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Les transistors T1 et T2 ont une résistance interne rce très importante. Pour le transistor T3 on
prendra rce3 = 50 k!. On donne de plus la loi liant le courant de collecteur à la tension VBE :
V
I C = I SBC exp( BE ) (1) avec : UT = 25 mV à 25 °C. Les transistors ont le même courant inverse de
UT
saturation de la jonction base collecteur ISBC.
!
+VCC = +15V
R1 K
! C1 T3
IC1 IC2 B3
B1
T1 T2 B2 vs1
R2
eg ve E1 E2
vs
Ri" Ri"
I2
I1 1 mA
+VEE = #15V !
!
Figure 1 : schéma du montage amplificateur continu
1
Philippe ROUX © 2009 http://rouxphi3.perso.cegetel.net
3. Déterminer les expressions de la résistance d’entrée Re1 du premier étage et de son gain en
v
tension A1 = s1 .
ve
4. On désire obtenir un gain en tension A1 de -200 et une résistance d’entrée Re1 de 250 k!.
Calculer la valeur de la résistance R1 et de la source de courant I1.
!
5. Déterminer l’expression de la résistance de sortie Rs1 du premier étage. Faire l’A.N.
Cette résistance de sortie étant trop élevée, on ferme l’interrupteur K pour connecter le 2°
étage. Le générateur de courant parfait I2 délivre un courant de 1 mA. On admettra que le
courant de base de T2 est négligeable devant le courant de collecteur de T1.
6. Au repos, c’est à dire pour eg = VE =0V, on désire obtenir une tension de sortie VS nulle.
Calculer la valeur à donner à la résistance R2.
7. Donner le schéma aux petites variations du deuxième étage.
vs
8. Déterminer le gain en tension A2 = du deuxième étage.
vs1
2
CORRECTION 2
R1
! C1
IC10 IC20
B1
T1 T2 B2
E1 E2
VBE1 VBE2
Ri"
I1
+VEE = #15V
!
VBE1
Exprimons les courants de collecteur avec la relation (1) : I C10 = I SBC exp( )
UT
! V I V "V
I C 20 = I SBC exp( BE 2 ) soit : C10 = exp( BE1 BE 2 )
UT I C 20 UT
! 2. Schéma aux petites! variations sinusoïdales. Une tension de Early importante correspond à
une résistance interne rce infinie.
ib1 E1 E2
B1
rbe1
ib2
!ib1
ve C1
rbe2
vs1 !ib1
R1
B2 C2
2
Philippe ROUX © 2009 http://rouxphi3.perso.cegetel.net
3
UT
3. Sachant que les courants de repos sont égaux, on rbe1 = rbe2 = rbe= " .
IC0
! ve U
Re1 = = 2rbe = 2 " T (2)
ib1 IC0
! !
Exprimons la tension vs1 : vs1 = "#ib1 R1 et exploitons la relation précédente :
! vs1 #R
A1 = = " 1 (3)
ve 2rbe
!
4. La relation (2) permet de calculer le courant de repos de collecteur : IC01 = IC02 = 50 µA soit
une source de courant I1 de 100 µA.
!
Avec rbe = 125 k!, Pour obtenir un gain A1 de -200 on doit choisir R1 = 200 k!.
5. Schéma d’analyse pour déterminer la résistance de sortie Rs1 à l’aide de la méthode de
l’ohmmètre (c’est à dire : tension d’entrée nulle et générateur (u, i) placé à la sortie).
ib1 E1 E2
B1
rbe1
ib2
!ib1 i
C1
rbe2
!ib1
u
R1
B2 C2
La tension d’entrée étant nulle, la relation (2) indique que ib1 = 0. On a alors ib2 nul et les
générateurs dépendants ! ib1 et ! ib2 sont aussi nuls.
200 k! R1 5V
! C1 T3
IC1 50 µA IC2 B3
0V 50 µA
B1 4,4V
T1 T2 B2 vs1
R2
E1 E2
0V
Ri" Ri"
I2
I1 100 µA 1 mA
+VEE = #15V !
!
4
7. Schéma aux variations du deuxième étage.
rbe3 E3
B3
R2
vbe3
rce3
vs1 vs
gm3vbe3
C3
1
+ gm 3
" 1 % " 1 1 % vs rbe3
vs1$ + gm 3 '!= vs $ + gm 3 + ' A2 = = " 1 (4)
# rbe3 & # rbe3 rce3 & vs1 1 1
+ gm 3 +
rbe3 rce3
UT IC 3
rbe3 = " = 6, 25k# gm 3 =
= 40mS rce3 = 50 k!
! IC 3 UT
!
9. Schéma d’analyse pour déterminer la résistance de sortie Rs à l’aide de la méthode de
l’ohmmètre. On rappelle que le premier étage se comporte comme un générateur sinusoïdal
! (qui est annulé dans!cette méthode) de résistance interne Rs1 = R1.
rbe3 E3
B3
ib3 R2 i
R1 u
rce3 u’
!ib3
C3
u u"
Résistance de sortie : Rs = = R2 +
i i
i = "(# +1)ib3 u" = #(rbe3 + R1 )ib 3
! u R +r
Rs = = R2 + 1 be3 = 5, 2k# (5)
i " +1
! !