Réseaux Linéaires en Régime Sinusoïdal Forcé (RSF) A

Physique
RESEAUX LINEAIRES EN REGIME SINUSOIDAL FORCE (RSF)

Cours
Plan (Cliquer sur le titre pour accéder au paragraphe)

**********************
I. Exemple préliminaire.................................................................................................... 1
II. La notation complexe. .................................................................................................. 2
III. Impédance et admittance complexe. .......................................................................... 3
IV. Théorèmes pour les circuits linéaires en RSF................................................................ 6
V. Etude du circuit RLC série en RSF. ................................................................................. 9
VI. Puissance en régime sinusoïdal forcé. ........................................................................12
**********************
I. Exemple préliminaire.
i R
u(t)
Alimentons un circuit (R,C) par un générateur
e(t ~ C sinusoïdal de fem e(t) = E 2 cos ωt.
)
o
Alors : e(t) = Ri + u = RC u + u
L’équation différentielle sur u(t) est donc :

o
τ u +u=E 2 cos ωt (1)
En régime RSF, on ne s’intéresse qu’à une solution particulière de cette équation, et on

cherche :
u(t) = U 2 cos (ωt + ϕ)

o
Alors : u =-ωU 2 sin (ωt + ϕ)
Et en reportant dans (1) :

- ωτ U sin (ωt +ϕ) + U cos (ωt + ϕ) = E cos ωt
sin ωt cos ϕ + cos ωt sin ϕ cos ωt cos ϕ – sin ωt sin ϕ

Ainsi :
E
cos ωt [ω τ sin ϕ + cos ϕ] + sin ωt [- ω τ cos ϕ – sin ϕ] = cos ωt , ∀t
U
ce qui implique :
- ωτ cos ϕ - sin ϕ = 0
E
- ωτ sin ϕ - cos ϕ =
U
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On en déduit : cos ϕ = - τ ω
− τω
sin ϕ =
1 + τω 2
1
cos ϕ =
1 + τ 2 ω2
E
Donc : U=
1 + τ 2 ω2
On voit que, pour un circuit très simple, les calculs en notation réelle sont assez
longs. Nous allons donc utiliser la notation complexe, qui permettra de résoudre de
manière élégante et assez rapide les exercices et problèmes sur les circuits linéaires en
RSF.
II. La notation complexe.
II.1. Définitions.
Soit x(t) = X 2 cos (ωt + ϕ) une grandeur sinusoïdale de pulsation x.
*On associe à x(t) sa grandeur complexe instantanée :
x(t) = X 2 e j(ωt + ϕ)
Rem. : en physique, " i " = e iΠ / 2 est souvent noté "j", en particulier en électricité pour
éviter une confusion avec l’intensité.
On a alors : x(t) = Re (x(t))
*On pose aussi : X = X M e jϕ = X 2 e jϕ
(ou parfois X = X e jϕ )
X est l’amplitude complexe associée à x(t) : pour une pulsation ω donnée, la
connaissance de X donne X et ϕ, donc caractérise parfaitement la grandeur x(t).

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II.2. Intérêt : il s’agit de remplacer toute relation différentielle linéaire par une
relation linéaire non différentielle. En effet :
o
x = (jω) x
oo
x = (jω)2 x = - ω2 x
x(n) = (jω)n x
Dériver en notation complexe revient donc à multiplier par jω.
Rem. : j = e iΠ / 2 , et on retrouve que dériver une fonction sinusoïdale revient à ajouter

Π
Π /2 à l’argument (rotation de ):
2
d
(cos ωt) = cos (ωt + Π /2) = - sin ωt
dt
1
De même : ∫ x (t) dt = jω
x
III. Impédance et admittance complexe.
Nous admettrons ici la propriété mathématique suivante :

x(t) = y(t), ∀t ⇔ x(t) = y(t)
Alors :
i(t) R
III.1. Résistance : A! ! B
u(t)
u(t) = R i (t) ⇔ u(t) = R i(t)
u U
On pose alors : = =Z impédance complexe du dipôle
i I
-
Pour une résistance : Z = R ∈R

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i(t) L
III.2. Bobine : ! !
u(t)
o o
u(t) = L i (t) ⇔ u(t) = L i (t)
jωi
Ainsi : u = (jLω) i : Z = jLω
i(t)
! !
III.3. Condensateur :
u(t)
o o
i(t) = C u (t) ⇔ i(t) = C u (t) = C (jωu)
1 1
Ainsi u= i : Z=
jCω jCω
III.4. Généralisation : soit un dipôle AB en RSF :
A i(t) B
! Dipôle !
u(t)
Posons : i(t) = I 2 cos ωt ! i(t) = I 2 e jωt
u(t) = U 2 cos (ωt+ϕ) ! u(t) = U 2 e jωt e jϕ

On définit alors :
u U
Z= = , impédance complexe du dipôle
i I
-
Y= -i = 1 , admittance complexe du dipôle

u Z
On voit alors que :

U
Z =Z= (« impédance » en Ω du dipôle)
I
Arg Z = ϕ = déphasage u/i

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I 1
De même : Y =Y= = (en S)
U Z
Arg Y = - ϕ = déphasage i/u
I
Notation : ! Z ! B
A
U
U=ZI
Et on retiendra : ZR = R ZR = R
ϕ=0
ZL = j L ω ZL = L w
ϕ = + Π/2
1 1
ZC = ZC =
jCω Cω
ϕ = -Π/2
III.5. Exemples de calcul : les lois des nœuds et des mailles restant valables en
notation complexe, on aura :
Z = ∑ Zi en série
i
Y = ∑ Yi en parallèle
i
R L
C
R
! ! ! ! ! !
C C
1 1 1
Z=R+ Y = jCω + Y = jCω +
jCω R jLω
1 R jLω
Z= R2 + Z= Z=
2
C ω 2 1 + jRCω 1 − LCω2
 1  R Lω
ϕ = - Arctan   Z= Z=
 RCω  1+R C ω2 2 2 1 − LCω2
ϕ = - Arctan RCω ϕ ± Π/2

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Rem. : dans tous les calculs en RSF, on retrouve des groupements sans dimension, du
type :
Lω
RCω , , LCω2…
R
(ce qui permet de vérifier l’homogénéité des résultats obtenus).
IV. Théorèmes pour les circuits linéaires en RSF.
La relation u = Z i généralisant, en notation complexe, la loi d’Ohm ; les lois des

nœuds et des mailles restant valables en notation complexe : tous les théorèmes vus en
I et II (diviseurs de tension et courant, théorème de Millmann, transformation
triangle/étoile, théorème de superposition, théorème de Thévenin/Norton) restent
valables en RSF, à condition d’utiliser la notation complexe.
IV.1. Diviseur de tension.
Z2
Z1
U1 = U
U ! U1 Z1 + Z 2
Z1
Ex :
R
Ue !
Us 1
jCω
C Us = Ue
R+ 1
jCω
1
Soit Us = Ue
1 + jRCω
Rem. : on retrouve l’exemple préliminaire, et donc beaucoup plus rapidement que :

Us 1
=
Ue 1 + R 2 C 2 ω2

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IV.2. Diviseur de courant.

I
!
I1
Y1 Y2 Y1
I1 = I
!
Y1 + Y2
I
! jcω
Ex : I1 = I
1
jcω +
C L jLω
I1
! Lcω2
= I
1 − Lcω2
IV.3. Théorème de Millmann.
V1 • • V2
Y1
∑ Yk Vk
Y1 A VA =
• ∑ Yk
Yn
• Vn
Ex. : double cellule (R, C)
R R
• • On se propose de calculer Us en fonction
Ue Us
UA
C C de Ue , R et C.
1
Us = UA (diviseur de tension)
1 + jRCω
1 / R Ue + 1/R Us + jcω x O
UA = (Millmann)
1/R +1/R + jcω
Ue + Us
=
2 + jRCω
En éliminant UA , on obtient :
1
Us = Ue
1 + 3 jRCω - R 2C2ω2

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IV.4. Théorème de Thévenin/Norton.

I A
Dipôle linéaire en ! U
RSF, sans sources
contrôlées par une
grandeur externe
I !
! U B
(Norton)
IN Z Th
YN I
! U
! (Thévenin)
E Th
1 E Th
Avec toujours : YN = , IN = , les calculs de E Th , IN et Z Th se faisant comme
Z Th Z Th
précisé en régime permanent.
Exemple : On se propose de calculer I dans le circuit suivant :
Z Th
R A A
! !
I I
E C R E Th
R
! !
B B
Sur le schéma équivalent :

E Th
I=
R + Z Th
*Calcul de E Th = UO (à vide) :
R O
! 1
E Th = E
1 + jRCω
E C
*Calcul de Z Th : on éteint la source (E = o)
!A
R
R C Z Th =
1 + jRCω
! B
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E
1 + jRCω
Alors : I=
R+R
1 + jRCω
E
Soit : I=
R(2 + jRCω)
V. Etude du circuit RLC série en RSF.
V.1. « Résonance en intensité » : on cherche à étudier l’évolution de la valeur

efficace I de i(t) lorsque ω varie. Pour ce faire, on peut étudier la tension aux bornes de
R: C
L i(t)
e(t) u(t) Le diviseur de tension donne :
~ R R
U= E
1
R + jLω +
jCω
e(t) = E 2 cosωt
1
⇒ U= E
 Lω 1 
1+ j − 
R RCω 
1
En introduisant ωo = , on obtient :
LC
Lω o
Qo =
R
1
U= E
 ω ω 
1 + j Q o  − o 
 ωo ω 
1
Ainsi : U = U= E
2
 ω ω 
1 + Q 2o  − o 
 ωo ω 
•ω=0:U=0
•ω→∞:U→0
• U est maximale si ω = ωo, et Umax = E
L’allure de la courbe U(ω) est donc la suivante :

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U
E •
E
∆ω
2
ω
ω0
0
Pour ω = ω0, on dit qu’il y a résonance d’intensité dans le circuit RLC série. A la
résonance : Z = R : u(t) = e(t) = Ri(t) (i(t) est en phase avec e(t)).
Rem. : en électronique, un tel circuit sera appelé filtre passe-bande (cf V). La « bande
E ω0
passante » ∆ω est définie à . Nous montrerons que ∆ω = .
2 Q0
V.2. Résonance en tension aux bornes de C.

On étudie cette fois la tension aux bornes du condensateur.
R L
e(t) u(t) Toujours avec le diviseur de tension :
~ C 1
jCω
U= E
1
R + jLω +
jCω
1
Soit : U= E
2
 ω   ω 
1 −   + j
 ω Q


 ω0   0 0 
ω
Posons x = (« pulsion réduite », sans dimension) :
ω0
1
U= 2
E
(1 − x ) 2 2  x
+ 



 Q0 
On cherche aussi à tracer l’allure de la courbe U(ω) ou U(x).
• Pour x = 0 : U = E
• Pour x → ∞ : U → 0
• Recherche d’un extremum de U(x)
X
Posons X = x2 ; f(X) = (1 – X)2 +
2
Q0

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1 dU dU dX dU
U= E : = =2x
f(X) dx dX dx dX
dU 1
Soit : = 2 x E (- f(X)-3/2) f’(X)
dx 2
dU
Ainsi : = 0 ⇔ x = 0 ou f’(X) = 0
dx
1
Or : f’(X) = -2 (1 – X) + 2
Q0
1
1er cas : Q0 < : f’(X) ne peut s’annuler.
2
La courbe U(x) ne présente pas d’extremum autre que x = 0.
1 1
2e cas : Q0 > : f’(X) = 0 pour x = xR = 1−
2
2 2Q 0
dU dU
La courbe U(x) présente donc un maximum (on peut vérifier que > 0 si x < xR et
dx dx
< 0 si x > xR) pour x = xR.
Q0
De plus : UMax = E
1
1− 2
4Q 0
UMax •
E 1
Q0 >
2
1
Q0 <
2
• ω
1
ωR = ω0 1−
2
2Q 0
1
On dit donc qu’il y a résonance de tension aux bornes de C si Q0 > .
2
Rem. : Si Q0 >> 1 : ωR ≈ ω0 (la pulsation de résonance est quasi confondue avec la

pulsation propre).

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De plus, dans ce cas : UMax ≈ Q0 E >> E. Ainsi, on appelle parfois Q0 facteur de

« surtension ».
Le phénomène peut devenir dangereux ou conduire au « claquage » du condensateur,
puisque par exemple, pour E = 2 V, Q0 = 100 : UMax ≈ 200 V.
De la même manière, en mécanique, les phénomènes de résonance lors de secousses
telluriques ou passage de camions peuvent s’avérer dangereux pour les structures (ponts
à haubans…), et les ingénieurs cherchent à s’en protéger ; le phénomène est complexe,
puisque l’excitation n’est pas sinusoïdale.
VI. Puissance en régime sinusoïdal forcé.
VI.1. Définitions :
i(t)
! ! i(t) = I 2 cosωt
Dipôle
u(t) = U 2 cos (ωt + ϕ )
u(t)
*P(t) = u(t) i(t) est la puissance instantanée consommé par le dipôle.
*Papp = U I est la puissance « apparente »
*P = est la puissance « moyenne » ou « active » réellement consommée par le
dipôle.
VI.2. Expression de P.
p(t) = 2 UI cos ωt cos (ωt + ϕ)
= UI [cos (2ωt +ϕ) + cosϕ]
Ainsi : P = UI cos ϕ ≥ 0
Exemples :
*Résistance : P = RI2
*Bobine et condensateur : P = 0
*Circuit RLC série :
R L C
i
! !
p(t) = u(t) i(t) = uRi + uLi + uCi
uR uL uC ⇒ = P = <uRi> = RI2

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*Circuit RLC parallèle :

i
u iC
iR iL p = ui = uiR + u iL + u iC
R L C U2
⇒ = P = =
R
VI.3. Calcul en notation complexe.
On a : u = U 2 e j(ωt + ϕ)
i = I 2 e jω t
1
Ainsi : P = = Re (u i*)
2
Rem. : on pose parfois

1
p= u i* puissance complexe
2
P = Re(p) = UI cos ϕ puissance active
Q = Jm(p) = UI sin ϕ puissance “réactive”
Pour un dipôle d’impédance complexe Z, on a alors :
1
P= Re (z i i *)
! Z 2
!
⇒ P = Re (Z) I2
U
Ex. : circuit RLC série :

1
Z = R + j(Lω - )
Cω
⇒ P = R I2
VI.4. Facteur de puissance : c’est le « cos ϕ » d’une installation électrique :
P
cos ϕ =
Papp

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Intérêt : soit un générateur alimentant une utilisation à travers une ligne de transport :
Z
i
Ligne
Générateur Utilisation
cos ϕ
(réseau) (usager)
Pu = UI cos ϕ est la puissance utile
Pgéné la puissance moyenne délivrée par le générateur

Pligne = RI2 la puissance moyenne consommée par la ligne (Z = R + jX)
Le rendement énergétique de l’ensemble est :

Pu 1
η= =
Pgéné Pligne
1+
Pu
η est donc une fraction décroissante de :

Pligne R I2 R Pu
= =
Pu Pu U cos 2 ϕ
2
Pligne
Pour augmenter η, il faut minimiser , donc :
Pu
* Diminuer R (augmenter la section des câbles)

* Augmenter U (hautes tensions)
* Augmenter cos ϕ (en pratique cos ϕ > 0,9)
Ex. : soit un dipôle d’impédance complexe
Z = Z e jϕ
Pour augmenter cos ϕ , on peut placer en parallèle sur le dipôle un condensateur :
1
Ytotal =jCω +
Z
C
D
On veut cos ϕ total = 1 ⇔ Ytotal ∈ R
1
Cω- sin ϕ = 0
Z

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1
⇒ C= sin ϕ
Zω
VI.5. Adaptation d’impédances : on cherche à avoir Pu maximale.
Zg
I
U Posons : Z g = Rg + j Xg
eg Zu
Z u = Ru + j Xu
Zu Eg
Alors : U= Eg ; I=
Zu + Z g Zu + Z g
1 2
R e (Zu )
Pu = Re (u i *) = E g
2 2
Zu + Z g
Ru
Soit : Pu = Eg2
(R u + R g ) + (X u + X g )2
2
On voit alors que Pu maximale pour Xu = - Xg ; on se ramène alors au cas étudié

en régime continu, donc Rg = Ru correspond à PuMax . Finalement, l’adaptation
d’impédances sera réalisée si :
Zu = Z g *
2
Eg
Alors : PuMax =
4 Rg

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RESEAUX LINEAIRES EN REGIME SINUSOIDAL FORCE (RSF)

RESEAUX LINEAIRES EN REGIME SINUSOIDAL FORCE (RSF)

Plan (Cliquer sur le titre pour accéder au paragraphe)

L’équation différentielle sur u(t) est donc :

En régime RSF, on ne s’intéresse qu’à une solution particulière de cette équation, et on

u(t) = U 2 cos (ωt + ϕ)

Et en reportant dans (1) :

sin ωt cos ϕ + cos ωt sin ϕ cos ωt cos ϕ – sin ωt sin ϕ

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II. La notation complexe.

On a alors : x(t) = Re (x(t))

*On pose aussi : X = X M e jϕ = X 2 e jϕ

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Dériver en notation complexe revient donc à multiplier par jω.

Rem. : j = e iΠ / 2 , et on retrouve que dériver une fonction sinusoïdale revient à ajouter

III. Impédance et admittance complexe.

Nous admettrons ici la propriété mathématique suivante :

u(t) = R i (t) ⇔ u(t) = R i(t)

Pour une résistance : Z = R ∈R

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Ainsi : u = (jLω) i : Z = jLω

III.4. Généralisation : soit un dipôle AB en RSF :

Posons : i(t) = I 2 cos ωt ! i(t) = I 2 e jωt

u(t) = U 2 cos (ωt+ϕ) ! u(t) = U 2 e jωt e jϕ

Y= -i = 1 , admittance complexe du dipôle

On voit alors que :

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Arg Y = - ϕ = déphasage i/u

ϕ = - Arctan RCω ϕ ± Π/2

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IV. Théorèmes pour les circuits linéaires en RSF.

La relation u = Z i généralisant, en notation complexe, la loi d’Ohm ; les lois des

IV.1. Diviseur de tension.

Rem. : on retrouve l’exemple préliminaire, et donc beaucoup plus rapidement que :

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IV.2. Diviseur de courant.

IV.3. Théorème de Millmann.

Ex. : double cellule (R, C)

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IV.4. Théorème de Thévenin/Norton.

Exemple : On se propose de calculer I dans le circuit suivant :

Sur le schéma équivalent :

*Calcul de Z Th : on éteint la source (E = o)

V. Etude du circuit RLC série en RSF.

V.1. « Résonance en intensité » : on cherche à étudier l’évolution de la valeur

L’allure de la courbe U(ω) est donc la suivante :

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V.2. Résonance en tension aux bornes de C.

On cherche aussi à tracer l’allure de la courbe U(ω) ou U(x).

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Rem. : Si Q0 >> 1 : ωR ≈ ω0 (la pulsation de résonance est quasi confondue avec la

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De plus, dans ce cas : UMax ≈ Q0 E >> E. Ainsi, on appelle parfois Q0 facteur de

VI. Puissance en régime sinusoïdal forcé.

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*Circuit RLC parallèle :

VI.3. Calcul en notation complexe.

Rem. : on pose parfois

Pour un dipôle d’impédance complexe Z, on a alors :

Ex. : circuit RLC série :

VI.4. Facteur de puissance : c’est le « cos ϕ » d’une installation électrique :

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