada condição.
pode ser expressa pelo coeficiente do ponto de máxima potência µP,mp conforme equação a
seguir:
O valor de µP,mp é geralmente negativo [2] e pode ser estimado pela equação:
Fator de forma (FF): É a relação entre a potência máxima que pode ser
entregue para a carga e o produto de Isc e VOC, expresso por:
Boas células trabalham com valores de FF superiores a 0,7. O fator de forma diminui à
medida que a temperatura da célula cresce [46].
Considerando o módulo fotovoltaico MSX-77 da SOLAREX, os parâmetros definidos
anteriormente são calculados utilizando os dados da tabela 3.1 a fim de avaliar a característica
deste módulo policristalino.
;
80
são calculados usando o modelo simplificado de Gow e Manning e são mostrados nas figuras
3.3 e 3.4, respectivamente. É possível observar que o efeito de valores maiores de n torna o
“joelho” da curva I-V mais suave, apresentando para um mesmo nível de tensão, um valor de
corrente inferior.
Modelo MSX-77, 1000 W/m², 25ºC, 1 < n < 2
6
5
n=1
n=2
Corrente do módulo (A)
0
0 5 10 15 20 25
Tensão do módulo (V)
Figura 3.3 - Curva I-V para o módulo MSX-77, a 1000 W/m² e 25ºC, variando os valores de
n de 1,00; 1,25; 1,50; 1,75 e 2,00.
90 n=1
80
70
Potência de saída (W)
n=2
60
50
40
30
20
10
0
0 5 10 15 20 25
Tensão do módulo (V)
Figura 3.4 – Curva P-V para o módulo MSX-77, a 1000 W/m² e 25ºC, variando os valores de
n de 1,00; 1,25; 1,50; 1,75 e 2,00.
82
Curvas de corrente versus tensão e potência versus tensão são ilustradas nas figuras 3.5
e 3.6, respectivamente, para um módulo operando a uma temperatura fixa de 25 ºC e vários
níveis de radiação solar. O conceito de Sol Pleno (SP) adotado nas figuras corresponde à
razão da irradiância incidente no plano do gerador (em W/m²) pela irradiância de referência
nas STC (1000 W/m²).
Modelo MSX-77, T = 25ºC, SP = 0,25; 0,5; 0,75; 1
6
SP = 1
5
Corrente do módulo (A)
SP = 0,75
4
3
SP = 0,5
2
SP = 0,25
0
0 5 10 15 20 25
Tensão do módulo (V)
Figura 3.5 – Curva I-V para o módulo MSX-77, a 25ºC, n = 1, variando os valores de SP para
0,25; 0,50; 0,75 e 1,00.
83
90
SP = 1
80
70
Potência de saída (W)
60
50
40
30
SP =0,25
20
10
0
0 5 10 15 20 25
Tensão do módulo (V)
Figura 3.6 – Curva P-V para o módulo MSX-77, a 25ºC, n = 1, variando os valores de SP
para 0,25; 0,50; 0,75 e 1,00.
5
Corrente do módulo (A)
T = 75ºC T = 0ºC
0
0 5 10 15 20 25
Tensão do módulo (V)
Figura 3.7 – Curva I-V para o módulo MSX-77, a 1000 W/m², n = 1, variando os valores de
temperatura da junção p-n para 0 ºC; 25 ºC; 50 ºC e 75 ºC.
85
80
70
Potência de saída (W)
60
T = 75ºC
50
40
30
20
10
0
0 5 10 15 20 25
Tensão do módulo (V)
Figura 3.8 – Curva P-V para o módulo MSX-77, a 1000 W/m² , n = 1, variando os valores de
temperatura da junção p-n para 0 ºC; 25 ºC; 50 ºC e 75 ºC.
nas equações 3.9 e 3.10 para uma única célula, respectivamente. Nesta seção é mostrado para
Rs = 0 Ohm
5
Corrente do módulo (A)
Rs = 20 mOhm
3
0
0 5 10 15 20 25
Tensão do módulo (V)
Figura 3.9 – Curva I-V para o módulo MSX-77, a 1000 W/m², n = 1, a 25 ºC, variando os
valores de resistência série (Rs) para 0 Ω; 10 mΩ e 20 mΩ.
90
Rs = 0 Ohm
80
70
Potência de saída (W)
60
Rs = 20 mOhm
50
40
30
20
10
0
0 5 10 15 20 25
Tensão do módulo (V)
Figura 3.10 – Curva P-V para o módulo MSX-77, a 1000 W/m², n = 1, a 25 ºC, variando os
valores de resistência série (Rs) para 0 Ω; 10 mΩ e 20 mΩ.
Módulo MSX-77, 25ºC, 1000 W/m² , Rsh = inf; 500; 100; 10 Ohms
6
Rsh = inf
5
Rsh = 500 Ohm
Rsh = 100 Ohm
Corrente do módulo (A)
Rsh = 10 Ohm
2
0
0 5 10 15 20 25
Tensão do módulo (V)
Figura 3.11 – Curva I-V para o módulo MSX-77, a 1000 W/m², a 25 ºC, variando os
valores de resistência shunt (Rsh) para infinito; 500 Ω, 100 Ω e 10 Ω.
Módulo MSX-77, 25ºC, 1000 W/m², Rsh = inf; 500; 100; 10 Ohms
100
90
Rsh = inf
80
Rsh = 500 Ohm
70
Potência de saída (W)
60
Rsh = 100 Ohm
50
40
30
Rsh = 10 Ohm
20
10
0
0 5 10 15 20 25
Tensão do módulo (V)
Figura 3.12 – Curva P-V para o módulo MSX-77, a 1000 W/m², a 25 ºC, variando os
valores de resistência shunt (Rsh) para infinito; 500 Ω, 100 Ω e 10 Ω.
89
As equações que descrevem o modelo são reproduzidas neste tópico. Apesar de haver
bastante semelhança com as do modelo apresentado anteriormente, há diferenças que geram
resultados significativamente distintos quando simulados.
Nas condições de curto-circuito, a tensão V = 0 e a corrente de diodo é muito pequena,
Este valor de IL,ref, assim como outros valores com índice ref são necessários como
estimação inicial para o Método de Newton. É importante informar também que todos os
parâmetros com o subscrito ref são obtidos nas condições de referência (Href = 1000 w/m²,
Tc,ref = 25ºC e Mam,ref = 1,5).
Nas condições de circuito aberto, a corrente é zero ( ) e o termo exponencial da
equação 3.27 é muito maior que 1. Nessa condição, têm-se:
efeito sobre o resultado final do modelo é muito pequeno. Além disso, trata-se de uma
variável de difícil obtenção, como visto na equação polinomial 3.35 [43] a seguir:
8
Zênite é entendido como um ponto exatamente acima de um referencial e se localiza na abóboda celeste.
Segundo a perspectiva de um observador, ele pode ser visto como um ponto exatamente acima da sua cabeça e
projetado como um ponto superior na esfera celeste [49].
92
3.31 com relação a T e usando as equações 3.32, 3.34 e 3.36, pode-se demonstrar que [44,
50]:
Se o valor de aref, determinado pela equação 3.38 for maior que zero, porém menor que
o valor máximo obtido da equação 3.40 (com RS = 0), então o modelo para determinar as
características I-V da célula, módulo ou gerador FV está completo, caso contrário mais
iterações devem ser feitas até convergir para as condições citadas anteriormente.
A potência de saída do sistema é calculada pela equação 3.42.
Para encontrar o valor de máxima potência existe uma maneira numérica bastante
simples, utilizando uma ferramenta computacional, basta variar V na curva P-V até que a
máxima potência seja encontrada. Outra maneira mais complexa de se obter o ponto de
máxima potência é diferenciar a equação 3.42 com relação à tensão V e igualar o resultado a
zero, todavia isso resulta em uma equação transcendental e, de todo modo, deve ser resolvido
numericamente [44].
93
Resumindo, as entradas necessárias ao modelo em questão são: VOC,ref [V], Isc,ref [A], Tc
[K], H [W/m²], n [adimensional], µI,SC [%/ºC], µV,OC [mV/ºC], Vmp,ref [V], Imp,ref [A]. As saídas
do modelo são: I [A], V [V], Imp [A], Vmp [V], Pmp [W], a [adimensional], Rs [Ω], IL [A], I0
[A].
A associação em série de células nos permite construir módulos fotovoltaicos que, por
sua vez, quando conectados em uma matriz NsG x NpG série-paralelo, constituem os geradores
ou arranjos FV.
A obtenção da característica de um gerador FV através da característica individual de
um módulo FV faz necessário seguir as etapas descritas anteriormente para o modelo de uma
única célula ou módulo, considerando ainda que a unidade a ser usada para o gerador é a de
um único módulo FV, com os parâmetros: corrente de curto-circuito do módulo (Isc,M), tensão
de circuito aberto do módulo (VOC,M), máxima potência do módulo (Pmp,M), corrente de
máxima potência do módulo (Imp,M), tensão de máxima potência do módulo (Vmp,M) e
coeficientes de temperatura de corrente de curto-circuito e tensão de circuito aberto do
módulo.
Tendo estes parâmetros como entradas do modelo, é possível construir um gerador
constituído de NsG módulos em série e NpG em paralelo, onde a característica I-V do gerador
será:
Aplicando as equações 3.43 e 3.44 na equação 3.27, considerando que RSh tende para o
f(VG) da forma:
94
3.5 Inversor
3.5.1 Introdução
Onde PSaída é a potência instantânea gerada e é a soma das potências nominais dos
geradores que constituem o sistema. O fator de capacidade não deve ser confundido com o
fator de disponibilidade ou com eficiência.
No Brasil o fator de capacidade solar fotovoltaico é tipicamente menor que 15%,
quando se considera 24 horas o intervalo de tempo no denominador da equação 3.46, uma vez
que a produção de eletricidade não ocorre durante a noite e em momentos de
indisponibilidade do recurso solar durante o dia.
95
Nota-se que o parâmetro YF representa o número de horas que o sistema FV teria que
operar com a potência nominal do gerador FV de modo a produzir a mesma quantidade de
energia que foi entregue à rede elétrica (SFCR) ou diretamente à carga (sistemas FV
autônomos). O parâmetro YF normaliza a energia produzida levando em consideração o
tamanho do sistema, consequentemente, é uma maneira bastante conveniente para comparar
energia produzida por sistemas fotovoltaicos de diferentes tamanhos.
Outro conceito importante é o YR ou Reference Yield, que é definido como a irradiação
total no plano do gerador FV dividida pela irradiância de referência. Ele corresponde ao
número equivalente de horas de incidência da irradiância de referência (1.000 W/m²), como
pode ser visto em:
96
O YR define a disponibilidade de recurso solar para um sistema FV, isto é, ela é função
da localização, orientação do gerador FV e da variabilidade mensal e anual do clima [56].
O Rendimento Global (PR) é definido como a razão entre YF e YR, conforme a equação
3.49. A partir dessa normalização com respeito à disponibilidade do recurso solar, são
quantificadas as perdas em relação à potência nominal devido a diversos fatores, como:
ineficiência do inversor, fiação, incompatibilidade, perdas durante a conversão de potência
CC para CA, temperatura do módulo FV, utilização incompleta de irradiância por reflexo na
superfície frontal do módulo, sujeiras e falhas dos componentes.
Vários modelos descrevem a eficiência dos inversores. Este trabalho utilizará o modelo
proposto em [52], que é descrito com mais detalhes por Martín [23], onde se verificou bom
compromisso entre precisão e simplicidade, como foi apresentado em [9].
97
nominal do inversor.
Os parâmetros característicos k0, k1 e k2 são os mesmo apresentados no capítulo anterior,
porém, para facilitar a leitura, são mostrados novamente pelas seguintes expressões [19]:
A figura 3.14 mostra a interface do programa, onde as cruzes em azul indicadas sobre a
curva foram obtidas selecionando com a seta do mouse sobre a figura e os respectivos pontos
extraídos em um arquivo “xls”. Os círculos com uma cruz em vermelho são as referências dos
limites iniciais e finais de cada eixo. Estes também são indicados com a seta do mouse,
inserindo em outra janela os valores numéricos inferiores e superiores tanto do eixo-x, assim
como do eixo-y.
9
TechDig Version 1.1b é um software que cria coordenadas XY em figuras em bitmap (.bmp). Ele deve ser
comprado, havendo compartilhamento para uso de avaliação em um período de 30 dias (shareware), registrado
sob autoria de Ronald B. Jones no ano de 1994.
101
Figura 3.15 – Método de Gow e Manning. Comparação das curvas calculadas com as do
fabricante na condição de 1000 W/m² para o módulo MSX-77.
102
Figura 3.16 – Método de Gow e Manning. Comparação das curvas calculadas com as do
fabricante na condição de 1000 W/m² para o módulo MSX-83.
Figura 3.17 – Método de Gow e Manning. Comparação das curvas calculadas com as do
fabricante para o módulo SP75.
É possível observar, nas figuras 3.15 e 3.16, incoerência entre as curvas calculadas com
as do catálogo do fabricante, identificando que, em geral, a curva do fabricante apresenta
valores de corrente inferiores à curva calculada, para o mesmo nível de tensão.
103
Uma das razões observadas nos dados das tabelas A.1 e A.2 é que, provavelmente, as
curvas I-V dos módulos MSX-77 e MSX-83 estão fora de escala. Efetuando o produto I x V
dos dados obtidos pelo TechDig, encontra-se um valor de potência máxima
consideravelmente inferior ao valor fornecido pelo próprio fabricante. Por exemplo, para o
módulo MSX-77, nas STC, o fabricante informa que Pmp = 77 Wp, entretanto o produto de
alguns pontos de tensão e corrente informam um máximo valor de potência em 73,3841 Wp,
conforme dado em negrito na tabela A.1. A metodologia utilizada não é o suficiente para
afirmar tal suposição, mas dá um bom indicativo de que a curva I-V apresentada no catálogo
da SOLAREX está fora de escala.
A figura 3.17, em contrapartida, apresenta valores um pouco melhores, embora ainda
não ótimos, para o módulo SP75, identificando que, em geral, a curva do fabricante apresenta
valores de corrente superiores à curva calculada, para o mesmo nível de tensão.
para o modelo de Gow e Manning, com a finalidade de efetuar também a comparação entre os
erros relativos de cada módulo. Nesse caso, para um resultado mais próximo do fornecido
pelo fabricante, o ideal seria considerar um fator de idealidade para cada módulo específico.
Tabela 3.6 – Comparação entre os modelos e dados fornecidos pelo fabricante no PMP em
diferentes níveis de temperatura.
Valor calculado pelo modelo e Erro (%) em relação ao datasheet.
Módulo Modelo T= T= T= T= T
Pmp (W) T=75ºC n
0ºC 25ºC 45ºC 50ºC =60ºC
Calculado 82,71 74,34 67,47 65,74 62,25 56,96
Gow e
Manning Fabricante 78,75 70,00 63,00 61,25 57,75 52,50 1,1
Erro (%) 5,03 6,20 7,10 7,33 7,79 8,50
MSX-70
Calculado 80,42 72,80 66,56 64,98 61,80 56,99
4 param. Fabricante 78,75 70,00 63,00 61,25 57,75 52,50 1
Erro (%) 2,12 4,01 5,65 6,09 7,02 8,56
Calculado 85,52 77,05 70,14 68,40 64,90 59,62
Gow e
Manning Fabricante 86,62 77,00 69,30 67,37 63,52 57,75 1,1
Erro (%) 1,28 0,06 1,22 1,52 2,16 3,24
MSX-77
Calculado 84,22 77,06 70,70 69,10 65,87 60,99
4 param. Fabricante 86,62 77,00 69,30 67,37 63,52 57,75 1
Erro (%) 2,77 0,08 2,03 2,56 3,70 5,62
Calculado 90,32 81,48 74,27 72,45 68,79 63,27
Gow e
Manning Fabricante 93,37 83,00 74,70 72,62 68,47 62,25 1,1
Erro (%) 3,26 1,83 0,58 0,24 0,46 1,65
MSX-83
Calculado 91,08 82,98 76,36 74,69 71,33 66,25
4 param. Fabricante 93,37 83,00 74,70 72,62 68,47 62,25 1
Erro (%) 2,46 0,02 2,23 2,85 4,17 6,43
Calculado 82,58 74,45 67,82 66,15 62,79 57,71
Gow e
Manning Fabricante 84,37 75,00 67,50 65,62 61,87 56,25 1,1
Erro (%) 2,13 0,73 0,48 0,79 1,47 2,60
A75
Calculado 82,25 74,80 68,72 67,18 64,09 59,43
4 param. Fabricante 84,37 75,00 67,50 65,62 61,87 56,25 1
Erro (%) 2,51 0,26 1,81 2,38 3,59 5,65
Calculado 85,91 77,60 70,89 69,20 65,83 60,75
Gow e
Manning Fabricante 85,31 75,00 66,75 64,69 60,56 54,37 1,1
Erro (%) 0,70 3,47 6,20 6,98 8,69 11,73
SP75
Calculado 82,43 74,80 68,63 67,08 63,97 59,30
4 param. Fabricante 85,31 75,00 66,75 64,69 60,56 54,37 1
Erro (%) 3,37 0,26 2,82 3,70 5,63 9,06
Equação Fabricante: P=Pmp*(1+Gama*(T-25))
108
Outra aplicação que foi expandida somente para o modelo de 4 parâmetros é utilizar o
modelamento matemático para um gerador FV. A figura 3.21 mostra em preto a curva I-V de
um único módulo FV, em vermelho são dois módulos em paralelo, em azul são dois em série
e, em verde, um arranjo com dois em série em duas strings em paralelo.
12
NsgxNpG = 1x1
NsgxNpG = 1x2
NsgxNpG = 2x1
10
NsgxNpG = 2x2
8
Corrente do módulo (A)
0
0 5 10 15 20 25 30 35 40 45 50
Tensão do módulo (V)
Figura 3.21 – Curva I-V nas STC para as combinações NsG = 1:2 e NpG = 1:2 em utilizando
o módulo fotovoltaico MSX-77.
A importância de estudar as características I-V dos geradores fotovoltaicos é ter à
disposição as possíveis combinações de corrente versus tensão, possibilitando realizar
estimativas da potência disponível na saída do gerador FV para determinadas condições
ambientais. Isso facilita o entendimento de como se comporta um gerador FV específico,
servindo de embasamento para futuras medições e testes em campo. Desta maneira, torna-se
uma ferramenta interessante que pode auxiliar no dimensionamento SFCR.
5 2000
4 1600
Corrente do módulo (A)
2 800
1 400
0 0
0 50 100 150 200 250 300 350 400 450 500
Tensão do módulo (V)
Figura 3.22 – Curva I-V e curva P-V nas STC para um gerador fotovoltaico em único
arranjo composto de 21 módulos em série SP75, cujos valores calculados são:
, e .
O modelo utilizado mostrou um bom grau de precisão quando comparado com os dados
medidos. Para níveis de irradiância consideráveis, o erro relativo não ultrapassou 7,5%,
ficando, na maioria dos casos, inferior a 5%. Erro aceitável, uma vez que se deve considerar a
eficiência do SPMP existente no inversor, que corresponde a 95% a 98% para esses casos.
Para níveis de irradiância baixos, normalmente inferiores a 100 W/m2, o erro relativo
entre o modelo de 4 parâmetros e os valores medidos aumenta consideravelmente. Isso se
deve ao fato do SPMP não encontrar o PMP do gerador FV, pois, nesses casos, o SPMP do
inversor não é capaz de completar a operação de seu algoritmo, devido ao baixo nível de
potência na sua entrada.
111
a) Escolha do módulo FV: O módulo escolhido para ser utilizado como referência para
este estudo é o módulo IS230, conforme figura 3.23, do fabricante Isofotón, que possui 96
células em série de silício monocristalino e potência nominal de 230 Wp.
Figura 3.26 – Tabela que indica potência nominal e máxima admissível do inversor, e as
respectivas eficiências quando operando em 10, 50 e 100% da potência nominal para os
inversores SMC 11000TL e SB 7000US.
114
Uma segunda e última tabela em Excel com o nome “BelHour10” deve ser inserida na
pasta work do MATLAB e deve ser formatada exatamente igual a tabela da figura 3.27,
constando de dados de Mês, Dia, Hora, Hgh (irradiância no plano horizontal), HGk(10)
irradiância no plano inclinado de 10º graus da horizontal e temperatura ambiente. HGh(10)
pode ser a irradiância em qualquer inclinação. A tabela foi montada desta maneira para
permitir comparação para diferentes inclinações dos módulos FV.
O programa já tem incorporado em seu código desde a etapa de geração e perdas CC,
como potência de saída e perdas CA.
Figura 3.28 – Modelo SMA SB5000TL-20 mostrando através de uma imagem termográfica
os valores de temperatura dos componentes internos. O elemento mais quente estava a 63,7ºC
(Fonte: Photon International. The Photovoltaic Magazine. Edição de maio de 2009).
116
SB 7000US / U = 310V DC
100
90
80
Efic. Inversor (%)
70
60
50
40
0.2 0.4 0.6 0.8 1 1.2 1.4 1.6
FDI=PnomInv/PnomGer
Figura 3.29 – Eficiência média anual do Inversor em função do FDI para as condições de
Belém.
SB 7000US / U = 310V DC
1500
1400
1300
1200
Yf (kWh / kWp)
1100
1000
900
800
700
0.2 0.4 0.6 0.8 1 1.2 1.4 1.6
FDI=PnomInv/PnomGer
Figura 3.30 – Produtividade anual do SFCR em função do FDI para as condições de Belém.
A figura 3.29 mostra que a eficiência média anual do inversor fica muito próxima da
eficiência máxima do inversor, de aproximadamente 96,1%, se o FDI for superior a 0,7. O
117
Cada módulo possui aproximadamente 1,67 m2, logo 56 módulos possuem uma área de
aproximadamente 93,52 m2. A tabela 3.10 apresenta um resumo de dados de projeto
utilizando inversor SB 7000 US e módulos IS-230.
CAPÍTULO 4
4.1. Introdução
Expansão futura
tais como tijolos e telhas de barro, que permitem uma fácil e rápida troca de calor com o meio
externo favorecendo a retirada do calor interno armazenado durante o dia. Além disso, a
edificação será dotada de equipamentos e sistemas eficientes, de forma que contribuam para a
preservação do meio ambiente e o uso racional da energia elétrica [67].
Vale destacar que futuramente serão integradas à matriz energética da edificação outras
formas de geração, como a eólica, formando um sistema híbrido interligado à rede elétrica
convencional.
Uma primeira estrutura de sustentação, fixada diretamente nos pés metálicos, serve de
base para aquela em que são fixados os módulos. Para facilitar a manutenção e o acesso à
caixa de conexão dos módulos, a estrutura inferior conecta-se com a superior por meio de
dobradiças, sendo que esta última é seccionada em grupos de três módulos, facilitando a
montagem em blocos. A figura 4.5 mostra detalhes da estrutura e de sua fixação no telhado.
Figura 4.5 – Ilustração do telhado com a estrutura de fixação dos módulos FV.
Como os módulos foram distribuídos em grupos de três, eles podem ser montados
inicialmente no solo, facilitando a instalação e a manutenção do sistema. A figura 4.6 mostra
um grupo de três módulos inclinados sobre o sistema de dobradiças, demonstrando o fácil
acesso às caixas de conexão.
Cada grupo de módulos é conectado eletricamente ao grupo subseqüente através de um
conector XLR, ou comumente conhecido como conector Cannon, geralmente utilizados como
conectores de microfones. A figura 4.7 mostra detalhes de uma conexão entre dois grupos que
constituem o gerador. Esse tipo de conector facilita a conexão ou desconexão no caso de uma
eventual manutenção. A figura 4.8 mostra o gerador em processo de instalação, a qual ocorreu
entre os meses de novembro e dezembro de 2007. Vale ressaltar que a montagem de toda a
estrutura foi realizada pelos próprios pesquisadores, bolsistas e técnicos do GEDAE.
125
Para interligar o gerador fotovoltaico à rede elétrica foi utilizado o inversor Solete 2500,
da Enertron, cujas especificações podem ser vistas na tabela 4.1. A figura 4.9 mostra o detalhe
do display informativo do inversor no momento em que operava com uma tensão de entrada
de 300 V e potência de saída igual a 794 W.
Tabela 4.1 - Especificações do inversor Solete 2500.
Tensão Máxima de Circuito Aberto 650 V
Tensão de entrada para funcionamento no PMP 300-525 V
Tensão de Saída 220 V
Frequência de Saída 60 Hz
Potência Nominal em Regime Permanente 2.500 W
Potência de Pico do Sistema 3.100 Wp
Rendimento Máximo 94%
Forma de Onda Senoidal
Distorção a plena carga < 3%
Fator de Potência 1
Faixa de Temperaturas 0 – 40°
Proteção IP65
Um ponto importante a ser ressaltado é a tensão de saída do inversor. Como esse valor é
de 220 V, e a tensão fase-neutro suprida pela concessionária em Belém é de 127 V, o inversor
deve ser conectado em duas fases. A fig. 4.10(a) mostra o inversor sendo instalado no sistema
e a figura 4.10(b) mostra o inversor já instalado, interligado à rede elétrica e em
funcionamento.
Para a correta operação do transdutor, deve ser utilizado um resistor R1 na entrada +HT,
limitando o valor de corrente nominal no circuito primário em até 10 mA RMS (especificação
do fabricante). Outro resistor RM deve ser inserido no circuito secundário, compreendido entre
M e um potencial de referência (0 V), pois ele limita a corrente nominal no circuito
secundário em até 25 mA RMS (especificação do fabricante). E o valor da queda de tensão
sobre esse resistor é um sinal analógico cuja forma de onda é linearmente proporcional a
forma de onda da tensão de entrada, logo um sistema de aquisição de dados deve aferir este
sinal para posterior conversão no valor de tensão entre +HT e –HT, através de uma equação
linear.
10
LabVIEW (acrônimo de Laboratory Virtual Instrument Engineering Workbench) é uma plataforma para
programação através de diagrama de blocos de funções desenvolvida pela National Instruments, e que apresenta
uma grande vantagem associada a facilidade de construção de programas com interface gráfica amigável.
130
+HT : pólo positivo do arranjo FV; -HT : pólo negativo do arranjo FV; Terminal + : entrada de tensão em + 12
.. 15 V; Terminal M : medição; Terminal - : entrada de tensão em – 12 .. 15 V.
Figura 4.14 – Diagrama de conexões do transdutor de tensão LV 25-P da LEM (Fonte:
Datasheet do fabricante).
b) Transdutor de corrente HAL 50-S: tem a função de realizar medições de corrente CA,
CC e pulsada em até três vezes a corrente nominal no lado primário (Inominal = 50 A), e
possui isolação galvânica entre o circuito primário (alta potência) e o circuito
secundário (eletrônico). A figura 4.15 ilustra o transdutor de corrente HAL 50-S,
fabricado pela LEM, e a figura 4.16 um diagrama de conexões.
Figura 4.18 - Esquema representativo das ligações para levantamento das curvas dos
transdutores de tensão e de corrente CC.
50
y = - 0.084*x - 0.15
40
30
20
10
0
-800 -700 -600 -500 -400 -300 -200 -100 0
Tensão de saída do transdutor (mV)
134
Figura 4.19 – Curva do transdutor de tensão LV 25-P para o módulo de medição CC.
Curva do trandutor de corrente (CC)
10
8
Corrente do gerador FV (A)
y = 0.012*x - 0.0095
6
2
medições
linear
0
0 100 200 300 400 500 600 700 800
Tensão de saída do transdutor (mV)
Figura 4.20 – Curva do transdutor de corrente HAL 50-S para o módulo de medição CC.
120
Tensão na saída do inversor (V)
100
80 y = 0.04*x - 0.53
60
40
20 medições
linear
0
0 500 1000 1500 2000 2500 3000
Tensão de saída do transdutor (mV)
Figura 4.21 – Curva do transdutor de tensão LV 25-P para o módulo de medição CA.
11
É um equipamento que recebe uma tensão alternada fixa (geralmente 110 V, 220 V, 380 V), a partir da rede
elétrica convencional, por exemplo, e fornece um valor de tensão alternada ajustável na saída.
135
6 y = 0.012*x + 0.016
2
medições
1
linear
0
0 100 200 300 400 500 600 700
Tensão de saída do transdutor (mV)
Figura 4.22 – Curva do transdutor de corrente HAL 50-S para o módulo de medição CA.
As variáveis monitoradas neste caso são: tensão, corrente, potência e energia em vários
pontos do sistema, além de valores de temperatura de costa das células e de irradiância solar
incidente sobre os módulos fotovoltaicos. Falta ainda implementar o cálculo de outros
parâmetros elétricos, como exemplo, a THD de tensão e de corrente. São mostradas as formas
de onda de tensão e corrente tanto no lado CC quanto no lado CA do sistema, como
apresentado na figura 4.24.
12
É um sensor usado para medição de temperatura constituído de dois fios metálicos distintos, por exemplo um
fio de cobre e outro de liga metálica de cobre-níquel, ou hastes semicondutoras, ligados um ao outro na
extremidade, de forma que o gradiente de temperatura na junção gera uma força eletromotriz (f.e.m.) quando os
dois fios condutores se encontram em temperaturas diferentes, encontrando-se o valor da temperatura medida
através do valor da f.e.m. gerada.
139
A carga capacitiva é o método mais utilizado para traçar a curva IxV dos dispositivos
fotovoltaicos e é recomendado por várias normas internacionais. Idealmente, a carga
capacitiva tem seu circuito equivalente mostrado na figura 4.29 (a). Se o capacitor C estiver
descarregado e a chave S for fechada, o gerador FV começa a carregar o capacitor
fornecendo, inicialmente, um valor de corrente igual a corrente de curto-circuito. O valor
dessa corrente depende das condições climáticas no momento do fechamento da chave. Como
mostrado na figura 4.29 (b), a tensão nos terminais do capacitor tende a aumentar seu valor
com o carregamento, fazendo o ponto de operação da curva I x V se deslocar desde a
condição de curto (Isc e V = 0) até a condição de circuito aberto (Voc e I = 0), ponto no qual o
capacitor está carregado. Com os dados de tensão e corrente do processo de carregamento do
capacitor, é possível traçar a curva I x V do gerador FV nas condições climáticas da medida, e
extrapolar essa curva para as condições em STC.
142
(a) Circuito equivalente ideal da carga capacitiva (b) Perfil de carga do capacitor
Figura 4.29 – Representações da carga capacitiva.
Medição a 2 fios
Seleciona tipo
de medição Seleciona
o capacitor
Resistores
IGBT’s
Capacitores
Diodos
Interpolações
Bloco de aquisição
Bloco de comunicação
Interpolações
De acordo com o gerador FV a ser caracterizado, deve ser selecionado para o ensaio o
capacitor que suporta a máxima tensão nos terminais do gerador, ou seja, a sua tensão de
circuito aberto Voc. A carga capacitiva utilizada nesse trabalho dispõe de dois capacitores
eletrolíticos, um com 450 V e 1.000 μF, e outro com 350 V e 4.700 μF. O usuário deve estar
atento a esse passo, para que o componente capacitivo não seja danificado devido a algum
equívoco na seleção.
Para o caso do gerador FV a ser ensaiado possuir tensão de circuito aberto menor que a
máxima tensão admissível em ambos os capacitores, é interessante que o componente
capacitivo a ser selecionado seja aquele cuja capacitância proporciona um tempo de carga
entre 20 e 100 ms. Isso é devido ao fato de que quando o tempo de carga do capacitor for
muito grande, existe a possibilidade de haver alteração significativa na irradiância durante a
medição, enquanto que quando o tempo de carga do capacitor for muito pequeno, poucos
pontos são coletados para avaliação da curva I-V do gerador FV. Desse modo, a escolha do
150
Posição do “slope”
Além disso, deve-se sempre colocar o cabo para medição da tensão no canal A do
osciloscópio, e o sensor de corrente no canal B e configurar a relação de entrada e saída da
ponta de prova. Na tela inicial do programa, deve-se selecionar a opção “Input B” para o
seletor intitulado “Corrente”, e “Input A” para o seletor intitulado “Tensão”. Se estiver
disponível a informação de temperatura, deve-se selecionar na barra de rolagem intitulada
“Selecionar tipo de medição” se a entrada da temperatura será ambiente ou de célula. A figura
4.38 mostra a o resultado da execução do programa para as curvas obtidas na figura 4.37, com
detalhes para os locais onde devem ser indicados os canais para a extração dos dados dos
parâmetros elétricos e a seleção do tipo de medição da temperatura.
Outra funcionalidade do programa é a geração de um arquivo .txt com os pontos da
curva adquiridos do osciloscópio digital. O arquivo recém criado fica localizado no diretório
C:\dados. Porém, esse caminho pode ser mudado selecionando outro diretório na tela inicial
do programa, mostrada na figura 4.38.
153
Seleciona diretório
Selecionar a
medição de
temperatura
Selecionar o canal
Selecionar o A para a tensão
canal B para a
corrente
Fontes de Corrente CC
(substituiu 2 baterias em série
Pinça de
de 9V cada) – Alimentação
corrente Terminal de tensão
para o circuito de controle
Computador
Display do
osciloscópio
Com base nas informações coletadas até então do SFCR, é possível quantificar as
produções energéticas diárias e mensais, além de permitir uma análise mais específica em
relação à qualidade da energia elétrica fornecida pelo sistema, o que facilita a identificação
das contribuições e efeitos de sua operação em paralelo com a rede elétrica convencional de
distribuição. Tomando os resultados experimentais como ponto de partida, será mostrada a
influência da geração FV em parâmetros de qualidade da energia elétrica na edificação como:
distorção harmônica total (THD – Total Harmonic Distortion), fator de potência (FP) e tensão
RMS.
A primeira questão a ser tratada neste tópico será a contribuição energética do SFCR
para a edificação. As figuras 4.43 a 4.47, através de medidas de produção de eletricidade
diária nos meses de agosto a dezembro de 2009, mostram o quantitativo de kWh injetados
pelo sistema na rede de distribuição.
158
7.38 7.41
Total = 55,76 kWh
Energia Produzida (kWh) 8.00 7.03
6.38 6.60
6.02
6.00 5.03
4.40
4.00 3.05
2.46
2.00
0.00 0.00 0.00 0.00
0.00
18 19 20 21 22 23 24 25 26 27 28 29 30 31
Dia
Agosto
Figura 4.43 – Energia produzida (kWh) pelo SFCR no mês de agosto de 2009.
8.00 7.147.29
Total = 165,46 kWh
6.566.37 6.72 6.69
7.00 6.45
6.35 6.186.356.35 6.236.066.126.07 6.256.296.11 6.23
5.93 5.93
5.58 5.67 5.48
6.00 5.39
Energia Produzida (kWh)
5.14
5.00 4.31
4.00
3.00
2.00
1.00 0.16 0.04 0.00
0.00
1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 27 28 29 30
Dia
Setembro
Figura 4.44 – Energia produzida (kWh) pelo SFCR no mês de setembro de 2009.
7.00
6.00
Energia Produzida (kWh)
5.00
4.00
2.65
3.00
1.61
2.00
0.640.52
1.00 0.45
0.21 0.20
0.00 0.000.000.000.000.000.00 0.000.000.05 0.000.000.020.000.070.00 0.000.000.000.000.010.010.00
0.00
1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 27 28 29 30 31
Dia
Outubro
Figura 4.45 – Energia produzida (kWh) pelo SFCR no mês de outubro de 2009.
159
5.075.085.11
4.59 4.65
5.00
4.00
3.00 2.61
2.00
0.90
0.68
1.00 0.24
0.41
0.00 0.00 0.06 0.000.150.000.00 0.110.000.070.000.00
0.00
1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 27 28 29 30
Dia
Novembro
Figura 4.46 – Energia produzida (kWh) pelo SFCR no mês de novembro de 2009.
3.00
2.00
1.00
0.00
1 2 3 4 5 6 7 8
9 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Dia
Dezembro
Figura 4.47 – Energia produzida (kWh) pelo SFCR no mês de dezembro de 2009.
faz o ponto de conexão um elemento crítico na operação desses sistemas. Outro fator
relevante é considerar a possibilidade do inversor Solete 2500 estar com algum defeito não
identificado.
Embora os efeitos das desconexões prejudiquem uma análise mais precisa do SFCR, ainda
sim foi possível fazer algumas observações pontuais relevantes para a compreensão do
comportamento dessa aplicação nas condições de Belém. A tabela 4.3 mostra dados de produção
de energia ao longo dos meses medidos, fator de capacidade considerando somente os dias que o
sistema não desconectou e a produtividade do sistema em cada mês.
Tabela 4.4 – Dados mensais de produção de energia elétrica, fator de capacidade (FC) e
produtividade do sistema (YF).
2009
Mês
Prod. Mensal [kWh] FC* [%] YF [kWh/kWp]
Agosto 55,759 14,751 35,402
Setembro 165,464 16,212 105,057
Outubro** 13,660 - -
Novembro 76,405 14,438 48,511
Dezembro 79,718 11,716 50,615
*Os cálculos de FC consideram somente os dias em que não houve desconexão do sistema a
fim de representar um valor mais próximo da operacionalidade do sistema. No mês de agosto,
por exemplo, foi considerado o intervalo compreendido entre o dia 18 e o dia 27, no mês de
setembro, foram desconsiderados os dias 03, 26 e 30, e desta forma foram calculados os
valores de FC para os demais meses.
** Os valores de FC e YF para o mês de outubro não foram calculados porque o sistema
operou sem desconexões somente no dia 3.
A produção de energia total no período avaliado da tabela 4.3 foi de 391 kWh e o fator de
capacidade médio foi de 14,28 %. Vale ressaltar o fato de que a potência nominal do gerador FV
161
(1,575 kWp) é inferior potência nominal do inversor (2,5 kW), FDI = 1,6, logo isto pode também
influenciar em redução no desempenho do sistema, principalmente em dias nublados, onde
ambas as eficiências de conversão e de seguimento de ponto de máxima potência são menores
devido a um maior tempo de operação com baixo carregamento [9].
Entrando no mérito de uma análise qualitativa da energia elétrica injetada por um SFCR de
pequena escala e seus impactos sobre a rede de distribuição, foram analisadas algumas medições
pontuais, considerando um dia ensolarado (figura 4.49) e um dia nublado (figura 4.50), de
variáveis como: Distorção Harmônica Total de corrente (THDi), fator de potência (FP), tensão
RMS e energia acumulada ao longo do dia.
1.1 50 1.1 1.1
1 1 1
40
Potência (kW)
Potência (kW)
0.8 THDi (%) 0.8 0.8
30
0.6 0.6 0.6
FP
0.4 20 0.4 0.4
0.2 10 0.2 0.2
0 0 0 0
8 10 12 14 16 18 8 10 12 14 16 18
Tempo (h) Tempo (h)
1.1 1.1
Tensão (V)
220 5
0.6 218 0.6 4
0.4 216 0.4 3
214 2
0.2 0.2
212 1
0 210 0 0
8 10 12 14 16 18 8 10 12 14 16 18
Tempo (h) Tempo (h)
Figura 4.49 – Avaliação de parâmetros elétricos em um dia ensolarado (20/08/2009).
1.1 1.1 1.1
1 40 1 1
Potência (kW)
Potência (kW)
20
0.4 0.4 0.4
10 0.2 0.2
0.2
0 0 0 0
8 10 12 14 16 18 8 10 12 14 16 18
Tempo (h) Tempo (h)
1.1 1.1 4.4
Energia acumulada (kWh)
220 1 4
1 200
180
0.8
Potência (kW)
Potência (kW)
0.8 160 3
Tensão (V)
140
0.6 120 0.6
100 2
0.4 80 0.4
60 1
0.2 40 0.2
20
0 0 0 0
8 10 12 14 16 18 8 10 12 14 16 18
Tempo (h) Tempo (h)
Figura 4.50 – Avaliação de parâmetros elétricos em um dia nublado (28/09/2009).
162
Analisando o fator de potência, constata-se que a maior parte do tempo ele é próximo da
unidade, como era de se esperar, pois o sistema gera somente potência ativa na maior parte do
dia, enquanto que os reativos demandados pela edificação são supridos pela rede elétrica
convencional.
Já a tensão de operação, verificou-se que nos períodos correspondentes a operação do
SFCR a tensão RMS é um valor inferior a 220 V, todavia, a medida em que o sistema entra
nos períodos em que não há geração, o valor da tensão RMS tende a se aproximar de 220 V.
Esse fato não é o suficiente para afirmar que este efeito é causado pelo SFCR, pois a saída do
transformador que alimenta a edificação do GEDAE também supre a demanda de uma
instalação para construção de uma balsa de um laboratório de pesquisa da engenharia
mecânica a uma distância aproximada de 100 m. Além do mais, ressalta-se que o SFCR tende
a compensar a tensão no ponto de conexão devido à injeção de potência ativa na rede. A
figura 4.52 ilustra o transformador que alimenta tanto o GEDAE quanto a instalação para a
construção da balsa.
163
100
90
Eficiência do inversor (%)
80
70
60
50
40
30
20
10
0
0 200 400 600 800 1000 1200
Potência CA (W)
Figura 4.53 – Curva medida de eficiência do inversor versus potência de saída (CA).
medição que ocorrem em baixas potências. Para outros valores de potência de saída, a
eficiência de conversão se aproxima do valor indicado pelo fabricante, que é de 94%.
165
CONCLUSÕES
REFERÊNCIAS BIBLIOGRÁFICAS
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170
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ANEXOS
175
%% MÉTODO DE NEWTON
for j=1:5;
Ig = Ig - (Iph - Ig - I0.*( exp((Vc+Ig.*Rs)./Vt_Ta) -1)-
(Vc+Ig.*Rs)/Rsh)./(-1 - (I0.*( exp((Vc+Ig.*Rs)./Vt_Ta) -1)).*Rs./Vt_Ta -
Rs/Rsh);
end
%% PLOT
figure(1)
plot(Va,Ig)
xlabel('Tensão do módulo (V)'); ylabel('Corrente do módulo (A)');
xlim([0 25]); ylim([0 6]);
grid
hold on
[Dados Legenda]=xlsread('MSX77_datasheet');
plot(Dados(:,1),Dados(:,2),'-ro');
figure(2)
plot(Va,Va.*Ig)
xlabel('Tensão do módulo (V)'); ylabel('Potência de saída (W)');
xlim([0 25]); ylim([0 100]);
grid
hold on
plot(Dados(:,1),Dados(:,1).*Dados(:,2),'-ro');
figure(3)
[AX,H1,H2] = plotyy(Va,Ig,Va,Va.*Ig,'plot');
set(get(AX(1),'Ylabel'),'String','Corrente do módulo (A)');
set(get(AX(2),'Ylabel'),'String','Potência de saída (W)');
xlabel('Tensão do módulo (V)');
xlim([0 25]);
set(AX(1),'ylim',[0 6]);
177
set(AX(2),'ylim',[0 200]);
%grid
hold on
Pmax = max(Va.*Ig);
indice = find(Va.*Ig == max(Va.*Ig));
disp(['O ponto de máxima potência é: ',num2str(Pmax)]);
disp(['A tensão Vmp é: ',num2str(Va(indice))]);
disp(['A corrente Imp é: ',num2str(Ig(indice))]);
plot(Va(indice),Ig(indice),'-ro');
hold on
Vmp = [Va(indice) Va(indice) 0]; Imp = [0 Ig(indice) Ig(indice)];
plot(Vmp,Imp,'--','color','black');
clear all
clc
%% CONSTANTES ADOTADAS
% Modelamento dos módulos fotovoltaicos MSX-70, MSX-77, MSX-83, A-75 e para
% qualquer outro módulo desejado.
% Calcula a corrente dado a tensão, irradiância e a temperatura.
% Ig,Va = vetor de corrente e de tensão.
% T = Temperatura em graus Celcius.
NsG = input('Insira o número de módulos em série: ');
NpG = input('Insira o número de módulos em paralelo: ');
Va = 0:.01:22*NsG;
Suns = 1; % Es/Eref = numero de Suns (1 Sun = 1000 W/mˆ2).
TaC = 25; % Temperatura da célula.
k = 1.38e-23; % Constante de Boltzman’s.
q = 1.60e-19; % Carga de un elétron.
n=1.75; % Fator de idealidade do diodo.
Vg = 1.12; % Tensão da banda de gap, 1.12eV para Si, 1.75 para Si amorfo.
Ns = 36; % Número de células em série.
T1 = 273 + 25; % Temperatura em graus K.
T2 = 273 + 75;
Imp_ref = 4.56;
end
if a == 3 % Módulo-MSX-83
Voc_ref = 21.2;
Isc_ref = 5.27;
Coef_temp_Voc = -80; % [mV/ºC]
Coef_temp_Isc = 0.065; % [%/ºC]
Voc_T2 = Voc_ref + Coef_temp_Voc/1000*(75-25);
Isc_T2 = Isc_ref*(1+Coef_temp_Isc/100*(75-25));
Vmp_ref = 17.1;
Imp_ref = 4.85;
end
if a == 4 % Módulo A-75
Voc_ref = 21.0;
Isc_ref = 4.8;
Coef_temp_Voc = -80; % [mV/ºC]
Coef_temp_Isc = 0.065; % [%/ºC]
Voc_T2 = Voc_ref + Coef_temp_Voc/1000*(75-25);
Isc_T2 = Isc_ref*(1+Coef_temp_Isc/100*(75-25));
Vmp_ref = 17;
Imp_ref = 4.4;
end
if a == 5 % Para qualquer módulo
Voc_ref = input('Insira o valor da tensão de circuito aberto (VOC) na
temperatura de 25ºC [em V]: ');
Isc_ref = input('Insira o valor da corrente de curto circuito (ISC) na
temperatura de 25ºC [em A]: ');
Coef_temp_Voc = input('Insira o coeficiente de temperatura de Voc [em
mV/ºC]: ');
Voc_T2 = Voc_ref + Coef_temp_Voc/1000*(75-25);
Coef_temp_Isc = input('Insira o coeficiente de temperatura de Isc [em
%/ºC]: ');
Isc_T2 = Isc_ref*(1+Coef_temp_Isc/100*(75-25));
Vmp_ref = input('Insira o valor da tensão de máxima potência [em V]: ');
Imp_ref = input('Insira o valor da corrente de máxima potência [em A]: ');
end
%% PLOT
figure(1)
179
plot(Va,I)
xlabel('Tensão do módulo (V)'); ylabel('Corrente do módulo (A)');
xlim([0 25*NsG]); ylim([0 6*NpG]);
grid
hold on
figure(2)
plot(Va,Va.*I)
xlabel('Tensão do módulo (V)'); ylabel('Potência de saída (W)');
xlim([0 25*NsG]); ylim([0 100*NsG*NpG]);
grid
hold on
figure(3)
[AX,H1,H2] = plotyy(Va,I,Va,Va.*I,'plot');
set(get(AX(1),'Ylabel'),'String','Corrente do módulo (A)');
set(get(AX(2),'Ylabel'),'String','Potência de saída (W)');
xlabel('Tensão do módulo (V)');
%xlim([0 25*NsG]);
set(AX(1),'ylim',[0 6*NpG]);
set(AX(2),'ylim',[0 100*NsG*NpG]);
%grid
hold on
Pmax = max(Va.*I);
indice = find(Va.*I == max(Va.*I));
disp(['O ponto de máxima potência é: ',num2str(Pmax)]);
disp(['A tensão Vmp é: ',num2str(Va(indice))]);
disp(['A corrente Imp é: ',num2str(I(indice))]);
plot(Va(indice),I(indice),'-ro');
hold on
Vmp_ = [Va(indice) Va(indice) 0]; Imp_ = [0 I(indice) I(indice)];
plot(Vmp_,Imp_,'--','color','black');
180
Tabela A.1 – Dados extraídos da curva I-V apresentada no catálogo do módulo MSX-77 da
SOLAREX, utilizando o software TechDig.
Tabela A.2 – Dados extraídos da curva I-V apresentada no catálogo do módulo MSX-83 da
SOLAREX, utilizando o software TechDig.
Módulo MSX-83 Módulo MSX-83 Módulo MSX-38 Módulo MSX-83
Dados do Datasheet Dados do Datasheet Dados do Datasheet Dados do Datasheet
T = 0ºC T = 25ºC T = 50ºC T = 75ºC
Vpv Ipv Ppv Vpv Ipv Ppv Vpv Ipv Ppv Vpv Ipv Ppv
0,0532 5,1813 0,2757 0,0538 5,2998 0,2853 0,0544 5,4075 0,2941 0,0814 5,5260 0,4498
1,6636 5,1921 8,6376 2,0074 5,3106 10,6605 1,6120 5,4291 8,7519 2,3254 5,5368 12,8751
4,1979 5,1813 21,7505 4,3305 5,2998 22,9507 3,9352 5,4291 21,3643 5,2292 5,5153 28,8402
6,6265 5,1598 34,1911 7,0231 5,2891 37,1456 6,1525 5,3968 33,2037 7,3937 5,4722 40,4593
9,3454 5,1275 47,9183 9,2933 5,2675 48,9526 8,3700 5,3860 45,0807 9,4259 5,3860 50,7681
11,7738 5,0736 59,7357 11,3523 5,2352 59,4314 10,5609 5,3429 56,4259 10,7456 5,3214 57,1812
14,1493 4,9874 70,5686 13,4639 5,1706 69,6159 12,7252 5,2675 67,0300 11,6161 5,1921 60,3120
16,2343 4,8797 79,2187 15,1528 5,0521 76,5529 13,7541 5,1382 70,6719 12,3542 4,9874 61,6157
17,9753 4,6212 83,0671 16,3128 4,7612 77,6688 14,7028 4,8151 70,7952 13,1181 4,6643 61,1864
19,0292 4,2334 80,5580 17,2872 4,2980 74,3009 15,4665 4,4488 68,8078 13,7764 4,3411 59,8049
20,0560 3,6948 74,1027 18,2599 3,5009 63,9261 16,0713 3,9964 64,2275 14,1707 4,0287 57,0899
20,7919 3,0593 63,6076 18,9687 2,7361 51,9001 16,7799 3,1993 53,6836 14,6437 3,5979 52,6858
21,5796 2,2298 48,1182 19,8610 1,7235 34,2308 17,3570 2,4883 43,1899 15,1940 2,8115 42,7178
22,2617 1,4219 31,6539 20,4904 0,9156 18,7614 17,9594 1,5512 27,8581 15,8226 1,8528 29,3158
22,8387 0,6894 15,7452 21,0929 0,0215 0,4544 18,4569 0,7648 14,1160 16,2675 1,1095 18,0491
23,2841 0,0323 0,7524 18,9547 0,0323 0,6125 16,8692 0,0323 0,5451
181
Tabela A.3 – Dados extraídos da curva I-V apresentada no catálogo do módulo SP75 da
SIEMENS, utilizando o software TechDig.
Módulo SP75 Módulo SP75 Módulo SP75 Módulo SP75
Dados do Datasheet Dados do Datasheet Dados do Datasheet Dados do Datasheet
T = 25ºC T = 45ºC T = 60ºC T = 45ºC / H = 800 W/m²
Vpv Ipv Ppv Vpv Ipv Ppv Vpv Ipv Ppv Vpv Ipv Ppv
0 4,8981 0 0 4,8929 0 0 4,8095 0 0 3,9286 0
1,5139 4,8862 7,3973 2,4141 4,8691 11,7543 2,3732 4,7857 11,3573 2,6187 3,9286 10,2876
3,4779 4,8743 16,9523 5,6056 4,8452 27,1603 4,9100 4,7738 23,4393 5,6874 3,9286 22,3433
5,8511 4,8505 28,3804 8,5925 4,8095 41,3257 7,6923 4,7619 36,6300 8,8789 3,9048 34,6699
9,7381 4,8386 47,1186 11,0884 4,7857 53,0659 10,1473 4,7381 48,0789 11,9067 3,8929 46,3511
13,6661 4,7791 65,3110 13,8707 4,7619 66,0509 12,7660 4,6786 59,7266 15,0164 3,8691 58,0992
16,9804 4,6957 79,7350 15,5892 4,7143 73,4920 13,5434 4,6071 62,3963 15,9984 3,5595 56,9466
18,2079 4,3267 78,7796 16,2848 4,5357 73,8631 14,3617 4,3929 63,0889 16,7758 3,1786 53,3231
18,8625 3,8981 73,5279 16,8576 4,2024 70,8420 15,1391 4,0595 61,4575 17,6759 2,5238 44,6106
19,4354 3,4100 66,2747 17,3077 3,8571 66,7582 15,8347 3,5357 55,9869 18,1669 2,0714 37,6315
19,9673 2,8505 56,9164 17,7578 3,4643 61,5182 16,4484 3,0595 50,3242 18,7807 1,4643 27,5004
20,4173 2,3386 47,7473 18,2079 3,0357 55,2739 16,9804 2,5238 42,8553 19,1489 1,0000 19,1489
20,8265 1,7076 35,5637 18,7807 2,2857 42,9272 17,4714 1,9881 34,7349 19,5990 0,5000 9,7995
21,1948 1,2552 26,6046 19,2717 1,6548 31,8900 17,8805 1,4167 25,3308 19,9673 0,0000 0,0000
21,5221 0,7076 15,2294 19,6809 1,0119 19,9151 18,2488 0,8929 16,2936
21,8903 0,0000 0,0000 20,2128 0,0119 0,2406 18,7398 0,0238 0,4462
182
Tabela C.1 – Tempo de carga (tc) em função da tensão de circuito aberto (Voc) e da corrente
de curto-circuito (Isc) de diferentes geradores FV para cada uma das opções de capacitor.
C 1000 μF - 450 V 4700 μF - 350 V
tc ms ms
Voc\Isc 5A 10 A 15 A 20 A 5A 10 A 15 A 20 A
20 V 4 2 1,3 1 18,80 9,4 6,3 4,7
80 V 16 8 5,3 4 75,2 37,6 25,1 18,8
160 V 32 16 10,7 8 150,4 75,2 50,1 37,6
200 V 40 20 13,3 10 188 94 62,7 47
280 V 56 28 18,7 14 263,2 131,6 87,7 65,8
300 V 60 30 20 15 282 141 94 70,5
360 V 72 36 24 18 - - - -
400 V 80 40 26,7 20 - - - -
450 V 90 45 30 22,5 - - - -
M2
C1 P4
C2
P2
M1 C5
P1
C3 C4
P3
A - PASSOS PRELIMINARES
B - DESCARGA DO CAPACITOR
D - CARGA DO CAPACITOR
Obs.: Repetir os itens B, C e D sempre que for esboçar uma nova curva.
ANEXO D – Curva características do SRCF medidas com o analisador IMS P600
2
P [kW]
2