Université des Sciences et de la Technologie d’Oran

Mohamed Boudiaf

Systèmes Optoélectroniques

L'optoélectronique est une discipline à l'interface de l'optique et de l'électronique. En gros c’est :

 émission lumineuse (DEL, laser etc...) + interface électronique pour piloter l'émission ;
 transport de l'énergie lumineuse (fibre optique, guide d'onde (pour les autres types d'ondes
électromagnétiques) ou tout simplement un ban optique etc...) ;
 réception de l'énergie via un photo détecteur + interface électronique de traitement du signal
afin de récupérer l'information transmise.

Cours préparé par :

Professeur A.BOUDGHENE STAMBOULI. Ing, MSc, PhD

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INTRODUCTION

L'optoélectronique est une discipline scientifique et technologique qui a trait la réalisation et l'étude
de composants mettant en jeu l'interaction entre la lumière et les électrons dans la matière. Ces
composants, qui permettent de transformer la lumière en courant électrique et réciproquement, sont
des instruments privilégiés pour comprendre le nature de la lumière et des électrons. Il est donc peu
étonnant que ce soit le tout premier composant opto-électronique (la cellule photoélectrique) qui
soit à l'origine de la découverte d'Albert Einstein de la dualité onde-corpuscule. L’utilisation de la
lumière pour la transmission des messages n’est pas nouvelle et remonte très loin dans le temps.
Les Grecs employaient des miroirs et le soleil comme émetteur pour communiquer à grande
distance, d’autres civilisations utilisaient le feu, la fumée ou plus généralement des objets visibles
de loin (sémaphores) pour les mêmes besoins. Ce qui est commun à tous ces systèmes primitifs,
c’est que dans tous les cas l’œil humain est le photodétecteur ou photocapteur dont les
performances, exceptionnelles pour certain paramètres, sont malheureusement très limité en ce qui
concerne la rapidité. La première approche sérieuse du problème fut faite par Graham Bell qui
inventa en 1880 le photophone pouvant transmettre des sons sur une distance de plus de 200 m.
Cependant, comme pour les systèmes précédents, la portée du photophone était limitée par la
radiance de la source, qui était peu élevé et surtout la propagation de la lumière n’était pas guidée.
C’est finalement avec l’apparition des systèmes optoélectroniques et surtout de la fibre optique à
faible atténuation que les transmissions optiques ont pu prendre l’essor qu’on leur connaît
aujourd’hui.
Un système optoélectronique est défini comme étant un système responsable de :
1. La détection et/ou réponse à la lumière (système photodétecteur ou photocapteur)
2. Emission ou modification de la lumière (source optique ou système photoémetteur)
3. Utilisation de la lumière pour son fonctionnement interne (système hybride, opto-isolateur
ou photocoupleur)
4. Transmission de la lumière (guide de la lumière ou fibre optique)
Le fonctionnement des circuits optoélectroniques découle du phénomène physique par lequel une
radiation lumineuse, formée de photons, cède son énergie aux électrons d’un solide, en les faisant
passer de la bande de valence à la bande de conduction. L’inverse se produit également, l’énergie
libérée par les porteurs de charge au niveau d’une jonction donne lieu à l’émission de photons soit
une lumière.
En 1864 Maxwell a montré, par ses équations, l’existence d’ondes électromagnétiques transverses.
La vitesse de propagation, dans un espace libre, de ces ondes été donnée par : c = 1/00
Où 0 et 0 sont respectivement la perméabilité et la permittivité de l’espace libre. La substitution
des valeurs expérimentales de 0 et 0 donnait une valeur de c en bon accord avec celle de la vitesse
de la lumière dans le vide, mesurée indépendamment. Maxwell a proposé que la lumière était une
onde électromagnétique ayant une vitesse c de 3.108 m.s-1, une fréquence d’approximativement
5.104 Hz et une longueur d’onde autour de 500 nm. La théorie de Maxwell suggérait la possibilité
de production d’ondes électromagnétique ayant une large plage de fréquences ou de longueurs
d’ondes. En 1887 Hertz a réussi la génération d’ondes électromagnétiques invisibles, d’une
longueur d’onde de l’ordre du 10 m, à travers une décharge électrique d’une bobine à induction
(oscillation de champs électrique et magnétique).
La lumière est donc un ensemble des radiations électromagnétiques, visibles ou invisibles, constitué
de photons, se déplaçant dans le vide à la vitesse exacte de 299792,458 Km à la seconde, sous
forme d’une énergie radiante transmise par un mouvement d’onde avec une longueur d’onde 
allant de 10-16 m à environ 104 m (figure1 et table1). Dans cette bande sont incluses les longueurs
d’ondes visibles (0,39 à 0,77 m). Suivant leur longueur d’onde, ces radiations produisent des
sensations différentes : les couleurs. Les radiations, dont les longueurs d’onde sont proches des plus
grandes auxquelles la rétine est sensible (0,75-0,77 m), produisent une sensation appelé le rouge.
Celles qui se situent du côté des plus faibles longueurs d’onde perceptibles (0,39-0,40 m) sont les

1
 2

Type de radiation Fréquence

(/Hz) Longueur d’onde (/m)N° d’onde
(/m-1)Energie quantique
(eV)Détail du spectre
visible (m) 10-16 1016 124.108
1024 Infrarouge
10-15 1015 124.107
1023
124.106 0,770
10-14 1014
22
10
10-13 1013 124.105
Rayons Gamma 1021
10-12 1012 124.104
1020 Rouge
124.103
10-11 1011
1019
10-10 1010 124.102
18
Rayons X 10 0,622 Orange
10-9 109 1240
1017
10-8 108 124 0,579 Jaune
10 16 0,577
Violet
10-7 107 12,4
  4.10-7 m 10 15
Ultraviolet Vert
Spectre Visible
Infrarouge
  7.10-7 m 10-6 106
Rouge 0,492
1014
-5 5
10 10 Bleu
13
10
0,455
10-4 104
1012
10-3 103 Violet
11
10
Micro-ondes, 10-2 102 0,390
Radar
1010
10-1 101 Ultraviolet
109
1 1
8
10
10 10-1
107
Ondes courtes 102 10-2
Ondes longues
106
103 10-3
105
104 10-4

Figure1: Spectre électromagnétique détaillé

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 3

Type de radiation Longueur d’onde Fréquence (Hz) Energie quantique (eV)

100 Km 3.103 1,2.10-11

Ondes radio
300 mm 109 4.10-6
Micro-ondes
0,3 mm 1012 4.10-3
Infrarouge
0,7 m 4,3.10 14 1,8
Visible
0,4 m 7,5.10 14 3,1
Ultraviolet
0,03 m 1016 40
Rayon X
0,1 nm 3.1018 1,2.104
Rayon 
1,0 pm 3.1020 1,2.106

Note : Les valeurs numériques sont approximatives

Tableau 1: Spectre électromagnétique simplifié

Les violettes. Au delà du rouge, se situent les radiations dites infrarouges (IR). En deçà du violet, se
situe l’ultraviolet (UV). Ces radiations sont invisibles à l’œil humain.
La lumière est émise par les sources les plus variées : le soleil, lampes à incandescences, arc
électrique, tube à décharge électrique dans les gaz, lampes à vapeur de mercure, LED, LD,
afficheurs actifs et passifs etc.

Nature ondulatoire de la lumière

La lumière, comme une onde électromagnétique, est caractérisée par la combinaison en temps, d’un
champ électrique E et d’un champ magnétique H se propageant à travers l’espace. Maxwell a
montré que les deux champs satisfont la même équation différentielle partielle appelée l’équation
d’onde :

2(E, H) = [1/c2]. [2(E, H)/t2]

La fréquence d’oscillation des champs  ainsi que la longueur d’onde dans le vide 0 sont reliés par
l’expression :

c = 0
Dans un autre milieu de propagation, la vitesse de propagation devient :

v =  = c/n

Où  la longueur d’onde dans le milieu et n l’indice de réfraction du milieu donné par :

n = rr
E
Où r et r sont, respectivement, la perméabilité relative et la permittivité relative du milieu.
Les champs électrique et magnétique vibrent dans des plansDirection
orthogonaux et perpendiculaires à la
de propagation
Vecteur du(figure
direction de propagation champ 2).
électrique

Vecteur du champ H
magnétique
3
 4

Figure 2: Onde électromagnétique

Unités radiométriques et photométriques

La mesure de l’énergie d’une radiation électromagnétique est appelée radiométrie. L’étude des
aspects énergétique de l’émission, de la propagation et de la réception de la lumière en relation avec
un appareil récepteur, instrument ou œil est appelée photométrie. La liaison entre les deux est la
courbe de luminosité standard ou la réponse spectrale V  de l’œil humain, d’age moyen, à
différentes longueurs d’onde (figure 3). Cette courbe est aussi appelée courbe de sensibilité de
l’œil pour une vision photo pique normale (œil adaptée à des hauts niveaux stimulants).
La valeur de V est prise comme l’unité à  = 555 nm, correspondant au maximum de la
sensibilité de l’œil. V diminue vers presque zéro aux extrémités du spectre visible (400 et 700
nm).

Sensibilité V (un. arb.)

1 -
(b)
(a)

0,5 -

0  (m)
0,4 0,5 0,6 0,7

Figure 3 : Réponse spectrale ou l’efficacité lumineuse relative pour une vision photo pique normale
(a) éclairement moyen (b) éclairement atténué

Le Candela (symbole : Cd) est l’unité de l’intensité lumineuse du système internationale (SI).Le
candela représente approximativement l’intensité lumineuse émise par une bougie ; les étalons
modernes sont des lampes.

Le Lumen (symbole : Lm) est l’unité de la puissance lumineuse ou flux lumineux.

Le Lux (symbole : Lx) est l’unité de l’illuminance ou l’illumination d’une surface. C’est par
définition, la puissance lumineuse totale tombant sur une surface unitaire. 1 lux = 1 lm.m-2

Le Phot est aussi une unité d’éclairement, multiple de l’unité du système international, le lux (1
phot équivaut 104 lux). C’est l’éclairement d’une surface qui reçoit un flux de 1lm.cm -2
La luminance, appelée aussi brillance, est par définition le quotient de l’intensité lumineuse d’une
source par sa surface apparente. C’est aussi la puissance lumineuse radiante d’une surface unitaire

4
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vers un angle solide unitaire. Elle est exprimée en Cd. m-2 ou lm. m-2.sr-1. Un candela est donc égal
à 1 lumen/stéradian (symbole : lm.sr-1).

L’unité de l’énergie lumineuse est le Talbot.

Termes et unités radiométriques Termes et unités photométriques

Energie radiante (J) Energie lumineuse (Talbot)

Puissance radiante ou flux (W) Puissance lumineuse ou flux lumineux (lm)

Irradiance ou densité de puissance (W.m-2) Illuminance ou Illumination d’une surface (lx = lm.m-2)

Intensité radiante (W.sr -1) Intensité lumineuse (Cd = lm.sr -1)

Radiance (W.m-2.sr-1) Luminance ou brillance (lm.m-2.sr-1)

Tableau 2: Unités radiométriques et photométriques

Pour une vision normale et à la valeur maximale de la sensibilité de l’œil soit 555 nm et par
définition, un Watt d’énergie radiante correspond à un flux lumineux de 680 lumens. Pour une
autre valeur de la longueur d’onde, l’efficacité lumineuse relative permet cette conversion.
L’efficacité lumineuse d’une source pratique tel que le soleil est approximativement 100 lm/W et
40 lm/W pour un tube fluorescent. Un détecteur recevant 1000 lux d’une source à efficacité
lumineuse de 20 lm/W, par exemple, expérimentera une densité de puissance de 50 W/ m2 ou 5
mW/ cm2.
Il est noté que la radiance spectrale, souvent exprimée par L, est la radiance divisée par la largeur
de la bande passante en unité de longueur d’onde soit (m, nm, etc.).
L’unité de la radiance spectrale sera donc W.m-2.sr-1.nm-1 ou W.m-2.sr-1.Hz-1 en unité de fréquence.

Principes de la photodétection et photoémission

Le diagramme d’énergie d’un matériau se compose d’une succession de bandes d’énergie permises,
pour les électrons, séparées entre elles par des bandes d’énergie interdites (BI). La bande de valence
(BV) représente la dernière bande pleine à 0° C et la bande de conduction (BC) la première bande
vide. La bande interdite (BI) ou gap dont la largeur W g ou parfois notée E g dépend de la nature du
matériau et le caractérise. La différence entre métaux et isolants ou semi-conducteurs réside dans
le remplissage de ces bandes.
Dans un isolant électrique, les électrons de la matière sont liés aux atomes et ne peuvent se
déplacer. Dans un conducteur électrique, les électrons de la bande de conduction sont totalement
libres de circuler et permettent le passage d'un courant. Dans un semi-conducteur (SC) les états
d’énergie de la bande de valence (BV), au zéro absolu, sont occupés par des électrons, tandis que la
bande de conduction (BC) d’énergie supérieure est vide. La situation est donc intermédiaire ; les
électrons contenus dans la matière ne peuvent circuler que si on leur apporte une énergie pour les
libérer de leurs atomes (énergie optique ou électrique par exemple). Pour un semi-conducteur,
l’énergie de gap est telle qu’ils sont conducteurs à la température ambiante et isolant à T=0° K.
C’est pour de tels matériaux que la conversion photoélectrique est possible (figure4).

Bande de
Conduction
EC

Bande Wg
Interdite EF
h
EV
Bande de
Valence 5
 6

Diffusion d’électron Courant

d’électron
_

+ Courant
de trou
Diffusion de trou

Ex

Figure 4: Diagramme des bandes d’un matériau semi-conducteur avec phénomène photoélectrique simplifié et la
diffusion d’électron et trou dans un semi-conducteur sous champ électrique Ex

La photodétection appelée photoconduction ou aussi photogénération constitue un phénomène dans

lequel l’absorption de photons par les électrons liés d’un semi-conducteur fait passer ces électrons
dans un état d’énergie supérieur et augmente ainsi temporairement la concentration en porteurs
libres qui participent à la conduction.
La photoémission appelée aussi luminescence ou la production de la lumière résulte du phénomène
de recombinaison qui se manifeste lorsqu’un électron ou un trou est mis en présence d’un porteur
de charge opposé. Une telle recombinaison peut être radiative, donc émission d’un photon, ou non
radiative avec un excès d’énergie dissipé sous forme de phonon ou chaleur.

Photoconduction

Le phénomène de photoconduction est le mécanisme de création des paires électron-trou par

réception de photons d’énergie suffisante pour faire passer des électrons de la bande de valence vers
la bande de conduction. La paire électron-trou est aussi appelée excitons (paire électron-trou liée
par attraction coulombienne, une image de l’électron gravitant autour du trou).
On distingue deux types de photoconduction:

La photoconduction intrinsèque:
L’énergie du photon est cédée à un électron de valence ; si elle est suffisante, l’électron passe dans
la bande de conduction. Puisqu’il laisse un trou, on dit que le photon a créé une paire électron-trou.
Celle-ci a tendance à se recombiner, sans participer à un courant de photoconduction ; si par contre,
les électrons se regroupent dans la zone N et les trous dans la zone P, ils créent un courant de
photoconduction (figure 5a).

La photoconduction extrinsèque:
Certaines imperfections du semi-conducteur
 ou certaines impuretés introduisent des niveaux
d’énergie supplémentaires. Dans ces conditions, des transitions de niveaux d’énergie peuvent se
Bande de Conduction, BC
faire avec des énergies d’excitation
(a) moindres. Un(b)
semi-conducteur dans lequel a été créée une
jonction P-N par exemple une photodiode,hqu’on traitera ultérieurement, fonctionne selon ce
principe (figure 5b). h
Wg  Bande Interdite, BI

h
(b)
Bande de Valence, BV

 
6
 7

Figure 5: Processus de la photoconduction (a) intrinsèque et (b) extrinsèque

Photoémission

La photoémission ou luminescence réfère à l’émission de la lumière par un cristal sous influence

d’une certaine énergie tel que par exemple: une radiation lumineuse (photon), un faisceau
d’électrons, une radiation à haute énergie, un champ électrique, une excitation mécanique etc. En
plus de ces formes d’excitation on parle de thermoluminescence lorsqu’il s’agit de lumière émise
sous influence d’échauffement du matériau.
Si l’intervalle de temps entre l’introduction de l’énergie d’excitation et l’émission de la lumière est
court (<10-8s), on parle de phénomène de fluorescence, si c’est plus lent on parle de
phosphorescence et on réfère au cristal tel que les phosphores.
Les matériaux les plus utiles pour la fabrication des dispositifs optoélectroniques sont les semi-
conducteurs car les transitions faisant intervenir la bande de conduction et la bande de valence sont
importantes pour les applications optoélectroniques, car elles constituent les états d’énergie les plus
faciles à peupler ou à dépeupler par divers moyens.

Transitions radiatives de base dans un semi-conducteur

Les processus radiatifs peuvent être caractérisés par leurs probabilités de transition, mesurant par
unité de temps la probabilité qu’un électron a de faire un saut d’énergie avec émission ou
absorption d’un photon.
Plusieurs types de transitions radiatives ou recombinaisons sont possibles (figure 6), elles peuvent
être classifiées de la façon suivante:

(1) transitions dues aux impuretés chimiques ou défauts physiques

a. Bande de conduction à accepteur neutre

b. Donneur neutre à bande de valence
c. Donneur-accepteur neutres ou paire d’émission
d. Recombinaison d’excitons liés à des accepteurs ou donneurs neutres

(2) transitions interbande

a. émission intrinsèque (recombinaison exciton libre)

b. Emission à haute énergie ou émission avalanche 3
BC Ec
(3) Emission intrabande due aux porteurs chauds, appelé aussi émission de décélération

1a 1b 1c 1d 2a 2b 2b Wg

h

BV Ev
3
7
 8

Figure 6: Représentation schématique des différents types de transitions radiatives possibles

Tous ces processus qui requirent de fortes concentration d’excitons et/ou d’atomes dopants non
ionisés ne sont exploitables qu’aux très basses températures. Exceptions cependant pour des
recombinaisons d’excitons lies à des centres isoélectroniques ou des complexes d’impuretés.
Dans l’étude des dispositifs émetteurs optoélectronique, qui mettent en jeu l’interaction
rayonnement-matériau, il est utile d’avoir en permanence à l’esprit la relation énergie longueur
d’onde soit:

Wg = h = hc/ où h est la constante de Planck égale à 6,62.10-34 J.s.

L’interaction du rayonnement avec électrons du semi-conducteur se manifeste selon trois processus

distincts:

 Un photon peut induire le saut d’un électron, d’un état occupé de la BV vers un état libre de
la BC, c’est l’absorption fondamentale
 Un électron la BC peut retomber spontanément sur un état vide de la BV avec émission d’un
photon, c’est l’émission spontanée (LED ou diodes électroluminescentes)
 Un photon présent dans le semi-conducteur peut induire la transition d’un électron de la BC
vers un état vide de la BV, avec émission d’un deuxième photon de même énergie, le même
vecteur d’onde et la même phase, c’est l’émission stimulée (LD ou diodes laser)

Ces différents processus sont conditionnés par les règles qui régissent les chocs élastiques entre
deux particules, le photon et l’électron, la conservation de l’énergie et la conservation de la quantité
de mouvement.
Le type de transition radiative dépend de l’état d’occupation des niveaux énergétiques mis en jeu.
La figure 7 représente schématiquement des transitions radiatives entre deux niveaux quantiques.
Dans le cas de l’absorption, la présence d’un champ électromagnétique induit une transition entre
l’état inférieur occupé par un électron et un état supérieur vide avec annihilation d’un photon
(figure 7a).
Dans le cas de l’émission, il faut distinguer:

 L’émission spontanée où la transition d’un état supérieure occupé à un état inférieure vide avec
création d’un photon qui s’effectue d’elle même (figure 7b) et
 L’émission stimulée où elle est induite par le champ électromagnétique, la probabilité de
transition étant proportionnelle au nombre de photons par mode de rayonnement (figure 7c).
BC Ec

h
Wg
h h
h = Ec - Ev

BV Ev
a b c
8
 9

Figure 7: Représentation schématique des transitions radiatives entre deux niveaux quantiques

Absorption de la lumière dans un semi-conducteur

Dans un matériau semi-conducteur, le phénomène d’absorption d’un faisceau lumineux devient

important lorsque l’énergie du rayonnement incident est du même ordre de grandeur ou supérieur à
la largeur de bande interdite. Dans ce cas, l’énergie des photons est suffisante pour créer des paires
électron-trou et en conséquence la densité de porteurs dans la bande de conduction augmente. La
fréquence minimale de la radiation à laquelle il y ’a génération de paires électron-trou est donnée
par l’expression :

h0 = Wg  Ep = Ec - Ev  Ep
Sachant que l’énergie du gap est égale à la différence entre l’énergie du niveau le plus bas de la
bande de conduction EC et celle du niveau le plus haut de la bande de valence E V.
En terme de longueur d’onde cette même expression devient :

hc/0 = Wg  Ep Soit 0 = hc/ (Wg Ep) = 1,24 / (Wg  Ep)

où 0 , exprimée en m, est appelée la longueur d’onde critique ou maximale max,, Wg l’énergie
de la BI exprimé en eV et Ep l’énergie du phonon de l’ordre de 0,01 eV (pouvant être négligée).
La figure 8 donne la courbe représentative de l’expression ci-dessus.

0,2 -
UV
0,4 -
0,6 - Visible
0,8 - Spectre solaire
1,0 -
1,2 - Figure 8: Courbe représentative de la loi 0 = 1,24 /
1,4 - Wg
1,6 -
Proche IR et IR
1,8 -
2,0 -
2,2 -
2,4 -
2,6 -
2,8 -
     Wg (eV)
0 1 2 3 4 5

Pour toute longueur d’onde >max, la création de paires  électron-trou est impossible. Pour toute
longueur d’onde max, le nombre de paires électron-trou  photo générées est proportionnel à
l’intensité lumineuse tant que la longueur d’onde est significative sinon il y a réflexion en surface.
L’absorption dans un semi-conducteur est donc le phénomène par lequel un photon d’énergie
supérieure ou égale à la BI du matériau donne naissance à une paire électron-trou. On le caractérise

9
 10

macroscopiquement par le coefficient d’absorption  (cm-1) ou taux relatif de décroissance de

l’intensité lumineuse le long de son chemin de propagation, d’où:

I(x) = I (0).exp (-x)

I (0) étant l’intensité lumineuse initiale. Le coefficient d’absorption ainsi que longueur d’absorption
ou de pénétration de la lumière x, exprimée en m, sont donnés par:

 = (flux absorbé) / (flux incident) et x = 1/

I(x)

I0

e-x
0,37I0
x
L

La connaissance de () permet de situer l’épaisseur du matériau pour un bon rendement

quantique.
Une lumière incidente de puissance optique initiale Popt produit un photocourant (Iph) égal à:

Iph = [qPopt (1-r)/h]. [1- exp (-d)]

Où q est la charge de l’électron soit 1,6.10 -19 C, r le coefficient de réflexion à l’interface semi-
conducteur / air, et d la largeur de la région d’absorption (ou active).
Les deux variables de quelques semi-conducteurs couramment employés sont données à la figure 9.

 (cm-1) 1/ (m)

- 0,01
106 -
- 0,1
105 -
- 1
104 - Si

- 10
GaAs
103 - Ge
Ga.24In.76As.52P.48
- 102
10 2
-
- 103
10
        Longueur d’onde (m)
- 0,4 0,6 0,8 1 1,2 1,4 1,6 1,8

Figure 9: Coefficient d’absorption et longueur d’absorption de semi-conducteurs usuels utilisés en photodétection

Le matériau fait d’un alliage quaternaire de galium, indium, arsenic et phosphore (GaInAsP) est
aussi inclus pour une valeur donnée de sa composition. La variation de cette denière permet
d’ajuster le seuil d’absorption de ce matériau dans un domainre spectral allant de 0.9 à 1,65 m.
Pour le cas du Si et pour une longueur d’onde de 0,85 m le coefficient  est autour de 103 cm-1.

10
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Les coefficients d’absorption  et de réflexion r dépendent donc fortement de la longueur d’onde et

le type de semi-conducteur comme le montre les tableaux 3 et 4.

Wg, eV , m Si Ge GaP GaAs GaSb InP InAs InSb

1,6 0,78 1,25 55,9 0,00 14,8 67,5 35,3 75,1 121
2,4 0,52 14,7 597 0,86 90,3 477 111 312 556
3,2 0,39 204 758 109 742 716 695 613 678
5,8 0,21 1789 1689 1724 1543 1457 1340 1235 1299

Tableau 3 : Coefficient d’absorption  (103 cm -1) de quelques semi-conducteurs, dans le visible et le proche UV.

Wg, eV , m Si Ge GaP GaAs GaSb InP InAs InSb

1,6 0,78 0,33 0,43 0,28 0,33 0,41 0,31 0,34 0,42
2,4 0,52 0,38 0,51 0,31 0,38 0 ,47 0,34 0,43 0,46
3,2 0,39 0,52 0,48 0,39 0,47 0,46 0,46 0,39 0,43
5,8 0,21 0,67 0,63 0,62 0,57 0,60 0,50 0,46 0,56

Tableau 4 : Coefficient de réflexion r de quelques semi-conducteurs, dans le visible et le proche UV.

Figure 10 illustre la transmission de la lumière à travers deux milieux différents par leur coefficient
d’absorption. La relation entre l’absorption  et l’épaisseur d de la couche offre le pouvoir de la
lumière à pénétrer un milieu absorbant: pour le cas (a)   1/d et pour le cas (b)   1/d.

exp(-d) exp(-d)
Ai Ai

Amplitude Amplitude
At
At

Ar Ar
d d

(a) (b)

Figure 10: Transmission de la lumière dans un milieu absorbant

Matériaux semi-conducteurs à bande interdite directe et bande interdite indirecte pour les
dispositifs optoélectroniques

La fonction multibranche E (k) décrivant l’énergie des électrons en fonction de k (vecteur d’onde
ou propagation appelé aussi moment cristallin) peut donc avoir deux allures amenant des propriétés
optiques différentes pour les corps considérés et conduit à distinguer les semi-conducteurs à bande
interdite directe BID ou gap directe et ceux à bande interdite indirecte BII ou gap indirecte. Pour
les premiers types de matériaux (exemple: GaAs), le minimum de la bande de conduction se trouve
au même k que le maximum de la bande de valence. Les transitions, pour ces types de matériaux,
doivent conserver à la fois les énergies et les quantités de mouvement des particules mises en jeu.
La quantité de mouvement du photon étant négligeable, les quantités de mouvement de l’électron
dans l’état inférieur et dans l’état supérieur doivent être égales. On parle donc de transitions à k
constant ou verticales (figure 11a). Pour les seconds type (exemple: Si ou GaP) le minimum de la

11
 12

bande de conduction et le maximum de la bande de valence se trouvent à des k différents (figure

11b).
Il en résulte que les quantités de mouvement des électrons du bas de la bande de conduction et du
haut de la bande de valence sont différentes puisqu’elles sont liées au vecteur d’onde k par la
relation de Broglie : p = ħk = (h/2)(2/) = h/

E E

BC
BC
0,5 eV
0,36 eV

Wg = 1,4 eV h Wg = 2,2 eV
h

K K

(a) GaAs BV (b) GaP BV

Figure 11: Transitions électroniques entre les extrema des bandes de valence et de conduction
(a) semi-conducteur à BID (b) semi-conducteur à BII

La quantité de mouvement n’est donc pas conservée. L’énergie de la transition étant imposée, une
variation de moment (différente de Wg/c) exige la condition de faire intervenir une troisième
particule susceptible d’amener de la quantité de mouvement. Cette particule nécessaire à
l’absorption indirecte étant le phonon ou une chaleur. Les transitions pour les matériaux à BII sont
du deuxième ordre et sont beaucoup moins probables que les transitions à k constant ou à transition
directe ce qui justifie amplement leur emploie en optoélectronique. Figure 12 représente, en détails,
les transitions électroniques entre les extrema des bandes de valence et de conduction qui sont:

---
BC BC --- BC
---
--- --- ---
--- Thermalisation
Transition
non radiative
Absorption Emission Absorption
+++ +++ +++
+++ +++ +++
BV BV BV
(a) (b) (c)
Figure 12: Différentes transitions électroniques entre les extrema des bandes de valence et de conduction

(a) Transitions verticales et directes, obéissant à la conservation des vecteurs d’onde et par suite
sont radiatives (SC à gap direct).
(b) Gap indirecte où les transitions entre extrema des bandes sont obliques et non radiatives au
premier ordre (SC à gap indirect).

12
 13

(c) Notons toutefois que dans un semi-conducteur à BII, on peut exciter verticalement, c’est à
dire optiquement, des électrons du sommet de la bande de valence vers le minimum central
de la BC. Les électrons ainsi excités, se thermalisent dans le minimum absolu de la BC et
peuvent participer aux phénomènes de conduction (absorption directe de photons dans un
SC à gap indirect).

Le taux de recombinaison interbande ainsi que la durée de vie de recombinaison radiative est
estimée par les relations suivantes:

Rr = Brnp

τr = [Br(n + p)]-1

Où n est la densité des électrons dans la région du type N, p la densité des trous dans la région du
type P et Br le coefficient de recombinaison (m3.s-1) et est caractéristique du matériau. Les valeurs
de Br pour les matériaux à BII sont quelque 106 fois plus petites que celles des matériaux à BID.
τr est de l’ordre de 10-2 – 10-4 s pour les semi-conducteurs à transition indirecte, et 10 -8 – 10-10 s pour
les semi-conducteurs à transition directe.
Tableau 5 donne quelques semi-conducteurs à transition directe et à transition indirecte.

Matériau Groupe Structure Structure , indirecte , directe Br τr

Indirecte (eV) Directe (eV) (m) (m) (m3.s-1) (s)
C IV 5,47 - 0,22 - -
Si IV 1,14 4,10 1,09 0,30 1,79.10-21 5,6.10-4
Ge IV 0,67 0,81 1,85 1,53 5,25.10-20 1,9.10-5
SiC IV-VI 3,00 - 0,41 - -
AlAs III-V 2,16 - 0,57 - -
AlSb III-V 1,50 - 0,82 - -
AlN III-V 5,90 - 0,21 - -
GaP III-V 2,26 - 0,55 - 5,37.10-20 1,9.10-5
GaN III-V - 3,40 - 0,36 -
GaAs III-V - 1,43 - 0,86 7,21.10-16 1,3.10-9
InAs III-V - 0,35 - 3,54 8,50.10-17
GaSb III-V - 0,73 - 1,70 2,40.10-16 4,2.10-9
InSb III-V - 0,18 - 6,88 4,58.10-17 22.10-8
InP III-V - 1,35 - 0,92 1,26.10-15 7,93.10-10
ZnO II-VI - 3,20 - 0,38 -
CdS II-VI - 2,53 - 0,49 -
ZnS II-VI - 3,80 - 0,33 -
CdTe II-VI - 1,50 - 0,83 -
In.xGa1-xAs III-V - 1,43-0,35 - 0,87-3,44 -
In.53Ga.47As III-V - 1,75 - 0,71 -
In.14Ga.86As III-V - 1,15 - 1,08 -
GaxIn1-xAsyP1-y III-V - 1,35-0,36 - 0,92-3,44 -
Ga.24In.76As.52P.48 III-V - 0,97 - 1,27 2,00.10-16 5.10-9

Tableau 5: Energie de bande interdite, longueur d’onde et valeurs de B r et Tr (p,n = 1018 cm-3) de quelques semi-
conducteurs à transition directe et à transition indirecte

Il existe une différence importante d’ordre de grandeur entre matériaux liée à la structure de bande
due principalement aux deux conditions: conservation de l’énergie et conservation du moment. La
probabilité de transition bande à bande dans les matériaux à BID est bien plus grande que dans les
matériaux à BII où l’assistance de phonon est requise.
Le photon possède une énergie et un moment, respectivement, égales à hc/ et h/.

13
 14

Le phonon, à son tour, a une énergie et un moment de hv/’ et h/’ (v étant la vitesse du son).
Les phonons ont un très large spectre d’énergie et donc de ’ qui est de l’ordre de hv/kT centré
cependant sur kT où T représente la température du cristal.
Ordre de grandeur:

Energie du photon >> Energie du phonon

Moment du photon << Moment du phonon

En schématisant:

 les différences d’énergie sont véhiculées par les photons,

 les variations de moment par les phonons.

Les Dispositifs optoélectroniques

Les réalisations optoélectroniques font toutes appel à des éléments communs qui sont:

 Un photodétecteur à semi-conducteur utilisant l’effet photovoltaïque sous sa forme la plus

rapide, par exemple une photodiode.
 Un composant semi-conducteur d’émission. La source de lumière peut être une diode
électroluminescente ou une diode laser. Une figure de mérite relativement complexe à
établir car elle dépend de l’ensemble du système, permet de choisir le composant d’émission
le mieux adapté.
 Une fibre optique, dont les nombreux types utilisent de la silice.

Les photodétecteurs ou capteurs optoélectroniques

Un capteur est, en général, un dispositif qui fournit une interface entre l’équipement électronique
et un phénomène physique. En effet, il convertit une quantité physique ou chimique en un signal
électrique. En particulier un photodétecteur (ou détecteur photoélectrique) est un  détecteur de
rayonnement, il absorbe un signal optique et le transforme en un signal thermique, mécanique ou
dans la majorité des cas un signal électrique. Le signal issu du photodétecteur est converti, via un
circuit d’intégration et de lecture, à un signal compatible avec les circuits susceptibles de traiter
l’information détectée.
Les photodétecteurs appelés aussi capteur optoélectronique sont donc des composants qui assurent
la conversion des photons en électrons grâce à la génération de paires de porteurs électron-
trou après absorption de la lumière dans un matériau semi-conducteur.
On peut distinguer deux sortes de photodétecteurs : 

 Les photodétecteurs passifs qui génèrent un signal électrique sans l’aide d’une source
d’énergie auxiliaire comme les cellules photovoltaïques, et 
 Les photodétecteurs actifs qui eux ont besoin d’une source auxiliaire. C’est le cas par
exemple des photodiodes ou les phototransistors qui ont besoin d’une tension d’alimentation
pour polariser leurs jonctions.

Trois types de dispositifs sont disponibles, on distingue:

 les détecteurs de point détectant les particules à haute énergie, les radiations UV, visible
proche IR et IR.
 les détecteurs d’image à une dimension (linéaire) ou à deux dimensions.
 les détecteurs de position du type discret et non discret.

14
 15

Les capteurs optoélectroniques sont, de plus en plus, intégrés dans des systèmes d’imagerie
complexes. En effet, le capteur constitue le premier élément de la chaîne d’acquisition et de
traitement de l’information.
La grande variété des sources de lumière cohérente et incohérente, allant de l’infrarouge jusqu’à
l’ultraviolet, a nécessité la conception de photodétecteurs à vitesse de fonctionnement assez élevée
et de grande sensibilité.
Dans ce cadre, Le photodétecteur doit satisfaire un certain nombre d’exigences dont les principales
sont:

 Coefficient de réponse élevé aux longueurs d’ondes de fonctionnement. Certains systèmes

opèrent dans le domaine spectral 1,2-1,7 m.
 Temps de réponse compatible avec les débits d’informations envisagés. Temps de réponse
court pour une bande passante importante.
 Le bruit propre du photodétecteur ainsi que sa contribution au bruit de l’amplificateur
associé, doivent être aussi faibles que possible.
 Réponse électrique large par rapport au signal optique reçu.
 Performances stables.
 Faible tension de polarisation.
 Grande fiabilité.
 Dimensions permettant l’intégration avec d’autres composants électroniques, couplage
optique et électrique aisés.
 Faible coût.

Un photodétecteur répondant à ces exigences met en jeu les trois processus suivants:

 La génération des porteurs par la lumière incidente.

 Le transport des porteurs et/ou leur multiplication par un facteur de gain donné.
 L’interaction du courant généré avec le circuit externe associé pour produire le signal de
sortie.

Le photodétecteur présente aussi trois propriétés importantes qui sont:

1. Le gain (G) défini comme le nombre de porteurs de charge passant entre les électrodes de
contact par seconde pour chaque photon absorbé par seconde.
2. Temps de réponse (Tr) à un changement du niveau de la lumière incidente sur la surface
active.
3. La sensibilité ou la détectivité (D*).

Toutes ces propriétés sont évoquées dans la fiche technique du composant fournie par le fabriquant.
Exemple, un photoconducteur a la valeur typique de G =1106, Tr =10-310-8 s et une température
de fonctionnement Tf de 4,2300 °K. Pour le cas d’une photodiode à jonction P-N, G = 1, T r = 10-
11
s et Tf = 300 °K et pour une jonction P-I-N, G = 1, T r = 10-8 10-10 s et Tf = 300 °K.
Une photodiode à avalanche présente des valeurs de G = 102104, Tr = 10-10 s et Tf = 300 °K.
Sélection de matériaux pour photodétecteurs

Le matériau semi-conducteur, choisi pour son très grand coefficient d’absorption et constituant la
partie active du détecteur, doit obligatoirement posséder une largeur de bande interdite inférieure à
l’énergie de la radiation émise afin d’absorber les photons incidents et de donner lieu à la formation
de photoporteurs. De plus

15
 16

 La structure de bande peut être directe ou indirecte, mais on préfère une structure directe
afin d’absorber la lumière sur une faible épaisseur et de limiter ainsi les effets de temps de
transit des porteurs.
 La couche épitaxialle (formée par épitaxie) doit présenter un accord paramétrique avec le
substrat.
 Possibilité de faire des diodes à faible courant de fuite ou d’obscurité, et donc il ne faut pas
exagérément réduire la largeur de la bande interdite.
 Les coefficients d’ionisation des électrons et des trous doivent être différents pour le cas des
détecteurs à avalanche.

De plus, le choix d’un semi-conducteur pour la réalisation d’un composant optoélectronique, en

général, est fonction du type d’utilisation du composant. Ainsi la courbe de sensibilité de l’œil V ,
établie par une commission internationale, est représentée par la figure 3. Le spectre solaire et les
fenêtres de transparence des fibres optiques conditionnent aussi le choix du matériau (figure 13 et
14 respectivement).

Intensité (mW/cm2)
150 -

AM0, 1353 W/m2

100 - Figure 13: Spectre solaire, AM0 est utilisé pour préciser
les conditions au dessus de l’atmosphère

50 -

AM1, 925 W/m2

 (m)
       
0, 0, 0, 1 1, 1, 1,
2 4 6 2 4 6
0,
Atténuation (dB/km)
8

Ion OH-
10 2
- Vibration de réseau

10 - Figure 14: Courbe d’atténuation d’une fibre de silice

1,0 -

10-1 - Diffusion Rayleigh

       (m)
0, 0, 1 1, 1, 1,
6 8 2 4 6
Un minimum d’atténuation de 0,2 dB/km à une longueur d’onde  = 1,55 m est possible pour un
fibre de SiO2 dopée GeO2.
Autres principaux paramètres qui conditionnent le choix du matériau pour la réalisation du
composant photodétecteur sont la durée de vie et vitesse des porteurs et la possibilité de doper le
matériau n ou p.

Exemples de matériaux pour photodétecteurs

16
 17

C’est donc en fonction de la longueur d’onde de travail que se fait le choix du matériau et le
dimensionnement du détecteur. Quelques types de semi-conducteurs avec leur structure de bande
correspondante sont portés dans le tableau 5. On remarque que le Si et Ge présentent la possibilité
de transition directe et indirecte avec respectivement les valeurs de la BID et BII de 4,1 et 1,14 pour
le Si, 0,81 et 0,67 pour le Ge.
Les chercheurs s’orientent actuellement vers les composés III-V à transition directe. Ces matériaux
sont potentiellement supérieurs au autres types par leurs énergies de bandes interdites pouvant être
modulées aux longueurs d’ondes désirées par un simple changement de la concentration ou fraction
moléculaire relative d’un ou de plusieurs éléments du composé. Exemple des semi-conducteurs
InxGa1-xAs et GaxIn1-xAsyP1-y adapté à InP portés dans le tableau 5.
Ces composés III-V présentent les intérêts suivants:

 Possibilité des réaliser des hétérojonctions de bonne qualité, ce qui donne une grande
souplesse dans la conception des composants, et permet l’optimisation des divers paramètres
de la structure indépendamment les uns des autres;
 Large gamme disponible de bandes interdites;
 Seuil d’absorption très abrupt pour les matériaux à BID. La largeur d’absorption est
rapidement inférieure au micron;
 Mobilité des électrons élevée, donc temps de diffusion courts;
 Possibilité d’intégration monolithique du composant optique avec les composants
électroniques;

Caractéristiques des photodétecteurs

Les principales caractéristiques des photodétecteurs sont: le rendement quantique, la sensibilité ou

responsivité, la linéarité, le temps de réponse et le courant de fuite.

Rendement quantique: La génération de paires  électron-trou  par absorption des photons est un
phénomène aléatoire caractérisé par le nombre moyen de paires générées par photon incident. Cette
probabilité appelée rendement quantique ou efficacité quantique et notée  , dépend de la longueur
d’onde du rayonnement et du semi-conducteur utilisé. Il est donné par:

 = dNélectrons/dNphotons = dNé/dNph

Dans l’hypothèse où toutes les paires électron-trou crées sont effectivement collectées, le courant
photogénéré Iph a pour valeur:

Iph = ( qPopt)/ (h)

 = (Iphh)/ (qPopt) où Popt est la puissance optique incidente et q la charge électronique

Le rendement quantique représente donc la fraction de la puissance incidente produisant des paires
électron-trou 
En première analyse et le remplaçant de la valeur de Iph conduit à:

 = [h/qPopt].[qPopt{(1-r)/h }.{1-exp (-d)}]

 = [1-r]. [1-exp (-d)]

Pour un photodétecteur à base de silicium, le rendement quantique est de 85 % à la longueur d’onde

 = 0,9 m et de 20% à  = 1,06 m.

17
 18

Le coefficient de réflexion r peut être réduit par des revêtements diélectriques qui peuvent en même
temps avoir un rôle de passivation. Un bon rendement quantique nécessite la condition d>>1/
mais ceci se fait au détriment des performances fréquentielles. L’optimum se situe vers d = 1/ ce
qui conduit à des valeurs de  proche de 80-90%.
Figure 15 présente ainsi la variation du rendement quantique avec la longueur d’onde, mesurée
pour quelques matériaux semi-conducteurs utilisés pour la fabrication de photodétecteurs. On
remarque que dans le domaine du visible et du proche infrarouge, le silicium est le candidat le
mieux placé pour avoir le meilleur rendement dans cette bande de longueur d'onde. Le germanium
admet un rendement quantique inférieur à celui du silicium dans le visible mais par contre il
absorbe dans le proche l'infrarouge. C'est le cas aussi de InGaAsP dont il a une responsivité dans la
bande de l'infrarouge, et donc utilisé pour des applications différentes de celle du silicium.
 (%)

100 -

Si
50 -

Ge
InGaAsP

 (m)
       
0, 0, 0, 1 1, 1, 1,
2 4 6 2 4 6
0,
Figure 15: Rendement quantique
8 pour quelques photodétecteurs

Le rendement quantique dépend de la longueur d'onde de la lumière et des paramètres de

construction du dispositif et va définir un domaine spectral d'utilisation du détecteur (réponse
spectrale). Ce domaine est limité supérieurement par le seuil d'absorption fondamentale du matériau
semi-conducteur employé. En effet pour qu'un photon contribue à un courant, il faut que son
énergie soit supérieure à la largeur de la BI. Le domaine est aussi limité inférieurement par
l'absorption de la lumière au voisinage de la surface éclairé. Dans ce cas la profondeur de
pénétration est très faible. En effet si le photon crée une paire d'électron-trou a l'interface, cette
paire se recombinera aussi tôt et ne contribuera pas a un photocourant car la constante du temps est
très petite dans cette région. Cette propriété est directement liée au paramètre de recombinaison à la
surface.

Sensibilité: Par définition, la sensibilité ou responsivité R s'exprime par le rapport du photocourant

sur la puissance optique ou le courant fourni par le photodétecteur pour une puissance optique
incidente Popt. L’expression du rendement quantique n’inclus pas l’énergie des photons, c’est la
cause pour laquelle la sensibilité est un facteur utile et est souvent utilisée pour caractériser les
photodétecteurs. De plus, pour une puissance optique incidente P opt correspond un courant Iph tel
que:
R = Iph/Popt

Les deux grandeurs,  et R, son liées par l’expression:

R = (q)/ (h) = (q )/ (hc) =  /1,24 = /Wg

R est exprimée en A/W,  en m et Wg en eV

18
 19

Donc pour calculer la sensibilité il faut exprimer l’efficacité quantique en fonction des différents
paramètres technologiques du photodétecteur ainsi que du coefficient d’absorption et de la longueur
d’onde. La sensibilité spectrale de la bande à considérer est par évidence la première  étape à tenir
en compte. Ceci se traduit par avoir la meilleure efficacité quantique.
La figure 16 montre la sensibilité des matériaux les plus répondus. La sensibilité d’une photodiode
est représentée par une courbe en forme de cloche centrée sur une longueur d’onde de pic (λpic) ou
longueur de détection maximale.
Pour un photodétecteur à silicium, la sensibilité est égale à 0,6 A/W à 0,9 m et 0,5 A/W à 1 m.
Sensibilité (A/W)

1,2 -
In.53Ga.47As
1,0 -
0,8 -
0,6 -
GaAs
0,4 -
In.73Ga.27As.63P.37
0,2 -

     
 (m)
0,6 1 1,2 1,4 1,6
0,8
Figure 16: Responsivité de quelques SC pour la réalisation de photodiode
Remarque:
Le terme responsivité serait mieux approprié car il ne prête pas à confusion avec la notion de
sensibilité du détecteur optique grossièrement fixée par le débit d’information à transmettre par
l’émetteur et le taux d’erreurs donné à un débit donné.
Les performances du détecteur (rendement et sensibilité) se dégradent rapidement pour les
longueurs d’onde qui s’éloignent de  prévue: réduction de  et absorption devenant donc
insuffisante vers les plus grandes longueurs d’onde; photogénération en dehors de la zone active
(région fortement dopée) et prés de la surface de la réception (recombinaison) affectant le
rendement de collectage (normalement proche de 1) vers les longueurs d’onde plus faibles.

Linéarité: La linéarité est une autre caractéristique très importante des photodétecteurs. En effet, il
est très important que le rendement quantique varie d’une manière linéaire en fonction du flux
énergétique incident pour la détection des signaux analogique plus particulièrement. Citons au
passage que la plage dynamique d’une photodiode peut atteindre 100 dB avec une linéarité de 1%
(figure 17). Le courant généré lorsque l’éclairement est égal à zéro correspond au courant de bruit
total incluant le courant de fuite.
La plage dynamique en dB est égale à 10 log (Emax / Emin)

Courant
1%

1%
Eclairement

Emin Emax
19
 20

Figure 17: Courant généré en fonction de l’éclairement

Temps de réponse: Le temps de réponse, caractérisant aussi la rapidité des photodétecteurs,

correspond au temps de transition des porteurs pour traverser la zone de collection (intervalle de
temps entre le début de l’impulsion et le moment de son arrivée à 90% de sa valeur maximale). Il
dépend de l’épaisseur de cette zone et de la vitesse des porteurs soit le temps de transit et de
diffusion des porteurs et la constant de temps RC du détecteur et du circuit électronique associé.

Courant de fuite: Lorsque polarisé, le photodétecteur fournit un courant généré par la conversion
des photons auquel s’ajoute un courant parasite appelé courant de fuite. Ce courant de fuite est
principalement dû à l’agitation thermique à l’obscurité et pour fixer les idées, mentionnant qu’il est
de l’ordre de 2 nA à 300 °K pour une photodiode à base de Silicium.
Les autres caractéristiques d’un photodétecteur, comme pour tout composant électronique,
concernent essentiellement:

 La nature du matériau semi-conducteur,

 la réponse spectrale ou la bande passante de longueur d’onde (La réponse spectrale du
matériau spécifique devrait être considérée par rapport à une application particulière),
 l’importance de la surface sensible, les temps de montée et temps de descente (rapidité),
 la capacité et le bruit introduit,
 rapport signal sur bruit, comportement statique et dynamique,
 dépendance de la température etc.

Une autre caractéristique fort commode, souvent utilisée comme critère de comparaison pour les
dispositifs du commerce, est la détectivité spécifique, notée D*. Elle fait intervenir leur rapport
signal sur bruit, et doit toujours être accompagnée des conditions de mesure. A conditions égales,
un photodétecteur est d’autant meilleur que D* est grande.
La détectivité est donnée par l’expression:

D* = (A1/2 ).(B1/2)/(NEP) exprimée en cm.Hz1/2/W

Où A est la surface, B la bande passante et NEP est l’acronyme de Noise Equivalent Power ou
puissance équivalente du bruit. C’est la figure de mérite des photodétecteurs qui correspond à la
valeur efficace de la puissance optique incidente pour produire un rapport signal sur bruit égal à 1
pour une bande passante B=1 Hz.
Il est nécessaire de préciser la nature de la radiation détectée, c’est à dire si la radiation provient
d’un corps noir ou d’une source monochromatique, et la fréquence de modulation. Ainsi, il est
recommandable d’exprimer D* par D*(, f, 1) ou D*(T, f, 1) où  est la longueur d’onde en m, f
la fréquence de modulation en Hz, T la température du corps noir en °K, et la bande passante de
référence est comme toujours égale à 1 Hz.

Les dispositifs photodétecteurs

20
 21

Les principaux dispositifs récepteurs de lumière utilisés soit seuls soit avec des émetteurs à semi-
conducteurs sont:
la cellule photoconductrice, la photodiode, le phototransistor (tous types), le photothyristor, le
photomultiplicateur et la cellule solaire qui n’est autre qu’une photodiode fonctionnant sans
polarisation extérieure. On examine ici leurs différentes caractéristiques.

La cellule photoconductrice ou LDR

LDR étant l’acronyme de Light Depending Resistor ou résistance dont la valeur dépend de
l’intensité de la lumière incidente sur sa surface sensible.
Une cellule photoconductrice, comme matériau semi-conducteur homogène, exploite
l’augmentation de la conductivité électrique du semi-conducteur résultant de la création de porteurs
sous éclairement. Le nombre de paires électron-trou alors crées est proportionnel à l’intensité de
lumière absorbée.
Pour que la photoconduction survienne dans le semi-conducteur, les conditions suivantes doivent
être respectées:

 La lumière incidente doit être absorbée par la surface active. La lumière réfléchie ne génère
aucune paire utile.
 Après génération, les électrons et / ou les trous doivent avoir une mobilité et durée de vie
suffisante pour transporter la charge vers la région de collection.
 Electrodes et champ doivent être fournis pour assurer la mobilité des porteurs de charge
dans le matériau.

Principe de fonctionnement

La cellule est polarisée par une source de tension V et qui débite un courant I dans le semi-
conducteur par l’intermédiaire de deux contacts ohmiques situés aux extrémités. Sous un
éclairement lumineux, des porteurs de charge sont en conséquence générés soit par des transitions
intrinsèques ou extrinsèques, et donc augmentation des porteurs dans le dispositif. La variation du
nombre de porteurs n = p (nombre d’électrons et nombre de trous), entraîne une augmentation
de la conductivité du matériau, donc de la conductance du barreau, et par suite du courant I et de la
tension de sortie Vs.
Figures 18 et 19 représentent en détail le principe simplifié d’une cellule photoconductrice.

Lumière

  + 

I I+
I
V
V

Figure 18: Principe de fonctionnement de la cellule photoconductrice

Lumière

Z
Vs

l
21
 22

Figure 19: Représentation schématique des dimensions respectives de la cellule photoconductrice

Le paramètre caractéristique d’une cellule photoconductrice est son gain, défini comme le rapport
du nombre de charges débitées par seconde, au nombre de photons incidents par seconde.
Pour un photoconducteur intrinsèque et en l’absence d’éclairement la conductivité  du matériau,
exprimée en (.m)-1, s’écrit:

0 = k I/V = nqn + pqp (k dépend des dimensions de la cellule, longueur et surface)

Sous éclairement, cette conductivité devient  = 0 +  avec

 = 0 +  = k (I + I)/V

 = kI/V = q(nn + pp ) = qn(1 + p/n )n

p et n sont respectivement les mobilités des trous et des électrons. Dans le cas où la mobilité des
électrons est supérieure à celle des trous, la variation  devient:

 = qnn

Si la variation de la conductance est g le photocourant généré est:

I = gV

V est la tension appliquée. Le nombre de charges débitées par seconde est donc:

n = I/q = gV/q

D’autre part si le flux incident est , le nombre de photons incidents par seconde sur la cellule est:

ph = A

A est la surface sensible de la cellule photoconductrice (égale à Zl).

Le gain est donc donné par:

G = (gV)/(qA) = (gV)/(qZl)

Considérons le cas favorable d’un détecteur épais dans lequel on peut négliger la vitesse de
recombinaison en surface (la condition d >> l est satisfaite) et donc:
g = (Zn q)/l

 est la durée de vie des porteurs et par conséquent:

G = n V/l² = n E/l = Vn/l

Où  représente le champ électrique à l’intérieur du photoconducteur.

22
 23

En posant t = l/Vt où t est le temps de transit des électrons dans la cellule et Vt leur vitesse de
transit. Le gain s’écrit donc:

G = /t

Le gain est directement donné par le rapport de la durée de vie des porteurs à leur temps de transit
à travers la cellule photoconductrice. Si la cellule est mince (la conditions d << l est satisfaite) la
variation de la conductance est donné par:

g = Zn q d/l

Cette relation montre que la variation de la conductance dépend de la géométrie de la cellule.

Dans ce cas particulier le gain du photoconducteur est:
G = d/t

Considérons le principe de fonctionnement du photoconducteur sous éclairement:

A l’instant t = 0, le nombre de porteurs générés par unité de volume pour un flux de photon donné
est no. Le nombre de porteurs à l’instant t, n (t), pour un même volume décroît par recombinaison
comme:

n = noexp (-t/)

Autrement dit, le taux de recombinaison est 1/. En considérons que le flux de photon, frappant la
surface du photoconducteur, est uniforme, le nombre total de photon, nph, arrivant à la surface par
unité de temps est:

nph= Popt/h

A l’état statique, le taux de génération de porteur doit être égal au taux de recombinaison. Si
l’épaisseur du dispositif d est nettement supérieure à la profondeur de pénétration de la lumière
(1/), alors la taux total de génération de porteur, Gp, par unité de volume est donné par:

Gp = n/ = ( Popt/h)/(Z.l.d)

Le photocourant circulant entre les électrodes de contact s’écrit:

Ip = ()Zd = (qnn)Zd = (qnVd)Zd

Vd est la vitesse de diffusion des électrons. La substitution de n conduit à:

Ip = q[( Popt/h)][(n)/l ]

Si le photocourant primaire Ipo est défini comme:

Ipo = q[( Popt/h)]

On retrouve l’expression du gain soit:

G = Ip/Ipo = (n)/l = /t

Pour un échantillon à longue durée de vie avec un espacement d’électrode très réduit, le gain peut
être nettement supérieur à l’unité. Le temps de réponse d’un photoconducteur est déterminé par le

23
 24

temps de transit t. Ce temps de réponse est pratiquement supérieur à celui de la photodiode puisque
le photoconducteur utilise un large espacement d’électrode et un faible champ électrique.
Pour calculer le rapport signal / bruit, on considère un signal optique modulé P () donné par:

P () = Popt [1+ mexp (jt)]

m étant l’indice de modulation et Popt la puissance moyenne du signal optique et  la fréquence de

modulation. Le photocourant moyen Ip est donné par l’expression ci-dessus. Pour un signal optique
modulé, la puissance optique efficace est mPopt /2 et le signal courant efficace peut s’écrire:

ip = (/t)[(qmPopt )/( 2 h)][(1+ 22)-½]

Circuit de base, caractéristique et géométrie d’une cellule photoconductrice

La partie active de la cellule est constituée d’une couche mince de semi-conducteur (sulfure de
cadmium ou séléniure de cadmium par exemple) déposée sur un substrat isolant (céramique par
exemple). Les électrodes sont réalisées par évaporation d’un métal tels que l’or ou l’argent, à
travers un masque protégeant une partie de la surface qui deviendra la surface sensible de la cellule.
L’augmentation de la variation de la conductance g est assurée par un Z grand et l petit. Un
modèle de construction typique d’une cellule photoconductrice est représenté dans la figure 20,
l’ensemble est protégé par une couverture transparente.
+V Résistance ()

LDR
h 106 -
105 -
 Vs (sortie)
104 -
R
Contact 103 -
102 -
10 -
      Eclairement (Lx)
Métal 10 102 103 104 105 106

Surface sensible
Figure 20: Circuit électrique de base, caractéristique et géométrie de la cellule photoconductrice à base de CdS

Dans l’obscurité et à la température ambiante, la résistance d’une cellule de 1,4 cm de diamètre est
Contact
d’environ 10 M, elle décroît avec l’augmentation de l’éclairement. Les propriétés résistives de la
cellule sont généralement utilisées dans un circuit électronique semblable à celui représenté dans la
figure 20, où Vs augmente avec l’intensité de la lumière et peut conduire un circuit de contrôle
quand un certain niveau est dépassé.
Autres caractéristiques permettant d’indiquer la meilleure cellule photoconductrice nécessaire à une
application bien spécifique sont:

 Sensibilité: C'est le rapport entre la lumière incidente et la résistance correspondante de la

cellule.
 Réponse spectrale: C’est la bande passante de longueur d’onde
 Tolérance de résistance: Puisque aucune de deux cellules photoélectriques ne soit exactement
semblable, la sensibilité est énoncée comme étant la valeur typique de la résistance plus une

24
 25

tolérance permise. La valeur de la résistance et sa tolérance sont indiquées dans la fiche

technique du composant et correspondent à une intensité spécifique de lumière.
 Résistance à l’obscurité: La résistance à l’obscurité est souvent définie comme résistance
minimale prévue 5 secondes après un éclairage d'une intensité de lumière de 21,5 lux. Les
valeurs typiques de cette résistance varient de 1M  à 1G.
 Rapidité:  C'est le temps de monté et de descente lors du changement d'état d’une lumière. Le
temps de montée est défini comme le temps nécessaire pour la conductivité de la cellule pour
atteindre 1-(1/e) (ou environ 63%) de sa valeur finale. Le temps de descente est défini comme
le temps nécessaire pour la conductivité de la cellule pour se délabrer à 1/e de son état lumineux
initial (e = 2,71828). En général, les cellules en CdS sont plus lentes que celle des CdSe. A la
valeur de 10,76 lux d'illumination les temps de réponse sont typiquement dans la gamme de 5 à
100 ms.

Exemple de matériaux utiles

Différent semi-conducteurs sont utilisés pour la réalisation des cellules photoconductrices. Les
composés II-VI sont utilisés pour réaliser des cellules à faible coût, sensible au rayonnement
visible. Un exemple de ce type de composé est le sulfure de cadmium (CdS), possédant une énergie
de 2,45 eV et un domaine de réponse spectrale de 0,4 – 0,8 m similaire à celui de l’œil humain V.
Ces cellules ont un gain important mais présentent une constant de temps élevée.
Le sulfure de plomb (PbS), d’une énergie égale à 0,4 eV et un domaine de réponse spectrale de 1 -
4 m, est généralement utilisé pour réaliser des cellules sensibles au proche IR. Ils constituent les
photodétecteurs les plus sensibles à 2 m. La constante de temps est inférieure à 10-3 s.
L’alliage du semi-conducteur CdTe et du semi métal HgTe permet la réalisation de composé
ternaire HgxCd1-xTe dont la valeur d’énergie de la BI varie avec x, de 0 à 1,6 eV. Ce type de
composé permet de réaliser des photodétecteurs dont le maximum de sensibilité se trouve entre 5 et
15 m. Ces détecteurs ont des applications militaires.

Applications

Luxmètre, caméra photo et vidéo pour l’ajustage automatique des poses photos, applications
militaires, allumage automatique de la lumière ou commande d'éclairage, détermination d'un seuil
de lumière, cadre optique ou détecteur de passage d'un objet à travers une surface etc.
Les matériaux photoconducteurs à réponse spectrale maximale de 515 nm, peuvent être employé
dans des applications qui exigent la différentiation dans le spectre vert bleu. Ils sont utilisés avec
des lampes fluorescentes ou incandescentes.
Les matériaux photoconducteurs à réponse spectrale maximale de 550 nm, peuvent être employé
dans des applications de la mesure de lumière et la commutation. Ils sont utilisés avec des lampes
au néon incandescentes et fluorescentes.
Les matériaux photoconducteurs à réponse spectrale maximale de 610 nm, peuvent être employé,
en général, avec des applications de rupture de faisceau.
Les matériaux photoconducteurs à réponse spectrale maximale de 690 nm, peuvent être employé
pour des applications "marche arrêt". Ils sont utilisés avec des lampes au néon incandescentes et
fluorescentes et sont les moins chères sur le marché.
Les matériaux photoconducteurs à réponse spectrale maximale de 735 nm, sont sensibles au proche
infrarouge.

Bruit dans les photoconducteurs

25
 26

Ce qui limite la performance d’un système photoconducteur, c’est la présence de bruit qui dégrade
l’information à la sortie et afin d’étudier le bruit dans les photoconducteurs on considère le circuit
équivalent d’un photoconducteur représenté par la figure 21.

iP i2GR g i2g

Figure 21 : Circuit équivalent d’un photoconducteur

La conductance g regroupe une conductance d’obscurité, due au courant d’obscurité, et une

conductance induite par le signal moyen du courant et le courant de fond. Le bruit thermique est
considéré comme le bruit classique des résistances. Il a une statistique Gaussienne et peut être rendu
très petit en travaillant à basse température. Résultant de la conductance g, le bruit est donnée par:

 i²g  = 4kTBg = (4kTB)/(R)

Où R est la résistance du photoconducteur, k la constante de Boltzmann = 1,381 10 -23 J°K-1, T la

température absolue, et B la bande passante.

Le bruit de génération-recombinaison est donnée par:

 I²GR  = [(/t)]. [(4qIpB)/ (1+ 22)]

Où Ip est le courant de sortie induit par la lumière à l’état statique, qui est égal à (Ipo)/ (t).
Le rapport signal sur bruit (S/N) est donnée par:

(S/N) puissance = (i2p)/ (i2GR + i2g)

(S/N) peut être obtenu à partir des expressions ci-dessus:

(S/N) puissance = [(m2/8B) (Popt /h)]. [1+ [(t/). (KT/q)(1+ 22)(g/Ip)]]-1

La valeur du NEP (c.a.d mPopt /2) peut être obtenue à partir de cette dernière expression en posant
S/N=1 et B=1. Pour les détecteurs sensibles à IR il est préférable de mesurer la détectivité D*.

La valeur idéale de D * pour un rendement quantique unitaire est:

D*(, f, 1) = [c.exp (/2)]/ [2(hkT).2[1+ (2/) + (2/2)] 1/2] avec   h/kT

Photodiode

Une photodiode considérée comme le photodétecteur de base de la majorité des capteurs

optoélectroniques, est l’élément d’extrémité chargé de convertir l’énergie lumineuse en une énergie
électrique. La photodiode, sous éclairement, génère un courant qui dépend de sa sensibilité
spectrale et du flux lumineux incident. Le courant global photogénéré est obtenu en intégrant la
réponse en courant, sur un spectre continu. Il existe deux types de photodiodes à base de semi-
conducteurs, les photodiodes sans gain interne tels que les photodiodes à jonction P - N, P-I-N et
Schottky et les photodiodes avec gain tels que la photodiode à avalanche.

26
 27

Photodiode à jonction P-N

Polarisée en inverse elle comprend une zone de charge d’espace (ZCE) ou zone de déplétion (ZD)
soumise à un champ électrique élevé et située entre deux régions respectivement P et N où la
charge électrique est nulle et le champ électrique faible. La photodiode étant polarisée en inverse,
avec relativement large tension de polarisation, afin de réduire le temps de transit des porteurs et
minimiser la capacité de la diode. Cependant, la tension de polarisation ne doit pas être
suffisamment large pour causer une rupture avalanche. Ces conditions de polarisations sont en
contraste avec ceux de la photodiode à avalanche.
Une jonction est dite polarisée en inverse (figure22), si une différence de potentiel négative V pn =
Vp-Vn< 0 est appliquée entre la région P et la région N. La barrière de potentiel due à la mise en
contact des deux régions P et N est fortement augmentée par la tension appliquée qui s’ajoute à
celle-ci, la zone de charge d’espace est élargie et le champ est accru, en conséquence le passage des
porteurs minoritaires est favorisé et les porteurs majoritaires sont bloqués, cependant la saturation
est rapide car il y a peu de minoritaires. Les trous de la région N diffusent vers la frontière de la
zone de charge d’espace; ils sont propulsés par le champ électrique et passent vers la région P où
ils deviennent majoritaires. Il en est de même pour les électrons de la région P qui diffusent vers
l’autre frontière de la zone de charge d’espace où ils subissent la force du champ électrique qui les
propulsent vers la région N où ils deviennent majoritaires. Le courant qui découle du déplacement
des minoritaires est de même sens que celui du déplacement des trous minoritaires (de la région N
vers la région P). C’est un courant de saturation inverse.

P N

- +

Figure 22: Jonction P-N polarisée en inverse

Formation de la jonction P-N

Le dopage d’un matériau semi-conducteur, par un type ou un autre d’impuretés permet d’obtenir
des régions possédant des caractéristiques complètement différentes. Le dopage par des impuretés
pentavalentes permet l’obtention d’une région riche en électrons appelée région de type N. Une
région dopée par des impuretés trivalentes est, par contre, riche en trous et dite de type P.
La jonction P-N est constituée par la juxtaposition, côte à côte, de deux régions de types opposés
d’un même matériau (figure 23). Ce dernier composant électronique possède des caractéristiques
électriques particulières.
+++++++++++++++++
+++++++++++++++++ --------------------------
+++++++++++++++++ --------------------------
+++++++++ --------------------------
--------------------------
------------

Région de type–P (Na) Région de type–N (Nd)

Figure 23: Formation de la jonction P-N

27
 28

La différence des concentrations des accepteurs (N a) et des donneurs (Nd) de part et d’autre de la
jonction P-N, cause l’apparition d’un phénomène de diffusion des porteurs à travers la jonction:

 les électrons majoritaires de la région N diffusent vers la région dopée P où ils se

recombinent avec les trous ;
 il en est de même pour les trous de la région dopée P, ils diffusent vers la région N et se
recombinent avec les électrons.

Zone de déplétion ou zone de charge d’espace de la jonction P-N

La recombinaison des électrons et des trous de part et d’autre de la jonction fait apparaître une zone
désertée en porteurs, appelée zone de déplétion ou zone de charge d’espace. Cette zone résulte du
fait que les porteurs, qui migrent du côté où ils sont majoritaires vers le côté de dopage opposé,
laissent derrière eux des ions de charges opposées. En conséquence, un champ électrique règne dans
cette région et empêche, par la suite, le passage des porteurs de part et d’autre de la jonction sous
l’action d’une force électrique:

F = qE

Comme le montre la figure 24, la zone de charge d’espace est constituée de deux sous régions de
charges opposées, une zone de charge négative du côté de type P et une zone de charge positive du
côté N.
La largeur w de la ZD augmente comme la racine de V lorsque la jonction est polarisée en inverse
augmente en V. En effet lorsque le champ électrique augmente la force électrique exercée sur les
électrons liés augmente aussi.

ZCE
-
++++++++++ ++++++++ -
- -
+
+ +
++ ++++++++++ ++++++ -
- -
+
+ + ----------------
++++ -
- -
+
+ +
-
- -
+
+ + ----------------
- + ----------------
----------------

Région de type–P Région de type–N

Figure 24: Apparition de la zone de charge d’espace (ZCE)

Profondeur de la ZCE de part et d’autre de la jonction P-N

Considérons une jonction P-N enterrée à une profondeur Xp de la surface d’un barreau de silicium.
La structure résultante présente trois régions distinctes (figure 25):

 une zone neutre de type P s’étalant sur une profondeur Xp-Wp (X< Xp-Wp) ;
 une zone désertée en porteurs (ZCE) de largeur W= Wn+Wp (Xp-Wp <X< Xp+Wn) ;
 une zone neutre de type N correspondant à (X> Xp+Wn).

Le fonctionnement d’une jonction P-N sans l’application d’une force extérieure est régi par l’action
des deux forces internes opposées l’une à l’autre ; la diffusion due au gradient de concentration

28
 29

d’une part et le champ électrique d’autre part. A l’équilibre thermodynamique les forces sont égales
et les courants qui en découlent sont nuls.

0
+ + + + + + + + + + + + + + + + + + + + + +
Zone de type-P + + + + + + + + + + + + + + + + + + + + +
+ Type -P
+ + + + + + + + + + + + + + + + + + + + +
Xp-Wp ++ + + + + + + + + + + + + + + + + + + +
+ -+ -
Zone de charge

+ + +- -+ + + +- +- + + + - +- + + + -+ -+ + + -+ -+
- - - - - - - - - - - -
d’espace

+- - - - - - - - - - - - - - - - -
- - - - - - - -
Xp +++++
++
+++
++ ++
+++ +++ ++ +++
++++
+++
++
+++ +++
++ ++ +++ ++
Xp+Wn

Zone de type-N _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ Type

_ _ -N
_ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _
_ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _
_
X _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _
_ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _

_ _ de
Figure 25: Profondeurs _ jonction
_ _ _ _et_zone
_ _ de_ charge
_ _ _d’espace
_ _ _ (ZCE).
_ _ _ _ _ _
_ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _
Principe de _ _ _ _ _ _
fonctionnement de la photodiode
_ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _
_ _ _ _ _ _
La photodiode est une jonction P-N, dont le courant inverse augmente sous l’effet d’un
rayonnement, par la génération de paires électron-trou dans les régions neutres et dans la zone de
charge d’espace (figure 26).
Le courant inverse de la jonction P-N est fonction:
D’une part des densités de porteurs minoritaires dans les régions neutres de la diode et
D’autre part de la génération de paires « électron-trou » dans la ZD, le rayonnement lumineux
augmente le courant en conséquence.
Les photons incidents créent des porteurs dans chacune des régions 1, 2, et 3. Dans les zones
électriquement neutres P et N, les photoporteurs minoritaires générés diffusent, ceux qui atteignent
la ZD sont propulsés par le champ électrique intense vers la région où ils deviennent majoritaires.
Ces photoporteurs contribuent donc au courant par leur diffusion, ils créent ce qu’on appelle le
courant de diffusion. Dans la ZD les paires « électron-trou » crées par les photons sont dissociés par
le champ électrique E, l’électron est propulsé vers la région N et le trou vers la région du type P.
Ces porteurs donnent naissance au photocourant de génération (ou drift). Ces deux contributions
s’ajoutent pour fournir un photocourant Iph qui contribue au courant inverse de la diode.
Le rendement de collectage des paires crées dans les régions quasi neutres (P et N) est donc plus
faible que dans la zone de déplétion et le temps de collectage est plus long. Figure 27 représente la
forme du champ électrique et de la caractéristique de génération de photoporteurs.

E Contacts
ohmiques

P N

Zone de charge
h d’espace
Création de paires
électrons-trous
2
1 3

0 Xp-Wp Xp Xp+Wn

29
 30

Figure 26: Principe de fonctionnement de la photodiode

1 2 3

Gp(x)

Gpo 1 2 3

Gpoexp(-x)

x
Gp(x) est le nombre de photoporteurs générés

Figure 27: Forme du champ électrique et caractéristique de génération de photoporteurs

Caractéristique de la photodiode

La caractéristique courant-tension d'une photodiode sans lumière incidente est similaire à celle
d'une diode classique. Lorsque la photodiode est polarisée en direct il y a une augmentation
exponentielle du courant. Quand une tension de polarisation inverse est appliquée, un faible courant
de saturation inverse apparaît. Ce courant ou courant d’obscurité est donné par l’expression:

ID = Is [exp(qV/nkT) - 1]  -Is
Où Id est le courant d'obscurité de la photodiode, I s  est le courant de saturation, V la tension
appliquée, n coefficient d’émission (ou d’identité) et T la température
I absolue (en ° K).
La relation précédente correspond à la figure 28. Obscurité

Eclairement1 = 500
Polarisation inverse lux
Eclairement2 = 800
lux
Tension de claquage Polarisation directe

V
Is
P0 Iph1 = RP1

Iph1 + Is
P1

Iph2 + Is

P2

30
 31

Figure 28: Caractéristique courant- tension d’une photodiode

On peut distinguer trois états de fonctionnement pour l'équation ci-dessus:

i. V = 0, dans cet état le courant de la diode est nul;

ii. V > 0, dans cet état le courant augmente exponentiellement avec V. Cet état est aussi appelé
mode de polarisation directe;
iii. V < 0, quand une tension de polarisation négative est appliquée à la photodiode, le courant
se comporte comme indiqué sur la figure 28 (jusqu’à saturation plus claquage).

Lorsque la photodiode est illuminée par un rayonnement optique, la caractéristique courant-tension

est décalée de la quantité du photocourant (I ph). Ainsi le courant total d’une photodiode polarisée en
inverse sous illumination devient:

Itotal = Is [exp(qV/nkT) - 1]- Iph

Pour une tension de polarisation inverse V0<0, telle que |V0|  kT/q le courant total devient:

Itotal = - (Is + Iph)

Lorsque la tension de polarisation inverse est augmentée au-delà d'une valeur limite, il y a une
augmentation brusque du courant de la diode. Cette valeur limite est appelée tension de claquage.
C'est la valeur de tension inverse maximale qui peut être appliquée à la photodiode. La tension de
claquage varie d'une photodiode à une autre.

Modèle électrique de la photodiode 

La photodiode se comporte comme une diode idéale, représentant la jonction P-N, en parallèle sur
un générateur délivrant un courant Iph proportionnel au flux optique éclairant sa surface sensible. Ce
coefficient de proportionnalité, exprimé en A/W, est la sensibilité spectrale R . En outre, la capacité
de la jonction Cj et une résistance de court circuit Rsh sont en parallèle avec les autres composants.
La résistance série Rs est reliée en série avec tous les composants de ce modèle (figure 29).

Rs
°
Iph ID

Cj Rsh

°
Figure 29: Circuit électrique équivalent de la photodiode

Le photocourant Iph est pratiquement indépendant de la tension de polarisation. Dans la pratique I s

 Iph de sorte à ce que le courant mesuré est égal au photocourant par conséquent proportionnel au

31
 32

rayonnement incident. Lorsque la diode est en mode photovoltaïque et directement connectée aux
borne d’un voltmètre, le courant I est alors égal à 0 et par conséquent le photovoltage est donné
par :

V = [nkT/q][log (Iph/IS + 1)]

Donc le photovoltage varie logarithmiquement avec le photocourant, c’est à dire avec l’intensité du
rayonnement incident sur la surface sensible de la photodiode.
Pour un Iph donné le photovoltage augmente logarithmiquement avec la diminution de IS.

Résistance de court circuit (Rsh)

La résistance de court-circuit donne la pente de la caractéristique courant – tension de la photodiode

à l'origine (V=O). Bien qu'une photodiode idéale doive avoir une résistance de court-circuit infinie,
les valeurs réelles varient de 10 à 1000 MΩ. Expérimentalement cette valeur est obtenue en
appliquant une tension de 10mV et en mesurant le courant correspondant, cela permet de déduire la
résistance.
La résistance de court-circuit est employée pour déterminer le bruit de courant dans la photodiode
sans tension d'offset. Lorsque les meilleures performances de photodiode sont désirées, les plus
hautes valeurs de résistance de court circuit sont recherchées.

Résistance série (RS)

La résistance série d'une photodiode provient de la résistance des contacts et de la résistance des
zones neutres du semi-conducteur. La résistance série est employée pour déterminer la linéarité de
la photodiode sans polarisation. Bien qu'une photodiode idéale ne doive avoir aucune résistance
série, les valeurs typiques varient entre 10Ω et 1kΩ.

Capacité de jonction

Les limites de la région de déplétion agissent comme les plaques parallèles d'un condensateur. La
capacité de jonction est directement proportionnelle à la surface de diffusion et inversement
proportionnelle à l'épaisseur de la zone de déplétion. En outre, les grandes valeurs de résistivité du
substrat correspondent à des capacités de jonction basses. De plus, la capacité dépend de la tension
de polarisation inverse. Cette capacité est donnée par:
Cj = C0/ [1-(V/Vbp)] m

avec C0 = S/w et 0,3<m<0,5

Où V est la tension de polarisation, Vbp la barrière de potentiel, ε la permittivité électrique du

matériau, S la surface de la jonction et w la largeur de la zone de déplétion.

Temps de réponse d’une photodiode

Le temps de réponse d’une photodiode est limité par la combinaison de trois facteurs essentiels:

 le temps de diffusion tdiff des photoporteurs minoritaires des régions p et n vers la ZD;
 le temps de transit ttr à travers la ZD;
 et la capacité de jonction Cj de la zone de déplétion.

Les charges créées en dehors de la zone de déplétion vont diffuser, ce phénomène est relativement
lent, sa constante de temps peut atteindre 10-8 s. Ce temps de diffusion dépend fortement du type du

32
 33

porteur minoritaire se déplaçant ainsi que du matériau utilisé et de la distance d sur laquelle la
majorité des porteurs ont diffusé. De plus, il faut tenir compte, pour les porteurs diffusés, du temps
de transit le long de la zone de charge d’espace. Ce phénomène peut être plus rapide si la tension de
polarisation inverse est très importante, il en résulte le fait que les porteurs traversent la zone de
charge d’espace, d’épaisseur w, avec une vitesse d’entraînement maximum vs, telle que:

ttr = w/vs et tdiff = d2/2Dc

Dc est le coefficient de diffusion des porteurs minoritaires.

Le temps de transit et celui de diffusion tdiff constituent le temps de réponse intrinsèque de la
photodiode, car ce dernier ne dépend ni du circuit associé au composant ni de la surface.
Dans le but d’optimiser le temps de réponse de la photodiode, on a intérêt à ce que le rayonnement
soit essentiellement absorbé dans la zone de déplétion où se crée le courant de génération. Ceci peut
se faire, en réalisant une photodiode ayant une zone frontale aussi mince que possible et en
polarisant de façon à avoir une zone de déplétion suffisante pour absorber la majeure partie du
rayonnement.
La fréquence de coupure est à son tour égale à

fc (3dB) = (2,4 vs)/ (2w) (le facteur 2,4 est introduit car les porteurs générés n’ont pas toute la ZD à
parcourir créant un compromis entre  et fc).

Une autre limite à la vitesse de réponse pouvant apparaître en pratique est due à la constante de
temps ct = RC liée à la capacité de jonction et de charge et la résistance série et de charge (R s + Rc
et Cj + Cc). Elle introduit une fréquence de coupure fc’= 1/ (2 RC) généralement supérieure à fc.
Ainsi le temps de réponse de la photodiode peut être égale à:

 = (ttr2 + tdiff2 + ct2)1/2

Pour diminuer au maximum cette constante de temps, on a intérêt à ce que le rayonnement soit
essentiellement absorbé dans la ZD où il crée le courant de génération. Il faut donc réaliser une
photodiode avec une zone frontale aussi mince que possible et une ZD ayant une épaisseur w
suffisamment épaisse pour absorber la majeure partie du rayonnement, cependant, pas trop épaisse
pour ne pas limiter la réponse en fréquence. Il est donc nécessaire de réaliser des photodiode à
faible capacité de jonction afin d’accroître la sensibilité en se limitant à une valeur de w qui
n’augmentera pas trop le rapport w/vs. L’épaisseur w ne doit pas être très mince afin d’éviter une
large constante de temps, elle est en général choisie de l’ordre de 1/. En outre, dans la région
frontale, la distance Xp doit avoir une valeur beaucoup plus faible que 1/. Cette condition doit être
satisfaite, si l’on veut que le nombre des photoporteurs créés dans la zone de déplétion soit
important et par conséquent, génère un photocourant significatif. La capacité Cj est aussi donnée
par:

Cj = S [(qNimp) / 2(Vbi  V)] 1/2

Avec Nimp la concentration en impureté de la zone la moins dopée, V bi le potentiel de diffusion de la

jonction. La capacité peut être réduite par un faible dopage et un fonctionnement en tension
élevée.
Enfin, il est à noter que les photons absorbés dans la région de déplétion sont détectés avec un
maximum de rendement quantique, par contre ceux absorbés dans les zones électriquement neutres
ne donnent un rendement notable que si l’absorption est réalisée à moins d’une longueur de
diffusion de la limite de la région de déplétion pour minimiser la probabilité de recombinaison
électron-trou.

33
 34

Détermination du photocourant

Comme il a été mentionné plus haut l’absorption, par le matériau de la photodiode, d’un photon
d’énergie supérieure à celle de son gap permet la génération de paires électron-trou. Le nombre de
paires photogénérées suit une loi exponentielle décroissante en fonction de la profondeur et du
coefficient d’absorption α du matériau semi-conducteur. D’autre part, le coefficient d’absorption
dépend de la longueur d’onde des photons absorbés. On peut constater que selon la longueur d’onde
des photons incidents, les photoporteurs sont générés à des profondeurs différentes dans la
structure de la photodiode. Pour de courtes longueurs d’onde (énergie suffisamment élevée) la
photogénération des porteurs se fait à proximité de la surface, par contre la réponse est plutôt dans
le volume pour des photons ayant des longueurs d’onde plus élevées (énergies faibles). Il y a donc
une corrélation entre la répartition en profondeur des porteurs photogénérés et la distribution
spectrale de la source lumineuse.
Le photocourant sera donc constitué des contributions de tous les porteurs générés. Ce dernier
contribue au courant inverse de la diode pour former le courant total comme on l’a noté dans la
section précédente. Le photocourant peut être décomposé en trois composantes (figure 30):

 un courant de génération;
 un courant de diffusions des porteurs minoritaires dans la région N;
 un courant de diffusions des porteurs minoritaires dans la région P.

Courant de
Courant de génération (Idrift)
diffusion Idiffn Contact ohmique

Courant de
h diffusion Idiffp

P ZCE N
: Trou Figure 30: Courant de génération et
: Electron 0 Xp-Wp Xp Xp+Wn courant
de diffusion
Courant de génération (drift)

Ce courant correspond aux paires électron-trou photogénérées dans la zone de charge d’espace.
Ces paires sont dissociées ; les électrons vont être propulsés par le champ vers la région où ils
deviennent majoritaires (type N), les trous vers la région P. Ce courant est noté I drift.

Courant de diffusion

La création de porteurs, dans les régions neutres N et P, par l’absorption de photons, fait croître la
concentration de porteurs libres dans ces zones, plus particulièrement celle des minoritaires. Ceci
entraîne l’accentuation de la diffusion des porteurs minoritaires. Ceux qui atteignent la frontière de
la zone de charge d’espace, avant leur recombinaison, sont propulsés par le champ et donnent
naissance à un courant de diffusion de la façon suivante:

 les trous de la zone de type N sont propulsés par le champ électrique qui règne dans la zone
de charge d’espace vers la région P, en donnant naissance à un courant de diffusion des
trous noté Idiffp ;

34
 35

 les électrons de la zone de type P sont propulsés vers la zone de type N, ce qui donne
naissance à un courant de diffusion des électrons noté Idiffn.

La propriété fondamentale de ce courant est qu’il est proportionnel au flux de photons de la

source.
Le courant total photogénérés Iph et la somme des différentes composantes sus détaillées:

Iph = Idrift + Idiffp  + Idiffn

Il est à noter que la réponse spectrale d’une photodiode dépend beaucoup du coefficient
d’absorption  du matériau, en conséquence le photocourant Iph n’est pas constant en fonction de la
longueur d’onde d’une lumière monochromatique.
Le courant total Iph de la photodiode dépend aussi de sa capacité de jonction ainsi que le courant de
saturation de la diode. De plus il est limité par la résistance série et celle du court circuit, d’où la
nécessité de présenter un modèle électrique complet de la photodiode tenant compte de ces
différents composants.

Calcul du photocourant débité par la photodiode

Le photocourant résultant Iph est la somme de trois composants, le courant de diffusion des
photoélectrons de la région P, le courant de diffusion des phototrous de la région N et le courant de
photogénération dans la ZD. Au point xn (bord de la région N) la densité du photocourant total est
donné par:

Jph = Jndiffusion (x = xn) + Jpdiffusion (x = xn) + Jgénération (x = xn)

Si on néglige les recombinaisons dans la ZD, le courant de diffusion d’électrons en x = x n est le

même qu’en x = xp (bord de la région P) soit:

Jndiffusion (x = xn) = Jpdiffusion (x = xp)

Le courant à son tour est dû principalement aux électrons, qui ont été crées depuis x p jusqu’à xn,
soit:

Jgénération (x = xn) = Jngénération (x = xn)

La densité du photocourant s’écrit donc:

Jph = Jndiffusion (x = xp) + Jpdiffusion (x = xn) + Jngénération (x = xn)

Jgénération (x = xn) = -qGp[1- exp(-w)]

Jpdiffusion (x = xn) = -qGpLp[exp(-w)]/[1 + Lp]

La densité du photocourant s’écrit en conséquence:

Jph = -qGp[1- (exp(-w))/ (1 + Lp)]

Lp est la longueur de diffusion des porteurs. Le signe négatif indique que le photocourant à travers
la jonction est dirigé de la région du type N vers la région du type P. Le courant est donc un courant
inverse. Afin d’obtenir un photocourant maximal on a intérêt à réaliser la condition w  1. Dans
ce cas particulier la densité du photocourant devient:

35
 36

Jph = -qGp

Relation entre le photocourant, le flux lumineux et la réponse spectrale

La réponse spectrale d'une photodiode est la mesure de sa sensibilité à la lumière, et a été définie
comme le rapport du photocourant Iph par la puissance optique incidente P opt qui l'a engendrée pour
une longueur d'onde donnée. En d'autres termes, c'est une mesure de l’efficacité de la conversion de
la puissance lumineuse en courant électrique. Elle varie avec la longueur d'onde de la lumière
incidente, avec la tension de polarisation inverse et la température.
La sensibilité croît considérablement quand la tension de polarisation inverse augmente en raison de
l'amélioration de l’efficacité de collecte des charges dans la photodiode. Il faut noter aussi les
variations de la sensibilité dues au changement de température. Cela est lié à l'augmentation ou à la
diminution de l’énergie de gap dues à l'augmentation ou à la diminution de la température
respectivement.
Si l’on veut tenir compte du flux lumineux et des charges photogénérées, le photocourant dépendra
du flux lumineux incident sur la surface active de la photodiode (lumière monochromatique), de sa
sensibilité et de la charge élémentaire de l’électron comme suit:

Iph = q.  (). ().A = P ().R () = E (). ().A. R ()

Avec Φ() le flux lumineux (nombre de photons/cm2), η(λ) l’efficacité quantique (nombre
d’électrons créés/ nombre de photons incidents), A la surface éclairée (cm 2), P(λ) la puissance
lumineuse (Watt), R(λ) la sensibilité spectrale (A/Watt), et E(λ) l’énergie de photon (Joule).
La variation du photocourant, théoriquement, est linéaire en fonction du flux lumineux. Ce qui
permet l’utilisation des photodiodes pour la mesure de la puissance. Cependant, la sensibilité
spectrale n’est pas constante en fonction de la longueur d’onde du fait de sa dépendance avec
d’autres paramètres comme le coefficient d’absorption, la profondeur de jonction, les dopages...
Ces paramètres font que certaines longueurs d’onde sont plus absorbées que d’autres.

Détermination de l’efficacité quantique ou rendement quantique d’une photodiode

Etant donné que l’absorption de la lumière cause la création de paires électron-trou dans les deux
régions neutres de la photodiode et dans la zone de charge d’espace, l’efficacité quantique diffère
selon la région où ces porteurs sont créés. Notons que la photodiode doit recevoir l’éclairement sur
la totalité de sa surface, dans le cas contraire on parle alors de non uniformité puisque seul une
région de la surface va créer un photocourant.
On distingue alors trois composantes de l’efficacité quantique globale. La première composante
ηdiffp (λ) correspond aux trous minoritaires créés dans la région neutre N qui ont diffusé vers la zone
de déplétion avant leur recombinaison, la deuxième ηdiffn (λ) correspond aux électrons minoritaires
créés dans la région neutre P qui ont diffusé vers la zone de déplétion avant leur recombinaison et
la troisième ηdrift (λ) correspond à la génération des paires électron-trou dans la zone de déplétion.
L’efficacité quantique globale est donnée, donc, par l’expression:

η(λ) = ηdrift (λ) + ηdiffp (λ) + ηdiffn (λ)

Efficacité quantique dans la zone de déplétion  

Les paires électron-trou photogénérées dans la zone de charge d’espace donnent naissance à un
courant de drift ou de génération comme il a été vu plus haut. L’efficacité quantique ηdrift (λ)
associée à ce phénomène est donnée par l’intégration, sur toute la zone de charge d’espace, du
produit taux de génération des porteurs par la charge d’un électron :

36
 37

q.  ().ηdrift (λ) = -q ∫wGp(x) dx = Idrift

avec  Gp(x) =  ().. exp(-x) et ηdrift (λ) = -∫w.exp(-x)dx

Si l’on considère que xh est la profondeur de jonction du côté haut et x b est celle du côté bas (voir
figure 31) ηdrift (λ) sera donnée par:

Surface
Nhaut

xh
xj
xb

Nbas

Figure 31: Dopages et profondeurs de jonction d’une photodiode

ηdrift (λ) = exp(-xh ) - exp(-xb)

avec xh et xb données respectivement par:

xh = xj – w/[1+ (Nhaut/ Nbas)] xb = xj + w/[1+ (Nhaut/ Nbas)]

Où xj est la profondeur de la jonction, Nhaut et Nbas représentent respectivement la concentration des

porteurs de la région du dessus et celle du dessous de la jonction
 pour une jonction P-N ou P est au-dessus de N : Nhaut = Na et Nbas=Nd;
 pour N au-dessus de P : Nhaut = Nd et Nbas=Na.

La largeur de la zone de charge d’espace w est exprimée par:

w = xb-xh = √[(2/q)(ε0-εr)].[(1/ Nhaut) + (1/ Nbas)]. [Vbp+Vn+Vp]

Efficacité quantique dans les zones neutres P et N

L’expression de l’efficacité quantique dans les régions neutres N et P est obtenue par la résolution
de l’équation de diffusion des minoritaires; les trous et les électrons respectivement, tout en tenant
compte en tenant compte des conditions aux limites qui sont les concentrations nulles aux frontières
de la zone de charge d’espace et à la frontière de la couche épitaxie d’une part et éventuellement la
vitesse de recombinaison en surface d’autre part.

Calcul du photocourant en fonction de la sensibilité et de la puissance

Jusqu’à maintenant, seule la réponse à une lumière monochromatique est prise en considération,
alors que le flux lumineux incident mesure un spectre contenant plusieurs longueurs d’ondes. De
plus, la photodiode n’a pas la même sensibilité à toutes les longueurs d’onde, en conséquence le
photocourant total produit par la photodiode sera la contribution de toutes les composantes unitaires
du produit sensibilité R (λ) par la puissance reçue P (λ) sur tout le spectre.
Pour obtenir le courant photogénéré on doit donc intégrer sur l’intervalle de longueurs d’onde
constituant le spectre du flux incident, on obtient ainsi:

37
 38

λmax
Iph = ∫P ().R ().d λ
min

Le photocourant généré reste proportionnel à la puissance optique reçue tant que l’on ne dépasse
pas un certain niveau d'éclairage qui peut faire saturer le courant généré par la photodiode. Si on
dépasse ce seuil, la photodiode devient non linaire c'est à dire que le photocourant n'est plus
proportionnel avec l'intensité de la lumière.

Photodiode P-I-N

C’est le photodétecteur le plus utilisé, vu l’intérêt d’avoir une épaisseur de la ZD suffisante pour
que le photocourant soit essentiellement un photocourant de génération de porteurs. On augmente
artificiellement la valeur de w en intercalant une région intrinsèque I entre les régions de type N et
de type P (figure 32). Cette structure donne à la ZD la plus grande extension possible.
Lumière (h)

Contact ohmique
0
P
1
xp
I 2
xn

N 3
xc
Contact ohmique arrière

x
Figure 32: Coupe d’une photodiode P-I-N

Les photons sont absorbés dans la région I. On a donc plutôt affaire à une diode P-N où l’on
favorise l’absorption des photons dans la zone déserte de la jonction polarisée en inverse. Si cette
polarisation est suffisante, un champ électrique important existe dans toute la zone I, les
photoporteurs atteignent très vite leur vitesse maximale limite (10 7cm/s pour E >2.104V/cm) et
rendent la photodiode très rapide (temps de transit limité à quelques dizaines de picosecondes). En
plus le champ électrique dans la région de déplétion empêche la recombinaison des porteurs, ce qui
rend la photodiode très sensible et possédant une réponse spectrale optimale puisque la capacité est
beaucoup plus faible que celle d’une photodiode P-N en raison de l’effet de la région I. Des
photodiodes à sensibilité de 4 A/mW/cm2 sont disponibles. Figure 33 représente le principe de
fonctionnement avec le digramme d’énergie et la caractéristique de génération de porteurs. Cette
figure est aussi valable pour le cas d’une photodiode P-N avec seulement ZD remplaçant la région
intrinsèque I.

VR
Popt
Iph
P I N
Diffusion des électrons
rPopt wp w wn
RL (a)

h qVR
Ec
h (b)
h

Espace de transit Ev

Diffusion des trous

38
 39

Gp(x)

(c)

Popt (1-r) exp(-x)

Figure 33: Principe de fonctionnement, avec le digramme d’énergie et caractéristique de génération de porteurs,

d’une photodiode P-I-N x
1/
La photodiode P-I-N a, par ailleurs, quelques paramètres importants qui sont:

 Le courant d’obscurité, c’est à dire le courant généré sans qu’il y ait de photons arrivant sur
la zone sensible. Il est de l’ordre de quelques nanoampères. Il dépend de la température.
 L’efficacité quantique est d’au moins 50% en général.
 La capacité de la diode qui est un facteur important dans la conception du détecteur et qui
constitue aussi une limitation de la vitesse de réponse de la diode peut aller de quelques
dixièmes à quelques picofarads.
 Bruit thermique lié à la résistance d’entrée du circuit amplificateur sans oublier les
résistances du circuit équivalent (même que celui d’une photodiode P-N) qui dominent en
général. Il est fonction de la résistance de charge qui doit être aussi élevée que possible
(mais l’augmentation de cette résistance s’accompagne par une réduction de la bande
passante du détecteur).
Photodiode Schottky

Elle est constituée d’un substrat de semi-conducteur (silicium de type n par exemple) sur lequel est
déposée une couche mince, généralement en or. On réalise ainsi une barrière de Schottky (figure
33). Après absorption d’un rayonnement, un photocourant de génération analogue à celui de la
photodiode P-N est produit (création de paires électron-trou dans la ZD du semi-conducteur). Dans
le cas où la couche métallique est élaborée suffisamment mince, de quelques nanomètres, la ZD de
la photodiode est dans ce cas proche du plan d’incidence permettant aux photons de grande énergie
et de courte longueur d’onde d’être absorbés. Les photoporteurs libres ainsi créés sont rapidement
balayés par le champ électrique élevé dans la ZD. Ceci permet au dispositif d’avoir, d’une part une
grande sensibilité dans le bleu et le violet, et d’autre part une grande vitesse de réponse.
Cependant, une telle structure possède une faible réponse aux grandes longueurs d’ondes, tels que
le rouge et l’infrarouge, principalement dû à la réflectivité élevée de la couche d’or dans cette
partie du spectre.
Ni/Au Ni/Au
Au

AlxGa1-xN

Saphi
r

39
 40

Figure 33: Coupe d’une photodiode Schottky à base de AlxGa1-xN

Photodiode à avalanche (PDA)

Il a été montré que le bruit thermique était important dans la diode P-I-N ; cette difficulté peut être
minimisée si l’on dispose d’un gain qui amplifie le photocourant avant d’additionner le bruit
thermique au signal. Cela est possible avec la photodiode à avalanche (PDA). Lorsque la tension de
polarisation inverse est augmentée à une valeur proche de la tension de rupture (break-down) et le
champ électrique dans la ZD est suffisamment élevé (>105 V/cm), une multiplication avalanche de
porteur se produit augmentant ainsi le gain de la photodiode. Les porteurs libres entraînés par le
champ peuvent acquérir une énergie cinétique suffisante pour créer une paire électron-
trou supplémentaire par collision avec un électron de valence (ionisation par choc des atomes du
cristal que constitue le semi-conducteur). Les porteurs supplémentaire peuvent à leur tour acquérir
une énergie permettant la création de paires additionnelles, il en résulte un processus en chaîne,
c'est l'effet avalanche. La multiplication des porteurs par avalanche s’opère dans la région de fort
champ. Il y a donc une amplification du courant primaire circulant à faible champ conduisant à une
multiplication interne du photocourant, la diode est alors l’analogue à l’état solide, du
photomultiplicateur. Le produit « Gain x Bande » de ce processus étant limité par le temps de
transit dans la zone où à lieu l’amplification. Le gain d’avalanche dépend fortement du champ
électrique par le biais les coefficients d’ionisation des porteurs, ou nombre moyen de paires créées
par un porteur (électron ou trou) par unité de distance. Ces coefficients étant une fonction
exponentielle du champ appliqué. Le taux de génération des paires s’écrit:

Gg = n n + p p
n et p sont les mobilités des électrons et des trous,  et  sont les coefficients d’ionisation (cm -1)
des électrons et des trous respectivement. Les coefficients de multiplication des électrons M e et des
trous Mt s’expriment comme le rapport entre les courants aux extrémités de la ZD, ils varient
avec , , le rapport k = / et l’épaisseur w de la ZD.
A partir de la caractéristique I=f (V) de la photodiode on tire le coefficient de multiplications en
considérant le rapport du courant final Iph au courant primaire I0ph soit:

M = Iph / I0ph = 1/ [1 - ((V - R Iph)/ Vr)n ]

V est la tension de polarisation inverse appliquée, R la résistance totale du dispositif, n un

coefficient qui dépend du matériau semi-conducteur utilisé, le profil de dopage et la longueur
d’onde le la radiation, Vr la tension de rupture, et Iph résulte du photocourant et du courant
d’obscurité qui est également multiplié. Le processus d'avalanche nécessite non seulement un
champ élevé mais aussi une distance suffisante permettant l'accélération des porteurs. On obtient
ainsi une multiplication interne du photocourant, le gain de la photodiode est généralement
supérieur à 100. Il est à noter que ce gain est très sensible à la tension de polarisation et à la
température donc il faut toujours prendre considération et précaution dans la conception du circuit
de polarisation. Pour le cas de forte intensité de la radiation où I 0ph>>ID et RIph<< Vr, la valeur
maximale de la photomultiplication est donnée par :

Mmax = Iph / I0ph = 1/ (nRIph)/ (Vr) = [(Vr)/ (nRIph)] 1/2

40
 41

La photodiode à avalanche est intrinsèquement plus lente que la photodiode P-N et P-I-N (facteur
½) car le temps de transit doit ici comprendre le temps de retour des porteurs multipliés. Par
ailleurs, le produit « Gain x Bande » est relativement constant et la fréquence de coupure f c est
inversement proportionnelle à M. En sacrifiant le rendement quantique  on parvient néanmoins à
des produits « Gain x Bande » de plusieurs GHz. Figure 36 représente un exemple de structure
épitaxiale de photodiode à avalanche, le diagramme d’énergie et le profil du champ électrique E.

Au-Sn
N+-InP P+ P- P N+
N-(Ga, In) (As, P)
N-InP
P+-InP +
Au-Mg Au-Mg _

h
E
Diffusion des électrons

Région de multiplication h

Ec

Région de multiplication Ev
Diffusion des trous

Figure 36: Exemple de structures de photodiode à avalanche avec diagramme de bande d’énergie et profil de E

Bruit dans les photodiodes P-N et P-I-N

Ce qui limite l’efficacité d’une photodiode de ce genre, c’est la présence de bruit qui dégrade
l’information reçue. On distingue les sources de bruit suivantes:

Bruit de fond: C’est un bruit de l’environnement où a lieu l’emplacement du dispositif, le courant

qui résulte de la radiation de fond est noté IB.

Bruit d’obscurité: On distingue généralement deux sources pour le courant d’obscurité:

 Les courant de fuite, principalement en surface, qui dépendent de la géométrie du
composant et que l’on peut réduire par passivation. Ces courants dépendent du degré de
technologie de la fabrication;
 Le courant produit en volume par génération thermique que l’on sépare en deux
contributions. D’une part le courant de génération au niveau de la ZD, et de l’autre le
courant de diffusion des porteurs créés à moins d’une longueur de diffusion des limites de la
ZD. Ces courants sont déterminés par le matériau et croissent exponentiellement avec la
température et la diminution de l’énergie de la bande interdite. De manière générale, il est
souhaitable d’avoir un courant d’obscurité faible pour réduire sa contribution au bruit de la
photodiode. Ce courant est noté ID.

41
 42

Bruit quantique: C’est un bruit spécifique aux transmissions optiques et qui est fondamental, c’est
à dire qu’il constitue une limite qu’on ne peut repousser ou éviter, quels que soient les progrès
technologiques enregistrés. Il vient du fait que la conversion photons-électrons est bruiteuse car
dans un intervalle de temps arbitraire T, le nombre d’électrons émis par la photodiode, par
exemple, détectant un niveau de lumière connu ne peut être prédit exactement. On sait seulement
qu’en moyenne, ce nombre d’électron sera proportionnel au nombre de photons reçus mais les
fluctuations temporelles autour de cette moyenne constituent un bruit que l’on appelle le bruit
quantique. La statistique de ce bruit qui est poissonienne peut être assimilée à une Gaussienne
lorsque le nombre de photons est élevé.
Ce qui est important à noter, c’est que le bruit dépend du signal et c’est une différence essentielle
avec les systèmes conventionnels. Le courant quadratique moyen est donc donné par l’expression
classique d’un bruit shot, soit:

 I²sn  = 2qIB
(54)
Où I est le courant moyen du signal égal à:

I = Iph + IB + ID

Où B est la bande passante du dispositif.

Bruit thermique: C’est le bruit classique des résistances. Il a une statistique Gaussienne et peut être
rendu très petit en travaillant à basse température.
Si  I²th  est la moyenne quadratique du bruit thermique et R la résistance total du dispositif, alors:

 I²th  = 4kTB/R

Bruit modal: C’est une source de bruit très particulière à l’optique et qui concerne surtout les
sources optiques cohérentes tels que les Lasers. En effet, lorsqu’une source très cohérente est
utilisée en conjonction avec une fibre multimode, les temps de propagation de chaque mode dans la
fibre sont suffisamment rapprochés pour que chaque mode puisse interférer avec ces voisines; il
suffit pour cela que le délai modal soit inférieur au temps de cohérence de la source. Ces
interférences sont telles que la répartition spatiale de l’énergie dans la fibre prend l’aspect
granuleux que l’on appelle « speckle ». Cette répartition n’aurait aucune espèce d’importance si ce
speckle ne bougeait en fonction de changements de température infimes ou de légères déviations de
longueur d’onde.
La distribution modale de puissance dans la fibre bouge alors constamment si bien qu’un
connecteur excentré ou une mauvaise épissure peut filtrer une partie de la puissance optique et créer
une variation d’amplitude. Si la connectique est bonne, ce type de bruit n’est généralement pas
gênant dans les systèmes numériques mais peut avoir des conséquences désastreuses dans les
systèmes analogiques. Qui plus est, la puissance de bruit est directement proportionnelle à la
puissance du signal, si bien qu’une élévation de la puissance injectée ne sert à rien. Une diminution
de ce bruit ne peut être obtenue qu’en utilisant des sources à spectre large, tels que les LEDs, ou des
fibres monomodes.
Afin d’étudier le bruit dans les photodiodes P-N et P-I-N on considère leur processus de
photodétection généralisé et leur circuit équivalent représentés dans la figure 34 et 35.

Bruit thermique

Signal optique Signal

Effet photoélectrique Obscurité Signal d’interaction Signal + Bruit
Fond Fond

42
 43

Figure 34: Système de photodétection avec bruit d’une photodiode à jonction P-N et P-I-N

RS

iP i2S CJ RJ RL RI

Figure 35: Circuit électrique équivalent en ac d’une photodiode à jonction P-N et P-I-N

Les composants du circuit équivalent de la photodiode sont:

CJ : capacité de jonction,
RJ : résistance de jonction,
RS : résistance série,
RL : résistance de charge
RI : résistance d’interaction ou résistance d’entrée de l’amplificateur suiveur.

Pour déterminer le courant généré par le processus photoélectrique, on considère le signal optique à
intensité modulé de l’expression d’équation:

P () = Popt [1+ mexp(jt)]

Le photocourant moyen dû au signal optique moyen Popt s’écrit:

Iph = q[( Popt/h)]

Pour un signal optique modulé, la puissance efficace du signal est mP opt /2 et par conséquent
l’expression du courant devient:

iP = (qmPopt )/( 2 h)

Le bruit propre de la photodiode est un bruit quantique dû aux fluctuations statistiques dans la
génération du courant et est caractérisé par un processus poissonien soit un courant quadratique
moyen équivalent donné par l’expression classique d’un bruit shot:

 I²sn  = 2qIB = 2q(Iph+ IB+ ID)B

Toutes les résistances du circuit équivalent de la photodiode contribuent au bruit thermique

supplémentaire du système. La résistance série RS étant négligeable par rapport à RL, RJ et RI le
bruit thermique se caractérise par un courant quadratique moyen équivalent donné par
l’expression :

 I²th  = 4kTB/Req
(60)
avec 1/Req = 1/RJ + 1/RL + 1/RI
Pour un signal modulé à 100 %, le rapport signal sur bruit calculé suivant la puissance, soit S/B ruit
s’écrit:

S/Bruit = [iP2Req]/ [( I²sn  +  I²th) Req]

43
 44

S/Bruit = [(qPopt )/( 2 h)]2/[2q(Iph+ IB+ ID)B + 4kTB/Req ]

La puissance optique minimale pour obtenir un rapport S/Bruit donné est :

(Popt)min = [(2 hB/)( S/Bruit )].[1 + (1 + Ieq/(qB)(S/Bruit))1/2]

avec Ieq= IB+ ID + 2kT/qReq

Lorsque Ieq/qB(S/Bruit) <<1, la puissance optique minimale est déterminée par le bruit quantique
associé avec le signal optique lui même.

Pour Ieq/qB(S/Bruit)>>1, la radiation de fond et/or le bruit thermique de la résistance équivalente

devient dominant. Sous cette dernière condition, la puissance équivalent du bruit ou NEP et qui est
égale à la valeur efficace de la puissance (Popt) min avec S/Bruit= 1 et B= 1 Hz

NEP = 2(h/)(Ieq/q)1/2 (W/cm2Hz1/2)

Afin d’améliorer la sensibilité de la photodiode, l’augmentation de  et Req et la diminution de IB

et ID sont exigées.

Bruit dans les photodiodes à avalanche

La multiplication qui se crée dans une photodiode à avalanche et qui lui donne son gain est, elle
aussi, un phénomène statistique, donc une source de bruit. Lorsque le champ électrique dans la ZD
est suffisamment élevé, les porteurs libres entraînés par le champ peuvent acquérir une énergie
cinétique suffisante pour créer une paire électron-trou supplémentaire par collision avec un électron
de valence, on appelle ça une ionisation par choc. Les porteurs supplémentaires peuvent à leur tour
acquérir une énergie permettant la création de paires additionnelles, etc. Chaque ionisation étant un
événement aléatoire, le gain instantané m fluctue très rapidement et introduit un bruit en excès
caractérisé par un facteur de bruit F (M) qui s’écrit approximativement:

F (M) = M [1-(1-k). (M-1)2/M]

Ce bruit en excès peut être minimisé d’une part lorsqu’il existe une grande différence entre les
coefficients d’ionisation  et  (k  1), d’autre part lorsque l’on injecte préférentiellement les
porteurs qui ont le plus fort coefficient de multiplication dans la zone d’avalanche.
Le processus de photodétection est représenté schématiquement dans la figure 37. Le circuit
électrique équivalent en ac est le même que celui de la diode P-I-N.

Bruit thermique

Signal optique Signal

Effet photoélectrique Obscurité Avalanche Signal d’interaction
Fond Fond Signal + Bruit

PDA
M Bruit en excès
RS
(a)
iP i2S CJ RJ RL i2T RI

(b)
44
 45

Figure 37: Processus de la photodétection avec bruit (a) et circuit équivalent d’une photodiode à avalanche en ac (b)

La valeur efficace du photocourant multiplié est identique à celle de l’expression pour la P-I-N
excepte pour l’addition du facteur de multiplication ou le gain d’avalanche M:

iP = (qmPopt M)/( 2 h)

Les autres éléments du circuit équivalent sont les mêmes que celui de la P-I-N. La valeur moyenne
du courant de bruit-shot après multiplication est donnée par:

 I²sn  = 2q(Iph+ IB+ ID)<M2>B = 2q(Iph+ IB+ ID)M2F(M)B

Où <M2> est la valeur quadratique moyenne du gain interne, et le facteur de bruit F (M) =
<M2>/M2 est la mesure de l’augmentation du bruit shot comparé à un multiplicateur idéal sans
bruit.

Le bruit thermique est naturellement inchangé.

Pour un signal modulé à 100 %, le rapport signal sur bruit calculé suivant la puissance, soit S/B ruit
s’écrit:

S/Bruit = [(qPopt )/( 2 h)M]2/[2q(Iph+ IB+ ID) M2F(M)B + 4kTB/Req ]

S/Bruit = [(qPopt )/( 2 h)]2/[2q(Iph+ IB+ ID)F(M)B + 4kTB/ M2Req ]

Cette expression montre que le gain d’avalanche peut augmenter le rapport S/B ruit par la réduction
de l’importance du dernier terme du dénominateur. Le facteur de bruit est toujours égal ou
supérieur à l’unité est augmente d’une façon monotone avec la multiplication excepte pour le
processus de multiplication sans bruit. Il existe donc une valeur optimale de M qui produit un
rapport S/Bruit maximal pour une puissance optique donnée. La multiplication maximale est obtenue
lorsque le premier terme du dénominateur est égal au deuxième terme.
L’expression ci-dessus peut être résolue pour une puissance optique minimale exigée P opt pour
produire un S/Bruit donnée avec gain d’avalanche. Cette puissance s’écrit:

(Popt)min = (2 h/)( S/Bruit )[1 + (1 + Ieq/qBF(M)2(S/Bruit))1/2]

avec Ieq= (IB+ ID)F(M) + 2kT/qM2Req

Pour des hautes fréquences et une large bande passante de détection, la puissance minimale
détectable est limitée par le bruit thermique de la résistance de charge et le bruit de l’étage
amplificateur suiveur. Sous cette condition, le terme I eq/qBF(M) 2(S/Bruit) est supérieur à l’unité et le
NEP est donnée par:

NEP = 2(h/)(Ieq/qF(M)2)1/2

On note que, si M = 1 et F (M) = 1, on retrouve la le NEP de la diode P-I-N et on met en évidence

la diminution en 1/M2 du bruit thermique.

45
 46

Avec F (M)>1, on montre que F (M)  Mx où x dépend du matériau à travers le rapport k des
coefficients d’ionisation  et . Pour le cas du silicium x  0,3-0,5 et pour le germanium c’est 1.
Par ailleurs, il faut également remarquer que M varie avec la température de fonctionnement du
dispositif, variation liée à la décroissance de  et  quand la température augmente. Cette remarque
fixe une contrainte sur la régulation de température d’un détecteur à avalanche.
Puisque le gain d’avalanche peut réduire le NEP, les photodiodes à avalanche peuvent avoir un
avantage significatif par rapport aux photodiodes non avalanche. Lorsque le gain est ajusté à sa
valeur optimale, le bruit quantique et le bruit thermique sont de grandeurs comparables.
Le mécanisme d’avalanche amène à la conclusion suivante : pour réaliser des photodiodes à
avalanche ayant un produit « Gain x Bande » élevé et un faible facteur de bruit en excès, il faut
disposer d’un matériau dont les coefficients d’ionisation sont aussi inégaux que possible et réaliser
une structure telle que l’avalanche soit initiée par le porteurs ayant le plus fort coefficient
d’ionisation. La diode à avalanche permet d’avoir un gain interne élevé et peu dépendant de la
tension appliquée. Un inconvénient subsistant toutefois avec cette structure est la tension de
polarisation élevée au point de fonctionnement (~100 à 400 V).

Autres types de photodétecteurs à polarisation externe

Phototransistor

Le phototransistor est un transistor bipolaire photosensible dans lequel le courant de commande de

base est fourni par effet photoélectrique (la base est accessible au rayonnement à détecter).
Phototransistor équivaut à la combinaison d’un transistor et d’une photodiode. Le circuit model du
phototransistor est représenté par la figure 37. Il diffère du transistor bipolaire conventionnel par
une large jonction base-collecteur, l’élément chargé de la collection de la radiation, et est
représentée par la combinaison parallèle d’une diode et d’une capacité. La base du phototransistor
étant flottante de sorte que le courant de base est nul.
Lorsque la base du phototransistor est soumise à un éclairement, les photoporteurs créent un
courant de génération Iph qui s’ajoute au courant de saturation de la jonction collecteur-base ICB0.
Ainsi le courant d’émetteur du phototransistor, en négligeant ICB0, s’écrit:

IE = (1+). (ICB0+ Iph)  Iph

Où  est le facteur d’amplification ou gain en émetteur commun du transistor (coefficient

d’amplification propre au transistor). Le photocourant est donc amplifié de manière interne comme
pour le cas d’une diode à avalanche.

Lumière (h)
Base Emetteur C
N ICE

CCB Iph
Iph
N
B

Collecteur
Figure 37: Circuit model d’un phototransistor E

46
 47

Evidement, la sensibilité du phototransistor est beaucoup plus importante que celle de la photodiode
P-N à cause du facteur . La sensibilité du phototransistor est située entre celle de la photodiode P-
I-N et celle de la photodiode à avalanche. L’addition d’une autre jonction (base-émetteur) contribue
à augmenter le temps de transition des porteurs et, par conséquent, le temps de réponse du
phototransistor est beaucoup plus long que celui de la photodiode. Ainsi le principal inconvénient
est lié à la nature du photocourant qui est un courant de diffusion à travers la base. La constante de
temps et la sensibilité sont respectivement de l’ordre de 10-5s et 6 A/W.
Parmi les avantages des phototransistors, Ils permettent à la fois de détecter un signal optique et
d'amplifier ce signal, regroupant ainsi les fonctionnalités d'une photodiode P-I-N et d'un HBT
(Transistor Bipolaire à Hétérojonction). Ils ont aussi l'avantage sur les photodiodes à avalanche
d'avoir un gain important sans différence de potentiel élevée et sans bruit d'excès dû à l'avalanche.
Le phototransistor admet, cependant, des inconvénients tel que sa linéarité, sa thermo-sensibilité et
surtout sa constante de temps qui très élevé.
Le phototransistor offre un rapport de transfert de courant (rapport entre le courant de sortie et le
courant d’entrée) de l’ordre de 50% ou plus comparé à celui d’une photodiode qui n’est que de
quelques pour-cent.
Les phototransistors sont généralement définis dans les catalogues de fabricants de la même façon
que les photodiodes. Le BPX 72, par exemple, est un phototransistor N-P-N au silicium d’usage
général possédant un courant d’obscurité d’environ 100 nA sous une tension V ce de 20 V. La
caractéristique courant en fonction de l’éclairement est représentée par les figures 38(a). Les temps
de réponse d’un phototransistor sont mesurés selon le montage type aussi représenté par la figure
38(b).

IC (mA)

5 T = 25 °C
fonct. Eclairement4 = 2500
lux
4 R1

Eclairement3 = 2000
Vcc
3 lux

Vs
Eclairement2 = 1500
2
lux R2

Eclairement1 = 1000
1
lux

0      VCE (V)
0 5 10 15 20

(a) (b)
Figure 38: Courant collecteur d’un phototransistor en fonction de l’éclairement et de V CB qu’il provoque (a);
montage type de mesure de temps de réponse (b)

PhotoDarlington

47
 48

Le phototransistor peut aussi être intégré avec d’autres dispositifs électroniques tels que, par
exemple, un second transistor formant ainsi un Darlington sensible à la lumière et qu’on appelle
photoDarlington (figure 39).
La structure du photoDarlington permet d’avoir un gain de l’ordre de 104, supérieur à celui du
phototransistor ainsi qu’un meilleur rapport de transfert de courant. Cependant, les mêmes
inconvénients, que ceux du phototransistor, subsistent.

Lumière (h)
C
Base Emetteur
ICE
N

P P CCB Iph
1Iph

B
N
12Iph

Collecteur

Figure 39: Circuit model d’un photoDarlington E

Le photoFET ou photoTEC

C’est le phototransistor à effet de champ dont la jonction grille canal du dispositif est accessible à la
lumière. Le courant d’origine photoélectrique augmente le courant de fuite et influence la
différence de potentiel entre la grille et la source. La particularité de ce phototransistor est que la
sensibilité lumineuse est réglable électriquement sur une large gamme sans perte de linéarité. Il se 
distingue aussi par une sensibilité plus élevée à basse fréquence ainsi que le bruit qui est moins
élevé que les phototransistors classiques N-P-N ou P-N-P. La figure 40 représente le diagramme
schématique d’un photodétecteur MOSFET au Si avec sa caractéristique du photocourant-tension.

ID (µA)
1200 
VG VD
ID 1000 
° °
Surface de la
800 
région de
déplétion N+ N+
600 

400 
P
200 
0
Photoionisation      VG (V)
0 10 20 30 40

Figure 40: Structure d’un MOSFET et caractéristique photocourant en fonction de la tension de la grille

Le photothyristor

Le photothyristor est un composant à deux états stables. Pour le déclencher il suffiut d’injecter un
courant dans son électrode de commande ou gâchette. Ce courant injecté est forni par effet

48
 49

photoélectrique, tout comme le phototransistor. Eventuellement, la gâchette pourra se voir polarisée

par un circuit externe afin de commander la sensibilité du dispositif. Le schéma de la figure 41
représente un exemple de structure du phothyristor.

Gâchette Cathode
h

Anode

N
P
h
Gâchette N

P
Cathode
//////////////////////////////////////////////////////////////////////////////////
/ Anode, boîtier et radiateur

Figure 41: Symbol général du photothyristor et un exemple de sa structure

Photomultiplicateur

Les photomultiplicateurs sont des détecteurs à effet de surfaces (effets photoélectriques externes),
l'énergie des photons y est utilisée pour faire franchir aux électrons, ainsi excités, la barrière de
potentiel derrière laquelle ils étaient maintenus captifs en l'absence de rayonnements. Le but du
photomultiplicateur est de convertir des signaux lumineux constitués par quelques centaines de
photons en une impulsion électrique sans ajouter un bruit de fond excessif au signal. Il est constitué
d’une cathode photoémissive associée à des multiplicateurs d'électrons puis à un collecteur (anode).

Principe de fonctionnement

Le principe de l'appareil est le suivant : c'est un tube à vide à nombreuses électrodes : entre la
cathode (potentiel négatif) et l'anode (potentiel positif) se trouvent de nombreuses autres électrodes,
appelées dynodes, situées à des potentiels intermédiaires et régulièrement espacés (figure 42)

Fenêtre Photoélectrons Anode

Electrodes de
focalisation
Vide
Source de
lumière
Connexions

Photocathode
Electron multiplicateur avec dynodes 1, 2, 3, 4…
Enveloppe en verre

Région d’entrée

Figure 42: Schéma d'un photomultiplicateur

Les composants du photomultiplicateur

Photocathode

49
 50

La photocathode assure le processus photoélectrique c'est à dire absorption des photons et émission
d'électrons. Pour que celle-ci soit en mesure de traduire par un changement d'état la capture d'un
photon incident, il faut que l'énergie h du photon soit au moins égale à l'énergie W qui est
nécessaire pour arracher l'électron de son état initiale.
La couche de matière qui sert de photocathode, d’une épaisseur de quelques centaines de
nanomètres, est déposée sur une couche de verre qui sert de fenêtre d'entrée au photomultiplicateur.
Il existe plusieurs types de photocathodes, chaque type possède une caractéristique à la conversion
photon électron, en fonction de longueur d'onde de la lumière incidente.
Le type de la photocathode le plus approprié pour une application bien particulière est le type qui
possède la réponse maximum sur le spectre de longueur d'onde à étudier, en générale le Bialkali est
le meilleur choix. Pour une température supérieure à 60°C, le Bialkali à haute température est
généralement recommandé.
La photocathode S20 avec une réponse à une longueur d'onde de 900 nm est le choix évident pour
des substances émettant dans les régions du rouge et IR. La photocathode S1 est sensible aux
longueurs d'ondes allant jusqu'à 1100 nm.

Région d'entrée

Afin d’être amplifié, le photoélectron doit être accéléré est focalisé sur la surface active de la
première dynode. La conception de la région photocathode-dynode1 est optimisée pour maximiser
la collection des électrons de toute la surface de la photocathode par l’utilisation d’électrodes de
focalisation et une technique appelée Optical Plotting Technique ou technique du traçage optique
(figure 43).
Source de lumière

Photocathode

Photoélectrons
Electrode de
focalisation

Figure 43: Schéma de la région d’entrée d'un

photomultiplicateur
Dynode2 Dynode1

Electron multiplicateur

La nature particulière du signal délivré par une photocathode (un flux d'électrons dans le vide) peut
être mise à profit pour réaliser l'amplification directe au moyen d'électrodes à émission secondaire
appelées dynodes. Deux surfaces d'émission secondaire sont disponible, le BeCu et le SbCs.
Chaque dynode de l’électron multiplicateur amplifie le courant d'électrons incident (figure 44) avec
un gain  tel que :
 = (courant secondaire)/ (courant incident)

50
 51

en notant le gain de la première dynode 1, la deuxième dynode 2, la kième dynode k etc., le
courant finale à l'anode IA pour un nombre n de dynodes sera égal à :

IA = 12…….k…nIk = G.Ik

Ik étant le courant primaire à la photocathode et est proportionnelle à la lumière incidente, G le gain

globale du photomultiplicateur contrôlé par la tension appliquée au photomultiplicateur.

Photocathode Anode
D1 D2 D3 D4

IA= 1 2 3 4 Ik
Photoélectrons
Source de Lumière

vers diviseur de tension

D = Dynode Ik 1 Ik 1 2Ik 1 2 3 Ik 1 2 3 4 Ik

Figure 44: Schéma de l’électron multiplicateur à 4 dynodes

L’électron multiplicateur, considéré comme un amplificateur, possède des performances
supérieures à celles de tous les autres photodétecteurs. L'excellence de ces performances de même
que le niveau relativement faible du bruit thermique ambiant dans le domaine spectral concerné,
fait que le bruit thermique du signal est en générale prépondérant dans les conditions usuelles
d'emploi d'un photomultiplicateur. Aussi ces tubes sont caractérisés en pratique par leur rendement
quantique élevé et leur courant d'obscurité faible. Leur bande passante est couramment de 50 MHz
elle peut être poussée sans trop de difficultés jusqu'à une valeur de 500 MHz.

Schéma électrique équivalent d’un photomultiplicateur

C’est une source idéal de courant en parallèle avec une résistance R PM>1012  et une capacité
CPM<10 pf (figure 45). La sortie dépend de la résistance de charge R L et la capacité de charge CL
avec la combinaison du RPM et CPM soit une constante du temps  = RC
avec C = CL+CPM et R = RPMRL/ (RPM+RL)

Anode

I(t) RPM CPM V (t) RL CL

51
 52

Figure 45: Schéma électrique équivalant du photomultiplicateur

Variation de l’émission photoélectrique

Il y’ a parfois des possibilités où les photoélectrons, créés à la photocathode, ne sont pas amplifiés à
l’arrivée d l’électron multiplicateur (dynode 1). Cette situation est principalement due à :

 impact ne se fait pas sur la partie active de la dynode

 probabilité statistique d’existence de quelques photoélectrons ne produisant pas de
secondaires
La définition du gain  de la dynode inclus aussi implicitement la collection imparfaite des
photoélectrons. Pour des applications de haute précision où des impulsions de photoélectron
singulier sont comptées, la valeur moyenne du gain du photomultiplicateur est dans ce cas remplacé
par la valeur moyenne du gain de l’électron multiplicateur g et le rendement de comptage de
photoélectrons f appelé aussi rendement de collecte, soit la relation :

G = fg

f dépends des paramètres suivants:

 la surface de la photocathode illuminée

 design de la région d’entrée
 gain de la première dynode et donc de la tension cathode-dynode1
 surface de la dynode
 le seuil au-dessus duquel une impulsion lumineuse est considérée comme événement d’un
photoélectron singulier

Pour le calcul du rapport S/Bruit, on considère que le flux lumineux incident arrivant sur la surface
de la photocathode est constant. Ce flux, par effet photoéléctrique au niveau de la photocathode,
produit M photoélectrons par seconde, M étant la valeur moyenne pouvant changer à travers le
temps. Si on mesure la sortie du photomultiplicateur pendant la période T, le nombre de
photoélectrons produit pendant cette période est égale à MT, la déviation standard autour de la
valeur moyenne étant (MT)1/2 (statistique de Poisson).
Le signal S de sortie à la photocathode est donnée par :

S = qMT

Le bruit associé au signal s’écrit:

Bruit = q(MT) 1/2

Le rapport Signal/Bruit est alors égal à:

S/Bruit = (MT) 1/2

Pour un photomultiplicateur ayant un rendement de collecte f=1, le signal multiplié au niveau de

l'anode est:

S = qGMT

Le bruit multiplié est en conséquence égal à:

52
 53

Bruit =qG(MT) 1/2

Soit un rapport S/N ayant l’expression suivante:

S/Bruit = (MT) 1/2

Le rapport S/Bruit est souvent inférieur à celui dérivé ci dessus du moment où l'électron
multiplicateur n'est jamais idéal comme il a été assumé et donc présente un rendement de collecte
f1 (en général f est compris entre 0,6-0,9). Un facteur de bruit additionnel s'ajoute aux équations
précédentes et donc dégrade d'une valeur 1/a le rapport S/Bruit. L'expression théorique de ce facteur
a été dérivée par Breintenberger en se basant sur les statistiques de Poisson et en tenant compte du
gain moyen  de la dynode soit:

a = [/ ( -1)] 1/2

Le rapport S/N s’écrit donc:

S/Bruit = (MT) 1/2/a

Polarisation du photomultiplicateur

Une seule haute tension est utilisée afin d’alimenter le photomultiplicateur. Un réseau de diviseur
de tensions est indispensable pour les champs électrostatiques nécessaire pour accélérer et focaliser
les photoélectrons jusqu'à la première dynode, aussi pour accélérer et focaliser les électrons
secondaires entre les dynodes successives et enfin la collecte des électrons secondaires au niveau de
l’anode.

Effets influent le fonctionnement d'un photomultiplicateur

La sortie du photomultiplicateur est sensible aux conditions d'environnement suivantes:

Température

Le courant d'obscurité du photomultiplicateur dépend de la température, de plus il existe un

changement de la sorite en fonction de la température exprimé en %/°C, le changement du gain de
l'électron multiplicateur est approximativement 0,2%/°C, pour les surfaces à émission secondaire à
base de BeCu et de SbCs.
Le changement dans la sensibilité de la photocathode avec la température dépend du type de la
photocathode, et de la longueur d'onde de la lumière incidente.

Champs magnétique

Un champ magnétique externe provoque la détérioration des photoélectrons et des électrons

secondaire de leurs trajectoires désignée. Cet effet est indépendant de la longueur d'onde de la
lumière incidente, mais dépend principalement de la structure du photomultiplicateur, de sa
conception optique, les structures de focalisation, le rendement de collecte f et le gain de l'électron
multiplicateur. Il est donc recommandé d'utiliser une armature en métal afin de minimiser cet effet.

Champs électrique externe

La sortie du photomultiplicateur peut aussi être influée par un champ électrique externe,
l’utilisation d’un cylindre métallique comme armature élimine cet effet.

53
 54

Chocs et des vibrations

Les performances électriques du photomultiplicateur sont affectées par les vibrations et les chocs
qui provoqueront les effets suivants :

 faux contacts électriques au niveau des broches

 déplacement des électrodes de focalisation, dynodes et de l'anode
 perte de particules pouvant causer un court-circuit au niveau des dynodes
 les pannes mécaniques apparaissent quand il y’ a:
 détérioration des soudures internes
 cassure des composants internes

Exposition à la lumière du jour

Le photomultiplicateur est un détecteur extrêmement sensible à la lumière et ne peut en aucun cas

être exposé à la lumière du jour ou à un l'éclairage normal. Une forte intensité de lumière, peut
causer l’endommagement du tube.

Hélium

L’hélium est capable de pénétrer la fenêtre du photomultiplicateur (spécialement celle en quartz).

Malgré que le l’hélium est chimiquement inerte, l'augmentation de la pression dans le
photomultiplicateur résulte en une augmentation du taux d'impulsion résiduel, si la pression
dépasse10 -2 torr, le photomultiplicateur devient inutilisable.

Choix et application du photomultiplicateur

Plusieurs facteurs sont à considérer pour choisir un photomultiplicateur, on note :

 la réponse spectrale
 les dimensions du photomultiplicateur
 la structure de l'électron multiplicateur
 le nombre de dynodes soit le gain du photomultiplicateur

Le photomultiplicateur est en général utilisé dans les systèmes de détection optique. Ce dernier
nécessite au minimum une haute tension d’alimentation, un réseau de diviseur de tension pour
achever la tension inter électrode et inter dynodes, une armature et un emballage pour exclure la
lumière de fond et effets de champs
Processus à externes, des appareils électroniques de mesure de courants ou
charge sensiblemesurer
et un contrôleur de température. La haute tension d'alimentation et le contrôleur de
température peuvent être manipulés par un microprocesseur. L’ensemble réalisé produit un
système de mesure qui est flexible, et facile à utiliser.
Interface optique
Le photomultiplicateur est particulièrement utilisé dans les spectrophotomètres et photomètres, les
expériences physiques à haute énergie, pour le comptage de photons et scintillations, dans la
bioluminescence et chimiluminescence, caméra gamma etc. La figure 46 montre l’utilisation du
photomultiplicateur comme composant dans un système de détection optique.
Photomultiplicateur Electronique sensible au courant Traitement de données

Réseaux diviseur
de tension

Alimentation
H.T. 54
 55

Figure 46: Système de détection de lumière

Cellule solaire

Une cellule solaire ou photopile n’est autre qu’une photodiode qui fonctionne sans polarisation
extérieure (photodétecteur passif). Elle transforme l’énergie contenue dans la lumière du soleil en
énergie électrique en utilisant l’effet photovoltaïque découvert en 1839, par le physicien français A.
Becquerel. C’est un composant qui lorsqu’il est éclairé par le rayonnement solaire développe une
force électromotrice (fém.) entre ses bornes, capable de débiter un photocourant dans une charge.
Le photocourant directement fourni est du continu, mais il peut être rendu alternatif grâce à des
dispositifs de transformation.
Cette énergie présente des avantages tels que:

 Gratuité de la source;
 Gisement inépuisable;
 Absence de bruit;
 Absence de déchet et de pollution;
 Grandes variétés d'applications;
 Fiabilité élevée;
 Coût de fonctionnement modéré;
 Intéressantes dans les régions désertiques où la distribution des formes d'énergie
conventionnelles n'est ni directe ni économique.

Le soleil est à l’origine de la quasi-totalité des sources d’énergies utilisées par l’humanité pour ses
besoins alimentaires, domestiques et industriels : biomasse, vent, hydraulique, hydrogène,
combustibles fossiles etc. Le soleil fournit ainsi chaque jour à la terre, par son rayonnement,
l’équivalent de plusieurs milliers de fois la consommation énergétique totale de l’humanité.

Spectre solaire

55
 56

Le rayonnement émis par le soleil correspond à celui d’un corps noir rayonnant globalement à la
température de 5800 °K. L’intensité du rayonnement au dessus de l’atmosphère est de 1353 W/m 2
avec un spectre centré à 0,48 m (figure 13). Le spectre solaire s'entend de l'ultra violet à l'infra
rouge lointain en passant par le visible alors que les cellules solaires ne sont sensibles qu'aux
rayonnements qui se situent dans le domaine visible et de l'infra rouge très proche. A la surface du
sol la densité de puissance n’est que de 925 W/m 2, en raison de l’absorption essentiellement par
l’ozone dans l’ultraviolet, vapeur d’eau dans l’infrarouge et gaz carbonique. Dans ce cas le spectre
présente des bandes d’absorption. L’effet de l’atmosphère sur la lumière du soleil arrivant à la
surface de la terre est défini par l’Air Masse (AM = 1/cos) où  représente l’angle que fait la
direction du soleil avec la verticale. AM0 est utilisé pour préciser les conditions au dessus de
l’atmosphère, AM1 correspond au soleil à la verticale (= 0), AM2, pour =60°, représente une
puissance incidente d’environ 691 w/m 2. L’Air Mass 1,5 soit =45° représente une moyenne
énergétique satisfaisante pour les applications terrestres.

Principe de fonctionnement

Une cellule solaire est une photodiode de grande surface qui fonctionne sans polarisation
extérieure. Elle est constituée par une lame de semi-conducteur dopée n (ou p) dont l’une des faces
porte une mince couche de semi-conducteur de conductivité opposée p (ou n) obtenue par diffusion.
Le matériau semi-conducteur utilisé est généralement du silicium. L’épaisseur de cette couche doit
être très faible de manière à ce que la jonction soit la plus proche possible de la surface et donc
obtenir un bon rendement de conversion. La cellule est constituée d’un matériau absorbant et d’une
structure collectrice. Le matériau doit être assez conducteur pour permettre l’écoulement du
courant. Lorsqu’une cellule solaire est exposée au rayonnement électromagnétique solaire, les
photons de la lumière transmettent leur énergie aux atomes de la jonction et libèrent des électrons et
des trous qui sont alors maintenues séparées par le champ électrique (barrière de potentiel) qui
règne dans la ZD (figure 47) assurant ainsi leur évacuation du cristal. Notons que la jonction P-N
est située très proche de la surface éclairée. Une fois ces charges évacuées, il suffit de fermer le
circuit entre la cathode et l’anode pour mettre en mouvement les électrons et créer ainsi un courant
électrique qui est d’environ 30 mA pour chaque cm 2 de capteur sous un ensoleillement maximum
de 925 W/m2 (AM1). Le contact métallique supérieur a une forme un peu spéciale afin de réduire la
réflexion de la lumière. La cellule solaire présente, toutefois, des tensions de claquage inverse très
faible.
La conversion directe de la lumière en électricité s'effectue donc sans pièce mobile, sans fluide sous
pression, sans élévation de température, sans pollution ni production de déchets ce qui rend la
cellule solaire universellement appréciable pour ses qualités écologiques et renouvelables.

Le fonctionnement de la cellule se décompose en deux phases:

 L’absorption des photons

 La collecte des porteurs

Absorption de photons

Selon leur énergie, les photons incidents sont ou réfléchis, ou absorbés, ou transmis. Les photons
absorbés, seuls utiles à la génération de l’effet photovoltaïque, sont ceux dont l’énergie est
supérieure ou égale à la largeur de la bande interdite du matériau.
Une partie de l’énergie de ses photons est utilisée pour rompre une liaison de valence et créer ainsi
une paire électron-trou.
L’excédent d’énergie est cédé au milieu extérieur sous forme de chaleur ou phonon.

56
 57

Collecte des porteurs

Chaque photon absorbé permet à l’électron l’ayant absorbé de passer de la bande de valence à la
bande de conduction. Il y’a ainsi création de paires électron-trou  au voisinage de la surface
éclairée. Ces paires vont diffuser vers la face arrière de la cellule sous l’action d’une force liée à
leur gradient de concentration appelé aussi effet Dember. Un certain nombre d’entre eux se
recombine en cours de route et sont donc perdus pour le processus photovoltaïque. Les autres
atteignent la ZD où le champ électrique de la jonction les sépare. Ce champ repousse les électrons
vers la région n et les trous vers la région p. Chaque type de porteur est donc refoulé vers la région
où il est majoritaire. L’accumulation de ces charges dans la zone où elles sont majoritaires donne
naissance à une différence de potentiel aux bornes de la cellule en circuit ouvert.
La caractéristique à l’obscurité ressemble à celle de la diode normale. Sous éclairement cette
caractéristique est décalée de Icc vers les courants négatifs et passe par Vco et Icc avec:

Vco : tension à vide de la cellule ou en circuit ouvert

Icc : courant de court circuit

Dans le quadrant I, en polarisation inverse, la courbe d’éclairement montre que la cellule travaille
en photodiode.
Le quadrant II est la zone de fonctionnement normale de la cellule solaire. Si les bornes de la
cellule sont fermées sur une résistance RL (résistance de charge), un courant I c s’établira dans le
circuit ainsi constitué. Le courant maximale Icc est alors obtenu quand RL = 0. La pente de la courbe
au point Voc représente l’inverse de la résistance série de la diode soit 1/R s. La pente au point Icc
représentant l’inverse de la résistance shunt soit 1/Rsh.
La puissance fournie par la cellule éclairée au circuit extérieur dépend de la valeur de la résistance
de charge RL. Cette puissance est maximale quand l’aire de la courbe hachurée est maximale soit
VmIm. Une fois la caractéristique I-V connue, on obtient facilement le point de fonctionnement, la
puissance maximale, le rendement, et le facteur de forme.
Dans le quadrant III, en polarisation directe, la courbe d’éclairement ne part pas du zéro. Cela est
principalement dû à la tension qui existe aux bornes de la cellule.

Lumière (h)

Pertes par
Contact face avant réflexion
F = force due à l’effet
Dember
P

+ + + + + + + + + + + + + + + + +
_+ _ _ _ _ _ _ _ ZD
_ _ _ _ _ _ _ _ _ _ E = Champ de la zone de déplétion
_
N
Contact face arrière
I
Pertes par transmission
Obscurité
Eclairement
Grille conductrice
Métallisation
conductrice sur III
face arrière
Couche anti-reflet
VVmm V
Vco
Contact Vco
I II
Im
Icc
57
 58

Pm

V
Vm

Figure 47: Coupe, face et caractéristique courant-tension et puissance-tension d’une cellule solaire

Modélisation de la cellule solaire

La cellule solaire est décrite comme un générateur de courant égal à I ph, shunté par une diode
possédant les caractéristiques de la cellule à l’obscurité (figure 48).

Rs
°
Iph Ish ID

Rsh V RL

°
Figure 48: Modèle électrique de la cellule solaire

Dans ces conditions l’expression générale du courant est donnée par:

I = Iph - ID - Ish
Le courant d’obscurité ID est donnée par:

ID = Is [exp ((V + RsI) q/kT) - 1]

Ish = (V + RsI)/Rsh

En pratique Rsh  Rs donc on peut négliger Ish et en conséquence:

I = Iph - Is [exp (V + RsI) q/kT) - 1]

En circuit ouvert le courant I est nul donc:

I = 0, Vco  (kT/q)Log[(I cc + Is)/Is]  (kT/q)Log (Icc/Is)

La puissance fournie par cette pile s’écrit sous la forme:

58
 59

P = VI = V [Iph - Is [exp(V + RsI)q/kT) - 1]]

Le maximum de la puissance fournit correspond a la tension Vm et un courant Im qui se déduise de

la relation dP/dV = 0. La résistance de charge RL permettant d’utiliser la puissance maximale est:

RL = Vm / Im

Facteurs de pertes, facteur de forme, et rendement de la cellule solaire

Les principaux facteurs de pertes sont les suivants:

 Absorption incomplète des photons: Seuls les photons d’énergie h>Wg (énergie de la BI)
sont absorbés. Les autres sont perdus. Une perte supplémentaire vient du fait que ce ne sont
pas tous les photons satisfaisant la condition h>Wg qui sont absorbés. La quantité de
photons dépend du coefficient d’absorption du matériau.
 Excès d’énergie: L’excès d’énergie (h-Wg) des photons absorbés est cédé à l’électron sous
forme d’énergie cinétique qu’il perd rapidement par collision avec les atomes du réseau
sous forme de chaleur ou phonon.
 Réflexion à la surface: une partie de la lumière incidente est réfléchie par la surface de la
cellule et est donc perdue pour le processus de conversion. Cela est principalement dû à la
valeur élevée de l’indice de réfraction n de la plupart des semi-conducteurs et qui influe sur
le coefficient de réflexion R. La quantité réfléchie dépend du semi-conducteur utilisé et peut
être réduite par un traitement de surface convenable, soit une couche anti-reflet.
 Rendement de collecte: Il dépend de la structure collectrice utilisée, du coefficient
d’absorption du matériau et des caractéristiques du matériau tel que sa pureté, défauts,
propriétés électriques etc.
 Résistance série: la résistance série Rs introduit une chute de tension R sI qui limitera la
puissance débitée. La courbe I-V est donc modifiée.

Le coefficient de réflexion R est donné par la formule:

R= [(n – n0)/ (n + n0)] 2 = [(r – 1)/ (r + 1)] 2

Avec n0 l’indice de réfraction de l’air et r, la constante diélectrique du matériau semi-conducteur.

Pour une valeur de n = 3,5, environ le tiers de la puissance incidente est donc perdue par réflexion.
Le facteur de forme, noté FF, est défini par le rapport:

FF = ImVm / IccVco

Ce rapport est toujours inférieur à 1 soit une valeur moyenne de 0,85

Le rendement de la cellule solaire est défini comme le rapport de la puissance électrique maximum
disponible à la puissance lumineuse du rayonnement solaire incident soit:

solaire = ImVm / Puissance totale incidente = FF.c.a

c et a sont respectivement le rendement de collecte, Icc/I, et le rendement d’absorption de la
cellule. Pour le Silicium monocristallin le solaire est de l’ordre de 18 % et 5-8 % pour l’amorphe.

Regroupement des cellules

Quelque soit leur type, les cellules solaires sont rarement employées seules, si ce n'est pour
l'alimentation de très petits circuits. Dans la plupart des cas, elles sont regroupées en grand nombre

59
 60

et associées à des dispositifs de régulation ou de stockage de l'électricité, par exemple, en vue de

satisfaire une application déterminée.
La tension générée par une cellule photovoltaïque fonctionnant au point de puissance maximale et
sous un éclairement de référence de 1 kW/m 2 est trop faible pour être exploitée en milieu
industrielle, par exemple pour le pompage de l'eau ou l'alimentation d'une installation électrique
domestique. Quant au courant, il est fonction de la surface de captation de la cellule. En général la
puissance fournie par une cellule individuelle étant très petite, nous sommes donc appelés à réaliser
des groupements séries ou parallèles des cellules afin de recueillir la tension et le courant
nécessaires à une certaine application en fonction de la charge variable ou fixe à alimenter. Le
groupement en série permet d’élever la tension disponible, le courant maximum débité (I cc) étant
inchangé. Le groupement parallèle permet d’élever le courant débité tout en gardant la tension à
vide (Vco) inchangée. Le groupement mixte ou série parallèle permet à la fois d’élever le courant et
la tension, on parlera dans ce cas de module ou panneaux solaires. Il ne faudra connecter en série,
parallèle ou mixte que les cellules identiques. La puissance maximale s’exprime en Watts crête et
c’est la puissance fournie par le module à sa charge optimale sous un éclairement de 1 kW /m² à
une température de 28 °C.
La forme générale de la caractéristique (I-V) d'un module solaire ou photovoltaïque est identique à
celle d'une cellule, par conséquent tout ce qui a été dit pour une cellule individuelle restera valable
pour un groupement.

Branchement série

Les tensions de circuit ouvert de n modules peuvent être différentes mais le courant de court circuit
qui les traverse doit être le même.
La tension de l'ensemble est égale à la somme des tensions de circuit ouvert et c'est le module le
moins performant qui impose son courant (figure 49).
Dans le cas ou un module défectueux existe au niveau de la chaîne série, il se comporte en tant que
récepteur car tous les autres modules de la chaîne y dissiperont une partie importante de la
puissance. Pour pallier à ce problème, on place des diodes de protection en parallèle avec chaque
module, ces diodes ne débitent qu'un très faible courant en fonctionnement normal, alors que si le
module protégé se dégrade, la diode conduit et dévie le courant délivré par les autres modules
(figure 50).

I
I

RL Icc 1/RL
NSVi
NS cellules

Vi   V
Vi NSVi

Défauts
Figure 49: Association en série de NS cellules solaires

C1 C2 C3 Ck

Diodes de protection
60
 61

Figure  50: Elimination de l'influence de la cellule défaillante, cas série

Branchement parallèle

Dans un tel montage, les modules doivent avoir la même tension de circuit ouvert et des courants
de court circuit qui peuvent être différents, on aura donc un courant égal à la somme des courants
de chaque module alors que la tension sera celle du module (figure 51).
Dans Le cas ou un module défectueux existe au niveau de la chaîne parallèle, les autres modules de
la branche dissiperont de la puissance dans ce module. Pour remédier à ce problème, on place en
série avec chaque module une diode polarisée en inverse et on ajoute une diode anti retour en série
avec la branche des modules parallèles (figure 52).

I 1/RL
I
NPIi

Ii RL
V
- Ii
-

V
Vco
NP cellules en parallèle

Figure 51: Association en parallèle de NP cellules identiques

Diode anti retour

Diodes de protection

C1 C2 C3 Ck

Figure 52: Elimination de l'influence de la cellule défaillante, cas en parallèle.

Branchement mixte

61
 62

Si pour une application donnée il est nécessaire de faire augmenter le courant et la tension délivrée
par les cellules solaires, on réalise un groupement mixte ou groupement série-parallèle. On parlera
dans ce cas de module et de panneaux solaires. Un panneau solaire est par définition un ensemble
de modules regroupés selon un montage mixte, le module étant à son tour composé d’un ensemble
de cellules montés généralement en série. Il est possible d’utiliser un montage de N C cellules
identiques en série sur un module, NSP nombre de branche (placées en parallèle) et NMS nombre de
modules par branche (figure 53). La courbe de fonctionnement de cette association est une courbe
semblable à celle de la cellule de base, obtenue en modifiant les échelles sur les deux axes.
La puissance PM d’un module s’exprime en watt-crête et c’est par définition la puissance fournie par
le module à sa charge optimale sous un éclairement de 1 kW/m2 et à une température de 28 °C.
La puissance totale disponible PT, dans ces conditions, est égale à:

PT = NMSNSPPM

La résistance optimale est donnée par:

Ropt = (NMS/NSP) Roptm

Où Roptm est la résistance optimale du module dans les mêmes conditions.

NSPIcc 1/Ropt

NMS NC Icc

V
Vco NCNMSVco
NSP

Figure 53: Association mixte de NSP branches et de NMS module composés de NC cellules identiques

Influence de la température sur les performances de la cellule solaire

L’augmentation de la température entraîne la diminution de la largeur de la bande interdite W g et

l’augmentation du photocourant en même temps qu’une augmentation notable du courant direct de
la diode. Cela se traduit par une diminution de la tension du circuit ouvert (plus importante que
l’augmentation du courant) et au total par une baisse relative de la puissance disponible (figure 54).

60°C
Icc (T) 45°C
25°C
0°C

62
 63

Figure 54: Caractéristique I=f (V) de la cellule solaire à différentes températures

Influence de l’éclairement

La figure 55 illustre l’allure générale des caractéristiques électriques d’un générateur PV pour
différents éclairements. Il est noté qu’à une température donnée, le courant de court circuit I cc
varie proportionnellement à l’éclairement. La tension à vide Vco varie peu avec l’éclairement. Elle
peut être considérée comme une constante pour une installation donnée.

I
1000 W/m2

600 W/m2 Caractéristique de

charge optimale
1 / R opt
400 W/m2
Icc
200 W/m2

V
Vco
Figure 55: Caractéristique I=f (V) de la cellule solaire à différents éclairements

Applications

Les cellules solaires sont essentiellement utilisées dans les satellites, engins spatiaux, dans les
balises de navigation ou émetteurs de radio et télévision, dans les systèmes électroniques,
génération de l’électricité dans les sites isolés (systèmes photovoltaïques), la télécommunication
etc.

Avantages des systèmes photovoltaïques

Les utilisateurs de systèmes photovoltaïques apprécient fortement leur fonctionnement silencieux, à

faible entretien, non polluant, sûr et fiable ainsi que le degré d’indépendance qu’ils procurent:

 D’abord une haute fiabilité, l’installation ne comporte pas de pièces mobiles qui la rendent
particulièrement appropriée aux régions isolées. C’est aussi l’une des raisons de son
utilisation dans les engins spatiaux.

63
 64

 Ensuite le caractère modulaire des panneaux photovoltaïques permet un montage simple et

adaptable à des besoins énergétiques divers (mW au MW)
 Le coût de fonctionnement est très faible vu l’entretien réduit, la non nécessité de
combustible, ni son transport, ni personnel hautement spécialisé.
 La technologie photovoltaïque présente des qualités écologiques puisque le produit fini est
non polluant, silencieux et n’entraîne aucune perturbation environnementale.

Durée de vie d’un système photovoltaïque

Un module photovoltaïque au silicium cristallin de type standard possède une durée de vie d’au
moins 20 ans s’il est correctement installé. La batterie d’accumulation de l’énergie durera entre 5
et 12 ans si elle est judicieusement choisie et correctement entretenue. La durée de vie dépend aussi
de la température de fonctionnement. Il est, toutefois, noté que le faible rendement des modules
photovoltaïques s’explique par le fonctionnement même des cellules solaires.

Les Emetteurs de lumière

Depuis que les semi-conducteurs existent, il y a toujours eu un grand intérêt de recherche sur ce
que l’on appelle la lumière froide. Les émetteurs optiques assurent la fonction de conversion
électrique-optique. De nombreux dispositifs sont disponibles pour cette conversion, on cite:

 Les LEDs (light emitting diodes) ou diodes électroluminescente (DEL);

 Les SLDs (super luminescent diodes) ou diodes super luminescentes (DSL) et
 LDs (laser diodes) ou diodes laser (DL).

Les diodes d’émissions utilisées dans les systèmes de communication analogique ou numérique
doivent satisfaire à plusieurs critères qui sont:

 Emission d’un signal optique contrôlé indépendamment du choix de composant ou des

conditions d’environnement;
 Transmission du signal sur une fibre amorce compatible avec la fibre de transmission
employée

Ce type de diode se présente en général sous deux formes : sortie par fibre (pig tail) ou par
connecteur.
Ce qui intéresse l’utilisateur dans ces sources de lumière sont:

Leur facilité d’emploi: elle est grande pour le cas d’une LED car il n’y a pas de seuil de courant,
donc pas de circuiterie spécifique. En outre, le composant est stable en température. Pour le cas de
la LD, ce dernier n’émet de la lumière stimulée que lorsque le courant injecté a dépassé un courant
de seuil spécifique au laser. Il faut donc adjoindre au laser une circuiterie qui permet de suivre les
évolutions de ce courant de seuil en température et dans le temps.
Leur domaine d’application: la puissance d’une LED peut aller de quelques centaines de W à
quelques dizaines de mW, parfois quelques centaines de mW pour des applications industrielles. La
vitesse de modulation, elle aussi, est très variable, mais dépassent rarement 100 MHz. La linéarité
n’est pas très bonne, mais la grande largeur spectrale des LED ne crée pas de bruit modal. Pour la
source LD qui est une source à très haute radiance permet donc d’injecter une grande partie de sa

64
 65

puissance émise dans une fibre de télécommunication par exemple. La puissance d’une LD est de
plusieurs centaines de mW. En outre, la vitesse de modulation d’un laser est d’au moins 1 GHz et
peut aller jusqu’à plusieurs centaine de GHz, moyennant certaines précautions. Cependant, comme
il a été vu, la cohérence du laser (liée à sa finesse spectrale) crée le bruit modal qui peut
sérieusement compromettre la faisabilité de système à grand rapport signal/bruit.

Leur fiabilité: elle est excellente pour la LED et une durée de vie de plus d’un million d’heures est
commune. Elle augmente régulièrement pour la LD et une durée de vie de 200 000 heures devient
chose commune.

Leur coût: il varie suivant les performances de la LED, mais reste bien au dessous de celui du laser
si l’on considère la circuiterie associée.

Schématiquement, on peut considérer que les liaisons à courte distance et/ou de faible capacité
d’information utilisent avantageusement une LED ou SLD, alors que les liaisons à grande distance
et/ou de grande capacité nécessitent impérativement une LD. Il est possible de conclure qu’en
général le laser convient bien aux liaisons haut de gamme où le coût importe moins. Le concepteur
de système choisira donc le composant en fonction de ses contraintes techniques et économiques.

La luminescence

La luminescence réfère à l’émission de tout rayonnement électromagnétique visible, ultraviolet ou

infrarouge sous l’effet d’une certaine énergie d’excitation. La luminescence s’observe toutefois non
seulement dans les solides mais également dans les liquides et les gaz, dans les substances
minérales, organiques ou biologiques.

Différents types de luminescence

La luminescence peut être provoquée de différentes façons, et suivant la manière d’excitation on

obtient le type de la luminescence (Figure 56).

LUMINESCENCE

Photoluminescenc Cathodoluminescenc
e e
Radioluminescence Chimiluminescence

Bioluminescence Triboluminescence

Electroluminescence Thermoluminescenc
e

Figure 56: Différentes formes de luminescences

Photoluminescence

La luminescence produite par l’absorption de photons ultraviolets ou visible est appelée

photoluminescence. Lorsqu’un centre est excité par un seul photon d’énergie h1 et qu’il n’y a pas
intervention d’énergie thermique celui-ci peut retourner à l’état fondamental en émettant un photon
d’énergie h2 tel que h2  h1 (loi de Stokes). Cependant dans certains cas; un centre peut-être

65
 66

excité par absorptions successives de plusieurs photons. Dans ce cas la loi de Stokes est en défaut:
c’est l’effet anti-Stokes.

Radioluminescence

La radioluminescence est l’excitation indirecte des centres luminogenes par des rayonnements  et
X, par des particules a et b, par des mésons etc. Les particules a et b libèrent des électrons
secondaires par des collisions le long de leur parcours dans la matière. Le processus de la
radioluminescence se déroule en trois étapes :

 interaction de la radiation primaire avec la matière et création d’électrons chauds;

 excitation des centres luminogènes;
 émission de photons.

Cathodoluminescence

La cathodoluminescence est l’excitation indirecte des centres luminogènes par des rayons
cathodiques (électrons accélérés dans le vide et d’énergie comprise entre quelques centaines d’eV et
environ 50 KeV).
Le mécanisme de la cathodoluminescence est le même que celui de la radioluminescence.

Chimiluminescence

La chimiluminescence est l’émission de photons produite directement ou indirectement par réaction

chimique. Pour certaines réactions chimiques exothermiques, l’énergie de réaction excite un centre
luminogène. La chimiluminescence se réalise en quatre temps:

 réaction chimique;
 transfert d’énergie;
 excitation et émission.

En général, les réactions qui produisent la chimiluminescence sont des processus d’oxydations.

Bioluminescence

La bioluminescence est une chimiluminescence qui se produit chez des organismes vivants.
Ordinairement il s’agit de réactions enzymatiques. Les exemples les plus connus sont les lampyres
ou vers luisants, les lucioles et certaines espèces de plantes marines. On la trouve aussi chez
certains poissons des grandes profondeurs et chez quelques bactéries.

Triboluminescence

La triboluminescence est la luminescence produite par frottement, rupture ou déformation

mécanique de matériaux luminescents qui sont de bons isolants comme ZnS:Mn, CaF 2, quelques
sels d’uranium et composés organiques.
Le mécanisme d’excitation de la triboluminescence est très mal connu. Il peut s’agir:

66
 67

 d’un transfert d’énergie de déformations aux centres luminogènes

 de la formation de charges électriques sur la surface frottées ou créées par rupture des cristaux.
Ces charges pouvant exciter des processus d’électroluminescence ou produire des décharges
électriques dans l’air.
 de processus de chimiluminescence: oxydation des surfaces produites par la cassure.

Thermoluminescence

La thermoluminescence se manifeste quand l’excitation du centre luminogène est suivie de la chute

du système dans un niveau métastable dont la durée de vie est longue à basse température. Cette
durée de vie diminue lorsque la température T augmente. Si l’on excite le matériau à basse
température, il reste dans l’état métastable (piège). En chauffant progressivement, la durée de vie
de l’état métastable décroît et devient inférieur à la seconde, à une température T’. Il se produit
alors la désexcitation et le système émet des radiations qui passent par un maximum ou pic de
thermoluminescence au voisinage de cette température.

Electroluminescence

L’électroluminescence (EL) est l’émission de lumière produite par l’application d’un champ
électrique à certaines substances luminescentes. L’électroluminescence comprend à la fois l’EL par
injection (LED, SLD et LD), l’EL à plasma et l’EL sous champ élevé (figure 57) .

ELECTROLUMINESCENCE

Plasma
Champs élevés Injection

Afficheurs plats LD, SLD et LED

Figure 57: Electroluminescence sous ses trois formes

Si l’intervalle de temps entre l’introduction de l’énergie d’excitation et l’émission de la lumière est

court (< 10-8 s), on parle de phénomène de fluorescence, si c’est plus lent on parle de
phosphorescence et on réfère au cristal tel que les phosphores.

Electroluminescence sous champ élevé

L’électroluminescence sous champ élevé a été observée pour la première fois par Destriau en 1936.
L’effet électroluminescent sous champ élevé est un phénomène physique compliqué non encore
maîtrisable. Ce type d’électroluminescence incorpore différents phénomènes physiques intéressants
qu’ont peut résumer dans les processus suivants:

67
 68

 génération et injection d’électrons

 accélération par le champ élevé et la génération postérieure des électrons chauds, dont il faut
tenir compte de leur distribution énergétique.
 excitation des centres EL par les électrons chauds.

L’électroluminescence sous champ élevé est classée en plusieurs types (figure 58):

 EL organique qui se produit en utilisant des couches minces organiques, sous une excitation
DC.
 EL inorganique dont on distingue quatre sortes de dispositifs si l’on combine les deux types
d’excitations possibles (continue (DC) ou alternatif (AC)) et les deux types de matériau
(poudre (P) ou couche mince (TF)).
 L’EL à plasma

EL
EL inorganique AC et DC en couche mince

AC et DC en poudre

AC et DC hybride

DC multicouches

EL organique DC en couche mince

EL à plasma AC et DC

Figure 58: Electroluminescence sous ses trois formes

Electroluminescence par injection

Ce type d’électroluminescence a été observé pour la première fois par O.W. Lossew en 1923 dans
du carbure de silicium. Si l’on injecte des porteurs de charges dans un semi-conducteur, on peut
observer divers mécanismes d’excitation de l’électroluminescence:

 En excitant un centre luminogène ou en l’ionisant par collision avec des électrons chauds
accélérés par le champ interne dans une jonction.
 En injectant des porteurs minoritaires qui se recombinent avec les porteurs majoritaires avec
transition radiative.

Si l’on polarise la jonction dans le sens direct, ou sens facile du passage du courant on observe
l’électroluminescence par injection des porteurs à travers la jonction et l’intensité de l’émission
lumineuse est sensiblement proportionnelle à l’intensité du courant qui traverse la jonction.

68
 69

La production de la lumière résulte donc du phénomène de recombinaison qui se manifeste

lorsqu’un électron ou un trou est mis en présence d’un porteur de charge opposé. Une telle
recombinaison peut être radiative, donc émission d’un photon, ou non radiative avec un excès
d’énergie dissipé sous forme de phonon ou chaleur.

Sélection de matériaux pour émetteur

Le matériau semi-conducteur constituant la partie active de l’émetteur, doit obligatoirement

posséder:

 Une structure de bande directe pour donner lieu à une efficacité de recombinaison élevée;
 Une qualité cristalline excellente pour assurer à la fois une efficacité quantique interne
élevée;
 Une faible densité de courant de seuil pour le laser et une bonne fiabilité du composant;
 Une possibilité d’élaborer des hétérostructures pour accroître l’efficacité d’injection
électronique ainsi qu’un confinement optique dans le cas des diodes lasers.

Les progrès récents sur les matériaux pour la fabrication d’émetteurs sont portés à la fois sur la
technique d’élaboration (épitaxie par exemple) et sur l’emploi de nouveaux matériaux. Sur ce
dernier point les études récentes ont été poussées par la nécessité de disposer de sources dans les
fenêtres spectrales nouvellement ouvertes (cas de la fibre optique).
On peut remarquer que depuis 1971 la région de pertes minimales des fibres optiques à base de
silice n’a cessé de glisser vers les grandes longueurs d’onde (environs 0,2 dB/Km pour  = 1,55
m). Il est donc nécessaire de disposer de matériaux semi-conducteurs d’une largeur de bande
interdite ajustable de façon à ce que la longueur d’onde d’émission correspondante soit comprise
entre 0,93 et 1,67 m et parfois plus.
La figure 59 montre comment les solutions solides GaInAsP (Ga xIn1-xAsyP1-y), adaptés à InP,
peuvent couvrir un large domaine de longueurs d’ondes. Cette famille permet d’assurer non
seulement la fonction émission de signal optique, mais aussi la fonction de détection et également
des fonctions purement électroniques (amplification) purement optiques (guidage, couplage) ou
d’autres fonctions électro-optiques comme la modulation ou la commutation.
Une autre famille de solutions solides quaternaires GaxInyAl1-x-yAs est également très intéressante
pour ces mêmes applications.

InAs GaAs
- -
-         - 0,6 eV
- -
1,0 eV
- -
- - 1,4 eV Figure 59: Diagramme de composition de la solution
- - solide
- - Ga xIn1-xAsyP1-y
1,8 eV
- -
- - 2,2 eV
- -
        
InP GaP
GaxIn1-xAsyP1-y

Dans la figure 59, le paramètre de composition x varie de 0 à 1 en abscisse, y varie de 0 à 1 en

ordonnée de façon que les quatre coins du carré représentent les quatre composés binaires InP,
GaP, InAs et GaAs. La ligne droite est le lieu des compositions adaptées à InP.

69
 70

Les courbes sont les lignes iso-largeur de bande interdite:

pour InP, Wg = 1,35 eV
pour Ga.47In.53As, Wg = 0,75 eV.

La diode électroluminescente, LED

La LED est une jonction P-N fabriquée à partir de semi-conducteurs dans lesquels la
recombinaison de porteurs est essentiellement radiative. Elle fonctionne, en principe, en régime
d’émission spontanée.

Principe de fonctionnement

Lorsqu’une jonction P-N est polarisée en directe, les électrons, qui sont majoritaires dans la zone du
type N, sont injectés dans la zone du type P où ils se recombinent avec un trou. Inversement pour
les trous. Les recombinaisons des porteurs excédentaires se manifestent dans trois régions qui sont :
la ZD, la région neutre N et la région neutre P. La zone émettrice est limitée à la longueur de
diffusion des porteurs minoritaires qui est Lp, Ln, et w (figure 60). La zone de déplétion joue un
rôle mineur dans la mesure où elle est très étroite en raison du fait que la jonction est fortement
polarisée dans le sens direct. La mobilité des électrons étant beaucoup plus grande que celle des
trous, le taux d’injection des électrons dans la zone du type P est donc beaucoup plus important que
celui des trous dans la zone du type N. C’est la raison pour laquelle la zone P est la face émettrice
dans la majorité des structures de LED.
Fibre

Lumière N ZD _ _ _ _L_N _ _ _ _ _ _ _
__________
Anode contact Al __________ iP iP
iP i h
SiO2
h P
P h iP
iP iP
iP
N
+++++++++++
Substrat +++++++++++
Cathode contact iP ++++++++
+ LP P
A= émission classique de photons
B= réflexion totale des photons arrivant sur la surface avec un angle supérieur à l’angle critique c iP
iP
Figure 60: Structure d’une LED et diagramme énergétique (émission par la surface)

Il faut noter que pour des raisons d’intensité lumineuse, les régions N et P sont fortement dopées.
Les dopages importants se traduisent par une diminution du gap (BI) qui est plus important dans la
région P que dans la région N. Cette différence favorise l’injection d’électron par rapport à celle
des trous par un facteur F:
iP
F = exp[(Wg) / (kT)]
i
Où WPg = Wgn - Wgp

70
 71

Le taux d’injection des porteurs minoritaires est donnée par:

n = Jn(xp) / J
p = Jp(xn) / J

Où J est le courant total

Jn(xp) = [(qni²Dn)(exp(qV/kT) - 1)] / [NaLn]

Jp(xn) = [(qni²Dp)(exp(qV/kT) - 1)] / [NdLp]

n / p = (DnLpNd) / (DpLnNa) = (Nd / Na) (n p / pn) 1/2 = [(nNd) / (pNa)] 1/2

n / p = (n / p) 1/2

Où D est le coefficient de diffusion des porteurs minoritaires

Ln = (Dnn) 1/2 et Lp = (Dpp) 1/2

Structures des LEDs

Ils existent deux types principaux de structures de LED : les diodes à émission perpendiculairement
aux jonctions appelée aussi LED de structure plane inversée de type Burrus (surface or top-emitters
dans la littérature anglo-saxonne), et des diodes à émission par le côté ou par la tranche (edge
emitters).
Le premier type de structure est représenté sur la figure 60, la diode émet son rayonnement par la
surface. Une telle construction donne lieu à une source lambertienne émettant dans tout l’espace.
Or, un diagramme de rayonnement lambertien n’est pas du tout favorable à une injection efficace
dans une fibre optique, qui est caractérisée par une ouverture numérique ou un angle d’acceptance
limité. L’amélioration du couplage entre la source émettant par la surface et la fibre est réalisable
en interposant une optique ayant pour effet la transformation diagramme de rayonnement
lambertien en un diagramme plus étroit, compatible avec l’injection dans une fibre. Ce principe
peut être mis en pratique par deux façons:

 Une première méthode consiste à utiliser comme optique une lentille sphérique (éventuellement
tronquée) réalisée dans un diélectrique transparent, par exemple un verre Ti 2O3, SiO2 de fort
indice de réfraction.
 Une seconde méthode peut être de réaliser l’optique dans la structure de la diode elle même en
modelant une lentille monolithique. Cela peut être pratiqué en combinant des techniques de
photogravure, de gravure par faisceau ionique et de décapage chimique.

Dans les deux cas, il convient de d’optimiser la géométrie du système optique ainsi réalisé. Ainsi, il
apparaît que le gain d’efficacité de couplage avec une fibre, obtenu par l’utilisation d’une lentille,
est d’autant plus élevé que la source est plus petite puisqu’elle peut ainsi être collimatée au mieux
sur la face d’entrée de la fibre. Pour un système optique parfait, le gain serait voisin du rapport de
la surface du cœur de la fibre à la surface de la région radiative de l’ordre de 2 à 4 en pratique.
La diode émettant par la tranche, dont la structure est schématisée sur la figure 61 est, elle, dérivée
de la structure de la diode laser. Sa région émissive est localisée par un ruban de 20à 50 m de
large et par l’épaisseur de la couche active qui doit être d’autant plus faible que la diode doit être
rapide. Cette structure de diode présente l’intérêt de donner lieu à un diagramme de rayonnement
plus étroit ( = 40°) que le diagramme lambertien de la diode de structure plane ( = 120°), de sorte
que le couplage direct avec une fibre optique est plus efficace pour la diode émettant par la tranche.

71
 72

P contact
SiO2
Guide type P

Région active Lumière

Guide type N

Substrat
Al
N contact
Figure 61: Structure d’une LED et diagramme énergétique (émission par la tranche)

Les guides de type P et N de part et d’autre de la région active permettent le confinement des
photons émis pouvant être réabsorbés avant d’atteindre la facette de sortie de la lumière.
Ces diodes sont parfois appelées super-luminescentes et ont des caractéristiques intermédiaires
entre celles d’une LED et d’une LD, sur le plan de la directivité et du spectre.

Performances des LEDs

Les photons générés au niveau de la jonction sont émis dans toutes les directions (d’une façon
incohérente) mais seulement une fraction de ces photons peut quitter la surface pour atteindre l’oeil
de l’observateur. Trois facteurs sont la cause de cette réduction de lumière générée:

 Absorption par le matériau

 Perte de Fresnel avec un coefficient de réflexion R égal à:

R= [(n 2 - n1) / (n2 + n1)] ²

n2 et n1 sont respectivement les indices de réfraction du matériau et de l’air

 Angle critique, défini par la loi de Snell comme étant:

c = Arcsin(n1 / n2)
cas de l’émission B représentée sur la figure 59

Circuit de fonctionnement typique et caractéristique de la LED

La figure 62 représente la caractéristique électrique courant-tension d’une LED, ainsi que le circuit
de conduction simplifié.
Les valeurs de la tension directe Vf et du courant If, pour une intensité raisonnable de la lumière,
dépendent de la couleur. L’intensité lumineuse croit avec le courant mais diminue quand la
température augmente.
Le courant pendant le fonctionnement de la LED est limité par une résistance série dont la valeur
est donnée par: If
V If
Rsérie = (V- Vf) / If Vfmin

Rsérie

Vfmax
Vf
Vf
0
72
 73

Figure 62: Circuit typique et caractéristique courant-tension d’une LED

On notera que le point de croisement de la courbe avec la droite de charge fournira le moyen de
calcul de la résistance série.
Il est extrêmement intéressant d’alimenter la LED en mode pulsée afin d’accroître la puissance
émise à consommation moyenne égale, réduit la consommation à puissance émise constante et aussi
réduire l’échauffement de la jonction. Pour un fonctionnement en alternatif, une diode normale
doit être connectée en inverse parallèle avec la LED afin de limiter la tension inverse à environ 0,6
V.

Spectre d’émission

Il est conditionné par la bande interdite du matériau du type p (région active). Dans certain cas
particulier, le spectre d’émission est aussi conditionné par le type de dopant utilisé. Les différents
matériaux actuellement utilisés permettent de couvrir pratiquement tout le spectre visible et IR. La
plupart des semi-conducteurs III-V avec la réalisation d’alliage ternaire du type GaAs xP1-x ou
GaxIn1-xP, permettent de couvrir une gamme importante par la seule variation de x. Noter que si la
longueur d’onde pic d’émission augmente, la largeur spectrale augmente aussi. Cela est
principalement dû au fait que la largeur spectrale est proportionnelle au carré de la longueur d’onde
soit :

 = ²nkT / 1,24

n est une constante proche de 2. En pratique elle est souvent supérieure en raison de l’effet de la
concentration des porteurs dans la couche active

Rendement

L’objectif du fabriquant de composants optoélectroniques d’émission est d’optimiser le rendement

en puissance appelé aussi rendement globale du composant

Rendement global

Le rendement global  est le rapport de la puissance lumineuse utile à la puissance électrique

fournie ou absorbée c’est à dire:

 = Wopt / Wélec = hNph / VI = hNph / qVNélec = [(h)/ (qV)] [Nph/(I/q)]

[(h)/ (qV)] est proche de l’unité et [Nph/(I/q)] correspond à ext , le rendement quantique externe

 est donc égale à:

 = exth / qV = ext(Wg/q) / (IRsérie + Vd)

73
 74

Les facteurs du rendement externe sont:

Rendement d’injection

C’est le rapport du nombre de paires électron-trou recombinées dans la zone active au nombre total
de porteur de charge soit:

i = Nombre de paires électron-trou recombinées dans la zone active / (I/q) = I ra/I

= (Ira)/ (In + Ir + Ipc+ Ira)

Où In est le courant d’électrons injectés dans l’émetteur, I r le courant de recombinaison dans la ZD

et en surface, Ipc le courant de recombinaison au contact qui nécessite un choix convenable de
l’épaisseur de la zone active ou un confinement par barrière (N-N+ par exemple), et Ira le courant de
recombinaison dans la zone active.

Rendement quantique interne

On définit le rendement quantique interne int comme le rapport du nombre de photons à la jonction
au nombre de porteurs qui traversent cette jonction. int est aussi défini comme étant le rapport du
taux de recombinaison radiative au taux global de recombinaison soit:

int = Nombre de paires recombinées radiativement / Nombre de paires recombinées en zone active

int = rr / r = rr / (rr + rnr )

Les taux de recombinaison sont exprimés en fonction des durées de vie soit:

rr = -n / r et rnr = -n / nr

r et nr sont les durées de vie radiative et non radiative

int = nr / (r + nr)

La durée de vie radiative est définie comme étant le temps pour lequel un porteur minoritaire existe
à l’état libre avant qu’une recombinaison radiative prend place. Cette durée est faible dans les semi-
conducteurs à BID où le couplage électron-photon est grand en raison de la possibilité de satisfaire
simultanément aux règles de la conservation d’énergie et du moment.

Rendement optique

Le rendement optique appelé aussi rendement d’extraction opt est défini comme étant le rapport du
nombre de photons extraits du cristal et émis à l’extérieur de la diode au nombre total de photon
générés au niveau de la jonction (ou créés par recombinaison radiative).

opt = (c )²[ 1 - [(n2 - n1) / (n2 + n1)]²]/ 4

Pour c petit, on peut confondre le sinus et l’argument et pour n1 = 1 (air)

opt = [ 1 - [(n2 - 1) / (n2 + 1)]²]/ 4n²2

74
 75

opt  1 / n2 (n2 + 1)²

On améliore le rendement optique en recouvrant la LED d’un matériau plastique dont l’indice de
réfraction est supérieur à celui de l’air.

Rendement de couplage

Le rendement de couplage c est le rapport du nombre de photons utiles au nombre de photons

extraits du cristal

Rendement quantique externe

Le rendement quantique externe ext est défini comme le rapport du nombre de photons émis par la
diode au nombre de porteurs traversant la jonction soit:

ext = i int opt c

Rendement global

Le rendement global  est le rapport de la puissance lumineuse, à la puissance électrique absorbée

c’est à dire:

 = Wopt / Wélec = hNph / VI = hNph / qVNélec = [(h)/ (qV)] [Nph/(I/q)]

[(h)/ (qV)] est proche de l’unité et [Nph/(I/q)] correspond à ext

 = exth / qV = ext(Wg/q) / (IRsérie + Vd)

Vd est la tension de diffusion.

Application

Les LEDs sont généralement utilisées dans la transmission à fibre optique, dans les afficheurs (cas
des diodes émettant dans le visible), pour la sécurité, et dans les photo-coupleurs et photo-
isolateurs.

La diode laser, LD

L.A.S.E.R: Light Amplification by Stimulated Emission of Radiation ou amplification de la

lumière par émission stimulée de la radiation.
L’idée de l’émission stimulée c’est à dire l’émission d’un photon commandée par un autre photon
tire son origine d’Albert Einstein (1916). Il démontra en 1917 que les taux, du processus
d’absorption, de l’émission spontanée et de l’émission stimulée sont mathématiquement liés.

Condition d’observation de l’effet Laser

En polarisant en direct, au delà d’un certain seuil, certaines LED spécialement conçues peuvent
donner une lumière cohérente c'est-à-dire réaliser un LASER semi-conducteur. Il faut pour cela:

75
 76

 Disposer d’un matériau à BID donnant lieu à une efficace recombinaison radiative des
porteurs en excès;
 Ménager par construction dans le dispositif une zone active, où auront lieu les
recombinaisons radiatives, et qui jouera le rôle de cavité laser. Cette cavité de Fabry-Pérot
doit être fermée, dans le sens de la longueur, par deux faces planes parallèles généralement
obtenues par clivage;
 Injecter dans cette zone active un grand nombre de porteurs en excès, ce qui revient à y faire
circuler une densité de courant assez élevée.

Avant d’entrer dans les détails de l’étude du laser à injection, on peut déjà préciser les
caractéristiques qui le différencient des lasers conventionnels:

 Taille qui se chiffre en microns

 Puissance émise et les cohérences spatiale et temporelle beaucoup plus faible
 Rendement meilleur
 Grande facilité de modulation
 Meilleur adaptation aux télécommunications par fibre optique

Les processus de l’absorption, l’émission spontanée et l’émission stimulée sont représentés par le
diagramme d’état d’énergie suivant (figure 63):

Etat initial Etat final

BC  E1 

Lumière (a)

BV E2
°
 °
h
(b)



Lumière (c) h
En phase
h

° 
 électron
Figure 63 : Diagramme d’état d’énergie (a) absorption (b) émission spontanée (c) émission stimulée

A la température ambiante (300 °K), la plupart des atomes sont à l’état de base. Cette situation est
perturbée lorsqu’un photon, d’énergie supérieure ou égale à celle de la bande interdite du matériau,
arrive sur l’atome et le fait passer à l’état excité c’est à dire qu’un électron passe de E 1 vers E2 après
absorption du photon. Le processus est donc appelé Absorption. L’état excité de l’atome est
instable et après un temps court et sans stimulant externe l’atome retourne a son état de base c’est à
dire que l’électron fait la transition de E 2 vers E1 en émettant un photon. Le temps moyen de l’état
excité varie considérablement entre 10-9 et 10 -3 s. Le processus est appelé émission spontanée

76
 77

(émission des LED). Lorsque l’atome est à l’état excité et absorbe un photon, il est immédiatement
stimulé pour faire sa transition à l’état de base en émettant un photon en phase avec le photon de la
radiation incidente, donc une émission de deux photons en phase. Le processus est appelé émission
stimulée.

Distribution de Boltzmann

Sous la condition d’équilibre thermique donnée par la distribution de Boltzmann, le niveau bas E 1
est plus peuplé que le niveau haut E 2 (N2 < N1). Cette situation normale pour les structures à
température ambiante est exprimée par la relation:

N2 = N1exp[-(E2 - E1)/kT]

où N2 et N1 sont respectivement les populations de E2 et E1

Cependant, il est nécessaire de créer une distribution non équilibrée d’atomes afin d’acquérir une
amplification optique c’est à dire une émission stimulée. La population du niveau d’énergie haut
doit dans ce cas être plus grande que celle du niveau bas (N 2 > N1). Cette condition est connue sous
le terme inversion de population.

Inversion de population

Dans les semi-conducteurs les niveaux d’énergie sont groupés dans des bandes permises où leur
répartition est quasi-continue. Cette spécificité du semi-conducteur entraîne deux conséquences au
niveau du laser. La première est que la condition N2 > N1 doit s’exprimer ici dans un formalisme
adapté à la structure de bandes d’énergie. L’effet laser se produit ici entre les états du bas de la BC,
où se thermalisent les électrons injectés dans cette bande, et les états du sommet de la BV où se
thermalisent les trous crées dans cette bande.
Pour observer l’effet laser, il faut que l’émission stimulée l’emporte sur l’émission spontanée, qui
fournit les photons non cohérents, et surtout sur l’absorption qui consomme les photons émis. Pour
qu’il en soit ainsi, le niveau E2 doit être plus peuplé que le niveau E1. Cela revient à dire qu’il y a
plus d’électrons dans l’état excité que dans l’état fondamental ou encore qu’il y a inversion de
population.
La condition d’inversion de population connue par Bernard-Durraffourg s’écrit:

Efc – Efv > h > E2 – E1

En d’autres termes les quasi-niveaux de fermi des électrons et des trous, EFC et EFV respectivement,
dans le matériau excité, sont respectivement dans les bandes de conduction et de valence. Ceci se
traduit par le diagramme énergétique illustré sur la figure 64 où N(E) représente la densité d’états.
E E E

EFC EFC

EV

h

EC
EF EFV EFV

N(E) N(E) N(E)

(a) (b) (c)

77
 78

Figure 64: Population des bandes d’énergie. (a) Equilibre thermodynamique (b) Inversion de population à 0°K
(c) Inversion de population à la température ambiante

Pour réaliser l’inversion de population, il faut créer beaucoup de paires électron-trou dans le
matériau. Pour cela on injecte beaucoup d’électrons dans une région de type p, au moyen d’une
jonction P-N. La structure du laser à semi-conducteur est celle d’une LED, mais dont les régions de
types N et P sont dégénérées. La région de type P étant très dopée pour qu’à l’équilibre, le niveau
de fermi EFV soit dans la BV. La région de type N est aussi très dopée pour que la densité
d’électrons injectés dans la réion de type p sous l’action de la tension de polarisation, soit telle que
le pseudo niveau de fermi EFC soit dans la BC.
La configuration de la jonction est représentée sur la figure 65.

Région P

Wg

Trous Région N
EF Niveau de fermi

(a)

Région P
Région N
EFC
h
qVF
Trous h
EFV

VF = Wg/q
(b)

Figure 65: Diagramme d’énergie de la jonction P-N fortement dopée (a) Sans polarisation (b) Sous polarisation

Principe de fonctionnement

Le fonctionnement V de la diode laser suit le principe électronique des semi-conducteurs soit le

schéma suivant (figure 66)
Emission spontanée initiale
+ + +
P  
 
 Recombinaison Couche active    
   Sortie
N laser
_ _ _ 
(b)
Emission stimulée
(a)
0

Facette partiellement
réfléchissante 78
 79

Figure 66: Fonctionnement simplifié d’une diode laser, (a) polarisation directe produisant un passage de courant et
recombinaison (b) émission stimulée à l’intérieur de la couche active

Le fonctionnement de la diode laser exige un fort courant de polarisation. A faible courant la diode
se comporte comme une LED et plus le courant augmente plus le dispositif devient amplificateur
ou SLD mais ne possédant pas un gain suffisant pour produire une oscillation laser que lorsque le
courant de seuil Ith est dépassé. Bien qu’il existe qu’une seule valeur de Ith, la transition LED  LD
n’est pas une action instantanée.

Caractéristique

L’intensité globale du rayonnement émis par la diode est une fonction du courant excitateur et
l’allure de la courbe est représentée sur la figure 67. A faible niveau d’injection le rendement
radiatif de la diode est sensiblement constant, l’intensité du rayonnement émis est proportionnelle à
la densité de porteurs injectés et par suite au courant traversant la diode. Juste au dessous du seuil et
pour une efficacité quantique égale à l’unité, tous les porteurs injectés se recombinent comme une
émission spontanée. Le nombre de photons par unité de volume par seconde est donné par le taux
de recombinaison radiative total. Quand le courant devient supérieur à la valeur seuil l’émission
stimulée apparaît. La diode amplifie une partie du rayonnement spontanée, on observe une super
linéarité sur la courbe d’émission. La densité de courant J pour une épaisseur d de la couche active
est reliée au taux d’émission spontanée total rsp par unité de volume. La relation est:

J= qd rsp
Puissance (densité de photon
s)

Fonctionnement LED Action laser

Emission stimulée
Emission spontanée

Courant le courant de seuil I th

Figure 67: caractéristique puissance/courant d’un laser à semi-conducteur montrant
Ith
La courbe représente la caractéristique du laser c’est à dire la puissance en fonction du courant de
polarisation. La droite correspond au courant de seuil et c’est aussi la liaison entre la densité de
courant, la densité du courant de seuil, et la puissance ou la densité de photon. Cette dernière, s, est
donnée par l’expression suivante:

s = ph (J - Jth) /qd

ph est la durée de vie des photons, J et Jth sont respectivement la densité du courant et du courant de
seuil, et d l’épaisseur de la couche active.

79
 80

Parmi les paramètres décrivant la caractéristique de la diode, celui dont la dépendance en fonction
de la température est la plus marquée est le courant de seuil. En terme général, le courant de seuil a
la tendance d’augmenter avec la température soit la relation:

Jth  exp(T / T0)

T0 est le coefficient de température du seuil (100-190 °K)

Rendement

Ils existent plusieurs façons de définir le rendement de fonctionnement d’un laser. Une définition
utile est celle du

Rendement quantique différentiel externe

Rendement quantique différentiel externe D, est le rapport du taux d’augmentation des photons de
sortie pour une augmentation donnée du nombre d’électrons injectés.

D = (dPopt/h)/(dI/q)= (dPopt/dI)(Wg)

Wg, en eV, est l’énergie de la bande interdite du semi-conducteur, Popt est la puissance optique
émise, I le courant, et h l’énergie du photon. La valeur du rendement représente la pente de la
caractéristique du laser.

Rendement quantique interne

Le rendement quantique interne i est défini comme le rapport du nombre de photons produits à
l’intérieur de la cavité au nombre d’électrons injectés.

Rendement total ou rendement quantique externe

Le rendement total T ou rendement quantique externe est le rapport entre le nombre total des
photons de sortie et le nombre total d’électrons injectés soit l’expression:

T = (Popt/h)/(I/q) = (Popt/I)(Wg)

La puissance émise change d’une manière linéaire quand le courant injecté est supérieur au courant
de seuil Ith donc:

T = D (1 - Ith / I)

Pour un courant injecté très grand (I = 5 Ith) alors T = D

Rendement du dispositif ou rendement en puissance externe

Le rendement en puissance externe ep pour la conversion électrique-optique est donné par:

ep= (Popt)/(P) = (Popt)/(IV) = T (Wg/V)

I est le courant, V la tension de polarisation du laser

Couplage émetteur-détecteur ou photocoupleur

80
 81

Un module optique couplé est composé d’une paire d’émetteur et détecteur montée à proximité
dans un boîtier unique. Ils sont photo couplés mais électriquement isolés. Ces dispositifs possèdent
plusieurs avantages qui sont:

 Emetteur nécessite une faible puissance

 Isolation excellente 1011  en parallèle avec une capacité de 1 pF à  2 kV
 Bonne linéarité
 Grande vitesse
 Mécaniquement pré aligné
 Longue durée de vie
 Résistant à la vibration
 Petite format

Quand un signal électrique est appliqué au module, une lumière caractéristique est générée par
l’émetteur, en général une LED, et par suite détectée par le détecteur, soit une photodiode ou un
phototransistor. La lumière est donc reconvertis en un signal électrique comme un courant circulant
à travers la résistance de charge.
Le rapport de transfert d’un photo coupleur est donné par le rapport du courant de sortie au courant
d’entrée soit I2 / I1.

I1 I2

(a) Signal d’entrée RL Signal de sortie

LED Photodiode

I1 I2

(b) Signal d’entrée RL Signal de sortie

LED Phototransistor

Figure 68: Photocoupleur (a) LED-Photodiode et (b) LED-Phototransistor

Application

Les photocoupleurs sont essentiellement utilisés pour la transmission à grande vitesse de signaux
logiques, application industrielle d’équipements digitaux. Dans ce genre de système, la
caractéristique essentielle de la diode est bien évidemment un spectre d’émission compatible avec
la réponse spectrale du photodétecteur.

81
 82

Optique intégrée

L’idée à priori simple consiste à remplacer l’électricité, moyen de transport de l’information, par de
la lumière. Les avantages aux premiers abords sont multiples :

 le temps de propagation se réduit, le multiplexage des données est rendu possible ;

 la densité est fortement augmentée ;
 le travail en connexion directe avec un réseau télécoms devient possible, etc.

En optique intégrée, la lumière est confinée dans des guides d'ondes réalisés sur des matériaux
optiques adéquats comme le montre l'image ci-dessous.

Définition

L'optique intégrée concerne l'utilisation de la microélectronique pour la réalisation de composants

optiques de très petite dimension. Les technologies de l'optique intégrée permettent d'implanter
l'ensemble d'un circuit optique sur une plaquette de la longueur d'une allumette. Ces technologies
ont été développées dans le cadre des télécommunications optiques pour les longueurs d'onde du
proche infrarouge (entre 0,8 et 1,6 micromètre). L’optique intégrée apparait comme une des
technologies les plus prometteuses des prochaines années dans le contexte du développement
énorme que doit prendre l’optoélectronique. Cela correspond à l’arrivée à maturité de tous les
composants indispensables à la réalisation d'une chaine optoélectronique complète et a l’explosion
de la demande pour des circuits photoniques miniaturises et bas coût. L’optique intégrée est en
pleine expansion, les développeurs de circuits d’optique intégrée (IOCs) essayent de faire coexister
plusieurs fonctions de traitement de la lumière sur une seule plateforme, par analogie avec les
circuits à semi-conducteur, en utilisant les mêmes processus que ceux exploités pour fabriquer les
circuits électroniques. Les puces (POCs) d’optique planaire incorporent des composants optiques
fonctionnels, comme les guides d’ondes pour acheminer la lumière d’un endroit à un autre, les
filtres, les miroirs et lentilles pour modifier la forme de la lumière.
La nano photonique sur silicium, par exemple, constitue un des sujets de recherche les plus
excitants à l'heure actuelle. De nombreux laboratoires, instituts et entreprises spécialisés dans la
microélectronique s'intéressent aujourd'hui à ce domaine. En effet, la technologie des salles
blanches actuelles permet la fabrication de circuits optiques intégrés comportant des guides
optiques de tailles nanométriques. Grâce à l'étude des effets non linéaires dans ces structures de
nombreuses fonctions toute optiques ou optoélectroniques ont vu le jour. Les laboratoires
s’intéressent plus particulièrement à cette étude dans les régimes des très faibles et très hautes
puissances. Ainsi, ils travaillent actuellement sur la génération de paires de photons dans ces guides
et de fonctions logiques et mémoires toute optiques.

82
 83

Les avantages traditionnels des circuits optiques

 insensibilité aux bruits électromagnétiques à cause de la très haute fréquence de la lumière ;

 sécurité et fiabilité d'acquisition et de transport des informations en environnement sévère ;
 possibilité de traitement de l’information en temps réel ;
 accroissement du nombre d'informations transportées grâce au multiplexage en longueurs
d'ondes ;
 possibilité de mesures sans contact ;
 possibilité de réalisation de têtes de mesure ou de dispositifs de traitement de l’information
ne faisant pas intervenir localement de puissance électrique.

L'optique intégrée ajoute les avantages apportés par la mise en œuvre des techniques d'intégration:

 miniaturisation des circuits optiques ;

 suppression des problèmes traditionnels d'alignement entre composants ;
 possibilité de développer des techniques de fabrication compatibles avec les objectifs de
faible coût et de production de masse.

Quelques exemples d’applications

Les progrès des techniques de micro-usinage,

d'une part, et de dépôt de couches actives
diverses, d'autre part, ont permis récemment la
réalisation de dispositifs intégrant non seulement
des composants électroniques mais aussi des
micro-dispositifs optiques. Les plus
spectaculaires ont d'abord été les micro-miroirs
orientables via un simple champ électrique.
Réseau de micro-miroirs

83
 84

Spectromètre à 2 wafers (Typiquement les détecteurs font 2µm de largeur et sont distants les uns des autres de 4µm)

Fibre optique

L’introduction de la fibre optique comme un support de transmission dans les systèmes numériques,
est justifiée par de nombreux avantages, à savoir :

Performances de transmission : Très faible atténuation, très grande bande utilisable, multiplexage
possible.

Avantages de mise en œuvre : Très petite taille, grande souplesse, faible poids.

Sécurité électrique : Isolation totale entre terminaux, utilisation possible en ambiance explosive ou
sous de fortes tensions.

Sécurité électromagnétique : Insensible aux parasites et n'en crée pas, inviolabilité presque totale.
Avantage économique : Moindre coût, en comparaison des autres supports.

La fibre optique est un guide d'onde cylindrique et diélectrique. Elle est constituée de deux
diélectriques de même axe, le cœur et la gaine, entourés d'une gaine de protection (Figure 69).

84
 85

Figure 69 : Structure d’une fibre optique

Le guidage du signal optique est basé sur la loi de Descartes (Figure 70) :

Figure 70 : Loi de Descartes

La lumière se propage le long de la fibre par réflexions successives entre le cœur et la gaine (Figure
71). Cela n'est possible que si le cœur et la gaine sont constitués de matériaux transparents (silice)
et que l'indice de la gaine n2 est inférieur à celui du cœur n1.
La seconde condition est d'envoyer le signal lumineux dans la fibre avec un angle, par rapport à
l'axe, inférieur à l'ouverture numérique O.N. :

O.N. = (n1² - n2²)½

85
 86

Les principales caractéristiques de la fibre optique sont :

Figure 71 : Loi de propagation du signal dans une fibre optique

L'ouverture numérique des fibres de silice destinée aux télécommunications optiques est de l'ordre
de 0,15.
Il est commode de caractériser le profil d'indice par la fréquence normalisée généralement notée V,
qui dépend de la longueur d'onde λ, du rayon de cœur a de la fibre et des indices du cœur n 1 et de la
gaine n2 :

V= (2a/) (n1² - n2²)½

Une fibre est monomode pour une fréquence normalisée V inférieure à 2,405. Ce paramètre V est
de l'ordre de 1 à 2,405 pour les fibres monomodes (une fibre est monomode pour une fréquence
normalisée V inférieure à 2.405) et de l'ordre de 100 ou plus pour les fibres multimodes.

Les principales caractéristiques de la fibre optique sont :

L’atténuation : L’affaiblissement de la lumière dans la fibre.

La dispersion chromatique : Le temps mis par un signal pour parcourir l’unité de longueur.
Le décalage de la polarisation : Un phénomène aléatoire souvent négligé, d’origine intrinsèque
(fabrication de la fibre) et le plus souvent extrinsèque (la pose de la fibre).
Les effets non linéaires : Des effets parasites qui dégradent les performances de transmission.

Il existe deux types de fibres : la fibre multimode et la fibre monomode.

On distingue deux catégories pour la fibre multimode :

La fibre à saut d’indice : Constituée d'un cœur et d'une gaine optique en verre de différents indices
de réfraction. Cette fibre provoque de par l'importante section du cœur, une grande dispersion des
signaux la traversant, ce qui génère une déformation du signal reçu.

La fibre à gradient d’indice : Son cœur est constitué de couches de verre successives ayant un
indice de réfraction proche, ce qui induit à une réduction de la dispersion.

La fibre monomode  : Est une fibre dont le cœur est si fin que le chemin de propagation est
pratiquement direct. La dispersion devient quasiment nulle. Cette fibre est utilisée essentiellement
pour les sites à distance.

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 87

Figure 72 : Propagation de la lumière dans les différents types de fibres

La fibre optique assure le guidage des photons de A à B, points entre lesquels la transmission de
l’information doit être faite. Nous considérons ici une propagation multimode, c'est-à-dire que
l’énergie injectée dans la fibre s’est répartie spatialement en paquets bien définis que l’on appelle
des modes. Chaque mode se propage avec une atténuation et une vitesse spécifiques. Le
comportement global de cet ensemble de paquets dépend donc des caractéristiques de chaque mode
et de la répartition de l’énergie initiale, c’est à dire des conditions d’injection.
Les mesures utiles telles que l’atténuation, bande passante, ouverture numérique, etc. sont donc à
faire pour des conditions d’injection et une longueur d’onde déterminées. Ce qui intéresse le
concepteur du système, ce n’est pas la longueur unitaire fabriquée en usine, mais la ligne optique
constituée de N longueur épissurées bout à bout. Il lui faut donc à partir des spécifications de la
ligne, prévoir quelles doivent être les caractéristiques des longueurs unitaires caractéristiques qui
vont déterminer en grande partie le prix de la fibre.
La prédiction des caractéristiques d’une ligne optique, composée de N longueurs unitaires, est donc
très délicate. Cependant, on peut dire que :

1. L’atténuation, sauf dans le cas de fibres particulières, est à peu près la somme des
atténuations unitaires ;
2. La puissance injectée dans la fibre peut être prédite grossièrement à partir de l’ouverture
numérique et du diamètre de cœur de la fibre ainsi que des caractéristiques de la source ;
3. La bande passante évolue de manière complexe mais peut être estimée grossièrement par la
formule suivante :
B= B0N-

Avec B0 la bande passante de la longueur unitaire,  coefficient empirique égal à environ 0,7 à la
longueur d’onde de 0,85 m et à 0,85 à la longueur d’onde de 1,3 m. Ces valeurs sont d’ailleurs
purement indicatives et sont spécifiques du type de fibre utilisé.

Intérêt des fibres optiques

Que peuvent apporter les fibres optiques en communication et en informatique ?

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 Pas de courant de masse

 Pas de risque de court circuit de ligne
 Potentiel des extrémités indépendant
 Indifférent à la foudre
 Pas de danger d’explosion
 Réduction de poids
 Réduction de volume
 Branchement parasite difficile
 Sans perturbation
 Pas de risque de diaphonie
 Transmission non inductive
 Pas de perturbation par les rayonnements électromagnétiques
 Pas de rayonnement extérieur généré
 Pas de risque d’étincelle
 Bande passante d’un ordre de grandeur plus grand que pour les fréquences classiques
 Pertes en ligne plus faibles

Dans une liaison par fibre optique, grâce au support qui n’est pas conducteur, tous les problèmes de
liaison galvanique entre boîtier sont résolus tout naturellement. De même les phénomènes
physiques tels que la foudre sont sans influence sur la liaison. Dans les liaisons en milieu industriel,
les risques de provoquer des explosions sont supprimés. Les dimensions réduites du support jointes
à sa faible densité permettent une réduction de poids et de volume du câble, ce qui sera
particulièrement intéressant avec la prolifération des interconnexions. Les particules qui servent de
support aux informations sont des photons et non plus des électrons. Par suite, elles ne rayonnent
pas de champ électromagnétique et ne sont pas sensible aux champs environnant le câble. Comme
ce support a été étudié pour être un guide, il ne laisse pas sortir l’énergie et li n’y a pas de risque de
diaphonie. Toute tentative de prélever indûment de l’énergie en cours de route sera très délicate,
demandera un interruption de la liaison et en tous cas pourra être constatée aux extrémités. Enfin,
comme la fréquence porteuse est celle de la lumière, la bande passante des modulations pour le
transfert d’informations pourra être nettement plus élevée que celle utilisées dans les transmissions
classiques.
Les supports ont aussi des pertes en ligne plus faible qui autorisent plus aisément des distances plus
grandes.

Atténuation (dB/km)

Ion OH-
10 2
- Vibration de réseau

10 -

1,0 -

10-1 - Diffusion Rayleigh

       (m)
0, 0, 1 1, 1, 1,
6 8 2 4 6

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 89

Courbe d’atténuation d’une fibre de silice

Principes généraux des transmissions optiques

La chaîne de transmission optique n’est pas différente globalement d’une chaîne de transmission
classique. Le but est de restituer en B distant de A, un signal électrique V (t) présent en A. Cette
chaîne est représentée schématiquement sur la figure ci-dessous.

Source V1 (t) Modulateur V2 (t) Emetteur P (t)

Signal ou Codeur Optique Fibre
I1 (t) I2 (t)

P (t) V3 (t) Amplificateur V4 (t)

Photodiode Démodulateur
Fibre I3 (t) Décodage I4 (t)

Nous distinguons classiquement la source d’information qui utilise un signal électrique V 1 (t) à
transmettre (numérique ou analogique), un modulateur ou codeur qui transforme éventuellement ce
signal en un autre signal V2 (t) mieux adapté à la transmission sur fibre optique (cette
transformation étant biunivoque) et finalement un émetteur optique qui transforme V 2 (t) en un
signal optique P (t) par une transformation si possible linéaire.
Ce signal optique est alors injecté dans une fibre optique qui n’est autre qu’un guide de lumière et
détecté par un photodétecteur à l’extrémité de la fibre. Il associe à chaque photon en moyenne un
certain nombre d’électrons, nombre allant de plusieurs centaines à la fraction de l’unité, si bien que
le courant émis I3 (t) par cette photodiode est en moyenne proportionnel à P (t) donc à V 2 (t). Après
amplification et démodulation ou décodage, on retrouve la tension V 4 (t) en principe
proportionnelle à V1 (t) (abstraction étant faite du bruit et de la distorsion générée par le système).
La théorie des systèmes optiques consiste donc à calculer la dégradation apportée à V4 (t) et à
choisir des composants optimaux pour minimiser cette dégradation.

Transmission numérique

Le théorème de Shannon est à la base des systèmes numériques. Si un signal est échantillonné dans
le temps à des instants réguliers et à un rythme supérieur à deux fois sa plus haute fréquence
significative, alors ces échantillons renferment toute l’information du signal initial. L’amplitude de
ses échantillons est alors mesurée puis remplacée par sa plus proche valeur en numérotation binaire
(quantification). Ce train binaire est alors éventuellement multiplexé avec d’autres trains binaires
avant transmission. Ces trains d’impulsion sont alors transcodés pour être bien adaptés à la
transmission et permettre une surveillance de la qualité de la liaison.
Après transmission et en réception, ces impulsions sont régénérées, c'est-à-dire qu’à partir des
décisions prises à l’échantillonnage, on recrée les impulsions correspondantes dépourvues de tout
bruit (le bruit présent sur les impulsions reçues s’est traduit par des erreurs sur les 0 et les 1).
La qualité d’une liaison numérique est qualifiée par le taux d’erreur. Un taux acceptable est de 10 -9
en téléphonie, mais peut être de 10-16 en informatique. Enfin, la gigue qui représente les
fluctuations de rythme doit être tenue à l’intérieur d’un gabarit strict. Il en va de même de la forme
des impulsions.

Choix du code

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Dans le choix d’un code, les paramètres suivants sont à prendre en compte.
Débit en ligne
Plus le code est redondant, plus le débit en ligne est élevé. Un débit en ligne élevé impose une
bande passante de transmission élevée et réduit la sensibilité du récepteur en augmentant la bande
de bruit.

La supervision du taux d’erreurs

C’est une contrainte opposée à la précédente en ce sens qu’elle accroît la redondance du code dans
un débit en ligne car plus il y a redondance, plus la qualité de la liaison est facile à superviser.

La forme du spectre du code

Il doit être aussi étroit que possible et s’annuler à la fréquence 0 pour optimiser le récepteur.

La récupération de rythme
Elle se fait facilement si le spectre du code comporte une raie à la fréquence rythme ou son
multiple.

L’adaptation au laser
D’une manière générale, le laser fonctionne mieux lorsqu’il n’y a pas de suites trop longues de 1,
on recherche donc un code équilibré. De plus, le code est binaire pour éviter les problèmes de non
linéarité des sources optiques.

La facilité de mise en œuvre

Les circuits de codage et décodage doivent être simples pour permettre une fabrication et un
contrôle des systèmes

Sensibilité en réception

Ce que nous essayons de calculer ici, c’est la puissance moyenne optique nécessaire à l’entrée du
récepteur pour obtenir un taux d’erreurs donnée à un débit donné.
La première chose à faire est de calculer le rapport signal à bruit nécessaire à l’obtention d’un taux
d’erreurs donné (voir section de calcul des bruits des photodiodes).
En considérant toutes les sources de bruit comme gaussienne, on appelle 1² la tension quadratique
de bruit sur les niveaux 1 (tension V1) et 0² la tension quadratique de bruit sur les niveaux 1
(tension V0). En général, 1²>0² dû à l’influence du bruit quantique dépendant du niveau du signal.
On introduit la tension de seuil de décision V D telle que la possibilité PE de commettre une erreur est
la même sur les 1 et les 0. Comme la statistique est gaussienne, on la relation :

(V1 – VD)/ 1= (VD - V1)/ 0 = Q

et :
PE = ½erfc (Q/2)

Il faut donc déterminer Q en fonction des paramètres du récepteur pour obtenir un P E donné (10-9 en
général). Pour cela, il faut donc calculer le rapport signal sur bruit du récepteur (diode avalanche ou
p-i-n).
En considérant le schéma équivalent d’une photodiode à avalanche simplifié, on a donc :
V1= MRP1 (q/ h)
Où P1 est la puissance reçue sur le niveau 1.

1= [[2q P1 (q/ h)] M²B + 4kTB/R] ½ R avec ID et IB nuls.

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Si la puissance émise sur les 0 est nulle, on donc :

P0=0  V0=0
2 = [4kTB/R] ½ R
Avec les formules ci-dessus on trouve :

PE= ½erfc [[(M P1 (q/h))]/ [(8kTB/R) ½ + 2(4q P1 (q/h) M²B + 8kTB/R] ½]

Le facteur de multiplication M apparaît au numérateur et dénominateur et passe par une valeur M opt
qui optimise PE.
Dans le cas d’une photodiode p-i-n, la valeur de M est prise égale à 1 et dans ce cas, la contribution
du bruit quantique direct est en général négligeable devant le bruit thermique du récepteur.
En conclusion, il faut retenir que :
Si l’on utilise une photodiode p-i-n, la source de bruit dominante est le bruit thermique du
récepteur. Ce bruit est surtout fonction des la résistance de charge de la photodiode qui doit être
aussi élevée que possible (la valeur de cette résistance ne peut être trop élevée car la bande passante
du récepteur descend à des valeurs inacceptables).
Si l’on utilise une diode à avalanche, deux sources de bruit existent : le bruit thermique du
récepteur et le bruit quantique. Lorsque le gain de la photodiode est ajusté à sa valeur optimale, les
deux sources de bruit sont de grandeurs comparables.

Budget de puissance

Toute conception d’une liaison optique doit suivre un ordre logique d’étapes. Les principales étapes
consistent à une identification des endroits pour les nœuds, l’identification du meilleur
cheminement de la liaison, la mesure de la longueur totale de la fibre, la détermination du débit de
la ligne optique, la longueur d’onde et la largeur spectrales utilisées, le choix des composants de la
liaison. Le calcul du budget de puissance (bilan énergétique) est une étape importante pour la
conception d’une liaison optique.
Le calcul du bilan énergétique dans un système numérique de transmission sur fibre optique est
semblable au calcul du budget de puissance dans n’importe quel système.
Quand les caractéristiques de l’émetteur, les pertes de la fibre, les pertes de la connectique et la
sensibilité du récepteur sont connues, l’évaluation de l’espacement pour l’installation d’un répéteur,
ou la distance maximum de transmission, devient relativement simple.
Cependant, il est nécessaire d'incorporer une marge de puissance de sorte que les petites variations
des paramètres d'emploi du système ne mènent pas à une diminution inacceptable. La marge de
fonctionnement est souvent incluse dans une marge de sûreté Ma qui tient compte également de la
source et du bruit modal ainsi que des affaiblissements du récepteur tels que l'erreur d'égalisation et
les dégradations de bruit.
La marge de sûreté dépend largement des composants du système, elle est généralement incluse
dans la gamme 5-10 dB. Un système employant un émetteur de type laser exige généralement une
plus grande marge de sûreté (9 dB) que ceux qui emploient une source de type LED (7 dB) parce
que la variation de la température et le vieillissement de la LED sont moins importants.
Le budget de puissance optique pour un système est donné par l'expression suivante:

Pi = P0 + CL + Ma

Où Pi est la puissance optique moyenne d'entrée lancée dans la fibre, P0 est la puissance optique
moyenne exigée au niveau du récepteur et CL (ou CLD quand il y a une pénalité d'égalisation de
dispersion) est la perte totale du canal donnée par l’expression suivante :

CL = (αfc + αj) L + αcr

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 92

Avec L la longueur de la fibre entre le répéteur régénérateur, ou entre l’émetteur et le récepteur

pour une liaison sans répéteur. αfc la perte de la fibre par kilomètre est normalement indiquée par le
fabricant. La perte due aux épissures (splices) αj sur la liaison peut également, pour la simplicité,
être indiquée en termes de perte équivalente par kilomètre.

Enfin la perte αcr attribuée aux connecteurs employés pour coupler la source optique et le détecteur
à la fibre doit être incluse dans la perte globale du canal.

Dans le cas d’une pénalité d’égalisation de dispersion DL, l’équation ci-dessus prend la forme
suivante :

CLD = (αfc + αj) L + αcr + DL

Ainsi :

Pi = P0 + (αfc + αj) L + αcr + Ma

Pi = P0 + (αfc + αj) L + αcr + DL + Ma

Figure 9. Diagramme des pertes d’une liaison à fibre optique

Exemples

Exemple 1:
Soit un système de transmission numérique sur fibre optique, avec les paramètres suivants :

- Fibre monomode ;
- Longueur d’onde : 0.85 nm ;
- Puissance moyenne d’un émetteur laser : - 3 dBm ;
- Perte sur la fibre : 1.9 dB km-1 ;
- Perte d’épissure : 0.3 dB km-1 ;
- Perte des connecteurs à l’émetteur et au récepteur : 1 dB ;
- Puissance moyenne requise au récepteur de type APD :
- Avec un débit de 35 Mbps (BER 10-9) : - 55 dBm ;
- Avec un débit de 500 Mbps (BER 10-9) : - 44 dBm ;

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- Marge de sûreté requise : 9 dB ;

On veut évaluer :

a) La longueur maximale possible de la liaison sans répéteurs, avec un débit de 35 Mbps et sans
perte d’égalisation de la dispersion.
b) La longueur maximale possible de la liaison sans répéteurs, avec un débit de 500 Mbps et sans
perte d’égalisation de la dispersion.
c) La longueur maximale réduite de la liaison sans répéteur, avec un débit de 500 Mbps et avec
une pénalité d’égalisation de la dispersion de 5 dB.

Solution :

a) Nous avons les données suivantes :

Pi = - 3 dBm ;
P0 = - 55 dBm ;
αfc = 1.9 dB km-1 ;
αj = 0.3 dB km-1 ;
αcr = 2 x 1 dB = 2 dB ;
Ma = 9 dB;

En utilisant l’équation (4) :

Pi - P0 - αcr - Ma = (αfc + αj) L

Pi  P0   cr  M a
 L=  fc   j
3  ( 55)  2  9 41
 L= =
1.9  0.3 2 .1

 L= 19.52 km

b) Nous avons les données suivantes :

Pi = - 3 dBm ;
P0 = - 44 dBm ;
αfc = 1.9 dB km-1 ;
αj = 0.3 dB km-1 ;
αcr = 2 x 1 dB = 2 dB ;
Ma = 9 dB;

En utilisant l’équation (4) :

Pi - P0 - αcr - Ma = (αfc + αj) L

Pi  P0   cr  M a
 L=  fc   j
3  ( 44 )  2  9 30
 L= =
1.9  0.3 2 .1

 L= 14.29 km

c) Nous avons les données suivantes :

Pi = - 3 dBm ;

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P0 = - 44 dBm ;
αfc = 1.9 dB km-1 ;
αj = 0.3 dB km-1 ;
αcr = 2 x 1 dB = 2 dB ;
DL = 5 dB ;
Ma = 9 dB;

En utilisant l’équation (4’) :

Pi - P0 - αcr – DL - Ma = (αfc + αj) L

Pi  P0   cr  DL  M a
 L=  fc   j
3  ( 44 )  2  5  9 25
 L= =
1.9  0.3 2 .1

 L= 11.90 km

  L = 14.29 – 11.90 = 2.39 km

Exemple 2 :
Une liaison numérique sur fibre optique de 7 kilomètres entre deux nœuds A et B est établie avec les
paramètres suivants :

- Fibre multimode à gradient d’indice ;

- Largeur de : 50 nm du cœur de la fibre ;
- Longueur d’onde : 0.85 nm ;
- Puissance moyenne d’un émetteur de type LED (perte du connecteur incluse) : 100 mW ;
- Perte sur la fibre : 2.6 dB km-1 ;
- Une épissure chaque kilomètre avec une perte de : 0.5 dB ;
- Perte du connecteur au récepteur : 1.5 dB ;
- Puissance moyenne requise au récepteur de type PIN avec un débit de 20 Mbps (BER 10-10) : -
41 dBm ;
- Marge de sûreté requise : 6 dB ;

On se propose d’étudier le budget de puissance optique du système sans perte d’égalisation de la

dispersion, et par conséquent la détermination de sa fiabilité.

Solution :
Nous avons les données suivantes :
Pi = - 10 dBm ;
P0 = - 41 dBm ;

 Marge totale du système = Pi – P0 = 31 dB ;

αfc = 7 x 2.6 dB km-1 = 18.2 dB ;

αj = 6 x 0.5 dB km-1 = 3 dB ;
αcr = 1.5 dB ;
Ma = 6 dB ;

 Perte totale du système = 28.7 dB ;

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 Marge de puissance = 2.3 dB ;

 Notre système est parfaitement fiable, il fournit une marge de sûreté supplémentaire de 2.3
dB, qui sera utile pour d’éventuelles épissures dans le futur.

Autres composants

Répéteur : Un répéteur est un dispositif qui converti les signaux optiques de bas niveau entrants en
signaux électriques, les amplifient, puis les convertissent de nouveau en signaux optiques. Il sert à
prolonger la distance utilisable de la fibre avec seulement un émetteur et un récepteur.

Régénérateur : Un régénérateur est un répéteur utilisé pour les signaux numériques. Le rendement
du signal optique d’un régénérateur est exactement chronométré pour rétablir la largeur et
l'espacement originaux d'impulsions.
Amplificateur optique : Un amplificateur optique est un répéteur direct sans conversion électrique.

Connecteur : Le connecteur est utilisé pour le raccordement des extrémités de fibres entre elles, ou
le raccordement d’une extrémité de la fibre à un dispositif optoélectronique. Il existe nombre de
connecteurs pour la fibre optique. Les plus répandus sont les connecteurs ST, SC et FDDI ou
MIC. Il faut encore citer les connecteurs SMA (à visser) et les connecteurs FCPC utilisés pour la
fibre monomode.
Il y a plusieurs manières pour coupler de la fibre optique:

- Le couplage mécanique de deux connecteurs mis bout à bout au moyen d'une pièce de
précision.
- Le raccordement par Splice mécanique qui est utilisé pour les réparations à la suite de rupture
ou pour raccorder une fibre et un connecteur déjà équipé de quelques centimètres de fibre que
l'on peut acquérir dans le commerce (Pig tail).
- La fusion au moyen d’un appareil à arc électrique.

REFERENCES

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[1] Physique des semi-conducteurs et des composants électroniques. Par H.Mathieu.

3ème édition

[2] Physics of semi-conductors. Par S.M.Sze. Second edition

[3] Optoelectronic devices and principles. Par William.J.Mooney

[4] Fundamentals of laser optics. Par K.Iga

[5] Electroluminescence. Par J.I.Pankove. Springer-Verlag.

Avant-propos

Ce cours est principalement destiné aux étudiants désirant préparer un diplôme en génie électrique.
Il traite le domaine de la physique des semi-conducteurs en particulier les composants
optoélectroniques. La première partie traite le fondamental de ces dispositifs. La deuxième partie
détaille le fonctionnement des photodétecteurs que sont les cellules photoconductrices, les
photodiodes, phototransistors, photoFETs, photothyristors, photomultiplicateurs ainsi que des
convertisseurs d’énergie solaire (cellules photovoltaïques). La troisième partie est consacrée à
l’étude des photoémetteur que sont les LEDs ou diodes électroluminescentes et les lasers à semi-
conducteurs. Le couplage de ces composants d’extrémité est évoqué dans une quatrième partie.

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