Laboratorio Nº 2:

“POLARIZACION DE TRANSISTORES BIPOLARES”

RESUMEN:
 En el laboratorio realizamos la práctica de polarización de transistores usando un
modelo 2N2222 para determinar la ganancia que hay en corriente de emisor
común, así mismo identificamos sus curvas de nivel y hallamos las caídas de
voltaje en las diferentes resistencias que manejamos en nuestro montaje.

PALABRAS CLAVE:
Transistor, Diodo, resistencia, polaridad.

1.INTRODUCCIÓN
1.1. Marco teórico
 El transistor es un dispositivo semiconductor de tres capas. El material
constituyendo cada capa definirá el tipo de transistor. Existe el transistor NPN
(Figura 1), que consta de dos capas de material tipo n y una de material tipo p. El
otro tipo de transistor es el PNP (Figura 2), que consta de dos capas de material
tipo p y un tipo n. La capa de emisor suele ser muy dopada, la base ligeramente, y
el colector solo un poco. Las capas externas del transistor son más gruesas que la
capa encontrada en la mitad de estas. La capa del centro (la base), tendrá un
menor dopado que las capas externas. Esto para reducir la conductividad,
aumentándosela resistencia del material conformando la base, al limitar el número
de portadores libres.

 
 

 
Los dispositivos semiconductores de tres terminales como el transistor son
empleados en múltiples aplicaciones como amplificadores de señales para el
diseño de lógica digital y circuitos de memoria. El transistor maneja como principio
el uso de voltaje entre dos de sus terminales para controlar la corriente presente
en la tercera terminal. Por lo que se puede usar para generar una fuente
controlada, lo cual es lo básico para el diseño de un amplificador
(electrónica análoga). En otro caso la señal controlada puede
emplearse para que la corriente en el tercer terminal incremente desde cero hasta
un valor inmenso, de esta manera el dispositivo actuaría como un switch
(electrónica digital), lo cual es básico para los circuitos digitales.
Existen dos tipos de dispositivos semiconductores de tres terminales, el transistor
de unión bipolar (BJT, bipolar junction transistor) y los FET. En el laboratorio se
trabajó con el transistor BJT.
El transistor BJT consiste en dos uniones PN (dos diodos). Es altamente usado en
circuitos discretos. Posee tres terminales, cada terminal tiene un nombre que
corresponde a su función. El terminal emisor como su nombre lo indica,
lanza portadores de carga hacia la base. El terminal base ejercerá control sobre
los portadores enviados. Finalmente, los portadores son recogidos por el
terminal colector. Este tipo de transistor puede actuar como amplificador o switch.
Por lo que tiene tres tipos de operación. Cuando está en estado activo, el
transistor opera como un amplificador, IC=Βib. En saturación, el transistor opera
como un switch prendido por lo que IC= I(saturación). En corte el transistor opera
como un switch apagado por lo que IC= 0.

OBJETIVOS:
1. Evaluar e interpretar características fundamentales de transistores BJT.
2. Analizar un transistor bipolar, respecto de la medición de sus terminales.
3. Verificar la polarización y Zonas de trabajo del transistor BJT.
4. Medir el punto Q de operación del transistor.
5. Observar el comportamiento del transistor en las zonas de corte y saturación.
6. Polarizar un transistor BJT NPN para ubicar su punto de operación en la región
activa, utilizando los circuitos de polarización fija y divisor de voltaje.
7. Comprobar experimentalmente el nivel de estabilidad del punto de operación Q
de un transistor BJT NPN debido a los cambios de temperatura y los parámetros
internos del dispositivo.
PREGUNTAS PREVIAS:
1. ¿Explique el procedimiento a seguir para determinar el estado, tipo de transistor
e Identificar cada uno de los terminales de los transistores bipolares?
2. ¿Cuáles son las zonas de trabajo que tiene el transistor?
3. ¿De qué depende la corriente de colector en la FIG 2?
4. ¿De qué depende la corriente de colector en la FIG 3?
5. ¿Por qué se utiliza una resistencia en emisor (Re) para estabilizar el punto Q?
6. Determine la ICSAT o ICMAX y VCEMAX. Calcule los valores para ICQ y VCEQ
en cada uno de los circuitos.
7. ¿Al aumentar la temperatura en el transistor qué efecto se produce sobre la
corriente de colector, y sobre la corriente de base?

EQUIPO NECESARIO:
1 Protoboard
1 Fuente de voltaje Regulada
1 DVM
1 Punta de prueba para DVM
1 Generador de señal con su respectiva punta de prueba
1 Osciloscopio con sus respectivas puntas de prueba

COMPONENTES NECESARIOS:
1 Resistencias de 100, 1k, 6.8k, 8.2k, 36k, 56k, 100K, otras de 1/2 de watt
1 2n3904, 2n3906, Tip 41, Tip 42
3 Transistor 2n2222
1 Potenciómetro de 50K y 100K para montaje en protoboards
 Al inicio de la práctica deben presentar la solución de las preguntas previas.
 Es necesario que tenga presente la forma en que vienen interconectados
los diferentes contactos de los "protoboards" y cómo realizar conexiones en
ellos.
PROCEDIMIENTO:

TERMINALES DE TRANSISTORES NPN y PNP

1. Mida el transistor con tester en escala de diodo. Concluya finalmente el tipo de

transistor y el nombre de cada uno de los terminales para cada uno de los
transistores listados en la tabla de elementos.
2. Utilizando el Multímetro determine el β de cada uno de los elementos. De que
otra forma se puede determinar este parámetro.
3. Mediante el manual técnico consulte la asignación de terminales y compruebe
con lo obtenido en forma práctica e indique además las características más
importantes de cada uno de ellos.

ZONAS DE TRABAJO DEL TRANSISTOR BJT

4. Implemente el circuito de la Fig. 1. Ajuste el voltaje VBB (entre 0 Volts y 10
Volts) y con el multímetro mida los voltajes entre colector y emisor VCE; el voltaje
en la resistencia RB, el voltaje en la resistencia RC para completar la siguiente
tabla (agregue las filas necesarias para completar hasta 10V).

VBB V(RC) V(RB) VCE VBE

0 0.00 0.00 0.00 0.00
1 0.88 0.57 4.12 0.60
2 2.19 1.48 2.89 0.67
3 3.45 2.33 1.53 0.63
4 4.78 3.33 0.27 0.60
5 4.93 4.39 0.054 0.61
6 4.95 5.31 0.032 0.62
7 4.95 6.36 0.025 0.63
8 4.96 7.45 0.022 0.65

5. Con los valores obtenidos en la tabla anterior, determine el estado o zona en

que está trabajando el transistor (Activa, saturación o corte) para cada fila de la
tabla, indicando las razones de cada una de ellas además del estado de la unión
base emisor y base colector.

6. Para todos los casos en que el transistor trabaja en la zona activa, determine el
valor de la relación Ic / Ib. ¿A qué parámetro del transistor corresponde dicho
valor?; (Las corrientes Ic e Ib se puede obtener utilizando la ley de Ohm, esto es, I
= V / R en cada caso).

CIRCUITO DE POLARIZACION FIJA

7. Implemente el circuito de la FIG 2.

8. Mida los voltajes VCE, VBE, VC, VE, VB, VRB, VRE, VRC. Si no se encuentra
en el punto medio de la recta de carga varié la resistencia RB.

VCC VCE VBE VC VE VB VRB VRE VRC

12V 6.07V 0.60V 6.06V 0.00V 0.61V 0.00V 0.00V 1.72V

9. Determine el β del transistor a partir de la corriente de colector y la corriente de

base.
IB=0.31mA
IC=0.12A
B=IC/IB
B=0.12A/0.31mA
B=387
10. Cambie el transistor por otro de la misma referencia, Mida nuevamente los
voltajes en el circuito y determine el β. Si existen diferencias explique la razón.
VCC VCE VBE VC VE VB VRB VRE VRC
12V 0.01V 0.49V 8.35V 0.00V 0.54V 0.00V 0.00V 0.00V
11. Al circuito polarizado en el punto medio de la recta de carga auméntele la
temperatura de forma progresiva y realice las mediciones de voltaje a diferentes
temperaturas. ¿Qué sucede con el punto Q? ¿Cómo cambian los parámetros
internos del transistor al aumentar la temperatura?

Figura 1 Figura 2 Figura 3

°C IB IC VCE IB IC VCE IB IC VCE
Ti(24.1) 7.3 1.33 5.69 6.4 1.23 9.1 11.1 1.98 3.24
7 4
Tf(78) 7.4 1.73 3.84 5.5 1.45 8.09 8.95 2.06 2.9
5 8

CIRCUITO DE POLARIZACION POR DIVISOR DE VOLTAJE

12. Implemente el circuito de la Fig. 3 y repita los puntos 8, 9, 10 y 11.

 VCC VCE VBE VC VE VB VRB VRE VRC
12V 6.17V 0.61V 8.47V 2.29V 2.91V 8.68V 2.29V 0.22V

VCC VCE VBE VC VE VB VRB VRE VRC

12V 7.52V 0.64V 8.65V 1.12V 1.77V 8.76V 1.12V 0.10V

13. Qué ventajas y desventajas tiene la implementación de esta configuración con

respecto a la anterior.
 Ofrece una buena ganancia de amplificación.
 Generan un nivel muy alto de ruido.
 Generan gran temperatura.
 Tiene una baja impedancia de entrada.
14. Después de haber llevado a la práctica las configuraciones básicas para
polarizar a un BJT ¿cuál considera más estable respecto a las variaciones de
temperatura?
Considero más estable respecto a las variaciones de temperatura a la figura n°3.
15. Diseñe un cuadro de datos y compare los resultados prácticos con los teóricos
y los obtenidos en la simulación. Que puede concluir a partir de esta tabla.

VALOR TEORICO VALOR PRACTICO

ICQ IBQ VCEQ ICQ IBQ VCEQ N°
1,51 uA 7,57 mA 4,89V 1,34 7,38 5,69 1
1,50 7,38 4,94 2
1,64 7,38 4,28 3

CONCLUCIONES
 Hemos realizado la forma de utilizar, medir y conocer las aplicaciones de
los transistores, así como sus materiales de composición y los instrumentos
para tomas lecturas.
 Las pruebas que hemos llevado a cabo sobre los transistores nos dan
referencias fidedignas de tres parámetros que podemos identificar como
son:
1) La polaridad del transistor NPN (o PNP en su caso).
2) De lo que se deduce y podemos afirmar a qué electrodo corresponde cada
patilla, bien sea: BASE, COLECTOR o EMISOR.
3) Y por último y no menos significativo, nos da una idea bastante aproximada de
la ganancia del transistor en términos relativos.