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Analisis y modelos a pequeña señal del transistor

R. Carrillo, J.I. Huircan

Abstract— Los BJT y FET son m o delados usando redes de dos

puertasa a través de parám etros h ó Y resp ectivam ente. Para
cada el BJT en base común , colector común o em isor común y el Vi = hi Ii + hr Vo (1)
FET en Fuente, G ate o D renador común, existe un conjunto dis-
tinto de parám etros h y Y. Un sólo grup o de parám etros puede Io = hf Ii + ho Vo (2)
servir para analizar las distintas conexiones del transistor. Es-
tos m o delos se usan a p equeña señal y ba ja frecuencia. Así se Despejando los parámetros
determ ina la ganancia de volta je, corriente, y las resistencias de
entrada y salida de la con…guración am pli…cadora.
Index Terms— Am pli…cadores, Pequeña Señal Vi
hi = jV =0 : Impedancia de entrada
Ii o
I. Introduction Vi
hr = jI =0 : Ganancia de tensión inversa
Vo i
Al ampli…car pequeñas señales, las variaciones (tensiones
Io
y corrientes) ‡uctuarán dentro de un reducido rango en hf = jV =0 : Ganancia de corriente directa
torno al punto Q, con ello se asegura el trabajo en zona Ii o
lineal (salida sin distorsión). En las siguientes secciones Io
ho = jI =0 : Admitancia de salida (3)
se describen los modelos a pequeña señal del BJT y el Vo i
FET, los que permitirán analizar las distintas aplicaciones
Así, la red modelada en base a los parámetros h será la
ampli…cadoras.
indicada en la Fig. 2.
II. El transistor como red de dos puertas
Ii hi Io
Desde el punto de vista de los terminales el transistor se + +
modela como una red de dos puertas o cuadripolo. +
Vi Io h r 1
hf Ii ho Vo

ii io _ _

+ +
v Transistor v
i o Fig. 2. Red de dos puertas con parám etros h.
_ _

Fig. 1. Transistor com o red de dos puertos. B. Parámetros Y

Se de…nen los parámetros Y de acuerdo a (4) y (5)
Estas redes se describen por un conjunto de parámetros, Ii = y11 Vi + y12 Vo (4)
los cuales dependen del tipo de variable independiente que
se use, dichos parámetros se indican en la Tabla I. Io = y21 Vi + y22 Vo (5)

Donde
TABLE I
Parámetros para cuadripolos.
Ii
y11 = jV =0 = Yi
Vi o
Var. Independiente Var. Dependiente Parámetros Ii
y12 = jV =0 = Yr
Ii ; Io Vi ; V o Z Vo i
Vi ; V o Ii; Io Y Io
y21 = jV =0 = Yf
Ii ; Vo Vi ; Io h Vi o
Vo ; Io Vi ; Ii A; B; C; D Io
y22 = jV =0 = Yo (6)
Vo i
Resultando la red de la Fig. 3.
A. Parámetros h
C. Análisis en ca
Se de…nen los parámetros h para satisfacer el sistema de
ecuaciones (1) y (2). Los modelos propuestos describen el comportamiento de
los transistores en la zona lineal, a pequeña señal además
U F R O - D IE . M a te ria l p re p a ra d o p a ra la a sig n a tu ra d e C irc u ito s E le c tró n ic o s
de sus características dinámicas, así el análisis básico de
I. Ve r 2 -2 0 1 0 . ampli…cadores requerirá de dichos modelos.
2

Ii Io ib
+ + +
+ + ic hie
+
1 + vCE v BE hfe i b 1
1 hre v CE vCE
Vi Yi Vo Yr Yf Vi Vo vBE i b hoe
Yo _ _ _
_
_ _
(a) (b)

Fig. 3. Red de dos puertas con parám etros Y. Fig. 4. (a) BJT en em isor común. (b) M odelo usando parám etros h.

El análisis de ampli…cadores consiste en la determinación ib =vBE ). Este parámetro puede ser calculado como hie =
de la relación de las variables de entrada y salida, común- 26[mV ] o
mente llamada ganancia, la que puede ser de voltaje (Av ) ibQ ; válido solamente para T ambiente. Por lo general

o corriente (Ai ). Sin embargo, son importantes las carac- su valor es de algunos [K ].
terísticas de entrada y salida tales como la impedancias de
vBE vBE
entrada y salida (Rin y Rout ), parámetros que permitirán hre = ji =0 = ji =Cte (8)
vCE b vCE b
evaluar el efecto de la conexión entre distintas etapas.
Como el análisis es en ca, se deben anular las fuentes de Corresponde a la transmisión inversa, por lo general de
cc, y dejar sólo las componentes de señal. Los capacitores bajo valor (no medible), puede ser considerada 0.
se reemplazan por cortocircuitos y …nalmente se reemplaza
el dispositivo activo por el modelo correspondiente. Final- ic ic
hf e = jv =0 = jv =Cte (9)
mente, a través de las leyes de Kirccho¤, se determinan los ib CE ib CE
parámetros señalados. Donde (9) es la ganancia de corriente a pequeña señal
III. Configuraciones amplificadoras en los y es el equivalente dinámico de .
transistores ic ic
hoe = ji =0 = ji =Cte (10)
Las relaciones de entrada-salida de los sistemas electróni- vCE b vCE b
cos son cuatro: Ganancia de voltaje Av , Ganancia de cor-
riente Ai , Transconductancia GT y Transresistencia RT : La ecuación (10) es la pendiente de la curva caracterís-
La Tabla II, indica las variables y sus unidades. tica de salida, también llamada resistencia de salida del
transistor (ro ). Por lo general, h1oe ! 1. Finalmente, el
modelo queda como se indica en la Fig. 5.
TABLE II
Relaciones Entrada-Salida
ib ic
Nombre Relación +
h ie +
vout
Av vin v BE h fe i b v CE
iout
Ai iin _ _
vout
RT iin [ ]
iout 1 Fig. 5. M o delo del BJT en EC a p equeña señal.
GT vin

Debido a que el BJT es un dispositivo controlado por
corriente, resulta conveniente usar los parámetros h, que
permite describir con más detalle sus cualidades dinámicas.
El FET es un dispositivo controlado por tensión que puede
ser descrito usando los parámetros Y.
A.1 Aplicación 1: Ampli…cador en emisor común
Para el circuito de la Fig. 6, determinar la ganancia de
tensión (Av ), la ganancia de corriente (Ai ), y las impedan-
cias de entrada y de salida (Zin , Zout ).

A. Modelo del BJT en Emisor Común Vcc

Sea el transistor en con…guración de emisor común de la Rc

Fig. 4a. Esta con…guración establece que las señales serán R1 Cc
medidas usando como referencia dicho terminal. Ci vo
Expresando los parámetros h de la red de la Fig. 4b, de Q
v RL
acuerdo a las variables de la red, se tiene i

R2
RE
vBE vBE CE
hie = jv =0 = jv =Cte (7)
ib CE ib CE
Donde (7) equivale a la resistencia dinámica de la jun-
Fig. 6. Con…guración en em isor común.
tura de emisor (corresponde a la pendiente de la curva
A N A L IS IS Y M O D E L O S A P E Q U E Ñ A S E Ñ A L D E L T R A N S IS T O R 3

Llevando el ampli…cador a ca (Fig. 7a) y reemplazando A.2 Aplicacion 2

el modelo del BJT como se indica en la Fig. 7b. Se plantea
Para el ampli…cador de la Fig. 9a, se determinará Av ,
la LVK en la salida y en la entrada.
Rin y Rout .

vo
Vcc
vi Rc
Rc RL
R1 R2 R1
Cc
Ci vo
Q
v
(a) i
RL
R2
ib RE
v
i vo
R1 R2 hie hfe i b RC RL
(a)
ib
vo
vi
(b) hie hfe i b
R1 R2 Rc RL
RE
Fig. 7. (a) Con…guración en ca. (b) Reem plazo del m odelo.

(b)

Fig. 9. (a) Con…guración de p olarización universal. (b) Cto. a p equeña

vo = ib hf e (Rc jjRL ) (11) señal.

vi = ib hie (12)
De acuerdo a la red de la Fig. 9b.
Despejando i b de (12) y reemplazando en (11)
vo = (Rc jjRL ) hf e ib (18)
vo (Rc jjRL )
Av = = hf e (13)
vi hie Pero
La relación entre la salida y la entrada es mucho mayor
que 1. Para determinar la impedancia de entrada, se con- vi RE (1 + hf e ) ib
ib = (19)
sidera que Zin = Rin = viii ; así, la corriente de entrada ii hie
está dada por Despejando la corriente
vi
ii = (14) vi
R1 jjR2 jjhie ib = n o (20)
RE (1+hf e)
hie 1 + hie
Luego
vi Así
Rin = = R1 jjR2 jjhie (15)
ii
vo (R jjR ) h
La resistencia de salida Rout vista desde la carga, se Av = = n c L fe o (21)
vi hie 1 + RE (1+hf e)
determina anulando la excitación y colocando una fuente hie
de prueba en la salida como se muestra en la Fig. 8, así
Si hf e >> 1, entonces la ganancia de tensión tiende
v
i= + hf e ib (16)
RC (Rc jjRL )
Av (22)
Como ib = 0, entonces RE
vi
La resistencia de entrada estará dada por Rin = ii ,
Rout = RC (17) luego de acuerdo a la Fig. 9b.
vi
ib
ii = + ib (23)
i R1 jjR2
+
R1 R2 hie hfe i b Rc v Reemplazando (20) en (23) entonces
vi vi
ii = + n o (24)
R1 jjR2 hie 1 + RE (1+hf e)
Fig. 8. Cálculo de Rout . hie

Finalmente
4

El parámetro
1 iD iD
Rin = 1 1 Y22 = jv =0 = jv =cte (32)
R1 jjR2 + hie +RE (1+hf e) vDS GS vDS GS
= R1 jjR2 jj fhie + RE (1 + hf e)g (25) Es la pendiente de la curva de característica de salida,
su recíproco es la resistencia dinámica de salida, luego,
La Rout se calcula anulado la excitación y colocando un Y22 = r1d : Como rd resulta ser siempre de valor elevado,
generador de prueba de acuerdo a la Fig. ??.
típicamente 500[K ], puede ser considerado como rd !
1. Así, el modelo será el de la Fig. 12b:
h ie hfe i b

ib ip + + + +
+
RE RC vp v GS g m vGS rd vDS v GS g m vGS vDS
_ _ _ _

(a) (b)
Fig. 10. Cálculo de Rout .
Fig. 12. (a) M o delo en Fuente común. (b) M odelo sim pli…cado.

Como
B.1 Aplicación 1
vp
ip = + ib hf e (26) Se determina la ganancia de tensión Av y la resistencia
RC
de entrada Rin del circuito de la Fig. 13a.
ib hie = ib (1 + hf e ) RE (27)

De (27), se tiene que ib = 0; luego VDD

vp
Rout = = RC (28) RD
ip R1 C vo
C vo v
i
B. Modelo del FET en Fuente Común vi +
RL R1 R2 v
GS g m vGS RD
_
El JFET en fuente común queda R2

id ig
(a) (b)
ig +
+ +
vds v gs
1 1
+ Yrv DS Yf vgs vDS Fig. 13. (a) Con…guración fuente común. (b) Cto. a p equeña señal.
Y Y
vgs _ i o
_ - _

(a) (b) Planteando la LVK en la red de la Fig. 13b.

Fig. 11. (a) FET a fuente común. (b) M odelo usando parám etros Y.
vo = gm vGS (RD jjRL ) (33)

Evaluando los parámetros se tiene que, como ig = 0,

entonces, Y11 = 0, Y12 = 0. Por otro lado vGS = vi (34)
Finalmente
id id
Y21 = jv =0 = jv =cte (29)
vGS DS vGS DS Av = gm (RD jjRL ) (35)
La cual equivale a la pendiente de la curva id = f (vGS ),
y se denomina transconductancia directa del FET, gm , su La Rin estará dada por
rango típico va de 0:1 10[mA=S]: Note que gm no per- vi
manece constante. Su valor se puede determinar directa- Rin = = R1 jjR2 (36)
ii
mente de la ley de Shockley, según
C. Ampli…cador en Base Común
@iD
gm = (30) El circuito de la Fig. 14a está conectado en base común.
@vGS Caracterizando cada uno de los parámetros de esta nueva
2 interconexión, se tiene la red de la Fig. 14b.
vGS
Luego si iD = IDSS 1 Vp ; entonces
El análisis puede resultar altamente confuso debido a
la gran cantidad de con…guraciones posibles. Para evitar
2IDSS vGS vGS esto se utilizará como denominador común en los BJT, el
gm = 1 = gmo 1 (31) modelo de EC, y en los FET, será la con…guración fuente
Vp Vp Vp
A N A L IS IS Y M O D E L O S A P E Q U E Ñ A S E Ñ A L D E L T R A N S IS T O R 5

iC TABLE III
iE iC iE
Parámetros base común en función de emisor común .
+
+ + h ib +
v +
EB vCB v EB h iE 1 v
h rb v CB fb CB Base Común Emisor Común
_ h ob
_
hie
_ _ hib hf e +1
hf e
(a) hf b hf e +1
(b)
hoe
hob hf e +1
Fig. 14. (a) Con…guración base común. (b) M odelo de base común con
parám etros h.

C.1 Aplicación 1 Ampli…cador en base común

común. La aplicación de ésto es posible, debido a que existe El circuito de la Fig. 16a, está en base común, luego
una equivalencia entre las con…guraciones de emisor común a pequeña señal en ca, como se muestra en la Fig. 16b,
y base común. La equivalencia se determina reemplazando se reemplaza el modelo de EC, determinando Av y Rin se
el modelo de EC en la con…guración base común de acuerdo tiene
a la Fig. 15, calculando así, los parámetros de BC.
C
vo
1
hoe C RC
v Vcc RL
i
hfe i B iC
iE
R R1
E R2
+ +
vEB hie vCB
iB
_ _

(a)
Fig. 15. Reem plazo del m o delo de EC en la con…guración de BC.
v vo
i
h fe i
b
1 RE h ie RC R L
De esta forma se tiene para hoe ! 1, como hib = ib
vEB
iE jvCB =0 ; luego

(b)
iE
vEB = iB hie = hie
hf e + 1 Fig. 16. (a) Con…guración en base común. (b) Cto. a p equeña señal.

hie
hib =
hf e + 1 Planteando la LVK en el circuito de la Fig. 16b.
iC
Para hf b = iE jvCB =0 ; se tiene que vo = hf e ib (RL jjRC ) (37)
vi
Pero como ib = hie ; entonces
iE
iC = hf e iB = hf e (RL jjRC )
hf e + 1 Av = hf e (38)
hf e hie
hf b =
hf e + 1 Para el cálculo de Rin se tiene que

Para el cálculo de hf b , se considera 1

…nito, así hob = vi
hoe ii = ib ib hf e (39)
iC RE
vCB jiE =0 ; planteando las ecuaciones
vi
Como ib = hie ; …nalmente

vCB + iB hie vCB + ( iC ) hie 1

iC = hf e iB + 1 = hf e ( iC ) + 1
Rin = (1+hf e )
(40)
1
hoe hoe RE + hie
hoe hoe
hob = D. Ampli…cador en Gate Común
(1 + hf e ) + hie hoe (1 + hf e )
Al igual que el BJT, se puede usar el modelo de fuente
La equivalencia de parámetros se indica en la Tabla III. común, para una con…guración de Gate común.
6

D.1 Aplicación Vcc Vcc

Sea el ampli…cador de la Fig. 17a, reemplazando el mod- Rc

R1
elo a pequeña señal en ca, se tiene la red de la Fig. 17b, se R1
determina Av y Rin , Ci Ci
v Q v Q
i Co i Co
vo vo
C R2 R2
C vo RL
RD RE RE
v RL
i VDD
RL
RS R1
R2 (a) (b)

Fig. 18. (a) Colector común. (b) Seguidor de em isor.

(a)
vi vo
_ gm v GS v Q
i
RS RD RL vo
v GS
+ R1 R2
RE RL

(b)

(a)
Fig. 17. (a) Con…guración gate común. (b) Cto. a p equeña señal.
h fe i b
ib
vi
h ie +
Calculando la ganancia de voltaje, se tiene R1 R2 RE RL vo
_

vo = gm vGS (RL jjRD ) (41) (b)

Pero vi = vGS , así Fig. 19. (a) Seguidor de em isor en ca. (b) Equiv. a p equeña señal.

Av = gm (RL jjRD ) (42)

Para la salida se tiene que
Determinando Rin
vo = ib (1 + hf e ) (RE jjRL ) (45)
vi
ii = gm vGS (43)
Rs Planteando la LVK en la entrada
Pero vi = vGS , entonces
vi = ib hie + vo (46)
vi 1
Rin = = 1 (44) Así reemplazando (46) en (45), se tiene
ii Rs + gm
vi vo
E. El ampli…cador en colector común vo = (1 + hf e ) (RE jjRL ) (47)
hie
La con…guración de la Fig. 18a llamada colector común,
vo
implica que para pequeña señal en ca, las mediciones de Finalmente, despejando la relación vi
señal serán referidas respecto del colector. Habitualmente,
(1+hf e )(RE jjRL )
una de las más usadas es la que se muestra en la Fig. 18b, vo hie
llamada seguidor de emisor. Note que para ca, el colector Av = =n o
vi 1+
(1+hf e )(RE jjRL )
del BJT estará conectado a tierra. hie
Respecto de esta situación, se puede usar el modelo del 1
= n o (48)
BJT en colector común, sin embargo por simplicidad, se hie
(1+hf e )(RE jjRL ) +1
puede ocupar al igual que para base común el modelo de
emisor común.
Para (48) considerando hf e >> 1; se tiene que
E.1 Aplicación 1. Seguidor de Emisor
Av 1 (49)
Trabajando el circuito en ca, reemplazando el modelo de
parámetros h, se tiene el circuito de la Fig. 19b. Para la Cáculo de la ganancia de corriente Ai
con…guración se determinará Av , Ai , Rin y Rout .
La corriente en la entrada y en la salida estan dada por
Determinando la ganancia de voltaje Av (50) y (51) respectivamente
A N A L IS IS Y M O D E L O S A P E Q U E Ñ A S E Ñ A L D E L T R A N S IS T O R 7

Vcc

vi Ci
ii = + ib (50) Co
R1 jjR2 v
i v
vo i
RE RG
RG vo
io = ib (1 + hf e ) (51) RS
RS
R E + RL

Pero de acuerdo a (45) y (46) se tiene que (a) (b)

vi = ib hie + ib (1 + hf e ) (RE jjRL ) (52) Fig. 21. (a) Con…guración Drain común. (b) Equivalente en ca.

Así, reemplazando ib en (50)

gm vGS gm vGS

ii = ib f1 + hie + (1 + hf e ) (RE jjRL )g (53) i

i
vGS vGS ip
v + _ + _
Despejando ib para reemplazarlo (51) i
vo
RG RG +
RS rd RS rd vp

RE ii (1 + hf e )
io = (54) (a) (b)
R E + RL 1 + hie + (1 + hf e ) (RE jjRL )
Fig. 22. (a) M o delo a p equeña señal. (b) Determ inación de Rout .
Se obtiene

io (1 + hf e ) RE F. El ampli…cador con drenador común

Ai = =
ii 1 + hie + (1 + hf e ) (RE jjRL ) R E + RL La con…guración de la Fig. 21a, se conoce como drenador
(55) común
Calculando la Rin = viii : Dicho cálculo se hace reem- Determinación de la ganancia de voltaje
plazando ib de (52) en (50)
Considerando el modelo de MOSFET con rd , se reem-
vi vi plaza el modelo quedando el circuito de la Fig. 22a .
ii = + (56)
R1 jjR2 hie + (1 + hf e ) (RE jjRL ) Planteando las ecuaciones para la salida y para la entrada
en dicho circuito, se tiene
Entonces
1
Rin = 1 1 (57) vo = gm vgs (RS jjrd ) (61)
R1 jjR2 + hie +(1+hf e )(RE jjRL ) vi = vgs + vo (62)
Cálculo de Rout
Así

h fe i b
ib
vo = gm (vi vo ) (RS jjrd )
hie ip +
R1 R2 R
E
vp vo (1 + gm (RS jjrd )) = vi gm (RS jjrd )

Finalmente
Fig. 20. Circuito para cálculo de Rout . gm (RS jjrd )
Av = (63)
(1 + gm (RS jjrd ))
Par LCK se tiene Calculando la Rin
vp Para el circuito de la Fig. 22a, se tiene que vi = ii RG ;
ip = ib hf e ib + (58)
RE luego
vp Rin = RG (64)
Pero ib = hie ; de esta forma
vp vp Calculando la Rout
ip = (1 + hf e ) + (59)
hie RE Para el circuito de la Fig. 22b, se tiene
Despejando
vp vp
vp 1 ip = gm vGS + (65)
Rout = = (1+hf e )
(60) rd RS
ip + 1
hie RE vp = vGS (66)
8

Así Reemplazando en (68), se tiene

1
Rout = 1 1 (67)
rd + RS + gm
vi vo (RG jjRS1 jjRS2 ) vo
vo = + + gm (vi vo ) RL
IV. Otras Aplicaciones RG RS1 RS1 RS1
A. El ampli…cador FET en refuerzo (73)
Luego
La Autopolarización se efectúa por medio de una parte
de RS = RS1 + RS2 , ésta acción permite re‡ejar una
mayor impedancia de entrada, permitiendo por lo tanto, RL RL RG jjRS1 jjRS2
vo 1 + RL gm +
aprovechar mejor las características de alta impedancia que RS1 RS1 RS1
exhibe todo FET y sin utilizar un valor elevado para RG . 1 RG jjRS1 jjRS2
= vi RL gm + (74)
RS1 RG
VDD

Ci
Así
v Co
i vo v
i vo n o
RG 1 RG jjRS1 jjRS2
RS
1 RL
RG RS RL gm + RS1 RG
1 RL
Av = n o (75)
RL RL RG jjRS1 jjRS2
1 + RL gm + RS1 RS1 RS1
RS RS
2 2

Si RG ! 1; se tiene que
(a) (b)

Fig. 23. (a) Fet de refuerzo. (b) Equivalente en ca. RL gm

Av = n o (76)
RL RL RS2
1 + RL gm + RS1 RS1 (RS1 +RS2 )
Trabajando en ca se tiene el circuito de la Fig. 24.
Determinando el Rin
gm vGS

i
i
+ vGS _ vi = ii RG + vx (77)
v
i vo
RG vo vx
RS
1 RL
vx = ii + RS2 (78)
RS1
v
x
RS
Luego, despejando vx de (77) y reemplazándolo (78)
2

RS2 RS2 vo
vi = ii RG + ii RS2
+ RS2
Fig. 24. FET en refuerzo en ca. 1 + RS1 1 + RS1 RS1
! RS2
RS2 RS1 Av vi
Determinando la ganancia de voltaje vi = ii RG + RS2
+
1 + RS1 1+ R S2
RS1

Así se obtiene
vx vo
vo = + gm vgs RL (68)
RS1 RS2
RG + R
vi vx vx vo vx vi 1+ RS2
S1
= + (69) Rin = = RS2
(79)
RG RS1 RS2 ii RS1
1 R Av
vi = vgs + vo (70) 1+ RS2
S1

Despejando vx y vgs de (69) y (70) respectivamente Determinando el Rout

!
vi vo 1 vgs
vx = + ip = gm vgs (80)
RG RS1 1
+ 1
+ 1 RG jjRS2
RS1 RS2 RG
Pero vgs = vp ; luego se obtiene
vi vo
= + (RG jjRS1 jjRS2 ) (71)
RG RS1 1
vgs = vi vo (72) ip = vp gm + (81)
RG jjRS2
A N A L IS IS Y M O D E L O S A P E Q U E Ñ A S E Ñ A L D E L T R A N S IS T O R 9

gm vGS

io = iR hf e ib (83)
_ ip ib hie io RC
iR = (84)
RS + R
vGS 1 vp ib hie
ii = + ib + iR (85)
R1 jjR2
RG RS
2 ib hie io RC
+ Como io = R hf e ib , entonces
hie
R hf e
Fig. 25. Cálculo de Rout .
io = ib RC
1+ R

hie hie io RC
Luego, si ii = ib R1 jjR2 +1+ R R ; se tiene
Por lo tanto
io RC hie
ii + R R hf e
vp 1 io = RC
(86)
Rout = = (82) hie
+1+ hie 1+ R
ip 1 R1 jjR2 R
gm + RG jjRS2
La ganancia de corriente será
La complicación del análisis resulta de la realimentación
que existe entre la salida y la entrada, esto debido a la in- io hie
hf e
R
teracción de la variable de salida con la variable de entrada =
ii hie
+1+ hie
1+ RC
+ RC
hf e hie
a través de la red RG RS1 RS2 . R1 jjR2 R R R R
(87)
B. Ampli…cador Realimentado
V. Conclusiones
Sea el siguiente ampli…cador de la Fig. 26, luego para el
circuito a pequeña señal de la Fig. se plantea 27b El análisis a pequeña señal consiste en determinar la
ganancia del circuito (corriente y voltaje) en conjunto con
la impedancia de entrada y la de salida. Estos elementos
Vcc
permiten describir cualquier con…guración ampli…cadora
R1
io
Rc transistorizada.
R Para realizar el análisis se deben usar los modelos a pe-
vo queña señal de los dispositivos, lo cuales consisten en una
Q red de dos puertas: Fuente de corriente controlada por cor-
i
riente (BJT) y una fuente de voltaje controlada por voltaje
i R2
CE (FET). Ambas descritas en función de los parámetros h y
Y respectivamente. Como el análisis es en ca, se anulan las
fuentes de cc, se reemplazan los modelos correspondientes
Fig. 26. BJT con realim entación de corriente. y se determinan los parámetros mencionados.

References
Este ampli…cador tiene una realimentación llamada [1 ] S ava t, C ., R o d e n , M ., 1 9 9 2 . D iseñ o E lectrón ico. A d d iso n -We sle y
corriente-voltaje, la cual implica que se toma una pequeña [2 ] M illm a n , J . H a k ia s, C ., 1 9 7 9 . E lectrón ica Fundam en tos y A plicacion es. H is-
p a n o E u ro p e a .
muestra de voltaje la cual se transforma en corriente y es
superpuesta con la señal de corriente de entrada. Esta
condición hace que los cálculos de ganancia sea más com-
plicados.

R
R
Q

io ib
Rc i R1 R2 h ie h fe i b io Rc
i R R i
i 1 2

(b)
(a )

Fig. 27. (a) Circuito en ca. (b) equivalente a p equeña señal.