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Diseño de un oscilador de alta frecuencia

Electrónica de Alta Frecuencia
Jossue Camacho
Escuela Politécnica Nacional
Facultad de Ingenierı́a Eléctrica y Electrónica
jossue.camacho@epn.edu.ec

I. U TILIZANDO EL TRANSISTOR DESCRITO EN LA W IKI , B. Determinación de los elementos del circuito oscilante de
DISE ÑE Y SIMULE UN OSCILADOR DE FRECUENCIA Colpitts.
MAYOR A 200 MH Z CON VOLTAJE DE SALIDA PICO
MAYOR A 1V Y CARGA DE 1KO HMS .

Para poder trabajar a la frecuencia pedida se hizo uso del C1 = CT (1 + Av)

transistor 2n5210. CT (1 + Av)
C2 =
Av
−→ C1 = 1[nF ]
−→ C2 = CT = 100[pF ]
Av ∗ H ≥ 1
C2
H=
C1
= 0.1
−→ Av ∗ H = 1
1
f0 = √
2 ∗ π ∗ LC
L = 6.33[nH]
−→ L = 6.8[nH]

Fig. 1. Circuito diseñado

C. Determinación de RE1

A. Aplicación del teorema de Miller

RL ||RC
AV =
re0 + RE1
ZinT  R1 ||R2
ZinT = (520)(re0 + RE1 )
re0 + RE1 ≥ 1.92
CBC (Av + 1)
CCBC2 = −→ RE1 = 82[Ω]
Av vop
4pF ∗ 6 iop ≥
= RL
5
CCBC2 = 4.8[bpF ]
 2

1.5 VBQ 2 + 0.7

iop ≥ R2 ≤ =
824.56 I2 192.23[µA]
iop ≥ 1.82[mA] R2 ≤ 14.82[KΩ]
ICQ ≥ iop −→ R2 = 12[KΩ]
ICQ = 10[mA] VR1 VCC − VB
R1 ≤ =
26[mV ] I1 IB + I2
re0 =
10[mA] 52 − 2 − 0.7
R1 ≤
re0 = 2.6 200[µA]
−→ R1 = 220[KΩ]

F. Determinación de los valores de los capacitores

D. Determinación de VCC y RE2
XC  RL
10
≤ CC
2 ∗ π ∗ f0 ∗ RL
VCE ≥ (Vop + Vinp + VCEQ ) ∗ 1.25 CC ≥ 7.96[pF ]
VCE ≥ (1.5V + 150mV + 0.7) ∗ 1.25 CC = 10[nF ]
VCE ≥ 2.9375 XE  RE2
10
VCE = 3[V ] ≤ CE
2πf0 ∗ RE2
P dis = 3 ∗ (10mA)
CE ≥ 66.31[pF ]
= 30[mW ]
−→ CE = 1[nF ]
VEQ ≥ Vin + 1
XB  Zinamp
VEQ ≥ 150mV + 1
(R1 ||R2 ||ZinT ) ≥ 10XB
VEQ ≥ 1.5[V ]
ZinT = (520)(2.6 + 82)
VEQ = 2[V ]
ZinT = 43.992[KΩ]
VCC = VEQ + VCEQ + VRc
10XC ≤ (43.99K||12K||220K)
VCC = 2 + 3 + 47
CB ≥ 0.88[pF ]
−→ VCC = 52[V ]
−→ CB = 1[pF ]
VE
RE =
IE
2
=
10mA
= 200[Ω]
RE2 = RE − RE1
= 200 − 82
= 118
−→ RE2 = 120[Ω]

E. Determinación de R2 y R1

10mA
IBQ = = 19.23[µA]
520
I2  IIBQ
I2 ≥ 192.23[µA]