Beruflich Dokumente
Kultur Dokumente
Nous nous limiterons dans ce qui suit à la présentation d’amplificateurs de puissance de principe, réalisés
autour de transistors bipolaires. Les études envisagées seront aisément transposables à des structures plus
complexes, ou mettant en jeu des technologies plus actuelles (Étages intégrés, étages à transistors MOS,
IGBT…)
0 VCE0 vCE
1.1 Étage à liaisons capacitives. +Vcc
L’étage est de type émetteur commun.
Afin d’assurer un maximum de dynamique de sortie, le point RB RC
de repos est idéalement VCE0 = VCC/2 et IC0 = VCC/2RC. C2
La résistance de sortie de cet amplificateur est RC ;
iS
en conséquence, l’adaptation des impédances impose à la
C1
charge RU de vérifier RU ≈ RC. iE
Droites de charge : Au repos, le transistor « voit » une
charge RC ; sa droite de charge statique a une pente de uS RU
(-1/RC). uE
Par contre, pour le régime dynamique, les résistances RC
et RU ≈ RC se retrouvent en parallèle et le transistor est 0V
effectivement chargé par RC/2 ! (Cf. schéma ci dessous)
Il s’en suit une nette différence entre la droite de charge du transistor en statique et en dynamique, ce qui provoque
une limitation de la dynamique de sortie en tension à VCC/4.
iC
Dte de charge dynamique
Vcc
iE ib Rc
gmvbe RC
uE RB r uS
vbe
RU
Vcc
Dte de charge statique
2R c
Pour le régime dynamique, le
transistor voit une charge RC/2
uS uS
uE
T2 Vcc
0V
Etage push-pull :
fonctionnement
-3.5V
0s 0.5ms 1.0ms 1.5ms
V(in) V(out)
Distorsion de raccordement en classe B
Étude énergétique de l’étage push-pull, en régime sinusoïdal.
Afin de simplifier le calcul, nous idéalisons les transistors : Seuil de conduction nul et tension collecteur-émetteur
nulle en régime de saturation.
Dans ces conditions, uE(t) = uS(t) ; nous exprimerons toutes les puissances en fonction de la tension de sortie
efficace US.
US2
Puissance de sortie Trivialement : Pu =
Ru
D2 Raj
uS
uE
T2 Vcc
3 . Amplification en classe C.
L’amplification de puissance en classe C se rencontre dans les étages terminaux des émetteurs radiofréquences.
L’amplificateur travaille à fréquence quasiment constante (la porteuse de l’onde émise).
uS
3.0V
0V
uE
-3.0V
iC
20mA
0A
SEL>>
On peut observer une amplification en tension de l’ordre de 3, ainsi qu’une durée de conduction du transistor un
peu inférieure au tiers de la période.
Dans la mesure où le circuit résonnant est très sélectif (Q > 10), son impédance se ramène à R pour le fondamental
iC1 de iC, et pratiquement à 0 pour les autres composantes spectrales de iC.
R u Îc21
On en déduit que la puissance reçue par RU est : Pu = R u Ic21 = où Ic1 est la valeur efficace du fondamental
2
de iC(t) et ÎC1 est sa valeur de crête.
Pendant ce temps, l’alimentation VCC fournit la puissance Pa lim = Vcc Ic , où IC est la valeur moyenne de iC(t).
Pu R u Ic21
Le rendement de l’étage s’écrit η = =
est ainsi étroitement lié au rapport entre le fondamental et
Pa lim Vcc Ic
la valeur moyenne de iC(t) ; le calcul de ces grandeurs sort du cadre de ce document.
Si on appelle a la fraction du temps correspondant à la conduction du transistor (a ≈ 0,3 dans l’exemple précédent),
on obtient l’évolution ci-dessous pour le rendement à puissance maximale de sortie :
Rem : - Pour a = 0,5 , on retrouve max ≈ 0,785, c’est à dire le fonctionnement en classe B.
- Pour a < 0,2, max > 95%, ce qui montre l’excellence du rendement d’un tel étage.