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Synchrones
3ème Année Cycle Ingénieur
27/09/2014 Z. Boulghasoul 2
Les travaux de simulation :
• TP 1 : Onduleur monophasé autonome.
• TP 2 : Onduleur triphasé à six pas.
• TP 3 : Onduleur à MLI sinusoïdale.
• TP 4 : Commande de la machine PMSM dans le référentiel
abc.
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Les travaux pratiques :
• TP 1 : Identification des paramètres de la machine
Synchrone.
• TP 2 : Onduleur de tension triphasé commandé par
MLI sinusoïdale.
• TP 3 : Commande vectorielle de la PMSM.
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Chapitre 1 : Composants électroniques.
Utilisation en interrupteurs de puissance.
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Question :
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1. Introduction
Appariation de
Le développement l’Electronique
des semi- de puissance
conducteurs (ENPU)
L’association
Convertisseurs
des machines
électromécaniques
tournantes
Convertisseurs dynamiques
Les
composants de Convertisseurs
l’électronique statiques
de puissance
Un interrupteur de puissance :
Commutation
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3. Modes de fonctionnement d’un interrupteur de
puissance
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Caractéristiques d’un interrupteur de puissance idéal :
i
i +infini
K -infini 0 +infini
v v
-infini
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le domaine d'utilisation de chaque composant :
U(KV)
10
6
Thyristor/Thyristor GTO
2
1
IGBT
Transistors bipolaires
0.2
0.1
MOS
f (KHz)
0.01 0.1 1 10 100 1000
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Question :
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4. Le convertisseur statique en électronique de
puissance
Energie
Continue Alternative
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5. Réversibilité du convertisseur statique
Convertisseur Convertisseur
réversible non réversible
Energie Energie
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Les types de convertisseurs peuvent être représentés selon le
diagramme de la figure suivante:
Source à courant Redresseur à
Source à courant continu
diodes
alternatif
U fixe
V et f sont fixes Onduleur assisté
à thyristors
Redresseur à
Onduleur autonome Hacheur Hacheur à
Gradateur à Thyristors
à IGBTs ou à réversible transistor
thyristors ou à
triacs thyristors
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6. Concepts généraux
6.1 Aire de sécurité
Imax
Pmax
Vmax V
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6.2 Pertes par commutation
Les caractéristiques dynamiques d’un composant de l’ENPU
V
Fermeture
t
tcommutation
I
Pertes par
commutation
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7. Les composants utilisés dans le domaine de
l'électronique de puissance
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7.1 La Diode de puissance
a. Présentation de la diode
La diode est un composant non commandable (ni à la fermeture ni
à l'ouverture).
Anode (A)
V AK Cathode (K)
i AK
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b. Caractéristique d'une diode parfaite
Les changements d'état de la diode sont spontanés, peuvent être
caractérisés par les modes suivants :
− Etat passant : i AK 0, V AK 0
− Etat bloqué : iAK 0, VAK 0
La caractéristique courant - tension dans ce cas est donnée par la
figure suivante : i AK
Polarisation en Polarisation en
inverse direct
iAK 0, VAK 0 iAK 0, VAK 0
A K A K
VAK
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c. Caractéristique d'une diode réelle
iAK
Le courant iAK
en inverse est faible Courant
max
La tension inverse
La tension VAK
maximale
en direct est faible
Vd VAK
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c. Applications de la diode
DRL La machine
La source DC
DC
La commande
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7.2 Le transistor bipolaire
a. Présentation du transistor bipolaire
iB
VCE
V BE iE
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Le transistor est un composant non réversible en courant, il ne
laisse passer que des courants positifs de collecteur vers
l'émetteur. Il est également non réversible en tension. Lorsqu'il
est bloqué, il ne peut supporter que des tensions positives.
Modes
Mode linéaire Mode commutation
- Pour les montages à Il consiste à rendre le
faible puissance, faible transistor similaire à un
fréquence; interrupteur
-Amplification des commandable à des
signaux, fréquence élevées.
- Systèmes de télécom
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b. Caractéristique d'un transistor parfait
Transistor bloqué
VCE
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c. Caractéristiques dynamiques d'un transistor
Ces caractéristiques sont montrées sur la figure suivante :
iB
iBsat
t
iC
iCsat
t
t d ( on ) tr t d ( off ) tf
VCE
VCEsat
t
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7.3 Le transistor MOSFET
a. Présentation du transistor MOSFET
Le transistor MOS est un composant commandable à l'ouverture à
la fermeture. Drain (D)
iD
VGS
Source (S)
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a. Caractéristique d'un MOSFET parfait
Le MOSFET est composant est totalement commandable par la
tension VGS .
A l'état passant la résistance RDS est faible ce qui permet au courant
iD de croitre. A l'état fermé la résistance RDS est importante, ce qui
annule le courant iD .
iD
Transistor saturé
Transistor bloqué
VDS
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7.4 Le transistor IGBT
Solution
Le MOSFET et le BP
ne permettent pas de
IGBT
profiter de ces
caractéristiques
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Ce composant est considéré comme le roi des applications haute
tension (600 V) à moyenne fréquence de découpage (20 kHz).
Le schéma de principe de ce composant et le schéma équivalent
sont donnés par la figure suivante :
PNP
Grille (G)
Grille (G)
(a) (b)
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7.5 Le Thyristor
a. Présentation du Thyristor
Le terme thyristor est la contraction de THYRatron et de
transISTOR. C'est un composant commandé à la fermeture mais
pas à l'ouverture. La figure suivante montre le symbole du
Thyristor. Anode (A)
VAK iG
Gâchette (G)
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b. Amorçage du Thyristor
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c. Blocage par commutation naturelle
VAK R
Ve UR
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- Les formes d’ondes :
iG
t
Ve
t
2
Amorçage
du
Thyristor
Blocage du
Thyristor
U R
t
2
V AK
t
2
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d. Blocage par commutation forcée
iC
UC ThE
UR R
E
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8. Réversibilité en courant des interrupteurs de
puissance
Le transistor bipolaire et le transistor MOSFET sont deux
composants dont la tension et le courant sont exclusivement
positifs. Dans le but d'étendre leurs caractéristiques, ces
composants sont associés à d'autres commutateurs réversibles en
courant.
iDr 0 iD 0
iC 0 iD 0
iB
VCE VDS
V BE iE
VGS
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9. Comparatif des différents interrupteurs :
Rapidité de commutation
BP Moyen Moyen
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Fin de Chapitre 1
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