Chapitre 5 : Théorème de Gauss Ségolène GUILBAUD

5- Théorème de Gauss
5.0- « Rappel » sur le flux
5.1- Enoncé
5.2- Exemples d’application

5.2.1- Charge ponctuelle

5.2.2- Sphère uniformément chargée

5.2.3- Plan infini uniformément chargé

5.2.4- Condensateur

5.2.5- Conducteur
1

5.0- « Rappel » sur le flux

dS est un élément de surface

n est le vecteur unitaire normal
sortant et perpendiculaire
à la surface
 
dS = dSn

     
d F = E .dS = E .dSn  F = òò
 E.dS
S

1
Chapitre 5 : Théorème de Gauss Ségolène GUILBAUD

5.1- Enoncé du théorème de Gauss

Une charge ponctuelle q crée un flux  de champ

électrostatique E à travers une surface qui est par
définition :
     
d F = E .dS = E .dSn  F = òò
 .dS
E
S
Théorème de Gauss : Le flux du champ électrique à
travers une surface fermée orientée quelconque est
égal, dans le vide, à 1/ε₀ fois la charge électrique
contenue à l'intérieur de cette surface
  Qint
F= òò
 .dS = e0
E
S

5.1- Enoncé du théorème de Gauss

  Qint
F= òò
 .dS = e0
E
S

   
Si E  dS alors F = òò
 E .dS = E ´ S
S

2
Chapitre 5 : Théorème de Gauss Ségolène GUILBAUD

Chapitre : Théorème de Gauss

5.2- Exemples d’application

5.2.1- Charge ponctuelle
1. But : Trouver le champ électrique en M
M
2. Rechercher les symétries du problème

3. Définir une surface de Gauss

correspondant à la symétrie du problème
+q et passant par M. Choisir une surface parallèle
ou perpendiculaire au champ.

4. Appliquer le théorème de Gauss

  Q
 E.dS  int

S
0
5

4. Appliquer le théorème de Gauss   Q

   E.dS  int

S
0
E dS  ES 
Qint
 0
ur  E 4 r 2 
q
0
q
E
4 0 r 2
q
EK
r2
 q 
 E  K 2 ur
r
6

3
Chapitre 5 : Théorème de Gauss Ségolène GUILBAUD

5.2.2- Sphère uniformément chargée en volume

1. But : Trouver le champ électrique en M


Soit M est à l’extérieur de la sphère chargée E ext

Soit M est à l’intérieur de la sphère chargée E int

Si M est à l’extérieur ou à l’intérieur de la sphère chargée

2. Rechercher la symétrie du problème

 
Symétrie sphérique homogène : E  E r   r
r u

4
Chapitre 5 : Théorème de Gauss Ségolène GUILBAUD

3. Définir une surface de Gauss 3. Définir une surface de Gauss

correspondant à la symétrie correspondant à la symétrie
du problème et passant par M du problème et passant par M

4. Appliquer le théorème de Gauss 4. Appliquer le théorème de Gauss

Si M est à l’intérieur de la sphère chargée

3. Définir une surface de Gauss correspondant à la symétrie

du problème et passant par M

10

5
Chapitre 5 : Théorème de Gauss Ségolène GUILBAUD

Si M est à l’intérieur de la sphère chargée

3. Définir une surface de Gauss correspondant à la symétrie

du problème et passant par M


E int

R
r

11

Si M est à l’intérieur de la sphère chargée

  Q
4. Appliquer le théorème de Gauss
r = densité volumique de charges
 E.dS  int

S
0
Qint 1
4pr 2E int =
e0
=
e0 òòò
 r dJ
J 
r E int
4pr 2E int =
e0 òòò
 dJ
J
r 4 3
4pr 2E int = * pr R
e0 3 r

r
E int = r
3e0
Remarque : si la distribution est homogène

alors Qint = rJint ou Qint = sS int

12

6
Chapitre 5 : Théorème de Gauss Ségolène GUILBAUD

Chapitre : Théorème de Gauss

r
Eint ( r ) = r
3e0

13

Si M est à l’extérieur de la sphère chargée

3. Définir une surface de Gauss correspondant à la symétrie

du problème et passant par M

14

7
Chapitre 5 : Théorème de Gauss Ségolène GUILBAUD

Si M est à l’extérieur de la sphère chargée

3. Définir une surface de Gauss correspondant à la symétrie du
problème et passant par M

E ext

15

Si M est à l’extérieur de la sphère chargée

  Q
4. Appliquer le théorème de Gauss
 E.dS  int

0
  S
F = òò
 Eext .dS = 4pr 2Eext 
S E ext
Qint 1
4pr 2Eext =
e0
=
e0 òòò
 r dJ
J

r
4pr 2Eext =
e0 òòò
 dJ R
J
r 4
4pr 2Eext = * pR 3
e0 3
r R3
Eext =
3e0 r 2
16

8
Chapitre 5 : Théorème de Gauss Ségolène GUILBAUD

Chapitre : Théorème de Gauss

r r R3
Eint ( r ) = r Eext r =
3e0 ( )
3e0 r 2

17

Calcul du potentiel à l’extérieur de la sphère

 r R 3   
E ext ( r ) = u
3e0 r 2 r
Vext (r ) = -
ò ext .dl
E
r R 3  
Vext r = -ò
( ) u .dl
3e0 r 2 r
1
r R 3    
= -ò ur . ( drur + rd quq + r sin qdjuj )
3e0 r 2
0 0
r R 3   r R3 r R3
= -ò dru .u
r r = -ò 3e0 r 2 dr = + cste
3e0 r 2 3e0 r
r R3 On choisit lim Vext ( r ) = 0
Vext ( r =
) + cste r ¥
3e0 r
0 ¥ r R3
Vext ( r ) =
0 = 0 + cste  cste = 0 3e0 r
18

9
Chapitre 5 : Théorème de Gauss Ségolène GUILBAUD

Calcul du potentiel à l’intérieur de la sphère

r R3
V ( r =
)
 r    ext 3e0 r
E int ( r ) = ru Vint ( r ) = -ò Eint .dl
3e0 r
r  
Vint ( r ) = -ò r u .dl
3e0 r
1
r    
= -ò rur . ( drur + rd quq + r sin qdjuj )
3e0
0 0
r   r 2
= -ò rdrur .ur = -ò rdr = - r r + cste
3e0 3e0 3e0 2
3
r R r R2
Or Vext ( R ) = Vint ( R )  =- + cste
3e0 R 3e0 2
rR2 r R2 rR2
 cste = + =
3e0 3e0 2 2e0
19

Chapitre : Théorème de Gauss

Calcul du potentiel à l’intérieur de la sphère

r r2 rR2 r æç r 2 ö
çç - R ÷÷÷
2
Vint ( r ) = - +  Vint ( r ) = -
3e0 2 2e0 2e0 è 3 ø

20

10
Chapitre 5 : Théorème de Gauss Ségolène GUILBAUD

Chapitre : Théorème de Gauss

Calcul du potentiel à l’intérieur de la sphère

r r2 rR2 r æç r 2 ö
çç - R ÷÷÷
2
Vint ( r =-
) +  Vint r = -
( )
3e0 2 2e0 2e0 è 3 ø

21

Chapitre : Théorème de Gauss

Calcul du potentiel à l’intérieur de la sphère

r r2 rR2 r æç r 2 ö
çç - R ÷÷÷
2
Vint ( r ) = - +  Vint ( r ) = -
3e0 2 2e0 2e0 è 3 ø

22

11
Chapitre 5 : Théorème de Gauss Ségolène GUILBAUD

Chapitre : Théorème de Gauss

5.2.3- Plan infini uniformément chargé

1. But : Calcul du champ électrostatique en un point M situé à une

distance z du plan chargé
 
E  x, y, z   Ex  x, y, z  ux
  M
 Ey  x, y, z  u y  Ez  x, y, z  uz z

Densité surfacique de charge  0

23

Chapitre : Théorème de Gauss

5.2.2- Plan infini uniformément chargé

2. Rechercher les symétries du problème

Tout plan perpendiculaire à 
est un plan de symétrie M

24

12
Chapitre 5 : Théorème de Gauss Ségolène GUILBAUD

Chapitre : Théorème de Gauss

5.2.2- Plan infini uniformément chargé

2. Rechercher les symétries du problème

Tout plan perpendiculaire à 
est un plan de symétrie M
 
E  x, y, z   Ex  x, y, z  ux
 
 Ey  x, y, z  u y  Ez  x, y, z  uz

 
E  x, y, z   Ez  x, y, z  uz

25

Chapitre : Théorème de Gauss

5.2.3- Plan infini uniformément chargé

 
E  x, y, z   Ez  x, y, z  uz
Invariance par translation M
suivant Ox et Oy
 

E  x, y, z   Ez x , y , z uz 
 
E  x, y, z   Ez  z  uz

26

13
Chapitre 5 : Théorème de Gauss Ségolène GUILBAUD

3. Définir une surface de Gauss correspondant à la symétrie du

problème et passant par M

4. Appliquer le théorème de Gauss M

  Q
 E.dS  int

S
0

27

Chapitre : Théorème de Gauss

         0

 E .dS
S
  1 
 E .dS   2 
S1
E .dS
S2
  E.dS L
SL

28

14
Chapitre 5 : Théorème de Gauss Ségolène GUILBAUD

Chapitre : Théorème de Gauss

         0

 E .dS
S
  1 
 E .dS   2 
S1
E .dS
S2
  E.dS L
SL
  
E  dS L  dS L nL
 
E.dS L  0

29

Chapitre : Théorème de Gauss

       0
 E.dS  

S
 E.dS1  
 E.dS2
S S

  E z S  E z S

30

15
Chapitre 5 : Théorème de Gauss Ségolène GUILBAUD

Chapitre : Théorème de Gauss

 0
D’après le théorème de Gauss
Qint

0
Qint
2E  z  S 
0
 Densité surfacique de charge
S
2E  z  S 
0

E z 
2 0

31

Chapitre : Théorème de Gauss

 0


E
2 0

32

16
Chapitre 5 : Théorème de Gauss Ségolène GUILBAUD

5.2.4- Condensateurs
Les condensateurs : deux plans infini chargés séparés par du vide de
faible épaisseur

     
E uz E uz
2 0 2 0

   
E  
uz E uz
2 0 2 0


     
E uz E   uz
2 0 2 0  0
33

Chapitre : Théorème de Gauss

 0
 
E0


  
E   uz
0


 
E0
34

17
Chapitre 5 : Théorème de Gauss Ségolène GUILBAUD

5.2.5- Conducteurs
++++++++++++   Qint
+
+
+  
F= òò
 .dS = e0
E
+ + +E 0 + S
+ + + +
+
+ Qint
+
+ +
+ + + +
0=
+
++ +
e0
+ + +
+ + + Qint = 0
++++++++++++

 òòò rconducteur d J = 0
 rconducteur = 0

35

 
E0 
  E
 gradV  0 ++++++++++++

 dV  + + 
 dx  0 E +   + E
 + E0 +
+
 dV +
 0  V  cste + +

 dy
 dV ++++++++++++

 0 E
 dz
La surface d’un conducteur est une équipotentielle

Le champ électrostatique est perpendiculaire aux équipotentielles

et donc à la surface des conducteurs

36

18
Chapitre 5 : Théorème de Gauss Ségolène GUILBAUD

    Q
E = -gradV   
dl = dxux + dyuy  E.dS  int

S
0
   
V = -ò E .dl   Eplan 
dl = drur + rd quq infini 2 0
    4
F = qE = -gradEp E Î plan de symétrie Vsphère = pR 3
3

E dans le sens des 
E ^ plan d'antisymétrie Ssphère = 4pR 2
potentiels décroissants
Charge q Dipôle
 q  
E = K ur 2p cos q  p sin q 
E =K ur + K uq
r2 r3 r3
 
q p.ur
V =K V =K
r r2
1
E p = qV E = Kq q 1 E p = å qiVj  
p 1 2
r 2 i¹j Ep = -p.E 0

37

Passons à la l’électrocinétique…

38

19