CHAPITRE III

LES MEMOIRES
 Identification de la fonction

• Le fonctionnement des systèmes automatisés et

des systèmes de traitement de l’information
nécessite le stockage d’informations qui peuvent
être:
- des instructions relatives à des programmes,
- des valeurs numériques relatives à des données.
• Ces systèmes doivent être dotés d’une fonction
«mémoire» qui peut recevoir, stocker et restituer
une information.
 Architecture d’une mémoire
• L’adressage mémoire est la façon dont sont accédées des
données stockées en mémoire.
• Une adresse mémoire est un nombre entier naturel qui
désigne une zone particulière de la mémoire, ou juste le
début d'une zone. Le plus souvent, une donnée peut être
lue ou écrite.
 Classification des mémoires

Mémoires ROM et RAM

Mémoires Mortes
Les mémoires mortes sont à lecture seule : la donnée n’est
disponible qu’en lecture (sortie). L’inscription de données en
mémoire est possible, cela s’appelle la programmation. Le contenu
est permanent et ne dépend pas de l’alimentation, on dit que ce
type de mémoire est non volatile. Dans cette catégorie de
mémoires on peut citer:
➢ ROM : elle est programmée une fois, par le constructeur,
lors de la fabrication.
Avantage : faible cout.
Inconvénient : nécessite une production en très grande
quantité.
➢PROM à fusibles ou FPROM (Fuse Prom) : une seule
programmation est possible, elle est faite en « brûlant » des
fusibles. Elle se programme à l’aide d’un équipement
particulier
appelé programmateur spécialisé: : application d’une
tension de programmation (21 ou 25 V) pendant 20 ms.
➢OTP (One Time Prom) : le contenu peut être modifié une
fois par l’utilisateur à l’aide d’un programmateur.
➢ UVPROM : elle est effaçable aux ultraviolets. Il faut 10 à 20
minutes pour l’effacer (effacement de toute la capacité de la
mémoire). Elle est ensuite reprogrammable.
➢ EPROM : Erasable PROM. ROM programmable
électriquement avec un programmateur et effaçable par
exposition à un rayonnement ultraviolet pendant 30 minutes.
Avantage : reprogrammable par l’utilisateur.
➢ EEPROM : Electrically Erasable PROM. ROM programmable et
effaçable électriquement. Les EEPROM contiennent des
données qui peuvent être modifiées de temps en temps.
(Avantage : programmation sans extraction de la carte et sans
programmateur. Inconvénient : cout élevé.)
➢ EPROM FLASH : Elle est effaçable électriquement plus
rapidement (effacement de toute la capacité de la mémoire).
Son temps de programmation est plus rapide, et son coût de
fabrication est plus faible que l’EEPROM.
La mémoire morte étant immuable
une fois qu'elle a été construite, il
n'est pas question d'aller y écrire
par la suite. La constitution d'une
mémoire morte est un jeu d'enfant
: il suffit, dans le circuit de la
mémoire vive, que chaque fil
d'adresse soit connecté (par une
diode) ou non à chaque fil de
donnée (selon la valeur que le
constructeur a voulu inscrire dans
ce bit à cette adresse), ce dernier
étant raccordé à la masse via une
résistance.

Structure interne d’une mémoire ROM

 Mémoires vives
Les mémoires vives sont à lecture et à écriture : la donnée est
disponible en lecture (sortie) ou en écriture (entrée). Une valeur
écrite peut être lue à n’importe quel moment par la suite. Le
contenu est perdu si on coupe l’alimentation, on dit que ce type
de mémoire est volatile. Dans cette catégorie de mémoires on
trouve :
➢ SRAM : Static Random Access Memory. Mémoire statique à accès aléatoire,
à base de bascules à semi-conducteurs à deux états (bascules RS).
Avantage : très rapide, simple d’utilisation.
Inconvénient : compliqué à réaliser.
➢ DRAM : Dynamic RAM.
Avantage : intégration élevée, faible cout.
Inconvénient : nécessite un rafraîchissement périodique à cause du courant
de fuite
des condensateurs.
Application : réalisation de la mémoire vive des ordinateurs.
 Structure d’une mémoire
• La mémoire peut être vue comme un large vecteur
(tableau) de mots ou octets.
- Un mot mémoire stocke une information sur D bits.
- Un mot mémoire contient plusieurs cellules mémoire.
- Une cellule mémoire mémorise un seul bit.
- Chaque mot possède sa propre adresse.
- Une adresse est un numéro unique qui permet d’accéder
à un mot mémoire.
- Les adresses sont séquentielles (consécutives).
- La taille de l’adresse (le nombre de bits) dépend de la
capacité de la mémoire.
Structure d’une mémoire à accès direct
 Caractéristiques d’une mémoire

• Capacité
La capacité d’une mémoire représente le nombre
de bits que l’on peut adresser, elle est exprimée en
bits. Le nombre de lignes d’adresses dépend de la
capacité de la mémoire : n lignes d’adresses
permettent d’adresser 2n cases mémoire.
Exemple: 8 bits d’adresses permettent d’adresser
256 octets, 16 bits d’adresses permettent
d’adresser 65536 octets (= 64 Ko), ...
Capacité d’adressage = 2Lignes d’adresses x Lignes de données.
 Caractéristiques d’une mémoire

• Format
C’est l’arrangement des bits dans la mémoire,
il correspond au format du bus de données.
Exemple: pour l’ EPROM M 27C512 le format
est de 8 bits (1 Octet).
Rappels: 1ko = 1 Kilo Octet = 210 Octets = 1024
Octets,
1Mo = 1 Méga Octet = 210 KO = 220 Octets,
1Go = 1 Giga Octet = 210 MO = 230 Octets.
 Caractéristiques d’une mémoire

• Vitesse
Deux paramètres principaux caractérisent la
vitesse d’une mémoire :
- le temps d’accès : c’est le temps qui sépare le
moment où les adresses sont positionnées et
stables et le moment où les données sont
disponibles sur le bus de sortie (bus de données).
Ce temps varie entre 50 ns et 300 ns.
- le temps de cycle : c’est l’intervalle de temps
minimum qui doit séparer deux demandes
d’écriture ou de lecture.
Chronogrammes de lecture/écriture en mémoire

Chronogramme de lecture en
mémoire
 Caractéristiques d’une mémoire

• Consommation
Elle varie suivant l’état de la mémoire.
- Etat actif : au moment où une opération de lecture
ou d’écriture est demandée, la consommation est
plus importante ( quelques mA).

- Etat passif : au moment où la mémoire n’est pas

sollicitée, la consommation est plus faible (μA ).

- Etat de veille : pour diminuer la consommation

sans perdre d’informations, on alimente les
mémoires (RAM) sous tension réduite (3V au lieu de
5V), mais le système ne peut fonctionner.
 Caractéristiques d’une mémoire
• Brochage et alimentation du boîtier
En général les mémoires sont alimentées sous +5V.
• Broches caractéristiques :
A : lignes d’adresse (Address Inputs).
I/O : données d’entrées / sorties (data Inputs /
Outputs).
VDD et GND : alimentation (Power et GrouND).
R /W : contrôle des entrées lecture / écriture pour les
RAM (Read / Write control input).
CE : validation du circuit (Chip Enable). Si le circuit
n’est pas validé, les sorties sont en haute impédance.
OE : validation des sorties (Output Enable). Si les sorties
ne sont pas validées elles sont en haute impédance.
 Caractéristiques d’une mémoire
• Cycle de fonctionnement
Les échanges d’une mémoire avec l’extérieur se font
suivant une procédure bien définie donnée par l’état des
signaux de gestion de la mémoire.
Exemple : Cycle de lecture d’une SRAM
Pour lire le contenu d’une mémoire, il faut :
- présenter une adresse sur le bus d’adresse,
- sélectionner le boîtier par l’intermédiaire du « Chip
Enable (CE) » ou du « Chip Select (CS) »,
- valider la mémoire en position lecture ( R /W en
position lecture _ read),
- au bout d’un temps d’accès, les données sont
disponibles en sortie sur le bus de données. Les broches
de sortie passent de l’état haute impédance à l’état actif.
Interfaçage microprocesseur/mémoire
 Assemblage des boitiers mémoire

• Les techniques d'intégration ne permettent pas d'obtenir

des boîtiers ayant des capacités ou des formats suffisants
pour toutes les applications. Il est alors nécessaire
d'associer plusieurs boîtiers pour augmenter la longueur
des mots ou le nombre de mots.
• D’autre part, l'association de plusieurs blocs peut
permettre d'améliorer les performances temporelles de la
mémoire en faisant fonctionner plusieurs blocs en
parallèle.
• Pour obtenir des mémoires de grandes tailles, on associe
plusieurs boîtiers mémoires. Ces blocs sont assemblés :
- pour augmenter la taille des mots de la mémoire
- pour augmenter le nombre de mots dans la mémoire
 Connexion de plusieurs boîtiers mémoire sur le
bus d’un microprocesseur

Les boîtiers mémoire possèdent une broche notée CS : Chip Select.

Lorsque cette broche est active, le circuit peut être lu ou écrit.

Lorsqu’elle est inactive, le circuit est exclu du service. Ses broches de données D0 à D7
passent à l’état de haute impédance : tout se passe comme si la mémoire était
déconnectée du bus de données du microprocesseur, d’où la possibilité de connecter
plusieurs boîtiers mémoire sur un même bus.

Un seul signal CS doit être actif à un instant donné pour éviter les conflits entre les
différents boîtiers.

Exemple : connexion de trois boitiers mémoire d’une capacité de 8 Ko chacun (13 lignes
d’adresses) sur un bus d’adresse de 16 bits :
Dans un même boîtier, une case mémoire est désignée par les bits d’adresses A0 à A12 :

Pour atteindre la mémoire N°1, il faut mettre à 1 le bit A13 et à 0 les bits A14 et A15.
La plage d’adresses occupée par cette mémoire est donc :

De même, pour la mémoire N°2, on doit avoir A13 = 0, A14 = 1 et A15 = 0 d’où la plage
d’adresses occupée cette mémoire :

Pour la mémoire N°3, on doit avoir A13 = 0, A14 = 0 et A15 = 1 d’où la plage d’adresses
occupée cette mémoire :
On en déduit la cartographie ou mapping de la mémoire visible par le microprocesseur :
 Décodage d’adresses
Les trois bits A13, A14 et A15 fournissent en fait 8 combinaisons, d’où la possibilité de
connecter jusqu’à 8 boîtiers mémoire de 8 Ko sur le bus.
La mémoire totale implantée devient donc de 8 × 8 Ko = 64 Ko : valeur maximale possible
avec 16 bits d’adresses.
Pour cela, il faut utiliser un circuit de décodage d’adresses : un décodeur 3 vers 8.