Basic

Electronics
 OBJEKTIF:

9 DIRECT CURRENT (DC)

9 ALTERNATING CURRENT (AC)

9 SEMICONDUCTOR AND POWER ELECTRONICS

COMPONENTS

9 ELECTRONICS CIRCUITS

9 DIGITAL ELECTRONICS
Semiconductor
SEMICONDUCTOR
Semiconductor bukanlah Conductor ataupun Insulator yang baik.

JENIS – JENIS BAHAN

Conductor – Logam
Semiconductor – Silicon , Germanium , Selenium …
Insulator – Getah , Kayu …

Silicon adalah jenis Semiconductor yang paling banyak digunakan

kerana ia tahan panas , haba …
 DOPING
N-type

phosphorus or arsenic is added to the silicon in small

quantities. N
N-type
type silicon is a good conductor.

P-type

boron or gallium is the dopant. P-type silicon is a good

co ducto
conductor.
Diod
Definasi Diod:
Diod merupakan komponen aktif yang mempunyai dua tamatan
iaitu anod dan katod. Ia diperbuat daripada bahan semikonduktor.

Simbol Diod:

anode cathod
e
+ -
DIODE

anode cathode

Arus hanya mengalir dari Anode ke Cathode

sahaja.
1.2 1.4
 ppn jjunctions
Diodes
a. The diode is a pn junction.
b. The diode conducts a large
g forward current easilyy but allows
only a small reverse current to flow.
c. The p side of a diode is called an anode. The n side is called a
cathode.
th d
 Ci i Ci i Diod
Ciri-Ciri Di d
Pincang Depan (Forward Bias)

VF=0.7V @ 0.3V

+ -

- Arus besar voltan kecil

 Diodes and their operating characteristics
F
Forward d characteristics
h i i

a. When the forward bias voltage , V F, is increased,

the forward current, I F, increases slowly until the
junction potential is overcome.
overcome Then the current
increases rapidly.
bb. The
Th voltage
lt required
i d to
t overcome the
th junction
j ti
potential depends on the semiconductor material.

I F (mA)

V F (volt)
Pincang Songsang (Reverse Bias)

IF=0
- +

- Arus kecil voltan besar

Diodes and their operating characteristics
Reverse characteristics

a. When the reverse bias voltage, V R, is increased, a

small reverse current, I R, (also called the
saturation current) flows until breakdown occurs.
b. After the breakdown, the saturation current
increases rapidly. The saturation current must be
limited, otherwise the diode will be destroyed.
breakdown voltage
V R (volt)

saturation
current

I R (microamp)
Lengkuk Ciri I - V
ID (mA)
Ge
Si

VD (V)

0.3V 0.7V
VT (Ge) VT (Si)

Si Ge
 Kaedah Pengujian Diod

a) Kaedah Uji Diod Secara Pincang Depan

Laraskan
L k pemilih
ilih
∞ Ω julat pada
ohmmeter x1

# Penunjuk meter terpesong kekanan atau rintangan rendah

 b) Kaedah Uji Diod Secara Pincang Songsang

Laraskan
L k pemilih
ilih
∞ Ω julat pada
ohmmeter x1

# Penunjuk meter tidak berubah atau rintangan tinggi

 Diodes and their operating characteristics
Operating regions

a. Di d operated
Diodes t d iin th
the rectifying
tif i region
i are called
ll d rectifying
tif i
diodes.
b
b. Diodes operated in the breakdown region are called zener
diodes.
CIRI-CIRI

Diode mempunyai had voltan

Jika voltan yang mengalir adalah melebihi had

tersebut , Diode akan samada putus atau pintas.

Sebagai contoh , Diode dengan tanda IN4007 hanya

membenarkan sehingga 700volt mengalir
melaluinya.
Mengenali Diode

Anode

Cathode
( Strap hitam / putih – bergantung kepada warna asal
Diode )
Mengenali Diode

Anode

Cathode
( Strap hitam / putih – bergantung kepada warna asal
Diode )
Bentuk-Bentuk
Bentuk Bentuk
Diod
Diodes and their operating characteristics
The diode as a rectifier

a To rectify means to allow current to flow in one

a.
direction only.
bb. When
Wh a di diode
d is
i forward
f d biased,
bi d forward
f d current
flows easily. When it is reverse biased, the reverse
current is very small and can be considered as zero.
zero
Hence the diode will conduct current in one
direction but not in the other.
Diodes and their operating characteristics
Half wave rectification

e (volt) V O (volt)

positive half cycles

AC source

negative half cycles

half wave
input voltage rectifier circuit output voltage
Latihan

Dalam latihan ini , 4 diode digunakan (Bridge Rectifier)

¾ Latihan ini menggunakan input ‘ UAC Vpp 10v 1KHz’ dan

disukat dengan
g Oscilloscope
p
Vpp 10v
1KHz
 Langkah – langkah untuk memasangkan litar.

1. Pasangkan kesemua komponen seperti dalam litar asal

tanpa Capacitor. ( Biarkan kedua – dua voltmeter dahulu ).
2. Pasangkan Oscilloscope probe kepada input ‘ AC & gnd ’
dan set kepada “ AC ”. Gunakan X2volt.
3 P
3. Putarkan
t k frekeunsi
f k i pada
d petiti El
Electronic
t i kkepada
d 1kHz
1kH supaya
isyarat ( waveform ) tidak bergetar.
4 Hidupkan peti Electronic dan tambahkan voltan AC sehingga
4.
mencapai 5cm. ( Sebelum itu , pastikan garisan Oscilloscope
berada ditengah – tengah )
5. Sekarang , tukarkan probe kepada output Resistor ( RL 10K )
bahagian atas dan bawah.
6 Setkan CH1 kepada DC dan pastikan time/div adalah 0
6. 0.2ms.
2ms
7. Akhir sekali , pasangkan Capacitor dan isyarat ( waveform )
akan bertukar menjadi satu garisan lurus di atas garisan
tengah Oscilloscope.
Sln:
Diodes and their operating characteristics
F ll wave rectification
Full ifi i

¾ Four diodes are used for full wave rectification.

Two of them are forward biased and two of them
are reverse biased.

3 1

2 4 Diodes 1 and 2
are forward
biased. Diodes 3
and 4 are reverse
biased.
Diodes and their operating characteristics
Full wave rectification

¾D
During
i the
th positive
iti cycle,
l currentt will
ill flow
fl through
th h
diodes 1 and 2 but not through diodes 3 and 4.
e (volt) V O (volt)

3 1

2 4

positive input Current flows through positive output

voltage Diodes 1 and 22. voltage
 Diodes and their operating characteristics
F ll wave rectification
Full ifi i

¾ During
i the
h negative
i cycle,
l current will
ill flow
fl through
h h diodes
di d
3 and 4, but not through diodes 1 and 2.

e (volt) V O (volt)

3 1
2 4

negative input Current flows through positive output

voltage Diodes 3 and 44. voltage
Diodes and their operating characteristics
F ll wave rectification
Full ifi i
e (volt) e (volt)

positive half cycles

3 1
2 4

negative half cycles

Current flows
alternating alternatingly through total output
input
p voltageg Diodes 1 and 2 and voltage
g
then through 3 and 4.
Kegunaan
g Capacitor
p :

Menukar pulsating DC ( tidak tulen ) kepada pure DC ( tulen

)
Dengan menambah Capacitor pada litar rectifier , arus akan
mengalir mengikut dua arah mengecas Capacitor dan
kepada RL. Apabila isyarat menjadi lemah , Capacitor akan
mengeluarkan
g kembali cas tadi untuk menahan isyarat
y
menjadi semakin lurus.
 Full Bridge Rectifier

AC Full Bridge Voltage

Sourc Transformer Rectifier Regulator
g Output
e

120V
DIOD ZENER
DIOD ZENER

Zener Diode mengalirkan arus secara bertentangan

(Cathode ke Anode ).

Diodes operated in the rectifying region are called rectifying

diodes
Diodes operated in the breakdown region are called zener
diodes
Arah
A hPPengaliran
li
Arus

IF IF

Diod Zener Diod Rectifier

 Lengkuk ciri I – V Diode
Zener
ID

Forward
C
Current
t
Breakdown Voltage

VD

Leakage
Current
Avalanche
Current
 Kaedah Pengujian Diod Zener

a) Kaedah Uji Diod Zener Secara Pincang Depan

Laraskan
L k pemilih
ilih
∞ Ω julat pada
ohmmeter x1

# Penunjuk meter terpesong kekanan atau rintangan rendah

 b) Kaedah Uji Diod Zener Secara Pincang Songsang

Laraskan
L k pemilih
ilih
∞ Ω julat pada
ohmmeter x1

# Penunjuk meter tidak berubah atau rintangan tinggi

ZF10
 Lengkuk ciri I – V Diode
Zener ID

Forward
Current
Breakdown Voltage

VD

Leakage
Current
Avalanche
aa c e
Current
Latihan.
Latihan
L tih iinii menunjukkan
j kk b bahawa
h Z
Zener Di
Diode
d ZF10 hhanya
membenarkan tidak lebih 10volt mengalir melaluinya dan
arus menjadi semakin besar jika input adalah melebihi
10volt.
Jika input adalah 15volt dan output hanya ada 10volt , ini
bermakna nilai kejatuhan voltan ( V drop ) pada Resistor 330
adalah 5 volt.
volt
Pemeriksaan secara manual :
Pada Vin 14 volt , arus I = 11.42
V drop = I x R = 11.42mA x 330 = 3.77volt
V drop + V out = Vin maka 3.77volt + 10.27volt =
14.04volt.
** Kegunaan Zener Diode adalah untuk menstabilkan voltan
( jika input adalah melebihi kekuatan Zener Diode ).
DIAC
Definasi Diac

Diac pada asasnya sejenis peranti yang dibina oleh

gabungan lapisan semikonduktor secara 2 terminal
selari songsang dan bertindak dalam salah satu arah. Ia
adalah peranti “ bidirectional diode”.

Simbol Grafik Diac

A1 A2
 Struktur Binaan Asas Diac

Anod 1 n1 p1 n2 p1 n3 Anod 2
 Simbol Grafik Diac
A1

A1 A2

A2
 Lengk k Ciri Diac I - V
Lengkuk

IBR
VBR
VBR V
IBR
Operasi Diac

Diac adalah peranti dua-hala. DIAC boleh

mengalirkan arus dalam dua arah

Diac boleh beroperasi dalam litar arus ulang alik (ac)

DIAC juga digunakan untuk melimitkan (

menghadkan ) pengaliran AC
SILICON CONTROLLER
RECTIFIER (SCR)/
THYRISTOR
 Definasi SCR

¾Merupakan sejenis suis elektronik yang berfungsi

seperti relay.

¾H
¾Hanya membenarkan
b k DC mengalir
li

¾mengandungi empat lapisan iaitu PNPN

PNPN.

Anod P N P N Katod

Gate
 Simbol Grafik SCR

Anod (A) Katod (K)

Gate (G)

Litar Persamaan SCR

A
pnp

G npn
p
K
 Operasi
SCR

+ SCR
V
- S1

L1

1 SCR hendaklah disambungkan secara pincang depan

1.
dengan kuasa bekalan.

2. SCR akan aktif apabila gate diberi denyutan positif

seketika dengan magnitud (holding current) yang cukup
dan lampu L1 akan menyala
menyala.
3. Pengaliran arus dalam litar tetap mengalir walaupun suis
S1 b
berkeadaan
k d b
buka
k kkecuali:
li
 + SCR
V
- S1

L1

¾ Memutuskan arus SCR.

¾ Pintaskan anod dan katod.
¾ Offkan voltan bekalan.
bekalan
¾ Terbalikkan voltan anod menjadi negative.
¾ Mengurangkan arus anod menjadi lebih kecil dari arus
pegangan.
 Lengkuk Ciri SCR I – V
Forward
IA conduction
voltage

IG = 0
IH

Reverse VF
breakdown VBRF
Reverse
voltage blocking Forward
region blocking
g
region

1 Tiada arus yang mengalir kecuali arus bocor

1.
pada masa arus gate kosong. IG = 0.

2. Takat voltan pecah-tebat depan(forward break-over

voltage) terjadi apabila voltan pincang depan VF terus
dinaikkan semasa arus gate kosong.
 Forward
IA conduction
voltage

IG = 0
IH

Reverse VF
breakdown VBRF
Reverse
voltage blocking Forward
region blocking
region

¾Pada keadaan pincang songsang, SCR tidak akan

beroperasi kecuali sedikit arus songsang.

us pegangan
¾Arus pega ga IH((holding
o d g cu
current)
e t) ada
adalah
a pa
paras
as atau ta
takat
at
dimana SCR akan berpindah
dari keadaan tersekat kepada keadaan pengaliran iaitu SCR
akan mula ON atau beroperasi.
Kaedah Pengujian SCR

Laraskan multimeter

Mul
2 2 5 tim
Ska 0
∞k 0 Ω eter
la Pointer

0ΩA
Selector DJx1
x1
0k
x1
1
N xk P
0
1
Test Test
lead lead
hitam mer
ah
Rajah 1: Multimeter
analog
 Ujij keterusan SCR
secara
forward diode junction”
“forward junction
An Katod
od

Get

Simbol SCR

A K

Nota: Penunjuk
j meter tidak G
terpesong kekanan (infiniti).
 A K
G
Jumper

Nota: Penunjuk
j meter terpesong
p g kekanan
(low resistance).
Ujij keterusan SCR secara
“reverse diode junction”

K A
G
Nota: Penunjuk
j meter tidak
terpesong kekanan (infiniti)
 K A
G Jumper

Nota: Penunjuk meter tidak

terpesong
p g kekanan ((infiniti))
Sekarang , cuba latihan sampingan ini.

Apabila suis dihidupkan , lampu akan terus menyala

meskipun suis dimatikan kemudian.
kemudian Hanya apabila suis
utama dipadamkan dan dihidupkan selepas beberapa
ketika , barulah lampu
p akan ppadam dengang terus. Kejadian
j
ini adalah sama seperti Alarm kereta dimana ia akan bunyi
apabila
p p
pintu dibuka dan terus berbunyi
y walaupun
p p pintu
ditutup kemudiannya.

PENTING : Thyristor hanya menggunakan DC sahaja.

TRIAC
Definasi
Triac
Triak merupakan salah satu komponen keluarga
thyristor yang terdiri daripada empat lapisan pnpn
dan mempunyai tiga terminal iaitu MT1, MT2 dan
G t
Get.
Struktur Binaan Asas
Triac
MT2

n n
p
n
p
n n
G t
Gate
MT1
 Persamaan Litar Bagi
Triac
MT2

Q3
Q1

G
Q4
Q2
Get
MT1
 Simbol Grafik Bagi
Triac

MT2 MT1

Get
 Lengkuk Ciri Bagi Triac I -
V
I

MT2 Positif
VBR IH
VBR V

MT2 Negatif
 Operasi
p Triac
# Triac beroperasi seperti dua SCR
yyang
g disambungkan
g dan bersemuka
dalam arah yang bertentangan.
MT2
R # Get triac mesti disambungkan ke
MT2. Apabila voltan AC positif
Vin MT1 dibekalkan ke MT2, SCR pincang
G
depan akan aktif. Apabila voltan ac
RL negatif dibekalkan ke MT2
MT2, SCR
yang satu lagi akan aktif.

# Arus tetap
p mengalir
g dari MT2 ke MT1 selagi
g arus g
get tidak
jatuh pada takat “holding current”.
BIPOLAR
JUNCTION
TRANSISTOR
Bipolar
po a Ju
Junction
ct o Transistor
a s sto

¾Mempunyai tiga lapisan doping

¾3 terminal-Base(B) , Collector(C) dan Emitter(E)
¾2 jjenis => NPN & PNP

Fungsi
Transistor
¾Penguat isyarat (Signal Amplifier)

¾Pensuisan (Switching)
 BINAAN NPN BINAAN PNP

N N P
P
P
N
P N
P
N
N
N P P

COLLECTOR (C) COLLECTOR (C)

BASE (B) BASE (B)

EMITTER (E) EMITTER (E)

NPN PNP
 Bipolar
p junction
j transistors
BJT structure

The emitter emits or produces charge carriers that

can be collected by the collector and are
controlled by the base

COLLECTOR (C) COLLECTOR (C)

BASE (B) BASE (B)

EMITTER (E) EMITTER (E)

¾ Pin Base dan ppin Emitter mesti mempunyai
p y pperbezaan
voltan lebih kurang ) 0.7 volt untuk menghidupkan
Transistor

¾ Pin Collector dan pin Emitter juga mesti

mempunyai perbezaan voltan ( 10 volt , 15 volt
atau 20 volt )
¾ C adalah positive dan E adalah negative untuk
NPN

¾ B adalah positive dan E adalah negative untuk

NPN

¾ Ic adalah lebih kurang 100 hingga 200 kali lebih

besar daripada
p Ib
Bipolar junction transistors
Th npn ttransistor
The i t action
ti

C
IC
B

E C
B

IB

IE
IB IC
Bipolar junction transistors
Th pnp ttransistor
The i t action
ti

C
IC

C
E
B

IB

IE
IB IC
Latihan ini menunjukkan perbezaan diantara Ib dan Ic.

Ic/Ib
150~200

BC140
 BINAAN DALAMAN TRANSISTOR

Pembungkusan
epoksi
p

Passivated die

Copper frame Catwhiskers

Locking tabs

Pi nickel
Pin i k l
RUPA BENTUK TRANSISTOR (PACKAGE)
 BJT Operation Regions
Operation IB or VCE BC and BE Mode
Region Char. Junctions
Cutoff IB = Very Reverse & Open
small Reverse Switch
Saturation VCE = Small Forward & Closed
Forward Switch
Active VCE = Reverse & Linear
Linear Moderate F
Forwardd Amplifier
Break- VCE = Beyond Overload
down Large Limits
 KAEDAH PENGUJIAN TRANSISTOR
a) Kaedah Uji Transistor NPN

Laraskan
L k pemilih
ilih
∞ Ω julat pada ∞ Ω
ohmmeter x1

C C

B B

E E
b) Kaedah Uji Transistor NPN

Laraskan pemilih
julat pada Ω
∞ Ω ∞
ohmmeter
h t x10k
10k

C C

B B

E E
 c) Kaedah Uji Transistor PNP

Laraskan pemilih
∞ Ω julat pada ∞ Ω
ohmmeter x1

C C

B B

E E
 d) Kaedah Uji Transistor PNP

Laraskan pemilih
∞ Ω ∞ Ω
j l t pada
julat d
ohmmeter x10k

C C

B B

E E
 FET
What is a FET?

a. FET is the acronym for field-effect transistor.

b. It is a transistor that uses a control electrode, called the gate,
the source and the drain.
c. Like the BJT, it uses an electric field to control an output.
However, the electric field is not due to a pn junction.
Rather, it is by a capacitor.
d Unlike the BJT,
d. BJT only one kind of charge carrier
carrier, either holes
or electrons, is active.
 JFET

Terdapat 2 jenis JFET iaitu:

¾ Jenis n-channel

¾ Jenis p-channel
 Struktur Binaan JFET

Drain (D) Drain (D)

p n p n p n
Gate (G) Gate (G)

Depletion
Region

Source (S) Source (S)

Struktur n-channel Struktur p-channel
 Simbol Grafik JFET

D D

G G

S S
n-channel
h l p-channel
h l
 Cara JFET Beroperasi (n-channel)

Depletion Saturation
ID
region D l
level
l

n-channel
G + resistance
p n p
+ - VDS
VP
VDS > 0V
VGS = 0V S
-
 Arus Id akan
¾ A k mengalirli apabila
bil VGS mempunyaii sekurang
k
kurangnya -1 volt hingga 0.6 volt , walaupun arus IG tiada

¾ FET berfungsi bergantung kepada ( berdasarkan ) aliran voltan ,

arus Id tetap akan mengalir ( walaupun tanpa IG )

¾ FET digunakan
g khas didalam bahagian
g p
penerimaan g gelombang g
seperti isyarat dari satelite ( yang mempunyai voltan yang sangat
kecil – μ volt ) , televisyen ( sebahagian litar sahaja ) dan telefon
mudah alih ( mobile ).

***Transistor NPN / PNP bergantung

*** b kepada
k d aliran
l arus , isyarat ( μ
volt ) tidak dapat mengalirkan Ib maka Ic juga tiada.
MOSFET – Sejenis peranti yang dilapisi bahan oksida
diantara terminal gate dan channel. Lapisan oksida
tersebut telah menghasilkan galangan masukan yang
tinggi lebih tinggi daripada JFET
tinggi, JFET. MOSFET terbahagi
kepada dua jenis iaitu jenis depletion dan
enhancement.
Sama seperti JFET, fungsi terminal gate mengawal arus
utama atau channel, IDS.

Voltan g
gate p
positif akan menghasilkan
g cas negatif
g di n-
channel, menambahkan arus Drain-Source.

Voltan gate negatif akan menghasilkan kawasan susutan

di n-channel, mengurangkan arus Drain-Source.
 Struktur Binaan MOSFET

Gate (G)
Source ((S)) Drain (D)

n n n

J i n-channel
Jenis h l
 Gate (G)
Source ((S)) Drain (D)

p p p

J i p-channel
Jenis h l
 Simbol Grafik MOSFET jenis Depletion

D D

G G
S S
n-channel p-channel

Simbol Grafik MOSFET jenis Enhancement

D D

SS SS
G G
S S
n-channel p-channel