Sie sind auf Seite 1von 8

Technische Information / technical information

IGBT-Module
IGBT-Modules FS50R12KE3
vorläufige Daten
preliminary data

Höchstzulässige Werte / maximum rated values

Elektrische Eigenschaften / electrical properties


Kollektor Emitter Sperrspannung
VCES 1200 V
collector emitter voltage

Kollektor Dauergleichstrom Tc= 80°C IC, nom 50 A


DC collector current Tc= 25°C IC 75 A

Periodischer Kollektor Spitzenstrom


tp= 1ms, Tc= 80°C ICRM 100 A
repetitive peak collector current

Gesamt Verlustleistung
Tc= 25°C Ptot 270 W
total power dissipation

Gate Emitter Spitzenspannung


VGES +20 V
gate emitter peak voltage

Dauergleichstrom
IF 50 A
DC forward current

Periodischer Spitzenstrom
tp= 1ms IFRM 100 A
repetitive peak forward current

Grenzlastintegral
VR= 0V, tp= 10ms, Tvj= 125°C I²t 700 A²s
I²t value

Isolations Prüfspannung
RMS, f= 50Hz, t= 1min VISOL 2,5 kV
insulation test voltage

Charakteristische Werte / characteristic values

Transistor Wechselrichter / transistor inverter min. typ. max.


Kollektor Emitter Sättigungsspannung VGE= 15V, Tvj= 25°C, IC= IC,nom - 1,7 2,1 V
VCEsat
collector emitter saturation voltage VGE= 15V, Tvj= 125°C, IC= IC,nom - 2,0 t.b.d. V

Gate Schwellenspannung
VCE= VGE, Tvj= 25°C, IC= 2,0mA VGE(th) 5,0 5,8 6,5 V
gate threshold voltage

Gateladung
gate charge
VGE= -15V...+15V QG - 0,47 - µC

Eingangskapazität
input capacitance
f= 1MHz, Tvj= 25°C, VCE= 25V, VGE= 0V Cies - 3,5 - nF

Rückwirkungskapazität
f= 1MHz, Tvj= 25°C, VCE= 25V, VGE= 0V Cres - 0,13 - nF
reverse transfer capacitance

Kollektor Emitter Reststrom


VCE= 1200V, VGE= 0V, Tvj= 25°C ICES - - 5 mA
collector emitter cut off current

Gate Emitter Reststrom


VCE= 0V, VGE= 20V, Tvj= 25°C IGES - - 400 nA
gate emitter leakage current

prepared by: M. Münzer date of publication: 2001-08-16


approved: M. Hierholzer revision: 2

Datenblatt FS50R12KE3 V2.xls


2001-08-16
1 (8)
Technische Information / technical information
IGBT-Module
IGBT-Modules FS50R12KE3
vorläufige Daten
preliminary data

Charakteristische Werte / characteristic values

Transistor Wechselrichter / transistor inverter min. typ. max.


IC= IC, nom, VCC= 600V
Einschaltverzögerungszeit (induktive Last)
VGE= ±15V, RG= 18Ω, Tvj= 25°C td,on - 85 - ns
turn on delay time (inductive load)
VGE= ±15V, RG= 18Ω, Tvj= 125°C - 90 - ns
IC= IC, nom, VCC= 600V
Anstiegszeit (induktive Last)
VGE= ±15V, RG= 18Ω, Tvj= 25°C tr - 30 - ns
rise time (inductive load)
VGE= ±15V, RG= 18Ω, Tvj= 125°C - 45 - ns
IC= IC, nom, VCC= 600V
Abschaltverzögerungszeit (induktive Last)
VGE= ±15V, RG= 18Ω, Tvj= 25°C td,off - 420 - ns
turn off delay time (inductive load)
VGE= ±15V, RG= 18Ω, Tvj= 125°C - 520 - ns
IC= IC, nom, VCC= 600V
Fallzeit (induktive Last)
VGE= ±15V, RG= 18Ω, Tvj= 25°C tf - 65 - ns
fall time (inductive load)
VGE= ±15V, RG= 18Ω, Tvj= 125°C - 90 - ns

Einschaltverlustenergie pro Puls IC= IC, nom, VCC= 600V, Lσ= 70nH
Eon - 5,0 - mJ
turn on energy loss per pulse VGE= ±15V, RG= 18Ω, Tvj= 125°C

Ausschaltverlustenergie pro Puls IC= IC, nom, VCC= 600V, Lσ= 70nH
Eoff - 6,5 - mJ
turn off energy loss per pulse VGE= ±15V, RG= 18Ω, Tvj= 125°C

Kurzschlussverhalten tP ≤ 10µsec, VGE ≤ 15V, TVj ≤ 125°C


ISC - 200 - A
SC data VCC= 900V, VCEmax= VCES - LσCE ·di/dt

Modulindiktivität
LσCE - 19 - nH
stray inductance module

Leitungswiderstand, Anschluss-Chip
Tc= 25°C RCC´/EE´ - 2,5 - mΩ
lead resistance, terminal-chip

Charakteristische Werte / characteristic values

Diode Wechselrichter / diode inverter


Durchlassspannung IF= IC, nom, VGE= 0V, Tvj= 25°C - 1,65 2,1 V
VF
forward voltage IF= IC, nom, VGE= 0V, Tvj= 125°C - 1,65 t.b.d. V

IF=IC,nom, -diF/dt= 1900A/µs


Rückstromspitze
VR= 600V, VGE= -15V, Tvj= 25°C IRM - 67 - A
peak reverse recovery current
VR= 600V, VGE= -15V, Tvj= 125°C - 70 - A

IF=IC,nom, -diF/dt= 1900A/µs


Sperrverzögerungsladung
VR= 600V, VGE= -15V, Tvj= 25°C Qr - 5,6 - µQ
recoverred charge
VR= 600V, VGE= -15V, Tvj= 125°C - 9,9 - µQ

IF=IC,nom, -diF/dt= 1900A/µs


Ausschaltenergie pro Puls
VR= 600V, VGE= -15V, Tvj= 25°C Erec - 2,2 - mJ
reverse recovery energy
VR= 600V, VGE= -15V, Tvj= 125°C - 4,1 - mJ

Datenblatt FS50R12KE3 V2.xls


2001-08-16
2 (8)
Technische Information / technical information
IGBT-Module
IGBT-Modules FS50R12KE3
vorläufige Daten
preliminary data

Charakteristische Werte / characteristic values


NTC-Widerstand / NTC-thermistor min. typ. max.
Nennwiderstand
Tc= 25°C R25 - 5 - kΩ
rated resistance

Abweichung von R100


Tc= 100°C, R100= 493Ω ∆R/R -5 - 5 %
deviation of R100

Verlustleistung
Tc= 25°C P25 - - 20 mW
power dissipation

B-Wert
R2= R1 exp[B(1/T2 - 1/T1)] B25/50 - 3375 - K
B-value

Thermische Eigenschaften / thermal properties

Innerer Wärmewiderstand; DC Transistor Wechelr. / transistor inverter - - 0,45 K/W


RthJC
thermal resistance, juncton to case; DC Diode Wechselrichter / diode inverter - - 0,75 K/W

Übergangs Wärmewiderstand pro Modul / per module


RthCK - 0,02 - K/W
thermal resistance, case to heatsink λPaste= 1W/m*K / λgrease= 1W/m*K

Höchstzulässige Sperrschichttemp.
Tvjmax - - 150 °C
maximum junction temperature

Betriebstemperatur
Tvjop -40 - 125 °C
operation temperature

Lagertemperatur
Tstg -40 - 125 °C
storage temperature

Mechanische Eigenschaften / mechanical properties

Gehäuse, siehe Anlage


case, see appendix

Innere Isolation
Al2O3
internal insulation

CTI
225
comperative tracking index

Anzugsdrehmoment, mech. Befestigung Schraube M 5


M 3 - 6 Nm
mounting torque screw M 5

Gewicht
G 180 g
weight

Mit dieser technischen Information werden Halbleiterbauelemente spezifiziert, jedoch keine Eigenschaften
zugesichert. Sie gilt in Verbindung mit den zugehörigen technischen Erläuterungen.
This technical information specifies semiconductor devices but promises no characteristics. It is valid with
the belonging technical notes.
Datenblatt FS50R12KE3 V2.xls
2001-08-16
3 (8)
Technische Information / technical information
IGBT-Module
IGBT-Modules FS50R12KE3
vorläufige Daten
preliminary data

Ausgangskennlinie (typisch) IC= f(VCE)


output characteristic (typical) VGE= 15V

100
90
Tvj = 25°C
80 Tvj = 125°C

70
60
IC [A]

50
40
30
20
10
0
0,0 0,5 1,0 1,5 2,0 2,5 3,0 3,5 4,0
VCE [V]

Ausgangskennlinienfeld (typisch) IC= f(VCE)


output characteristic (typical) Tvj= 125°C

100
90 VGE=19V
VGE=17V
80 VGE=15V
70 VGE=13V
VGE=11V
60 VGE=9V
IC [A]

50
40
30
20
10
0
0,0 0,5 1,0 1,5 2,0 2,5 3,0 3,5 4,0 4,5 5,0
VCE [V]

Datenblatt FS50R12KE3 V2.xls


2001-08-16
4 (8)
Technische Information / technical information
IGBT-Module
IGBT-Modules FS50R12KE3
vorläufige Daten
preliminary data

Übertragungscharakteristik (typisch) IC= f(VGE)


transfer characteristic (typical) VCE= 20V

100
90
80 Tvj=25°C
Tvj=125°C
70
60
IC [A]

50
40
30
20
10
0
4 5 6 7 8 9 10 11 12
VGE [V]

Durchlasskennlinie der Inversdiode (typisch) IF= f(VF)


forward caracteristic of inverse diode (typical)

100
90
Tvj = 25°C
80 Tvj = 125°C

70
60
IF [A]

50
40
30
20
10
0
0,0 0,2 0,4 0,6 0,8 1,0 1,2 1,4 1,6 1,8 2,0 2,2 2,4
VF [V]

Datenblatt FS50R12KE3 V2.xls


2001-08-16
5 (8)
Technische Information / technical information
IGBT-Module
IGBT-Modules FS50R12KE3
vorläufige Daten
preliminary data

Schaltverluste (typisch) Eon= f(IC), Eoff= f(IC), Erec= f(IC)


Switching losses (typical) VGE=15V, RGgon=RGoff=18Ω, VCE=600V, Tvj=125°C

14

12 Eon
Eoff
Erec
10

8
E [mJ]

0
0 10 20 30 40 50 60 70 80 90 100
IC [A]

Schaltverluste (typisch) Eon= f(RG), Eoff= f(RG), Erec= f(RG)


Switching losses (typical) VGE=15V, IC=50A, VCE=600V, Tvj=125°C

14

12 Eon
Eoff
10 Erec

8
E [mJ]

0
0 10 20 30 40 50 60 70 80
RG [Ω]

Datenblatt FS50R12KE3 V2.xls


2001-08-16
6 (8)
Technische Information / technical information
IGBT-Module
IGBT-Modules FS50R12KE3
vorläufige Daten
preliminary data

Transienter Wärmewiderstand ZthJC = f (t)


Transient thermal impedance

1
ZthJC [K/W]

0,1
Zth : IGBT
Zth : Diode

0,01
0,001 0,01 0,1 1
t [s]

i 1 2 3 4
ri [K/kW] : IGBT 5,077E-02 7,893E-02 2,032E-01 1,142E-01
τi [s] : IGBT 2,345E-03 2,820E-01 2,820E-02 1,128E-01
ri [K/kW] : Diode 7,637E-02 4,933E-01 1,421E-01 4,501E-02
τi [s] : Diode 3,333E-03 3,429E-02 1,294E-01 7,662E-01

Sicherer Arbeitsbereich (RBSOA)


Reverse bias safe operation area (RBSOA) VGE=15V, Tj=125°C

125

100

75
IC [A]

IC,Chip

50

25

0
0 200 400 600 800 1000 1200 1400
VCE [V]

Datenblatt FS50R12KE3 V2.xls


2001-08-16
7 (8)
Technische Information / technical information
IGBT-Module
IGBT-Modules FS50R12KE3
vorläufige Daten
preliminary data

Gehäusemaße / Schaltbild
Package outline / Circuit diagram

Datenblatt FS50R12KE3 V2.xls


2001-08-16
8 (8)