Composants et amplification EL51 Licence EEAII L3

TDN°2 : Jonction PN (1ère partie)

Données numériques sur le Silicium à 300 K

ni = 1.45 1010 cm-3 Concentration intrinsèque

 = 0 . r = 10-12 F/cm
Ut = K.T/q = 26 mv
q = 1.6 10-19 C
n = 1500 cm2/Vs
p = 500 cm2/Vs
Dn,p = Ut n,p (cm2/s)
Permitivité relative
Potentiel thermodynamique
Charge de l’électron
Mobilité des électrons
Mobilité des trous
Constante de diffusion des électrons, des trous

Une jonction N+P abrupte au Silicium est caractérisée par les grandeurs suivantes :
Aire de la jonction : A = 10-3 cm2
Potentiel (ou tension) de diffusion : Vd = 0.898 V
Capacité de transition à 0 Volt: Ct0 = 29.8 pF
Concentration en impuretés : Na (région P) et Nd (région N) avec Na << Nd

1°) Déterminez l’expression de la tension de diffusion V d en fonction des concentrations

Na, Nd et ni.

2°) Tracez le profil de la densité volumique de charge dans la ZCE (charges fixes).

En intégrant l’équation de Poisson, déterminez l’expression du champ électrique E(x) et du

potentiel V(x) le long de la ZCE (pour V(x), on prendra comme constantes d’intégration V(-
xp) = Vp et V(xn) = Vn).

Tracez les allures de E(x) et de V(x). Comment s’exprime la continuité de E(x) et de V(x)
en x = 0 ?

3°) En exprimant la DDP Vn - Vp, déterminez l’expression de l’épaisseur d de la ZCE. En

déduire l’expression de la capacité de transition Ct de la jonction.

Que deviennent d et Ct dans le cas de jonctions très dissymétriques (Nd << Na ou Nd >>
Na) ? Conclure.

4°) En utilisant les données du problème, calculez numériquement les concentrations Na et

Nd.

Calculez et représentez graphiquement les grandeurs d et Ct lorsque la tension appliquée

Va vaut -5V, -2.5V, 0V, 0.6V.
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5°) A partir de l’allure du champ électrique dans la ZCE, déduisez graphiquement la

relation existant entre la tension Vd - Va résidant aux bornes de la ZCE, le champ E(0) et la
largeur d de la ZCE.

6°) Sachant que le champ maximum supporté par la jonction en inverse (champ critique)
vaut Ec = 3.105 V/cm, déterminez la tension d’avalanche Vb de la jonction.

7°) Application à la diode PIN (P+N-N+). Tracez qualitativement l’allure de E(x) lorsque le
dopage NN- tend vers zéro, puis déterminez graphiquement la relation (Vd - Va) = f [E(0),
WN-]. Conclure.