73

5 Thyristoren

Thyristoren sind einschaltbare Bauelemente mit dem Haupteinsatzgebiet für Netzanwen-

dungen. Derzeit existieren noch eine Vielzahl von Thyristorvarianten als so genannte schnelle
Thyristoren in der Umrichtertechnik mit den Ablegern „asymmetrischer Thyristor (ASCR) und
den „Gate-abschaltunterstützten Thyristor“ (GATT). Für Neuanwendungen spielen diese
Bauteile keine Rolle mehr. Auch in seinem klassischen Einsatzgebiet der Gleichstrom-
antriebstechnik verzeichnet der Thyristor einen stetigen Bedarfsrückgang. Die Gleichstrom-
antriebstechnik wird zunehmend durch die Drehstromantriebstechnik abgelöst. Dort kommen
aber abschaltbare Leistungsbauelemente zum Einsatz. Für die klassischen Einsatzgebiete mit
Anschlussspannungen bis 660 V und den Sperrspannungsbereichen bis 1800 V werden
deshalb keine Entwicklungen mehr betrieben. Im Gegensatz dazu wird die Entwicklung im
Höchstleistungsbereich weiter vorangetrieben. Neben lichtzündbaren Thyristoren mit inte-
grierter BOD-Notzündung ist die Entwicklung von Höchstleistungsthyristoren mit Sperrspan-
nungen bis 10 kV absehbar. Typische Anwendungen hierfür sind HGÜ-Anlagen, Netz-
kupplungen, Ersatz für mechanische Mittelspannungsschalter und Sanftanlaufschaltungen für
Drehstrommotoren sowie Stromrichtermotoren für höchste Leistungen.

5.1 Aufbau und Wirkungsweise

Anode A
iA
A A
A
p p
n n n
uAK
G p p G p G
Gate
n n K
G
Thyristor
iG K K Symbol
iE

Kathode K
Abbildung 5-1 Transistormodell eines Thyristor, Struktur und Symbol

Beim Anlegen einer positiven Ventilspannung uAK an das Transistormodell nach Abb. 5-1
fließt bei offenem Basisanschluss in beiden Transistoren ein geringer Kollektorstrom. Auf-
grund der Verschaltung beider Transistoren stellt sich dadurch in den Transistoren ein
Basisstrom IB ein. Dieser Basisstrom hat durch die Stromverstärkung B einen Anstieg des
Kollektorstromes zur Folge (Mitkopplungseffekt). Die Stromverstärkung B der Transistoren
ändert sich mit dem Kollektorstrom. Solange die Gesamt-Stromverstärkung dieser Schaltung,
74 5 Thyristoren

die durch das Produkt der Stromverstärkungen B1·B2 gegeben ist (s. Darlington-Transistor),
unter 1 liegen, führt dieser Effekt nur zu einem erhöhtem Kollektorstrom. Wenn die Gesamt-
Stromverstärkung durch den Anstieg des Kollektorstromes aber größer als 1 wird, steigt der
Kollektorstrom auch ohne äußere Spannungserhöhung weiter an und der Thyristor kippt in den
Leitzustand. Die Spannung, bei der dieses Kippen in den Leitzustand bei offenem Basis-
anschluss erfolgt, wird Nullkippspannung UB0 genannt. Betriebsmäßig wird der Thyristor über
einen Gatestromimpuls eingeschaltet. Ein ausreichender Gatestrom kann im Blockierzustand
den Mitkopplungseffekt im Thyristor einleiten.
Die Entwicklung des Thyristors für große Schaltleistungen in Scheibenbauweise zeigt Abb. 5-
2. Zur Entwicklung eines Scheibenthyristors wird die Gateelektrode G zunächst nach oben
verlegt (Abb. 5-2b). Die Kathode wird ringförmig um den Gateanschluss gelegt und man
erhält die Scheibenbauform nach Abb. 5-2c. Den typischen Aufbau eines Thyristors in
Scheibenbauweise zeigt Abb. 5-3.

K G
G K G K
n+ n+ n+ n+
p p
p

n- n- n-

p p p

a) A b) A c) A
Abbildung 5-2 Entwicklung des Scheibenthyristors
Durch die scheibenförmige Bauweise ist eine doppelseitige Abführung der
Verlustleistung gewährleistet. Die Anschlüsse erfolgen über Druckkontakte.

Kathode
Gate

Abbildung 5-3 Thyristor in Scheibenbauweise

(eupec) und Draufsicht auf einen Siliziumchip
5.3 Das Einschaltverhalten 75

5.2 Kennlinie
Das elektrische Verhalten eines Thyristors in Durchlass- und Sperrrichtung wird durch Kenn-
linien nach Abb. 5-4 dargestellt. Die Durchlassrichtung wird durch die Blockier- bzw.
Durchlasskennlinie beschrieben. Ist die Nullkippspannung UB0 gleich der Sperrspannung UBR,
so wird der Thyristor symmetrisch genannt, ist UB0 größer als UBR, so handelt es sich um
einen asymmetrischen Thyristor.

iT 100
A
10 Durchlasskennlinie
(uT-iT, on-state)

1 uT

2 4 V
100
(reverse mA Blockierkennlinie (uD-iD, off-state)
breakdown) iD
50 Einraststrom (latching current)
UBR Haltestrom
(holding current)
uR uD
UB0
50
iR
Sperrkennlinie mA (forward
(uR-iR) breakover
voltage)

Abbildung 5-4 Kennlinie eines symmetrischen Thyristor für iG = 0

5.3 Das Einschaltverhalten

Das Einschalten eines Thyristors ist nur aus dem Blockierzustand (uAK > 0) heraus möglich.
Der Einschaltvorgang kann durch unterschiedliche Mechanismen ausgelöst werden.

5.3.1 Überschreiten der zulässigen Blockierspannung

Die Ausbreitung der Raumladungszone des mittleren pn-Überganges (Abb. 5-5) führt bei
zunehmender Blockierspannung zu einem Anstieg der Stromverstärkung (Early-Effekt). Über-
schreitet die Stromverstärkung den Wert eins, so zündet der Thyristor selbsttätig. Dieser Ein-
schaltvorgang ist verboten, da durch mögliche hohe Stromdichten das Bauteil gefährdet wird.
76 5 Thyristoren

5.3.2 Überschreiten der zulässigen Spannungssteilheit

Ein blockierender Thyristor zeigt ein kapazitives Verhalten. Wird er mit steilflankigen Span-
nungen belastet, so fließt ein Verschiebungsstrom im Thyristor wie bei einem Kondensator CS.
Der Verschiebungsstrom wirkt in Blockierrichtung wie ein Gatestrom und kann zu einem
ungewollten Einschalten des Thyristors in Abb. 5-5 führen.

A uAK uAK
iAK d u AK
p iAK i AK CS
dt
ʧuAK
n CS
uAK
G
p ʒi t
AK
n
K
ʧt
Abbildung 5-5 Kapazitiver Strom im blockierten Thyristor (CS sei konstant)
Grenzwerte: max. Spannungssteilheit bei offenem Gatekreis: 500 V/μs, bei RC-Gateabschluss
darf die Spannungssteilheit bis zu 1000 V/μs betragen.

5.3.3 Gatestromzündung
Zunächst muss in Abb. 5-6 der Gatestrom iG Ladungs-
träger in das Gebiet des kathodenseitigen pn-Über- A iAK
ganges transportieren und dieser muss auf den mittleren p R
pn-Übergang, welcher in Sperrrichtung beansprucht
wird, zurückwirken. Die hierfür benötigte Zeit wird n
Zündverzugszeit tgd (1 – 2 μs) genannt. Die Zünd- iG G uD
verzugszeit wird, wie in Abb. 5-7 angegeben, aus dem p
Abfall der Ventilspannung auf 90 % ermittelt. Der
uGK n uDM
Durchschaltvorgang setzt nach Ablauf der Zündver-
zugszeit tgd in einem räumlich engen Bereich nahe der K
Gate-Elektrode ein. Er ist gekennzeichnet durch ein
Zusammenbrechen der Ventilspannung von 90 % auf Abbildung 5-6 Gatestromzündung
10 %. Diese Zeitspanne ist definiert als Durchschaltzeit tgr (1 – 2 μs). Die Kristallfläche ist
nach Ablauf der Durchschaltzeit nur in unmittelbarer Umgebung der Gateelektroden leitend,
weiter entfernte Gebiete der Kristallfläche blockieren noch (Abb. 5-8). Die Leitfähigkeit
breitet sich mit einer Ausbreitungsgeschwindigkeit von ca. 0,1 mm/μs im Kristall aus. Diese
Zeitspanne wird Zündausbreitungszeit tgs (Ĺ 100 μs) genannt. Damit während der Zündaus-
breitungszeit die maximal zulässige Stromdichte nicht überschritten wird, muss die Stromsteil-
heit beim Einschaltvorgang begrenzt sein. Hat iAK den Einraststrom IE erreicht (IE ca. 2 A),
dann bleibt der Thyristor auch ohne Steuerstrom leitend und der Gatestrom kann abgeschaltet
werden. Wegen der starken Temperaturabhängigkeit des Gatestromes iG muss sich die
Gatestromversorgung dem erhöhten Strombedarf bei niedrigen Temperaturen angepasst sein.
5.3 Das Einschaltverhalten 77

uD
u DM tgd tgr tgs
100%
90% iT
uD

10%

tgt t

iG real
100 %

10 % Impulsbeginn idealisiert

t
Abbildung 5-7 Einschaltvorgang, Strom- und Spannungsverhältnisse

Bereits leitendes Gebiet

Kathode Ausbreitung des Leitzu-

standes mit ca. 0,1 mm / μs

Gate
(noch) blockierendes Gebiet

Abbildung 5-8 Silizium-Tablette unmittelbar nach der Durchschaltezeit tgr (Draufsicht)

Um die Steilheit des Ventilstromes beim Durchschaltvorgang zu begrenzen, wird eine sättig-
bare Drossel, die als Stufen- bzw. Schaltdrossel bezeichnet wird, eingesetzt. Diese Schalt-
drossel wird durch einen oder mehrere Ferritkerne realisiert, die über die Thyristorzuleitung
geschoben werden. Aufgrund der Ummagnetisierungsverluste erzeugen diese Kerne eine
Verlustleistung die zusätzlich abgeführt werden muss.
Der Haltestrom IH ist der Durchlassstrom, der mindestens fließen muss um die innere Mit
kopplung des Thyristors aufrecht zu erhalten (typisch: IH < 400 mA).
Gatestromimpuls und Eingangskennlinienfeld:
Das p-leitende Gebiet mit dem Gateanschluss und das n-leitende Gebiet der Kathode bilden
einen pn-Übergang. Die Durchlasskennlinie des pn-Überganges bildet die Gate-Eingangs-
kennlinie nach Abb. 5-9. Diese Durchlasskennlinie streut verhältnismäßig stark und ist
temperaturabhängig. Innerhalb eines Streubandes der Eingangskennlinien von Thyristoren gibt
es nach DIN 41787 drei zu unterscheidende Bereiche:
78 5 Thyristoren

PG,max Anfangssteilheit
Bereich iG diG / dt
iG sicherer
Zündung 90 %
îG
min. max.
tr ĺ 1 μs
ʒi ʆ 10 A ʛ 2...5ʜ A
G
unsichere tpk ʛ 5 ... 20 ʜ μs
keine Zündung
Zündung 10 %

uG t
tpk
tpl

Abbildung 5-9 Eingangskennlinie und Gate-Zündimpuls

Zum sicheren Einschalten des Thyristors sind bestimmte Mindestwerte für die Steuergrößen
Gatespannung uG und Gatestrom i G erforderlich. Nach oben hin sind die Werte für uG und
iG durch die max. zulässige Gate-Steuerleistung PG,max begrenzt (Verlust-Hyperbel). Für ein
sicheres und schnelles Einschalten wird ein hoher Stromimpuls von max. 10 A verwendet.
Eine hohe Steuerstromamplitude beschleunigt den Zündvorgang durch geringere Zündver-
zugszeit tgd. Eine große Stromsteilheit diG/dt zu Beginn des Steuerstromes (Anfangssteilheit >
1A/μs) verringert die Einschaltverluste. In Verbindung mit der Zündimpulsdauer, die so groß
sein muss, dass der Thyristor seinen Einraststrom IE erreicht, folgen daraus spezielle
Anforderungen an die Zündelektronik. Die grundsätzliche Ansteuerungsart eines Thyristors
zeigt Abb. 5-10. Der Schalter S wird im Allgemeinen als Bipolar-Transistor ausgeführt. Die
Betriebsspannung U0 beträgt z. B. 15 V. In Lı ist die Induktivität des Thyristor-Strompfades
zusammengefasst.

Induktivität des
Impulsübertrager Stromkreises L˂
Impulsformung
Gate-Schutzdiode
iGK
C
RB
S
ZD DG
U0 R T RG uGK
DF CG CB

Freilaufkreis mit du/dt-Beschaltung TSE-Beschaltung

Entmagnetisierungs
Zenerdiode

Abbildung 5-10 Ansteuerschaltung für einen Thyristor

5.4 Ausschalten 79

5.4 Ausschalten
Zum Ausschalten muss der Thyristorstrom kurzzeitig den Haltestrom iH unterschreiten, damit
der Mitkopplungseffekt aussetzt. Bei einer Wechselstromanwendung nach Abb. 5-11 wird IH
automatisch mit jeder Halbschwingung unterschritten (Netzführung), bei einer Gleichstroman-
wendung nach Abb. 5-12 ist wegen der fehlenden Stromnulldurchgänge eine Löscheinrichtung
erforderlich (Zwangslöschung).

5.4.1 Netzgeführter Betrieb

Im Abstand ʱ vom natürlichen Nulldurchgang der Netzspannung uN wird ein Gatestromimpuls
vom Steuergenerator ausgelöst. Der Thyristor schaltet ein. Bis zum natürlichen Spannungs-
nulldurchgang leitet der Thyristor weiter. Wird der Haltestrom unterschritten, so schaltet der
Thyristor ab. Weil in der Schaltung nach Abb. 5-11 die Netzspannung den Abschaltvorgang
auslöst, wird die Schaltung als netzgeführt bezeichnet.

uN
„natürlicher“
iN Strom-
ʱ nulldurchgang
iN

UN R
ˈt
ʱ
USt
ˀ

Abbildung 5-11 Thyristoranwendung bei Wechselstrom (netzgeführte Schaltung)

5.4.2 Selbstgeführter Betrieb

Zum Zeitpunkt t1 wird in Abb. 5-12 der Thyristor über einen Gatestromimpuls eingeschaltet.
Der Thyristor leitet solange, bis zum Zeitpunkt t2 durch kurzzeitiges Schließen des Schalters S
der Thyristorstrom durch die Hilfsspannung UH den Haltestrom unterschreitet und ausschaltet.
UH
S

t2
U0

iR „erzwungener“
t1 iR Strom-
R Nulldurchgang
U0

t1 t2 t

Abbildung 5-12 Thyristoranwendung bei Gleichstrom (selbstgeführte Schaltung)

80 5 Thyristoren

UH muss so gepolt sein, dass sich im Thyristor ein Kurzschlussstrom in Sperrrichtung

aufbauen will. Der Schalter S muss solange geschlossen bleiben, bis der Thyristor seine
Blockierfähigkeit wiedererlangt hat. Um den Ausschaltvorgang genauer zu beschreiben wird
eine Ersatzschaltung nach Abb. 5-13 gewählt. Der Thyristor führt zunächst einen konstanten
Strom Id.

iL t > t1, iT < 0

K S iT d iT
Id iT
d iL A
Id ʆ0
uL L ŏ L˂ dt
iT ˂ dt p
uT n t2 t3
uT u L ėU K IJ 0 p G t0 t1 t

UK n
i T I 0 ėi L K

Abbildung 5-13 Abschaltvorgang eines Thyristors, t ĺ t0

Zum Zeitpunkt t0 wird der Schalter S geschlossen. Die Hilfsspannung UK baut den Strom iL
auf, wodurch der Thyristorstrom iT abnimmt, d. h. die Stromsteilheit diT/dt ist in diesem Ab-
schnitt kleiner Null. Nach dem Stromnulldurchgang bei t1 bleibt der Thyristor solange weiter
leitend bis alle Ladungsträger aus dem Kristall abgeflossen bzw. rekombiniert sind. Es fließt
daher auch ein Strom in Rückwärtsrichtung iR (2) wodurch der mittlere pn-Übergang in
Durchlassrichtung betrieben wird. (Dieser Übergang ist die Ursache der Freiwerdezeit.) In
Rückwärtsrichtung hat der Thyristor zunächst zwei pn-Übergänge in Sperrrichtung strom-
führend. Der erste pn-Übergang hat zum Zeitpunkt t2 seine Sperrfähigkeit wiedererlangt und
kann eine Sperrspannung (ca. 20 V) aufnehmen. Hierdurch reduziert sich die treibende Span-
nung und die Stromsteilheit di/dt ist deutlich geringer (3). Zum Zeitpunkt t3 sperrt in Abb. 5-
14 auch der zweite pn-Übergang. Der Thyristorstrom iT hat zu diesem Zeitpunkt seinen
Maximalwert iRM. erreicht (4). Anschließend reißt der Thyristorstrom schnell ab.
Die Angaben in Klammern beziehen sich auch auf Abb. 5-15.
iL
t > t3, iT < 0

I0 iT
di L A iT
uL Lŏ L˂ Stromabriss
˂ dt p
iT ʍ 0
iT ʍ 0 uT n
uT ėu L ėU K J
p t3 t
G
IRM d iT
UK n ʇ0
dt
K
Abbildung 5-14 Abschaltvorgang eines Thyristors, Stromabriss
5.5 Ausführungsformen 81

d iT UK Abbildung 5-15
iT
dt
ė
L Ausschaltvorgang
uT 1 ˂
Ventilstrom und -spannungs-
verlauf beim Ausschalt-
Id trr vorgang der Schaltung nach
2
Abb. 5-13.
t2 t3 t4
trr: reverse recovery time
t0
t1 3 4 t (Sperrverzugszeit)
iRM 0,1 iRM
UK: Hilfsspannung
UK

iR uT
uR

Der Stromabriss bedeutet eine sehr große Stromsteilheit mit umgekehrtem Vorzeichen, die
Spannung uL addiert sich jetzt zu der Betriebsspannung UK. Es kommt zu einer Überhöhung
der Sperrspannung, wodurch der Thyristor gefährdet ist. Der dritte – mittlere – pn-Übergang
(J) wurde vom Rückwärtsstrom iR in Durchlassrichtung gepolt und ist noch mit
Ladungsträgern überschwemmt. Der Thyristor hat aber erst dann seine Blockierfähigkeit
erreicht, wenn die Ladungsträger in J rekombiniert sind. Deshalb muss nach
Stromnulldurchgang (t1) eine Mindestzeitspanne, die Freiwerdezeit t q abgewartet werden (je
nach Typ: tq = 10 μs ... 700 μs) bevor wieder eine positive Spannung am Thyristor anliegen
darf. Aus Sicherheitsgründen verlängert man die Freiwerdezeit tq z. B. 1,5-fach und bezeichnet
diese neue Zeitspanne als Schonzeit t S. Zur Bedämpfung der Abschaltüberspannung wird der
Thyristor analog zur Diode mit einem RC-Glied beschaltet (TSE-Beschaltung).
Für den periodischen Betrieb eines selbstgeführten Thyristors wurden Löschschaltungen
entwickelt, bei denen die Polarität des Löschkondensators sich beim Einschaltvorgang über
eine Umschwingschaltung immer wieder hergestellt hat. Derartige Schaltungen kommen heute
nicht mehr zum Einsatz weshalb an dieser Stelle das Thema der Thyristorlöschung nicht weiter
vertieft wird. Beispiele für früher ausgeführte Schaltungen mit Kondensatorlöschung sind der
1-phasige Wechselrichter bzw. der Phasenfolgewechselrichter. Diese Schaltungen werden in
Kapitel 12 vorgestellt.
ȩ Als selbstgeführte Schalter werden heute der abschaltbare Thyristor als GTO bzw. IGCT
sowie der IGBT bzw. MOSFET eingesetzt.

5.5 Ausführungsformen
Der bisher betrachtete Thyristor heißt „kathodenseitig steuerbare, rückwärtssperrende Thy-
ristortriode“ mit der Kurzbezeichnung SCR für Silicon Controlled Rectifier. Darüber hinaus
gibt es zahlreiche Thyristorvarianten, von denen nachfolgend einige vorgestellt werden.
82 5 Thyristoren

5.5.1 Amplifying Gate Struktur

Der Thyristor ist ein stromgesteuertes Bauelement. Damit bei leistungsstarken Thyristoren ein
intensiver Steuerstrom in das Gate eingebracht werden kann, wird der Thyristor über einen
gateseitigen Hilfsthyristor gezündet. Von außen wird nur der Hilfsthyristor angesteuert. Da-
durch lassen sich großflächige Gatestrukturen nach Abb. 5-16 mit einer kurzen Schaltzeit
realisieren, und damit im Vergleich zum Netzthyristor auch höhere Schaltfrequenzen.
G K

K´ G´
n+ n+ A
p

n-

p G K

Hilfsthyristor Hauptthyristor
A
Abbildung 5-16 Aufbau eines Thyristors mit Hilfsthyristor (amplifying gate structure)

5.5.2 Zweirichtungs-Thyristoren
Man unterscheidet bei Zweirichtungs-Thyristoren zwischen einer Thyristordiode (Diac, Vier-
schichtdiode) und einer Thyristortriode (Triac, Triode alternating current switch). Ein Triac
verhält sich so wie eine aus zwei Thyristoren bestehende Gegenparallelschaltung. Den grund-
sätzlichen Aufbau und das verwendete Schaltzeichen zeigt folgende Abbildung 5-17:
MT2 MT2 MT2
Abbildung 5-17
G2 Arten von Zwei-
Diac Triac
G G1 bidirectional richtungs-Ventilen
control thyristors
MT1 MT1 MT1

Die Triac-Struktur besteht aus zwei antiparallelgeschalteten pnpn-Schichtfolgen. Die Hauptan-

schlüsse (Main Terminal, MT) werden mit MT1 und MT2 bezeichnet. Zur Zündung wird
zwischen dem Gateanschluss (G) und MT1 eine Steuerspannung beliebiger Polarität gelegt,
wodurch das Element in beiden Richtungen durchgeschaltet wird. Für den praktischen Einsatz
ist von Bedeutung, dass die direkt nach dem Stromnulldurchgang am Triac auftretende
Spannung nur mit sehr begrenzter Steilheit ansteigen darf. Sonst zündet der Triac ungewollt
wieder durch. Durch eine geringe Steilheit beim Stromnulldurchgang erhalten Löcher und
Elektronen mehr Zeit für eine Rekombination wodurch die du/dt-Festigkeit vergrößert werden
kann. Die kritische Spannungssteilheit nach der Kommutierung (du/dt-Festigkeit) ist deutlich
niedriger als bei einem Thyristor. Wegen der geringen Spannungs- und Stromsteilheiten eignet
sich ein Triac nur für kleine bis mittlere Leistungen. Für höhere Leistungen werden
antiparallelgeschaltete Thyristoren (bidirectional control thyristors) verwendet.

5.5.3 Der asymmetrisch sperrende Thyristor

Für Schaltungen, in denen Thyristoren eine geringe Spannungsfestigkeit in Rückwärtsrichtung
aufweisen müssen, wurden Thyristoren mit einer asymmetrischen Kennlinie entwickelt. Diese
Thyristoren werden als asymmetrisch sperrende Thyristoren (ASCR, Asymmetric Silicon
Controlled Rectifier) bezeichnet. Der asymmetrisch sperrende Thyristor hat gegenüber dem
5.6 Abschaltbarer Thyristor (GTO) 83

symmetrisch sperrenden Thyristor eine 2- bis 3-mal kleinere Freiwerdezeit und geringere
Einschalt- und Durchlassverluste. Durch Integration einer antiparallelen Diode in den
Thyristor erhält man den rückwärtsleitenden Thyristor (RCT, Reverse Conducting Thyristor).

Asymmetrischer Thyristor Rückwärtsleitender Thyristor

A K A K
G G

5.5.4 Der lichtzündbare Thyristor

Speziell in der HGÜ-Technik werden lichtzündbare Thyristoren eingesetzt. Bei 8 kV Span-
nungsfestigkeit erfolgt die Ansteuerung potenzialfrei über Lichtleiter. Die Zündung kann
direkt über die Lichtenergie erfolgen (optische Zündung, 40 mW-Laser mit Lichtwellenleiter)
oder indirekt über eine optische Signalübertragung mit Zündverstärker.

5.6 Abschaltbarer Thyristor (GTO)

Der gateseitig abschaltbare Thyristor (Gate-Turn-Off Thyristor, GTO) ist eine Weiterent-
wicklung des einschaltbaren Thyristors.

ringförmiger Druckkontakt im Gehäuse Kathodenfinger

Kathode
Gate

n+ n+ n+ n+
p Gate
n
p+

Anode Draufsicht
Abbildung 5-18 Aufbau eines GTO-Thyristors

5.6.1 Der asymmetrische sperrende GTO

Der asymmetrisch sperrende GTO besitzt in positiver Richtung volle Sperrfähigkeit, in nega-
tiver Richtung jedoch nur eine geringe Sperrfähigkeit. Die asymmetrische Kennlinie wird in
Abb. 5-19 durch Anodenkurzschlüsse (Shorting) erreicht.
Kathode Gate
Abbildung 5-19

n+ n+ n+ n+
Aufbau eines GTO-
p Thyristors mit Anoden-
n
Kurzschlussstruktur
p n p n p n p n p n p n p n p
(schematisch)
Anode
84 5 Thyristoren

D er rück w ä r t s l e i t e n d e G T O Der symme t r i s c h s p e r r e n d e G T O

Ein rückwärtsleitender GTO hat eine in- besitzt volle Sperrfähigkeit in beiden Richtungen
tegrierte Freilaufdiode. und eignet sich daher für Schaltungen mit
wechselnder Polarität der treibenden Spannung.
A A

G G
K K

5.6.2 Ansteuerung
5.6.2.1 Einschalten
Das Einschalten erfolgt wie beim konventionellen Thyristor entsprechend Abb. 5-9 mit einem
steilen Gatestromimpuls diGM/dt. Der Scheitelwert IGM muss mindestens dem 6fachen Wert
des Dauerimpulsstromes IG entsprechen. Anforderungen an den Steuergenerator sind tempera-
turabhängig, so beträgt der Einschaltstrom für einen GTO mit 3 A IGT (bei 20 °C) IGM 20 A
(bei -25 °C) bzw. 60 A (bei -40 °C).

5.6.2.2 Ausschalten
Der GTO schaltet aus, wenn ein ausreichend hoher negativer Gatestrom auftritt. Die
Amplitude des Gatestromes muss 20 % bis 30 % des abzuschaltenden GTO-Stromes betragen.
Der Abschaltvorgang wird vereinfachend mit Abb. 5-20 erläutert. Zum Ausschalten wird der
Schalter S geschlossen und es setzt ein rückwärtsgerichteter Gatestrom iRG ein. iRG steigt
zunächst mit einer Steilheit an, die durch die treibende Spannung U0 und die gateseitige
Induktivität LG bestimmt ist (LG < 300 nH).
Die Stromsteilheit des Gatestromes beträgt bei einer GTO-Ansteuerschaltung bis zu 50 A/μs.
iT
Abbildung 5-20
A RL
Ersatzschaltbild zum Abschalt-
vorgang eines GTO-Thyristors
iB1 = iC2
T1 LG: Induktivität der
URL
S iG iC1 Gatezuleitung
T2
LG G iB2
U0
K

Durch die einsetzende Sperrung der Kathoden-Gate-Strecke erreicht iRG in Abb. 5-21 seinen
Höchstwert iRGM und fällt anschließend wieder auf Null ab. Das Verhältnis des abzuschal-
tenden Stromes iT zum Maximalwert des Steuerstromes iRGM wird als Abschaltverstärkung vQ
bezeichnet. vQ liegt bei einem GTO zwischen 3 und 5, so dass zum Abschalten eines Gleich-
stromes von z. B. 3000 A ein iRGM von 1000 A erforderlich ist.
5.6 Abschaltbarer Thyristor (GTO) 85

iT Abbildung 5-21
0,9 iT GTO-Ausschaltvorgang
iTq 0,1 iT Tailstrom Zeitlicher Verlauf des Steuer-
t stromes und des Durchlassstromes
beim Ausschalten eines GTO-
Thyristors.
tdq tfq IJttq
ta t
0,1 iRGM iRGM

0,9 iRGM
iRG

Der Steuerstrom iRG bewirkt, dass der Durchlassstrom iT nach der Abschaltverzugszeit tdq
abnimmt. iT sinkt dann während der Abschaltfallzeit tfq relativ schnell auf den Anfangswert
des Schweif- bzw. Tailstromes (Itq), der vereinfachend in Abb. 5-21 mit dem 10 %-Punkt von
iT zusammenfällt. Dieser Tailstrom geht innerhalb der Schweifzeit ttq relativ langsam auf Null
zurück. Diese Stromabnahme erfolgt nur durch die Rekombination von Ladungsträgern im pn-
Übergang der Thyristorstruktur und kann über die Steuerelektrode nicht beeinflusst werden.
Die Schweifzeit ist entscheidend für die Ausschaltverlustleistung. Zwar lässt sich prinzipiell
jeder Thyristor durch einen negativen Gatestromimpuls abschalten, jedoch wäre bei einem
konventionellen Thyristor der abschaltbare Strom nur sehr klein. Erst durch den Aufbau des
Thyristors nach Abb. 5-18 mit fingerförmig verzahnten Gate- und Kathodenelektroden sowie
einer verminderte Stromverstärkung des Transistors T1 in Abb. 5-20 entsteht ein leistungs-
starker GTO-Thyristor. Die zukünftige Bedeutung des GTO ist durch weitere Entwicklungen
(IGBT, IGCT) jedoch vermindert.

5.6.3 Betriebsbedingungen für einen GTO

Im Vergleich mit einem Thyristor besitzt der GTO einen sehr hohen Haltestrom. Da der
Thyristorstrom im Betrieb im Allgemeinen eine hohe Welligkeit aufweist, besteht die Gefahr,
dass ein GTO in einen undefinierten Leitzustand gerät. Beim Wiederanstieg des Stromes kann
es durch hohe Stromdichten zum Ausfall des Bauelementes kommen. Zur Sicherstellung eines
definierten Leitzustandes wird daher ein Dauergatestrom bzw. Impulskamm vorgesehen, der
mindestens 20 % größer ist als der Dauerimpulsstrom IGT. Besteht die Gefahr, dass durch eine
Stromrichtungsumkehr der Strom selbsttätig auf die Freilaufdiode kommutiert, so ist ein
Dauergatestrom von mindestens 10 A (-40 °C) für den anschließenden Wiedereinschalt-
vorgang bei positivem Stromanstieg vorzusehen. Die Schaltfrequenzen werden mit Rücksicht
auf die Schaltverluste kleiner als 500 Hz gewählt. Typische Steilheiten des Gatestromes liegen
dann bei ca. 50 A/μs. Für den Betrieb ist eine GTO-Beschaltung nach Abb. 5-22 erforderlich.
I TQM t min
Cĺ und R Ĺ
du 4C (5.1)
ʛ ʜ
d t kritisch
86 5 Thyristoren

Die Kapazität des Kondensators C wird durch den GTO-Abschaltstrom (ITQM) und dem
kritischen du/dt-Wert definiert. Voraussetzung ist, dass der Kondensator zu Beginn des Ab-
schaltvorganges entladen ist, weshalb eine Mindesteinschaltzeit tmin des Thyristors eingehalten
werden muss, in der sich C über den Widerstand R entlädt. Für R und C gilt Gl. (5.1).

Abbildung 5-22
R D GTO antiparallele Diode
Beschaltungsmaßnahmen
für einen GTO
RCD-Beschaltung
C
gegen Überspannung
Die Stromsteilheit wird mit Rücksicht
auf die antiparallele Diode begrenzt.
Begrenzung der
RL
L Stromsteilheit mit
Freilaufzweig
DL

5.6.4 IGCT
Der „Integratet Gate-Commutated Thyristor“ (IGCT) stellt hinsichtlich der Schaltleistung und
-Geschwindigkeit eine Weiterentwicklung des GTO dar. Er wird hauptsächlich für Mittelspan-
nungsumrichter eingesetzt. Leistungshalbleiter und Ansteuereinheit sind induktivitätsarm zu
einer baulichen Einheit zusammengefasst, wodurch der Gatestrom (die Abschaltverstärkung
beträgt 1) mit einer höheren Steilheit als beim GTO bereitgestellt werden kann. Die Folge ist
eine Reduktion der Speicherzeit, die zusätzlich eine Optimierung der Siliziumdicke ermög-
lichte. Durch diese baulichen Änderungen hat der IGCT deutlich verminderte Durchlass- und
Schaltverluste. Beim IGCT konnte so das Schaltverhalten eines Transistors mit dem Durch-
lassverhalten eines Thyristors kombiniert werden. In dieser Hinsicht – und auch der Robustheit
– hat der IGCT heute noch Vorteile gegenüber dem IGBT (Vergleichsdaten siehe Kapitel 5.7).
Die Schaltfrequenz des IGCT liegt bei max. 1000 Hz, Kommutierungen verlaufen mit Strom-
steilheiten bis über 1200 A/μs.

5.7 Auswahl von Leistungsbauelementen

Die aufgeführten Grenzdaten gelten für aktuell verfügbare Bauelemente und zeigen teilweise
eine Typen-Spezialisierung für Hoch- Niederspannungsanwendungen. Die in Tab. 5.1 auf-
geführten Daten sind zudem anwendungsspezifisch und daher als Anhaltswerte zu verstehen.
Tabelle 5.1 Auswahl an Bauelement-Grenzwerten (stand: 2007)

Typ U/V IDC/A toff /μs Typ U/V ITQM/A IAV/A toff /μs
800 25 0,15 GTO 4500 4000 1000 100
MOSFET
100 300 0,7 IGCT 4500 4000 2100 11
IGBT 6500 600 1-4 Thyristor 8500 - 2400 -
1200 300 15 - 25 Diode 5000 - 3800 -
BT
550 480 5 - 10 SiC-Diode 1200 - 20 -
IAV: Mittelwert (AV), ITQM: maximal abschaltbarer Strom, IDC: Gleichstrom (continous)