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CARACTERÍSTICA I – V DEL DIODO DE UNION

Objetivo
Determinar la curva característica del diodo.

Matrerial utilizado
Instrumentos : Multímetro digital (DMM).
Componentes : Dos resistores de 1 K y dos de 1 M a 0.5 W y 5%; dos diodos de
silicio 1N4004 y dos de germanio 1N60 o equivalente.
Fuente DC.
1 cautín.

Trabajo Previo
Analizar teóricamente el circuito propuestos y determinar cuál es la señal de salida que se
espera obtener. Dibuje las formas de onda.

PROCEDIMIENTO

1. Prueba del Diodo

Ejecute esta prueba al diodo de silicio y de germanio usando la función prueba de diodo
del multímetro y escriba los resultados en la tabla 1.
Tabla 1.
Prueba Si Ge
En directo
En inverso
Basado en los resultados de las mediciones diga cuál es el estado de los diodos.

2. Características I-V de los diodos polarizados en directo

En esta parte del experimento se obtendrán suficientes datos para graficar las
características de los diodos de Si y Ge polarizados en directo.

a) Implemente el circuito de la figura 1. con la fuente DC

ajustada en 0V. Mida el resistor y escriba su valor en el
diagrama del circuito.

Figura 1.
b) Incremente el voltaje de la fuente hasta que en VR se lean los voltajes indicados en la
tabla 2, luego mida VD y calcule ID y escríbalos en dicha tabla.
Tabla 2. (Si)
VR(V) 0.1 0.2 0.3 0.4 0.5 0.6 0.7 0.8 0.9 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10
VD(V)
ID(mA)
c) Reemplace el diodo de silicio por el del germanio y repita el paso b). Escriba los
resultados en la tabla 3.
Tabla 3. (Ge)
VR(V) 0.1 0.2 0.3 0.4 0.5 0.6 0.7 0.8 0.9 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10
VD(V)
ID(mA)
d) Grafique ID versus VD en la figura 2. para los diodos de silicio y de germanio, iniciando
las gráficas en el origen del sistema. Identifique cada curva e indique claramente en
ellas los puntos de la tabla usados para obtener la curva. Sea muy cuidadoso en la
ubicación de dichos puntos.
e) Explique las similitudes y las diferencias entre estas curvas.

Figura 2.

3. Polarización en inverso
a) Implemente el circuito de la figura 3., mida el resistor y
escriba su valor en el diagrama del circuito. Debido a que la
corriente de saturación inversa es muy pequeña, es necesario
usar la resistencia de 1 M para que el voltaje medido a
través de ella tenga una magnitud mensurable.

Figura 3.
b) Mida el voltaje VR. Calcule la corriente de saturación inversa usando la fórmula :
VR
Is ! . Rm es la resistencia interna del multímetro y se debe tener en cuenta
Rmed . Rm
 debido al gran valor de la resistencia R. Si no conoce ese dato use típicamente el valor
de 10 M . Escriba los resultados en la tabla 4.
c) Repita lo anterior para el diodo de germanio y escriba los resultados en la misma
tabla.
Tabla 4.
Si Ge
Rm
VR (med.)
IS (calculada)
RD (calculada)

d) Compare los resultados de IS y explique sus diferencias.

e) Determine la magnitud de la resistencia DC (R D) para los dos diodos y escriba los
resultados en la tabla anterior.
f) Son los valores de esa resistencia suficientemente altos para considerar al diodo como
un circuito abierto si se usa en un circuito en serie con un resistor cuyo valor esté en
un rango bajo de K .

4. Resistencia Estática (RD)

a) Usando la curva del diodo de silicio de la figura 2. determine el V D correspondiente a
los niveles de corriente indicados en la tabla 5. Luego determine R D para cada nivel de
corriente y escríbalos en dicha tabla. Escriba cómo realiza estos cálculos.
Tabla 5.
Si Ge
ID (mA) VD RD VD RD
0.2
1
5
10

b) Cuál es la tendencia de RD para el diodo cuando la corriente aumenta y el punto de

operación del diodo se mueve hacia la sección de crecimiento vertical de la
característica. Explique este comportamiento.

5. Resistencia Dinámica (rd)

a) Con la ecuación respectiva determine rd para el diodo de silicio alrededor de ID = 9 mA
usando la curva de la figura 2. Escriba el procedimiento para realizar esta labor.
b) Determine la resistencia dinámica para esa misma corriente usando la ecuación
obtenida por cálculo a partir de la ecuación de corriente del diodo.
Compare los resultados de a) y b) y explique la diferencia.
c) Repita los pasos a) y b) para ID = 2 mA.
Compare estos resultados y explique la diferencia.
Los resultados anteriores escríbalos en la tabla 6.
Tabla 6.
ID (mA) rd (cal. por gráf.) rd (cal. por ecuac.)
9
2
6. Voltaje Umbral (VT)
Determine gráficamente el potencial de umbral de los diodos usando las curvas obtenidas
en la figura 2. muestre este resultado en dicha gráfica y escríbalos en la
tabla 7.
Tabla 7.
Si Ge
VT (V)

7. Demostración de los Efectos de la Temperatura

Implemente el circuito de la figura 1. usando el diodo de silicio y ajuste la fuente para que
VR = 1 V con lo cual se establece una corriente de aproximadamente 1 mA.
a) Coloque el voltímetro en los terminales del diodo y observe lo que sucede con la
lectura cuando se calienta el diodo con el cautín. Escriba el efecto en V D cuando este
se calienta.
b) Enfríe el diodo y coloque el voltímetro en los terminales del resistor, observe lo que
sucede con la lectura cuando se calienta el diodo con el cautín. Escriba el efecto en V R.
VR
Como ID = , escriba el efecto en la corriente del diodo como resultado de su
R
calentamiento.
VD
c) Como RD = , escriba el efecto en dicha resistencia cuando se incrementa la
ID
temperatura del diodo.
d) ¿El diodo semiconductor tiene un coeficiente de temperatura positivo o negativo?
Explique su respuesta.
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Objetivo: Interpretar la curva característica del diodo e identificar su potencial funcionalidad.

Trabajo Previo
Analizar teóricamente el circuito propuestos y determinar cuál es la señal de salida que se
espera obtener. Dibuje las formas de onda.

1. Encuentre la forma de onda VL y calcule la potencia entregada a la carga RL, del circuito de
la figura 1.

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5* Encuentre la forma de onda VL y la potencia entregada a la carga RL.

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)* Encuentre la forma de onda VL y la potencia entregada a la carga RL.

Corregir punto de tierra Vac rms

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PROCEDIMIENTO.

1- Conecte el rectificador de media onda , figura 1, y tome la forma de onda

de VL (magnitud VS tiempo) utilizando el osciloscopio.

2- Conecte el rectificador de onda completa de la figura 2 y tome la forma

de onda de VL (magnitud VS tiempo) utilizando el osciloscopio.

3- Conecte el sistema electrónico propuesto en la figura 3 y transcriba la forma

de onda VL.
 4- Invierta el sentido a los 4 diodos y transcriba VL

5- Traslade el conector central del secundario al otro extremo de 12.5V y mida VL, con el
voltímetro en modalidades V A.C y V D.C.
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Objetivo: aprovechar la propiedad de conducción unidireccional del diodo para imponerle

condiciones especiales a una señal de tensión.

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Objetivo: Conocer las características de un regulador de tensión para la optimización de
rectificadores de tensión.

Matrerial utilizado
Instrumentos : Multímetro digital (DMM) y osciloscopio.
Componentes : Resistores y capacitor de acuerdo a resultados de diseño; cuatro
diodos de silicio 1N4004.
Transformador con secundario 6 – 0 – 6.

PROCEDIMIENTO Y TRABAJO PREVIO.

1. Problema
Diseñar un regulador de tensión zener que entregue una tensión de aproximadamente 7.5
V a una carga cuya corriente varia entre 0 y 30 mA. La tensión de entrada al regulador es
suministrada por un rectificador de onda completa tipo puente con capacitor de filtro el
cual es alimentado desde la red pública de aproximadamente 120 Vrms y 60 Hz a través
del transformador con secundario 6 – 0 – 6 y esta tensión puede tener una variación de 2
V.

De acuerdo a los resultados obtenidos para los valores de los componentes, haga las
aproximaciones o las combinaciones que considere pertinentes según cada caso para la
adquisición correcta de dichos componentes.

1. Regulador de tensión con zener

a) Calcule el valor de Vr de la señal filtrada y escriba el resultado en la siguiente tabla.
Vr (calc.) Vr(med.) E(%)

b) Mida el valor de Vr usando el osciloscopio y encuentre el error porcentual entre el valor

calculado y valor medido y escríbalos en la tabla anterior.

c) Calcule la regulación de línea del regulador, calcule el cambio en el voltaje de salida

del regulador producido por el cambio total en el voltaje de entrada del regulador,
 calcule la regulación de carga del regulador y escriba los resultados en la siguiente
tabla.
Reg. línea VL Reg. carga
Valor calc.
Valor med.
E (%)

d) Mida con la ayuda del osciloscopio la regulación de línea y el cambio en el voltaje de

salida del regulador producido por el cambio total en el voltaje de entrada del
regulador y encuentre el error porcentual entre los valores medidos y calculados. Mida
con la ayuda del multímetro la regulación de carga y encuentre el error porcentual
entre el valor medido y el valor calculado. Escriba estos resultados en la tabla anterior.

ACTIVIDAD PREVIA Y FINAL DE LA PRACTICA

Al iniciar la practica debe entregar un documento que contenga la información

correspondiente a todos los cálculos del respectivo diseño.

Al finalizar la practica debe entregar un documento que contenga los resultados de los
valores medidos.
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Objetivo: Familiarizarse con los transistores, la identificación de sus terminales y la forma como
se emplean en circuitos prácticos.

- Establecer el funcionamiento de diferentes circuitos de polarización y comprobar las

características de los transistores.
-

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Fuente de corriente básica

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?. Monte el circuito de la figura 6. Note que en él se utiliza una fotocelda o fotoresistencia. La

idea es que al pasar la mano por encima de la fotocelda el LED cambie de estado (on – off).
 a. Compruebe el funcionamiento del circuito.
b. Calcule la corriente del colector si Vce=0,3V y en el LED encendido caen 1,8V.
c. Halle el valor de resistencia de la fotocelda en el momento en que el LED está encendido
plenamente (saturación) y en el momento en que está apagado (corte).
2. Monte el circuito de la figura 7 y mida Ib, Ic y Vce colocando amperímetros y
voltímetros en el sitio correspondiente. Compare estos valores con los que obtuvo haciendo
los cálculos teóricos. Concluir sobre las posibles diferencias.

b) Cambiar la resistencia de 330K por una de 10K de la figura 7. Realizar el mismo procedimiento
que en el punto anterior. Concluir.

P. En el circuito de la figura 8 medir también Ic, Ib y Vce, comparar con los datos teóricos y
concluir. b) Concluir sobre el efecto de la resistencia de emisor.

4. En el circuito de la figura 9 medir también Ic, Ib y Vce, comparar con los datos teóricos y
concluir.
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OBJETIVOS
1. Recordar la prueba de transistores con el multímetro.
2. Medir los parámetros involucrados con el transistor bipolar trabajando en conmutación (corte y
saturación).
3. Calcular algunos parámetros de este modo de operación con las mediciones anteriores.

EQUIPOS Y MATERIALES REQUERIDOS

Multímetro digital. Protoboard. 3 transistores 2N3904.
1 piloto axial de 12V. 4 LED rojos. Resistores RC1, RB1, RC2, RB2 de acuerdo a
diseño.
5 cables caimán-caimán. Alambre telefónico.

NOTA: 1. Piloto axial de 12V a 50mA.

2. Para los LED asuma VF=2V e IF=15mA.
3. Para los resistores también haga el cálculo de la potencia.
4. Deben proveer dos fuentes reguladas de 15V y 7V.

Procedimiento
1. Prueba de transistores.
Ejecute esta prueba de los transistores usando la función:
Prueba del diodo del multímetro digital. En esta prueba se miden los diodos
correspondientes a la uniones base-emisor y base-colector polarizado en directo y en
inverso y escriba los resultados de la tabla 1.
2. Medición de Beta del multímetro digital. En esta prueba se mide el beta del
transistor y el multímetro se debe colocar en la función Hfe NPN. Escriba los
resultados en la tabla1.
Nota: El transistor usado como conmutador controlando el piloto axial se designa
como Q1, y el que se usa controlando los LEDs se designa como Q2.
Prueba Q1 Q2
Unión B-E polarizada en
directo
Unión B-E polarizada en
dinverso
Unión B-C polarizada en
directo
Unión B-C polarizada en
inverso
Β (beta)

3. Transistor en conmutación controlando el piloto axial. Monte en e protoboard el

circuito 1.
 R en frio y en caliente

Borrar resistencia del filamento

Ib(sat)=%IB
Ib=Ic/Bmin

2.1 Transistor operando en corte: Aplique Vi = 0V.

Realizar las mediciones indicadas en el cuadro.
Q1 RB1 RC1 RP VB VRC1 VCE VCB VP
Medidos

2.2 Transistor operando en saturación: Aplique Vi=7V.

a) Realizar las mediciones indicadas en el cuadro.
Q1 VB VRC1 VCE VCB VP
Medidos

b) Usando las mediciones realizadas que sean del caso, haga los cálculos indicados en el cuadro.
Q1 RP IB IC β(forzada)
Calculados

3. Transistor en conmutación controlando diodos LED

Monte en el protoboard el circuito de la figura 2.

Rb=vi-vbe(sat)/Ib(sat)

3.1 Transistor operando en corte: Aplique Vi = 0V.

Realizar las mediciones indicadas en el cuadro.
Q2 RB2 RC2 RD VB VRC2 VCE VCB VD
Medidos

3.2 Transistor operando en saturación: Aplique Vi = 7V.

a) Realizar las mediciones indicadas en el cuadro.
Q2 VB VRC2 VCE VCB VD
Medidos
 b) Usando las mediciones realizadas que sean del caso, haga los cálculos indicados en el
cuadro.
Q2 RD IB IC β(forzada)
Calculados

ANALISIS DE RESULTADOS
1. Para el circuito de la figura 1 explicar :
a) La diferencia presentada entre la resistencia medida y calculada del piloto axial.
b) Según las mediciones realizadas explicar con 2 razones por qué el transistor está en corte.
c) Según las mediciones realizadas explicar con 2 razones por qué el transistor está en
saturación.

2. Para el circuito de la figura 2: explicar la diferencia presentada entre la resistencia medida y

calculada para cada LED.

ACTIVIDAD PREVIA Y POSTERIOR A LA PRACTICA

Al iniciar la práctica debe entregar un documento con los resultados de los cálculos RB1, RB2, RC1
y RC2 (valor y potencia) usando para ello los valores de los parámetros dados para el piloto axial,
los LEDs y β. Resumir esos resultados en un cuadro similar al de la directiva.

Al finalizar la práctica debe entregar un documento con los resultados de las mediciones dadas.
Dichos resultados se deben presentar en cuadros similares a los de la directiva.
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Objetivo: Diseñar un circuito amplificador de pequeña señal a partir de las curvas características
del BJT.

TRABAJO PREVIO:

1. Consulte datasheet de los transistores 2N3904 y 2N3906.

2. Haga uso de la información para trazar su propia versión de las curvas

características estáticas de los transistores 2N3904 y 2N3906. Señale sobre
ellas los límites de la región activa (lineal).

3. Seleccione la fuente Vcc con la que polarizara el B.J.T y trace la línea de carga
C.C correspondiente. Así mismo, sobre la línea de carga defina el punto Q más
adecuado para que funcione como amplificador de pequeña señal.

4. Diseñe un circuito polarizador que cumpla con el punto Q seleccionado.

5. Basado en el circuito diseñado en el numeral 4, calcule la ganancia máxima (sin

carga).

6. Asuma una carga resistiva a la salida de 1KΩ y calcule las capacitancias de acople
para que la frecuencia de corte baja sea de 300HZ.

7. Para el circuito configurado en el numeral 6, calcule las cuatro características

eléctricas.

Av0= Ganancia a frecuencias

intermedias. Ri= Resistencia de

entrada. R0=Resistencia de

salida.

Ai: Amplificación de corriente a frecuencias intermedias.

 8. Revise los conceptos de: Ganancia relativa (en decibelios). Ancho de banda.

9. Plantear los cambios pertinentes para construir el amplificador con el transistor

2N3904.

PROCEDIMIENTO:

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