TheseOURIR (Premier Chapitre)

N◦ d’Ordre : 8509
Université Paris Sud XI

Faculté des Sciences d’Orsay
THÈSE
Présentée par
Abdelwaheb Ourir
pour obtenir le grade de :
Docteur en Sciences
de l’Université de Paris XI d’Orsay
Spécialité Physique
Applications de Matériaux à Bandes

Interdites Photoniques et de métamatériaux
en Télécommunications
Soutenue le 5 décembre 2006 devant la commission d’examen :

Didier Lippens Rapporteur
Anne-Claude Tarot Rapporteur
Christophe Craeye Examinateur
Daniel Maystre Examinateur
Gérard-Pascal Piau Examinateur
André de Lustrac Directeur de thèse
Thèse préparée à l’Institut d’Électronique Fondamentale, CNRS - UMR 8622, bâtiment 220, Université
Paris Sud XI 91405 Orsay.
à ma mère, à mon père,
à mes soeurs,à mes
frères, à tous les
membres de
ma famille
...
i
ii
Remerciements
Je tiens à remercier vivement Monsieur André de LUSTRAC de m’avoir intégré dans
son équipe, d’avoir assuré l’encadrement de cette thèse et de m’avoir soutenu et prodigué
de nombreux conseils. Je le remercie aussi pour sa disponibilité et ses relectures très
attentives des articles, des rapports, des présentations et du manuscrit de thèse.
J’exprime ma vive gratitude à Monsieur Jean-Michel LOURTIOZ pour m’avoir ac-

cueilli dans son laboratoire. Je le remercie sincèrement pour son aide précieuse et ses
judicieux conseils. Malgré sa charge de travail très importante, il a trouvé le temps pour
une relecture attentive des articles.
J’exprime également ma gratitude à Monsieur Daniel MAYSTRE pour avoir accepté

de présider ce jury de thèse.
Je remercie très sincèrement Madame Anne-Claude TAROT et Monsieur Didier LIP-

PENS pour avoir accepté tous deux de juger ce travail et d’assurer le rôle de rapporteurs.
Je remercie également Monsieur Christophe CREAYE et Monsieur Gérard-Pascal PIAU
pour leur participation à ce jury de thèse.
Je tiens aussi à dire un grand merci à Mademoiselle Soumia MASSAOUDI, Mon-

sieur Olivier REYNET, Monsieur Flavien DELGEHIER, Monsieur Stéphane CABARET,
Monsieur Paul CROZAT, Monsieur Nicolas ZEROUNIAN et Monsieur Nawaz Shah BU-
ROKUR pour leur aide précieuse durant cette étude et leur disponibilité.
Mes remerciements s’adressent aussi a tout le personnel de l’IEF pour leur disponibilité
et leur gentillesse.
Un grand merci à tous mes collègues et en particulier à Frédérique, Muriel, Selma,

Marina, Stéphanie, Bouchra, Xavier, Xiang, Eric, Julien et Boubacar pour leur soutien
amical et leur bonne humeur. Je salue par la même occasion tous les amis, étudiants,
doctorants et docteur en particulier Hatem, Foued, Jean-Alain, Marwan et Mehdi avec
qui j’ai partagé des moments à l’extérieur du travail mais aussi mes collègues de bureau
et les stagiaires que j’ai pu encadrer. Sans oublier Monsieur Willy GUILLEMIN et les
élèves que j’ai pu avoir en cours à l’IUT de Vélizy sous sa responsabilité et qui m’ont
permis d’aborder l’enseignement avec sérénité.
Enfin, je remercie toutes les personnes qui m’ont chères, en particulier mes parents
et tous les membres de ma famille pour l’aide, la confiance et le soutient dont ils ont fait
preuve tout au long de ces dernières années.
iii
iv
Table des matières
Introduction 1
Bibliographie . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 2
I État de l’Art des Matériaux à Bandes Interdites Photoniques et des

Métamatériaux 3
I.1 Les matériaux à Bandes Interdites Photoniques . . . . . . . . . . . . . . . 5
I.1.1 Historique des matériaux BIP . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 5
I.1.2 Application des BIP dans le domaine des micro-ondes et des antennes 7
I.2 Matériaux à Indice Négatif . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 9
I.2.1 Genèse des matériaux à indice négatif . . . . . . . . . . . . . . . . . 9
I.2.2 Différentes dénominations . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 12
I.2.3 Expériences et applications potentielles . . . . . . . . . . . . . . . 13
I.3 Les Surfaces à Haute Impédance . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 16
I.3.1 Caractéristiques des surfaces à haute impédance . . . . . . . . . . . 16
I.3.2 Applications des surfaces à haute impédance . . . . . . . . . . . . . 17
I.3.3 Applications des surfaces à haute impédance . . . . . . . . . . . . . 18
Conclusion . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 19
Bibliographie . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 20
II Modélisation des matériaux BIP et des métamatériaux périodiques 25

II.1 Modélisation des structures périodiques diélectriques . . . . . . . . . . . . 27
II.1.1 La méthode des ondes planes . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 27
II.1.2 La FDTD . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 29
II.1.3 Modélisation d’un cristal photonique diélectrique bidimensionnel
en micro-onde . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 30
II.1.3.1 Zones de Brillouin et diagramme de bandes . . . . . . . . 31
II.1.3.2 Surface de dispersion . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 33
II.1.3.3 Distribution du champ électromagnétique . . . . . . . . 35
v
TABLE DES MATIÈRES
II.1.4 Modélisation d’un cristal photonique pour les télécommunications

à 1, 5 µm pour émissions laser . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 35
II.2 Modélisation des structures métallodiélectriques . . . . . . . . . . . . . . . 41
II.2.1 La méthode des éléments finis . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 41
II.2.2 La FDTD pour les structures métallodiélectriques . . . . . . . . . . 42
II.2.3 Modélisation d’un cristal photonique métallique bidimensionnel en
micro-onde . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 43
Conclusion . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 46
Bibliographie . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 47
III Surfaces à Haute Impédance et Conducteurs Magnétiques Artificiels 49

III.1 Les Surfaces à Haute Impédance . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 51
III.1.1 Etude de l’impédance de surface des SHIs et de la phase à la réflexion
en incidence normale . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 51
III.1.1.1 Modèle quasi-statique de Sievenpiper . . . . . . . . . . . . 51
III.1.1.2 Modèle dynamique pour les SHIs artificielles réactives . . 53
III.1.1.3 Estimation des paramètres du circuit électrique équivalent
des SHIs . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 54
III.1.2 Ondes de surface et ondes de fuite dans les SHIs . . . . . . . . . . . 55
III.1.2.1 Modèle des milieux effectifs . . . . . . . . . . . . . . . . . 55
III.1.2.2 Modèle d’Eleftheriades : Analyse du réseau électrique périodique
par la théorie de Bloch . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 56
III.1.3 Modélisation tridimensionnelle et caractérisation expérimentale . . . 58
III.1.3.1 Calcul du diagramme de bande . . . . . . . . . . . . . . . 58
III.1.3.2 Caractérisation expérimentale des propriétés des SHIs . . . 59
III.2 SHI à base de Conducteur Magnétique Artificiel planaire . . . . . . . . . . 61
III.2.1 Conception d’une SHI-CMA totalement réfléchissante : plan réflecteur 61
III.2.2 Impédance de surface . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 62
III.2.2.1 Modèle dynamique pour les surfaces réactives . . . . . . . 62
III.2.2.2 La méthode des lignes de transmission . . . . . . . . . . . 63
III.2.3 Réalisation et Caractérisation . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 63
III.2.4 Influence des dimensions sur la fréquence de résonance . . . . . . . 65
III.2.4.1 Influence de la capacité équivalente . . . . . . . . . . . . . 65
III.2.4.2 Influence de l’épaisseur du diélectrique . . . . . . . . . . . 67
III.2.4.3 Influence du pas du réseau . . . . . . . . . . . . . . . . . . 67
III.2.5 Influence de l’angle d’incidence sur la fréquence de résonance . . . . 69
III.2.5.1 Polarisation perpendiculaire (onde TE) . . . . . . . . . . 69
vi
III.2.5.2 Polarisation parallèle (onde TM) . . . . . . . . . . . . . . 70

III.3 SHI-CMA large bande . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 72
III.3.1 Conception . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 72
III.3.2 Largeur de bande . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 72
III.3.3 Influence de l’angle d’incidence . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 73
III.4 Surfaces Partiellement Réfléchissantes . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 74
III.4.1 Conception . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 74
III.4.2 Impédance de surface . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 74
III.4.3 Influence de la capacité entre les pavés métalliques de la SPR-CMA
sur la fréquence de résonance . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 76
III.4.4 Influence de la largeur de la grille métallique sur la fréquence de
résonance . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 77
III.4.5 Influence de l’angle d’incidence sur la fréquence de résonance . . . . 77
III.4.6 Elargissement de la bande de haute impédance de la SPR-CMA . . 78
Conclusion . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 80
Bibliographie . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 81
IV Application de Métamatériaux à la Réalisation d’Antennes Ultra-Compactes 83

IV.1 Cavité Fabry-Pérot . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 85
IV.1.1 Principe de fonctionnement . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 85
IV.1.2 Diagramme de rayonnement des cavités Fabry-Pérot . . . . . . . . . 86
IV.1.2.1 Modèle des rayons optiques . . . . . . . . . . . . . . . . . 86
IV.1.2.2 Facteur de qualité et ouverture angulaire . . . . . . . . . 87
IV.1.2.3 Directivité . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 88
IV.1.3 Les cavités à base de structures périodiques planaires . . . . . . . . 88
IV.2 Conception d’une cavité ultra compacte à base de métamatériaux planaires 90
IV.2.1 Conception du plan réflecteur . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 90
IV.2.1.1 La variation de la phase à la réflexion en incidence normale 91
IV.2.1.2 Impédance de surface et Comportement en SHI . . . . . . 92
IV.2.2 Conception de la Surface Partiellement Réfléchissante (SPR) . . . 93
IV.2.2.1 La phase à la réflexion en incidence normale . . . . . . . . 93
IV.2.2.2 Le comportement en SHI . . . . . . . . . . . . . . . . . . 94
IV.2.3 Conception d’une antenne imprimée fonctionnant en bande X . . . 94
IV.2.3.1 Conception et alimentation de l’antenne . . . . . . . . . . 96
IV.2.3.2 Caractéristiques de l’antenne . . . . . . . . . . . . . . . . 96
IV.2.4 Étude de la cavité à base de métamatériaux . . . . . . . . . . . . . 99
IV.2.4.1 Conception . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 99
vii
IV.2.4.2 Effet de la SHI-CMA sur les performances de l’antenne . 99

IV.2.4.3 Prédiction des modes de résonances par le modèle des
rayons optiques . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 105
IV.2.4.4 Etude de la cavité de 0, 5 mm d’épaisseur . . . . . . . . . 105
IV.2.4.5 Analyse des résultats obtenus . . . . . . . . . . . . . . . . 108
IV.3 Optimisation de la cavité à base de métamatériaux . . . . . . . . . . . . . 110
IV.3.1 Conception de la cavité . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 111
IV.3.2 Modes de résonances . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 111
IV.3.3 Performance de la cavité de 1 mm d’épaisseur . . . . . . . . . . . . 112
Conclusion . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 115
Bibliographie . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 116
V Application des Métamatériaux pour le contrôle du rayonnement des

antennes 117
V.1 Cavité à base de métamatériaux à rayonnement contrôlable . . . . . . . . 119
V.1.1 Principe de fonctionnement . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 119
V.1.2 SPR-CMA inhomogène . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 120
V.2 Conception et étude numérique . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 121
V.2.1 Méthodologie de conception . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 121
V.2.2 Conception d’une cavité à base de SPR unidimensionnelle à rayon-
nement contrôlable . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 124
V.2.2.1 Conception d’une cavité à base de SPR unidimensionnelle
homogène . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 124
V.2.2.2 Conception d’une cavité à base de SPR unidimensionnelle
inhomogène à rayonnement oblique . . . . . . . . . . . . . 127
V.2.2.3 Influence du décalage en espacement entre les pavés métallique
sur le rayonnement de la cavité à rayonnement oblique . . 128
V.2.2.4 Influence du nombre de zones sur le rayonnement de la
cavité . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 131
V.3 Réalisation et Caractérisation . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 131
Conclusion . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 136
Bibliographie . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 137
Conclusions et perspectives 139
A Méthode des Lignes de Transmission 141

A.1 Cas général . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 141
A.2 Application aux structures périodiques planaires . . . . . . . . . . . . . . 143
viii
A.3 Analyse d’une SHI-CMA planaire . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 143

A.4 Analyse d’une SPR-CMA planaire . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 145
B Analyse des Structures Périodiques Planaires par la Méthode des Mo-

ments 147
C Généralités sur les antennes 151

C.1 Caractéristiques . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 151
C.1.1 Diagramme de rayonnement . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 151
C.1.1.1 Fonction caractéristique . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 152
C.1.1.2 Angle d’ouverture . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 152
C.1.1.3 Dynamique . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 153
C.1.1.4 Zones de rayonnement d’une antenne . . . . . . . . . . . . 153
C.1.2 Directivité et gain d’une antenne . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 153
C.1.2.1 Ouverture rayonnante et Rendement . . . . . . . . . . . . 153
C.1.2.2 Gain d’une antenne . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 153
C.1.2.3 Directivité d’une antenne . . . . . . . . . . . . . . . . . . 154
C.1.3 Adaptation d’une antenne . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 154
C.2 Antennes à éléments imprimés . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 154
C.2.1 Description . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 155
C.2.2 Principe du rayonnement des antennes imprimées . . . . . . . . . . 155
C.2.3 Conception d’une antenne imprimée rectangulaire . . . . . . . . . . 157
C.2.3.1 Dimensionnement de l’élément rayonnant . . . . . . . . . 157
C.2.3.2 Admittance d’entrée et alimentation . . . . . . . . . . . . 158
C.3 Classification des ondes électromagnétiques . . . . . . . . . . . . . . . . . . 158
ix
Table des figures
I.1 Schéma explicatif de la technique utilisée pour la réalisation du premier cristal

photonique : la Yablonovite [Yab93]. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 6
I.2 Exemples de structures périodiques unidimensionnelles (a), bidimensionnelles
(b) et tridimensionnelles (c)constituées d’un arrangement périodique de couches
de matériaux à forte permittivité diélectrique. . . . . . . . . . . . . . . . . . . 6
I.3 Un BIP entourant une antenne imprimée [YAY97]. . . . . . . . . . . . . . . . 7
I.4 Réponse dans le domaine temporel d’un filtre passe bande très sélectif à base de
BIP à la résonance (a) et en dehors de celle-ci (b)[CMM03]. . . . . . . . . . . 8
I.5 Le premier prototype de matériau à indice négatif à base de résonateurs à an-
neaux fendus en formes de C (Split Ring Resonator SRR) et de réseau de fils
conducteurs proposé par le groupe de Smith à l’Université de Californie, San
Diago (UCSD) [WSG+ 01] ; b) le matériau à indice négatif plus compact proposé
par le même groupe [SSS01]. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 10
I.6 l’expérience proposée par Shelby et ses collègues pour montrer l’existence des
matériaux à indice négatif [SSS01]. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 11
I.7 Schéma du réseau de nanotubes proposé par Podolsky et ses collaborateurs [PSS02]. 12
I.8 La cellule élémentaire proposée par Olivier Martin et ces collègues pour la réalisation
d’un matériau à indice négatif indépendant de la direction de l’onde incidente
[BM02]. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 12
I.9 Résultats de mesures publiés par le groupe de Itoh pour le coupleur à base de
lignes de transmission à indice négatif [CSI03]. . . . . . . . . . . . . . . . . . 14
I.10 Prototype d’une ligne à indice négatif à une dimension proposé et réalisé par le
groupe de Eleftheriades [GE02]. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 15
I.11 Surface corruguée (corrugated surface) [Sie99]. . . . . . . . . . . . . . . . . . 16
I.12 Surface à haute impédance réalisée à partir d’un réseau carré de pavés reliés à
la masse par des vias métalliques (mushroom) [Sie99]. . . . . . . . . . . . . . . 17
II.1 La structure photonique diélectrique bidimensionnelle étudiée. . . . . . . . . . . 31
xi
TABLE DES FIGURES
II.2 Diagramme de bandes en polarisation TM, calculé par la méthode des ondes
planes [GA03] et par la FDTD, du cristal photonique bidimensionnel constitué
d’un réseau carré de tiges cylindriques diélectriques (de permittivité ε = 3, 5)
dans de l’air de pas a = 7 mm et de rayon r = 2, 5 mm. . . . . . . . . . . . . 32
II.3 Diagramme de bandes en polarisation TE, calculé par la méthode des ondes
planes [GA03] et par la FDTD, du cristal photonique bidimensionnel constitué
d’un réseau carré de tiges cylindriques diélectriques (de permittivité ε = 3, 5)
dans de l’air de pas a = 7 mm et de rayon r = 2, 5 mm. . . . . . . . . . . . . 32
II.4 Surface de dispersion 3D du premier mode TM du cristal photonique bidimen-

sionnel et courbe iso-fréquence à 10 GHz calculées par la méthode des ondes
planes. La courbe en semi-pointillés noirs correspond à la courbe iso-fréquence
dans le vide à cette même fréquence. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 33
II.5 Courbes iso-fréquence en mode TM dans le cristal photonique bidimensionnel et

dans le vide (semi-pointillés noirs) à 10 (a), 15 (b), 20 (c) et 25 GHz (d) et
condition de continuité des composantes tangentielles entre un exemple de vec-
teur d’onde incidente k0 et le vecteur d’onde de propagation kc correspondant(a
et c). . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 34
II.6 Distribution de l’énergie électrique des modes calculée par la FDTD et par la
méthode des ondes planes [JJ01] au point X sur une cellule du réseau carré. . . 36
II.7 Le cristal photonique et le guide d’onde de 2 µ de largeur observés par microsco-

pie optique [LdLO+ 06]. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 37
II.8 Diagramme de bande en polarisation TM du réseau triangulaire étudié calculé

par la méthode des ondes planes [JJ01]. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 37
II.9 Courbes isofréquences concernant la cinquième et la sixième bande calculées par

a
la méthode des ondes planes [JJ01, LdLO+ 06] pour λ = 0, 415 , 0, 435 , 0, 46
et 0, 49. L’interface du cristal photonique est représentée par un trait violet, le
vecteur de l’onde incidente par une flèche bleue et la direction de propagation
par une flèche rouge. Des flèches en noir représentent d’autres directions de
diffraction de l’onde. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 39
a
II.10 Distribution du champ électrique calculée pour λ = 0, 415 par la méthode des
ondes planes [JJ01] dans la direction ΓK (a) et par la FDTD avec 8◦ d’angle
d’incidence (b). Le module nul est représenté par une couleur blanche dans le
premier cas (a) et par une couleur verte dans le deuxième (b). . . . . . . . . . 40
II.11 La structure photonique métallique bidimensionnelle étudiée. . . . . . . . . . . 43
xii
TABLE DES FIGURES
II.12 Diagramme de bandes en polarisation TM calculé par la méthode des éléments

finis [HFSS06] (a) et par la FDTD (b) du cristal photonique bidimensionnel
constitué d’un réseau carré de tiges cylindriques en cuivre (de conductivité σ =
5, 8.107 S.m− 1) dans de l’air de pas a = 15 mm et de rayon r = 1 mm. . . . . . 44
II.13 Distribution de l’énergie électrique des modes calculée par la FDTD au point X
sur une cellule du réseau carré. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 45
III.1 a)Une surface à haute impédance à base d’un réseau périodique de pavés métalliques
déposés sur un substrat diélectrique reliés à la masse par des vias métallique (SHI
de Sievenpiper) ; b) Modèle électrique équivalent d’une cellule élémentaire de la
SHI. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 52
III.2 la variation de la phase à la réflexion de la SHI de Sievenpiper en fonction de la
fréquence calculée par des modèles analytiques (a) et les mesures expérimentales
correspondantes [Sie99](b). . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 55
III.3 Le diagramme de bande de la SHI de Sievenpiper donné par le modèle des milieux
effectifs [Sie99]. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 56
III.4 Le schéma électrique équivalent d’une cellule élémentaire d’une SHI proposé par
Eleftheriades [?]. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 57
III.5 le diagramme de bande de la SHI de Sievenpiper calculé par le modèle d’Elefthe-
riades. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 58
III.6 Le diagramme de bande de la SHI de Sievenpiper calculé par la méthode des
éléments finis [Sie99]. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 59
III.7 Le dispositif expérimental utilisé par Sievenpiper pour la mesure de la phase du
coefficient de réflexion des SHIs. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 60
III.8 les diagrammes de transmission en fonction de la fréquence de la SHI de Sie-
venpiper mesurés en mode TM (a) et TE (b) [Sie99]. . . . . . . . . . . . . . . 60
III.9 Schéma d’une SHI-CMA formé d’un réseau de cellules métallodiélectriques pla-
naires. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 61
III.10 Schéma du circuit électrique équivalent d’une cellule élémentaire d’une SHI-CMA. 62
III.11 Méthode des lignes de transmission : représentation d’un élément par sa matrice
chaı̂ne équivalente. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 63
III.12 a) Banc de caractérisation (7-16GHz) constitué de deux cornets et d’un support
pour les échantillons dans une chambre anéchoı̈que. b) Appareils de mesure, de
contrôle et de stockage utilisés. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 64
III.13 Schéma de la chaı̂ne de mesure de la phase du coefficient de réflexion des SHI-
CMAs. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 64
xiii
TABLE DES FIGURES
III.14 Comparaison entre la mesure de la phase à la réflexion par un cornet et celle

réalisée avec deux cornets pour une même surface (a = 4 m, g = 1, 2 mm). . . . 65
III.15 Variation de la phase à la réflexion (a) et de l’impédance de surface (b) en
fonction de la fréquence pour différentes valeurs de l’espacement entre les pavés
métalliques (voir schéma (c)) des SHI-CMAs (εr = 3.9, δ = 0.0197, h =
1, 2 mm, a = 4 mm) calculée par la méthode des éléments finis (HFSS) pour
une incidence normale. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 66
III.16 Variation de la phase à la réflexion en fonction de la fréquence mesurée (a) et
calculée par la méthode des lignes de transmission (b) pour différents espacements
entre les pavés métalliques des SHI-CMAs (εr = 3.9, δ = 0.0197, h = 1, 2 mm,
a = 4 mm). . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 67
III.17 Variation de la phase à la réflexion en incidence normale en fonction de la
fréquence calculée par la méthode des éléments finis (a) et par la méthode des
lignes de transmission (b) pour différentes épaisseurs du substrat diélectrique
d’une SHI-CMA (εr = 3.9, δ = 0.0197, a = 4 mm, g = 400 µ). . . . . . . . . . 68
III.18 Résultat de simulation par la méthode des éléments finis présentant la variation
de la résonance de la SHI-CMA en fonction de la dimension de la cellule par
rapport à celle de dimension a0 = 4 mm. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 68
III.19 Réflexion et transmission des ondes TM (a) et TE (b) à travers une interface
plane (plan yz) entre deux milieux isotropes différents. . . . . . . . . . . . . . . 69
III.20 Variation de la phase à la réflexion d’une SHI-CMA (εr = 3.9, δ = 0.0197,
h = 1, 2 mm, a = 4 mm, g = 400 µ) en fonction de la fréquence déterminée
par la méthode des lignes de transmission (a et d), calculée par la méthode des
moments (b et e) et mesurée (c et f ) pour différents angles d’incidence d’onde
polarisée TE (a, b et c) et TM (d, e et f ). . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 71
III.21 Schéma d’une cellule de la SHI-CMA large bande planaire proposée. . . . . . . 72
III.22 Variation de la phase à la réflexion en fonction de la fréquence en incidence
normale mesurée et calculée par la méthode des éléments finis de la SHI-CMA
large bande (εr = 3.9, δ = 0.0197, h = 2 × 1, 2 mm, a = 2 mm, g = 400 µ). . . . 73
III.23 Variation de la phase à la réflexion de la SHI-CMA large bande (εr = 3.9,
δ = 0.0197, h = 2 × 1, 2 mm, a = 2 mm, g = 400 µ) en fonction de la fréquence
mesurée pour différents angles d’incidence d’onde polarisée TE (a) et TM (b). . 73
III.24 a) Une surface partiellement réfléchissante à base d’un réseau périodique de
cellules composites métallodiélectriques ; b)Schéma d’une cellule élémentaire de
la SPR-CMA. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 75
III.25 Schéma de la chaı̂ne de mesure du coefficient de transmission des SPR-CMAs. . 75
xiv
TABLE DES FIGURES
III.26 Variation de la phase à la réflexion en fonction de la fréquence en incidence

normale calculée par la méthode des éléments finis (HFSS) d’une SPR-CMA
(εr = 3.9, δ = 0.0197, h = 1, 2 mm, a = 4 mm, w = 1, 2 mm) pour différentes
valeurs de l’espacement entre les pavés. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 76
III.27 Variation du module (a) et de la phase (b) du coefficient de réflexion en fonction
de la fréquence en incidence normale calculée par la méthode des éléments finis
(HFSS) d’une SPR-CMA (εr = 3.9, δ = 0.0197, h = 1, 2 mm, a = 4 mm,
g = 400 µ) pour différentes largeurs de grille w . . . . . . . . . . . . . . . . . . 77
III.28 Variation de la phase à la réflexion de la SPR-CMA (εr = 3.9, δ = 0.0197,
h = 1, 2 mm, a = 4 mm, g = 400 µ, w = 1, 2 mm) en fonction de la fréquence
mesurée pour différents angles d’incidence d’onde polarisée TE (a) et TM (b). . 78
III.29 Schéma d’une cellule de la SPR-CMA large bande planaire proposée. . . . . . . 79
III.30 Comparaison entre la variation de la phase à la réflexion en fonction de la
fréquence en incidence normale calculée par la méthode des éléments finis d’une
SPR-CMA (εr = 3.9, δ = 0.0197, h = 1, 2 mm, a = 4 mm, g = 400 µ,
w = 1, 2 mm) à une seule couche de pavés métalliques et d’une SPR-CMA
(εr = 3.9, δ = 0.0197, h = 2 × 1, 2 mm, a = 2 mm, g = 400 µ, w = 0, 6 mm)
large bande à double couches de pavés métalliques. . . . . . . . . . . . . . . . . 79
IV.1 Schéma de l’interféromètre de Fabry-Pérot. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 85

IV.2 Schéma de la cavité de type Fabry-Pérot utilisée pour les antennes micro-ondes. 86
IV.3 a)Schéma de la cellule élémentaire d’une SHI-CMA ; b) la SHI-CMA réalisée
sur le substrat époxy. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 91
IV.4 Variation de la phase à la réflexion en incidence normale de la SHI-CMA pro-
posée (εr = 3.9, δ = 0.0197, h = 1, 2 mm, a = 4 mm, g = 250 µ) mesurée et
calculée par la méthode des éléments finis (HFSS) et par FDTD. . . . . . . . . 91
IV.5 Résultats de simulation (a) et de mesures (b) donnant la variation du module de
l’impédance de surface (courbe bleue) et de la phase à la réflexion (courbe verte)
de la SHI-CMA en fonction de la fréquence pour une incidence normale. . . . . 92
IV.6 Schéma de la cellule élémentaire d’une SPR-CMA. . . . . . . . . . . . . . . . 93
IV.7 Les deux faces de la SPR-CMA réalisée sur le substrat époxy par gravure LPKF. 93
IV.8 Variation de la phase à la réflexion en incidence normale de la SPR-CMA pro-
posée (εr = 3.9, δ = 0.0197, h = 1, 2 mm, a = 4 mm, g = 400 µ, w = 1, 2 mm)
mesurée et calculée par la méthode des éléments finis (HFSS) et par FDTD. . . 94
IV.9 Résultats de simulation (a) et de mesures (b) de la variation du module de
l’impédance de surface (courbe bleue) et de la phase à la réflexion (courbe verte)
de la SPR-CMA en fonction de la fréquence pour une incidence normale. . . . . 95
xv
TABLE DES FIGURES
IV.10 a)Schéma descriptif de l’antenne imprimée ; b) l’antenne réalisée par gravure

LPKF sur le substrat époxy. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 96
IV.11 Variation du coefficient de réflexion de l’antenne imprimée en fonction de la
fréquence (mesures et simulations). . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 97
IV.12 Schéma descriptif(a) et photo (b) du dispositif expérimental pour la mesure du
diagramme de rayonnement. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 98
IV.13 Diagrammes de rayonnement dans les plans E et H obtenus par simulations
numériques (FEM-HFSS)(a) et par mesures expérimentales (b). . . . . . . . . . 98
IV.14 La cavité de type Fabry-Pérot à base de métamatériaux. . . . . . . . . . . . . 99
IV.15 Le schéma (a) et le circuit réalisé (b) de l’antenne imprimée entourée par le
réseau périodique de cellules métallodiélectriques de la SHI-CMA. . . . . . . . . 100
IV.16 La variation de l’adaptation en fonction de la fréquence pour différentes di-
mensions du défaut crée dans la SHI-AMC entourant l’antenne (Résultats de
simulations FEM- HFSS). . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 101
IV.17 La variation de l’adaptation de l’antenne sans et avec la SHI-CMA en fonction
de la fréquence. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 102
IV.18 Le diagramme de rayonnement en gain dans le plan E (a) et H (b) à 11 GHz
pour différentes dimensions du défaut crée dans la SHI-AMC entourant l’antenne
(Résultats de simulations HFSS). . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 102
IV.19 Le diagramme de rayonnement en gain mesuré dans le plan E et H à 11 GHz
de l’antenne entourée par une SHI-CMA ayant un défaut de 2X2. . . . . . . . 103
IV.20 La variation de l’adaptation en fonction du nombre de couches de SHI-CMA
entourant l’antenne (Résultats de simulations FEM- HFSS). . . . . . . . . . . 104
IV.21 Le diagramme de rayonnement en gain dans le plan E (a) et H (b) à 11 GHz
pour différents nombres de couches de la SHI-AMC entourant l’antenne (Résultats
de simulations HFSS). . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 104
IV.22 a) La variation de la phase à la réflexion des deux surfaces à base de AMC
constituant la cavité ; b) L’épaisseur de résonance de la cavité prédite par le
modèle des rayons optique en fonction de la fréquence en utilisant les phases à
la réflexion de la SHI et de la SPR mesurées et calculées par la méthode des
éléments finis. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 106
IV.23 Adaptation de la cavité de 0,5 mm d’épaisseur à base de métamatériaux ali-
mentée par l’antenne imprimée présentée précédemment. . . . . . . . . . . . . 107
IV.24 Le diagramme de rayonnement en gain dans le plan E (a) et H (b) à 10, 1 GHz
de la cavité de 0, 5 mm d’épaisseur de (∼ 2λ) de largeur dans le cas des simula-
tions et (∼ 4λ) dans le cas des mesures. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 107
xvi
TABLE DES FIGURES
IV.25 Le diagramme de rayonnement linéaire polaire en gain dans le plan E (a) et H

(b) à 10, 1 GHz de la cavité de 0, 5 mm d’épaisseur. . . . . . . . . . . . . . . 108
IV.26 a)Le diagramme de rayonnement linéaire polaire en gain dans le plan E de la

cavité pour différentes valeurs de l’épaisseur h ; b) Variation de l’ouverture angu-
laire du rayonnement dans le plan E en fonction du rapport entre la l’épaisseur
de la cavité et la longueur d’onde. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 109
IV.27 a)Variation du module du coefficient de réflexion en incidence normale de la

SHI-CMA en fonction de la fréquence ; b) Variation du module des coefficients de
réflexion et de transmission en incidence normale de la SPR-CMA en fonction
de la fréquence. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 110
IV.28 Schéma descriptif de la cavité de type Fabry-Pérot à base d’un seul métamatériau.
111
IV.29 a) Module des coefficients de transmission et de réflexion en incidence normale

de la SPR-CMA (εr = 3.9, δ = 0.0197, h = 1, 2 mm, a = 6 mm, g = 400 µ,
w = 4 mm) ; b) Variation de la phase du coefficient de réflexion en incidence
normale de la SPR-CMA en fonction de la fréquence. . . . . . . . . . . . . . 112
IV.30 La variation prédite par le modèle des rayons optiques de l’épaisseur de résonance
de la cavité en fonction de la fréquence. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 113
IV.31 Adaptation de la cavité de 1 mm d’épaisseur à base d’un seul métamatériau. . 113
IV.32 Le diagramme de rayonnement linéaire polaire en gain dans le plan E (a) et H

(b) à 9, 7 GHz de la cavité de 1 mm d’épaisseur à base d’un seul métamatériau. 114
IV.33 Diagramme de rayonnement en gain mesuré dans le plan E (a) et H (b) à

9, 7 GHz de la cavité de 1 mm d’épaisseur à base d’un seul métamatériau. . . . 114
V.1 a) Cavité constituée d’un plan de masse métallique et d’une surface partielle-
ment réfléchissante à base de conducteur magnétique artificiel. b) guide à fentes
shunt sur la grande face. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 119
V.2 Surface Partiellement Réfléchissante à espacement variable dans une direction. 120
V.3 Variation de la phase du coefficient de réflexion (a) et de transmission (b)

en fonction de la fréquence en incidence normale calculée par la méthode des
éléments finis (HFSS) d’une SPR-CMA (εr = 3.9, δ = 0.0197, h = 2, 2 mm,
a = 5 mm, w = 1, 2 mm) pour différentes valeurs de l’espacement entre les pavés. 121
V.4 La Cavité constituée d’un plan de masse métallique et d’une surface partielle-
ment réfléchissante uni-dimensionnelle à espacement variable. . . . . . . . . . . 122
xvii
TABLE DES FIGURES
V.5 Variation de la phase du coefficient de réflexion (a) et de transmission (b)

en fonction de la fréquence en incidence normale calculée par la méthode des
éléments finis (HFSS) d’une SPR-CMA unidimensionnelle pour différentes va-
leurs de l’espacement entre les pavés. c) Cellule élémentaire de la SPR (εr = 3.9,
δ = 0.0197, h = 1, 2 mm, a = 5 mm, w = 2, 2 mm). . . . . . . . . . . . . . . . 123
V.6 Variation de la phase du coefficient de réflexion en fonction de l’espacement

entre les pavés métalliques d’une SPR unidimensionnelle (εr = 3.9, δ = 0.0197,
h = 1, 2 mm, a = 5 mm, w = 2, 2 mm) calculée à 11 GHz par la méthode des
éléments finis (HFSS). . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 123
V.7 La variation prédite par le modèle des rayons optiques de la hauteur de résonance
de la cavité à base de SPR unidimensionnelle homogène (a = 5 mm, w =
2, 2 mm, g = 600 µ) en fonction de la fréquence. . . . . . . . . . . . . . . . . 124
V.8 Adaptation de la cavité de 2 mm d’épaisseur à base de SPR unidimensionnelle

homogène (a = 5 mm, w = 2, 2 mm, g = 600 µ) calculée par la méthode des
éléments finis (HFSS). . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 125
V.9 Le diagramme de rayonnement polaire en gain dans le plan E (φ = 90◦ ) et H

(φ = 0◦ ) à 10, 8 GHz de la cavité de 2 mm d’épaisseur à base de SPR homogène
unidimensionnelle (a = 5 mm, w = 2, 2 mm, g = 600 µ). . . . . . . . . . . . . 126
V.10 Adaptation (a) et diagramme de rayonnement polaire en gain (b) dans le plan
E (φ = 90◦ ) et H (φ = 0◦ ) à 10, 8 GHz de la cavité de 2 mm d’épaisseur à
base de SPR homogène unidimensionnelle (a = 5 mm, w = 2, 2 mm, g = 600 µ,
δg = 100 µ) ayant des dimensions latérales de 70X70 mm calculé par la méthode
des éléments finis (HFSS). . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 126
V.11 Schéma descriptif de la Cavité constituée d’un plan de masse métallique et d’une
surface partiellement réfléchissante uni-dimensionnelle à espacement variable. . 127
E (f=90◦ ) et H (f=0◦ ) à 10,8 GHz de la cavité de 2mm d’épaisseur à base de
SPR inhomogène unidimensionnelle (a = 5 mm, w = 2, 2 mm, g = 600 µ,
δg = 100 µ) calculé par la méthode des éléments finis (HFSS). . . . . . . . . . 128
V.13 Diagramme de rayonnement linéaire polaire tridimensionnelle en gain à 10, 8 GHz

de la cavité de 2 mm d’épaisseur à base de SPR inhomogène unidimensionnelle
(a = 5 mm, w = 2, 2 mm, g = 600 µ, δg = 100 µ) calculé par la méthode des
éléments finis (HFSS). . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 129
xviii
TABLE DES FIGURES
V.14 Schéma descriptif (a) et diagramme de rayonnement polaire en gain (b) dans
le plan E (φ = 90◦ ) et H (φ = 0◦ ) calculé par la méthode des éléments finis
(HFSS) à 10, 8 GHz de la cavité de 2 mm d’épaisseur à base de SPR inhomogène
unidimensionnelle (a = 5 mm, w = 2, 2 mm, g = 600 µ, δg = 100 µ) retournée
dans le plan de 180◦ . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 129
V.15 Diagrammes de rayonnement en gain calculés par la méthode des éléments finis
(HFSS) dans le plan E (φ = 90◦ ) à 10, 8 GHz de la cavité de 2 mm d’épaisseur
à base de SPRs unidimensionnelles (a = 5 mm, w = 2, 2 mm, g = 600 µ,
δg = 100 µ) (a) pour différentes valeurs du décalage en espacement δg et à base
des mêmes SPRs retournées dans le plan de 180◦ (b). . . . . . . . . . . . . . 130
V.16 Schéma descriptif (a) et diagramme de rayonnement polaire en gain (b) dans
le plan E (φ = 90◦ ) et H (φ = 0◦ ) calculé par la méthode des éléments finis
(HFSS) à 10, 8 GHz de la cavité de 2 mm d’épaisseur à base de SPR inhomogène
unidimensionnelle (a = 5 mm, w = 2, 2 mm, g = 600 µ, δg = 100 µ) agrandit
d’une cellule à chaque extrémité. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 132
V.17 La variation prédite par le modèle des rayons optiques de la hauteur de résonance
de la cavité à base de SPR unidimensionnelle homogène (a = 5 mm, w =
2, 2 mm, g = 400 µ) en fonction de la fréquence. . . . . . . . . . . . . . . . . 132
E (φ = 90◦ ) et H (φ = 0◦ ) à 10, 5 GHz de la cavité de 1 mm d’épaisseur à base
de SPR homogène unidimensionnelle (a = 5 mm, w = 2, 2 mm, g = 400 µ)
calculés par la méthode des éléments finis (HFSS). . . . . . . . . . . . . . . . 133
V.19 Schéma descriptif de la cavité de 1 mm d’épaisseur à base de SPR inhomogène

unidimensionnelle (a = 5 mm, w = 2, 2 mm, g = 400 µ) agrandit d’une cellule
à chaque extrémité. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 134
V.20 Adaptation de la cavité de 1 mm d’épaisseur à base de SPR unidimensionnelle

inhomogène (a = 5 mm, w = 2, 2 mm, g = 400 µ, δg = 100 µ) mesurée et
calculée par la méthode des éléments finis (HFSS). . . . . . . . . . . . . . . . 134
V.21 Diagramme de rayonnement linéaire en gain mesuré et calculé par la méthode

des éléments finis (HFSS) dans le plan E (φ = 90◦ ) à 10, 5 GHz de la cavité
de 1 mm d’épaisseur à base de SPR inhomogène unidimensionnelle (a = 5 mm,
w = 2, 2 mm, g = 400 µ, δg = 100 µ) (a) et à base de la même SPR retournée
dans le plan de 180◦ (b). . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 135
xix
TABLE DES FIGURES
V.22 Diagramme de rayonnement linéaire en gain mesuré et calculé par la méthode

des éléments finis (HFSS) dans le plan E (φ = 90◦ ) à 10, 5 GHz de la cavité
de 1 mm d’épaisseur à base de SPR inhomogène unidimensionnelle (a = 5 mm,
w = 2, 2 mm, g = 400 µ, δg = 50 µ) (a) et à base de la même SPR retournée
dans le plan de 180◦ (b). . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 135
A.1 (a)Représentation d’un élément par sa matrice ABCD dans un circuit électrique,
(b)Superposition en série de plusieurs éléments représentés par leurs matrices
chaı̂nes. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 142
A.2 Une surface à haute impédance à base d’un réseau périodique de pavés métalliques
déposés sur un substrat diélectrique au-dessus d’un plan de masse métallique. . . 144
A.3 Schéma électrique équivalent d’une SHI-AMC planaires éclairée par une onde
incidente plane polarisée. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 144
A.4 Une surface à partiellement réfléchissante à base d’un réseau périodique de pavés
métalliques déposés sur un substrat diélectrique au-dessus d’une grille métallique. 145
A.5 Schéma électrique équivalent d’une SPR-AMC planaires éclairée par une onde
incidente plane polarisée. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 146
B.1 Réflexion et transmission d’une onde plane à travers une structure à base d’un
réseau périodique infinie de motifs métalliques. . . . . . . . . . . . . . . . . . 148
C.1 Diagramme de rayonnement bidimensionnel en coordonnées cartésiennes. . . . . 152

C.2 Schéma descriptif d’une antenne imprimée. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 155
C.3 Schéma descriptif de l’alimentation d’une antenne imprimée par une ligne mi-
crobande (a), par une ligne microbande avec encoche (b), par un câble coaxial
(c) et par couplage électromagnétique (c). . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 156
C.4 Schéma descriptif du modèle de la cavité résonante. . . . . . . . . . . . . . . . 156
xx
Notations Utilisées
ε0 : Permittivité électrique du vide

µ0 : Perméabilité magnétique du vide
c0 Vitesse de la lumière dans le vide
λ : Longueur d’onde
k : Vecteur d’onde
E : Vecteur champ électrique
H : Vecteur champ magnétique
J : Courant surfacique
R : Résistance
L : Inductance
C : Capacité
Z : impédance
TE : Transverse Electrique
TM : Transverse Magnétique
Glossaire des Termes Techniques
BIP : Bande Interdite Photonique

CMA : Conducteur Magnétique Artificiel
SSF : Surface Sélective en Fréquence
SHI : Surface à Haute Impédance
SPR : Surface Partiellement Réfléchissante
FFT : Fast Fourier Transform
FDTD : Finite Difference Time-Domain
FEM : Finite Element Method
MoM : Method of Moment
PWM : Plane Wave Method
Introduction
L a découverte des matériaux à bandes interdites photoniques (BIP) il y a une vingtaine

d’années a relancé les recherches sur les structures périodiques. Depuis d’autres
types de matériaux présentant d’intéressantes propriétés artificielles sont alors apparus.
Le début de ce siècle a même vu la réalisation de milieu à indice optique négatif permettant
de réfracter l’onde selon un angle négatif [SSS01].
Dans le domaine des antennes, ce sont les surfaces à haute impédance (SHI) qui ont
suscité un intérêt grandissant depuis leur introduction par D. F. Sievenpiper en 1999. Ces
matériaux sont constitués d’un réseau périodique de pavés métalliques déposés sur un
substrat diélectrique et reliés au plan de masse par des trous métallisées. Ils présentent
une haute impédance en réflexion normale et une bande interdite en propagation dans le
plan sur une large bande de fréquences. Ces propriétés physiques sont particulièrement
intéressantes car elles permettent de réduire le rayonnement latéral [Sie99] et d’augmenter
la directivité des antennes [ZLQ+ 05].
La propriété de la haute impédance à la réflexion peut être en réalité assurée par
les mêmes réseaux périodiques de cellules métallodiélectriques sans l’utilisation de trous
métalliques de mise à la masse. Ces matériaux, généralement appelés conducteur magnétique
artificiel (CMA), ont été proposés depuis les années soixante pour jouer le rôle de plans
réflecteurs aux antennes [Mal62]. En plus de leur réalisation assez aisée, les CMAs présentent
l’énorme avantage de contrôler la phase à la réflexion de l’onde incidente. Récemment, ils
ont permis la réalisation de cavités rayonnantes Fabry-Pérot d’une épaisseur de l’ordre
du quart de la longueur d’onde dans le domaine des hyperfréquences [FGWV05].
Mes travaux de recherches ont été effectués dans le domaine des micro-ondes et des
antennes dans le cadre d’un projet européen EUREKA TELEMAC. Notre objectif était
d’étudier et de concevoir des métamatériaux appliqués aux antennes en bandes X. Ce tra-
vail propose d’augmenter les performances des antennes en terme de directivité et de com-
pacité. Ce mémoire débute par une synthèse bibliographique sur les matériaux à bandes
interdites photoniques et les métamatériaux et leurs applications en télécommunications.
Ces structures périodiques ont apporté à l’électromagnétisme de nouveaux concepts et de
nouvelles solutions à différents problèmes.
1
Introduction
Le deuxième chapitre présente les outils de modélisation des structures périodiques

diélectriques et métallodiélectriques. La modélisation est une partie importante de l’étude
des matériaux périodiques. Les méthodes numériques de résolution dans le domaine fréquen-
tiel et temporel sont décrites. Des exemples d’études sont aussi présentés. Dans le troisième
chapitre nous nous intéressons à l’analyse et à l’étude des surfaces à haute impédance
(SHI). Une première partie sur les théories utilisées pour l’étude des surfaces à haute
impédance est rappelée. Une étude théorique et expérimentale des SHIs est ensuite pro-
posée. Enfin, la conception et l’analyse de surfaces partiellement réfléchissantes composites
sont présentées.
Dans le quatrième chapitre, nous présentons des applications de ces surfaces aux an-
tennes. Une étude d’une cavité ultra-compacte à base de métamatériaux planaires est
détaillée. Un modèle théorique des rayons optiques est utilisé pour décrire le fonctionne-
ment de la cavité. Des résultats de simulations numériques et des mesures expérimentales
permettant l’optimisation de la cavité sont présentés.
Dans le cinquième et le dernier chapitre, nous présentons une solution à base de cavités
de type Fabry-Pérot pour le contrôle directionnel du rayonnement. La méthode de concep-
tion de la structure est détaillée. Des résultats de simulations numériques et des mesures
expérimentales caractérisant le fonctionnement d’un prototype de ce type de structures
sont présentés.
En conclusion, nous évoquerons les perspectives possibles de cette étude dans le cadre
du contrôle fréquentiel et directionnel du rayonnement d’antennes.
Bibliographie
[FGWV05] A. P. Feresidis, G. Goussetis, S. Wang, and J. C. Vardaxoglou. Artificial
magnetic conductor surfaces and their application to low-profile high-gain
planar antennas. IEEE Tr. on Antennas and Propa., 53(1) :209–215, 2005.
[Mal62] R. G. Malech. The reflectarray antenna system. USAF Antenna Res. Develop.
Program, Univ. Illinois, Urbana-Champaign, 1962.
[Sie99] D. F. Sievenpiper. High-Impedance Electromagnetic Surfaces. Thèse de doc-
torat, University of California, Los Angeles, 1999.
[SSS01] R. A. Shelby, D. R. Smith, and S. Schultz. Experimental verification of ne-
gative index refraction. Science, 292 :77–79, 2001.
[ZLQ+ 05] L. Zhou, H. Li, Y. Qin, Z. Wei, and C. T. Chan. Directive emissions from sub-
wavelength metamaterial-based cavities. Applied Physics Letters, 86 :101101,
2005.
2
Chapitre I
État de l’Art des Matériaux à

Bandes Interdites Photoniques et
des Métamatériaux
Sommaire
I.1 Les matériaux à Bandes Interdites Photoniques . . . . . . . 5
I.2 Matériaux à Indice Négatif . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 9
I.3 Les Surfaces à Haute Impédance . . . . . . . . . . . . . . . . . 16
Conclusion . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 19
Bibliographie . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 20
D epuis l’invention des réseaux de diffraction pour la spectroscopie au début du

vingtième siècle, les structures périodiques n’ont jamais cessé de susciter l’intérêt
des chercheurs. Dans les années cinquante, les études dédiées aux structures périodiques
portaient essentiellement sur des éléments métalliques possédant différents axes de périodicité
dans le but de réaliser des polariseurs et des réflecteurs. Les réseaux métalliques déposés
3
I État de l’Art des Matériaux à Bandes Interdites Photoniques et des Métamatériaux
sur des substrats diélectriques sont d’un emploi courant pour réaliser par exemple des
fonctions de filtrage ou de déphasage. Elles ont aussi permis de concevoir des Surfaces
Sélectives en Fréquence ou SSF mais la plupart concerne des structures monocouches
avec des motifs 1D ou 2D. Ces dernières années ont vu un important intérêt pour les
réseaux métallodiélectriques multicouches. Des structures périodiques comprenant plu-
sieurs dimensions et présentant des bandes interdites électromagnétiques ont alors été
développées. Ces structures périodiques utilisées à des longueurs d’ondes grandes devant
leur période peuvent également se comporter comme des matériaux homogènes ayant des
propriétés artificielles : on parle alors de métamatériaux.
Dans ce chapitre, une synthèse des grandes familles de métamatériaux, avec leurs prin-
cipales propriétés, sera présentée. Nous commençons alors par un historique des matériaux
à bandes interdites photoniques et de leurs applications. Nous nous intéressons ensuite
aux travaux de recherches publiés sur les matériaux à main gauche. Enfin, les propriétés
et les différentes applications des surfaces à hautes impédances sont exposées.
4
I.1 Les matériaux à Bandes Interdites Photoniques

(BIP)
Les matériaux à Bandes Interdites Photoniques (BIP en français, PBG en anglais) sont
des structures périodiques dans lesquelles la propagation des ondes pour certaines bandes
de fréquences et certains angles d’incidence de l’onde excitatrice est interdite [Yab93].
Depuis le milieu des années 90s, ces structures ont fait l’objet de nombreuses recherches
dans les laboratoires français et étrangers. Les matériaux BIP ont rapidement trouvé
des applications pratiques dans le domaine des ondes électromagnétiques millimétriques
et centimétriques. A l’échelle optique, la fabrication d’un BIP tridimensionnel devient
délicate. En revanche, les technologies héritées de l’industrie des semiconducteurs ont
fortement participé au développement des cristaux photoniques bidimensionnels pour des
applications dans le visible et le proche infra rouge.
I.1.1 Historique des matériaux BIP

C’est en 1987 qu’Eli Yablonovitch [Yab87] et Sajeev John [Joh87], en cherchant à
réduire l’émission spontanée de lumière dans les lasers et les semiconducteurs, proposent
un nouveau moyen de construire un miroir de Bragg, proposé par W. L. Bragg depuis la fin
du XIXè siècle, à plusieurs dimensions. L’idée consiste à réaliser une structure périodique
à trois dimensions par un assemblage régulier de sphères, de cylindres et/ou de poutres.
Une première réalisation fonctionnant aux longueurs d’onde centimétriques a été présentée
par Yablonovitch en 1991 [Yab93]. La structure proposée, la Yablonovite [Yab93], est
présentée par la figure I.1. Il s’agit d’un bloc de plexiglas usiné dans trois directions
différentes séparées de 120◦ permettant de reproduire la structure cristalline du diamant.
En réalité, le matériau BIP ainsi réalisé est une extension tridimensionnelle aux fréquences
micro-ondes des miroirs de Bragg. Etant construit à partir d’un empilement périodique
de couches diélectriques d’indices de réfraction différents dans une seule direction de l’es-
pace, ces derniers ne permettent de contrôler la lumière que dans cette même direction.
Au contraire, les matériaux BIP tridimensionnels peuvent réaliser une bande interdite
complète dans toutes les directions de propagation et pour toutes les polarisations pos-
sibles de l’onde.
Les matériaux BIP sont des structures périodiques à une, deux ou trois directions de
périodicité (Figure I.2). Le contrôle de la propagation des ondes électromagnétiques est
la principale propriété de ces matériaux. La conception des structures unidimensionnelles
est la plus simple. Cependant, ce type de réseau appelé aussi miroir de Bragg présente
l’inconvénient de la dépendance très sensible à l’angle d’incidence de l’onde. Afin d’obte-
5
Fig. I.1 – Schéma explicatif de la technique utilisée pour la réalisation du premier cristal pho-
tonique : la Yablonovite [Yab93].
nir un contrôle de la bande interdite dans toutes les directions de l’espace, la périodicité
de la structure doit être étendue à deux voire à trois dimensions. La réalisation des BIP
tridimensionnels comme la Yablonovite n’étant pas très pratique, les cristaux photoniques
bidimensionnels sont alors les plus utilisés. Dans ces dernières structures, les bandes in-
terdites n’existent que dans le plan du matériau. De plus, elle dépend fortement de la
polarisation et du contraste d’indice et des paramètres géométriques du réseau.
Fig. I.2 – Exemples de structures périodiques unidimensionnelles (a), bidimensionnelles (b) et

tridimensionnelles (c)constituées d’un arrangement périodique de couches de matériaux à forte
permittivité diélectrique.
6
I.1.2 Application des BIP dans le domaine des micro-ondes et

des antennes
Très vite après l’introduction du concept par Yablonovitch, les chercheurs ont montré
un important intérêt pour ces matériaux et pour leurs applications dans le domaine des
antennes et des composants micro-ondes.
Des travaux tirant profit des propriétés des BIP ont alors vu le jour. Ainsi dans le
domaine des antennes on a réussi à réduire le niveau des lobes secondaires en évitant de
piéger le champ électromagnétique dans le plan de masse arrière de l’antenne [BPY93,
YAY97, Jaf05] (figure I.3).
Fig. I.3 – Un BIP entourant une antenne imprimée [YAY97].
Des filtres à bandes réjectées larges et profondes ont été réalisés par l’utilisation d’un
grand nombre de motifs [RPMk98, CZA98, KPAL00, LLe+ 00]. En effet, l’introduction
d’une impédance de surface importante au niveau du plan de masse grâce à ces matériaux
permet d’éliminer les ondes de surface et surtout de réduire le profil des antennes. De
plus, des recherches ayant pour but d’empêcher la propagation de l’onde quel que soit
l’angle d’incidence de l’onde excitatrice ont abouti à de nouvelles structures cristallines
artificielles [CZA98, KCMA00, PCM00, ALX+ 00, CI01, DdSG+ 01].
La rupture de la périodicité dans les BIP permet la transmission de l’onde dans la
bande interdite à une fréquence précise, fonction de cette rupture. Des travaux ont utilisé
ce principe pour réaliser des guides d’ondes et des filtres très sélectifs [ALX+ 00, LBVG99,
CMM03].
Enfin, des surfaces planes à bases de matériaux BIP ont été proposées afin d’améliorer
la directivité des antennes. Ainsi, en utilisant le principe des cavités de type Fabry-Pérot,
Thévenot et al, ont augmenté la directivité d’une antenne imprimée fonctionnant en bande
7
Fig. I.4 – Réponse dans le domaine temporel d’un filtre passe bande très sélectif à base de BIP
à la résonance (a) et en dehors de celle-ci (b)[CMM03].
X [TCRJ99]. Enoch et al, ont aussi utilisé ce type de surfaces. Ils ont réalisé un dipôle très
directif en l’insérant dans un matériau BIP d’indice faible devant celui de l’air [ETS+ 02].
8
I.2 Matériaux à Indice Négatif

Jusqu’à ce jour, on n’a jamais trouvé dans la nature des matériaux qui possèdent
simultanément une permittivité et une perméabilité négative, même si on peut retrou-
ver ces deux propriétés séparément. La permittivité réelle négative existe, par exemple,
dans le domaine de l’infrarouge pour certains métaux. Elle tend vers 1 lorsque la lon-
gueur d’onde devient de plus en plus petite. Un réseau de fils métalliques parallèles
présente une permittivité négative, mais dans le domaine des hyperfréquences [PHSY96].
Les matériaux possédant une perméabilité réelle négative sont courants dans le domaine
des hyperfréquences, puisque les ferrimagnétiques et les ferromagnétiques présentent ce
phénomène à la résonance gyromagnétique. Cependant, on peut également obtenir une
perméabilité de partie réelle négative grâce à des inclusions métalliques non magnétiques
résonantes désignées par « Split Ring Resonator » (SRR) en anglais [PRS99].
Dans cette partie, la genèse des métamatériaux à indice négatif est exposée en ex-
pliquant les raisons des différentes dénominations suggérées pour ces métamatériaux.
Les expériences et les applications potentielles relatives à ces métamatériaux sont aussi
présentées.
I.2.1 Genèse des matériaux à indice négatif

L’hypothèse de l’existence de matériaux présentant une permittivité et une perméabilité
négative simultanément n’a été évoquée qu’au début des années 60 par le physicien russe
Victor Veselago de l’institut de physique de Lebedev. En appliquant les équations de
Maxwell à de tels matériaux, il a pu conclure, dans un article qui date de 1964 [Ves64],
que ces matériaux avaient un indice de réfraction négatif. Cependant, à cause de l’in-
existence de ce genre de matériaux dans la nature, les travaux de Veselago n’ont pas
été poursuivis par les chercheurs dans les décades suivantes. En effet, il fallait disposer
d’un matériau homogène présentant une permittivité et une perméabilité de partie réelle
négative simultanément.
Les physiciens ne se sont intéressés, de nouveau, à ce genre de matériaux qu’à la suite
des deux articles de J. B. Pendry. En 1996, Pendry et ses collaborateurs ont remarqué
qu’un réseau de fils ayant des caractéristiques bien déterminées peut avoir la même réponse
qu’un plasma neutre sans collisions. Trois années plus tard, ils proposent différents types
de réseaux composés de résonateurs à anneaux fendus (Split Ring Resonator : SRR) et
montrent qu’ils peuvent avoir des réponses similaires à celles des matériaux magnétiques,
et particulièrement, qu’ils peuvent avoir une perméabilité négative dans des domaines de
fréquences bien définis [PHSY96, PRS99].
En associant les deux structures de Pendry, les chercheurs ont alors espéré réaliser
9
le métamatériau répondant à l’hypothèse faite par Veselago trois décades plutôt. D. R.

Smith, et al, de l’Université de Californie à San Diago (UCSD) ont ainsi réalisé un premier
prototype. Ils ont proposé une structure alternant des SRRs en cuivre en formes de C et
des fils conducteurs réalisés par lithographie sur le substrat [SPV+ 00, WSG+ 01, SSNNS01,
SS02] comme le montre la figure I.5.a. Ils réalisent ensuite un matériau plus compact sur
circuit imprimé [SSS01] (figure I.5.b).
Fig. I.5 – Le premier prototype de matériau à indice négatif à base de résonateurs à anneaux
fendus en formes de C (Split Ring Resonator SRR) et de réseau de fils conducteurs proposé par
le groupe de Smith à l’Université de Californie, San Diago (UCSD) [WSG+ 01] ; b) le matériau
à indice négatif plus compact proposé par le même groupe [SSS01].
La permittivité d’un réseau de fils métalliques est négative aux basses fréquences sur
une large bande (typiquement quelques GHz). L’onde électromagnétique est alors réfléchie
par le réseau. Lorsque la fréquence augmente, la permittivité du réseau de fils tend vers 1
et le réseau devient transparent à l’onde. La perméabilité artificielle d’un réseau de SRRs
est résonante. Lorsque la partie réelle de la perméabilité est négative, l’onde qui traverse
le réseau de SRRs est fortement atténuée. Néanmoins, le groupe de Smith a démontré
qu’une bande de transmission se crée dans la bande interdite lorsqu’on associe les deux
réseaux. Dans cette bande, le matériau artificiel satisfait parfaitement l’hypothèse de
Veselago [SSS01]. Pour le démontrer, ce groupe de chercheurs a dû monter une expérience
très élégante décrite par la figure I.6.
Depuis, cette nouvelle forme de réponse électromagnétique ne cesse d’attirer l’attention
des chercheurs dans le domaine scientifique universitaire et industriel. D’ailleurs, un grand
projet organisé par l’agence des recherches avancées de l’armée américaine (US Defense
Advanced Research and Projects Agency : DARPA) et dirigé par Claudio Parazzoli a été
lancé et a permis de retrouver un indice négatif pour des structures de formes différentes
de celles du groupe de Smith [LMG+ 03, GCLT03, PGL+ 03].
10
Fig. I.6 – l’expérience proposée par Shelby et ses collègues pour montrer l’existence des
matériaux à indice négatif [SSS01].
Aujourd’hui, plus d’une centaine de groupes de recherches dans le monde travaillent

sur les métamatériaux. George Eleftheriades et Anthony Grbic de l’université de Toronto
ont montré que l’on n’est pas obligé de compter sur les structures résonantes de l’USCD
et celles de la DARPA. Ils proposent des matériaux à indice négatif à base de lignes de
transmissions bidimensionnelles [GE02, GE03a, GE03c, GE03d, GE03b]. Ces structures
sont moins limitées en largueur de bande que les résonateurs à anneaux fendus.
En se déplaçant du domaine des micro-ondes à celui du visible et du proche infrarouge,
Vladimir Shalaev et Andrey Sarychev de l’université de Perdue avec Victor Podolsky de
l’université de Princeton ont proposé une structure à base de nanotubes pour réaliser des
matériaux à indice négatif [PSS02]. Leurs simulations ont montré qu’on peut créer des
modes de résonances plasmons autour de ces dipôles (les nanotubes) arrangés par paires
parallèlement comme le décrit la figure I.7. Les courants induits dans les paires de dipôles,
ainsi arrangés, contribuent aux conditions de résonance qui permettent d’obtenir l’indice
négatif. En effet, chaque paire de nanotubes constitue un circuit grâce au fort déplacement
du courant au bout des dipôles. Ce courant est fort dans le domaine des ondes optiques
mais très faible dans celui des micro-ondes. Shalaev et ses collaborateurs pensent que ces
travaux démontrent bien la possibilité de réaliser des matériaux à indice négatif dans le
domaine du visible et proche infrarouge.
Les SRRs associés aux grilles métalliques ont permis de réaliser des matériaux à indice
négatif fonctionnant dans deux directions orthogonales dans le domaine des micro-ondes.
Un groupe suisse du Laboratory for Electromagnetic fields and Microwave Electronics
pense qu’il est possible de réaliser un matériau à indice négatif qui aura un comportement
indépendant de la direction de l’onde incidente. Olivier Martin et ses collègues ont même
11
Fig. I.7 – Schéma du réseau de nanotubes proposé par Podolsky et ses collaborateurs [PSS02].
proposé une structure en 3-D, présentée par la figure I.8, qui permettent de produire un
métamatériau se comportant de la même manière dans les trois directions de l’espace
[BM02].
Fig. I.8 – La cellule élémentaire proposée par Olivier Martin et ces collègues pour la réalisation
d’un matériau à indice négatif indépendant de la direction de l’onde incidente [BM02].
I.2.2 Différentes dénominations

Après que Smith, Parazzoli et bien d’autres aient déterminé l’existence de matériaux
vérifiant l’hypothèse de Veselago, les scientifiques ont essayé de trouver un nom pour
ces matériaux artificiels. Comme ces structures ont montré un comportement inhabituel,
différent de celui des matériaux trouvés dans la nature, les chercheurs les ont nommés
“métamatériaux” du grec meta : “au dela”. D’autres chercheurs les ont plutôt désignés
par “matériaux à main gauche” (Left Handed Materials : LHM). Cependant, beaucoup
12
de chercheurs préfèrent éviter cette appellation car elle a déjà été utilisée pour désigner
les métamatériaux chiraux [Rey03] pour des raisons de symétries. Sergei Tretyakov et ses
collaborateurs ont plutôt proposé « backward wave materials » car le sens de la vitesse de
phase est inversé par rapport à celui de la vitesse du groupe de façon à ce que l’onde parait
se propager “en marche arrière” [TNM02, Tre01]. Quant à Smith, il préfère garder le nom
matériaux à indice de réfraction négatif (Materials with Negative Refractive Index) abrégé
par MNR, proposé par le pionnier de ces matériaux : Veselago. D’autres chercheurs ont
opté pour le même nom mais en utilisant l’abréviation NRI comme « Negative Refraction
Index materials » en anglais, comme George V. Eleftheriades et son groupe [GE02] et le
physicien P. M. Valanju et ses collègues [VWV02].
I.2.3 Expériences et applications potentielles
Pour les supporteurs des matériaux à indice négatif, ces métamatériaux ne forment
pas uniquement un sujet qui attire leur curiosité mais plutôt un domaine très prometteur
pour les applications. D’après Smith, un matériau qui focalise les ondes alors que tous les
autres le dispersent ne peut qu’être bénéfique pour améliorer les délais de transmission
dans les lignes, les coupleurs, les duplexeurs, les antennes et les filtres. Pendry a proposé
la réalisation de lentilles focalisant les ondes à base des matériaux à indice négatif [Pen00].
Il a même expliqué que ces métamatériaux peuvent constituer des lentilles parfaites puis-
qu’ils focalisent toutes les composantes fréquentielles des images. Bien que des résultats
de simulations, réalisés sous certaines conditions et publiés par Pendry, étaient conformes
aux phénomène annoncé, Nicolas Garcia et Manuel Nieto-Vesperinas de la Consejo Su-
perior de Investigaciones Cientificas, en Espagne, ont montré que les lentilles à base de
métamatériaux ne sont pas aussi parfaites que prévu [GNV02, ME04]. Ils ont argumenté
leur point de vue en expliquant qu’une absorption de l’onde incidente est inévitable et
que même une légère absorption pourrait dégrader l’amplification des ondes évanescentes
et compromettre la performance souhaitée. Ils ont ajouté qu’une lentille parfaite n’est
réalisable qu’à partir d’une quantité infinie d’énergie. Pendry a répondu en affirmant
qu’aucune lentille ne peut égaler celles à base de matériaux à indice négatif et que même
si l’absorption a un effet sur la résolution, de meilleures lentilles très perfectionnées se-
ront toujours réalisables. Stefan Enoch et al., ont eux aussi conçu une lentille à base de
matériaux à bande interdite électromagnétique permettant de focaliser l’énergie dans une
seule direction [ETG03]. Cependant, Maystre et Tretyakov pensent qu’il ne s’agit pas de
vraies lentilles car elles n’ont pas de distances focales : elles ne focalisent pas les ondes
venant de l’infini. En effet, il faut que la source soit très près de la lentille pour coupler
les ondes évanescentes. D. Maystre a même affirmé qu’un milieu ayant une perméabilité
13
et une permittivité égale simultanément à −1 est irréalisable mais qu’on pouvait s’en
approcher de très prêt pour pouvoir réaliser ce type de lentilles.
Tatsuo Itoh et al., de l’université de Californie, ont démontré la possibilité de réaliser
un coupleur très compact permettant les ondes rétrogrades, ou « backward waves » en
anglais, basé sur des lignes de transmission à indice négatif en microstrip [CSI03]. L’uti-
lisation des lignes à indice négatif a permis d’avoir un couplage très proche de celui d’un
coupleur parfait (0 dB) comme le montrent les résultats publiés par le groupe de Itoh
présentés par la figure suivante.
Fig. I.9 – Résultats de mesures publiés par le groupe de Itoh pour le coupleur à base de lignes
de transmission à indice négatif [CSI03].
Eleftheriades, quant à lui, croit que des structures plus isotropes, réalisées par son
groupe, permettront de fonctionner sur une plus large bande. Ces structures, tout en étant
planaires, peuvent supporter la propagation bidimensionnelle des ondes et donc peuvent
être bénéfiques pour la réalisation des circuits micro-ondes. En particulier, ces matériaux
pourraient réaliser des circuits plus compacts capable de focaliser les ondes et d’améliorer
certains composants comme les filtres et les antennes. D’ailleurs, Eleftheriades et al.,
ont réussi à produire un prototype d’antenne à base de matériaux à indice de réfraction
négatif, présenté dans la figure I.10, fonctionnant entre 1 et 2 GHz, et ont constaté en le
testant l’existence d’un indice négatif dans la bande comprise entre 1,3 et 1, 9 GHz. Ils
ont par la suite implémenté une antenne planaire à 15 GHz et ont réussi à réaliser un
balayage angulaire de l’espace en fonction de la fréquence de l’onde émise par l’antenne.
Shalaev lui, affirme que le meilleur avenir pour ces matériaux sera dans le domaine
optique. Ainsi après avoir démontré que les matériaux à main gauche permettent de
14
Fig. I.10 – Prototype d’une ligne à indice négatif à une dimension proposé et réalisé par le
groupe de Eleftheriades [GE02].
diminuer la taille des composants, il envisage de réaliser de nouveaux types de fibres passe-
bande, des modulateurs, des antennes et bien d’autres composants fonctionnant dans
ce domaine de fréquences. Les antennes nanoscopiques, par exemple, pourraient devenir
plus sensibles de manière à détecter et distinguer les molécules des agents chimiques ou
biologiques. Ces matériaux peuvent ainsi améliorer d’une manière importante l’imagerie
biomédicale et la nanolithographie.
15
I.3 Les Surfaces à Haute Impédance

La première version de surface à haute impédance est constituée par les surfaces cor-
ruguées, “corrugated surfaces” en anglais. Celles-ci sont des structures unidimensionnelles,
comme le montre la figure I.11. Les ondes ayant des longueurs d’onde égales à quatre fois
la profondeur des plaques métalliques formant la structure ne peuvent pas se propager le
long de sa surface. En effet, le court-circuit en bas de la structure est vu comme un circuit
ouvert quand on se met à une distance égale au quart d’onde. Par conséquent, les plaques
métalliques paraissent infinies et l’onde ne peut pas se propager.
Fig. I.11 – Surface corruguée (corrugated surface) [Sie99].
Les substrats à hautes impédances sont l’extension des surfaces corruguées en deux
dimensions. Ils sont des structures périodiques bidimensionnelles. Les premières structures
ont été proposées par Sievenpiper et al en 2000 [Sie99]. Elles sont construites à partir d’une
reproduction périodique de cellules en forme de punaise, mushroom en anglais. La figure
I.12 présente un exemple de substrats à hautes impédances. Il s’agit d’un réseau de pavés
métalliques déposés sur un substrat diélectrique et connectés à un plan de masse par des
vias métalliques.
I.3.1 Caractéristiques des surfaces à haute impédance

Les surfaces à haute impédance possèdent deux caractéristiques très importantes. La
première est le fait qu’elles peuvent présenter une très haute impédance aux ondes in-
cidentes. Dans le cas des réflecteurs métalliques classiques, la phase du coefficient de
réflexion est égale à 180 degrés. Cette valeur est due à l’annulation du champ électrique à
16
I.3 Les Surfaces à Haute Impédance
Fig. I.12 – Surface à haute impédance réalisée à partir d’un réseau carré de pavés reliés à la
masse par des vias métalliques (mushroom) [Sie99].
la surface. Dans le cas des surfaces à haute impédance, la phase du coefficient de réflexion
est nulle à la fréquence de résonance. La deuxième caractéristique correspond à la sup-
pression des ondes de surface. Ceci peut être caractérisé par deux méthodes : en calculant
numériquement le diagramme de bande ou en excitant expérimentalement la structure
par des ondes TE et TM.
I.3.2 Applications des surfaces à haute impédance

Les caractéristiques des surfaces à haute impédance décrites dans le paragraphe précédent
sont très intéressantes pour l’amélioration du fonctionnement des antennes. En effet, il
est possible de coller l’antenne au plan de masse quand ce dernier présente une surface à
haute impédance : il n’est pas nécessaire de se mettre à une distance d’un quart de lon-
gueur d’onde comme dans le cas des réflecteurs métalliques. Il est donc possible d’utiliser
ces structures dans des circuits très compacts. La suppression des ondes de surfaces per-
met d’éviter de voir les ondes piégées le long de la surface et par la suite permet d’éviter
les ondulations et d’augmenter la directivité de l’antenne. Par conséquent, elle est utile
pour réduire le couplage entre les antennes. S. Rogers et al., ont réduit le couplage entre
antennes et ont réussi à avoir une isolation d’environ 45 dB pour une antenne « bluetooth
» dans la bande ISM (2,4 GHz) [RMM03]. Victor C. Sanchez et al., ont essayé même de
contrôler le rayonnement d’une antenne en modifiant les caractéristiques de la surface à
haute impédance sur laquelle ils l’ont implantée [SMD01].
17
L’interaction entre l’antenne et l’utilisateur a toujours été un sujet de discussion puis-

qu’elle concerne sa santé. Les surfaces à haute impédance permettant la suppression des
ondes de surface, forment une solution très efficace pour réduire cette interaction comme
l’ont montré les mesures de William E. McKinzie et al. [MF02]. Enfin, les surfaces à haute
impédance peuvent représenter une solution pour la réalisation des GPS à haute précision.
En effet, ces surfaces empêchent l’antenne d’exciter les ondes de surface ce qui permet de
garder à un niveau très faible les ondes rétrogrades (backward radiated field) et par la
suite la connaissance précise de la phase du signal [Poi03].
I.3.3 Applications des surfaces à haute impédance

Une étude faite par Vardaxoglou et al. [FGV05], en 2004, a montré que des structures
périodiques planaires peuvent présenter une haute impédance pour les ondes en incidence
normale. Ces structures permettent d’assurer une deux propriétés caractéristiques des
surfaces à haute impédance. En effet, les structures proposées ne contiennent pas de via
de mise à la masse et présentent une phase qui s’annule à la résonance de l’impédance.
Elles se comportent ainsi comme des Conducteurs Magnétiques Artificiels (CMA) en
incidence normale. Ces surfaces ont été utilisées par la suite pour la réalisation de cavités
très directives et plus compactes que les antennes directives traditionnelles.
18
Conclusion
Conclusion
Ce chapitre rappelle brièvement l’état de l’art des matériaux à bandes interdites pho-
toniques et des métamatériaux périodiques. L’historique des BIP et des deux grandes
familles de métamatériaux et leurs propriétés ont alors été présentées. Ces matériaux
artificiels ont permis aux chercheurs de remplacer des systèmes très contraignants par
des structures simples et faciles à réaliser. De plus, ils ont apporté des innovations dans
plusieurs domaines de l’électromagnétisme et des télécommunications.
Les matériaux BIP ont été les premiers à intéresser les chercheurs qui continuent à
démontrer leurs avantages pour différentes applications. Ils permettent d’introduire des
conditions de résonances dans les mécanismes de propagations des ondes électromagnétiques.
Une succession de bandes interdites et permises apparaı̂t ainsi dans le diagramme de
bande. Ce dernier phénomène a été fortement utilisé pour la conception des antennes à
résonateurs BIP.
Depuis la réalisation de matériaux à indice négative répondant à l’hypothèse de Vese-
lago, grâce à l’idée de Pendry, un grand nombre de chercheurs travaille dans ce domaine.
La majorité d’entre eux, comme Smith et Shalaev, leurs prévoient un avenir brillant.
D’intéressantes applications basées sur ces métamatériaux dans le domaine de l’optique
et des hyperfréquences ont été déjà proposées.
Enfin, l’effet positif très sensible de l’utilisation de surfaces à hautes impédances sur
le fonctionnement des antennes a poussé de nombreux chercheurs à approfondir leurs
recherches dans ce domaine. Des applications très pratiques concernant essentiellement
les antennes à haute directivité ont alors été développées.
19
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24
Chapitre II
Modélisation des matériaux à bandes

interdites photoniques et des
métamatériaux métallodiélectriques
périodiques
Sommaire
II.1 Modélisation des structures périodiques diélectriques . . . . 27
II.2 Modélisation des structures métallodiélectriques . . . . . . . 41
Conclusion . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 46
Bibliographie . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 47
L a génération des structures périodiques dans les matériaux optiques et micro-ondes

est une technique en pleine expansion, notamment à cause de leurs applications po-
tentielles très nombreuses. La recherche sur ce type de matériaux a aussi considérablement
évolué au cours de ces dernières années, tant au niveau fondamental qu’appliqué.
25
II Modélisation des matériaux BIP et des métamatériaux périodiques
Les réalisations de ces matériaux périodiques sont des structures de dimensions finies.
Cependant, la modélisation numérique permettant de déterminer les caractéristiques de
ces matériaux considère généralement ces structures comme ayant des dimensions infinies.
Dans ce chapitre, nous présentons les méthodes de modélisation des structures métallo-
diélectriques périodiques les plus utilisées actuellement. Nous parlerons alors des méthodes
de résolution dans le domaine temporel et fréquentiel.
Dans une première partie, nous présentons les méthodes numériques de modélisation
des structures périodiques diélectriques. La méthode des ondes planes et la méthode
des différences finies dans le domaine temporel permettant d’analyser les matériaux BIP
diélectriques sont décrites dans cette partie. Des résultats d’applications de ces méthodes
de modélisations sont aussi présentés.
Nous exposons dans une deuxième et dernière partie les méthodes numériques de
modélisation des structures périodiques métallodiélectriques les plus connues. Nous décrivons
alors particulièrement la méthode des éléments finis et la méthode des différences finies
dans le domaine temporel. Enfin, nous présentons quelques résultats de modélisations par
ces méthodes.
26
II.1 Modélisation des structures périodiques diélectriques
II.1 Modélisation des structures périodiques diélec-

triques
Les structures périodiques diélectriques sont essentiellement des matériaux à bandes
interdites photoniques formés de réseaux diélectriques. La principale caractéristique de ces
structures est leur aptitude à fonctionner comme un miroir en réfléchissant partiellement
ou totalement les ondes électromagnétiques dans une certaine bande de fréquences et
cela pour des incidences particulières selon les types de matériaux utilisés [LBB+ 03]. Ces
structures réfléchissent les ondes grâce à un phénomène d’interférence constructive entre
les différentes couches composant le matériau. Du fait de la stratification périodique, les
ondes interfèrent donc de manière constructive ou destructive selon la valeur du déphasage
qui dépend entre autre de la longueur d’onde et de l’angle d’incidence [Jaf05].
Deux approches peuvent être utilisées pour l’étude de ces structures : la modélisation
dans le domaine fréquentiel ou temporel. Les méthodes fréquentielles sont généralement les
plus appropriées pour étudier ce type de matériaux. Elles permettent d’obtenir (presque
instantanément dans le cas bidimensionnel) les structures de bandes et l’état des modes
simultanément. Les méthodes temporelles sont plus adaptées pour réaliser des simulations
qui impliquent une évolution des champs, tels que des calculs de transmission et de temps
de relaxation à la résonance. Mais elles peuvent aussi être utilisées pour calculer des
structures de bandes et pour retrouver des modes de résonance.
II.1.1 La méthode des ondes planes

La méthode des ondes planes (PWM : Plane Wave Method) est une méthode de
résolution dans le domaine fréquentiel des équations de Maxwell. Elle est basée sur la
décomposition en ondes planes du problème électromagnétique. Cette méthode est es-
sentiellement utilisée pour analyser les propriétés dispersives des matériaux à bandes
interdites photoniques. D’un point de vue général, un milieu de constante diélectrique
périodique ε(r) induit des modifications sur la propagation de l’onde électromagnétique.
La recherche des solutions harmoniques H(r, t) = H(r).ejωt et E(r, t) = E(r).ejωt au
système d’équations de Maxwell dans un milieu sans source et non absorbant aboutit à
deux équations d’ondes découplées pour le champ électrique (équation II.1) et magnétique
(équation II.2).
1 ω2
∇ × [∇ × E] = 2 E (II.1)
εr (x, y, z) c
1 ω2
∇×[ ∇ × H] = 2 H (II.2)
εr (x, y, z) c
27
L’équation d’onde dans un milieu sans perte est formellement analogue à l’équation
de Schrödinger décrivant la fonction d’onde d’un électron. La différence est la nature de
l’équation d’onde, vectorielle dans le cas des photons, scalaire dans le cas des électrons.
Dans les matériaux BIP diélectriques, l’information sur la périodicité est contenue
dans la fonction diélectrique, et on peut écrire pour tout vecteur R du réseau direct la
relation suivante :
εr (r + R) = εr (r) (II.3)
Compte tenu de la périodicité de la permittivité, l’équation d’onde se résout en décomposant

E(r) et H(r) en ondes planes : il s’agit de décomposer le problème en série de Fourier spa-
tiale car le milieu est périodique. La décomposition en série de Fourier impose la définition
d’une base de vecteurs orthogonaux aux vecteurs de bases qui portent la périodicité du
problème. Les vecteurs de base caractérisent le matériau et forment le réseau direct. A ce
dernier on fait correspondre un réseau réciproque formant la base de décomposition en
série de Fourier.
Le théorème de Block permet d’écrire la permittivité sous la forme suivante :
εr (r) = uk (r)eikr (II.4)
Dans cette dernière relation, eikr est une onde plane et uk est une fonction d’onde
dépendant du vecteur d’onde k appelée souvent par fonction de Block. Les champs
électromagnétiques sont décomposés de la même façon. Ceci permet de réduire l’équation
faisant apparaı̂tre E (ou H) à une équation aux valeurs propres qui peut être résolue
numériquement par les algorithmes éprouvés en physique du solide. Le principe ainsi que
le calcul détaillé pour différentes configurations sont détaillés dans [LBB+ 03].
Il existe plusieurs codes universitaires se basant sur la méthode des ondes planes
permettant de simuler les structures de bandes des matériaux BIP. Une implémentation
de cette méthode en langage Matlab (logiciel commercial) a été réalisée par Shangping Guo
du photonics Laboratory de la Old Dominion University en Virginie [GA03]. Le logiciel
MIT Photonic-Bands (MPB) est actuellement un des programmes les plus efficaces pour
le calcul des structures de bandes par la méthode des ondes planes. Il a été développé
par Steven G. Johnson du Joannopolous Ab Initio Physics Group du département MIT
[JJ01]. Son application est consacrée à l’étude des cristaux photoniques possédant une
bande interdisant la propagation de la lumière à certaines longueurs d’onde optiques.
La méthode des ondes planes décrite ici est bien adaptée à l’étude des structures de
bandes des matériaux BIP infinis. Elle ne s’applique pas au calcul de la transmission des
matériaux BIP finis et elle est peu adaptée à l’étude des défauts de périodicité. D’autres
28
méthodes de résolution des équations de Maxwell dans le domaine temporel existent et

permettent de visualiser directement la propagation de l’onde dans ces matériaux.
II.1.2 La FDTD
La puissance et la capacité de mémoire des machines de calcul ne cessent de se
développer chaque année. Ceci a rendu possible la simulation des problèmes électromagnétiques
dans le domaine temporel. La méthode des Différences Finies dans le domaine temporel
(Finite Differences Time Domain FDTD) est sans doute la méthode numérique la plus
populaire et la plus répandue pour résoudre les équations de Maxwell instationnaires.
Cette approche très générale et très simple se prête en effet parfaitement bien à la simu-
lation de structures 3D sur de larges bandes de fréquences. Elle s’applique à tout genre
de structures métallodiélectriques mais le code peut être simplifié dans le cas des struc-
tures diélectriques. Dans cette thèse, nous utiliserons la FDTD pour le calcul de certains
diagrammes de bandes de structures à bandes interdites photoniques et de la phase à la
réflexion des surfaces à hautes impédances.
L’implémentation de la méthode FDTD est faite en utilisant la référence [Saa02]. Pour
l’obtention des diagrammes de bandes des matériaux BIP, le calcul est réalisé sur une seule
cellule. La périodicité de la structure est ensuite prise en compte par les conditions aux
limites. En effet, le champ électromagnétique doit satisfaire la condition de Block résumée
par les relations suivantes :
E(r) = e(r)eikr (II.5a)

H(r) = h(r)eikr (II.5b)
où e(r) et h(r) sont des fonctions périodiques. Cela implique les conditions aux limites
suivantes :
E(r + R) = E(r)eikR (II.6a)

H(r + R) = H(r)eikR (II.6b)
où R est le vecteur de maille du réseau.

L’implémentation des conditions aux limites périodiques a été réalisée en utilisant l’al-
gorithme proposé par [HMK94]. Il s’agit d’une génération d’une représentation déphasée
de la solution dans le domaine temporel en utilisant une combinaison de deux excitations :
en sinus et en cosinus. Ce type de conditions aux limites permet de réduire le domaine de
29
calcul à une seule cellule du réseau périodique afin de déterminer les modes de résonances
fondamentales.
Nous avons utilisé des conditions absorbantes de type UPML (Uniaxial Perfectly
Matched Layer) [Taf98] pour les simulations de calcul du coefficient de transmission
et de réflexion. Il s’agit d’une version modifiée et améliorée des conditions absorbantes
développées par Berenger en 1994 qui permet d’augmenter l’absorption des ondes évanescentes.
La FDTD présente une facilité d’implémentation par rapport aux méthodes de résolution
dans le domaine fréquentiel. Les coefficients de transmission et de réflexion peuvent être
déterminés par cette méthode pour une large bande de fréquence en une seule simulation.
De plus, la FDTD permet aussi d’extraire tous les modes de résonances d’une structure
pour un vecteur d’onde donné. Cependant, cette méthode peut demander un temps de
calcul énorme lors du calcul des structures de bandes. De plus, un énorme espace de sto-
ckage et un post-traitement sont pratiquement indispensables pour toutes les simulations.
Enfin, un dernier inconvénient de cette méthode est le risque de ne pas pouvoir exciter
tous les modes de la structure et donc de ne pas pouvoir extraire toutes les résonances. Une
distribution initiale du champ électromagnétique qui satisfait les conditions de périodicité
de Block et dont la projection sur les modes de la structure est non nulle peut être une
solution à ce dernier problème [Qiu00].
II.1.3 Modélisation d’un cristal photonique diélectrique bidi-

mensionnel en micro-onde
Nous présentons dans cette partie les résultats de modélisation d’un cristal photonique
bidimensionnel diélectrique. Ces résultats ont été réalisés dans le cadre du projet RNRT
BIP pour l’étude théorique et expérimentale de nouveaux matériaux à bandes photoniques
interdites et certains d’entre eux ont été déjà publiés dans la thèse de S. Massaoudi
[Mas05].
Le cristal photonique bidimensionnel BIP étudié est constitué d’un réseau carré de
tiges de nylon dans l’air (figure II.1). Le nylon est un matériau assez rigide de faible coût
qui peut être très intéressant pour certaines réalisations dont la permittivité ε ' 3, 5
aux alentours de 10 GHz. Les tiges sont de diamètre d = 5 mm et le réseau est de
pas a = 7 mm. Ces paramètres géométriques du cristal photonique ont été choisis afin
d’obtenir une bande interdite mesurable entre 7 GHz et 16 GHz.
30
Fig. II.1 – La structure photonique diélectrique bidimensionnelle étudiée.
II.1.3.1 Zones de Brillouin et diagramme de bandes
La première zone de Brillouin est la cellule élémentaire de l’espace réciproque où les
points sont plus proches de l’origine que tous les autres nœuds du réseau périodique
[LBB+ 03]. Pour chaque valeur du vecteur d’onde k de la première zone de Brillouin, la
diagonalisation donne une série de fréquences propres ωn . Les couples ωn (k) correspondent
aux modes propres du système et leur représentation dans la première zone de Brillouin
permet de définir les courbes de dispersion de la structure.
Le diagramme de bande vient synthétiser l’ensemble des diagrammes de dispersion
ωn (k) du matériau BIP que l’on peut calculer par les méthodes analytiques et numériques.
Il représente la densité d’états d’une structure à bande interdite photonique en illustrant
les modes permis en fonction des points de symétrie de la zone de Brillouin. La complexité
du diagramme dépend alors de la dimension du matériau considéré. L’avantage du dia-
gramme de bande par rapport au diagramme de transmission, c’est qu’il nous permet de
voir les modes de Bloch dans le cristal photonique et de localiser les bandes interdites et
permises dans toutes les directions de l’espace.
La figure II.2 présente la structure de bandes en polarisation TM du cristal photonique
diélectrique bidimensionnel proposé. Il s’agit de la polarisation où le champ électrique de
l’onde incidente est parallèle aux tiges diélectriques. Les modes ont été calculés par les
deux méthodes présentées précédemment : le code de Guo a été utilisé pour le calcul par
la méthode des ondes planes [GA03] alors qu’un code développé sur Matlab a été utilisé
pour le calcul par la FDTD (2D). On constate sur ce diagramme de bandes l’existence
de bandes interdites partielles selon les directions ΓX et ΓM. En réalité, une bande
interdite totale de l’ordre de quelques dizaines de M Hz existe même si elle n’apparaı̂t pas
clairement sur le diagramme. L’augmentation de la permittivité des tiges diélectriques
permet d’améliorer le contraste d’indice et d’élargir par conséquent la bande interdite
totale.
31
Fig. II.2 – Diagramme de bandes en polarisation TM, calculé par la méthode des ondes planes
[GA03] et par la FDTD, du cristal photonique bidimensionnel constitué d’un réseau carré de
tiges cylindriques diélectriques (de permittivité ε = 3, 5) dans de l’air de pas a = 7 mm et de
rayon r = 2, 5 mm.
La structure de bandes en polarisation TE du cristal photonique diélectrique bidi-

mensionnel proposé est présentée sur la figure II.3. Pour cette polarisation le champ
magnétique de l’onde incidente est parallèle aux tiges diélectriques. Une seule bande in-
terdite partielle selon la direction ΓX apparaı̂t sur le diagramme dans cette configuration.
Fig. II.3 – Diagramme de bandes en polarisation TE, calculé par la méthode des ondes planes
[GA03] et par la FDTD, du cristal photonique bidimensionnel constitué d’un réseau carré de
tiges cylindriques diélectriques (de permittivité ε = 3, 5) dans de l’air de pas a = 7 mm et de
rayon r = 2, 5 mm.
32
II.1.3.2 Surface de dispersion
Les structures BIP peuvent interdire la propagation d’onde à certaines fréquences pour
une direction donnée. A ces même fréquences, la propagation de l’onde peut être possible
dans une autre direction. Afin de déterminer la réponse du matériau à une onde incidente
pour une fréquence donnée, il est nécessaire de tracer la surface de dispersion du réseau
à cette fréquence.
Les surfaces de dispersion sont les courbes isofréquences déterminées grâce à la relation
de dispersion dans le matériau. Dans un cristal photonique, ces surfaces sont généralement
en forme d’ellipsoı̈de ou d’étoile. Elles permettent de déterminer les différentes directions
de propagation pour un même vecteur d’onde incident par rapport aux directions de
propagation obtenues dans le cristal massif.
La figure II.4 présente la surface de dispersion du premier mode TM de notre cristal
photonique bidimensionnel proposé, précédemment calculée par la méthode des ondes
planes. Une projection dans le plan des fréquences nulles correspondant à la courbe iso-
fréquence à 10 GHz de ce même mode ainsi que la courbe iso-fréquence dans le vide à cette
même fréquence sont aussi présentées sur la même figure. A cette fréquence, ces courbes
montrent que le cristal photonique se comporte comme un milieu homogène linéaire et
isotrope (L.H.I).
Fig. II.4 – Surface de dispersion 3D du premier mode TM du cristal photonique bidimensionnel

et courbe iso-fréquence à 10 GHz calculées par la méthode des ondes planes. La courbe en semi-
pointillés noirs correspond à la courbe iso-fréquence dans le vide à cette même fréquence.
33
La figure II.5 présente des courbes iso-fréquence à différentes fréquences et illustre la

méthode pour déterminer la direction de propagation des ondes dans le cristal (figure II.5.a
et c). Sur cette figure, l’interface du cristal photonique est parallèle à la direction ΓX. Les
vecteurs d’ondes de propagation sont obtenus par la conservation des moments. Celle-ci
représente la condition de continuité des composantes tangentielles entre le vecteur d’onde
incidente se propageant dans le vide k0 et le vecteur d’onde de propagation dans le cristal
kc . Les directions de propagations de l’énergie sont ensuite déterminées en considérant la
normale à la courbe iso-fréquence à l’extrémité du vecteur d’onde de propagation.
Fig. II.5 – Courbes iso-fréquence en mode TM dans le cristal photonique bidimensionnel et

dans le vide (semi-pointillés noirs) à 10 (a), 15 (b), 20 (c) et 25 GHz (d) et condition de
continuité des composantes tangentielles entre un exemple de vecteur d’onde incidente k0 et le
vecteur d’onde de propagation kc correspondant(a et c).
Ces dernières représentations montrent que l’anisotropie dans le matériau dépend

de la fréquence. Elles mettent en évidence les propriétés de dispersion et d’anisotropie
électromagnétique des cristaux photoniques. Enfin, les mêmes résultats auraient pu être
calculés par la FDTD. Cependant, le calcul dans ce cas sera beaucoup plus lourd même
si la méthode de balayage de la zone de Brillouin reste la même que dans le cas des ondes
34
planes.
II.1.3.3 Distribution du champ électromagnétique
La distribution du champ électromagnétique nous renseigne sur les caractéristiques

des modes et l’origine des éventuelles bandes interdites. La méthode des ondes planes
permet de retrouver directement la cartographie des champs. Dans le cas de la FDTD,
une transformée de Fourier est indispensable. De plus, deux simulations sont généralement
nécessaires dans ce cas : une première simulation permet de déterminer les fréquences
propres des modes et une deuxième simulation à la fréquence du mode désiré permet
de déduire la distribution du champ de ce dernier. Cependant, quand le domaine de
simulation n’est pas très grand on peut retrouver la cartographie des champs en une seule
simulation suivie d’une transformée de Fourrier. On doit dans ce cas procéder au stockage
de l’évolution du champ en tout point du domaine de simulation.
La figure II.6 présente la distribution de l’énergie électrique des modes au point X cal-
culée par la méthode des ondes planes et par la FDTD. Pour ce dernier cas de calcul nous
avons procédé à un enregistrement du champ en tout point du domaine de la simulation,
avec conditions aux limites périodiques, et à une transformée de Fourrier rapide (FFT :
Fast Fourier Transform) à la suite sur Matlab.
Lorsqu’on regarde la distribution de l’énergie électrique pour les différents modes, on
remarque que pour la première bande celle-ci se concentre dans les tiges diélectriques afin
de minimiser la fréquence du mode [JJ01]. La distribution des autres bandes présente des
nœuds dans les tiges diélectriques afin de conserver l’orthogonalité des modes. D’ailleurs, la
distribution devient de plus en plus compliquée dans les bandes supérieures pour respecter
cette orthogonalité.
II.1.4 Modélisation d’un cristal photonique pour les télécom-

munications à 1, 5 µm pour émissions laser
Nous présentons dans cette partie l’étude d’un cristal photonique bidimensionnel
constitué d’un réseau triangulaire de trous perforés dans une structure hétérogène In-
GaAsP/InP [LdLO+ 06]. La structure a été réalisée dans le but d’étudier l’effet “super-
prism” dans les bandes supérieures des cristaux photoniques planaires à base de semicon-
ducteurs dans le cadre du projet RNRT CRISTEL.
La figure II.7 présente le cristal photonique étudié observé par microscopie optique.
Le pas du réseau est a = 672 nm. Le diamètre des trous est d = 334 nm. La permittivité
du diélectrique est de l’ordre de 13. Un guide d’onde est utilisé en pratique pour injecter
la lumière dans le cristal photonique avec un angle d’incidence de 8 degrés par rapport
35
Fig. II.6 – Distribution de l’énergie électrique des modes calculée par la FDTD et par la méthode
des ondes planes [JJ01] au point X sur une cellule du réseau carré.
à la direction ΓK du cristal. Le signal est ensuite recueilli à la sortie grâce à des guides
d’ondes dont la séparation définit la résolution angulaire.
La figure II.8 présente le diagramme de bande en polarisation TM du cristal photo-
nique calculé par la méthode des ondes planes [JJ01]. Entre la quatrième et la sixième
bande, deux phénomènes de réfraction ont été observés expérimentalement. Un premier
phénomène est dû à la dépendance entre la longueur d’onde et l’angle de dispersion. Le
deuxième concerne la variation brusque de l’angle de dispersion lorsque la longueur d’onde
varie. La modélisation numérique a été utilisée dans le but d’expliquer ces phénomènes.
36
Fig. II.7 – Le cristal photonique et le guide d’onde de 2 µ de largeur observés par microscopie
optique [LdLO+ 06].
Fig. II.8 – Diagramme de bande en polarisation TM du réseau triangulaire étudié calculé par
la méthode des ondes planes [JJ01].
37
a
Des courbes isofréquences pour λ
= 0, 415 , 0, 435 , 0, 46 et 0, 49 sont présentées sur
la figure II.9. Elles concernent la cinquième et la sixième bande. Il s’agit d’un traitement
numérique réalisé sur Matlab utilisant le calcul par la méthode des ondes planes [JJ01].
Grâce à ces courbes, les directions de propagation de l’énergie retrouvées expérimentalement
ont pu être expliquées. En effet, en respectant les conditions de continuité des composantes
tangentielles entre les vecteurs d’onde et l’angle d’incidence de l’onde nous avons retrouvé
les directions de propagations mesurées en pratique [LdLO+ 06]. Ces courbes ont aussi
permis d’expliquer la dépendance entre la longueur d’onde et l’angle de dispersion et la
variation brusque de l’angle de dispersion dans certains domaines de fréquences.
38
Fig. II.9 – Courbes isofréquences concernant la cinquième et la sixième bande calculées par la
a
méthode des ondes planes [JJ01, LdLO+ 06] pour λ = 0, 415 , 0, 435 , 0, 46 et 0, 49. L’interface
du cristal photonique est représentée par un trait violet, le vecteur de l’onde incidente par une
flèche bleue et la direction de propagation par une flèche rouge. Des flèches en noir représentent
d’autres directions de diffraction de l’onde.
39
Enfin, on présente sur la figure II.10 une comparaison entre la distribution du champ
a
calculée par la méthode fréquentielle [JJ01] et celle calculée par la FDTD pour λ
= 0, 415.
Elle montre que le mode propagatif retrouvé par la FDTD est facilement identifiable à
celui calculé par la méthode des ondes planes à cette fréquence. Une légère inclinaison
des franges est due à l’angle d’incidence de 8◦ considéré uniquement dans la simulation
FDTD.
a
Fig. II.10 – Distribution du champ électrique calculée pour λ = 0, 415 par la méthode des
ondes planes [JJ01] dans la direction ΓK (a) et par la FDTD avec 8◦ d’angle d’incidence (b).
Le module nul est représenté par une couleur blanche dans le premier cas (a) et par une couleur
verte dans le deuxième (b).
40
II.2 Modélisation des structures métallodiélectriques
II.2 Modélisation des structures périodiques métal-

lodiélectriques
Les méthodes de volumes finis sont utilisées depuis longtemps pour la simulation
numérique en mécanique des fluides. Elles permettent d’approcher des solutions presque
nécessairement discontinues, tout en conservant de bonnes propriétés (précision, mono-
tonie...). Ces méthodes ont trouvé une seconde jeunesse avec leur application à l’électro-
magnétisme, notamment pour les cas hétérogènes, et les applications de la mécanique des
fluides où les domaines sont déformables.
La méthode des éléments finis FEM (Finite element method) et la méthode des
différences finies dans le domaine temporel (FDTD : Finite difference in time domain)
sont parmi les techniques numériques les plus utilisées en électromagnétisme pour la si-
mulation des structures métallodiélectriques. En effet, au regard des contraintes liées aux
inhomogénéités de la source et de la matière, elles constituent deux méthodes très adaptées
aux problèmes électromagnétiques.
II.2.1 La méthode des éléments finis

En analyse numérique, la méthode des éléments finis est utilisée pour résoudre numé-
riquement des équations aux dérivées partielles représentant souvent analytiquement le
comportement dynamique de certains systèmes physiques. En électromagnétisme, cette
méthode permet de résoudre les équations de Maxwell dans le domaine fréquentiel.
De manière générale, la méthode des éléments finis permet de résoudre de manière
discrète une équation aux dérivées partielles dont on cherche une solution approchée
suffisamment fiable. L’équation à résoudre porte sur une fonction définie sur un domaine
et comporte généralement des conditions aux limites permettant d’assurer l’existence et
l’unicité de la solution. La discrétisation passe par la définition d’un espace de fonction test
approprié, sur lequel la solution de la formulation de l’équation est exacte. Cela nécessite
la définition d’un maillage du domaine en fragments triangulaires : les éléments finis. On
obtient alors une formulation algébrique dite discrétisation du problème initial. On peut
alors construire une solution approchée à partir des valeurs trouvées aux sous-domaines.
En effet toute solution approchée est complètement déterminée par les valeurs aux nœuds
des éléments. Cependant, il est essentiel de trouver une estimation juste de l’erreur liée à
la discrétisation et montrer que la méthode converge, c’est à dire que l’erreur tend vers
zéro si la finesse du maillage tend, elle aussi, vers zéro.
Comme de nombreuses autres méthodes numériques, outre l’algorithme de résolution
en soi, se posent les questions de qualité de la discrétisation : existence de la solution,
41
unicité de la solution, stabilité, convergence, mesure d’erreur. . . Bien que théoriquement la

méthode permet de résoudre des problèmes de n’importe quelle dimension, techniquement
la complexité de création des maillage croı̂t avec la dimension. Pratiquement, on résout
rarement des problèmes de dimension supérieure à 3.
Nous avons largement utilisé cette méthode pour étudier nos structures métallo-
diélectriques. En effet, cette méthode permet d’avoir accès aux coefficients de réflexion
et de transmission des matériaux, à des cartes de champ et aux diagrammes de rayonne-
ments. Elle permet aussi de calculer les modes propres des structures métallodiélectriques
périodiques et donc leurs structures de bandes. Pour tout cela nous utilisons un logiciel
de simulation électromagnétique dans le domaine fréquentiel 3D nommé HFSS (High Fre-
quency Structure Simulator)[HFSS06]. Plusieurs modes de calculs existent sous HFSS. De
plus, un large choix de conditions aux limites et d’excitation est possible. Les inconvénients
majeurs de ce logiciel, sont les problèmes d’espace mémoire et de temps de calcul pour les
structures les plus complexes. Un autre inconvénient peut être l’algorithme de maillage
qui n’est pas toujours adapté au problème à résoudre. Mais les dernières versions de HFSS
commencent à proposer des solutions à ce problème.
II.2.2 La FDTD pour les structures métallodiélectriques
La méthode des différences finies que nous avons présentée précédemment permet aussi
de résoudre des problèmes électromagnétiques inhomogènes. Elle constitue un moyen de
simulation très simple à mettre en œuvre permettant de représenter des phénomènes phy-
siques très complexes sous forme de modèle. De plus, bien que la FDTD soit une méthode
numérique à valeurs réelles, il existe des techniques qui permettent de tenir compte des
valeurs complexes de la permittivité, perméabilité et conductivité des matériaux [Vid03].
Sa formulation peut donc tenir compte de tout genre de pertes dans les structures. Elle
constitue donc un bon candidat à la simulation des structures métallodiélectriques du fait
de sa simplicité et de sa robustesse.
Les conditions aux limites présentées précédemment dans le cas des matériaux diélec-
triques restent valables. Mais malheureusement les inconvénients de la méthode, en terme
de temps de calcul et espace mémoire, sont plus sensibles dans le cas de la simulation des
structures métallodiélectriques. De plus, à cause des erreurs de discrétisations accumulées,
la méthode diverge plus facilement et plus rapidement dans ce dernier cas.
42
II.2.3 Modélisation d’un cristal photonique métallique bidimen-

sionnel en micro-onde
Nous proposons l’étude d’un réseau carré infini de tiges métalliques présenté par la
figure II.11. Le pas du réseau est de 15 mm et les tiges cylindriques ont un rayon de 1 mm.
Les tiges sont entourées d’air (εr(air) = 1).
Fig. II.11 – La structure photonique métallique bidimensionnelle étudiée.
Les diagrammes de bandes d’un cristal photonique nous permettent une prédiction des
propriétés d’une structure finie à partir de la connaissance des propriétés d’une structure
infinie. La figure II.12 présente le diagramme de bande du matériau BIP métallique en
polarisation TM calculée par la méthode des éléments finis [HFSS06] et par la FDTD. Ce
diagramme montre également une bande interdite en dessous de 6, 54 GHz. Celle-ci est la
fréquence plasma : fréquence d’oscillation des électrons quand le BIP métallique est éclairé
par une onde incidente. La figure II.12 montre aussi une deuxième bande interdite mais
uniquement dans la direction ΓX de largeur 3, 2 GHz, située entre 10, 3 et 13, 5 GHz.
43
Fig. II.12 – Diagramme de bandes en polarisation TM calculé par la méthode des éléments finis
[HFSS06] (a) et par la FDTD (b) du cristal photonique bidimensionnel constitué d’un réseau
carré de tiges cylindriques en cuivre (de conductivité σ = 5, 8.107 S.m− 1) dans de l’air de pas
a = 15 mm et de rayon r = 1 mm.
44
La transformée de Fourrier nous permet de retrouver la distribution de l’énergie après

une simulation FDTD avec des conditions aux limites périodiques. La figure II.13 présente
le résultat obtenu pour les huit premiers modes calculés au point X sur une seule cellule.
On note ici qu’une assez longue simulation est indispensable pour pouvoir séparer les
modes 3, 4 et 5.
Naturellement, la distribution de l’énergie électrique pour les différents modes se
concentre autour de la tige métallique dont on voit clairement la forme apparaı̂tre dans le
deuxième mode. Cette distribution devient, comme dans le cas des BIP diélectriques, de
plus en plus compliquée dans les bandes supérieures afin de respecter l’orthogonalité des
modes. Des nœuds à l’extérieur des tiges se forment alors pour les modes les plus élevés.
Fig. II.13 – Distribution de l’énergie électrique des modes calculée par la FDTD au point X
sur une cellule du réseau carré.
45
Conclusion
Etant donné le vif intérêt suscité par les matériaux à bandes interdites photoniques
et des métamatériaux, des études se sont orientées sur la modélisation de ce type de
structures périodiques. La méthode des ondes planes était la première utilisée pour calculer
les structures de bande d’énergie des structures diélectriques. Cette technique de résolution
dans le domaine fréquentiel consiste à développer le champ électromagnétique sur une base
d’ondes planes. L’écriture des équations de Maxwell dans cette base conduit par la suite
à une équation aux valeurs propres dont la résolution permet d’obtenir les relations de
dispersion reliant la fréquence au vecteur d’onde. La méthode des différences finies dans le
domaine temporel (FDTD) a aussi eu beaucoup de succès pour la modélisation de ce type
de matériaux grâce à sa facilité d’implémentation. Cependant, elle est plus utilisée pour
le calcul des diagrammes de transmission et de réflexion que pour le calcul des structures
de bandes à cause de l’énorme temps de calcul et capacité en mémoire de stockage qu’elle
demande.
Les méthodes les plus utilisées pour la modélisation des structures métallodiélectriques
sont certainement la méthode des éléments finis et la FDTD. Leur intérêt est qu’elles sont
capables de prendre en compte des objets inhomogènes et des matériaux à pertes. Leur
problème est lié à la taille du maillage de l’espace. De multiples études ont été menées et
de nombreuses méthodes (Mur, Bérenger) permettent la réduction, sans perte sensible de
précision, de l’espace à discrétiser. En plus de ces deux méthodes de résolution numériques,
des recherches sont menées actuellement autour des méthodes “hybrides” qui cherchent à
combiner ces deux approches.
46
Bibliographie
Bibliographie
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[Vid03] D. Vidacic. Assessment of FDTD Model Parameters for lossy media. Thèse
de doctorat, (Master of Science Thesis), Novi Sad University, 2003.
47
Chapitre III
Surfaces à Haute Impédance et

Conducteurs Magnétiques Artificiels
Sommaire
III.1 Les Surfaces à Haute Impédance . . . . . . . . . . . . . . . . . 51
III.2 SHI à base de Conducteur Magnétique Artificiel planaire . . 61
III.3 SHI-CMA large bande . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 72
III.4 Surfaces Partiellement Réfléchissantes . . . . . . . . . . . . . . 74
Conclusion . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 80
Bibliographie . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 81
L es surfaces à haute impédance (SHI) sont des structures à motifs métalliques périodiques
imprimés sur un substrat diélectrique et reliés à la masse par des trous métallisés.
Elles possèdent des propriétés très intéressantes d’un point de vue électromagnétique, car
elles n’autorisent la propagation des ondes électromagnétiques le long de leur surface que
pour certaines bandes de fréquences. En d’autres termes, ces structures présentent une ou
plusieurs bandes interdites en fréquence, pour lesquelles la propagation des ondes de sur-
faces est interdite. Les surfaces à haute impédance appartiennent à la classe des structures
49
III Surfaces à Haute Impédance et Conducteurs Magnétiques Artificiels
à bande interdite électromagnétique (BIE) et des métamatériaux en général. Le terme de

haute impédance vient du fait que dans leurs bandes interdites, ces matériaux de type
composite se comportent comme des surfaces homogènes qui posséderaient une très haute
impédance.
Une autre propriété tout à fait intéressante, découlant de la haute impédance, est
qu’une onde incidente arrivant sur une telle surface se verra totalement réfléchie avec un
coefficient de réflexion r = 1. Ainsi contrairement à un plan de masse classique (pour lequel
r = -1), l’onde électromagnétique réfléchie ne serait pas déphasée de 180◦ par rapport à
l’onde incidente. Cette dernière propriété peut être assurée par ces mêmes surfaces sans
l’utilisation de trous métallisés. De telles surfaces représentent ce que nous appellerons les
SHI à base de Conducteurs Magnétiques Artificiels (SHI-CMA).
Dans ce chapitre nous nous intéressons à l’analyse et à l’étude de ces deux types de
surfaces. Nous faisons dans une première partie un rappel sur les théories utilisées pour
l’étude des surfaces à haute impédance. Une étude théorique et expérimentale des SHI-
CMA est détaillée par la suite. Enfin, la conception et l’analyse de surfaces partiellement
réfléchissantes à base de SHI-CMA sont présentées.
50
III.1 Les Surfaces à Haute Impédance
III.1 Les Surfaces à Haute Impédance (SHI)

Les surfaces à haute impédance (SHI) sont des structures périodiques métallodiélec-
triques. Elles sont généralement réalisées à partir d’un réseau de pavés métalliques déposés
sur un substrat diélectrique et connectés à un plan de masse par des trous métallisés. Les
surfaces à haute impédance ont été introduites par D. Sievenpiper et al. dans le but de
supprimer les ondes de surface d’antennes plaquées, et ainsi d’augmenter leur rendement.
Les SHIs présentent la propriété très importante de résonance de leur impédance de
surface. Cette résonance se traduit par le passage à zéro de la phase du coefficient de
réflexion. En effet, à la résonance, les ondes réfléchies par une SHI ne subissent aucun
déphasage. Les SHIs créent un courant en phase avec la source. Ces surfaces se comportent
donc comme des Conducteurs Magnétiques Artificiels (CMA). Cette caractéristique existe
tant que l’impédance de surface est supérieure à celle du vide (120π) [Sie99]. Dans ces
conditions, la phase du coefficient de réflexion de la SHI est comprise entre –90◦ et 90◦ .
En pratique, le comportement SHI et CMA est obtenu lorsque la phase est comprise entre
–45◦ et 45◦ . Une deuxième caractéristique importante d’une SHI est la suppression des
ondes de surfaces. Les SHIs ont été spécialement conçues pour la suppression du mode
TM0 dominant des antennes imprimées. En effet, elles présentent une bande interdite
pour les ondes se propageant latéralement en mode TM et TE. Dans cette même bande,
les ondes de surfaces sont alors totalement réfléchies.
III.1.1 Etude de l’impédance de surface des SHIs et de la phase

à la réflexion en incidence normale
III.1.1.1 Modèle quasi-statique de Sievenpiper
Une des principales grandeurs caractéristiques pour l’étude des SHIs est l’impédance
de surface. Sievenpiper a tiré ce modèle à partir de l’impédance d’un plan métallique à
perte donnée dans la relation III.1.
E 1+j
Zs = = (III.1)
H σδ
Dans cette relation, E et H sont respectivement le champ électrique et magnétique tangent
à la surface, s est la conductivité du métal et d est l’épaisseur de peau. Cette relation
devient différente pour les modes TM et TE quand on introduit des propriétés inductives
et/ou capacitives à la surface. Pour le mode TM, le champ électrique est perpendiculaire
à la SHI. L’impédance de surface s’écrit dans ce cas :
jα
Zs (T M ) = (III.2)
ωε
51
où r
ω ωα
α= (1 − j) (III.3)
c 2σ
En mode TE, le champ électrique est parallèle à la SHI. L’impédance de surface est
alors donnée dans ce dernier cas par la relation suivante.
−jωµ
Zs (T E) = (III.4)
α
Dans ces dernières relations ω est la pulsation, ε est la permittivité, µ est la perméabilité
et c est la vitesse de lumière dans le vide. Elles montrent que l’impédance de surface du
mode TM varie en fonction de la fréquence d’une manière différente de celle du mode TE.
On note aussi qu’une surface inductive, ayant une réactance positive, ne supporte que les
modes TM alors qu’une surface capacitive, ayant une réactance négative, ne supporte que
les modes TE.
La figure III.1.a présente une SHI proposée par Sievenpiper. Elle est constituée d’un
réseau carré de pavés rectangulaires mis à la masse par des vias métalliques. Le circuit
électrique L − C équivalent à de la cellule élémentaire de cette SHI est illustré dans la fi-
gure III.1.b. Dans ce modèle, l’inductance dépend essentiellement du substrat diélectrique.
Elle est donnée par la formule III.5. Dans cette relation, h est l’épaisseur du substrat, µ0
et µr sont respectivement la perméabilité du vide et la perméabilité relative du substrat
diélectrique.
L = µ0 µr h (III.5)
Fig. III.1 – a)Une surface à haute impédance à base d’un réseau périodique de pavés métalliques
déposés sur un substrat diélectrique reliés à la masse par des vias métallique (SHI de Sievenpi-
per) ; b) Modèle électrique équivalent d’une cellule élémentaire de la SHI.
52
La capacité équivalente est essentiellement due à l’espacement entre les pavés métalliques.
Elle est donnée par l’expression III.6 suivante :
bε0 (1 + εr ) a
C= Acosh( ) (III.6)
π g
où b est la largeur des pavés, a est le pas du réseau, g est la largeur du gap entre deux
pavés et εr est la permittivité du substrat diélectrique.
Ce modèle électrique conduit à l’impédance de surface donnée par l’expression III.7.
Cette relation permet de déduire la fréquence de résonance de l’impédance en fonction
des paramètres (L, C) du circuit électrique équivalent.
jωL
Zs = (III.7)
1 − ω 2 LC
A la résonance, la fréquence vérifie la relation III.8 produisant une impédance de
surface infinie. Celle-ci est directement imposée par les dimensions physiques de la SHI.
1
ω0 = √ (III.8)
LC
Enfin, on rappelle ici que le coefficient de réflexion R peut être par la suite déduit sous
la forme de la relation III.9. La phase de ce coefficient permet de décrire le comportement
d’une SHI et de déduire sa fréquence de résonance : celle-ci coı̈ncide avec le passage à zéro
de la phase du coefficient de réflexion.
Zs − 1
R= (III.9)
Zs + 1
III.1.1.2 Modèle dynamique pour les SHIs artificielles réactives
Simovski et al. [SS03, TS03], ont récemment proposé un modèle dynamique pour
l’étude des SHIs réactives. Il s’agit d’un modèle analytique assez simple qui tient compte
des interactions électromagnétiques dans les réseaux infinis. Ce modèle considère des struc-
tures en métal parfait et aboutit à l’expression de l’impédance de surface donnée par la
relation III.10. Dans cette relation η est l’impédance du vide et k représente le vecteur
d’onde dans le vide.
j √
Zimp √
εr
tan (k εr h)
Zs = = ka(εr +1) √ (III.10)
η 1− √ 2a
log ( πg ) tan (k εr h)
π εr
L’impédance est donc parfaitement réactive (et la partie réelle de cette impédance, la
résistance, est nulle). De plus, cette expression de l’impédance peut aussi se mettre sous
la forme III.7 proposée par Sievenpiper faisant apparaı̂tre les paramètres LC du circuit
√
électrique équivalent. Il suffit de remplacer tan (k εr h) par son argument dans le cas où
√
le terme k εr h serait petit et de multiplier l’impédance par l’impédance du vide η. Avec
53
la dernière approximation on aboutit aux expressions suivantes pour l’inductance et la

capacité équivalente.
L = µ0 h (III.11)
aε0 (1 + εr ) 2a
C= log( ) (III.12)
π πg
III.1.1.3 Estimation des paramètres du circuit électrique équivalent des SHIs
Une bonne évaluation des paramètres du circuit équivalent permet de retrouver la

réponse fréquentielle d’une SHI. Les relations données par Sievenpiper donnent une es-
timation assez acceptable de ces paramètres. Une conception grossière d’une SHI peut
alors être effectuée grâce à ce modèle. En réalité, l’erreur sur la fréquence de résonance
de l’impédance de surface dans ce cas est de l’ordre de 10% [TS03]. Les deux expressions
données par Simovski peuvent aussi être utilisées dans le modèle de Sievenpiper pour le
calcul de l’impédance mais l’erreur de précision sur la fréquence de résonance reste as-
sez élevée surtout pour les substrats ayant une épaisseur et une permittivité très grande.
Il est plus intéressant d’utiliser la relation III.10 directement pour avoir une meilleure
estimation [TS03].
Nous avons comparé les résultats donnés par ces trois dernières expressions analytiques
pour le calcul de la phase du coefficient de réflexion d’une SHI. Celle-ci est réalisée à
partir d’un réseau périodique carré de pavés métalliques reliés à la masse par des vias
métalliques. Elle a été étudiée par Sievenpiper dans la référence [SZB+ 99]. Nous avons
ajouté à ces résultats un calcul utilisant la relation de Simovski pour le calcul de la capacité
et l’expression de T. C. Edwards pour l’inductance des pavés [Edw81]. L’expression de
cette inductance est donnée par la relation suivante :
q
−12
L = 84, 72.10 (εef f )Zc (III.13)
où εef f est la permittivité effective et Zc l’impédance caractéristique de la ligne réalisée

par le pavé métallique.
Le réseau est illustré dans la figure III.1.a. Il est de pas a = 2.4 mm. Les pavés sont
espacés de 0, 15 mm et sont déposés sur un substrat de permittivité εr = 2, 2 et d’épaisseur
h = 1, 6 mm. Les vias métalliques ont un rayon de 0, 36 mm. La figure III.2.a présente la
variation de la phase à la réflexion calculée par les modèles analytiques. La comparaison
par rapport aux résultats de mesures rapportés dans la figure III.2.b montre que malgré
le léger décalage en fréquence, ces modèles permettent de faire une conception simple
et rapide des SHIs. On note aussi que le modèle dynamique aboutit à une erreur plus
faible sur la fréquence de résonance en comparaison avec le modèle de Sievenpiper en se
référant au résultat de mesures (figure III.2.b). Enfin, l’utilisation de l’expression de T.
54
C. Edwards pour l’évaluation de l’inductance réduit énormément l’erreur pour le modèle

quasi-statique.
Fig. III.2 – la variation de la phase à la réflexion de la SHI de Sievenpiper en fonction de la

fréquence calculée par des modèles analytiques (a) et les mesures expérimentales correspondantes
[Sie99](b).
III.1.2 Ondes de surface et ondes de fuite dans les SHIs

III.1.2.1 Modèle des milieux effectifs
Les équations de Maxwell associées aux conditions aux limites pour l’espace libre
entourant une SHI, permettent d’aboutir aux relations de dispersion III.14 et III.15 [Sie99],
respectivement pour le mode TM et TE. Les deux expressions font intervenir l’impédance
de surface calculée précédemment.
s
ω Z2
kT M = (1 − ) (III.14)
c η2
r
ω η2
kT E = (1 − 2 ) (III.15)
c Z
Le diagramme de bande présenté dans la figure III.3 a été tracé en utilisant ces deux
dernières relations pour l’exemple de SHI décrit dans le paragraphe III.1.1.3. Ce dia-
gramme type se limite aux ondes de surface et ne tient pas compte des ondes de fuite.
Il montre l’existence d’un mode TM pour les fréquences en dessous de la fréquence de
résonance. Ce mode suit le cône de lumière en basse fréquence et finit par tendre asympto-
tiquement vers la droite horizontale définie par la fréquence de résonance. En s’approchant
de cette fréquence, les ondes se propagent à la surface de la structure et la courbe s’éloigne
55
du cône de la lumière. Au-dessus de la fréquence de résonance, un mode TE apparaı̂t avec

une courbe très proche du cône de la lumière à son commencement. La courbe finit par
s’éloigner de celui-ci et la propagation devient de plus en plus surfacique.
En incluant les effets de rayonnement dues aux ondes de fuites à ce modèle des milieux
effectifs une région de haute impédance apparaı̂t au-dessus du cône de lumière. Cette par-
tie complétant la courbe du mode TE est obtenue en ajoutant une résistance équivalente
de rayonnement au modèle.
Fig. III.3 – Le diagramme de bande de la SHI de Sievenpiper donné par le modèle des milieux
effectifs [Sie99].
Ce calcul basé sur le modèle des milieux effectifs ne tient pas compte de la périodicité
de la structure. Ainsi, les points tracés pour de grandes valeurs du vecteur d’onde sont
théoriques. De plus, aucune bande interdite n’apparaı̂t dans ce diagramme alors que des
mesures et des simulations, qu’on présentera par la suite, montrent l’existence d’une telle
bande autour de la fréquence de résonance.
III.1.2.2 Modèle d’Eleftheriades : Analyse du réseau électrique périodique

par la théorie de Bloch
Grâce au schéma électrique équivalent à la cellule élémentaire d’une SHI illustré

précédemment dans la figure III.1.b, la surface totale peut être représentée par un réseau
de lignes de transmission L-C. La théorie de Bloch est alors applicable pour déterminer
la relation de dispersion d’une telle structure. En considérant une cellule élémentaire, des
conditions de périodicité de Bloch sont par la suite utilisées pour l’analyse du réseau infini
bidimensionnel.
56
Le schéma électrique équivalent d’une cellule élémentaire d’une SHI proposé par Elef-
theriades et al, est présenté dans la figure III.4. Il est basé sur les matrices de transmission
reliant les courants et les tensions d’entrée à ceux de la sortie. Ce schéma permet de tenir
compte des possibles anisotropies dans la structure.
Fig. III.4 – Le schéma électrique équivalent d’une cellule élémentaire d’une SHI proposé par
Eleftheriades [?].
Une étude détaillée utilisant la théorie de Bloch est présentée dans [GE03]. Elle permet
d’aboutir à la relation de dispersion III.16. Dans cette relation b = ω/Vϕ et Vϕ est la vitesse
de phase dans les lignes de transmission et d est le pas du réseau.
kx d ky d 1 βd 1 βd βd Z0 βd
sin2 + sin2 = [2 sin − cos ][2 sin − cos ] (III.16)
2 2 2 2 Z0 ωC 2 2 2ωL 2
La figure III.5 présente le diagramme de bande de la SHI considérée dans le paragraphe

précédent tracé à partir de la relation de dispersion III.15. On retrouve dans ce diagramme
respectivement la première bande TM et celle des ondes TE. L’existence de la bande
interdite en basse fréquence, en dessous de la bande TM, est due au fait que le modèle
ne tient pas en compte la variation de la capacité et de l’inductance en fonction de
la fréquence. En fournissant les valeurs des paramètres L-C pour chaque fréquence, on
retrouve les points suivant le cône de la lumière du mode TM aux alentours du point G
(figure III.3 et III.6).
La méthode proposée par Eleftheriades présente l’avantage de tenir compte de la
périodicité de la structure et de fournir un diagramme de bande pour toutes les directions
de la zone de Brillouin. Elle permet de faire une conception grossière mais très rapide
d’une SHI.
57
Fig. III.5 – le diagramme de bande de la SHI de Sievenpiper calculé par le modèle d’Elefthe-
riades.
III.1.3 Modélisation tridimensionnelle et caractérisation expéri-

mentale
III.1.3.1 Calcul du diagramme de bande
Les méthodes numériques existantes sont généralement plus précises pour la modélisation
des structures métallodiélectriques comme les SHIs. De plus, la périodicité de celles-ci rend
les simulations moins coûteuses et plus rapides. La méthode des éléments finis présente une
solution pour le calcul des modes propres et la détermination du comportement fréquentiel
de ces structures. Elle a été utilisée par Sievenpiper et al pour le calcul du diagramme
de bande de leurs SHIs. La figure III.6 présente le diagramme obtenu par cette méthode
[Sie99]. Dans ce diagramme on voit apparaı̂tre la bande interdite entre la première bande
de type TM et celle juste au-dessus qui est du type TE. Les points existant à l’intérieur
de cette bande interdite et qui sont au-dessus du cône de lumière représentent les ondes
TE de nature radiative (ondes de fuite).
Ce même diagramme de bande peut être retrouvé par la méthode des différences finies
(Finite Difference Time Domain : FDTD) proposée par Min Qiu dans sa thèse [Qiu00].
L’inconvénient de cette dernière méthode est le temps de calcul très long par rapport à
la méthode des éléments finis. De plus, une transformée de Fourrier est nécessaire pour
tracer le diagramme de bande.
58
Fig. III.6 – Le diagramme de bande de la SHI de Sievenpiper calculé par la méthode des éléments
finis [Sie99].
III.1.3.2 Caractérisation expérimentale des propriétés des SHIs
Plusieurs techniques ont été développées pour la caractérisation expérimentale des

SHIs. La mesure de la phase à la réflexion peut être réalisée en utilisant une référence
connue. Un plan métallique assure facilement cette fonction. La présence des ondes de
surface peut être détectée quant à elle par la mesure d’un signal transmis d’une antenne
à une autre placée à la surface de la structure à caractériser.
a) La phase du coefficient de réflexion La mesure de la phase du coefficient de

réflexion d’une surface peut être réalisée à l’aide de deux cornets comme le montre la figure
III.7 du schéma du dispositif expérimental. La mesure se fait alors en deux étapes. Une
première mesure faite sur un plan réflecteur métallique (introduisant un déphasage connu
de 180◦ ) est utilisée comme référence. En plaçant par la suite la surface à caractériser à
la même distance des cornets, les résultats de mesures sont alors divisés par ceux de la
référence afin d’avoir les bonnes valeurs de la phase. Un seul cornet peut assurer cette
mesure mais les résultats seront dans ce cas trop affectés par les ondes stationnaires
retenues entre le cornet et la surface à mesurer.
La figure III.2.b du paragraphe III.1.1.3 illustre la variation de la phase à la réflexion
de la SHI étudiée par Sievenpiper et mesurée par cette méthode. Il s’agit d’une courbe
de phase typique d’une SHI. La phase à la réflexion est directement reliée à l’impédance
de surface de la structure. Ce genre de surface se comporte comme un plan réflecteur
métallique en basse fréquence et présente une phase proche de 180◦ . Au fur et à mesure
qu’on augmente la fréquence, la phase à la réflexion de la SHI décroı̂t. Elle finit par
59
Fig. III.7 – Le dispositif expérimental utilisé par Sievenpiper pour la mesure de la phase du
coefficient de réflexion des SHIs.
s’annuler à la résonance de l’impédance de surface de la structure. La phase continue par

la suite à décroı̂tre pour tendre vers –180◦ en hautes fréquences.
b) Les ondes de surface Aux hyperfréquences, on utilise généralement des sondes de

petites dimensions afin de coupler les ondes de surface et de les mesurer. La polarisation
des sondes permet d’imposer le type de modes (TM ou TE) à détecter. Ce genre de
mesures a été réalisé par plusieurs chercheurs pour caractériser les ondes de surfaces dans
les SHIs [Sie99, LLC06, Sav00, Gol01].
La figure III.8 présente les résultats de mesures réalisées par Sievenpiper pour la struc-
ture étudiée au paragraphe I.1.3. Il s’agit de diagrammes de transmission en mode TM et
TE, typiques pour ce genre de structures. Ces courbes montrent l’existence de la bande
interdite, aux alentours de la fréquence de résonance de la structure, prédite par les si-
mulations tridimensionnelles. Dans cette bande, aucun courant ne peut se propager à la
surface et les ondes dues aux courants induits à la surface sont alors rapidement rayonnées
dans l’espace.
Fig. III.8 – les diagrammes de transmission en fonction de la fréquence de la SHI de Sievenpiper

mesurés en mode TM (a) et TE (b) [Sie99].
60
III.2 SHI à base de Conducteur Magnétique Artificiel planaire
III.2 SHI à base de Conducteur Magnétique Artifi-

ciel planaire (SHI-CMA)
Les SHI-CMA à base de matériaux planaires diffèrent des SHIs de Sievenpiper par
l’absence des vias métalliques de mise à la masse. Elles sont réalisées uniquement à partir
d’un réseau de pavés métalliques déposés sur un substrat diélectrique au-dessus d’un plan
de masse. Le fonctionnement en CMA concerne essentiellement la réflexion en incidence
normale. A cause de l’absence des vias métalliques, la structure ne présente pas une bande
interdite aux ondes se propageant dans le plan en mode TM et TE aux alentours de la
fréquence de résonance.
L’étude des SHI-CMAs est particulièrement intéressante car ces surfaces sont plus
faciles à réaliser que les SHIs de Sievenpiper puisqu’elles ne font pas intervenir des vias
métalliques. De plus, elles ont déjà permis de réaliser et de réduire les dimensions des
cavités de type Fabry-Pérot [FGWV05]. En réalité, elles peuvent jouer un rôle très im-
portant dans le fonctionnement d’une cavité : elles fixent son épaisseur et déterminent la
directivité de l’antenne qui l’alimente.
III.2.1 Conception d’une SHI-CMA totalement réfléchissante :

plan réflecteur
La SHI-CMA totalement réfléchissante proposée est construite à partir d’un réseau
périodique bidimensionnel de pavés métalliques déposés sur un substrat. Celui-ci est cou-
vert par un plan de masse métallique sur sa deuxième face comme le montre la figure III.9.
On considère une structure isotrope dans les deux directions qui possède deux dimensions
principales : le pas du réseau a et l’espacement entre les pavés métalliques g.
Fig. III.9 – Schéma d’une SHI-CMA formé d’un réseau de cellules métallodiélectriques pla-
naires.
61
La structure ainsi réalisée est donc formée par la superposition d’une surface capacitive
formée par le réseau de pavés métalliques et d’une surface inductive réalisée par le plan
de masse. Il s’agit donc d’un composite artificiel résonnant à une fréquence imposée par
les valeurs des paramètres LC du circuit électrique équivalent. La figure III.10 présente le
schéma de ce circuit électrique pour une cellule. Dans ce schéma, le gap entre les pavés
métalliques est représenté par les capacités. Les lignes réalisées par le plan de masse et
les pavés métalliques sont représentées par les inductances.
Fig. III.10 – Schéma du circuit électrique équivalent d’une cellule élémentaire d’une SHI-CMA.
III.2.2 Impédance de surface

La figure III.9 présente une SHI-CMA planaire. Elle est formée d’un réseau de pavés
métalliques, espacés d’une distance g, déposé sur un substrat diélectrique, d’épaisseur h,
couvert d’un plan de masse métallique sur sa deuxième face. Différents modèles analy-
tiques permettent de calculer l’impédance de surface d’une telle structure.
III.2.2.1 Modèle dynamique pour les surfaces réactives
Pour calculer l’impédance de surface de cette structure en incidence normale, on peut

utiliser le modèle dynamique pour les surfaces réactives de Simovski et al décrit dans
le paragraphe III.1.1.2. L’expression analytique proposée par ce modèle est donnée dans
l’équation III.10. Elle peut être adaptée à notre structure en considérant uniquement
l’inductance des pavés métalliques. En effet, en incidence normale, les vias métalliques
n’ont pas d’effet sur le coefficient de réflexion. L’expression proposée par Simovski ne
tient pas compte des pertes dans le diélectrique et peut se mettre aussi sous la forme
proposée par Sievenpiper dans son modèle en prenant les expressions III.11 et III.12,
respectivement pour l’inductance et la capacité. D’après ces relations, l’impédance de
surface possède une fréquence de résonance (ω0 = √1 ) autour de laquelle on a la bande
LC
de fréquences correspondant à la haute impédance.
62
III.2.2.2 La méthode des lignes de transmission
La méthode des lignes de transmission (Transmission Line Matrix method) est une
méthode analytique qui permet de déterminer les coefficients de transmission et de réflexion
à travers des couches de surfaces mises en cascade. Elle considère la présence d’un seul
mode et suppose que le système à étudier n’affecte que l’amplitude complexe de l’onde
transmise. Elle peut donc être intéressante pour le calcul de l’impédance de ce genre de
SHI-CMAs. Il s’agit de l’analyse de la superposition des impédances des couches formant
la structure étudiée [Gol98]. Chaque couche est représentée par les paramètres de son cir-
cuit équivalent dans une matrice chaı̂ne (ABCD). La structure finale est alors modélisée
par une matrice chaı̂ne, produit des matrices chaı̂nes en cascade, comme présentée dans
la figure III.11. La relation liant le courant et la tension d’entrée à ceux de la sortie est
donnée par III.17. L’impédance d’entrée est dans ce cas donnée par l’expression III.18. Le
calcul détaillé de l’impédance, par cette méthode, est présenté dans l’annexe A.
Fig. III.11 – Méthode des lignes de transmission : représentation d’un élément par sa matrice
chaı̂ne équivalente.
! ! !
Ve A B Vs
= (III.17)
Ie C D Is
AZs + B
Zs = (III.18)
CZs + D
III.2.3 Réalisation et Caractérisation

Les surfaces étudiées sont réalisées sur un substrat diélectrique de type FR3 d’épaisseur
h = 1, 4 mm, de permittivité relative εr = 3, 9 et de facteur de dissipation tan(δ) =
0, 0197. Les pavés carrés sont réalisés par une gravure mécanique assurée par la machine
LPKF Protomat40. Afin de mesurer le coefficient de réflexion des SHI-CMAs, un banc de
caractérisation constitué de deux cornets reliés à un analyseur de réseau a été réalisé. La
figure III.12 présente le dispositif expérimental utilisé. Un schéma descriptif de ce dernier
est illustré par la figure III.13. Le dispositif permet de caractériser les matériaux dans
63
une bande de fréquence comprise entre 7 et 16 GHz imposée par la bande passante des
cornets utilisés.
Fig. III.12 – a) Banc de caractérisation (7-16GHz) constitué de deux cornets et d’un support
pour les échantillons dans une chambre anéchoı̈que. b) Appareils de mesure, de contrôle et de
stockage utilisés.
Fig. III.13 – Schéma de la chaı̂ne de mesure de la phase du coefficient de réflexion des SHI-
CMAs.
Les mesures sont faites dans une chambre anéchoı̈que. Des fenêtres à travers de la
mousse absorbante sont utilisées pour limiter le bruit dû aux réflexions multiples en in-
cidence normale. L’absorbant n’est pas utilisé dans le cas des mesures angulaires car la
fenêtre devient de plus en plus petite avec l’augmentation de l’angle que fait l’onde inci-
64
dente avec la surface étudiée. De plus, le bruit dû aux ondes stationnaires devient moins
important quand l’angle d’incidence augmente.
Nous avons aussi comparé les mesures de phase par un cornet à celles faites en utilisant
deux cornets. La figure III.14 présente le résultat obtenu dans chaque cas. On arrive à
voir sur la figure l’importance des interférences multiples dans le cas des mesures avec un
seul cornet. Ce résultat confirme la remarque faite dans le paragraphe I.3.2 concernant
les mesures de phase en incidence normale.
Fig. III.14 – Comparaison entre la mesure de la phase à la réflexion par un cornet et celle
réalisée avec deux cornets pour une même surface (a = 4 m, g = 1, 2 mm).
III.2.4 Influence des dimensions sur la fréquence de résonance

Les valeurs des deux dimensions principales de la structure proposée influent directe-
ment sur les valeurs des paramètres LC du circuit électrique équivalent. Elles déterminent
donc la fréquence de résonance de la SHI-CMA et permettent le dimensionnement d’une
telle structure.
III.2.4.1 Influence de la capacité équivalente
L’espacement entre les pavés métalliques impose la valeur de la capacité du circuit

électrique équivalent. Afin d’étudier l’effet de la variation de ce gap métallique de largeur
g entre les pavés sur la phase du coefficient de réflexion, plusieurs simulations ont été
faites sur une cellule élémentaire de dimensions a = 4 mm. Les résultats des simulations
en éléments finis (HFSS), pour une incidence normale, sont illustrés par la figure III.15.
65
Ils montrent le comportement en CMA. Celui-ci se traduit par le passage à zéro de la

phase du coefficient de réflexion qui coı̈ncide avec la résonance de l’impédance de surface
de la structure étudiée.
Le comportement en CMA s’étale sur une large bande de fréquence ( 30%) dans laquelle
la phase reste comprise entre –90 et 90◦ . Il accompagne le comportement en SHI de la
structure proposée dans cette même bande : l’impédance de surface de la SHI-AMC reste
supérieure à celle du vide dans ce domaine de fréquence. On note aussi le décalage de la
fréquence de résonance de l’impédance de surface, correspondant au déphasage nul, vers
les basses fréquences lorsqu’on diminue la largeur du gap. En effet, la réduction du gap
métallique implique une augmentation de la valeur de la capacité du circuit équivalent.
L’effet sur l’inductance étant négligeable, la fréquence de résonance, définit par la relation
III.8, décroı̂t.
Fig. III.15 – Variation de la phase à la réflexion (a) et de l’impédance de surface (b) en

fonction de la fréquence pour différentes valeurs de l’espacement entre les pavés métalliques
(voir schéma (c)) des SHI-CMAs (εr = 3.9, δ = 0.0197, h = 1, 2 mm, a = 4 mm) calculée par
la méthode des éléments finis (HFSS) pour une incidence normale.
66
Le dernier résultat est vérifié par les calculs analytiques (méthode des lignes de trans-
mission) ainsi que par les mesures expérimentales comme le montre la figure III.16.a, b
et c. Celles-ci présentent la variation de la phase à la réflexion en incidence normale pour
trois surfaces ayant des largeurs de gap métallique différentes en fonction de la fréquence.
Fig. III.16 – Variation de la phase à la réflexion en fonction de la fréquence mesurée (a)

et calculée par la méthode des lignes de transmission (b) pour différents espacements entre les
pavés métalliques des SHI-CMAs (εr = 3.9, δ = 0.0197, h = 1, 2 mm, a = 4 mm).
III.2.4.2 Influence de l’épaisseur du diélectrique
La figure III.17 présente la variation de la phase à la réflexion en incidence normale

en fonction de la fréquence pour différentes épaisseurs du substrat diélectrique d’une
même SHI-CMA (εr = 3.9, δ = 0.0197, a = 4 mm, g = 400 µ). On constate d’après les
courbes que l’augmentation de l’épaisseur du diélectrique permet de décaler la fréquence
de résonance vers les basses fréquences. En effet, la cavité crée par le pavé métallique et
le plan de masse s’agrandit à chaque fois qu’on augmente l’épaisseur du diélectrique. Par
conséquent, la fréquence de résonance diminue. Le phénomène est illustré par les courbes
calculées analytiquement et numériquement.
III.2.4.3 Influence du pas du réseau
La dimension a de la cellule élémentaire à partir de laquelle est réalisée la SHI-CMA

peut aussi faire varier la fréquence de résonance. Cette variation n’est tout simplement
pas inversement proportionnelle à la dimension de la cellule car la capacité équivalente ne
varie pas linéairement lorsqu’on change le pas du réseau. Nous avons fait varier la largeur a
de la cellule, réalisée sur le substrat diélectrique utilisé précédemment. Nous avons simulé
des structures de dimensions proportionnelles à celles d’une cellule de référence de largeur
a0 = 4 mm dans un premier temps. Nous avons ensuite gardé un espacement constant
g = 400 µ et une épaisseur du diélectrique constante h = 1, 4 mm. Enfin, nous avons
67
Fig. III.17 – Variation de la phase à la réflexion en incidence normale en fonction de la

fréquence calculée par la méthode des éléments finis (a) et par la méthode des lignes de trans-
mission (b) pour différentes épaisseurs du substrat diélectrique d’une SHI-CMA (εr = 3.9,
δ = 0.0197, a = 4 mm, g = 400 µ).
laissé uniquement l’espacement g constant.

Les courbes de la figure III.18, calculées par la méthode des éléments finis (HFSS),
montrent la variation de la résonance en fonction du pas du réseau. On remarque une
croissance exponentielle de la fréquence de résonance lorsqu’on réduit les dimensions
de la cellule élémentaire proportionnellement aux dimensions de la cellule de référence.
Cette croissance est expliquée en partie par le rapport entre les dimensions de la cellule
élémentaire et la longueur d’onde. Mais le fait qu’elle soit exponentielle est surtout dû à
la variation de la capacité équivalente qui devient de plus en plus faible lorsque la taille
de la cellule diminue.
Fig. III.18 – Résultat de simulation par la méthode des éléments finis présentant la variation
de la résonance de la SHI-CMA en fonction de la dimension de la cellule par rapport à celle de
dimension a0 = 4 mm.
68
III.2.5 Influence de l’angle d’incidence sur la fréquence de réso-

nance
Afin d’étudier l’effet de l’angle d’incidence sur la fréquence de résonance, le coefficient
de réflexion a été calculé et mesuré pour une SHI-CMA constituée d’un réseau de pavés
métalliques de pas a = 4 mm. Les pavés gravés sur un substrat FR3 sont espacés de
g = 250 µ. Les résultats analytiques sont donnés par la méthode des lignes de transmission.
L’analyse numérique est faite par la méthode des moments détaillée dans l’annexe B.
Nous considérons ici une onde incidence plane allant d’un milieu isotrope vers un autre
avec un angle d’incidence θi . On distingue alors deux cas de polarisation de l’onde. Le
premier est lorsque le champ électrique est parallèle au plan d’incidence. Dans ce cas la
polarisation est appelée parallèle ou Transverse Magnétique (TM). Le deuxième cas est
obtenu lorsque le champ électrique est perpendiculaire au plan d’incidence. La polarisation
est dans ce cas perpendiculaire et peut être aussi appelée Transverse Electrique (TE). La
figure III.19 résume la configuration des champs dans les deux cas [Kon05].
Fig. III.19 – Réflexion et transmission des ondes TM (a) et TE (b) à travers une interface
plane (plan yz) entre deux milieux isotropes différents.
III.2.5.1 Polarisation perpendiculaire (onde TE)
Les figures III.20.a, b et c présentent la variation du coefficient de réflexion en fonction

de la fréquence pour différents angles d’incidence dans le cas d’une polarisation perpendi-
culaire. Malgré le décalage en fréquence obtenu avec la méthode des moments, les résultats
de celle-ci s’accorde plus avec les résultats expérimentaux. La méthode analytique des
lignes de transmissions ne décrit pas correctement le comportement des SHI-CMAs pour
les grands angles d’incidence.
On note d’après les courbes une faible variation de la fréquence de résonance pour les
angles d’incidence inférieurs à 40◦ . La SHI-CMA devient de plus en plus sensible à l’angle
69
d’incidence au-delà de cet angle. La résonance est alors obtenue pour des fréquences plus
élevées lorsque l’onde devient rasante par rapport à la SHI-CMA. Enfin, La pente de la
phase devient de plus en plus raide à la résonance.
III.2.5.2 Polarisation parallèle (onde TM)
La variation du coefficient de réflexion en fonction de la fréquence pour différents angles

d’incidence dans le cas d’une polarisation parallèle est présentée sur la figure III.20.d, e
et f. On note dans ce cas de polarisation que la résonance de la SHI-CMA augmente
en fonction de l’angle d’incidence comme dans le cas de la polarisation perpendiculaire.
Cependant, le comportement de la phase en fonction de la fréquence pour les grands
angles n’est plus le même. En effet, la pente de la phase devient de plus en plus plate
quand on augmente l’angle d’incidence en polarisation parallèle.
On remarque aussi de très fortes ondulations sur les courbes de mesures qui sont dues
essentiellement aux interférences multiples. Celles-ci deviennent très importantes quand
l’angle d’incidence augmente en polarisation parallèle.
Enfin, on constate que, comme dans le cas de la polarisation TE, la méthode des
moments décrit mieux le comportement de notre structure pour les angles d’incidence
très grands que la méthode analytique des lignes de transmission.
70
Fig. III.20 – Variation de la phase à la réflexion d’une SHI-CMA (εr = 3.9, δ = 0.0197,
h = 1, 2 mm, a = 4 mm, g = 400 µ) en fonction de la fréquence déterminée par la méthode des
lignes de transmission (a et d), calculée par la méthode des moments (b et e) et mesurée (c et
f ) pour différents angles d’incidence d’onde polarisée TE (a, b et c) et TM (d, e et f ).
71
III.3 SHI-CMA large bande

Nous avons vu dans le paragraphe précédent que les SHI-CMA planaires peuvent
présenter une haute impédance et se comporter en conducteur magnétique sur une bande
de l’ordre de 30%. Dans cette bande de fréquence, l’impédance reste supérieure à celle du
vide et la phase est comprise entre –90 et 90◦ . La bande de haute impédance se retrouve
donc très réduite. Nous présentons dans cette partie une structure qui forme une solution
pratique pour élargir la bande de haute impédance.
III.3.1 Conception
En utilisant n’importe quel modèle analytique présenté précédemment, on peut se
rendre compte facilement que la largeur de bande d’une SHI dépend énormément de la
capacité équivalente. Nous avons alors cherché à augmenter cette capacité tout en gardant
une structure planaire afin d’augmenter la largeur de bande de nos SHI-CMAs. Ainsi, nous
avons conçu une structure à doubles couches comme le montre la figure III.21. En effet,
grâce à l’ajout d’un deuxième pavé une capacité parallèle à la première vient s’introduire
dans le schéma équivalent. La variation de la valeur de l’inductance par rapport aux
valeurs typiques n’est pas très importante.
Fig. III.21 – Schéma d’une cellule de la SHI-CMA large bande planaire proposée.
III.3.2 Largeur de bande

Nous avons étudié une SHI-CMA à doubles couches réalisée sur un substrat diélectrique
de type FR3 d’épaisseur h = 1, 2 mm, de permittivité relative εr = 3, 9 et de facteur de
dissipation tan(δ) = 0, 197. La cellule élémentaire du réseau est de dimensions 2 mm et
a une épaisseur de 2, 4 mm. L’espacement entre les pavés est g = 400 µ pour les deux
couches. Les résultats de mesures et de simulations en éléments finis (HFSS) donnant la
phase à la réflexion en incidence normale de la SHI-CMA proposée sont illustrés dans
la figure III.22. Ils montrent l’augmentation de la largeur de bande du comportement en
CMA. Celui-ci se traduit par une phase du coefficient de réflexion qui reste comprise entre
–90 et 90◦ sur une bande de fréquence de 50% par rapport à la fréquence de résonance.
72
III.3 SHI-CMA large bande
Fig. III.22 – Variation de la phase à la réflexion en fonction de la fréquence en incidence

normale mesurée et calculée par la méthode des éléments finis de la SHI-CMA large bande
(εr = 3.9, δ = 0.0197, h = 2 × 1, 2 mm, a = 2 mm, g = 400 µ).
III.3.3 Influence de l’angle d’incidence

Afin de voir si la SHI-CMA à doubles couches est plus sensible aux ondes rasantes que
les structures présentées précédemment, étant donnée son épaisseur élevée, nous avons
fait des mesures de phase à la réflexion pour différents angles d’incidence pour les deux
cas de polarisation. Les figures III.23.a et III.23.b présentent les résultats obtenus res-
pectivement pour la polarisation TE et TM. Nous remarquons d’après ces courbes que
la surface se comporte identiquement aux SHI-CMA à simple couche présentées dans la
partie précédente.
Fig. III.23 – Variation de la phase à la réflexion de la SHI-CMA large bande (εr = 3.9,
δ = 0.0197, h = 2 × 1, 2 mm, a = 2 mm, g = 400 µ) en fonction de la fréquence mesurée pour
différents angles d’incidence d’onde polarisée TE (a) et TM (b).
73
III.4 Surfaces Partiellement Réfléchissantes à base

de Conducteur Magnétique Artificiel planaire
(SPR-CMA)
Les filtres de type Fabry-Pérot (FP) utilisent, dans leurs versions classiques et récentes,
des surfaces partiellement réfléchissantes dont le facteur de réflexion est généralement
proche de 1. Les SPRs à base de conducteurs magnétiques artificiels peuvent être d’un
grand intérêt dans ce domaine. En effet, le dimensionnement des CMAs pourrait permettre
de fixer aisément la phase à la réflexion souhaitée pour n’importe quelle fréquence.
Nous cherchons dans cette partie à concevoir des SPR-CMA permettant de présenter
des phases à la réflexion proches de zéro en micro-ondes. On va toujours considérer des
structures isotropes dans deux directions.
III.4.1 Conception
La surface partiellement réfléchissante proposée est construite à partir d’un réseau
périodique 2D de pavés métalliques déposés sur une des faces d’un substrat diélectrique.
Cependant, et afin de permettre la propagation de l’onde à travers notre métamatériau,
la deuxième face n’est pas totalement couverte par un plan de masse métallique mais
plutôt par une grille métallique comme le montre la figure III.24.a. La grille simule l’effet
d’une surface inductive qui vient s’ajouter à la surface capacitive, réalisée par les pavés
métalliques, pour créer la résonance de l’impédance responsable du comportement en
CMA. La SPR-CMA ainsi réalisée est donc un matériau composite. La cellule élémentaire
de la surface proposée est illustrée dans la figure III.24.b. Dans cette cellule on retrouve
le pavé métallique, utilisé pour la réalisation du plan réflecteur, auquel on a ajouté sur
l’autre face du substrat diélectrique une croix métallique avec des lignes de largeur w. Le
schéma du circuit électrique équivalent à la cellule élémentaire du SPR est le même que
celui de la cellule du plan réflecteur à base de SHI-CMA étudié dans la partie II.1.
III.4.2 Impédance de surface

La méthode des lignes de transmission (Transmission Line Matrix method TLM)
convient parfaitement pour l’analyse de ce type de SPR-CMA planaires. En effet, cette
méthode permet de calculer aisément l’impédance de surface, ainsi que le coefficient de
réflexion et de transmission d’une telle structure. L’évaluation des paramètres électriques
équivalents présente le seul point faible de cette méthode. Le calcul détaillé de l’impédance
des structures multicouches planaires par cette méthode est présenté dans l’annexe A.
74
III.4 Surfaces Partiellement Réfléchissantes
Fig. III.24 – a) Une surface partiellement réfléchissante à base d’un réseau périodique de
cellules composites métallodiélectriques ; b)Schéma d’une cellule élémentaire de la SPR-CMA.
La caractérisation des SPR-CMA se fait en deux étapes. Le coefficient de réflexion est

mesuré grâce au dispositif expérimental présenté dans le paragraphe II.1.3. Une deuxième
mesure est ensuite effectuée afin de mesurer le coefficient de transmission. Le dispositif
expérimental illustré par la figure III.25 est alors utilisé.
Fig. III.25 – Schéma de la chaı̂ne de mesure du coefficient de transmission des SPR-CMAs.
Les surfaces étudiées ici sont réalisées sur un substrat diélectrique de type FR3 d’épaisseur
h = 1, 2 mm, de permittivité relative εr = 3, 9 et de facteur de dissipation tan(δ) =
0, 0197. La grille et les pavés métalliques sont alors réalisés par gravure mécanique.
75
III.4.3 Influence de la capacité entre les pavés métalliques de la

SPR-CMA sur la fréquence de résonance
La capacité la plus importante du modèle électrique d’une cellule de la SPR-CMA

proposée est celle créée entre les pavés métalliques. Ce gap métallique permet d’accorder
la fréquence de résonance en variant la valeur de la capacité équivalente. Nous présentons
dans la figure III.26 les courbes de variation de l’impédance et de la phase du coefficient de
réflexion d’une SPR-CMA réalisée sur un substrat époxy FR3 en fonction de la fréquence
pour différentes valeurs de l’espacement entre les pavés métalliques g. La surface est
constituée d’un réseau périodique de cellules métallo-diélectriques de période a = 4 mm.
La largeur des lignes formant la grille inductive est w = 1, 2 mm. Comme dans le cas des
SHI-CMAs, on note un décalage de la fréquence de résonance correspondant au déphasage
nul, vers les basses fréquences lorsqu’on diminue la largeur du gap.
Fig. III.26 – Variation de la phase à la réflexion en fonction de la fréquence en incidence

normale calculée par la méthode des éléments finis (HFSS) d’une SPR-CMA (εr = 3.9, δ =
0.0197, h = 1, 2 mm, a = 4 mm, w = 1, 2 mm) pour différentes valeurs de l’espacement entre
les pavés.
76
III.4.4 Influence de la largeur de la grille métallique sur la fré-

quence de résonance
Afin d’étudier l’influence de la largeur de la grille métallique w sur le coefficient de
réflexion d’une SPR-CMA nous avons fait les simulations numériques par la méthode
des éléments finis dont les résultats sont présentés sur la figure III.27. Les courbes de
cette figure illustrent la variation du module et de la phase du coefficient de réflexion en
incidence normale calculée pour une SPR-CMA réalisée sur époxy (εr = 3.9, δ = 0.0197,
h = 1, 2 mm). La période du réseau étudié ici est de a = 4 mm et l’espacement entre les
pavés métalliques est de 400 µ.
On constate d’après ces courbes que l’élargissement de la grille métallique décale
légèrement la fréquence de résonance de la structure vers les hautes fréquences. Mais
l’effet le plus important de l’augmentation de la largeur de la grille est sur le module du
coefficient de réflexion. En effet, la structure devient de plus en plus réfléchissante quand
on agrandit cette largeur.
Fig. III.27 – Variation du module (a) et de la phase (b) du coefficient de réflexion en fonction
de la fréquence en incidence normale calculée par la méthode des éléments finis (HFSS) d’une
SPR-CMA (εr = 3.9, δ = 0.0197, h = 1, 2 mm, a = 4 mm, g = 400 µ) pour différentes largeurs
de grille w .
III.4.5 Influence de l’angle d’incidence sur la fréquence de réso-

nance
Les figures III.28.a et III.28.b présentent les résultats de mesures obtenus pour la
phase à la réflexion d’une SPR-CMA réalisée sur un substrat époxy (εr = 3.9, δ = 0.0197,
h = 1, 2 mm) respectivement en polarisation TE et TM. Le réseau étudié est de pas
77
a=4mm. L’espacement entre les pavés de la SPR-CMA est g = 400 µ et la largeur des
grilles métalliques est w = 1, 2 mm.
Nous constatons d’après les courbes de la figure III.28 que la surface se comporte
identiquement aux SHI-CMAs en ce qui concerne le sens de variation de la résonance en
fonction de l’angle d’incidence. Cependant, les courbes de phases à la réflexion de la SPR
ne varient pas énormément pour les ondes dont l’angle d’incidence est inférieur à 40◦ . A
partir de 60◦ , la courbe de phase change fortement de forme. Cela est certainement dû au
fait que l’onde à partir de cet angle commence à voir la dimension apparente de la grille
simulant le plan de masse changer de forme et de dimensions.
Fig. III.28 – Variation de la phase à la réflexion de la SPR-CMA (εr = 3.9, δ = 0.0197,

h = 1, 2 mm, a = 4 mm, g = 400 µ, w = 1, 2 mm) en fonction de la fréquence mesurée pour
différents angles d’incidence d’onde polarisée TE (a) et TM (b).
III.4.6 Elargissement de la bande de haute impédance de la

SPR-CMA
L’élargissement de la bande de la haute impédance de la SPR-CMA peut se faire
de la même manière que pour les SHI-CMAs. Il suffit donc de réaliser des structures à
doubles couches en ajoutant un pavé métallique en dessus du premier comme le montre la
figure III.29. En effet, cela permettra d’augmenter la capacité équivalente et aplatir par
la suite la courbe de phase à la réflexion de la structure. Nous présentons dans la figure
III.30 une comparaison entre la variation de la phase à la réflexion d’une SPR-CMA à
une seule couche de pavés métalliques et d’une SPR-CMA large bande à double couches
en fonction de la fréquence. Les surfaces sont réalisées sur le même substrat diélectrique
utilisé précédemment. La SPR à une seule couche est constituée d’un réseau périodique
de période a = 4 mm. La grille de ce réseau a une largeur w = 1, 2 mm et l’espacement
78
Fig. III.29 – Schéma d’une cellule de la SPR-CMA large bande planaire proposée.
entre les pavés est g = 400 µ. La SPR large bande est constituée d’un réseau périodique
de cellules métallodiélectriques de période a = 2 mm. La largeur des lignes formant
la grille inductive est w = 0, 6 mm. L’espacement entre les pavés des deux couches et
g = 400 µ. Les courbes de phases montrent que les deux surfaces ont pratiquement une
même fréquence de résonance proche de 9, 5 GHz. On remarque alors qu’avec ce genre
de structure on arrive à élargir la bande de comportement en CMA.
Fig. III.30 – Comparaison entre la variation de la phase à la réflexion en fonction de la

fréquence en incidence normale calculée par la méthode des éléments finis d’une SPR-CMA
(εr = 3.9, δ = 0.0197, h = 1, 2 mm, a = 4 mm, g = 400 µ, w = 1, 2 mm) à une seule couche
de pavés métalliques et d’une SPR-CMA (εr = 3.9, δ = 0.0197, h = 2 × 1, 2 mm, a = 2 mm,
g = 400 µ, w = 0, 6 mm) large bande à double couches de pavés métalliques.
79
Conclusion
Ce chapitre rappelle brièvement les propriétés de surfaces à haute impédance et les
différentes méthodes développées permettant de réaliser leur caractérisation. Ces surfaces
à base de métamatériaux continuent d’intéresser les chercheurs qui ne cessent de les utiliser
pour apporter des innovations particulièrement dans le domaine des antennes.
Nous avons présenté dans ce même chapitre une étude détaillée sur les SHI à base de
conducteurs magnétiques artificiels planaires sans vias de mise à la masse. Ces dernières
permettent de réaliser certaines propriétés des SHIs classiques. En effet, elles permettent
de présenter une haute impédance et se comporter en CMA sur un large domaine de
fréquence. Différentes méthodes analytiques et numériques, ainsi qu’une caractérisation
expérimentale ont été mises en œuvre afin d’étudier ces métamatériaux planaires. L’in-
fluence des paramètres physiques sur les caractéristiques de ces structures a été étudiée.
Des surfaces particulières à doubles couches ont permis d’élargir la bande de haute
impédance de ce type de métamatériaux.
Une dernière partie de ce chapitre a concerné la conception de surfaces partielle-
ment réfléchissantes présentant une haute impédance et se comportant en conducteur
magnétique artificiel. Une étude numérique et une caractérisation des structures proposées
ont été présenté.
Nous avons considéré dans ce chapitre des structures isotropes dans deux directions.
Mais d’autres formes de structures et de types de réseaux permettent d’étendre l’isotropie
à plusieurs dimensions.
80
Bibliographie
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81
Chapitre IV
Application de Métamatériaux à la
Réalisation d’Antennes Directives
Ultra-Compactes
Sommaire
IV.1 Cavité Fabry-Pérot . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 85
IV.2 Conception d’une cavité ultra compacte à base de métamatériaux
planaires . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 90
IV.3 Optimisation de la cavité à base de métamatériaux . . . . . 110
Conclusion . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 115
Bibliographie . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 116
A fin d’être la plus efficace possible, une antenne devra avoir une dimension telle
qu’elle puisse recevoir et émettre des signaux de façon sélective tout en étant la
plus petite possible pour pouvoir l’intégrer dans les systèmes d’émission et de réception.
L’utilisation des cavités de type Fabry-Pérot a permis d’atteindre ces objectifs dans cer-
tains domaines.
83
IV Application de Métamatériaux à la Réalisation d’Antennes Ultra-Compactes
La première application utilisant des cavités de type Fabry-Pérot dans le domaine des
micro-ondes et des antennes a été proposée par Von Trentini en 1956 [Tre56]. Ces dernières
années, ces structures ont connu un regain d’intérêt notamment grâce aux structures
périodiques métallodiélectriques. Ainsi, plusieurs travaux se sont intéressés à l’augmenta-
tion de la directivité des antennes dipolaires en les insérant dans des matériaux à bandes
interdites photoniques. En 2005, Feresidis et al, ont présenté une cavité plus compacte
que les cavités Fabry-Pérot traditionnelles en utilisant un métamatériau présentant la
particularité de réfléchir les ondes avec un déphasage nul à sa fréquence de résonance
[FGV05]. Zhou et al [ZLQ+ 05], ont réussi par la suite à descendre en dessous de cette
limite de compacité en utilisant une Surface à Haute Impédance à base de structures de
Sievenpiper utilisant des via de mise à la masse.
Nous présentons dans la première partie de ce chapitre le principe de fonctionnement
des cavités de type Fabry-Pérot. Un modèle optique est alors proposé pour l’analyse de
ces structures. Une étude d’une cavité ultra-compacte à base de métamatériaux planaires
est détaillée dans une deuxième partie. Des résultats de simulations numériques et des
mesures expérimentales en concordance avec le modèle optique sont présentés. Enfin, une
optimisation de la cavité Fabry-Pérot sera effectuée dans une dernière partie.
84
IV.1 Cavité Fabry-Pérot
IV.1 Cavité Fabry-Pérot (FP)
IV.1.1 Principe de fonctionnement

L’objectif de l’utilisation des cavités Fabry-Pérot est l’augmentation de la directi-
vité des antennes. A la résonance, ces structures simulent le fonctionnement des réseaux
d’antennes dont le mécanisme d’alimentation conduit à des pertes assez importantes.
L’émission directive ainsi obtenue est souvent expliquée par le principe de l’interféromètre
de Fabry-Pérot (1899) et de la théorie des rayons optiques.
L’interféromètre Fabry-Pérot de base est constitué de deux surfaces semi-réfléchissantes
planes (miroirs) se faisant face. La figure IV.1 décrit le chemin de l’onde électromagnétique
dans le cas où la cavité réalisée serait alimentée par une source placée entre les deux plans.
Les champs peuvent subir plusieurs réflexions sur les deux surfaces avant d’être rayonnés.
Fig. IV.1 – Schéma de l’interféromètre de Fabry-Pérot.
Pour une longueur d’onde donnée, le coefficient de transmission dépend des coefficients
de réflexion et de transmission des deux surfaces et de l’épaisseur de la cavité h. Ainsi,
pour deux surfaces identiques de coefficients (r, t), où r est le coefficient de réflexion et t
est celui de transmission à l’incidence d’angle θ, l’expression du coefficient de transmission
de la cavité, pour un angle θ et un vecteur d’onde k, est donné par la formule IV.1.
h
t e−jk 2 cos θ
T (θ) = h (IV.1)
1 − r e−jk 2 cos θ
Le maximum de puissance rayonnée dans une direction θ est obtenu lorsque la relation
IV.2 est satisfaite. Dans cette relation, φr représente le déphasage dû à la réflexion sur les
85
plans miroirs et l ambda est la longueur de l’onde considérée.

2π
δφ = 2φr − 2h cos θ = 2N π (IV.2)
λ
La résonance de la cavité pour une direction donnée est donc obtenue lorsque la dis-
tance entre les deux plans est correctement ajustée par rapport à la longueur d’onde
utilisée. Dans ce cas, les champs traversant les surfaces semi-réfléchissantes se retrouvent
en phase, ce qui assure une interférence constructive dans la direction considérée. Ainsi,
pour un rayonnement directif dans la direction normale aux deux plans, la condition de
résonance se réduit à la relation suivante.
λ λ
h = φr +N (IV.3)
2π 2
IV.1.2 Diagramme de rayonnement des cavités Fabry-Pérot

IV.1.2.1 Modèle des rayons optiques
Dans le domaine des micro-ondes et des antennes, on utilise généralement une seule
surface semi-réfléchissante. La deuxième surface est alors remplacée par un plan réflecteur
métallique comme le montre la figure IV.2. La réflexion de ce plan est totale et son
coefficient de transmission est nul.
Fig. IV.2 – Schéma de la cavité de type Fabry-Pérot utilisée pour les antennes micro-ondes.
La source d’alimentation dans ce cas est généralement mise à la surface du plan

réflecteur. Dans cette configuration et en utilisant le modèle des rayons optiques, le coef-
ficient de transmission de la cavité pour chaque direction définie par l’angle θ s’écrit :
t
T (θ) = (IV.4)
1−r ejφ1 e−j2kh cos θ
où r et t sont respectivement le coefficient de réflexion et de transmission de la surface
semi-réfléchissante à l’incidence d’angle θ.
86
La condition de résonance donnant le maximum de puissance dans une direction

donnée est dans ce cas la suivante :
2π
δφ = (φ1 + φ2 ) − 2h cos θ = 2N π (IV.5)
λ
L’épaisseur de résonance pour cette nouvelle configuration dans la direction normale
au plan de la cavité devient alors :
λ λ
h = (φ1 + φ2 ) +N (IV.6)
4π 2
IV.1.2.2 Facteur de qualité et ouverture angulaire
Le facteur de qualité traduit l’intensité de la résonance et dépend aussi du coefficient

de transmission de la cavité. L’expression du facteur de qualité de chaque mode est donnée
par la relation IV.7 [Com97, Bou03]. Dans cette relation, fN représente la fréquence de
résonance du mode N et ∆f3dB,N est la bande passante à 3dB.
fN kN
QN = = (IV.7)
∆f3dB,N 2(kN − k3dB )
2π
Le vecteur d’onde kN = λN
est déterminé en fonction de la phase à la réflexion des
plans pour chaque fréquence à partir de la condition de résonance IV.6, tandis que, le
facteur k3dB est déduit de l’équation IV.8 pour chaque mode N .
|t|
T (θ = 0) = √ (IV.8)
2(1 − |r|)
En résolvant cette dernière équation, dans notre cas, nous obtenons :

2
1 − |r|

1
k3dB = φ1 + φ2 − Acosh 1 − (IV.9)
2h 2|r|
Dans notre configuration, le facteur de qualité est alors donné par la relation IV.10.
φ1 + φ2 + 2N π
QN = (1−|r|)2
(IV.10)
4N π + 2 Acosh 1 − 2|r|
Ce facteur déduit de la bande passante de la cavité détermine l’ouverture angulaire

pour chaque mode. En effet, l’ouverture angulaire ∆θ3dB est déterminée en résolvant
l’équation suivante :

T (θ = ∆θ3dB ) = √ |t|
(IV.11)
2(1 − |r|)
On obtient alors l’expression suivante de l’ouverture angulaire pour le mode N :
φ + φ − 2N π 1
1 2
∆θ3dB,N = 2 Acosh − (IV.12)
φ1 + φ2 + 2N π 2QN
87
Lorsque le facteur de qualité est très élevé, l’ouverture angulaire pour le mode d’indice
zéro s’écrit :
2
∆θ3dB,0 = (IV.13)
Q0
L’ouverture angulaire est minimale pour le premier mode (N = 0). C’est le mode le
plus utilisé en pratique pour ce genre de cavité.
IV.1.2.3 Directivité
La directivité caractérise l’aptitude d’une antenne à concentrer son énergie dans une
ou plusieurs directions privilégiées. Pour une direction donnée, la directivité est égale
à l’intensité de la puissance pour l’angle de cette direction divisée par la moyenne de
l’intensité pour tous les angles. Elle s’écrit dans notre cas :
2
π T (θ)
D(θ = 0) = R π 2 (IV.14)
2 2 T (θ0 ) dθ0
0
La directivité du premier mode pour la normale aux plans de la cavité est donnée dans
ce cas par la relation IV.15 [?].
1 − r2
D= (IV.15)
1 + r2 − 2r cos ∆φ
A la résonance, les champs traversant la surface semmi-réfléchissante sont en phase
(∆φ = 0). Dans ce cas la directivité maximale est donnée par la relation IV.16.
1+r
D= (IV.16)
1−r
La directivité peut aussi être calculée à partir des ouvertures angulaires à 3dB dans
les deux plans E et H grâce à la relation suivante [ETS+ 02].
4π
D= (IV.17)
∆θ1 ∆θ2
IV.1.3 Les cavités à base de structures périodiques planaires

Les cavités présentées au début des années cinquante par Von Trentini étaient réalisées
à partir d’une surface semi-réfléchissante à base de structures planaires périodiques métalliques
déposée au-dessus d’un plan de masse [Tre56]. Des guides d’onde métalliques assuraient
l’alimentation de ces cavités. L’épaisseur des structures ainsi réalisées était de l’ordre de
la demi-longueur d’onde. En fait, les plans réflecteurs constituant la cavité ( le plan de
masse et la surface semi-réfléchissante ) présentaient une phase de réflexion de 180◦ . Afin
d’avoir un maximum de gain dans la direction normale à la cavité à la résonance, la dis-
tance entre les deux plans formant la cavité doit vérifier la relation IV.6. C’est pourquoi
l’épaisseur de la cavité était fixé à une demi-longueur d’onde.
88
Les structures périodiques planaires métalliques ont permis à Von Trentini de réaliser
des surfaces semi-réfléchissantes qui renvoient plus de 90% de l’énergie émise à chaque
réflexion. La reproduction périodique de tiges et de rubans métalliques en une seule di-
mension (1D) n’assurent ce fonctionnement que pour la polarisation TE. L’utilisation de
pavés métalliques circulaires, assurant une périodicité en deux dimensions (2D), permet
d’avoir une surface semi-réfléchissante pour les deux polarisations TM et TE en même
temps. Trentini a montré par la suite que l’augmentation de la réflectivité de la surface
induit une amélioration de la directivité de la cavité. Ceci peut aussi se déduire à partir
de la relation ?? liant la directivité au coefficient de réflexion.
En 2005, Feresidis et al. ont proposé, pour la réalisation des cavités Fabry-Pérot, une
surface totalement réfléchissante présentant la particularité de réfléchir les ondes avec un
déphasage nul à sa fréquence de résonance [FGV05]. La cavité étudiée par la suite par
l’équipe de Feresidis était alimentée par une antenne plaquée (microstrip patch antenna).
Mais cette structure était surtout plus compacte que toutes les cavités réalisées par Von
Trentini. En effet, grâce à la phase de réflexion nulle, l’épaisseur de la cavité était réduite
d’un facteur deux. Les cavités ainsi réalisées ne faisaient qu’un quart de longueur d’onde
d’épaisseur. Ceci étant justifié par la relation IV.6.
Zhou et al., quant à eux, ont réussi dans la même année à descendre en dessous de
cette limite de compacité en utilisant une Surface à Haute Impédance à base de structures
de Sievenpiper utilisant des vias de mise à la masse [ZLQ+ 05]. En réalité, leur résultat
est surtout dû à la phase négative présentée par la SHI après la fréquence de résonance.
En effet, en imposant une phase négative à l’une des surfaces de la cavité, la condition
de résonance peut être vérifiée pour des épaisseurs encore plus faibles que le quart de
la longueur d’onde. Ce résultat peut être aussi réalisé par des AMCs planaires sans via
présentant la même phase de réflexion.
89
IV.2 Conception d’une cavité ultra compacte à base

de métamatériaux planaires
La solution que nous envisageons consiste en une cavité résonnante de type Fabry-
Pérot, formée de deux surfaces à base de CMA planaire faisant office de miroir semi-
réfléchissant et de plan totalement réflecteur. La structure totale ainsi réalisée, est ali-
mentée par une antenne plaquée, fonctionnant en bande X, insérée au milieu du plan
réflecteur. L’intérêt ici est de réduire au maximum l’épaisseur de la cavité tout en assu-
rant une bonne directivité dans le domaine de fréquence souhaité, grâce à l’utilisation de
métamatériaux.
Afin d’atteindre ces objectifs, il faut concevoir une cavité Fabry-Pérot à base de deux
métamatériaux dont la somme des phases à la réflexion soit proche de zéro. Ainsi, comme
le montre le modèle des rayons optiques résumé par la relation IV.6, on pourra obtenir
une épaisseur de cavité très faible. Notre idée était alors de réaliser des surfaces présentant
des phases à la réflexion proche de zéro dans le domaine de fonctionnement souhaité.
Nous présentons dans ce qui suit, les étapes de conception de la cavité. Nous commen-
cerons par l’étude des métamatériaux utilisés. La méthode des rayons optique sera par la
suite utilisée pour prédire le comportement de la cavité. Enfin, les résultats de simulations
seront présentés et comparés aux résultats expérimentaux.
IV.2.1 Conception du plan réflecteur
Feresidis et al., ont proposé une surface se comportant comme un Conducteur Magnétique
Artificiel (CMA) réalisée à partir d’une reproduction périodique de cellules rectangulaires
métallo diélectriques planaires. Ce métamatériau forme une Surface à Haute Impédance
(SHI) autour de sa fréquence de résonance puisqu’il présente une haute impédance en
incidence normale comme on l’a montré au chapitre précédent. On utilisera ce type de
matériau pour la conception du plan réflecteur de la cavité dont la configuration a déjà
été présentée dans la figure IV.2.
La figure IV.3.a présente une cellule élémentaire de la SHI-CMA qui jouera le rôle du
plan réflecteur. En pratique, nous utilisons un substrat époxy de permittivité ε = 3, 9
et d’épaisseur 1, 4 mm sur lequel les motifs seront gravés mécaniquement par LPKF. La
figure IV.3.b présente la SHI-CMA réalisée sur ce substrat. Dans les simulations, nous
avions pour but de trouver la cellule de dimension minimale qui permettrait de présenter
une phase nulle aux alentours de 10 GHz.
90
IV.2 Conception d’une cavité ultra compacte à base de métamatériaux planaires
Fig. IV.3 – a)Schéma de la cellule élémentaire d’une SHI-CMA ; b) la SHI-CMA réalisée sur
le substrat époxy.
IV.2.1.1 La variation de la phase à la réflexion en incidence normale
En fixant le pas du réseau, nous avons fait varier l’espacement entre les pavés métalliques
afin de contrôler la phase à la réflexion normale. Nous avons fini par opter pour une cellule
de dimension égale à 4 mm. La figure IV.4 présente la variation de la phase du coefficient
de réflexion en incidence normale en fonction de la fréquence pour un espacement entre
les pavés de 250 µ. La caractérisation expérimentale est faite en utilisant le dispositif
présenté dans le paragraphe III.2.3.
Fig. IV.4 – Variation de la phase à la réflexion en incidence normale de la SHI-CMA proposée

(εr = 3.9, δ = 0.0197, h = 1, 2 mm, a = 4 mm, g = 250 µ) mesurée et calculée par la méthode
des éléments finis (HFSS) et par FDTD.
Ces courbes de phase montrent que la structure présente une phase proche de zéro
autour de 10, 5 GHz. En effet, la phase reste comprise entre –90◦ et 90◦ sur un large
91
domaine de fréquence entre environ 9 et 12 GHz. Dans cette gamme de fréquence, la

structure se comporte donc comme un conducteur magnétique artificiel (CMA).
IV.2.1.2 Impédance de surface et Comportement en SHI
Afin d’étudier le comportement en surface à haute impédance, nous avons tracé la

variation du module de l’impédance de surface en fonction de la fréquence à partir du
coefficient de réflexion sur la figure IV.5. Ces courbes de simulations (figure IV.5.a) et de
mesures (figure IV.5.b) montrent que l’impédance de surface de la SHI-CMA est supérieure
à celle du vide sur toute la bande de fréquence ou la phase est comprise entre –90 et 90◦ .
Le comportement en CMA s’accompagne donc d’un comportement en SHI. En pratique,
la bande considérée pour ces deux phénomènes est plutôt celle où la phase est comprise
entre –45 et 45◦ .
Fig. IV.5 – Résultats de simulation (a) et de mesures (b) donnant la variation du module de
l’impédance de surface (courbe bleue) et de la phase à la réflexion (courbe verte) de la SHI-CMA
en fonction de la fréquence pour une incidence normale.
92
IV.2.2 Conception de la Surface Partiellement Réfléchissante

(SPR)
Dans la perspective de conception d’une SPR présentant une phase proche de zéro
dans la bande X, une analogie avec la SHI-CMA s’est imposée. Afin de rendre la SHI
partiellement réfléchissante, le plan de masse est remplacé par une grille métallique assu-
rant l’effet inductif indispensable pour la résonance de la surface. La figure IV.6 présente
la cellule élémentaire de la SPR proposée. Il s’agit d’un matériau composite réalisé en
déposant un pavé métallique sur une des faces d’un substrat diélectrique et une croix
métallique sur l’autre face. La SPR-CMA réalisée sur le substrat époxy est présentée sur
la figure IV.7.
Fig. IV.6 – Schéma de la cellule élémentaire d’une SPR-CMA.
Fig. IV.7 – Les deux faces de la SPR-CMA réalisée sur le substrat époxy par gravure LPKF.
IV.2.2.1 La phase à la réflexion en incidence normale
Le même substrat diélectrique consacré pour la réalisation de la SHI-AMC, a été utilisé

pour la SPR-CMA. Le réseau périodique de celle-ci a un pas de 4 mm. L’espacement entre
les pavés métalliques est de 400 µ et la largeur des lignes formant la grille inductive est
de 1, 2 mm. La figure IV.8 présente la variation de la phase du coefficient de réflexion
93
en incidence normale en fonction de la fréquence de la SPR-CMA proposée. Les courbes

montrent le comportement en CMA dans la bande X entre 8 et 12 GHz.
Fig. IV.8 – Variation de la phase à la réflexion en incidence normale de la SPR-CMA proposée

(εr = 3.9, δ = 0.0197, h = 1, 2 mm, a = 4 mm, g = 400 µ, w = 1, 2 mm) mesurée et calculée
par la méthode des éléments finis (HFSS) et par FDTD.
IV.2.2.2 Le comportement en SHI
Nous avons tracé à partir du coefficient de réflexion l’impédance de surface de la SPR-

CMA. La figure IV.9 présente le résultat obtenu dans les deux cas : simulations (figure
IV.9.a) et mesures (figure IV.9.b). Malgré la différence entre le niveau d’amplitude de
l’impédance simulée et celle mesurée aux alentours de la résonance à 9, 7 GHz, on note
dans les deux cas une très haute impédance sur un même domaine de fréquence assez
large. La SPR se comporte donc comme une surface à haute impédance sur ce domaine.
IV.2.3 Conception d’une antenne imprimée fonctionnant en

bande X
L’antenne est un dispositif de couplage entre une onde guidée le long d’une ligne et celle
rayonnée dans l’espace. Elle permet de recevoir et d’émettre les ondes électromagnétiques.
Une antenne à éléments rayonnants imprimés est constituée d’un plan de masse et d’un
substrat diélectrique dont la surface porte un ou plusieurs éléments métallisés [Com97]. Les
éléments rayonnants les plus simples ont la forme d’un rectangle, d’un disque circulaire,
d’un triangle ou d’un anneau. L’élément rayonnant forme une cavité diélectrique avec le
94
Fig. IV.9 – Résultats de simulation (a) et de mesures (b) de la variation du module de

l’impédance de surface (courbe bleue) et de la phase à la réflexion (courbe verte) de la SPR-CMA
en fonction de la fréquence pour une incidence normale.
plan de masse. Le fonctionnement de l’antenne ainsi réalisée peut être expliqué par le
modèle de la cavité à fuite. Le principe de fonctionnement est détaillé dans l’annexe C.
Ce type d’antennes semble le plus adéquat pour nos applications. En effet, ce sont des
dispositifs bien maı̂trisés, légers, peu volumineux et peu onéreux. La faible bande passante
et le rayonnement parasite de la sonde forment les inconvénients les plus importants de
ces antennes.
Dans notre cas, les antennes imprimées peuvent être facilement réalisables par la gra-
vure mécanique LPKF utilisée jusqu’ici pour la réalisation de nos structures planaires. De
plus, cette antenne se présente comme la solution idéale pour une réduction maximale de
l’épaisseur de nos cavités.
95
IV.2.3.1 Conception et alimentation de l’antenne
Nous avons décidé de concevoir une antenne imprimée rectangulaire. L’admittance de

ce type d’antennes dépend du point où s’effectue l’alimentation et de la longueur L de
l’élément rayonnant. Celle-ci est généralement de longueur légèrement plus petite que la
moitié de la longueur d’onde effective. L’adaptation de l’antenne à la ligne d’alimenta-
tion dépend donc essentiellement de ces deux dimensions. Des formules analytiques et
expérimentales sont données pour concevoir ce genre d’antenne [Bal82].
Nous avons opté pour une alimentation par câble coaxial de notre antenne. Pour
ce type de connexion, le conducteur central est connecté en un point situé sur l’axe
de symétrie de l’élément rayonnant. La position plus ou moins proche du bord permet
d’adapter l’antenne. Enfin, le conducteur extérieur est relié au plan de masse.
Afin de dimensionner notre antenne, nous avons donc commencé par une étude théorique
en utilisant les formules les plus utilisées dans la littérature [Bal82, Com97] (annexe C).
Des simulations par la méthode des éléments finis (HFSS) nous ont par la suite permis
d’optimiser la structure en tenant compte des conditions réelles d’alimentation et des
pertes dans le diélectrique. Nous avons fini par réaliser une antenne de 6, 8 mm de largeur
et de 6, 6 mm de longueur fonctionnant à 11 GHz. La distance du point d’alimentation
par rapport au bord de l’antenne est de 1, 5 mm. La figure IV.10.a présente un schéma
descriptif de l’antenne réalisée. L’antenne réalisée pratiquement par gravure LPKF est
illustrée par la figure IV.10.b.
Fig. IV.10 – a)Schéma descriptif de l’antenne imprimée ; b) l’antenne réalisée par gravure
LPKF sur le substrat époxy.
IV.2.3.2 Caractéristiques de l’antenne
L’analyseur de réseau mesure directement le coefficient de réflexion de l’antenne en

fonction de la fréquence. Nous utilisons 801 points de mesures entre 7 et 13 GHz pour la
96
mesure de l’adaptation de l’antenne grâce à l’analyseur de réseau vectoriel Agilent 8722ES.

La figure IV.11 présente les résultats de mesures et de simulations donnant la variation du
coefficient de réflexion de l’antenne imprimée en fonction de la fréquence. Le pic corres-
pondant au minimum de réflexion indique la résonance de l’antenne. Celle-ci se situe aux
alentours de 11 GHz. L’antenne présente une bande passante de l’ordre de 10 % autour
de cette fréquence.
Fig. IV.11 – Variation du coefficient de réflexion de l’antenne imprimée en fonction de la

fréquence (mesures et simulations).
Le diagramme de rayonnement se mesure en utilisant un système de deux antennes,

l’une en émission, l’autre en réception. La mesure se fait dans une chambre anéchoı̈que.
L’antenne à mesurer est déposée à l’une des extrémités de la chambre sur un support
rotatif automatisé. A l’autre extrémité, un cornet large bande (7 à 16 GHz) est déposé à
une distance égale à 2, 1 m. La figure IV.12 présente le schéma et la photo du dispositif
expérimental utilisé pour nos mesures. La disposition du cornet par rapport à l’antenne
sous test permet de choisir le plan de coupe correspondant à la mesure. Les deux antennes
sont connectées à l’analyseur de réseau vectoriel Agilent 8722ES. Le système global est
géré et contrôlé par un ordinateur permettant de récupérer les résultats de mesures pour
chaque disposition angulaire.
97
Fig. IV.12 – Schéma descriptif(a) et photo (b) du dispositif expérimental pour la mesure du
diagramme de rayonnement.
Le diagramme de rayonnement de l’antenne imprimée doit présenter un seul lobe prin-

cipal à la verticale au plan de masse. Il doit présenter un niveau faible des lobes secondaires
pour favoriser la direction dans l’axe. Le maximum du niveau des lobes secondaires toléré
est inférieur à –15dB. La figure IV.13 présente le diagramme de rayonnement dans les
deux plans E et H. nous remarquons la présence d’une légère dissymétrie dans le plan E
essentiellement due au rayonnement de la sonde d’alimentation de l’élément rayonnant.
Fig. IV.13 – Diagrammes de rayonnement dans les plans E et H obtenus par simulations
numériques (FEM-HFSS)(a) et par mesures expérimentales (b).
98
IV.2.4 Étude de la cavité à base de métamatériaux

Après avoir dimensionné l’antenne imprimée dans le paragraphe précédent, nous étudierons
dans cette partie la cavité résonante à base de métamatériaux qui sera alimentée par cette
antenne. Nous utiliserons alors la surface à haute impédance et la surface partiellement
réfléchissante précédemment dimensionnées et caractérisées.
IV.2.4.1 Conception
La cavité de type Fabry-Pérot est constituée d’un plan réflecteur au-dessus duquel est
déposé une surface partiellement réfléchissante jouant le rôle d’une fenêtre d’émission. La
structure totale est excitée par une antenne imprimée insérée au niveau du plan réflecteur.
La figure IV.2 présente un schéma descriptif simplifié de la cavité.
Le plan réflecteur de la cavité est réalisé à partir de la surface à haute impédance à
base de conducteur magnétique artificiel planaire précédemment dimensionnée pour avoir
une phase à la réflexion proche de zéro dans la bande X. Ainsi, les pavés métalliques
de la SHI-CMA viendront entourer l’élément rayonnant formant ainsi le premier miroir
totalement réfléchissant de la cavité. Le deuxième miroir de la cavité est semi-réfléchissant.
Il est formé par la SPR-AMC caractérisée précédemment. La structure totale ainsi réalisée
est présentée dans la figure IV.14.
Fig. IV.14 – La cavité de type Fabry-Pérot à base de métamatériaux.
IV.2.4.2 Effet de la SHI-CMA sur les performances de l’antenne
L’antenne imprimée dimensionnée précédemment pour fonctionner à 11 GHz est uti-

lisée comme source d’excitation de la cavité. Elle est entourée par les cellules du réseau
périodique de la SHI-CMA pour former un des deux plans miroirs de la cavité. Il était
intéressant d’étudier l’effet de la SHI-CMA sur les différentes caractéristiques de l’antenne
99
avant de faire l’étude de la structure totale. La figure IV.15.a présente la configuration

utilisée pour entourer l’antenne par la SHI-CMA. Le circuit ainsi réalisé est illustré dans
la figure IV.15.b. Un défaut est alors introduit dans la SHI-CMA en enlevant un certain
nombre de pavés métalliques afin d’insérer l’antenne. La surface du défaut a une forme
en carré symétrique par rapport au centre de l’antenne.
Fig. IV.15 – Le schéma (a) et le circuit réalisé (b) de l’antenne imprimée entourée par le
réseau périodique de cellules métallodiélectriques de la SHI-CMA.
a) Influence de l’espacement entre l’antenne et la SHI-CMA : Les courbes

de la figure IV.16 présentent les résultats de simulations par la méthode des éléments
finis (HFSS) concernant l’adaptation de l’antenne obtenus pour différentes valeurs du
nombre de pavés retirés. Celui-ci impose l’espacement entre l’antenne et la SHI-CMA et
en conséquence sur l’adaptation de l’antenne. La structure totale simulée contient 14 par
14 cellules de la SHI-CMA. Lorsque la première couche de cellules de la SHI-CMA est très
proche de l’antenne, dans le cas d’un défaut carré de 4 cellules (2X2), on remarque un
effet très sensible sur l’adaptation de l’antenne. Dès que la SHI-AMC s’éloigne du patch
rayonnant, l’antenne retrouve son adaptation initiale. Lorsque les pavés métalliques de la
SHI-CMA sont très proches de l’élément rayonnant, l’adaptation se détériore en faveur
d’un élargissement de la bande passante de l’antenne. En effet, dans cette configuration, les
pavés de la SHI-CMA se mettent à rayonner à cause du couplage électromagnétique avec
l’antenne imprimée. Les modes de résonance des pavés métalliques de la SHI-CMA étant
différents de ceux de l’élément rayonnant, le niveau du pic de résonance de l’antenne chute
et la bande passante devient plus large. Ce même principe est souvent utilisé pour élargir
la bande passante des antennes imprimées jugée très étroite dans beaucoup d’applications.
En effet, un deuxième élément rayonnant placé à proximité de l’élément principal permet
d’élargir la bande de la structure totale.
100
Fig. IV.16 – La variation de l’adaptation en fonction de la fréquence pour différentes dimen-

sions du défaut crée dans la SHI-AMC entourant l’antenne (Résultats de simulations FEM-
HFSS).
Le but de l’utilisation de la SHI-CMA est de réaliser un plan réflecteur présentant

une phase à la réflexion proche de zéro. L’utilisation d’une surface ayant un défaut de 4
cellules (2X2) paraı̂t le mieux adaptée à notre application puisqu’elle permet d’avoir ce
niveau de phase sur la plus grande surface possible.
La figure IV.17 présente les résultats de mesures et de simulations de la variation
de l’adaptation de l’antenne avec et sans la SHI-CMA en fonction de la fréquence. Un
défaut de 4 cellules (2X2) est introduit dans la structure avec SHI-CMA dans les deux
cas : mesures et simulations. Malgré une différence d’amplitude entre les résultats de
simulations et de mesures, ces derniers confirment ce phénomène d’élargissement de bande
grâce à la SHI-CMA lorsque les pavés métalliques sont très proches de l’antenne.
Nous avons présenté dans la figure IV.18 le diagramme de rayonnement de l’antenne
pour différentes dimensions des défauts introduits dans la SHI-CMA. Nous retrouvons le
phénomène de couplage électromagnétique entre les pavés métalliques et l’antenne dans
le cas où l’espacement est très faible. En effet, l’apparition de deux lobes secondaires dans
le plan E traduit ce phénomène. Enfin, le niveau du gain est naturellement plus faible
sans la courbe du plus petit défaut puisque l’adaptation est moins bonne dans ce cas à
101
Fig. IV.17 – La variation de l’adaptation de l’antenne sans et avec la SHI-CMA en fonction

de la fréquence.
11 GHz.
Fig. IV.18 – Le diagramme de rayonnement en gain dans le plan E (a) et H (b) à 11 GHz
pour différentes dimensions du défaut crée dans la SHI-AMC entourant l’antenne (Résultats de
simulations HFSS).
Enfin, nous présentons dans la figure IV.19 le diagramme de rayonnement de l’antenne

entourée par une SHI-CMA. Il s’agit de l’antenne présentée dans la figure IV.15.b. On
retrouve dans ce diagramme le résultat de simulations dans le cas d’un défaut de 4 cellules
(2X2). Le gain de l’antenne dans ce cas est normalisé mais il est en réalité assez faible à
11 GHz. Ce qui explique que le signal devient très bruité à –30dB.
102
Fig. IV.19 – Le diagramme de rayonnement en gain mesuré dans le plan E et H à 11 GHz

de l’antenne entourée par une SHI-CMA ayant un défaut de 2X2.
b) Influence des dimensions de la SHI-CMA entourant l’antenne : Nous nous

sommes intéressés à l’influence des dimensions de la SHI dans le cas d’un défaut carré de 4
cellules. La figure IV.20 présente la variation de l’adaptation en fonction des dimensions de
la SHI entourant l’antenne pour une taille identique du plan de masse. Nous avons essayé
d’augmenter le nombre de couches des cellules qui entourent l’antenne et nous avons
remarqué une variation très sensible de l’adaptation pour les deux premières couches. Un
élargissement de la bande et une diminution de l’amplitude du pic de la résonance sont
constatés dans tous les cas.
Les diagrammes de rayonnement présentés dans la figure IV.21 montrent la possibi-

lité de l’augmentation du gain et de la directivité dans la direction normale au plan de
l’antenne grâce aux deux premières couches de SHI-CMA. L’utilisation d’une grande sur-
face favorise l’apparition des lobes secondaires et la diminution du gain dans la direction
normale au plan de l’antenne.
103
Fig. IV.20 – La variation de l’adaptation en fonction du nombre de couches de SHI-CMA

entourant l’antenne (Résultats de simulations FEM- HFSS).
Fig. IV.21 – Le diagramme de rayonnement en gain dans le plan E (a) et H (b) à 11 GHz
pour différents nombres de couches de la SHI-AMC entourant l’antenne (Résultats de simulations
HFSS).
104
IV.2.4.3 Prédiction des modes de résonances par le modèle des rayons op-
tiques
Afin de prédire les modes de résonance de la cavité, nous avons utilisé les phases à
la réflexion de nos deux plans réflecteurs calculées et caractérisées précédemment pour
chaque fréquence (figure IV.22.a). Ainsi et en considérant la relation IV.6 du modèle
des rayons optiques, nous avons déterminé la variation de l’épaisseur de résonance h
en fonction de la fréquence. La figure IV.22.b présente le résultat obtenu dans notre cas
[OdLL06a]. Nous remarquons alors qu’aux alentours de 10 GHz nous obtenons des modes
de résonances de premier ordre (N = 0) pour de très faibles épaisseurs de la cavité. Un
saut de mode est ensuite observé à ∼ 10, 2 GHz. Les résonances obtenues après cette
fréquence correspondent aux modes d’ordre 1 (N = 1).
IV.2.4.4 Etude de la cavité de 0, 5 mm d’épaisseur
Etant donné que le modèle optique prévoit des résonances pour de faibles épaisseurs
pour les fréquences proches de 10 GHz, nous nous sommes intéressés à l’étude de la cavité
de 0, 5 mm d’épaisseur. Celle-ci est la cavité la plus compacte que nous ayons pu réaliser en
pratique. En effet, les séparateurs de 500 µm d’épaisseur nous ont imposé cette épaisseur
de la cavité. De plus, avec une épaisseur plus faible de la cavité, nous risquions de causer
un contact entre la soudure de l’antenne et une des cellules de la SPR-CMA. Ceci affectera
directement l’adaptation, le rayonnement de la source et la validité de l’application du
modèle des rayons optiques à notre structure.
a) Adaptation : La figure IV.23 présente la variation du module du coefficient de

réflexion de l’antenne insérée dans la cavité à base de métamatériaux, en fonction de la
fréquence. Les résultats de mesures et de simulations résumés par cette figure montrent un
minimum de réflexion à ∼ 10, 1 GHz. Ce creux correspond au premier mode de résonance
de la cavité. La fréquence de résonance de la cavité, correctement prédite par le modèle des
rayons optiques dont les résultats sont présentés par la figure IV.22 [OdLL06a], coı̈ncide
donc avec la fréquence à laquelle nous avons la meilleure adaptation de l’antenne.
b) Diagramme de rayonnement : Le diagramme de rayonnement de la cavité doit

présenter un seul lobe principal dans la direction normale au plan de l’antenne. Le principe
de la cavité de type Fabry-Pérot autorise une interférence constructive dans cette dernière
direction et destructive dans les autres directions. L’utilisation d’une antenne imprimée
favorise aussi le rayonnement dans la direction verticale. Elle aide aussi à réduire le niveau
des lobes secondaires surtout dans le plan H. Les figures IV.24.a et IV.24.b présentent le
105
Fig. IV.22 – a) La variation de la phase à la réflexion des deux surfaces à base de AMC
constituant la cavité ; b) L’épaisseur de résonance de la cavité prédite par le modèle des rayons
optique en fonction de la fréquence en utilisant les phases à la réflexion de la SHI et de la SPR
mesurées et calculées par la méthode des éléments finis.
diagramme de rayonnement respectivement dans le plan E et H de l’antenne. On obtient

un rayonnement assez directif avec un lobe principal. Une légère dissymétrie dans le plan
E est à noter. Elle est due probablement à la nature de l’alimentation de l’antenne. Enfin,
la directivité mesurée est supérieure à celle prévue par les simulations puisque la structure
simulée est plus petite (∼ 2λ) que celle réalisée pour les mesures (∼ 4λ).
106
Fig. IV.23 – Adaptation de la cavité de 0,5 mm d’épaisseur à base de métamatériaux alimentée

par l’antenne imprimée présentée précédemment.
Fig. IV.24 – Le diagramme de rayonnement en gain dans le plan E (a) et H (b) à 10, 1 GHz
de la cavité de 0, 5 mm d’épaisseur de (∼ 2λ) de largeur dans le cas des simulations et (∼ 4λ)
dans le cas des mesures.
Nous présentons dans la figure IV.25 le diagramme de rayonnement de la cavité en

échelle linéaire et polaire [Our06a]. Les ouvertures angulaires à −3dB (50%) dans les deux
plans E et H sont respectivement de l’ordre de 22 et 24◦ . On peut alors en déduire que
la directivité mesurée est de l’ordre de 78 soit 18, 9 dB. Cette valeur est déterminée en
107
utilisant la relation IV.17.
Fig. IV.25 – Le diagramme de rayonnement linéaire polaire en gain dans le plan E (a) et H
(b) à 10, 1 GHz de la cavité de 0, 5 mm d’épaisseur.
Nous avons noté en simulation une augmentation du gain maximal de l’antenne. En ef-
fet, nous sommes passés de ∼ 4 dB de gain avec l’antenne toute seule à ∼ 7 dB en insérant
celle-ci dans la cavité. Cette augmentation s’explique essentiellement par l’amélioration
de la directivité. L’augmentation du gain n’est pas aussi importante que celle à laquelle
on pouvait s’attendre pour au moins une raison : la structure simulée est très petite (pour
des raisons d’encombrement mémoire).
IV.2.4.5 Analyse des résultats obtenus
L’utilisation de la cavité à base de métamatériaux a permis d’augmenter la directivité

de l’antenne dans la direction verticale. Cependant, la valeur obtenue est en dessous des
valeurs souvent atteintes par les cavités de type Fabry-Pérot. Afin de mieux comprendre
l’origine de ce résultat, nous avons mesuré le rayonnement de la structure pour d’autres
épaisseurs. La figure IV.26.a présente les diagrammes obtenus à la fréquence de résonance
de la cavité dans chaque cas. Une amélioration de la directivité peut alors être constatée
avec l’augmentation de la l’épaisseur de la cavité. Ceci est confirmé par la courbe de
la figure IV.26.b donnant la variation de l’ouverture angulaire à –3dB en fonction du
rapport entre l’épaisseur et la longueur d’onde [OdLL06a]. La corrélation entre le facteur
de qualité de la cavité et son volume est certainement un des facteurs qui peut expliquer
le niveau de directivité obtenu.
108
Fig. IV.26 – a)Le diagramme de rayonnement linéaire polaire en gain dans le plan E de la
cavité pour différentes valeurs de l’épaisseur h ; b) Variation de l’ouverture angulaire du rayon-
nement dans le plan E en fonction du rapport entre la l’épaisseur de la cavité et la longueur
d’onde.
Les pertes dans les matériaux sont souvent l’origine des mauvaises performances des
antennes en hyperfréquences. Ainsi et afin d’éviter le confinement des champs à l’intérieur
des structures métallodiélectriques, des substrats diélectriques à faibles pertes sont souvent
utilisés. Les substrats ayant un facteur de dissipation inférieur à 2.10−3 sont généralement
conseillés pour un meilleur rendement. Pour des raisons de simplicité de réalisation et
de meilleure tenue mécanique, nous avons utilisé pour notre démonstration un substrat
diélectrique présentant un facteur de dissipation de 2.10−2 . Celui-ci est certainement très
élevé pour ce genre d’application d’autant plus que les pertes se sont multipliées à cause de
l’utilisation de métamatériaux résonants pour la réalisation des plans miroirs de la cavité.
La courbe de la figure IV.27.a montre que le maximum de pertes dans la SHI-CMA en
incidence normale est obtenu aux alentours de la fréquence de résonance de la surface à
10, 5 GHz. Au lieu d’avoir une réflexion à 0dB (R = 1), nous avons ici un minimum dû
au facteur de dissipation élevé du substrat utilisé pour la réalisation de la SHI-CMA. De
même, et comme le montre la figure IV.27.b, un maximum de pertes peut être constaté
aux alentours de 9, 7 GHz : la fréquence de résonance de la SPR-CMA. Etant donnée
que la fréquence de résonance de la cavité est proche de ces deux fréquences, les pertes
s’additionnent dans la structure globale et affectent le rendement de celle-ci.
Enfin, dans les travaux de Von Trentini [Tre56], une démonstration théorique a été
donnée concernant l’augmentation de la directivité proportionnellement au niveau de
réflexion de la SPR. Quand on regarde le niveau de transmission de la SPR, utilisée dans
109
Fig. IV.27 – a)Variation du module du coefficient de réflexion en incidence normale de la

SHI-CMA en fonction de la fréquence ; b) Variation du module des coefficients de réflexion et
de transmission en incidence normale de la SPR-CMA en fonction de la fréquence.
notre, cas on remarque qu’il est pratiquement à son maximum à la fréquence de résonance
de la cavité alors qu’il est plus faible ailleurs. Cela peut donc aussi expliquer le niveau de
directivité obtenu dans notre cas.
IV.3 Optimisation de la cavité à base de métamatériaux
Cette partie présente les résultats d’optimisation de la cavité à base de métamatériaux.

Le but de ce travail est d’améliorer les performances de l’antenne en éliminant les contraintes
liées à l’utilisation des métamatériaux. Afin d’obtenir une haute directivité tout en ga-
rantissant la compacité de la structure, les métamatériaux doivent être utilisés dans le
domaine de fréquence où les pertes sont assez faibles. De plus, l’utilisation d’un seul
métamatériau permettrait de réduire ces pertes. La solution qui paraı̂t donc la plus conve-
nable est d’associer un plan de masse à une SPR à base de métamatériaux présentant une
phase à la réflexion normale inférieure à –100◦ . Cela permettra de minimiser la somme des
phases et réduire l’épaisseur de la cavité. De plus, en dehors de la zone du comportement
en CMA, les pertes dans une SPR-CMA seront minimales. En effet, le maximum de pertes
se situe aux alentours de la fréquence de résonance où la phase à la réflexion est proche
de zéro.
110
IV.3.1 Conception de la cavité

La cavité proposée est formée d’un plan de masse et d’une SPR à base de CMA. Une
antenne imprimée sur un substrat diélectrique au-dessus d’un plan de masse assure l’ali-
mentation de la structure globale. Le schéma descriptif de la structure globale est illustré
par la figure IV.28. La SPR-CMA est réalisée à partir d’une reproduction périodique d’une
cellule métallo diélectrique. Le métamatériau composite ainsi réalisé est de même type
que celui utilisé dans la deuxième partie.
Fig. IV.28 – Schéma descriptif de la cavité de type Fabry-Pérot à base d’un seul métamatériau.
Des simulations numériques par la méthode des éléments finis (HFSS) ont permis
de dimensionner la SPR-CMA. La figure IV.28 présente les résultats de mesures et de
simulations concernant les coefficients de réflexion et de transmission de la SPR. Ainsi
on peut voir sur les courbes de la figure IV.29.a que la transmission est inférieure à
–15dB à travers la surface aux alentours de 10 GHz [OdLL06b]. La SPR-CMA est donc
partiellement réfléchissante dans ce domaine de fréquences. On remarque aussi que les
pertes dans cette zone sont plus faibles. La courbe de la figure IV.29.b présente la phase
du coefficient de réflexion en incidence normale [OdLL06b]. Celle-ci est inférieure à –100◦
sur une large bande de fréquences aux alentours de 10 GHz. Par conséquent, elle satisfait
bien notre cahier de charges.
IV.3.2 Modes de résonances

Une prédiction des résonances de la cavité est donnée par le modèle optique en utilisant
la relation IV.6 liant les phases à la réflexion des plans miroirs de la cavité à l’épaisseur
de la cavité et à la longueur d’onde. La figure IV.30 présente la variation de l’épaisseur de
111
Fig. IV.29 – a) Module des coefficients de transmission et de réflexion en incidence normale

de la SPR-CMA (εr = 3.9, δ = 0.0197, h = 1, 2 mm, a = 6 mm, g = 400 µ, w = 4 mm) ;
b) Variation de la phase du coefficient de réflexion en incidence normale de la SPR-CMA en
fonction de la fréquence.
résonance de la cavité en fonction de la fréquence déterminée par ce modèle [OdLL06b].

La courbe est tracée en utilisant les phases à la réflexion de la SPR-CMA et du plan de
masse couvert par le substrat diélectrique mesurées et calculées numériquement par la
méthode des éléments finis. Les courbes ainsi obtenues indiquent l’existence de modes de
résonances de premier ordre pour des épaisseurs très faibles aux alentours de 10 GHz. Un
passage aux modes de résonance de deuxième ordre est ensuite observé.
IV.3.3 Performance de la cavité de 1 mm d’épaisseur

L’adaptation de la cavité de 1 mm d’épaisseur présentée sur la figure IV.31 fait ap-
paraı̂tre un pic de résonance à 9, 7 GHz [OdLL06b]. Il s’agit de la première résonance
pour cette épaisseur comme l’a prédit le modèle optique. La cavité proposée est très
λ
compacte puisqu’elle a une épaisseur de 30
(espacement entre les deux plans miroirs de
la cavité). Les résultats de mesures et simulations sont en concordance et montrent une
bonne adaptation de la structure totale à la résonance.
A partir des diagrammes de rayonnement linéaires et polaires de la cavité dans les
deux plans présentés sur la figure IV.32 nous pouvons noter une directivité proche de
160 (∼ 22dB) [OdLL06b]. Celle-ci est plus élevée sur les résultats de mesures car les
dimensions latérales de la structure simulée sont inférieures à celle réalisée en pratique.
Le rayonnement est donc beaucoup plus directif dans cette configuration avec un seul
métamatériau. La réduction des pertes dans les plans miroirs de la structure a permis
d’améliorer les performances de la cavité malgré le fort facteur de dissipation du sub-
112
Fig. IV.30 – La variation prédite par le modèle des rayons optiques de l’épaisseur de résonance
de la cavité en fonction de la fréquence.
Fig. IV.31 – Adaptation de la cavité de 1 mm d’épaisseur à base d’un seul métamatériau.
strat diélectrique. Les lobes secondaires sont rejetés à plus de –15dB comme le montre
la figure IV.33. Enfin, une augmentation du gain maximal de l’antenne a été notée en
simulation : nous sommes passé de ∼ 4dB à ∼ 6 dB en utilisant la cavité à base d’un seul
113
métamatériau. L’amélioration de la directivité explique cette augmentation du gain.
Fig. IV.32 – Le diagramme de rayonnement linéaire polaire en gain dans le plan E (a) et H
(b) à 9, 7 GHz de la cavité de 1 mm d’épaisseur à base d’un seul métamatériau.
Fig. IV.33 – Diagramme de rayonnement en gain mesuré dans le plan E (a) et H (b) à
9, 7 GHz de la cavité de 1 mm d’épaisseur à base d’un seul métamatériau.
114
Conclusion
Conclusion
L’amélioration des propriétés des antennes à l’aide des surfaces à base de conduc-
teurs magnétiques artificiels planaires est montrée dans ce chapitre. Une cavité de type
Fabry-Pérot est conçue à partir de ces métamatériaux. Les performances d’une antenne
imprimée en terme de directivité ont été accrues. Malgré les pertes importantes dans les
métamatériaux à base de CMA, des directivités assez élevées peuvent être atteintes. De
plus, la réalisation facile de ce genre de matériaux par rapport aux structures de Sieven-
piper avec les trous métallisés permet de réduire les coûts de fabrication pour ce genre
d’application.
Etant donné que la directivité dépend directement du facteur de qualité de la cavité et
que celui-ci dépend du volume de la cavité, il convient de trouver un compromis entre la
compacité de la structure et son rendement. Des performances acceptables sont réalisables
avec des cavités très compactes par rapport aux structures traditionnelles à base de cavité
de type Fabry-Pérot ou à résonateur BIP.
La dernière partie concernant l’optimisation de la cavité nous a montré la possibilité
de réalisation de structures à haute directivité simples et ultra-compactes. En effet, en
travaillant en dehors de la zone du comportement en CMA, nous pouvons éviter les pertes
dans ces métamatériaux pour obtenir un meilleur rendement de la structure globale.
De plus, l’utilisation du plan de masse comme deuxième miroir de la cavité simplifie la
structure et permet d’associer ce genre de cavité à plusieurs types d’antennes. Le rôle de
la SPR à base de CMA est donc très important pour le bon fonctionnement de la cavité et
pour atteindre des épaisseurs très faibles. Il faut donc le dimensionner judicieusement pour
espérer améliorer le rendement d’une antenne en terme de gain, compacité et rayonnement.
Pour conclure, les avantages de l’introduction des métamatériaux à base de CMA pla-
naires dans le domaine des antennes sont multiples. Elles concernent le gain, la directivité
et compacité de ces structures. Une démonstration de certains de ces avantages a été
présentée dans ce chapitre.
115
Bibliographie
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1982.
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[OdLL06b] A. Ourir, A. de Lustrac, and J-M. Lourtioz. Optimization of metamaterial
based subwavelength cavities for ultra-compact directive antennas. Microwave
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wavelength metamaterial-based cavities. Applied Physics Letters, 86 :101101,
2005.
116
Chapitre V
Application des Métamatériaux pour

le contrôle du rayonnement des
antennes
Sommaire
V.1 Cavité à base de métamatériaux à rayonnement contrôlable 119
V.2 Conception et étude numérique . . . . . . . . . . . . . . . . . 121
V.3 Réalisation et Caractérisation . . . . . . . . . . . . . . . . . . 131
Conclusion . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 136
Bibliographie . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 137
L es antennes à rayonnement contrôlable permettent d’apporter une amélioration si-

gnificative et une multiplication des services aux utilisateurs. Les réseaux d’an-
tennes actifs étaient les premières solutions dans ce domaine. En 2003, une antenne à
base de matériaux BIP cylindrique permettant de créer un faisceau directif contrôlable
a été présentée dans le cadre d’un projet RNRT [Bou03]. Récemment, des réseaux de
structures métallodiélectriques périodiques planaires ont été proposés pour le contrôle du
rayonnement [PTP99, KHR03, Sie06]. Une solution à base de matériaux à main gauche
a aussi été présentée [CWR+ 06]. Elle propose de contrôler le rayonnement grâce à un
radôme actif.
117
V Application des Métamatériaux pour le contrôle du rayonnement des antennes
Dans ce chapitre, nous présentons une solution à base de cavités de type Fabry-Pérot
pour le contrôle directionnel du rayonnement. Le principe de fonctionnement de la solu-
tion proposée est alors détaillé dans une première partie. La méthode de conception de
la structure est présentée. Dans la deuxième partie, nous faisons une étude numérique
décrivant l’influence des paramètres physiques sur le comportement de la cavité proposée.
Enfin, des résultats de simulations numériques et des mesures expérimentales caractérisant
le fonctionnement d’un prototype de ce type de structures sont présentés.
118
V.1 Cavité à base de métamatériaux à rayonnement contrôlable
V.1 Cavité à base de métamatériaux à rayonnement

contrôlable
Les surfaces à bases de conducteurs magnétiques artificiels ont joué un rôle prépondérant
dans la réalisation des cavités directives et compactes [OdLL06]. En effet, nous avons
réalisé dans la deuxième partie du chapitre précédent une antenne directive avec un en-
combrement réduit. Le dispositif proposé est une cavité de type Fabry-Pérot constituée
d’un plan de masse métallique et d’une SPR-CMA. En changeant les caractéristiques de
la SPR dans cette structure, nous espérons privilégier certaines directions de propaga-
tions. En effet, les surfaces à base de CMA périodiques réalisées jusqu’ici sont homogènes
(par rapport à la longueur d’onde) et isotropes dans deux directions. Une perturbation
maı̂trisée de cette homogénéité de la SPR permettrait alors de contrôler le rayonnement
de l’antenne.
Dans cette partie, nous détaillons les étapes de conception d’un dispositif utilisant ce
type de surfaces et permettant le contrôle directionnel du rayonnement. La méthodologie
de conception et les performances électromagnétiques de ces structures seront alors présentées.
V.1.1 Principe de fonctionnement

Le système : plan de masse – SPR (figure V.1.a), est équivalent à un guide dans
lequel sont taillées des fentes régulièrement espacées (figure V.1.b). Il constitue donc un
alignement de source qui peut être étudié comme un réseau d’antennes. Le déphasage créé
entre les fentes détermine la direction de rayonnement [Com97]. Avec la SPR homogène,
les rayons à la sortie de la cavité sont en phase à la résonance et le rayonnement est
perpendiculaire au plan de la structure. Nous allons donc créer un déphasage régulier sur
la SPR permettant de faire varier la direction de rayonnement.
Fig. V.1 – a) Cavité constituée d’un plan de masse métallique et d’une surface partiellement
réfléchissante à base de conducteur magnétique artificiel. b) guide à fentes shunt sur la grande
face.
119
Afin de réaliser un déphasage dans une direction entre les cellules d’une SPR, nous
faisons varier la largeur de l’espacement entre les pavés métalliques de la surface d’une
manière régulière. La figure V.2 décrit la méthode de conception de la SPR. En effet,
l’augmentation uniforme de l’espacement entre les pavés d’une largeur δg fait varier les
caractéristiques de la surface le long de la direction de variation.
Fig. V.2 – Surface Partiellement Réfléchissante à espacement variable dans une direction.
V.1.2 SPR-CMA inhomogène

A cause de la variation de la largeur de l’espacement dans une direction, la SPR est
maintenant partagée en zones de propriétés différentes. En réalité, les paramètres les plus
importants qui vont créer le déphasage à la sortie de la SPR lorsqu’elle est placée dans la
cavité sont les phases du coefficient de réflexion et de transmission de chaque zone.
La figure V.3 présente la variation de la phase du coefficient de réflexion et de transmis-
sion en fonction de la fréquence pour différentes valeurs de la largeur du gap métallique
g d’une SPR. Nous avons considéré à chaque fois une cellule de dimension a = 5 mm
réalisée sur un substrat de permittivité εr = 3, 9 et d’épaisseur h = 1, 2 mm. La lar-
geur de la grille métallique est w = 2, 2 mm. Nous constatons d’après ces courbes que
la variation de l’espacement permet de décaler la phase du coefficient de réflexion et de
transmission simultanément. L’onde qui viendra se réfléchir sur la surface sera déphasée
d’une valeur différente suivant la zone de réflexion. La partie transmise sera aussi affectée
d’un déphasage différent suivant la zone de la SPR concernée. Ces décalages pourraient
donc créer le déphasage souhaité entre les zones de la SPR et contrôler le rayonnement
de la cavité.
On peut aussi remarquer sur les courbes de phase du coefficient de transmission que
celle-ci est toujours comprise entre –90 et 90◦ . Cela est dû au fait que notre structure est
en réalité un filtre passe bande LCR de premier ordre.
120
V.2 Conception et étude numérique
Fig. V.3 – Variation de la phase du coefficient de réflexion (a) et de transmission (b) en

fonction de la fréquence en incidence normale calculée par la méthode des éléments finis (HFSS)
d’une SPR-CMA (εr = 3.9, δ = 0.0197, h = 2, 2 mm, a = 5 mm, w = 1, 2 mm) pour différentes
valeurs de l’espacement entre les pavés.

Après avoir expliqué le principe de fonctionnement de la cavité à rayonnement contrôlable,
nous nous intéressons maintenant à sa conception et à sa caractérisation. Il s’agit de confir-
mer le fonctionnement du modèle et de vérifier les performances de notre structure.
Nous détaillerons dans une première partie l’étude théorique et numérique de la cavité à
rayonnement contrôlable en termes de conception et de prédiction des modes de résonance.
Des résultats numériques et expérimentaux seront présentés dans une deuxième partie.
V.2.1 Méthodologie de conception

La phase à la réflexion de la SPR est uniquement sensible aux ondes incidentes dont
une composante du champ électrique est perpendiculaire aux gaps métalliques réalisés
par les espacements entre les pavées. Etant donné que l’antenne utilisée pour exciter
la structure impose une polarisation TM , où le champ électrique est parallèle au plan
masse et au plan de symétrie de l’antenne, nous considérons la variation de l’espacement
uniquement dans cette même direction. De plus, nous allons simplifier la SPR en utilisant
un modèle semi-unidimensionnel. La figure V.4 présente la cavité résonante proposée
après ces modifications. Comme le montre cette figure, l’antenne plaquée (d’excitation)
est toujours placée au milieu de la cavité. Enfin la SPR est placée à une hauteur h (à
ne pas confondre avec l’épaisseur du substrat) de la surface du substrat diélectrique sur
121
lequel est gravée l’antenne.
Fig. V.4 – La Cavité constituée d’un plan de masse métallique et d’une surface partiellement
réfléchissante uni-dimensionnelle à espacement variable.
Afin de concevoir un prototype et de démontrer le bon fonctionnement de la structure

proposée, nous avons étudié des SPRs avec différentes largeurs de gaps métalliques. La
cellule de base du réseau périodique des SPRs proposées est de dimension a = 5 mm.
Elle est réalisée sur un substrat diélectrique de permittivité εr = 3, 9 et d’épaisseur h =
1, 2 mm. La largeur de grille métallique gravée sur l’autre face du substrat diélectrique
est w = 2, 2 mm. La figure V.5 présente la variation de la phase du coefficient de réflexion
et de transmission des SPR ainsi réalisées pour différentes valeurs de l’espacement entre
les pavés métalliques.
Les courbes de phase montrent la variation de celle-ci grâce à la modification de

la largeur de l’espacement entre les pavés métalliques. En effet, l’augmentation du gap
métallique décale la fréquence de résonance, qui coı̈ncide avec le passage à zéro de la phase
à la réflexion, vers les hautes fréquences. Ce phénomène a été étudié et expliqué dans le
troisième chapitre.
La figure V.6 montre l’évolution de la phase en fonction de la largeur de l’espacement

entre les pavés métalliques à 11 GHz. La variation de la phase n’est pas vraiment linéaire
car la capacité équivalente ne varie pas linéairement en fonction de la largeur du gap.
Pour la conception de la cavité à rayonnement contrôlable, nous considérons que cette
variation est proportionnelle à la largeur de gap de la SPR.
122
Fig. V.5 – Variation de la phase du coefficient de réflexion (a) et de transmission (b) en

fonction de la fréquence en incidence normale calculée par la méthode des éléments finis (HFSS)
d’une SPR-CMA unidimensionnelle pour différentes valeurs de l’espacement entre les pavés. c)
Cellule élémentaire de la SPR (εr = 3.9, δ = 0.0197, h = 1, 2 mm, a = 5 mm, w = 2, 2 mm).
Fig. V.6 – Variation de la phase du coefficient de réflexion en fonction de l’espacement entre les
pavés métalliques d’une SPR unidimensionnelle (εr = 3.9, δ = 0.0197, h = 1, 2 mm, a = 5 mm,
w = 2, 2 mm) calculée à 11 GHz par la méthode des éléments finis (HFSS).
123
V.2.2 Conception d’une cavité à base de SPR unidimension-

nelle à rayonnement contrôlable
V.2.2.1 Conception d’une cavité à base de SPR unidimensionnelle homogène
Avant de concevoir des cavités à rayonnement oblique, nous allons commencer par
réaliser des cavités résonantes à base de SPR homogène unidimensionnelle. Pour cela
nous utilisons le modèle des rayons optiques qui permet de prédire les résonances des
cavités. La figure V.7 présente la variation de la hauteur de résonance, prédite par ce
modèle, d’une cavité à base d’une SPR homogène en fonction de la fréquence. La SPR
unidimensionnelle est réalisée à partir d’un réseau de cellules de dimension a = 5 mm
réalisées sur un substrat diélectrique époxy (εr = 3.9, δ = 0.0197, h = 1, 2 mm). La
largeur de la grille métallique est de w = 2, 2 mm et celle de l’espacement entre les pavés
métalliques est g = 600 µ. Nous remarquons que la SPR pourrait nous permettre de
réaliser des cavités de faibles épaisseurs ayant des résonances aux alentours de 12 GHz.
Particulièrement, une cavité fonctionnant à 11 GHz peut être réaliser avec cette SPR en
fixant l’épaisseur à h = 2 mm.
Fig. V.7 – La variation prédite par le modèle des rayons optiques de la hauteur de résonance
de la cavité à base de SPR unidimensionnelle homogène (a = 5 mm, w = 2, 2 mm, g = 600 µ)
en fonction de la fréquence.
Une étude numérique est faite pour la cavité d’épaisseur h=2mm utilisant la SPR uni-
dimensionnelle décrite précédemment en utilisant des dimensions latérales de 40x40 mm
124
(∼ 1, 5l à 11 GHz). La cavité ainsi réalisée est excitée par une antenne plaquée dimen-
sionnée pour fonctionner à 11 GHz. Les résultats de simulations concernant l’adaptation
de la cavité sont présentées sur la figure V.8. On constate qu’on obtient une résonance
proche ∼ 10, 8 GHz. Le calcul par la méthode des éléments finis concernant l’adaptation
de la cavité rayonnante réalisée, montre que la meilleure adaptation est obtenue pour la
fréquence de résonance prédite par le modèle optique.
Fig. V.8 – Adaptation de la cavité de 2 mm d’épaisseur à base de SPR unidimensionnelle

homogène (a = 5 mm, w = 2, 2 mm, g = 600 µ) calculée par la méthode des éléments finis
(HFSS).
Nous avons calculé le rayonnement de la cavité ainsi réalisée à sa fréquence de résonance.

La figure V.9 présente les diagrammes de rayonnement dans le plan E (φ = 90◦ ) et H
(φ = 0◦ ). On constate que le rayonnement directif perpendiculaire à la cavité est obtenu.
La directivité de la structure est de l’ordre de 13 dB. Le fait qu’elle ne soit pas très
élevée est expliqué par les petites dimensions latérales de la SPR (∼ 1, 5λ). En effet, les
résultats de la figure V.10 montre l’augmentation de la directivité (> 20 dB) grâce à
l’augmentation des dimensions de la SPR (∼ 2, 6λ). De plus, l’adaptation est meilleure
dans ce dernier cas. Cependant, la conception des cavités à rayonnement contrôlable va
nous imposer, comme il est expliqué par la suite, les petites dimensions de 40x40 mm.
125
Fig. V.9 – Le diagramme de rayonnement polaire en gain dans le plan E (φ = 90◦ ) et H (φ =

0◦ ) à 10, 8 GHz de la cavité de 2 mm d’épaisseur à base de SPR homogène unidimensionnelle
(a = 5 mm, w = 2, 2 mm, g = 600 µ).
Fig. V.10 – Adaptation (a) et diagramme de rayonnement polaire en gain (b) dans le plan E
(φ = 90◦ ) et H (φ = 0◦ ) à 10, 8 GHz de la cavité de 2 mm d’épaisseur à base de SPR homogène
unidimensionnelle (a = 5 mm, w = 2, 2 mm, g = 600 µ, δg = 100 µ) ayant des dimensions
latérales de 70X70 mm calculé par la méthode des éléments finis (HFSS).
126
V.2.2.2 Conception d’une cavité à base de SPR unidimensionnelle inho-

mogène à rayonnement oblique
Pour que la cavité puisse présenter un rayonnement oblique, nous utilisons une SPR
inhomogène. Celle-ci sera constituée de plusieurs surfaces homogènes. La zone centrale
sera réalisée à partir de la SPR homogène unidimensionnelle présentée dans le paragraphe
précédent. En réalité, nous utiliserons une seule cellule pour chaque zone. La figure V.11.
présente un schéma descriptif de la cavité.
Fig. V.11 – Schéma descriptif de la Cavité constituée d’un plan de masse métallique et d’une
surface partiellement réfléchissante uni-dimensionnelle à espacement variable.
La cavité proposée est composée de 7 zones. Chaque zone contient une seule cellule
de dimensions a = 5 mm. Les grilles métalliques utilisées sont identiques à celles de la
SPR homogène étudiée dans le paragraphe précédent. Elles sont de largeur w = 2, 2 mm.
Une variation du gap métallique de δg = 100 µ est insérée de part et d’autre de la zone
centrale de largeur de gap g = 600 µ. Ainsi nous passons d’un gap de 300 µ à 900 µ en se
déplaçant d’une extrémité à l’autre de la SPR.
Notre structure peut alors être assimilée à un réseau de 7 antennes distant de a = 5 mm
l’une de l’autre avec un déphasage régulier de ψ. Le rayonnement Et se calcule dans ce
cas pas l’expression suivante donnée en fonction de l’angle θ.
N
X 2π
Et = Eo exp − jn ψ + a cos θ (V.1)
n=0
λ
La figure V.12 présente l’adaptation et le diagramme de rayonnement de la cavité

proposée. La résonance est pratiquement à la même fréquence que celle de la zone cen-
trale. On constate cependant une meilleure adaptation de la structure. Le diagramme de
rayonnement dans le plan H (φ = 0◦ ) est naturellement symétrique et perpendiculaire
127
à la SPR. Enfin, on remarque qu’on obtient bien un rayonnement oblique assez directif
dans le plan E (φ = 90◦ ). Cependant, l’angle de rayonnement n’est pas très élevé : il est
légèrement supérieur à 15◦ .
(f=90◦ ) et H (f=0◦ ) à 10,8 GHz de la cavité de 2mm d’épaisseur à base de SPR inhomogène
unidimensionnelle (a = 5 mm, w = 2, 2 mm, g = 600 µ, δg = 100 µ) calculé par la méthode des
éléments finis (HFSS).
Une image tridimensionnelle présentant le rayonnement de la cavité est illustrée sur

la figure V.13. Elle permet de voir la directivité du rayonnement de la structure et l’in-
existence de lobes secondaires dans d’autres plans.
Afin de vérifier le bon fonctionnement de la structure grâce à ce premier prototype,
nous avons inversé le sens de l’augmentation du gap métallique par rapport à l’alimen-
tation de l’antenne en faisant une simple rotation de 180◦ de la SPR comme le montre
la figure V.14.a. Le diagramme de rayonnement dans le plan E (φ = 90◦ ) et H (φ = 0◦ )
obtenu pour cette configuration est présenté sur la figure V.14.b. On constate alors que
l’inversion de la direction de rayonnement est réalisée.
V.2.2.3 Influence du décalage en espacement entre les pavés métallique sur

le rayonnement de la cavité à rayonnement oblique
L’espacement entre les pavés métalliques g varie d’une zone de la SPR à l’autre.
Il fixe en réalité la phase du coefficient de réflexion et de transmission et par suite le
déphasage de chaque zone. Le décalage dg permet donc de varier le déphasage entre les
zones. La figure V.15 présente le rayonnement de la cavité pour différentes valeurs du
128
Fig. V.13 – Diagramme de rayonnement linéaire polaire tridimensionnelle en gain à 10, 8 GHz
de la cavité de 2 mm d’épaisseur à base de SPR inhomogène unidimensionnelle (a = 5 mm,
w = 2, 2 mm, g = 600 µ, δg = 100 µ) calculé par la méthode des éléments finis (HFSS).
Fig. V.14 – Schéma descriptif (a) et diagramme de rayonnement polaire en gain (b) dans le
plan E (φ = 90◦ ) et H (φ = 0◦ ) calculé par la méthode des éléments finis (HFSS) à 10, 8 GHz
w = 2, 2 mm, g = 600 µ, δg = 100 µ) retournée dans le plan de 180◦ .
129
décalage de l’espacement entre les pavés. On constate sur le diagramme tracé dans le plan
E que l’angle de rayonnement augmente avec l’agrandissement de ce décalage. En effet, le
décalage permet de varier le déphasage entre les zones de la SPR et par la suite l’angle de
rayonnement. C’est un comportement similaire à celui des réseaux d’antennes classiques.
Sur la courbe de rayonnement de la cavité ayant un décalage δg = 150 µ, on constate
l’apparition de lobes secondaires. Ce sont essentiellement des lobes de réseaux puisqu’on
les retrouve dans les deux configurations de la SPR.
Fig. V.15 – Diagrammes de rayonnement en gain calculés par la méthode des éléments finis
(HFSS) dans le plan E (φ = 90◦ ) à 10, 8 GHz de la cavité de 2 mm d’épaisseur à base de SPRs
unidimensionnelles (a = 5 mm, w = 2, 2 mm, g = 600 µ, δg = 100 µ) (a) pour différentes
valeurs du décalage en espacement δg et à base des mêmes SPRs retournées dans le plan de 180◦
(b).
Afin de voir l’effet de la variation du décalage du gap le gain de la structure nous avons
relevé le gain maximale obtenu en simulation dans chaque cas. Nous sommes parti d’une
antenne de 4 dB de gain ayant une adaptation de ∼ −16dB à la résonance (11 GHz)
pour des dimensions latérales de 40x40 mm. Nous avons remarqué que malgré la perte en
adaptation, l’antenne insérée dans la cavité à base de SPR homogène gagne en gain maxi-
male certainement grâce à l’augmentation de la directivité. Ce gain s’accroı̂t légèrement
avec l’insertion d’un décalage de 50 µ dans la SPR. L’amélioration de l’adaptation dans
ce cas peut expliquer cette légère variation du gain. Le gain baisse ensuite en utilisant une
SPR présentant un décalage de 100 µ. Il finit par chuter à 2, 5 dB quand le décalage en
gap entre les pavés de la SPR est de 150 µ. L’apparition des lobes secondaires explique
130
V.3 Réalisation et Caractérisation
ce niveau faible de gain dans le dernier cas.
Tab. V.1 – Adaptation et gain maximal des différentes structures étudiées calculés à la
fréquence de résonance.
Adaptation : S11(dB) Gain : Gmax (dB)
Antenne -15,9 4
Cavité : δg = 0 µm -11,7 6,8
Cavité : δg = 50 µm -12,9 7,2
Cavité : δg = 100 µm -19 5,44
Cavité : δg = 150 µm -12,8 2,57
V.2.2.4 Influence du nombre de zones sur le rayonnement de la cavité
Un réseau d’antenne permet de modifier le rayonnement quand le nombre d’antennes

utilisées change. Etant donné que le fonctionnement de notre cavité est assez similaire à
celui d’un réseau d’antenne, nous avons augmenté la dimension de la cavité afin d’avoir un
rayonnement oblique faisant un angle plus grand par rapport à la normale au plan de la
cavité. Ainsi, nous avons ajouté une cellule à chaque extrémité de la SPR tout en gardant
une cellule centrale présentant un espacement entre pavés métalliques de g = 600 µ. La
figure V.16.a présente la nouvelle structure proposée. Le diagramme de rayonnement de
la cavité calculé à la résonance de celle-ci est présenté sur la figure V.16.b. On constate
que l’angle de rayonnement a augmenté avec cette nouvelle structure. Il est maintenant
supérieur à 30◦ . On remarque aussi que le faisceau devient plus fin mais qu’un lobe
secondaire apparaı̂t. Cela confirme la similarité de fonctionnement entre notre cavité et
un réseau d’antenne.

Avant de réaliser des prototypes pour des mesures expérimentales, nous avons étudié
une autre cavité qui permet d’avoir une épaisseur plus petite. Nous avons alors tracé à
l’aide du modèle optique la hauteur de résonance des différentes SPRs présentées dans
le paragraphe II.1. Nous avons remarqué qu’avec la SPR ayant un espacement entre les
pavés de g = 400 µ, nous pouvons réduire l’épaisseur de la cavité tout en gardant une
marge pour réduire cet espacement pour le rayonnement oblique. En effet, on constate sur
la courbe de prédiction de la hauteur de résonance en fonction de la fréquence présentée
sur la figure V.17 pour cette SPR qu’on peut réaliser des résonances proches de 11 GHz
avec une épaisseur d’environ 1 mm.
131
Fig. V.16 – Schéma descriptif (a) et diagramme de rayonnement polaire en gain (b) dans le
plan E (φ = 90◦ ) et H (φ = 0◦ ) calculé par la méthode des éléments finis (HFSS) à 10, 8 GHz
w = 2, 2 mm, g = 600 µ, δg = 100 µ) agrandit d’une cellule à chaque extrémité.
Fig. V.17 – La variation prédite par le modèle des rayons optiques de la hauteur de résonance
de la cavité à base de SPR unidimensionnelle homogène (a = 5 mm, w = 2, 2 mm, g = 400 µ)
en fonction de la fréquence.
132
La figure V.18 présente l’adaptation et les diagrammes de rayonnement dans le plan

E (φ = 90◦ ) et H (φ = 0◦ ) de la cavité à base de SPR homogène ayant un espacement
entre les pavés de g = 400 µ. On constate que la structure résonne à ∼ 10, 5 GHz et que
son rayonnement est assez directif à cette fréquence.
(φ = 90◦ ) et H (φ = 0◦ ) à 10, 5 GHz de la cavité de 1 mm d’épaisseur à base de SPR homogène
unidimensionnelle (a = 5 mm, w = 2, 2 mm, g = 400 µ) calculés par la méthode des éléments
finis (HFSS).
Etant donnée que nous ne pouvons pas descendre en dessous d’un espacement de
200 µ et pour avoir une cavité de dimensions latérales assez larges, nous utilisons la
structure présentée sur la figure V.19. Dans cette structure, la SPR comporte deux cellules
élémentaires pour chaque zone. Cela permettra d’avoir une distance de 2a entre les zones
qui est égale à 10 mm dans notre cas.
Nous avons réalisé des simulations et des mesures expérimentales avec une SPR dont
l’espacement entre les pavés métalliques de la zone centrale est g = 400 µ et ont le
décalage en espacement est δg = 100 µ. La figure V.20 présente la variation du module du
coefficient de réflexion de la cavité ainsi réalisée en fonction de la fréquence. Elle montre
le premier mode de résonance de la structure obtenu à 10, 5 GHz. Le résultat est assez
proche de celui prédit par le modèle des rayons optiques.
Le rayonnement de cette dernière structure, à la fréquence de résonance et pour les
deux configurations possibles de la SPR, est présenté sur la figure V.21. On obtient avec
cette structure à un rayonnement oblique de ∼ 20◦ . Un lobe secondaire apparaı̂t dans
la deuxième configuration qui est dû essentiellement à l’alimentation dissymétrique de
133
Fig. V.19 – Schéma descriptif de la cavité de 1 mm d’épaisseur à base de SPR inhomogène

unidimensionnelle (a = 5 mm, w = 2, 2 mm, g = 400 µ) agrandit d’une cellule à chaque
extrémité.
Fig. V.20 – Adaptation de la cavité de 1 mm d’épaisseur à base de SPR unidimensionnelle

inhomogène (a = 5 mm, w = 2, 2 mm, g = 400 µ, δg = 100 µ) mesurée et calculée par la
méthode des éléments finis (HFSS).
l’antenne plaquée. D’ailleurs, l’effet est plus important en mesure puisque l’alimentation
réalisée par la soudure du câble coaxiale est beaucoup moins efficace.
Nous avons ensuite réduit le décalage de l’espacement entre les pavés afin de réduire
l’angle de rayonnement oblique. La figure ?? présente le diagramme de rayonnement de
la structure avec δg = 50 µ. Elle montre que l’angle de rayonnement a été réduit par
la diminution du décalage. Cependant, le rayonnement est beaucoup moins directif dans
cette configuration.
134
Fig. V.21 – Diagramme de rayonnement linéaire en gain mesuré et calculé par la méthode des
éléments finis (HFSS) dans le plan E (φ = 90◦ ) à 10, 5 GHz de la cavité de 1 mm d’épaisseur à
base de SPR inhomogène unidimensionnelle (a = 5 mm, w = 2, 2 mm, g = 400 µ, δg = 100 µ)
(a) et à base de la même SPR retournée dans le plan de 180◦ (b).
Fig. V.22 – Diagramme de rayonnement linéaire en gain mesuré et calculé par la méthode des
éléments finis (HFSS) dans le plan E (φ = 90◦ ) à 10, 5 GHz de la cavité de 1 mm d’épaisseur
à base de SPR inhomogène unidimensionnelle (a = 5 mm, w = 2, 2 mm, g = 400 µ, δg = 50 µ)
(a) et à base de la même SPR retournée dans le plan de 180◦ (b).
135
Conclusion
Ce chapitre montre une technique de conception de cavités à rayonnement oblique à
base de métamatériaux. Une étude numérique comparant le comportement de ces struc-
tures par rapport aux antennes réseaux a été alors présentée. Cette étude a permis de
voir l’influence de certains paramètres physiques sur le rayonnement de la cavité. Les me-
sures expérimentales présentées à la fin du chapitre ont validé nos résultats numériques.
Les prototypes réalisés ont été proposés essentiellement pour confirmer le bon fonction-
nement de la structure. Des optimisations peuvent toujours être ajoutées afin d’améliorer
les performances de l’antenne ainsi réalisée.
Enfin, l’insertion d’éléments actifs constitue une solution idéale pour réaliser un contrôle
électronique du rayonnement de ces structures. En effet, l’utilisation de diodes varicap,
par exemple, permettrait de changer la phase à la réflexion des SPRs en faisant varier la
capacité équivalente entre les pavés métalliques.
136
Bibliographie
Bibliographie
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sociées aux antennes. Application aux communications mobiles. Thèse de
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sactions on Antennas and Propagation, 53(1) :236–246, 2006.
137
Conclusions et perspectives
C es travaux de thèse ont été consacrés à l’étude des matériaux à bandes interdites
photoniques et des métamatériaux et à leurs applications aux télécommunications.
Ils ont abouti à la conception d’antennes directives ultra-compactes. Ils ont aussi débouché
sur la perspective du contrôle du rayonnement des antennes par des métamatériaux com-
posites planaires. Cette étude, qui a commencé dans le cadre d’un projet européen nommé
TELEMAC avec des partenaires universitaires et industriels, a mené au développement de
structures périodiques métallodiélectriques planaires particulièrement intéressantes pour
la réduction de l’encombrement des cavités résonantes de type Fabry-Pérot utilisées sou-
vent pour augmenter la directivité des antennes.
L’objectif de cette thèse a été de développer des structures à base de matériaux à
bandes interdites photoniques et de métamatériaux métallodiélectriques pour la réalisation
d’antennes compactes et directives en bande X. La condition de compacité a concerné
l’épaisseur qui ne devait pas dépasser le quart de la longueur d’onde. Pour cela il a fallu
modéliser par les outils numériques et analytiques adaptés ces matériaux métallodiélectriques
périodiques. Nous avons commencé par un état de l’art sur ces matériaux et sur les
méthodes de modélisation existantes. L’étape suivante de modélisation numérique et de
caractérisation expérimentale a été indispensable au développement des métamatériaux
planaires avec les propriétés souhaitées. Les dernières parties ont concerné l’intégration de
ces matériaux artificiels dans le domaine des antennes afin d’augmenter leur directivité,
réduire leur encombrement et contrôler leur rayonnement.
Nous avons présenté dans un premier chapitre les matériaux à bandes interdites pho-
toniques, les métamatériaux et leurs différents domaines d’application. L’historique et la
description des structures les plus connues a été alors détaillé. En effet, nous avons présenté
les propriétés les plus intéressantes ainsi que les applications les plus importantes de ces
matériaux périodiques.
Le deuxième chapitre a concerné les outils de modélisation des structures périodiques
métallodiélectriques. Nous avons alors décrit les méthodes de résolution numériques pour
les matériaux diélectriques et métallodiélectriques. Nous avons aussi présenté les définitions
de certaines notions propres à ces structures périodiques et indispensables à la compréhension
139
Conclusions et perspectives
de leurs comportements. Enfin, des résultats de modélisation numérique obtenus pour des
structures à bandes interdites photoniques diélectriques et métallodiélectriques ont été
détaillés.
L’objectif du troisième chapitre a été d’étudier les surfaces à hautes impédances à
base de conducteurs magnétiques artificiels. Pour cela nous avons étudié numériquement et
caractérisé expérimentalement des métamatériaux à base de réseaux périodiques planaires
carrés dans les domaines fréquentiel et spatial. Ainsi, nous avons déterminé l’évolution
de leurs propriétés en fonction de leurs paramètres physiques les plus importants et des
directions de propagation de l’onde incidente. Cette étude nous permis d’augmenter la
bande de fonctionnement de ces métamatériaux. De plus, nous avons réussi à réaliser
des surfaces partiellement réfléchissantes à base de conducteurs magnétiques artificiels
présentant une haute impédance sur une large bande de fréquences.
Dans le quatrième chapitre nous avons procédé à l’intégration des métamatériaux à
base de conducteur magnétique artificiel planaire dans le domaine des antennes. Nous
avons alors étudié numériquement et expérimentalement des cavités résonantes de type
Fabry-Pérot basées sur ces matériaux et alimentées par des antennes plaquées. Cela nous
a permis d’améliorer les performances des antennes étudiées en termes de directivité et
d’encombrement par rapport aux structures classiques utilisant ce type de cavités. En
effet, grâce à l’optimisation du dispositif proposé, nous avons fini par réaliser une antenne
à base de métamatériaux qui soit directive et ultra-compacte.
Le cinquième et le dernier chapitre a concerné le contrôle du rayonnement des antennes
par les métamatériaux à base de conducteur magnétique artificiel planaire. Une partie de
modélisation numérique a permis d’introduire la technique de conception de cavités à
rayonnement contrôlable et d’étudier différentes configurations. Des résultats intéressants
permettant de comprendre le fonctionnement des structures proposées ont été obtenus.
Enfin, des résultats de mesures en concordance avec ceux de la modélisation numérique
ont permis de valider le principe de fonctionnement de nos dispositifs.
Notre étude ouvre une perspective de contrôle électronique en fréquence et en direction
du rayonnement des antennes. Nous avons montré qu’il était possible de contrôler la direc-
tion de rayonnement et nous pouvons également envisager une accordabilité en fréquence
de nos structures périodiques en changeant les paramètres électriques équivalentes (LC)
de celles-ci. Ainsi, nous pourrons contrôler à la fois la fréquence et la direction de pointage
du rayonnement des antennes par l’utilisation de composants électroniques actifs.
140
Annexe A
Méthode des Lignes de Transmission
La méthode de transmission est une méthode qui convient parfaitement pour la détermination
de la réponse fréquentielle de structures mise en cascade. Le modèle s’applique à des
systèmes à base de géométries planaires en tenant compte des caractéristiques de chaque
couche de système. Ce modèle considère un seul mode de propagation quasi-optique pour
la transmission et la réflexion.
A.1 Cas général

La méthode des lignes de transmission considère la présence d’un seul mode. Elle
suppose que le système à étudier n’affecte que l’amplitude complexe de l’onde transmise.
Considérons une ligne de transmission représentant un élément linéaire réciproque. Les
courants et les tensions d’entrée et de sortie peuvent être alors reliées par les équations
suivantes :
Ve = A Vs + B Is
(A.1)
Ie = C Vs + D Is
Dans ces relations, les éléments A et D n’ont pas de dimensions. L’élément B a la
dimension d’une impédance et C celui d’une admittance. Ces équations peuvent se mettre
sous la forme matricielle suivante :
" # " #" #
Ve A B Vs
= (A.2)
Ie C D Is
Dans la relation A.2, la matrice reliant les paramètres d’entrée à ceux de sortie est la
matrice chaı̂ne appelée aussi matrice ABCD. La méthode des lignes de transmission peut
être appliquée pour l’analyse de la superposition de plusieurs éléments comme illustré
dans la figure A.1. Le calcul des caractéristiques de plusieurs éléments mis en cascade
se fait alors par la multiplication de leurs matrices chaı̂nes. On obtient alors un système
141
I Méthode des Lignes de Transmission
matriciel qui relie les paramètres d’entée du premier élément à ceux de sortie du dernier
élément (équation A.3) où la matrice ABCD impliquée représente le produit des matrices
chaı̂nes des éléments mis en cascade.
Fig. A.1 – (a)Représentation d’un élément par sa matrice ABCD dans un circuit électrique,
(b)Superposition en série de plusieurs éléments représentés par leurs matrices chaı̂nes.
" # " #" #

Ve1 A B VsN
= (A.3)
Ie1 C D IsN
La méthode des lignes de transmission permet de déterminer l’impédance d’entrée
d’un système constitué à partir de la superposition de plusieurs éléments. En effet, pour
un système excité par une source de tension de charge Zg et chargé par une impédance
Zs (figure A.1.a), l’impédance d’entrée est donnée par la relation A.4.
A Zs + B
Ze = (A.4)
C Zs + D
Les coefficients de réflexion et de transmission peuvent être également calculés par
cette méthode. Leurs expressions respectives en fonction des éléments de la matrice chaı̂ne
sont données par les relations A.5 et A.6. Ces coefficients représentent les coefficients en
tension et doivent être élevés au carré pour avoir les coefficients en puissance.
(A Zs − D Zg ) + B − C Zg Zs
Re = (A.5)
(A Zs − D Zg ) + B + C Zg Zs
2 Zs
T = (A.6)
(A Zs − D Zg ) + B + C Zg Zs
142
A.2 Application aux structures périodiques planaires
A.2 Application aux structures périodiques planaires :

Surfaces Sélectives en Fréquences (SSF) en série
La superposition des SSF permet d’obtenir des filtres avec des performances améliorées.
L’analyse de ces superpositions peut se faire en utilisant la méthode des lignes de trans-
mission. Les impédances Zg et Zs sont dans ce cas généralement égales à celle du vide.
Ainsi, pour une couche diélectrique d’épaisseur d et de constante de propagation γ, la
matrice chaı̂ne M est donnée par la relation A.7. Lorsque le matériau est sans perte on
peut utiliser l’expression A.8 dans laquelle β est la partie imaginaire de la constante de
propagation. " #
cosh (γd) Z sinh (γd)
M= 1
(A.7)
Z
sinh (γd) cosh (γd)
" #
cosh (βd) Z sinh (βd)
M= 1
(A.8)
Z
sinh (βd) cosh (βd)
L’impédance Z utilisée dans ces deux relations dépend de la polarisation de l’onde inci-
dente et du milieu de propagation. Ainsi, pour une incidence d’angle θ, on utilisera les
expressions de A.9 pour le vide et les expressions données par A.10 pour les diélectriques.
Z// = Z0 cos θ
Z0
(A.9)
Z⊥ = cos θ
√
εr −sin2 θ
Z// = Z0 εr
Z0
(A.10)
Z⊥ = √
εr −sin2 θ
Enfin, la matrice correspondante pour une admittance en parallèle Y est donnée par
A.11 et celle pour une impédance Z en série est donnée par A.12.
" #
1 0
M= (A.11)
Y 1
" #
1 Z
M= (A.12)
0 1
A.3 Analyse d’une SHI-CMA planaire par la méthode

des lignes de transmission
Considérons la SHI-CMA présentée dans la figure A.2. Elle est formée d’un réseau de
pavés métalliques, espacés d’une distance g, déposé sur un substrat diélectrique, d’épaisseur
h, couvert d’un plan de masse métallique sur sa deuxième face.
143
Fig. A.2 – Une surface à haute impédance à base d’un réseau périodique de pavés métalliques
déposés sur un substrat diélectrique au-dessus d’un plan de masse métallique.
Afin de déterminer le coefficient de réflexion d’une telle structure, on considère une

onde incidente plane polarisée. Le schéma électrique équivalent est alors donnée par la
figure A.3. Dans ce schéma l’impédance Zs est nulle puisqu’elle représente le plan de
masse métallique considéré comme un conducteur parfait. L’impédance du générateur Zo
est égale à celle du vide. Les paramètres L et C représentent respectivement l’inductance
et la capacité présentée par le réseau de pavés métalliques. Enfin, le diélectrique est
représenté par sa constante de propagation γ et par son épaisseur h.
Fig. A.3 – Schéma électrique équivalent d’une SHI-AMC planaires éclairée par une onde inci-
dente plane polarisée.
144
A.4 Analyse d’une SPR-CMA planaire
La matrice chaı̂ne de la SHI-CMA est alors donnée par la relation A.13.

" #" #
1 0 cosh (γh) Z sinh (γh)
M= 1
Y 1 Z
sinh (γh) cosh (γh)
" # (A.13)
cosh (γh) Z sinh (γh)
= 1
Z
sinh (γh) + Y cosh (γh) cosh (γh) + Y Z sinh (γh)
L’impédance de surface de la structure est alors donnée par l’équation A.14 et le
coefficient de réflexion est donné par l’expression A.15.
Z sinh (γh)
Ze = (A.14)
cosh (γh) + Y Z sinh (γh)

Z sinh (γh) − Z0 cosh (γh) + Y Z sinh (γh)
Re = (A.15)
Z sinh (γh) + Z0 cosh (γh) + Y Z sinh (γh)
L’évaluation des paramètres du circuit électrique équivalent L et C permettront par
la suite de déterminer l’évolution de l’impédance et du coefficient de réflexion en fonction
de la fréquence.
A.4 Analyse d’une SPR-CMA planaire par la méthode

des lignes de transmission
La figure A.4 présente la SPR-CMA proposée. Elle est formée d’un réseau de pavés
métalliques, espacés d’une distance g, déposé sur un substrat diélectrique, d’épaisseur h,
couvert d’une grille métallique sur sa deuxième face.
Fig. A.4 – Une surface à partiellement réfléchissante à base d’un réseau périodique de pavés
métalliques déposés sur un substrat diélectrique au-dessus d’une grille métallique.
145
Le modèle électrique équivalent utilisé pour la méthode des lignes de transmission est
donnée par la figure A.5. Dans ce schéma l’impédance du générateur et de la charge sont
égales à celle du vide Zo. Les paramètres L et C représentent respectivement l’inductance
et la capacité présentée par le réseau de pavés métalliques. Le diélectrique est représenté
par sa constante de propagation γ et par son épaisseur h. Enfin, on a ajouté dans ce
modèle l’inductance de la grille métallique Lm .
Fig. A.5 – Schéma électrique équivalent d’une SPR-AMC planaires éclairée par une onde
incidente plane polarisée.
La matrice chaı̂ne de la SPR-CMA est alors donnée par la relation A.16.
" #" #" #

1 0 cosh (γd) Z sinh (γd) 1 0
M= 1
Y 1 Z
sinh (γd) cosh (γd) Ym 1
" #
cosh (γh) + Ym Z sinh (γh) Z sinh (γh)
= 1

Z
+ Y m Y Z sinh (γh) + Y + Y m cosh (γh) cosh (γh) + Y Z sinh (γh)
(A.16)
Dans cette relation Z est donnée par la relation A.10, Y représente l’admittance du
réseau périodique des pavés métallique et Ym celle de la grille métallique. Les admittances
Y et Ym sont déterminées respectivement par les deux relations suivantes.
jcω
Y = (A.17)
1 − LCω 2
1
Ym = (A.18)
1 − Lω
L’impédance de surface peut être par la suite calculée par la relation A.4 en remplaçant
Zs par Z0 . Les coefficients de réflexion et de transmission sont déterminés par les relations
A.5 et A.6.
La seule difficulté concernant l’application de cette méthode à ce genre de structures est
l’évaluation des paramètres du circuit équivalent. En général, la précision de l’estimation
de ces paramètres influe énormément sur le résultat final.
146
Annexe B
Analyse des Structures Périodiques

Planaires par la Méthode des
Moments
La méthode des moments est une méthode numérique de résolution d’équations conte-
nant des opérateurs différentiels et intégro-différentiels linéaire en les transformant en un
système d’équations algébriques. Le problème à résoudre est alors résumé par une équation
matricielle. Depuis son introduction par Harrington en 1986, les recherches utilisant cette
méthode se sont multipliées surtout dans le domaine de l’électromagnétisme.
Le but de notre étude est de mettre en oeuvre cette méthode numérique et de l’ap-
pliquer pour l’analyse des surfaces planaires. En particulier, on s’intéressera au calcul des
coefficients de réflexion et de transmission des surfaces sélectives en fréquences (Frequency
Selective Surfaces : FSS) périodiques et infinies.
Considérons une onde plane monochromatique de vecteur d’onde k faisant un angle
θinc par rapport à l’axe z 0 z et un angle φinc par rapport à l’axe x0 x. Le champ incident
sur une surface placée parallèlement au plan xy en z = 0, en tout point définit par ces
coordonnées (x, y), peut se mettre alors sous la forme suivante :
" # " #
Einc
x (x, y) Einc
x (α0 , β0 )
= ej(α0 x+β0 y) (B.1)
Einc
y (x, y) Einc
y (α0 , β0 )
où :
α0 = k sin θinc cos φinc (B.2)
β0 = k sin θinc sin φinc (B.3)
Le champ incident produit des courants à la surface de la structure. Un champ de
diffusion est alors rayonné comme le montre la figure B.1. Ce champ est relié au potentiel
vecteur magnétique par la relation B.4.
147
II Analyse des Structures Périodiques Planaires par la Méthode des Moments
Fig. B.1 – Réflexion et transmission d’une onde plane à travers une structure à base d’un
réseau périodique infinie de motifs métalliques.
scat
1
E (r) = −jωµ A(r) + 2 5 5 ·A(r) (B.4)
k
La condition aux limites à la surface d’une structure à base d’un réseau périodique
d’éléments métalliques concerne le champ électrique tangentiel total. Celui-ci s’annule à
la surface métallique. Cette condition est alors résumée par l’égalité B.5.
Escat inc
tan (x, y) + Etan (x, y) = 0 (B.5)
En introduisant le potentiel vecteur dans cette dernière relation, on arrive aux deux
relations suivantes.
1 ∂A2x ∂A2x

Einc
x (x, y) = jωµ Ax (x, y) + 2 + (B.6)
k ∂x2 ∂y 2
1 ∂A2y ∂A2y

Einc
y (x, y) = jωµ Ay (x, y) + 2 + (B.7)
k ∂x2 ∂y 2
La solution générale pour le potentiel vecteur magnétique s’écrit sous la forme B.8. Il
s’agit de l’expansion en ondes planes.
Z Z √2 2 2
A(x, y, z) = A(α, β)z=0 ej(αx+βy) e±jz k −(α +β ) dαdβ (B.8)
La périodicité de notre structure nous permet de relier les courants d’une cellule à une
autre du même réseau. Ainsi, pour une structure de période a et b respectivement suivant
148
l’axe des x et celui des y on aura les deux relations suivantes concernant le déphasage des
courants d’une cellule par rapport à celle placée à l’origine.
2mπ
αm = α0 + (B.9)
a
2nπ
βn = β0 + (B.10)
b
Ces deux dernières relations permettent de mettre l’équation B.8 sous la forme suivante
qui représente une décomposition en série de Fourrier du potentiel vecteur dont les termes
sont généralement appelés les harmoniques de Floquet.
X √2 2 2
A(x, y, z) = A(αm , βn )z=0 ej(αm x+βn y) e±jz k −(αm +βn ) (B.11)
m,n
Le potentiel vecteur peut être exprimé en fonction du courant en utilisant la fonction

de green. L’équation B.12 résume cette relation dans notre cas. Dans cette relation, la
fonction de green est donnée par l’égalité B.13.
A(αm , βn ) = G(αm , βn )J(αm , βn ) (B.12)

−j
G(αm , βn ) = p (B.13)
2ab k 2 − (αm 2 + β2)
n
Les deux relations B.6 et B.7 peuvent alors donner le système linaire suivant.
k2 −α2m
 −αm βn
"
√ √
" # #
inc
Ex (x, y) 1 X k 2 −(α2 +β 2 ) k 2 −(α2 +β 2 ) J x (αm , βn )
=  m
−αm βn
n m
k2 −α2m
n  ej(αm x+βn y)
inc
Ey (x, y) 2εω m,n
√ 2 2 2
√ 2 2 2
Jy (αm , βn )
z=0 k −(αm +βn ) k −(αm +βn )
(B.14)
La relation B.14 est l’équation du champ électrique dans le domaine spectrale. Elle
est vérifiée sur les parties métallisées de la structure étudiée. Grâce à la périodicité de
la surface, la résolution de ce système se fait sur une seule cellule du réseau. Le choix
des fonctions de base et des fonctions de test représente la dernière étape de l’application
de la méthode des moments à ce problème. La méthode de Galerkin est la plus utilisée
dans ce cas en utilisant des fonctions de test identiques aux fonctions de base. Deux
approches peuvent être par la suite appliquées. La première exploite des fonctions de base
qui ne s’annulent pas sur la surface analysée. Dans la deuxième approche, on procède à
un maillage de la surface de la cellule étudiée. Les fonctions de bases utilisées dans ce cas
pour chaque cellule du maillage sont nulles partout sauf sur la cellule concernée. Cette
deuxième approche peut être intéressante à utiliser dans le cas des structures de forme
arbitraire.
En fin, cette méthode peut tenir compte de l’existence d’un substrat au-dessous des
motifs métalliques. Elle peut aussi tenir compte de l’existence d’un plan de masse et peut
donc être appliquée aux surfaces à haute impédance planaires, ce qui suppose l’adatation
de la fonction de Green à ces structures.
149
Annexe C
Généralités sur les antennes
« Une antenne d’émission est un dispositif qui assure la transmission de l’énergie

entre un émetteur et l’espace libre où cette énergie va se propager. Réciproquement, une
antenne de réception est un dispositif qui assure la transmission de l’énergie d’une onde se
propageant dans l’espace à un appareil récepteur »† . Bien que les antennes soient utilisées
dans des gammes de longueurs d’onde très différentes, elles sont généralement étudiées et
caractérisées au moyen de définitions et de propriétés communes.
C.1 Caractéristiques
Les caractéristiques des antennes sont déterminées par rapport à une source de référence.
Une source ponctuelle qui rayonne sa puissance d’alimentation de façon identique dans
toutes les directions constitue la source de référence idéale. Cette source isotrope n’est pas
de réalité physique mais elle est souvent utilisée comme référence. La puissance rayonnée
par unité d’angle solide dans une direction définie par les deux angles (θ, φ) du repère
sphérique par une telle source s’écrit :
Pa
P0 (θ, φ) = (C.1)
4π
où Pa est la puissance d’alimentation.
C.1.1 Diagramme de rayonnement

Le diagramme de rayonnement d’une antenne représente les variations de la puissance
que rayonne cette antenne par unité d’angle solide dans les différentes directions de l’es-
pace. En dehors du cas des antennes omnidirectionnelles dans certains plans, les antennes
ne rayonnent pas leur puissance de façon uniforme dans toutes les directions de l’espace.
†
P. F. Combes, Micro-ondes, Dunod, Paris, France, 1997.
151
III Généralités sur les antennes
Il y a généralement une direction de rayonnement maximal autour de laquelle se trouve

concentrée une grande partie de la puissance rayonnée et des directions secondaires autour
desquelles se répartit la fraction de la puissance restante.
C.1.1.1 Fonction caractéristique
La fonction caractéristique de rayonnement F (θ, φ) de l’antenne permet d’avoir une

vision globale du rayonnement. Elle est définit comme étant le rapport de la puissance
transmise dans une direction donnée P (θ, φ) à la puissance Pmax de la direction où le
rayonnement est maximal.
P (θ, φ)
F (θ, φ) = (C.2)
Pmax
C.1.1.2 Angle d’ouverture
L’angle d’ouverture est l’angle que font entre elles les deux directions du lobe principal
selon lesquelles la puissance rayonnée est égale à la moitié de la puissance rayonnée dans
la direction de rayonnement maximal. La figure C.1 présente un exemple de diagramme
de rayonnement en coordonnées cartésiennes. L’angle ∆θ représente sur ce diagramme
l’angle d’ouverture de l’antenne. Lorsqu’une antenne présente un lobe principal assez fin,
la plus grande partie de la puissance rayonnée est à l’intérieur des deux directions à –3 dB.
L’angle d’ouverture nous donne une idée assez précise sur la finesse du lobe et de la qualité
du rayonnement.
Fig. C.1 – Diagramme de rayonnement bidimensionnel en coordonnées cartésiennes.
152
C.1 Caractéristiques
C.1.1.3 Dynamique
La dynamique d’une antenne est l’écart entre le niveau du lobe principal et celui des
lobes secondaires. En télécommunications, le niveau du premier lobe secondaire doit être
inférieur à –20 dB par rapport au maximum du lobe principal dont le niveau de référence
est 0 dB.
C.1.1.4 Zones de rayonnement d’une antenne
On distingue pour chaque type d’antenne trois zones de rayonnement :

– Zone de Rayleigh (ou zone de champ proche) : la densité de puissance est quasi
D2
constante dans cette zone. Celle-ci est valable jusqu’à une distance r inférieur à 2λ
,
où D est la plus grande dimension de l’antenne.
– Zone de Fresnel : dans cette zone la densité de puissance est fluctuante. Elle est
délimitée par la limite de la zone du champ proche et la limite de la zone du champ
2D2
lointain. Celle-ci commence à une distance de λ
.
– Zone de Fraunhoffer (ou zone de champ lointain) : elle concerne les distances supérieures
2D2
à λ
. Dans cette zone les champs sont rayonnés sous la forme d’une onde plane. La
1
densité de puissance décroı̂t en r2
.
C.1.2 Directivité et gain d’une antenne

C.1.2.1 Ouverture rayonnante et Rendement
L’ouverture rayonnante d’une antenne est la surface géométrique rayonnante de cette

antenne. C’est aussi la surface qui capte l’énergie des ondes électromagnétiques trans-
mises. La puissance rayonnée par l’antenne est généralement différente de la puissance
d’alimentation de l’antenne. On définit alors le rendement η d’une antenne comme étant
le rapport entre la puissance totale qu’elle rayonne P et la puissance d’alimentation Pa
de cette antenne.
P
η= (C.3)
Pa
C.1.2.2 Gain d’une antenne
La puissance rayonnée par une antenne varie généralement selon la direction considérée.
Le gain d’une antenne dans une direction (θ, φ) est le rapport de la puissance rayonnée
dans cette direction P (θ, φ) à la puissance que rayonnerait la source isotrope de référence
par unité d’angle solide avec la même puissance d’alimentation.
P (θ, φ) P (θ, φ)
G(θ, φ) = = 4π (C.4)
P0 (θ, φ) Pa
153
On utilise généralement l’appellation gain d’une antenne sans préciser la direction pour
indiquer le gain dans la direction de rayonnement maximal.
C.1.2.3 Directivité d’une antenne
La directivité d’une antenne est le rapport de la puissance rayonnée par unité d’angle
solide dans la direction (θ, φ) à la puissance que rayonnerait la source isotrope de référence
par unité d’angle solide pour une même puissance totale rayonnée.
P (θ, φ)
D(θ, φ) = 4π (C.5)
ηPa
La directivité indique dans quelles directions la densité de puissance est meilleure ou
moins bonne que celle de l’antenne isotrope. La relation entre le gain et la directivité
d’une antenne est donnée par l’équation suivante.
G(θ, φ) = ηD(θ, φ) (C.6)
où η est le rendement de rayonnement définit précédemment et qui est lié aux pertes par
conduction.
C.1.3 Adaptation d’une antenne

Considérons une antenne d’impédance d’entrée Ze reliée à une ligne d’impédance ca-
ractéristique Zc . Le coefficient de réflexion Γ de cette antenne est alors donnée par la
relation suivante.
Ze − Zc∗
Γ= (C.7)
Ze + Z c
L’adaptation de l’antenne à sa ligne d’alimentation est obtenue lorsque Ze = Zc∗ . Dans
ce cas, il n’y a pas de perte de puissance. Ainsi à l’émission, la puissance fournie par
l’émetteur est la même que celle délivrée à l’antenne. A la réception, la puissance captée
par l’antenne est égale à la puissance fournie au récepteur. L’adaptation d’une antenne
peut être aussi caractérisée par le Rapport d’Onde Stationnaire (ROS). L’expression de
celui-ci est la suivante.
1+ | Γ |
ROS = (C.8)
1− | Γ |
C.2 Antennes à éléments imprimés

Les antennes à éléments imprimés sont des structures planaires à faible encombrement.
Les techniques de gravure chimique et mécanique ont permis de réduire leur coût de
fabrication. Cependant, ce genre d’antennes présente une faible bande passante, un gain
moyen et une limitation de puissance transmise.
154
C.2.1 Description
Les antennes à éléments imprimés sont réalisées à partir d’un ou de plusieurs motifs
métalliques déposés sur un substrat diélectrique dont la fasse inférieure est totalement
couverte d’un plan de masse métallique (figure C.2). Ces motifs rayonnants, appelés aussi
patch en anglais, peuvent avoir différentes formes géométriques.
Fig. C.2 – Schéma descriptif d’une antenne imprimée.
Les éléments rayonnants les plus utilisés ont la forme d’un rectangle, un disque circu-
laire, d’un anneau, d’un triangle ou d’un dipôle. Ils sont généralement imprimés sur des
substrats de faible permittivité (εr < 3) et de faibles pertes (tan δ < 2.10 − 3). Ceux-ci
permettent le rayonnement et évitent le confinement des champs dans la cavité réalisée
par le motif et le plan de masse.
Divers procédés sont utilisés pour l’alimentation des antennes imprimées. L’alimenta-
tion peut être réalisée par une connexion directe à une ligne microbande (figure C.3.a).
Une encoche dans l’élément rayonnant peut être ajoutée pour une meilleure adaptation
(figure C.3.b). Une connexion directe à une ligne coaxiale peut aussi assurer l’alimentation
de ce type d’antenne (figure C.3.c). Dans ce dernier cas le connecteur central est connecté
au motif imprimé et le conducteur extérieur est relié au plan de masse. Enfin, l’alimenta-
tion peut aussi se faire par couplage électromagnétique d’une ligne microbande à l’élément
rayonnant (figure C.3.d). L’alimentation des antennes imprimées ajoute généralement un
rayonnement parasite. Celui-ci est très important dans le cas de la dernière configuration.
C.2.2 Principe du rayonnement des antennes imprimées

Afin de comprendre le fonctionnement des antennes imprimées, on peut assimiler l’an-
tenne à une cavité résonante. Ainsi, le pavé rectangulaire peut se modéliser comme une
155
Fig. C.3 – Schéma descriptif de l’alimentation d’une antenne imprimée par une ligne micro-
bande (a), par une ligne microbande avec encoche (b), par un câble coaxial (c) et par couplage
électromagnétique (c).
cavité avec 4 murs magnétiques réalisés par les bords de la cavité et 2 murs électriques
formés par les métallisations et dans l’approximation que la composante normale du champ
électrique est constante (figure C.4).
Fig. C.4 – Schéma descriptif du modèle de la cavité résonante.
En posant les équations de propagation avec les conditions aux limites adéquates, on
détermine assez facilement les fréquences de résonance de l’antenne patch rectangulaire :
s
c0 m 2 n 2
fm,n = √ + (C.9)
2 εr πWef f πLef f
156
avec :
Le f f = L + ∆l (C.10)
est la longueur effective et :

We f f = W + ∆W (C.11)
est la largeur effective.

Dans les deux dernières relations les distances ∆l et ∆W sont les longueurs d’un
tronçon de ligne capacitif équivalent à l’extrémité en circuit ouvert de la ligne microbande
de l’élément rayonnant. Elles sont respectivement données par les relations C.12 et C.13
pour une épaisseur h du substrat diélectrique.
W
εef f + 0, 3 h
+ 0, 264
∆l = 0, 412 h W
(C.12)
εef f − 0, 258 h
+ 0, 8
L
εef f + 0, 3 h
+ 0, 264
∆W = 0, 412 h L
(C.13)
εef f − 0, 258 h
+ 0, 8
avec :
( h i
0, 5(εr + 1) + 0, 5(εr − 1) (1 + 12 Wh )−0,5 + 0, 04(1 − W 2
h
) si W
h
≤1
εef f = (C.14)
0, 5(εr + 1) + 0, 5(εr − 1)(1 + 12 Wh )−0,5 si non
est la permittivité effective.

Enfin, le rayonnement d’un élément imprimé rectangulaire peut aussi être modélisé
par celui de deux fentes distantes de la longueur L et de dimensions W et h, l’épaisseur
du substrat. Ces deux fentes sont soumises à un champ électrique uniforme parallèle à
l’élément rayonnant et perpendiculaire aux fentes (figure C.4).
C.2.3 Conception d’une antenne imprimée rectangulaire

C.2.3.1 Dimensionnement de l’élément rayonnant
Les données théoriques que l’on peut trouver dans la littérature permettent de di-
mensionner une antenne imprimée afin de respecter les critères souhaités. Les dimensions
de l’élément rayonnant déterminent la fréquence de résonance f0 de l’antenne. Pour une
antenne imprimée rectangulaire, la largeur et la longueur du patch sont de l’ordre de la
demi-longueur d’onde. Afin d’exciter le mode fondamental TM10 , l’expression suivante
peut être utilisée pour déterminer la largeur W de l’élément rayonnant.
r
1 2
W = √ (C.15)
2f0 ε0 µ0 ε0 + 1
Dans cette dernière relation εr représente la permittivité relative du substrat diélectrique

sur lequel est déposé le pavé métallique. La longueur de celui-ci est donnée par la relation
157
suivante.
1
L= √ √ − 2∆l (C.16)
2f0 ε0 µ0 εef f
C.2.3.2 Admittance d’entrée et alimentation
L’admittance de l’antenne imprimée est la somme des admittances ramenées par les
deux fentes au point d’alimentation de l’élément rayonnant. Elle dépend donc du point
où s’effectue l’alimentation et de la longueur du pavé métallique. Dans le cas d’une ali-
†
mentation au bord de l’une des fentes, l’impédance d’entrée s’écrit :
1
Zin = (C.17)
2 Gm + Gf
où :
sin2 πW

Z π cos θ
1 λ0 πL
sin θ sin3 θ dθ

Gm = J0 (C.18)
120π 2 0 cos2 θ λ0
est la conductance mutuelle due aux couplages entre les deux fentes réalisées par l’élément
rayonnant et :
Z k0 W
1 sin (k0 W ) sin θ
Gm = −2 + cos (k0 W ) + + k0 W dθ (C.19)
120π 2 k0 W 0 θ
est la conductance d’une fente seule.

L’adaptation de l’antenne à une ligne d’impédance caractéristique de 50 Ω peut se
faire en utilisant une alimentation au bord de l’une des fentes à la distance l0 donnée par
la relation suivante.
L 50
l0 = arccos (± ) (C.20)
π Zin
C.3 Classification des ondes électromagnétiques

Le tableau suivant résume la classification admise des ondes radioélectriques ainsi que
quelques domaines d’applications.
†
P. F. Combes, Micro-ondes, Dunod, Paris, France, 1997.
158
C.3 Classification des ondes électromagnétiques
Tab. C.1 – Classification des ondes EM et leurs applications.
159
Résumé
Dans sa première partie, ce mémoire présente les matériaux à bandes interdites pho-
toniques (BIP) et les métamatériaux ainsi que leurs applications aux télécommunications.
Ces matériaux sont des structures périodiques diélectriques et métallodiélectriques. Nous
décrivons dans la deuxième partie de cette thèse leurs méthodes de modélisation dans les
domaines fréquentiel et temporel. Une étude numérique et expérimentale de métamatériaux
à base de conducteur magnétique artificiel (CMA), de structures inductives et capacitives
planaires est ensuite réalisée. Ces structures permettent la réalisation de plans totalement
réflecteurs se comportant comme des surfaces à haute impédance (SHI) à la réflexion
et de surfaces partiellement réfléchissantes (SPR). Nous avons étudié en particulier l’in-
fluence des paramètres physiques et de la direction de propagation de l’onde sur la réponse
de ces matériaux. Nous nous sommes intéressé dans les dernières parties à l’applica-
tion de ces métamatériaux aux antennes. Nous avons alors montré numériquement et
expérimentalement la possibilité de réaliser des cavités de type Fabry-Pérot (FP) à base
de ces métamatériaux permettant d’améliorer les performances des antennes. En parti-
culier, ils permettent d’augmenter la compacité des structures utilisant ce type de cavités
(λ/60). Enfin, nous avons montré la possibilité de contrôler le rayonnement des antennes
grâce à ces cavités à base de métamatériaux à phase variable.
Abstract
The first part of this thesis presents Photonic Band Gap materials (PBG), Metamate-
rials and their applications in telecommunication systems. In the second part, we describe
their modeling methods in the frequency and time domains. Then a numerical and ex-
perimental study of metamaterials based on Artificial Magnetic Conductor (AMC) and
on inductive and capacitive planar structures are carried out. These structures allow the
realization of High Impedance Surfaces (HIS) and Partially Reflective Surfaces (PRS).
The influence of the physical parameters and the direction of wave propagation on the res-
ponse of these materials have been studied. The last part concerns the application of these
metamaterials to antennas. We showed numerically and experimentally the possibility of
designing ultra-sub-wavelength (λ/60) cavities based on these metamaterials in order to
improve the performances of antennas. Finally, we showed the possibility of controlling
the antenna radiation by the use of varying phase metamaterials.

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N◦ d’Ordre : 8509

Université Paris Sud XI

Applications de Matériaux à Bandes

Soutenue le 5 décembre 2006 devant la commission d’examen :

J’exprime ma vive gratitude à Monsieur Jean-Michel LOURTIOZ pour m’avoir ac-

J’exprime également ma gratitude à Monsieur Daniel MAYSTRE pour avoir accepté

Je remercie très sincèrement Madame Anne-Claude TAROT et Monsieur Didier LIP-

Je tiens aussi à dire un grand merci à Mademoiselle Soumia MASSAOUDI, Mon-

Un grand merci à tous mes collègues et en particulier à Frédérique, Muriel, Selma,

I État de l’Art des Matériaux à Bandes Interdites Photoniques et des

II Modélisation des matériaux BIP et des métamatériaux périodiques 25

II.1.4 Modélisation d’un cristal photonique pour les télécommunications

III Surfaces à Haute Impédance et Conducteurs Magnétiques Artificiels 49

III.2.5.2 Polarisation parallèle (onde TM) . . . . . . . . . . . . . . 70

IV Application de Métamatériaux à la Réalisation d’Antennes Ultra-Compactes 83

IV.2.4.2 Effet de la SHI-CMA sur les performances de l’antenne . 99

V Application des Métamatériaux pour le contrôle du rayonnement des

Conclusions et perspectives 139

A Méthode des Lignes de Transmission 141

A.3 Analyse d’une SHI-CMA planaire . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 143

B Analyse des Structures Périodiques Planaires par la Méthode des Mo-

C Généralités sur les antennes 151

I.1 Schéma explicatif de la technique utilisée pour la réalisation du premier cristal

II.1 La structure photonique diélectrique bidimensionnelle étudiée. . . . . . . . . . . 31

II.4 Surface de dispersion 3D du premier mode TM du cristal photonique bidimen-

II.5 Courbes iso-fréquence en mode TM dans le cristal photonique bidimensionnel et

II.7 Le cristal photonique et le guide d’onde de 2 µ de largeur observés par microsco-

II.8 Diagramme de bande en polarisation TM du réseau triangulaire étudié calculé

II.9 Courbes isofréquences concernant la cinquième et la sixième bande calculées par

II.11 La structure photonique métallique bidimensionnelle étudiée. . . . . . . . . . . 43

II.12 Diagramme de bandes en polarisation TM calculé par la méthode des éléments

III.14 Comparaison entre la mesure de la phase à la réflexion par un cornet et celle

III.26 Variation de la phase à la réflexion en fonction de la fréquence en incidence

IV.1 Schéma de l’interféromètre de Fabry-Pérot. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 85

IV.10 a)Schéma descriptif de l’antenne imprimée ; b) l’antenne réalisée par gravure

IV.25 Le diagramme de rayonnement linéaire polaire en gain dans le plan E (a) et H

IV.26 a)Le diagramme de rayonnement linéaire polaire en gain dans le plan E de la

IV.27 a)Variation du module du coefficient de réflexion en incidence normale de la

IV.29 a) Module des coefficients de transmission et de réflexion en incidence normale

IV.31 Adaptation de la cavité de 1 mm d’épaisseur à base d’un seul métamatériau. . 113

IV.32 Le diagramme de rayonnement linéaire polaire en gain dans le plan E (a) et H

IV.33 Diagramme de rayonnement en gain mesuré dans le plan E (a) et H (b) à

V.3 Variation de la phase du coefficient de réflexion (a) et de transmission (b)

V.5 Variation de la phase du coefficient de réflexion (a) et de transmission (b)

V.6 Variation de la phase du coefficient de réflexion en fonction de l’espacement

V.8 Adaptation de la cavité de 2 mm d’épaisseur à base de SPR unidimensionnelle

V.9 Le diagramme de rayonnement polaire en gain dans le plan E (φ = 90◦ ) et H

V.13 Diagramme de rayonnement linéaire polaire tridimensionnelle en gain à 10, 8 GHz

V.19 Schéma descriptif de la cavité de 1 mm d’épaisseur à base de SPR inhomogène

V.20 Adaptation de la cavité de 1 mm d’épaisseur à base de SPR unidimensionnelle

V.21 Diagramme de rayonnement linéaire en gain mesuré et calculé par la méthode

V.22 Diagramme de rayonnement linéaire en gain mesuré et calculé par la méthode

C.1 Diagramme de rayonnement bidimensionnel en coordonnées cartésiennes. . . . . 152

ε0 : Permittivité électrique du vide

Glossaire des Termes Techniques

BIP : Bande Interdite Photonique

L a découverte des matériaux à bandes interdites photoniques (BIP) il y a une vingtaine

Le deuxième chapitre présente les outils de modélisation des structures périodiques

État de l’Art des Matériaux à

D epuis l’invention des réseaux de diffraction pour la spectroscopie au début du

I.1 Les matériaux à Bandes Interdites Photoniques

I.1.1 Historique des matériaux BIP

Fig. I.2 – Exemples de structures périodiques unidimensionnelles (a), bidimensionnelles (b) et