Física IV

Semiconductores
Marco A. Merma Jara
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Versión 08.2015
Marco A. Merma Jara

Contenido

El estado sólido
Estructura cristalina
Redes y estructura cristalina
Enlazamiento en sólidos
Bandas de energía
Semiconductores
Ejercicios
Referencias
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El estado sólido

Materia
Estado sólido Sólido
Estado liquido
Estado gaseoso
Liquido

Gaseoso
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Estructura cristalina
Base
base
La configuración mas
elemental
Representación pictórica
Red Red
Puntos ordenados en el
espacio
Periódicos
Una red cristalina es un
patrón repetitivo de
puntos matemáticos que
Estructura
se prolonga en el
cristalina
espacio.
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Redes y estructuras cristalinas

Redes cúbicas
La red cúbica simple
SC
Simple Cubic
La red cúbica
centrada en la cara
FCC,
Face-Centered Cubic
La red cúbica
centrada en el cuerpo
BCC
Body-Centered Cubic
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Redes y estructuras cristalinas

La red hexagonal
compacta (hcp)
Tiene capas de puntos
de red en arreglo
hexagonal
Cada hexágono está
formado por seis
triángulos equiláteros
HCP hexagonal-
compact
En total hay 14 tipos
generales de esos
patrones
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Enlaces en los sólidos
fuerzas responsables
Del arreglo regular
De átomos en un cristal
Son las mismas que las
que intervienen en los
enlaces moleculares.
Los enlaces moleculares
iónicos
Cristales iónicos
Covalentes
Cristales covalentes.
Los cristales iónicos
más conocidos
halogenuros de álcali
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Enlazamiento en los sólidos

Sal ordinaria (NaCl)
Los iones sodio positivos
Los iones cloruro negativos
ocupan posiciones alternadas
en un arreglo cúbico como se
ilustra en la figura
Las fuerzas de atracción son las
conocidas fuerzas de la ley de
Coulomb, entre partículas
cargadas.
Esas fuerzas no tienen una
dirección preferente, y el arreglo
para que el material cristalice
Está determinado en parte por el
tamaño relativo de los dos iones.
Esa estructura es estable en el
sentido que tiene menor energía
total que los iones separados
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Enlazamiento en los sólidos

La estructura del diamante
Como dos estructuras cúbicas
centradas en la cara
Se enlazan con distancias
exageradas entre átomos.
En relación con el átomo
verde correspondiente
Cada átomo púrpura está
desplazado
hacia arriba
atrás
hacia la izquierda
Todas a una distancia a/4.
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Enlace covalente
El enlace covalente
Se caracteriza por una
participación más
igualitaria de los dos
átomos
El enlace covalente más Enlace covalente, las nubes de carga de los
sencillo se encuentra en la electrones con espines opuestos se concentran en
la región entre los núcleos
molécula de hidrógeno,
que es una estructura que
contiene dos protones y
dos electrones.
En la figura
Átomo de hidrógeno H2
Átomo de metano CH4
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Tipos de cristales
Cristales iónicos
Cristal metálico es un conjunto de iones
positivos inmersos en un mar de
electrones liberados, cuya atracción
hacia los iones positivos mantiene unido
el cristal
Cristales covalentes.
El carbono, silicio, germanio y estaño
Con estructura del diamante
Pertenecen al grupo IV de la tabla
periódica
Cada átomo tiene cuatro electrones en su
capa externa.
Cada átomo forma un enlace covalente
con cada uno de los cuatro átomos
adyacentes, en los vértices de un
tetraedro.
Estos enlaces son muy direccionales, por
las distribuciones electrónicas
asimétricas que indica el principio de
exclusión, y el resultado es la estructura
tetraédrica del diamante.
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Orientación de planos cristalográficos

Índices de Miller
(hkl) k
Si h=2, k=3, l=4
Inversas
½ 1/3 ¼
Enteros (los menores
posibles) h
643 l
Índices:
(6 4 3)
Observación
Los índices de Miller no son
coordenadas
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Casos de índices de Miller

Planos que no cortan a
k =∞
todos los ejes
Si h=4, k= ∞, l= ∞
Inversas h=4
¼ 1/ ∞ 1/ ∞ l =∞
Enteros
100
k =∞
Índices de Miller
(1 0 0)
Si negativo (h= -4) h = −4

l =∞
( 1 0 0)
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Bandas de energía
El concepto de bandas de
energía introducido en 1928
Propuesto por Félix Bloch (1905-
1983) en su tesis doctoral.
Físico suizo-estadounidense
Basado en el notable trabajo de
F Bloch.
comprender varias propiedades
de los sólidos
Comprensión moderna de la
conductividad eléctrica
Félix Bloch
Premio Nobel de Física en 1952
(Aporte en física nuclear)
Junto con Edward Purcell,.

Félix Bloch en su Laboratorio

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Bandas de energía
Supongamos que hay una gran
cantidad N de átomos
idénticos,
Suficientemente apartados
como para que sus
interacciones sean
despreciables.
Cada átomo tiene el mismo
diagrama de niveles de
energía.
Se puede trazar un diagrama
de niveles de energía para todo
el sistema.
Se ve justo como el de un sólo
átomo, pero el principio de
exclusión, aplicado a todo el
sistema, permite que cada
estado esté ocupado por N
electrones, en vez de uno sólo
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Banda de valencia y banda de conducción

En un aislante a la
temperatura del cero
absoluto,
La banda más alta que está Banda de conducción
totalmente llena, llamada BC
banda de valencia,
también es la más alta que
tiene algunos electrones en
ella. Banda prohibida
La siguiente banda más (gap)
alta, llamada banda de
conducción, está
totalmente vacía; no hay
electrones en sus estados Banda de valencia
(figura 42.21a). BV
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Campo eléctrico sobre un semiconductor

Si un campo eléctrico E
se aplica a un material
semiconductor puro E
BC
Los electrones de la
banda de valencia
Pueden “saltar”
Hacia la banda de (gap) Eg
conducción
Mayor probabilidad
Estados ocupados en BV
B.C.
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Bandas de energía en aislantes, conductores,

semiconductores

Aislante en el cero Semiconductor tiene la misma Conductor tiene una

absoluto. No hay estructura que un aislante, pero banda de conducción
electrones en la banda de con un menor intervalo de energía parcialmente llena
conducción entre la banda de valencia y de
conducción
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Modelo de electrones libres en los metales

El estudio de los estados de energía de los

electrones en los metales nos puede dar
muchas explicaciones
Propiedades eléctricas y magnéticas, las
contribuciones del electrón para las capacidades
caloríficas y otros comportamientos.
Una de las propiedades distintivas de un metal
Que se desprenden uno o más electrones de
valencia de su átomo
Pueden moverse con libertad dentro del metal,
Con funciones de onda que abarcan muchos átomos
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Concentración de electrones
Dado la muestra de Volumen de la muestra
forma cilíndrica V = Al = Avdτ

Concentración de electrones
#e
=
V
Carga eléctrica

A Q = (# e)q Q = Avdτ q

Corriente eléctrica
l I = Q / τ = Avd q
Densidad de corriente

J = I / A = Avd q
Muestra del gas de electrones
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Ley de Ohm
Ley de Ohm J = σE
σ Conductividad eléctrica

ρ Resistividad eléctrica

A Materiales Ohmicos

V = EL L
R=ρ
l J =σE A

Resistencia eléctrica
Para circuitos
R =V / I
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Distribución Fermi Dirac

La forma en que están f (E)
distribuidos los
electrones
Entre los diversos estados
cuánticos a cualquier
temperatura dada.
La distribución de
Maxwell-Boltzmann
E
Establece que el número
promedio de partículas en
un estado de energía E 1
f (E) = E − Eg

e K BT
+1
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Densidad de estados ocupados

Es necesario conocer el número dn de estados
cuánticos que tienen energías en determinado
intervalo dE.
La cantidad de estados por intervalo unitario de
energía, dn/dE, es la densidad de estados ocupados,
se representa con g(E).
Comenzaremos deduciendo una ecuación para g(E).
Imaginemos un espacio tridimensional con
coordenadas (nx , ny , nz )
El radio nrs de una esfera centrada en
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Densidad de estados ocupados

Energía de Fermi
Esfera de Fermi
ℏ 2 k F2 4 3
EF = Vk = πk F
2m 3
EF Concentración de estados ocupados
(4 / 3)π k F3
=
(2π / L)3
2π / L
4π 3  2π 
3
kF 2π / L V '= kF V = L3 V '= 
3  L 
2π / L
Densidad de estados ocupados

[ − − − − − − − − − − −]
E E + ∆E

D( EF ) = d / dEF
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Energía media de los electrones libres

Podemos calcular la energía media de los

electrones libres en un metal
En el cero absoluto, con los mismos conceptos que
usamos para determinar E F0 .
En el cero absoluto
Se sustituye f(E)= 1 desde E = 0 hasta E = EF0
f(E)>0 para todas las demás energías.
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Semiconductores

Un semiconductor tiene una resistividad eléctrica

intermedia entre las de los buenos conductores y las de
los buenos aislantes.
La enorme importancia de los semiconductores en la
electrónica actual se debe
En parte, al hecho de que sus propiedades eléctricas son muy
sensibles a concentraciones muy pequeñas de impurezas.
Describiremos los conceptos básicos, usando como
ejemplos de elementos semiconductores
Silicio (Si)
Germanio (Ge)
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Huecos e impurezas
Cuando un electrón sale de un enlace
covalente, deja tras de sí una vacante. Un
electrón de un átomo vecino puede pasar
a esa vacante y el átomo vecino se queda
con la vacante. De esta forma, la vacante,
llamada hueco, puede viajar por el
material y servir como un portador
adicional de corriente.
Es como describir el movimiento de una
burbuja en un líquido.
En un semiconductor puro, o intrínseco, los
huecos en banda de valencia, y los
electrones en banda de conducción,
siempre existen en cantidades iguales.
Cuando se aplica un campo eléctrico, se
mueven en direcciones contrarias
Así, un hueco en la banda de valencia se
comporta como una partícula con carga
positiva, aun cuando las cargas en
movimiento en esa banda sean
electrones.
La conductividad que acabamos de
describir, en un semiconductor puro, se
llama conductividad intrínseca.
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Dispositivos semiconductores
En las últimas cuatro décadas
han sido reemplazados por
dispositivos de estado sólido
Transistores, diodos, circuitos
integrados y otros dispositivos
con semiconductores.
Los únicos tubos al vacío que
sobreviven en la electrónica
del hogar
Cinescopios en la mayoría de
los receptores de TV,
Monitores de computadora
Aun estos se están
sustituyendo con pantallas
planas
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Probabilidad de encontrar estados ocupados

Función f( E)
La función de probabilidad
de encontrar estado 1
ocupados f (E) = E − Eg
KB constante de
Boltzmann
e K BT
+1
f (E )
Eg Energía de la banda
prohibida (gap)
T temperatura absoluta

E
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Semiconductores intrínsecos e extrínsecos

Un semiconductor es
intrínseco
En estado puro
Un semiconductor es
extrínseco
Contiene elementos
extraños
(contaminantes)
Es no puro
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Ejercicios
Ejercicio 1: Un semiconductor en estado puro se bombardea con un campo
eléctrico E= 30 V/m, si la longitud de onda incidente es 150 nm. Determinar la
energía necesaria para que un electrón llegue a la banda de conducción.
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Referencias
Física Universitaria, Vol II, 12va edición, Sears, Zemansky, Young,
Fredmann, Addisson Longman, México, 1999
Física, Vol II, Serway,Jewet, 7ma Edición, McGraw-Hill, 2009