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ETUDE D’UN AMPLIFICATEUR A LIAISONS CONTINUES 1

On considère le montage amplificateur à liaisons continues de la figure 1 composé de deux


étages qui utilisent à la température de 25°C des transistors NPN intégrés rigoureusement
identiques de gain en courant ! de 250.

Les transistors T1 et T2 ont une résistance interne rce très importante. Pour le transistor T3 on
prendra rce3 = 50 k!. On donne de plus la loi liant le courant de collecteur à la tension VBE :
V
I C = I SBC exp( BE ) (1) avec : UT = 25 mV à 25 °C. Les transistors ont le même courant inverse de
UT
saturation de la jonction base collecteur ISBC.

!
+VCC = +15V

R1 K

! C1 T3

IC1 IC2 B3
B1
T1 T2 B2 vs1
R2
eg ve E1 E2

vs
Ri" Ri"
I2
I1 1 mA

+VEE = #15V !
!
Figure 1 : schéma du montage amplificateur continu

! L’interrupteur K est ouvert pour isoler le premier étage.


1. Au repos, c’est à dire pour eg = VE = 0 V, montrer que les courants de repos IC10 et IC20 de T1
et T2 sont égaux.
2. La base de T1 est maintenant excitée par un générateur sinusoïdal eg d'amplitude faible.
Dessiner le schéma équivalent aux petites variations et aux fréquences moyennes du 1°
étage.

1
Philippe ROUX © 2009 http://rouxphi3.perso.cegetel.net
3. Déterminer les expressions de la résistance d’entrée Re1 du premier étage et de son gain en
v
tension A1 = s1 .
ve

4. On désire obtenir un gain en tension A1 de -200 et une résistance d’entrée Re1 de 250 k!.
Calculer la valeur de la résistance R1 et de la source de courant I1.
!
5. Déterminer l’expression de la résistance de sortie Rs1 du premier étage. Faire l’A.N.

Cette résistance de sortie étant trop élevée, on ferme l’interrupteur K pour connecter le 2°
étage. Le générateur de courant parfait I2 délivre un courant de 1 mA. On admettra que le
courant de base de T2 est négligeable devant le courant de collecteur de T1.

6. Au repos, c’est à dire pour eg = VE =0V, on désire obtenir une tension de sortie VS nulle.
Calculer la valeur à donner à la résistance R2.
7. Donner le schéma aux petites variations du deuxième étage.
vs
8. Déterminer le gain en tension A2 = du deuxième étage.
vs1

9. Donner le schéma équivalent permettant de déterminer la résistance de sortie RS du montage


complet.
!
10. Déterminer l’expression de la résistance de sortie RS. A.N.

2
CORRECTION 2

1. Schéma du premier étage avec tension d’entrée nulle.


+VCC = +15V
C2

R1

! C1
IC10 IC20
B1
T1 T2 B2

E1 E2
VBE1 VBE2

Ri"
I1

+VEE = #15V
!
VBE1
Exprimons les courants de collecteur avec la relation (1) : I C10 = I SBC exp( )
UT
! V I V "V
I C 20 = I SBC exp( BE 2 ) soit : C10 = exp( BE1 BE 2 )
UT I C 20 UT

Sachant que : 0 = VBE1-VBE2, on en déduit : IC10 = IC20. !

! 2. Schéma aux petites! variations sinusoïdales. Une tension de Early importante correspond à
une résistance interne rce infinie.
ib1 E1 E2
B1
rbe1
ib2
!ib1
ve C1
rbe2

vs1 !ib1
R1

B2 C2

2
Philippe ROUX © 2009 http://rouxphi3.perso.cegetel.net
3
UT
3. Sachant que les courants de repos sont égaux, on rbe1 = rbe2 = rbe= " .
IC0

Expression de la tension ve : ve = rbe (ib1 " ib2 )

Nœud E1 : (" +1)ib1 + (" +1)ib2 = 0 soit : ib1 = "ib2 !

! ve U
Re1 = = 2rbe = 2 " T (2)
ib1 IC0
! !
Exprimons la tension vs1 : vs1 = "#ib1 R1 et exploitons la relation précédente :

! vs1 #R
A1 = = " 1 (3)
ve 2rbe
!
4. La relation (2) permet de calculer le courant de repos de collecteur : IC01 = IC02 = 50 µA soit
une source de courant I1 de 100 µA.
!
Avec rbe = 125 k!, Pour obtenir un gain A1 de -200 on doit choisir R1 = 200 k!.
5. Schéma d’analyse pour déterminer la résistance de sortie Rs1 à l’aide de la méthode de
l’ohmmètre (c’est à dire : tension d’entrée nulle et générateur (u, i) placé à la sortie).
ib1 E1 E2
B1
rbe1
ib2
!ib1 i
C1
rbe2

!ib1
u
R1

B2 C2

La tension d’entrée étant nulle, la relation (2) indique que ib1 = 0. On a alors ib2 nul et les
générateurs dépendants ! ib1 et ! ib2 sont aussi nuls.

Résistance de sortie : RS1 = R1 = 200 k!.


6. Schéma en continu du montage complet avec VE = 0V. Potentiels par rapport à la masse.
+VCC = +15V

200 k! R1 5V
! C1 T3

IC1 50 µA IC2 B3
0V 50 µA
B1 4,4V
T1 T2 B2 vs1
R2
E1 E2

0V

Ri" Ri"
I2
I1 100 µA 1 mA

+VEE = #15V !
!

Valeur de la résistance R2 : 4,4 k!.


!

4
7. Schéma aux variations du deuxième étage.
rbe3 E3
B3

R2
vbe3

rce3
vs1 vs

gm3vbe3

C3

8. Gain en tension du 2° étage.


vs1 " vs v
Equation au nœud E3 : + gm 3 (vs1 " vs ) " s = 0
rbe3 rce3

1
+ gm 3
" 1 % " 1 1 % vs rbe3
vs1$ + gm 3 '!= vs $ + gm 3 + ' A2 = = " 1 (4)
# rbe3 & # rbe3 rce3 & vs1 1 1
+ gm 3 +
rbe3 rce3

UT IC 3
rbe3 = " = 6, 25k# gm 3 =
= 40mS rce3 = 50 k!
! IC 3 UT
!
9. Schéma d’analyse pour déterminer la résistance de sortie Rs à l’aide de la méthode de
l’ohmmètre. On rappelle que le premier étage se comporte comme un générateur sinusoïdal
! (qui est annulé dans!cette méthode) de résistance interne Rs1 = R1.
rbe3 E3
B3
ib3 R2 i

R1 u
rce3 u’
!ib3

C3

u u"
Résistance de sortie : Rs = = R2 +
i i
i = "(# +1)ib3 u" = #(rbe3 + R1 )ib 3

! u R +r
Rs = = R2 + 1 be3 = 5, 2k# (5)
i " +1
! !