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Multiphysikalische Finite-Elemente-Simulation von In-Situ-Mikropillar-

Kompressionsexperimenten mit elektrischer Charakterisierung

Student
Kevin D. Silva

Betreuer
M.Sc. Hauke-Lars Honig
Gliederung

1. Probleme und Ziele

2. Simulationen jedes Effekt und alles zusammenführung.

3. Zusammenfassung und Ausblick

2 Kevin Silva, Hauke-Lars Honig


1. Probleme und Ziele

→ Untersuchung der verschiedenen physikalischen Phänomene bei


der plastischen Verformung

→ Vorschläge für optimale Versuchsbedingungen, um den Einfluss


zu minimieren

3 Kevin Silva, Hauke-Lars Honig


Software

Bilde: COMSOL Webseite


4 Kevin Silva, Hauke-Lars Honig
Geometrie

Geometrie
2D Achsensymmetrisch

Multilayer Systeme
Al/Ni
10 Schichten

5 Kevin Silva, Hauke-Lars Honig


Elektrischer Stromkreis

6 Kevin Silva, Hauke-Lars Honig


Bedingungen

Geometrie Ströme:
2D achsensymmetrisch 1 – 10 – 100 – 1000 μA

Multilayer Systeme Durchmesser:


Al/Ni 0,3 – 1 – 2 μm
10 Schichten

7 Kevin Silva, Hauke-Lars Honig


Effekte

1) Joule-Heizung

I Qcond Qrad

8 Kevin Silva, Hauke-Lars Honig


Effekte

1) Joule-Heizung
2) Seebeck-Effekt

I Qcond Qrad

9 Kevin Silva, Hauke-Lars Honig


Effekte

Rc 1) Joule-Heizung
2) Seebeck-Effekt
3) Kontaktwiderstand
I Qcond Qrad

10 Kevin Silva, Hauke-Lars Honig


Effekte F

Rc 1) Joule-Heizung
2) Seebeck-Effekt
3) Kontaktwiderstand
I Qcond Qrad
4) Verformung

11 Kevin Silva, Hauke-Lars Honig


3D Modell

12 Kevin Silva, Hauke-Lars Honig


2. Simulationen jedes Effekt :
Joule-Heizung
Randbedingungen: Masse

0V

14 Kevin Silva, Hauke-Lars Honig


Randbedingungen: Stromquelle

8,774 μm : diameter of the diamond flattop


Current Current Area Current Density Current Density
[μA] [mA] [μm²] [mA/μm²] [A/m²]
1 0,001 60,46 0,000017 16539,70
10 0,01 60,46 0,000165 165397,01
100 0,1 60,46 0,001654 1653970,15
1000 1 60,46 0,016540 16539701,49

15 Kevin Silva, Hauke-Lars Honig


Randbedingungen: Temperatur

Temperatur
293.15 K

16 Kevin Silva, Hauke-Lars Honig


Randbedingungen: Wärmestrahlung

Emissivität
ε = 0.05 (poliertes Aluminium)

17 Kevin Silva, Hauke-Lars Honig


Meshing

Dreieckiges Netz

18 Kevin Silva, Hauke-Lars Honig


Vergleich: Diamant- und Wolframindenter
Elektrisches Potential (V) – 1000 μA

22 22

20 20

18 18

16 16

14 14

12 12
Points

Points
10 10

8 8

6 6
0,3 μm
4 1 μm 4 0,3 μm
2 μm 1 μm
2 2
2 μm
0 0
10-4 -3
10 -2
10 10-1
100
10 1 2
10 3
10 2x10-4 4x10-4 6x10-4 8x10-4 10-3
Electric Potential (V) Electric Potential (V)

Diamant Wolfram

19 Kevin Silva, Hauke-Lars Honig


Vergleich: Diamant- und Wolframindenter
Elektrisches Potential (V) – 1000 μA - 0.3 µm

Vmax = 84 V Vmax = 0.9906 mV

Diamant Wolfram

20 Kevin Silva, Hauke-Lars Honig


Vergleich: Diamant- und Wolframindenter
Temperatur (K) - 1000 μA

22 22

20 20 0,3 μm
0,3 μm
18 18
1 μm
1 μm
2 μm
16 2 μm 16

14 14

12 12
Points

Points
10 10

8 8

6 6

4 4

2 2

0 0
290 295 300 305 310 315 320 325 330 293,150 293,152 293,154 293,156 293,158 293,160
Temperature (K) Temperature (K)

Diamant Wolfram

21 Kevin Silva, Hauke-Lars Honig


Vergleich: Diamant- und Wolframindenter
Temperatur (K) - 1000 μA – 0.3 µm

Tmax = 324 K Tmax = 293,159 K

Diamant Wolfram

22 Kevin Silva, Hauke-Lars Honig


Verhältnis Up/Ut

Up = x•Ut → Up/Ut = x
Up/Ut Diamant
- 0,3 µm 1 µm 2 µm
1 μA 1,045E-05 1,4603E-05 1,5483E-05
10 μA 1,045E-05 1,4603E-05 1,5483E-05
1000 μA 1,045E-05 1,4603E-05 1,5483E-05

Up/Ut Wolfram
- 0,3 µm 1 µm 2 µm
1 μA 0,8887 0,9184 0,9255
10 μA 0,8887 0,9184 0,9255
1000 μA 0,8887 0,9184 0,9255

Diamant → Up/Ut [%] ≈ 0,0014 %

Wolfram → Up/Ut [%] ≈ 91 %

23 Kevin Silva, Hauke-Lars Honig


2. Simulationen jedes Effekt :
Joule-Heizung + Seebeck-Effekt
Seebeck-Effekt mit Wolframflattop
Temperatur
Tungsten
11
Material α [µV/K] *

Si 440
10
Al 3,5
Ni -15
Si3N4 5E6 9
Height (µm)

W 7.5 Flattop
*Seebeck-Koeffizienten 8
im Vergleich zu Platin

6
Mikropillar Nickel
Rückelektrode
Bedingung 5
293,15 293,16 293,17 293,18 293,19 293,20 293,21
Durchmesser Pillar: 0,3 µm Temperature (K)
Strom: 1000 µA
*Moffat. R., “Notes on Using Thermocouples”, Electronics Cooling, Vol. 3, No. 1, 1997.

25 Kevin Silva, Hauke-Lars Honig


Seebeck-Effekt mit Wolframflattop
Temperatur (K)
Tmax = 293,205 K

Nickel Wolfram

Aluminium

Nickel
Si3N4
Bedingung
Durchmesser Pillar: 0,3 µm Silizium Substrat
Strom: 1000 µA

26 Kevin Silva, Hauke-Lars Honig


Seebeck-Effekt mit Wolframflattop
Elektrisches Potential (V)
Vmax = 0,991 mV

Bedingung
Durchmesser Pillar: 0,3 µm
Strom: 1000 µA

27 Kevin Silva, Hauke-Lars Honig


Vergleich des elektrischen Potentials mit
und ohne Seebeck-Effekt
11

With Seebeck Effect


10
Only Joule heating

9
Height (µm)

Bedingung 5
0,0004 0,0005 0,0006 0,0007 0,0008 0,0009 0,0010
Durchmesser Pillar: 0,3 µm
Electric Potential (V)
Strom: 1000 µA

28 Kevin Silva, Hauke-Lars Honig


Vergleich des elektrischen Potentials mit
und ohne Seebeck-Effekt
11

With Seebeck Effect


10
Only Joule heating

9
Height (µm)

Bedingung 5
Durchmesser Pillar: 0,3 µm 0,00090 0,00095 0,00100 0,00105
Electric Potential (V)
Strom: 1000 µA

29 Kevin Silva, Hauke-Lars Honig


2. Simulationen jedes Effekt :
Mechanisches Verhalten
Mechanisches Verhalten – Von Misses
Spannung [N/m²]

31 Kevin Silva, Hauke-Lars Honig


Mechanisches Verhalten – Von Misses
Spannung [N/m^2]

Verschiebung
30% der Höhe der Mikropillar

Friktion: 0,1

32 Kevin Silva, Hauke-Lars Honig


Mechanisches Verhalten – Von Misses
Spannung [N/m^2]

33 Kevin Silva, Hauke-Lars Honig


2. Simulationen jedes Effekt :
Joule-Heizung + Seebeck-Effekt + Kontaktwiderstand + Verformung
Elektrischer Kontaktwiderstand

ρ: durchschnittlicher spezifischer elektrischer Widerstand (z.B: Wolfram und Nickel)


H: Härte des weicheren Materials
F: Kraft
Electrical Contacts: Principles and Applications 2nd Ed. Paul Slade. Chapter 1

35 Kevin Silva, Hauke-Lars Honig


Elektrischer Kontaktwiderstand

Verwendete Kurve:
Nickel und Wolfram

F: 0...1 mN → für Simulationen

36 Kevin Silva, Hauke-Lars Honig


Kontaktwiderstand
Temperatur (K) – 1000 μA

Tmax = 293.26 K Tmax = 293.17 K

niedriger Kraft hoher Kraft

hoher Kontaktwiderstand niedriger Kontaktwiderstand

vor Verformung nach Verformung

37 Kevin Silva, Hauke-Lars Honig


Kontaktwiderstand
Elektrisches Potential (V) - 1000μA

Vmax = 30 mV Vmax = 0.4 mV

niedriger Kraft hoher Kraft

hoher Kontaktwiderstand niedriger Kontaktwiderstand

vor Verformung nach Verformung

38 Kevin Silva, Hauke-Lars Honig


Kontaktwiderstand
Verhältnis ΔU/Ut vs. F
Δ U U t −U p
=
Ut Ut
0,5

With Rc
0,4
Without Rc
DU/U t

0,3

0,2

0,1

0,0 0,2 0,4 0,6 0,8 1,0


Force (mN)
39 Kevin Silva, Hauke-Lars Honig
3. Zusammenfassung und Ausblick


Wolframflattop ist besser für die elektrische Charakterisierung der
Mikropillars.


Die obere Schicht sollte aus Nickel sein wegen möglichen Aluminiumoxids.


Hohe Ströme für kleine Mikropillar empfehlt nicht aufgrund der hohen
Temperatur

Nächste Schritte

Analyse der Änderung der elektrischen Eigenschaften wegen der
Verformung.

40 Kevin Silva, Hauke-Lars Honig


Vielen Dank für Ihre Aufmerksamkeit!