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Technische Information / Technical Information

IGBT-Module
IGBT-Modules FP10R12KE3
Vorläufig
Preliminary
Elektrische Eigenschaften / Electrical properties
Höchstzulässige Werte / Maximum rated values
Diode Gleichrichter/ Diode Rectifier
Periodische Rückw. Spitzensperrspannung
T vj =25°C VRRM 1600 V
repetitive peak reverse voltage
Durchlaßstrom Grenzeffektivwert pro Chip
T C =80°C IFRMSM 25 A
RMS forward current per chip
Gleichrichter Ausgang Grenzeffektivstrom
T C =80°C IRMSmax 36 A
maximum RMS current at Rectifier output
Stoßstrom Grenzwert tP = 10 ms, T vj = 25°C IFSM 196 A
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surge forward current tP = 10 ms, T vj = 150°C 158 A
Grenzlastintegral tP = 10 ms, T vj = 25°C I2t 192 A2s
I2t - value tP = 10 ms, T vj = 150°C 125 A2s

Transistor Wechselrichter/ Transistor Inverter


Kollektor-Emitter-Sperrspannung
T vj =25°C VCES 1200 V
collector-emitter voltage
Kollektor-Dauergleichstrom T C = 80°C IC,nom. 10 A
DC-collector current T C = 25 °C IC 15 A
Periodischer Kollektor Spitzenstrom
tP = 1 ms, T C =80°C ICRM 20 A
repetitive peak collector current
Gesamt-Verlustleistung
T C = 25°C Ptot 55 W
total power dissipation
Gate-Emitter-Spitzenspannung
VGES +/- 20V V
gate-emitter peak voltage

Diode Wechselrichter/ Diode Inverter


Dauergleichstrom
IF 10 A
DC forward current
Periodischer Spitzenstrom
tP = 1 ms IFRM 20 A
repetitive peak forw. current
Grenzlastintegral
VR = 0V, tp = 10ms, T vj = 125°C I2t 20 A2s
I2t - value

Transistor Brems-Chopper/ Transistor Brake-Chopper


Kollektor-Emitter-Sperrspannung
T vj =25°C VCES 1200 V
collector-emitter voltage
Kollektor-Dauergleichstrom T C = 80 °C IC,nom. 10 A
DC-collector current T C = 25 °C IC 15 A
Periodischer Kollektor Spitzenstrom
tP = 1 ms, T C = 80°C ICRM 20 A
repetitive peak collector current
Gesamt-Verlustleistung
T C = 25°C Ptot 55 W
total power dissipation
Gate-Emitter-Spitzenspannung
VGES +/- 20V V
gate-emitter peak voltage

Diode Brems-Chopper/ Diode Brake-Chopper


Dauergleichstrom
IF 10 A
DC forward current
Periodischer Spitzenstrom
tP = 1 ms IFRM 20 A
repetitive peak forw. current

prepared by: Thomas Passe date of publication: 2002-02-14

approved by: Ingo Graf revision: 6

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Technische Information / Technical Information
IGBT-Module
IGBT-Modules FP10R12KE3
Vorläufig
Preliminary
Modul Isolation/ Module Isolation
Isolations-Prüfspannung RMS, f = 50 Hz, t = 1 min.
VISOL 2,5 kV
insulation test voltage NTC connected to Baseplate

Elektrische Eigenschaften / Electrical properties


Charakteristische Werte / Characteristic values
Diode Gleichrichter/ Diode Rectifier min. typ. max.
Durchlaßspannung
T vj = 150°C, IF = 10 A VF - 0,95 - V
forward voltage
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Schleusenspannung
T vj = 150°C V(TO) - 0,78 V
threshold voltage
Ersatzwiderstand
T vj = 150°C rT - 17 mW
slope resistance
Sperrstrom
T vj = 150°C, VR = 1600 V IR - 5 - mA
reverse current
Modul Leitungswiderstand, Anschlüsse-Chip
T C = 25°C RAA'+CC' - 11 - mW
lead resistance, terminals-chip

Transistor Wechselrichter/ Transistor Inverter min. typ. max.


Kollektor-Emitter Sättigungsspannung VGE = 15V, Tvj = 25°C, IC = 10 A VCE sat - 1,9 2,45 V
collector-emitter saturation voltage VGE = 15V, Tvj = 125°C, IC = 10 A - 2,3 - V
Gate-Schwellenspannung
VCE = VGE, T vj = 25°C, IC = 0,3mA VGE(TO) 4,5 5,5 6,5 V
gate threshold voltage
Eingangskapazität f = 1MHz, Tvj = 25°C
Cies - 0,6 - nF
input capacitance VCE = 25 V, VGE = 0 V
Kollektor-Emitter Reststrom
VGE = 0V, Tvj =125°C, VCE = 1200V ICES - 5,0 - mA
collector-emitter cut-off current
Gate-Emitter Reststrom
VCE = 0V, VGE =20V, Tvj =25°C IGES - - 400 nA
gate-emitter leakage current
Einschaltverzögerungszeit (ind. Last) IC = INenn, VCC = 600 V
turn on delay time (inductive load) VGE = ±15V, T vj = 25°C, RG = 100 Ohm td,on - 52 - ns
VGE = ±15V, T vj = 125°C, RG = 100 Ohm - 50 - ns
Anstiegszeit (induktive Last) IC = INenn, VCC = 600 V
rise time (inductive load) VGE = ±15V, T vj = 25°C, RG = 100 Ohm tr - 20 - ns
VGE = ±15V, T vj = 125°C, RG = 100 Ohm - 30 - ns
Abschaltverzögerungszeit (ind. Last) IC = INenn, VCC = 600 V
turn off delay time (inductive load) VGE = ±15V, T vj = 25°C, RG = 100 Ohm td,off - 292 - ns
VGE = ±15V, T vj = 125°C, RG = 100 Ohm - 391 - ns
Fallzeit (induktive Last) IC = INenn, VCC = 600 V
fall time (inductive load) VGE = ±15V, T vj = 25°C, RG = 100 Ohm tf - 65 - ns
VGE = ±15V, T vj = 125°C, RG = 100 Ohm - 90 - ns
Einschaltverlustenergie pro Puls IC = INenn, VCC = 600 V
turn-on energy loss per pulse VGE = ±15V, T vj = 125°C, RG = 100 Ohm Eon - 1,42 - mWs
LS = 80 nH
Abschaltverlustenergie pro Puls IC = INenn, VCC = 600 V
turn-off energy loss per pulse VGE = ±15V, T vj = 125°C, RG = 100 Ohm Eoff - 1,22 - mWs
LS = 80 nH
Kurzschlußverhalten tP £ 10µs, VGE £ 15V, RG = 100 Ohm
SC Data T vj£125°C, VCC = 720 V ISC - 40 - A

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Technische Information / Technical Information
IGBT-Module
IGBT-Modules FP10R12KE3
Vorläufig
Preliminary
Elektrische Eigenschaften / Electrical properties
Charakteristische Werte / Characteristic values
min. typ. max.
Modulinduktivität
LsCE - - 40 nH
stray inductance module
Modul Leitungswiderstand, Anschlüsse-Chip
T C = 25°C RCC'+EE' - 14 - mW
lead resistance, terminals-chip

Diode Wechselrichter/ Diode Inverter min. typ. max.


Durchlaßspannung VGE = 0V, Tvj = 25°C, IF = 10 A VF - 1,7 2,1 V
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forward voltage VGE = 0V, Tvj = 125°C, IF = 10 A - 1,7 - V
Rückstromspitze IF=INenn, - diF/dt = 550 A/us
peak reverse recovery current VGE = -10V, Tvj = 25°C, VR = 600 V IRM - 14 - A
VGE = -10V, Tvj = 125°C, VR = 600 V - 15 - A
Sperrverzögerungsladung IF=INenn, - diF/dt = 550 A/us
recovered charge VGE = -10V, Tvj = 25°C, VR = 600 V Qr - 1 - µAs
VGE = -10V, Tvj = 125°C, VR = 600 V - 1,8 - µAs
Abschaltenergie pro Puls IF=INenn, - diF/dt = 550 A/us
reverse recovery energy VGE = -10V, Tvj = 25°C, VR = 600 V Erec - 0,26 - mWs
VGE = -10V, Tvj = 125°C, VR = 600 V - 0,56 - mWs

Transistor Brems-Chopper/ Transistor Brake-Chopper min. typ. max.


Kollektor-Emitter Sättigungsspannung VGE = 15V, Tvj = 25°C, IC = 10,0 A VCE sat - 1,9 2,45 V
collector-emitter saturation voltage VGE = 15V, Tvj = 125°C, IC = 10,0 A - 2,3 - V
Gate-Schwellenspannung
VCE = VGE, T vj = 25°C, IC = 0,3mA VGE(TO) 4,5 5,5 6,5 V
gate threshold voltage
Eingangskapazität f = 1MHz, Tvj = 25°C
Cies - 0,6 - nF
input capacitance VCE = 25 V, VGE = 0 V
Kollektor-Emitter Reststrom - 5,0 - mA
VGE = 0V, Tvj = 125°C, VCE = 1200V
collector-emitter cut-off current
Gate-Emitter Reststrom
VCE = 0V, VGE = 20V, Tvj = 25°C IGES - - 400 nA
gate-emitter leakage current

Diode Brems-Chopper/ Diode Brake-Chopper min. typ. max.


Durchlaßspannung T vj = 25°C, IF = 10,0 A VF - 1,8 2,3 V
forward voltage T vj = 125°C, IF = 10,0 A - 1,85 - V

NTC-Widerstand/ NTC-Thermistor min. typ. max.


Nennwiderstand
rated resistance T C = 25°C R25 - 5 - kW

Abweichung von R100


deviation of R100 T C = 100°C, R100 = 493 W DR/R -5 5 %

Verlustleistung T C = 25°C P25 20 mW


power dissipation
B-Wert R2 = R1 exp [B(1/T2 - 1/T 1)] B25/50 3375 K
B-value

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Technische Information / Technical Information
IGBT-Module
IGBT-Modules FP10R12KE3
Vorläufig
Preliminary
Thermische Eigenschaften / Thermal properties
min. typ. max.
Innerer Wärmewiderstand Gleichr. Diode/ Rectif. Diode lPaste=1W/m*K RthJH - 1,9 - K/W
thermal resistance, junction to heatsink Trans. Wechsr./ Trans. Inverter lgrease=1W/m*K - 2,6 - K/W

Diode Wechsr./ Diode Inverter - 3,7 - K/W

Trans. Bremse/ Trans. Brake - 2,6 - K/W

Diode Bremse/ Diode Brake - 4,0 - K/W


Innerer Wärmewiderstand
www.DataSheet4U.com Gleichr. Diode/ Rectif. Diode RthJC - - 1,9 K/W
thermal resistance, junction to case
Trans. Wechsr./ Trans. Inverter - - 2,2 K/W

Diode Wechsr./ Diode Inverter - - 2,7 K/W


Trans. Bremse/ Trans. Brake - - 2,2 K/W
Diode Bremse/ Diode Brake - - 2,9 K/W
Übergangs-Wärmewiderstand Gleichr. Diode/ Rectif. Diode lPaste=1W/m*K RthCH - 0,2 - K/W
thermal resistance, case to heatsink
Trans. Wechsr./ Trans. Inverter lgrease=1W/m*K - 0,6 - K/W

Diode Wechsr./ Diode Inverter - 1,3 - K/W


Trans. Bremse/ Trans. Brake - 0,6 - K/W
Diode Bremse/ Diode Brake - 1,4 - K/W
Höchstzulässige Sperrschichttemperatur
T vj - - 150 °C
maximum junction temperature
Betriebstemperatur
T op -40 - 125 °C
operation temperature
Lagertemperatur
T stg -40 - 125 °C
storage temperature

Mechanische Eigenschaften / Mechanical properties

Innere Isolation
Al2O3
internal insulation
CTI
225
comperative tracking index
Anpreßkraft f. mech. Befestigung pro Feder F N
40...80
mounting force per clamp
Gewicht
G 36 g
weight
Kontakt - Kühlkörper Kriechstrecke
terminal to heatsink 13,5 mm
creeping distance

Luftstrecke
12 mm
clearance
Terminal - Terminal Kriechstrecke
terminal to terminal 7,5 mm
creeping distance

Luftstrecke
7,5 mm
clearance

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Technische Information / Technical Information
IGBT-Module
IGBT-Modules FP10R12KE3
Vorläufig
Preliminary
Ausgangskennlinienfeld Wechselr. (typisch) IC = f (VCE)
Output characteristic Inverter (typical) VGE = 15 V

20

18 Tj = 25°C
Tj = 125°C
16

14

www.DataSheet4U.com 12
IC [A]

10

0
0,00 0,50 1,00 1,50 2,00 2,50 3,00 3,50

VCE [V]

Ausgangskennlinienfeld Wechselr. (typisch) IC = f (VCE)


Output characteristic Inverter (typical) Tvj = 125°C

20

18

16 9V
11V
14 13V

12 15V
17V
IC [A]

10 19V

0
0,00 0,50 1,00 1,50 2,00 2,50 3,00 3,50

VCE [V]

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Technische Information / Technical Information
IGBT-Module
IGBT-Modules FP10R12KE3
Vorläufig
Preliminary
Übertragungscharakteristik Wechselr. (typisch) IC = f (VGE)
Transfer characteristic Inverter (typical) VCE = 20 V

20

18 Tj = 25°C
Tj = 125°C
16

14

www.DataSheet4U.com 12
IC [A]

10

0
6 7 8 9 10 11 12

VGE [V]

Durchlaßkennlinie der Freilaufdiode Wechselr. (typisch) IF = f (VF)


Forward characteristic of FWD Inverter (typical)

20
Tj = 25°C
18
Tj = 125°C
16

14

12
IF [A]

10

0
0 0,5 1 1,5 2 2,5 3

VF [V]

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Technische Information / Technical Information
IGBT-Module
IGBT-Modules FP10R12KE3
Vorläufig
Preliminary
Schaltverluste Wechselr. (typisch) Eon = f (IC), Eoff = f (IC), Erec = f (IC) VCC = 600 V
Switching losses Inverter (typical) Tj = 125°C, VGE = ±15 V, RGon = RGoff = 100 Ohm

4,5 Eon
Eoff
4 Erec

3,5
www.DataSheet4U.com
E [mWs]

2,5

1,5

0,5

0
0 5 10 15 20 25

IC [A]

Schaltverluste Wechselr. (typisch) Eon = f (RG), Eoff = f (RG), Erec = f (RG)


Switching losses Inverter (typical) Tj = 125°C, VGE = +-15 V , Ic = Inenn , VCC = 600 V

Eon
2,5 Eoff
Erec

2
E [mWs]

1,5

0,5

0
100 120 140 160 180 200 220

RG [W]

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Technische Information / Technical Information
IGBT-Module
IGBT-Modules FP10R12KE3
Vorläufig
Preliminary
Transienter Wärmewiderstand Wechselr. ZthJH = f (t)
Transient thermal impedance Inverter

10,000

Zth-IGBT
Zth-FWD
ZthJH [K/W]

www.DataSheet4U.com

1,000

i 1 2 3 4
IGBT: ri [K/W]: 169,8e-3 850,1e-3 667,8e-3 912,3e-3
ti [s]: 3e-6 78,7e-3 10,1e-3 225,6e-3
FWD: r i [K/W]: 245,4e-3 1,22 956,8e-3 1,27
ti [s]: 3e-6 80,4e-3 10,35e-3 227,3e-3
0,100
0,001 0,01 0,1 1 10

t [s]

Sicherer Arbeitsbereich Wechselr. (RBSOA) IC = f (VCE)


Reverse bias save operating area Inverter (RBSOA) Tvj = 125°C, VGE = ±15V, RG = 100 Ohm

25

IC,Chip
20

15
IC [A]

10

0
0 200 400 600 800 1000 1200 1400

VCE [V]

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Technische Information / Technical Information
IGBT-Module
IGBT-Modules FP10R12KE3
Vorläufig
Preliminary
Ausgangskennlinienfeld Brems-Chopper-IGBT (typisch) IC = f (VCE)
Output characteristic brake-chopper-IGBT (typical) VGE = 15 V

20

18 Tj = 25°C
Tj = 125°C
16

14

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IC [A]

10

0
0,00 0,50 1,00 1,50 2,00 2,50 3,00 3,50

VCE [V]

Durchlaßkennlinie der Brems-Chopper-Diode (typisch) IF = f (VF)


Forward characteristic of brake-chopper-FWD (typical)
20

18 Tj = 25°C
Tj = 125°C
16

14

12
IF [A]

10

0
0 0,5 1 1,5 2 2,5 3 3,5

VF [V]

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Technische Information / Technical Information
IGBT-Module
IGBT-Modules FP10R12KE3
Vorläufig
Preliminary
Durchlaßkennlinie der Gleichrichterdiode (typisch) IF = f (VF)
Forward characteristic of Rectifier Diode (typical)

20 Tj = 25°C
Tj = 150°C
18

16

14

www.DataSheet4U.com 12
IF [A]

10

0
0 0,2 0,4 0,6 0,8 1 1,2

VF [V]

NTC- Temperaturkennlinie (typisch) R = f (T)


NTC- temperature characteristic (typical)

100000
Rtyp

10000
R[W]

1000

100
0 20 40 60 80 100 120 140

TC [°C]

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Technische Information / Technical Information
IGBT-Module
IGBT-Modules FP10R12KE3
Vorläufig
Preliminary
Schaltplan/ Circuit diagram

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Gehäuseabmessungen/ Package outlines

Bohrplan /
drilling layout

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Technische Information / Technical Information
IGBT-Module
IGBT-Modules FP10R12KE3
Gehäuseabmessungen Forts. / Package outlines contd.

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Mit dieser technischen Information werden Halbleiterbauelemente spezifiziert, jedoch keine


Eigenschaften zugesichert. Diese gilt in Verbindung mit den zugehörigen Technischen Erläuterungen.

This technical information specifies semiconductor devices but promises no characteristics. It is


valid in combination with the belonging technical notes.

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