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Département Télécomunications
2ème année option TST
Travaux Pratiques
Jean-Daniel ARNOULD
http ://communication.minatec.inpg.fr/arnould/
Mai 2007
Table des matières
I Présentation de ADS 7
I.1 Présentation générale d’ADS . . . . . . . . . . . . . . . . . . 8
I.1.1 Introduction . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 8
I.2 Projets . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 9
I.2.1 Projets . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 9
I.2.2 Créer un projet . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 10
I.2.3 Ouvrir un projet . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 10
I.3 Design . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 12
I.3.1 Design . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 12
I.3.2 Créer un Design . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 12
I.3.3 Ouvrir un Design . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 13
I.4 Simulation dans ADS . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 14
I.4.1 Simulation d’un design . . . . . . . . . . . . . . . . 14
I.4.2 Visualisation des résultats . . . . . . . . . . . . . . . 14
I.4.3 Optimisation d’un design . . . . . . . . . . . . . . . 14
II Partie théorique 17
II.1 Ligne de transmission microruban . . . . . . . . . . . . . . . 18
II.1.1 Ligne de transmission microruban . . . . . . . . . . 18
II.2 Transistor . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 20
II.2.1 Gain d’un amplificateur . . . . . . . . . . . . . . . 20
II.2.2 Adaptation d’un amplificateur . . . . . . . . . . . 20
II.2.3 Critères de stabilité et d’adaptation . . . . . . . . 21
II.2.4 Étude comparative de différents réseaux d’adap-
tation . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 23
Ce texte de T.P. au format PDF naviguable a été écrit en LATEX avec la classe
PolyTEX développée à l’Université Technologique de Compiègne. Il est direcement
consultable en ligne, ainsi que tout autre document lié à l’enseignement ou à la
recherche dans le domaine des Télécommunications RF à l’adresse :
http ://communication.minatec.inpg.fr/arnould/.
I.1.1 Introduction
Cours :
Projets
Design
Simulation d’un design
Advanced Design System, développé par Agilent EEsof EDA, est un logiciel
de conception et modélisation de systèmes électroniques pour les microondes et les
radiofréquences. Les applications visées sont très vastes et comprennent en autre
le domaine de la téléphonie mobile, les pagers, les réseaux sans fil, les systèmes
de communications radar et satellite.
Le logiciel offre des possibilités de conception et de simulation pour les do-
maines des radiofréquences et des microondes et se divise en 2 modules Analog
RF Designer et Digital Signal Processing Designer pouvant interagir entre eux :
• La conception de circuits intégrés monolithiques (MMICs) ou hybrides (avec
des Composants Montés en Surface).
• La conception de nouvelles architectures pour les futures normes de télé-
communications sans fils.
I.2 Projets 9
I.2 Projets
I.2.1 Projets
ADS utilise des projets (extension _prj) pour organiser automatiquement les
données issues de la création, de la simulation ou de l’analyse d’un nouveau de-
sign.
Un projet inclue le circuit, le layout, la simulation et les résultats d’un design
créé à partir de la fenêtre principale (main) qui apparaît lors de l’ouverture de
ADS (figure I.2.2).
I.3 Design
I.3.1 Design
Cours :
Introduction
Projets
Simulation d’un design
ADS utilise des fichiers design (nom.dsn) pour enregistrer les circuits de si-
mulation et les layout. Un fichier de design est une page schematic à partir de
laquelle il est possible de :
• Créer et modifier des circuits et layout
• Ajouter des équations et des variables
• Placer et modifier des composants et leurs contrôles
• Ajouter des commentaires sous forme de texte
• Générer un layout à partir du schematic (et réciproquement)
ADS fournit tous les éléments de contrôle pouvant être ajoutés et configurés
dans la fenêtre schematic pour simuler les caractéristiques du design.
La figure I.3.6 montre un élément S-PARAMETERS qui permet de simuler
les paramètres S d’un circuit. Cet élément est soit automatiquement inséré dans
le schematic si un module prédéfinit est utilisé soit disponible dans la bibliothèque
"Simulation-S_Param".
La simulation se lance en cliquant sur l’icône appropriée ou en allant dans le
menu Simulate.
Pour effectuer une optimisation, il est nécessaire d’insérer les éléments sui-
vants dans la page schematic (cf. figure I.4.9) :
Nota Bene :
dans une technologie donnée. Le concepteur doit donc avoir réfléchi préalable-
ment au problème pour aider l’algorithme choisi à converger vers une solution
réalisable (éviter typiquement des lignes microruban de 1km de long répondant
au problème mathématique !) [3, 4].
Chapitre II
Partie théorique
Z0 Zc à déterminer Z0
f telle que :
L = (2n + 1)λg /4
f telle que :
L = nλg /2
II.2 Transistor
Les amplificateurs microondes sont généralement définis par leur gain en puis-
sance, très souvent exprimé en dB. Le gain en puissance d’un étage amplificateur
à un transistor dépend de plusieurs facteurs :
• le gain intrinsèque du transistor
• l’adaptation en entrée
• l’adaptation en sortie
En effet, il ne suffit pas que le transistor ait un grand gain intrinsèque, il faut
également que la puissance puisse y "entrer" et en "sortir".
On définit le gain transductique d’un étage GT , par le rapport entre la puis-
sance fournie à la charge et la puissance susceptible d’être fournie par le généra-
teur (voir cours "Dispositifs Actifs hyperfréquences") [1, 2].
Amplificateur
Z0 Z0
Zg ,Γg Zl ,Γl
F IG. II.2.2 – Amplificateur non adapté
Réseau d’ Réseau de
entrée Amplificateur sortie
Z0 Z0
g ,Γg’
Z’ Zg ,Γg Zl ,Γl Z’l ,Γl’
F IG. II.2.3 – Amplificateur avec ses réseaux d’adaptation en entrée/sortie
Nota Bene :
∗ ∗
Raisonner sur les impédances d’entrées/sorties (Zg = Zin ,Z` = Zout ) revient
exactement au même que raisonner sur les coefficients de réflexion (Γg = Γ∗in ,Γ` =
Γ∗out ) car la transformation les liant est conforme (représentation unique sur l’abaque
de Smith).
b1 /a1 s’écrit :
b1 S21 S12 Γ`
= Γin = S11 + (II.2.2)
a1 1 − S22 Γ`
L’instabilité en sortie s’étudie de la même façon à partir du rapport b2 /a2 qui
s’écrit :
b2 S21 S12 Γg
= Γout = S22 + (II.2.3)
a2 1 − S11 Γg
Les critères d’adaptation et de stabilité n’étant pas forcément compatibles, plu-
sieurs cas sont à distinguer :
• L’amplificateur est conditionnellement stable et inadaptable. Ce cas est le plus
défavorable car il est impossible d’adapter l’amplificateur et de plus sa sta-
bilité n’est pas assurée pour toutes les conditions de charge ou d’excitation.
Cette situation est à rejeter pour la conception d’un amplificateur.
• L’amplificateur est conditionnellement stable et adaptable. On est dans le cas
précédent mais il est toutefois possible d’adapter l’amplificateur. Cette si-
tuation est acceptable mais dangereuse.
• L’amplificateur est inconditionnellement stable et adaptable. Cette situation
est idéale.
|S21 | √
GT max = |K − K 2 − 1| (II.2.5)
|S12 |
• Si |∆| > 1 : la stabilité est conditionnelle, mais l’amplificateur est toujours
adaptable simultanément.
Si K<-1 :
Le transistor n’est pas adaptable simultanément en entrée/sortie, il est de plus
naturellement instable donc inutilisable en tant qu’amplificateur.
Si lKl<1 :
L’adaptation est impossible ; l’amplificateur est conditionnellement stable.
II.2 Transistor 23
Lin Lout
Amplificateur
dout
din
Z0 CO CO Z0
g ,Γg’
Z’ Zg ,Γg Zl ,Γl Z’l ,Γl’
F IG. II.2.4 – Adaptation à lignes et stubs du transistor
• Calculer les rapports Lin /λg , din /λg , Lout /λg et dout /λg (avec λg la longueur
d’onde guidée dans le milieu) de façon à obtenir Zin =Zg *=(10, 203 − 5, 019) et
Zout =Z` *=(9, 439 − 55, 473) à la fréquence de 1,5 GHz en utilisant le premier
abaque de Smith fourni en annexe (et à rendre avec la préparation théo-
rique !). On choisira la solution qui donne la longueur du stub en circuit
ouvert la plus petite.
Amplificateur
Z0 Z0
g ,Γg’
Z’ Zg ,Γg Zl ,Γl Z’l ,Γl’
F IG. II.2.5 – Adaptation à cellules LC du transistor
24 Partie théorique
• Calculer les valeurs des selfs parallèles et des capacités séries à la fré-
quence de 1,5 GHz de façon à obtenir l’adaptation simultanée conjuguée en
entrée/sortie de l’amplificateur en utilisant le deuxième abaque de Smith
fourni en annexe (et à rendre avec la préparation théorique !).
Chapitre III
Partie Pratique
Vous prendrez soin dans cette partie d’imprimer les résultats qui vous
semblent pertinents !
Une courbe bien commentée vaut mieux qu’un long discours théorique !
26 Partie Pratique
0.12 0.13
0.11 0.14
0.38 0.37 0.15
0.1 0.39 0.36
90
0.4 100 80 0.35 0.1
9
0.0 6
45
50
1 110 40 70 0.3
0.4 4
1.0
0.9
0.1
1.2
8
55
0.0
0.8
7
35 0.3
1.4
2 60
0.4 120
0.7
3
0.6 60
)
/Yo 0.1
1.6
0.0
7 (+jB 30 8
CE 0.3
3 AN
0.4 PT 0.2 2
1.8
0 CE 50
65
13 SUS
E
2.0
IV
0.5
06
0.
IT 25
19
0.
AC
44
0.
P
31
0.
CA
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R
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o)
0
40
14
4
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0.2
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20
5
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3.0
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0.6
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1
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R—
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NC
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0.47
0.28
5.0
RE
1.0
GEN
0.2
0
IVE
20
85
1 6
10
UCT
ARD
8
0.
0.23
IND
S TOW
0.48
0.27
ANG
90
0.6
ANG
LE OF
NGTH
10
LE OF
0
0.1
17
0.4
TRANSM
0.0 —> WAVELE
0.24
0.49
0.26
REFLECTION COEFFICIENT IN DE
20
0.2
ISSION COEFFICIENT IN
50
0.1
0.2
0.3
0.4
0.5
0.6
0.7
0.8
0.9
1.0
1.2
1.4
1.6
1.8
2.0
3.0
4.0
5.0
10
20
50
0.25
0.25
± 180
0.0
0.2
20
0.24
O
0.49
0.26
D L
0.4
70
0.1
R
DEGR
OWA
-1
G
10
RE
0.6
T
ES
EES
-90
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0.48
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G
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8
0.
N
-10
E
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L
0
-85
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6
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1
AV
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1.0
-
5.0
0.22
W
T
7
0.28
0.4
1.0
<—
CE
US
-15 -80
4.0
ES
0.8 -15
IV
4
0.2
0
0.3
-30
T
0.0
C
6
0.2
1
0.4
DU
9
IN
0.6
-75
3.0
O
),
5
Zo
-20
0.2
0.0
X/
5
4
0.3
0.
0.4
(-j
40
-4
-1
T 0.4
EN
-70
N
PO
06
0.
19
0.
OM -25
44
0.
EC
0.5
31
0.
2.0
NC -5
TA 30 0
-65
-1
AC 7 0.2 0.1
1.8
RE 0.0 8
VE
0.6
I 0.3
A CIT
0.4
3 -30 2
1.6
CAP
-60
2 0 8 -60 0.1
0.7
- 1 0. 0 7
1.4
2 -35 0.3
0.8
0.4 3
1.2
-55
0.9
0.1
1.0
0 . 0 9 -70 6
-11 0 0
-4
0
-5
0.3
-4
1
0.1 0.4 -100 -80 0.15 4
-90
0.11 0.14 0.35
0.4 0.12 0.13
0.39 0.36
0.38 0.37
O (C dB O ]
F
P)
A W. L. W. TT
EF O ]
P T.
F, NS
N
TR S. RF S. A
R BS B] , P r I
. L L. OE
RF L. C
O CO FF
1 0.9 0.8 0.7 0.6 0.5 0.4 0.3 0.2 0.1 0.05 0.01 0 0 1.1 1.2 1.3 1.4 1.5 1.6 1.7 1.8 1.9 2 2.5 3 4 5 10 ∞
F,
EF
1 0.9 0.8 0.7 0.6 0.5 0.4 0.3 0.2 0.1 0 1 0.99 0.95 0.9 0.8 0.7 0.6 0.5 0.4 0.3 0.2 0.1 0
O
.C
SM
CENTER
N
A
0.0 0.1 0.2 0.3 0.4 0.5 0.6 0.7 0.8 0.9 1 1.1 1.2 1.3 1.4 1.5 1.6 1.7 1.8 1.9 2
TR
ORIGIN
NAME TITLE DWG. NO.
DATE
SMITH CHART FORM ZY-01-N Microwave Circuit Design - EE523 - Fall 2000
0.12 0.13
0.11 0.14
0.38 0.37 0.15
0.1 0.39 0.36
90
0.4 100 80 0.35 0.1
9
0.0 6
45
50
1 110 40 70 0.3
0.4
1.0
1.0
4
0.9
0.9
1.2
1.2
0.1
55
8
0.8
0.8
0.0 35
7
1.4
1.4
2 0.3
0.7
0.7
0.4 0 60 3
12
0.6 60
Yo)
1.6
1.6
7 jB/ 0.1
0.0 E (+ 30 8
0.6
3 ANC 0.3
0.4
1.8
1.8
T 0.2 0.2 2
EP 50
SC
65
0
13 SU
2.0
2.0
VE
0.5
0.5
06
0.
TI 25
19
CI
0.
44
0.
PA
31
0.
CA
70
R 0.4
O 0.4
0
0.
40
,
14
4
o)
5
0. 4
0.2
0.0
/Z
5
20
0.3
jX
0.4
(+
3.0
3.0
T
75
EN
0.6
0.6
N
PO
4
0.2
0.0
0.3
OM
0
6
0.2
1
30
15
0.4
9
0.8
EC
0.8 15
—>
4.0
4.0
80
NC
TOR
TA
1.0
1.0
0.22
AC
ERA
0.47
0.28
5.0 5.0
RE
1.0
1.0
GEN
0.2 0.2
0
IVE
20
85
1 6
0. 10
UCT
ARD
8 8
0.
0.23
IND
S TOW
0.48
0.27
ANG
0.6
90
0.6
ANG
LE OF
NGTH
10 10
LE OF
170
TRANSM
0 —> WAVELE
0.24
0.49
0.26
REFLECTION COEFF CIENT IN DEG
20 20
0.2 0.2
ISS ON COEFFICIENT IN
50 50
0.1
0.2
0.3
0.4
0.5
0.6
0.7
0.8
0.9
1.0
1.2
1.4
1.6
1.8
2.0
3.0
4.0
5.0
50
20
10
0.25
0.25
180
0
0.3
50
20
10
5.0
4.0
3.0
2.0
1.8
1.6
1.4
1.2
1.0
0.9
0.8
0.7
0.6
0.5
0.4
0.2
0.1
±
50 50
RESISTANCE COMPONENT (R/Zo), OR CONDUCTANCE COMPONENT (G/Yo)
—
D LOAD <
0.2 0.2
20 20
0.2
0.49
0.2
4
6
0.4 0.4
70
R
0.1
DEGR
A
-1
10
W
R S
TO
E
0.6
E
EES
0.6
-90
0.23
S
o)
0.48
0.27
H
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0. 8
8 0. -10
E (-
L E
0
-85
-20
0.2
NC
VE
-16
0.2
1.0
1.0
5.0
A
5.0
TA
0.22
W
7
0.28
1.0
.4
EP
1.0
—
0
C
<
S
SU
4.0
-15 -80
0.8 4.0
0.8 -15
E
IV
4
0.2
0
0.3
-30
CT
0.0
0.3
1
6
0.2
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DU
9
IN
0.6
0.6
-75
3.0
R
3.0
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o)
5
-20
0.2
0.0
/Z
0.
5
4 0.3
0.4
0. 4
X
40
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-4
-1
T 0.4 0.4
EN
-70
N
PO
06
0.
19
0.
M
CO -25
44
0.
0.5
0.5
31
0.
CE
2.0
2.0
N 30 -5
A 0
-65
CT -1 0.1
EA 7 0.2 0.2
1.8
1.8
ER 0.0 8
0.6
0.6
IV 0.3
3
0.4 C IT -30 2
1.6
1.6
A
CAP
-60
0 -60 0.1
8 -12
0.7
0.7
0.0 7
1.4
1.4
2 -35 0.3
0.8
0.8
0.4 3
1.2
1.2
-55
0.9
0.9
0.1
1.0
1.0
9 -70
0.0 -110 0 6
-4
0
-5
0.3
-4
1
0.4 0.1 -100 -80 0.15 4
-90
0.11 0.14 0.35
0.4 0.12 0.13
0.39 0.36
0.38 0.37
O (C dB O ]
F
. C K SS [ SS C [dB
P)
A W. L. W. TT
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P T.
∞ 100 40
SM EA O O
TR S. RF S. A
R BS B] , P r I
. L L. OE
RF L. C
O CO FF
∞ 40 30 ∞
RF
1 0.9 0.8 0.7 0.6 0.5 0.4 0.3 0.2 0.1 0.05 0.01 0 0 1.1 1.2 1.3 1.4 1.5 1.6 1.7 1.8 1.9 2 2.5 3 4 5 10 ∞
F,
EF
O
1 0.9 0.8 0.7 0.6 0.5 0.4 0.3 0.2 0.1 0 1 0.99 0.95 0.9 0.8 0.7 0.6 0.5 0.4 0.3 0.2 0.1 0
.C
SM
CENTER
N
A
TR
0 0.1 0.2 0.3 0.4 0.5 0.6 0.7 0.8 0.9 1 1.1 1.2 1.3 1.4 1.5 1.6 1.7 1.8 1.9 2
ORIGIN