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Versuch 3 - Gruppe 7

Marcus Sümnick, Martin Hölzel, Martin Darmüntzel

9. Juli 2008

Inhaltsverzeichnis
1 Versuch 3 1
1.1 Vorbereitung . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 1

1 Versuch 3
1.1 Vorbereitung

• Welchen mathematischen Zusammenhang gibt es zwischen der Temperatur und der Spannung, die der
Temperatursensor des EVK1100 liefert? Approximieren Sie die Funktion und stellen Sie sowohl die Origi-
nalwerte als auch die Approximation grasch dar.
Der Temperatursensor ist ein temperaturabhängiger Widerstand, der die Spannung in Abhängigkeit von der
Umgebungstemperatur beeinusst. Basierend auf der gegebenen Tabelle haben wir folgende Funktion zur Ap-
proximation der Temperatur erstellt:

t(x) = −1.146471992 · 10−10 · x5 + 2.407799078 · 10−9 · x4 + 0.000004167489145 · x3 − 0.0002417568278 · x2 −


0.03206330773 · x + 2.547878599

Funktion zur Approximation der Temperatur


3.5
’WerteTempSpannung.dat’
t(x)

2.5
Spannung [V]

1.5

0.5

0
-40 -20 0 20 40 60 80 100 120
Temperatur [C]

Abbildung 1: Approximation Temperatur


• Lässt sich Ihre Funktion leicht in Assembler implementieren? Überlegen Sie sich, wie Sie eine Umrechnung
implementieren, die jeden möglichen Spannungswert vom A/D-Wandler in einen Temperaturwert wandelt.
Prinzipiell ist es nicht schwer die Funktion in Assembler zu implementieren. Da man aber erst Kommazahlen
in ganze Zahlen umwandeln (also mit ausreichend groÿen Zehnerpotenzen multiplizieren) muss, werden die Zah-
len, die intern verarbeitet werden gröÿer als 32 Bit. Es ist daher einfacher, wenn man die Werte vorberechnet
und im RAM speichert. Dazu haben wir folgende Funktion approximiert:

f (x) = −4.675000608·x5 +40.82916245·x4 −139.1736617·x3 +232.0024349·x2 −216.9297019·x+131.2274645

Funktion zur Umwandlung der Spannung in Temperatur

f(x)
120

100

80

60
Temperatur [C]

40

20

-20

-40
0 0.5 1 1.5 2 2.5 3 3.5
Spannung [V]

Abbildung 2: Approximation Temperatur

2
• Entwickeln Sie einen Programmablaufplan für das zu entwickelnde Programm. Markieren Sie innerhalb
des PAP, welche Code-Teile Sie aus den vorherigen beiden Versuchen übernehmen können.

Abbildung 3: PAP Versuch 3

3
Abbildung 4: Subroutine `Menüpunkte ausgeben'

Abbildung 5: Subroutine `Durchschnitt Temperatur'

Abbildung 6: Subroutine `Durchschnitt Helligkeit'

4
Abbildung 7: Subroutine `Auswahl mit Joystick'

• Welche verschiedenen Speicherarten kennen Sie? Welche besitzt das verwendete Controller-Board und
welche nutzen Sie in diesem Versuch? Was ist der Unterschied zwischen den verwendeten Speicherarten?
Können Sie das entwickelte Programm problemlos im Flash-Speicher des Systems ablegen?
 Register Speicher
∗ mehrere Register werden zu einem Speicher kombiniert
∗ Informationsspeicherung ist statisch
∗ geringe Zugriszeit
 SRAM-Zelle
∗ 6 Transistoren, statische Informationsspeicherung
∗ geringe Zugriszeit
 DRAM-Zelle
∗ 1 Transistor, 1 Kondensator
∗ dynamische Informationsspeicherung, Refresh erforderlich
∗ hohe Zugriszeit

• Lesen Sie sich die Aufgabenstellung durch. Überlegen Sie sich dann ein geeignetes Datenformat zur Spei-
cherung der Sensordaten in diesem Versuch! Wie viele Daten können Sie so im SD-RAM des Systems
speichern? Welcher Zeitspanne an Messdaten entspricht dies?