LABORATORIO: TRANSISTOR BJT
Universidad de sucre.
Programa de tecnología en electrónica industrial.
Jose Angel Jaraba Pineda, Javier Parra Luna, Juan Cerpa Lara
Resumen. La práctica abordo el tema de
transistores BJT el tema antes visto en
clases, primeramente, se reviso la hoja de
instrucciones los elementos necesarios para
la práctica, luego se procedió a armar cada
uno de los circuitos en este caso dos y
posteriormente se hizo el análisis de estos y
se encontraron los parámetros para cada
transistor, entonces se hallaron voltajer y
corrientes, y con los resultados obtenidos se
realizó un análisis para ambos transistores.
Palabras clave: transistor, operación, activa,
saturación.
Asbtract. Mainly in the laboratory practice
consisted in the elaboration of circuits
and their analysis by means of the
theoretically acquired knowledge, the
destiny of the study, the behavior of the
transistors and the resistances of being
excited by the current in the different
situations, cut, active and saturation.
Keywords: transistor, cut, active, saturation.
I. INTRODUCCION.
EL transistor electrónico o también llamado
transistor bipolar, es un dispositivo
electrónico que regula el flujo de corriente o
de tensión actuando como un interruptor o
como un amplificador para señales
electrónicas. Es un componente electrónico
formado por materiales semiconductores
utilizado para entrega una señal de salida en
respuesta a una señal de entrada. El termino
transistor es la contracción en ingles de
transfer resistor (resistor de transferencia), y
fue creado aproximadamente en 1991.
II. OBJETIVO.
-Observar el comportamiento práctico de los
transistores ante fuentes de alimentación de
DC..
26/06/2019
DESARROLLO METODOLOGICO
Un multímetro es un instrumento que
permite medir directamente magnitudes
eléctricas activas como corrientes y
diferencia de potenciales o
pasivas como resistencias, capacidades y
otras. Las medidas pueden realizarse para
corriente continua o alterna. [1]
Proporciona una tensión de salida variable
entre 0 y 30 V, con una corriente de hasta 5
A. Todas las salidas están totalmente
protegidas contra cortocircuitos, en cualquier
posición de los controles, ya que la corriente
máxima que pueden suministrar está
internamente ajustada.
La fuente de 30 V / 5 A dispone de dos
visualizadores digitales que le permiten
lecturas simultáneas de tensión y corriente.
En esta fuente de alimentación se han
agrupado dos tensiones fijas y una variable
al efecto de eliminar las molestias de tener
que utilizar varias fuentes de alimentación
para el diseño o reparación de equipos
electrónicos. El valor de las tensiones fijas
se ha escogido para que permitan alimentar
circuitos lógicos y analógicos
simultáneamente. Por ello está
especialmente indicada su aplicación en
laboratorios, talleres de mantenimiento y
centros de enseñanza de electrónica y
telecomunicaciones.[2]
es una placa que posee unos orificios
conectados eléctricamente entre sí
siguiendo un patrón horizontal o vertical. Es
empleada para realizar pruebas de circuitos
electrónicos, insertando en ella
componentes electrónicos y cables como
puente. Es el boceto de un circuito
 electrónico donde se realizan las pruebas que
de
funcionamiento necesarias antes de
trasladarlo sobre un circuito impreso. Esta −VBB + IB∗RB+VBE =¿0
placa puede llamarse de varias formas, lasDespejando la corriente tenemos que:
VBB−VBE
más comunes son “protoboard “.[3] IB=
RB
en la segunda malla nos queda que :
−VBB + IC∗RC +VCE=0IC=β∗IB
Un transistor es un componente electrónico −VBB + ( β∗IB ) RC +VCE=0
que se utiliza para amplificar señales VCE=VCC− ( β∗IB ) RC
eléctricas, es decir, se utiliza para obtener La corriente de saturación está dada por la ecuación :
corrientes de salida de mayor intensidad que VBB 5V
las corrientes de entrada.[4] I SAT = I = =2.5 m
RC SAT 2 K
transistores NPN. Como su nombre indica,  Mediante la implementación de un
están potenciómetro en RB, el cual fue variado
en un rango de 50k a 1k y en RC una
formados por la unión de dos
semiconductores N en los extremos con un R VRB VRC VBC VBE IB IC
semiconductor P en el centro. Se conectan 100K 4.5V 5.1V 0.6V 0.591 45µ 2.6 µ
v
unido el polo positivo al colector y a la base.
50K 4.49 5.1V 0.61V 0.661 86.2 2.55
V V µ m
transistor PNP. Están formados por la 15K 4.45 5.12 0.666 0.681 299 µ 2.57
unión de dos semiconductores P y un V V V V m
semiconductor N. Se conectan uniendo el 10K 4.43 5.12 0.678 0.691 440 µ 2.57
polo negativo al colector y a la base. V V V V m
2K 4.31 5.08 0.733 0.71V 2.21 2.57
V.PROCEDIMIENTO V V V m m
1K 4.27 5.03 0.752 0.71V 3.8m 2.57
V V V m
Principalmente en la realización del circuito
resistencia de 2K excitados por una fuente
Nº1 a continuación, lo realizamos con un
de voltaje de 5V se obtuvo los siguiente
transistor 2N2222.
resultados voltaje y corrientes del circuito,
en donde se impregnaron en la tabla 1.
Circuito Nº1
tabla Nº1

tabla Nº2: Relaciona el corriente emisor en

función del voltaje base emisor

TABLA Nº2
R(K) VBE (V) IE (mA)
50 0.661 2.636
10 0.691 3.01
2 0.71 4.78
1 0.71 6.37
 Realizando los análisis teóricos
respondientes al circuito Nº1 se obtuvo lo De la tabla Nº2 se obtuvo la siguiente
siguiente. gráfica.

Por definición se obtiene que:

IC IC
α= β= Aplicando mallas obtenemos
IE IB
 y corrientes del circuito, en donde se
impregnaron en la tabla Nº3.

TABLANº3

R VRB VRC VBC VBE IB IC

En la implementacion del circuito 100K 4.52V 5.09V 0.572V 0.649v 45.5µ 2.55m
50K 4.47V 5.09V 0.594V 0.654V 86.4 µ 2.55m
numero Nº2 fue realizado con un
10K 4.47V 5.13V 0.653V 0.683V 441 µ 2.57m
transistor 2N3906
2K 4.39V 5.14V 0.716V 0.733V 2.15m 2.55m
1K 4.29V 5.12V 0.742V 0.760V 4.20m 2.57m

tabla Nº4: Relaciona el corriente

emisor en función del voltaje base
emisor

TABLA Nº4
 Realizando los análisis teóricos
R(K) VBE (V) IE (mA)
respondientes al circuito Nº2 se obtuvo
50 0.654 2.63
lo siguiente. 10 0.683 3.01
2 0.733 4.7
Por definición se obtiene que: 1 0.760 6.77

IC IC De la tabla Nº4 se obtuvo la siguiente gráfica

α= β= Aplicando mallas
IE IB
obtenemos que

−VBB + IB∗RB+VBE =¿0

Despejando la corriente tenemos que:

VBB−VBE
IB= en la segunda malla
RB
nos queda que:
−VBB + IC∗RC +VCE=0 IC=β∗IB ANALISIS DE DATOS
−VBB + ( β∗IB ) RC +VCE=0
Se interpretan los anteriores circuitos de
VCE=VCC− ( β∗IB ) RC
transistores NPN, y un transistor PNP ,
La corriente de saturación está dada analizamos su comportamiento el cual
por la ecuación: funciona como rectificador y como un
VBB 5V amplificador, amplificando su salida en
I SAT = I = =2.5 m
RC SAT 2 K función de la entrada. A medida que la
Mediante la implementación de un resistencia RB es disminuida, aumenta su
potenciómetro en RB, el cual fue corriente y el valor de su voltaje se
variado en un rango de 50k a 1k y en disminuye en muy pequeños valores y la
RC una resistencia de 2K excitados resistencia C se analiza que la corriente de
por una fuente de voltaje de 5V se colector del transistor no varia su resultado,
obtuvo los siguiente resultados voltaje es decir, permanece constante y su voltaje
aumenta en mínimos valores. Interpretamos
 que el valor del voltaje base colector tiende
a un valor aproximadamente de 0.7 V Y su
comportamiento es similar a la rectificación
de un diodo y finalmente mencionamos que
circuito va a funciona mientras no es
excedido su corriente de saturación

CONCLUSION

Luego de ver el comportamiento de los

transistor se pudo concluir que los
transistores tiene casi el mismo
comportamiento que un diodo y se asemeja
más debido a que tiene uno en el interior,
con esto se puede decir que posee las
mismas características pero la ventaja del
transistor, pero en su comportamiento se
pudo analizar que el transistor amplifico la
corriente de entrada y la salida se obtuvo
una corriente de mayor intensidad, esto
dependiendo de la configuración y del valor
de las resistencia de las que depende el
transistor.

BIBLIOGRAFIA.
[1].http://www.demaquinasyherramientas.com
/herramientas-de-medicion/multímetro.
[2].https://conceptodefinicion.de/fuente-de-
alimentacion/
[3].https://tuelectronica.es/que-es-la-protoboard/
[4].https://es.wikipedia.org/wiki/Transistor