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Module : EF1 Chapitre I : Généralités sur les semi-conducteurs

Chapitre I: Généralités sur les semi-conducteurs

I. Semi conducteurs purs (intrinsèques)

I.1 Définition
Un semi conducteur est un matériau qui présente une conductivité intermédiaire entre
celle des métaux (conducteurs) et les isolants. On peut considérer les semi conducteurs
comme des mauvais isolants à la température ambiante et aussi des mauvais conducteurs.
Les matériaux semi conducteurs sont des cristaux covalents constitués d’atomes entourés de
8é donc soit des éléments de valence 4 (les éléments de la 4 ème colonne du tableau périodique)
tel que le Silicium (Si) et le germanium (Ge). Les développements de la technologie ont
permis de réaliser de nouveau semi conducteurs beaucoup plus performants utilisant des
alliages composés des groupes III et V du tableau périodique.
I.2 Influence de la température
A 0° K le nombre d’électrons libres est nul et le nombre de trous est aussi, ceci
indique qu’il ne peut s’établir aucune conduction à travers le matériau intrinsèque: la bande de
valence est saturée et la bande de conduction est vide.
Si la température augmente (à partir de 0° K) l’énergie propre de l’électron augmente
ce qui lui permit de se détacher de l’atome et devenir libre. L’atome correspondant devient
chargé positivement et il en résulte la création d’une place vacante dans la liaison entre les
deux atomes appelé trou.

Energie

é libre é libre

BC
Si

Energie thermique
Gap

Si
Trou
Trou
BV

Diagramme d’énergie Diagramme de liaison

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Avec l’augmentation de la température les densités ni (électrons libres) et pi (trous) des

porteurs mobiles intrinsèques croissent très rapidement et sont donnés par la relation:

ni =p i= A T
3
2 (e 2−wKT )
i

Avec :
A: constante dépendant du semi-conducteur.
Wi : énergie de libération d’un électron (j)
T: température en (K°).
K: Constante de Boltzmann (K= 1.38.10-23j/K°)
I.3 Phénomène de recombinaison
Le mécanisme de conduction dans un semi-conducteur intrinsèque consiste à fournir
de l’énergie à un électron pour se libérer. Par exemple cette énergie est :
- 0.7ev pour le Germanium.
-1.1ev pour le silicium.
Si la température augmente, l’énergie propre des électrons augmente. Ces électrons
peuvent alors s’évader de leur atome et ils deviennent libres.
Quand un électron devient libre, il laisse derrière lui :
- Une charge positive excédentaire dans le noyau de l’atome qu’il a quitté ;
- Une place disponible dans la liaison entre deux atomes: cette place est appelée trou ou
lacune.
Un électron lié voisin de ce trou aura la possibilité de l’occuper en libérant ainsi un
trou, lequel pourra à son tour être occupé par un nouvel électron.
- Une double conduction est ainsi rendu possible.
 Celle des électrons libres qui circulent librement au niveau de la bande de
conduction ;
 Celle des électrons liés qui vont de trou en trou au niveau de la bande de
valence.
Les électrons libres sont appelé porteurs de charges négatives. Les trous sont les porteurs de
charges positifs. Dans un semi conducteur pur (intrinsèque), il ya autant d’électrons libres que
des trous : soit n et p les nombres respectifs de porteurs négatifs (électrons) de la bande de
conduction et de porteurs positifs (trous) de la bande de valence par unité de volume
(concentrations); on montre que :
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n= p=n i

n . p=n 2i

I.4 Mobilité et résistivité d’un semi- conducteur intrinsèque

On peut définir une mobilité pour chaque type de porteurs
μn : mobilité pour les électrons
μP : mobilité pour les trous
Sous l’action d’un champ électrique les porteurs acquièrent respectivement les vitesses :
⃗v n=μn ⃗
E
⃗v p =μ p ⃗
E
La conductivité due aux électrons libres est:σ n=e ni μn
La conductivité due aux trous libres est:σ p=e pi μ p
La conductivité du semi-conducteur intrinsèque est:
σ =σ n + σ p=e ni ( μ n + μ p )
La résistivité du semi-conducteur intrinsèque est:
1 1
ρ= =
σ e n i ( μn + μ p )

Notons que: ni =p i
II Semi- conducteur dopé (extrinsèque)
II.1 définition du dopage
Le dopage est l’introduction dans un semi-conducteur intrinsèque des impuretés (corps
étranger appelé dopeur tel que : le Galium (Ga), l’Arsenic (As) en très faibles quantité
(généralement 1 atome de dopeur pour 106 atome de semi-conducteur).
II.2 Semi-conducteur de type N
Les impuretés introduites dans le semi-conducteur intrinsèque sont des atomes
possédant 5 électrons de valence (atomes pentavalents) citant dans ce cas par exemple:
antimoine (Sb), Arsenic (As), Phosphore (P).
Chaque atome pentavalent ne peut se relier à un atome de Si que par quatre électrons,
le 5eme reste libre. Le semi-conducteur ainsi obtenu est de type N.

Si

Si As Si

Si
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Par agitation thermique les 5èmes électrons des atomes pentavalents à la concentration
ND vont se libérer. Ces atomes appelés atomes donneurs et ils deviennent des ions positifs de
charge +e, mais pas de place libre (trou). La conductibilité extrinsèque de type N apporte
beaucoup d’électrons mais pas de trous les seuls trous sont ceux existant dans le semi
conducteur intrinsèque avant dopage. On aura alors :
 Des porteurs positifs mobiles (trous) dus à l’ionisation thermique des atomes du semi-
conducteur intrinsèque de concentration pi.
 Des porteurs négatifs mobiles (é libre) qui viennent de:
- L’ionisation thermique du semi-conducteur intrinsèque.
- Des électrons qui proviennent des atomes donneurs pentavalents à la concentration ND.
Les porteurs mobiles négatifs sont donc majoritaires et les porteurs mobiles positifs sont
minoritaires.
Dans un semi-conducteur dopé, la concentration des porteurs mobiles n et p est
indépendante de la concentration de l’impureté, elle ne dépend que de la température du semi-
conducteur et de l’énergie d’ionisation Wi.
La concentration des porteurs majoritaires est
n=n i+ N D ND >> ni
Donc n≅ ND
La concentration des minoritaires est :
n2i
p≅
ND
D’où la résistivité du semi-conducteur type N est :
1
ρ=
N D μn e
II.3 Semi-conducteur Type P
C’est l’introduction d’atomes ayant 3 électrons périphériques tels que les atomes de
Bore dans un semi-conducteur pur avec une concentration NA. Il existe donc un trou au niveau
de chaque atome d’impureté, qui par agitation thermique est comblé par un électron
périphérique d’un atome voisin du Semi-conducteur. L’atome d’impureté devient un ion
négatif, il est dit atome accepteur.
Si

Si B Si
 Semi-conducteur de type P
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On aura toujours deux types de porteurs :

 Des porteurs négatifs mobiles (é) dus à l’ionisation thermique des atomes du semi-
conducteur intrinsèque de concentration ni.
 Des porteurs positifs mobiles (trous) qui viennent de:
- L’ionisation thermique du semi-conducteur intrinsèque.
- Des trous qui proviennent des atomes accepteurs tétravalents à la concentration NA.
Les porteurs mobiles positifs sont donc majoritaires et les porteurs mobiles négatifs sont
minoritaires.
La concentration des porteurs majoritaires est
p= p i+ N A NA >> pi
Donc p≅ NA
La concentration des minoritaires est :
n2i
n≅
NA
D’où la résistivité du semi-conducteur type P est :
1
ρ=
N A μP e
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