Diodos Especiales

DISPOSITIVOS DE RADIOFRECUENCIA
UNIVERSIDAD NACIONAL AUTÓNOMA DE MÉXICO
FACULTAD DE INGENIERÍA
DIVISIÓN DE INGENIERÍA ELÉCTRICA ELECTRÓNICA
INGENIERÍA EN TELECOMUNICACIONES
Dispositivos de radiofrecuencia
DIODOS: LASER, SCHOTTKY, GUNN, FOTOVOLTAICO, TÚNEL, ZENER
INTEGRANTES:
CABALLERO BARTOLO MARCO ANTONIO
CRUZ HUERTA MIGUEL ANGEL
DE LA CRUZ TORRES DANIEL

GONZÁLEZ GALEANA GRACIELA ADRIANA
ANAYA SAYAVEDRA JOSÉ LUIS
20/04/10
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DIODOS ESPECIALES: LASER, SCHOTTKY, GUNN, FOTOVOLTAICOS, TÚNEL, ZENER
DIOSOS LASER
En un LED 1os electrones libres radian luz cuando caen de niveles de energía superior a
niveles inferiores y lo hacen de forma aleatoria y continuamente, produciendo
longitudes de onda con fases entre 0 y 360 grados. La luz que tiene muchas fases
diferentes se llama luz no coherente, por consiguiente, un LED produce luz no
coherente.
Un diodo laser es diferente en este aspecto, ya que produce luz coherente, lo que
significa que todas las ondas luminosas están en fase entre si, es decir, cuando un
fotón induce a un electrón que se encuentra en un estado excitado a pasar al estado
de reposo, este proceso esta acompañado con la emisión de un fotón, con la misma
frecuencia y fase del fotón estimulante. Para que el numero de fotones estimulados
sea mayor que el de los emitidos de forma espontánea, para que se compensen las
perdidas, y para que se incremente la pureza espectral, es necesario por un lado tener
una fuerte inversión de portadores, la que se logra con una polarización directa de la
unión, y por el otro una cavidad resonante, la cual posibilita tener una trayectoria de
retroalimentación positiva facilitando que se emitan mas fotones de forma estimulada
y se seleccione ciertas longitudes de onda haciendo mas angosto al espectro emitido. .
La idea básica de un diodo laser consiste en usar una cámara resonante con espejos
que refuerza la emisión de ondas luminosas a la misma frecuencia y fase. A causa de
esta resonancia, un diodo laser produce un haz de luz estrecho que es muy intenso,
enfocado y puro.
2
El diodo laser también se conoce como laser semiconductor. Estos diodos pueden
producir luz visible (roja, verde o azul) y luz invisible (infrarroja). Se usan en productos
de consumo y comunicaciones de banda ancha. Entre los primeros encontramos
diodos laser en reproductores de discos compactos e impresoras laser, dispositivos
teledirigidos, y sistemas de la detección de intrusión. En comunicaciones de banda
ancha se usan con cables de fibra óptica para incrementar la velocidad en Internet.
Un cable de fibra óptica es análogo a un par trenzado, except0 que las trenzas son
fibras de vidrio o plástico delgadas y flexibles que transmiten un haz de luz en lugar de
1os electrones libres. La ventaja consiste en que se puede enviar mucha mas
infomaci6n a través de un cable de fibra óptica que a través de un cable de cobre.
Los diodos láser diferencian de los láseres convencionales, tales como el helio- neón
(He-Ne), rubí, y tipos de gas, de varias maneras.
 Tamaño y peso pequeños: Un diodo típico del láser mide menos de un

milímetro a través y pesa una fracción de un gramo, haciéndolo ideal para el
uso en el equipo electrónico portable.
 Baja corriente, voltaje, y requisitos de energía: La mayoría de los diodos de
láser requieren solamente algunos milivatios de energía en 3 a 12 voltios de
C.C. y varios miliamperios. Por lo tanto, pueden funcionar con pequeñas
fuentes de energía de batería.
 Intensidad reducida: Un diodo de láser no se puede utilizar para los propósitos
espectaculares como quemar agujeros en metal, trayendo abajo satélites, o
cegando pilotos de avión. Sin embargo, su salida coherente resulta en eficacia
alta y facilidad de modulación para las comunicaciones y los usos del control.
 Rayo de ángulo ancho: Un diodo del láser produce un "cono" más bien que un
"lápiz" de luz visible o IR, aunque este "cono" se puede enfocar usando lentes
convexos."
3
APLICACIÒN BÀSICA
La aplicación básica que se le ha dado al diodo LASER es como fuente de
alimentación lumínica para sistemas de telecomunicaciones vía fibra óptica. El
diodo láser es capaz de proporcionar potencia óptica entre 0.005-25mW,
suficiente para transmitir señales a varios kilómetros de distancia y cubren un
intervalo de longitud de onda entre 920 y 1650 nm. Sin embargo para utilizar
un diodo láser como fuente lumínica, es necesario diseñar un sistema de
control que mantenga el punto de operación del sistema fijo, debido a que un
corrimiento de este punto puede sacar al diodo fuera de operación o incluso
dañarlo.
Características:
La emisión de luz es dirigida en una sola dirección en comparación con un diodo LED
que emite luz en todas direcciones
Diferencias del diodo láser con un diodo LED.
LASER LED
*Más rápido *Mayor estabilidad térmica
*Potencia de salida mayor *Menor potencia de salida, mayor tiempo
de vida
*Emisión coherente de luz *Emisión incoherente
*Construcción es más compleja *Mas económico
*Actúan como fuente s adecuadas en Se acoplan a fibras ópticas en distancias
sistemas de telecomunicaciones cortas de transmisión
*Modulación a altas velocidades,*Velocidad de modulación hasta 200MHz
hasta GHz
 La emisión de luz láser es monocromática: Los fotones emitidos por un láser

poseen longitudes de onda muy cercanas entre sí. En cambio, en la luz emitida
por diodos LED, existen fotones con mayores dispersiones en cuanto a las
longitudes de onda.
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DIODO SCHOTKKY.
El diodo Schottky o diodo de barrera Schottky, llamado así en honor del físico alemán
Walter H. Schottky, es un dispositivo semiconductor que proporciona conmutaciones
muy rápidas entre los estados de conducción directa e inversa (menos de 1ns en
dipositivos pequeños de 5 mm de diámetro) y
muy bajas tensiones umbral (también
conocidas como tensiones de codo, aunque
en inglés se refieren a ella como "knee", o
sea, de rodilla). La tensión de codo es la
diferencia de potencial mínima necesaria
para que el diodo actúe como conductor en lugar de circuito abierto; esto, claro,
dejando de lado la región Zener, que es cuando más bien existe una diferencia de
potencial lo suficientemente negativa para que -a pesar de estar polarizado en contra
del flujo de corriente-éste opere de igual forma como lo haría regularmente.
A frecuencias bajas un diodo normal puede conmutar fácilmente cuando la

polarización cambia de directa a inversa, pero a medida que aumenta la frecuencia el
tiempo de conmutación puede llegar a ser muy alto, poniendo en peligro el dispositivo.
El diodo Schottky es la solución ya que puede conmutar más rápido que un diodo
normal. El diodo Schottky con polarización directa tiene 0,25 V de barrera de potencial
frente a los 0,7 V de un diodo normal. Puede rectificar con facilidad a frecuencias
superiores a 300 MHz.
Así se dice que el diodo Schottky es un dispositivo semiconductor "portador

mayoritario". Esto significa que, si el cuerpo semiconductor está dopado con
impurezas tipo N, solamente los portadores tipo N(electrones móviles) desempeñarán
un papel significativo en la operación del diodo y no se realizará la recombinación
aleatoria y lenta de portadores tipo N y P que tiene lugar en los diodos rectificadores
normales, con lo que la operación del dispositivo será mucho más rápida.
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Funcionamiento.
Cuando se realiza una ensambladura entre una terminal metálica y un material

semiconductor, el contacto tiene, típicamente, un comportamiento óhmico cualquiera,
la resistencia del contacto gobierna la secuencia de la corriente. Cuando este contacto
se hace entre un metal y una
región semiconductora con la
densidad del dopante
relativamente baja, las hojas
dominantes del efecto debe
ser el resistivo, comenzando
también a tener un efecto de
rectificación. Un diodo
Schottky, se forma colocando
una película metálica en
contacto directo con un
semiconductor
El metal se deposita generalmente en un tipo de material N, debido a la movilidad más

grande de los portadores en este tipo de material. La parte metálica será el ánodo y el
semiconductor, el cátodo.
En una deposición de aluminio Al (3 electrones en la capa de valencia), los electrones

del semiconductor tipo N migran hacía el metal, creando una región de transición en la
ensambladura.
Se puede observar que solamente los electrones (los portadores mayoritarios de

ambos materiales) están en tránsito. Su conmutación es mucho más rápida que la de
los diodos bipolares, una vez que no existan cargas en la región tipo N, siendo
necesaria rehacer la barrera de potencial (típicamente de m0,3V). La Región N tiene un
dopaje relativamente alto, a fin de reducir la pérdida de conducción, por esto, la
tensión máxima soportable para este tipo de diodo está alrededor de los 100V.
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Características y usos.
La alta velocidad de conmutación permite rectificar señales de muy altas frecuencias y

eliminar excesos de corriente en circuitos de alta intensidad.
A diferencia de los diodos convencionales de silicio, que tienen una tensión umbral —
valor de la tensión en directa a partir de la cual el diodo conduce— de 0,7 V, los diodos
Schottky tienen una tensión umbral de aproximadamente 0,2 V a 0,4 V empleándose,
por ejemplo, como protección de descarga de células solares con baterías de plomo
ácido.
La limitación más evidente del diodo de Schottky es la dificultad de conseguir

resistencias inversas relativamente elevadas cuando se trabaja con altos voltajes
inversos pero el diodo Schottky encuentra una gran variedad de aplicaciones en
circuitos de alta velocidad para computadoras donde se necesiten grandes velocidades
de conmutación y mediante su poca caída de voltaje en directo permite poco gasto de
energía, otra utilización del diodo Schottky es en variadores de alta gama para que la
corriente que vuelve desde el motor al variador no pase por el transistor del freno y
este no pierda sus facultades.
El diodo Schottky se emplea en varios circuitos integrados de logica TTL. Por ejemplo
los tipos ALS y AS permiten que los tiempos de conmutación entre los transistores sean
mucho menores puesto que son más superficiales y de menor tamaño por lo que se da
una mejora en la relación velocidad/potencia. El tipo ALS permite mayor potencia y
menor velocidad que la LS, mientras que las AL presentan el doble de velocidad que las
Schottly TTL con la misma potencia.
El diodo Schottky en lugar de construirse a partir de dos cristales semiconductores de unión
tipo p-n, utiliza un metal como el aluminio (Al) o el platino (Pt) en contacto con un cristal
semiconductor de silicio (Si) menos dopado que el empleado en la fabricación de un diodo
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normal. Esta unión le proporciona características de conmutación muy rápida durante los
cambios de estados que ocurren entre la polarización directa y la inversa, lo que posibilita que
pueda rectificar señales de muy altas frecuencias, así como suprimir valores altos de
sobrecorriente en circuitos que trabajan con gran intensidad de corriente.
Los diodos Schottky se emplean ampliamente en la protección de las descargas de las celdas
solares en instalaciones provistas de baterías de plomo-ácido, así como en mezcladores de
frecuencias entre 10 MHz y 1000 GHz instalados en equipos de telecomunicaciones.
DESVENTAJAS
Las dos principales desventajas del diodo Schottky son:

1. Tiene poca capacidad de conducción de corriente en directo (en sentido de la flecha).
Esta característica no permite que sea utilizado como diodo rectificador.
2. No acepta grandes voltajes que lo polaricen inversamente (VCRR).
DIODO GUNN
Efecto fue
descubierto por un
científico británico, John Battiscombe Gunn en
1963. Este efecto nos permite la generación de
oscilaciones en el rango de las microondas en los
materiales semiconductores. Gunn observó esta característica en el Arseniuro de Galio
(GaAs) y el Fósforo de Indio (InP).
El efecto Gunn es una propiedad del cuerpo de los semiconductores y no depende de

la unión misma, ni de los contactos, tampoco depende de los valores de voltaje y
corriente y no es afectado por campos magnéticos.
El diodo gunn generador de microondas formado por un semiconductor de dos

terminales solamente tiene regiones del tipo N, razón por lo que impropiamente se le
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conoce como diodo. Este diodo presenta una zona de resistencia negativa bajo la
condición de que el voltaje sea mayor a los 3.3 voltios / cm.
se puede utilizar como oscilador
Oscilaciones corresponden aproximadamente al tiempo que los electrones necesitan

para atravesar una plaquita de material tipo N cuando se aplica el voltaje en continua.
Funcionamiento en resistencia positiva: Cuando se aplica una tensión a una placa (tipo
N) de Arseniuro de Galio (GaAs), los electrones, que el material tiene en exceso,
circulan y producen corriente. Si se aumenta la tensión, la corriente aumenta.
Funcionamiento en resistencia negativa: A la placa anterior se le sigue aumentando la

tensión, se les comunica a los electrones una mayor energía, pero en lugar de moverse
más rápido, los electrones saltan a una banda de energía más elevada, que
normalmente esta vacía, disminuyen su velocidad y, por ende, la corriente. Así, una
elevación de la tensión en este elemento causa una disminución de la corriente.
Presentan varios valles en la banda de conducción. Cuando la tensión es fuerte en el

compuesto, se produce la transferencia de electrones hacia la banda de conducción, al
mínimo más fuerte de la banda (el valle de mayor energía). Existe una serie de detalles
en cada uno de estos valles, como por ejemplo al aumentar la energía también
aumenta la movilidad de los electrones, lo que a su ves provoca que la masa efectiva
de los electrones sea mayor en los niveles energéticos superiores.
La energía que los electrones deben ganar para pasar de un valle a otro es
aproximadamente de 0.36eV, esto les permite moverse de un valle a otro y generar así
dominios Gunn, y por tanto corrientes de oscilación de las microondas.
La diferencia que tiene con el klystrón es que los dos utilizados en la generación de
radiofrecuencia en la gama de las microondas, la diferencia fundamental es que el
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Klystron es similar a las antiguas válvulas y el diodo Gunn es de estado solido y a la

hora de generar el diodo lo hace en forma instantánea en cambio el Klystron demora
ya que debe tomar determinada temperatura, entre 15 y 30 minutos.
Usados para construir osciladores en el rango de frecuencias comprendido entre los

10 Gigahertz y frecuencias aún más altas (hasta Terahertz).
Otra aplicación para estos diodos se da en sensores ultrasónicos se utilizan para

averiguar las distancias a que se encuentran posibles obstáculos y para vigilar un
espacio; están integrados en los parachoques de vehículos por ejemplo para facilitar,
entrada y salida de aparcamientos y las maniobras de estacionamiento. El gran ángulo
de abertura que se obtiene con el empleo de varios sensores (cuatro en la parte
trasera y de cuatro a seis en la parte delantera) permite determinar con ayuda de la
"triangulación" la distancia y el ángulo en relación con un obstáculo. El alcance de
detección de un sistema de tal clase cubre una distancia de aprox. 0,25 a 1,5 m.
El sensor ultrasónico funciona según el principio "impulso-eco" en combinación con la

"triangulación". Cuando recibe de la unidad de control un impulso digital de emisión, el
circuito electrónico excita la membrana de aluminio mediante impulsos rectangulares
dentro de la frecuencia de resonancia para generar vibraciones típicas de aprox. 300
µs, emitiéndose entonces ondas ultrasónicas: la onda sonora reflejada por el obstáculo
hace vibrar a su vez la membrana, que entretanto se había estabilizado (durante el
período de extinción de aprox. 900 µs no es posible ninguna recepción).
Frecuencia de trabajo de 76 GHz (longitud de onda de aprox. 3,8 mm) hace posible una
construcción compacta, requerida para el empleo en vehículos. Un oscilador Gunn
(diodo Gunn dentro de una caja ecoica) alimenta en paralelo tres antenas patch
dispuestas en yuxtaposición, que sirven al mismo tiempo para la recepción de las
señales reflejadas (figura inferior). Una lente de plástico colocada delante (lente de
Fresnel) concentra el haz de rayos de emisión dentro de una ventana angular de ±5° en
el plano horizontal y de ±1,5° en el vertical, referida al eje del vehículo.
CELDAS FOTOVOLTAICAS
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Las celdas fotovoltaicas son elementos que producen electricidad al incidir la luz sobre
su superficie. La fuente de luz utilizada generalmente es el sol, considerando su costo
marginal nulo. Estas celdas también son conocidas como baterías solares, fotopilas o
generadores helio voltaicos.
Dado que cada elemento puede generar una cantidad reducida de electricidad,
Generalmente se las agrupa en disposiciones serie-paralelo, formando paneles solares
para aumentar la potencia generada.
Su desarrollo empezó en el año 1839 cuando Becquerel descubrió que si se ilumina

uno de dos electrodos sumergidos en un electrolito, aparece entre ambos una
diferencia de potencial, dando lugar al efecto fotovoltaico. n 1876, mientras Adams y
Day se hallaban experimentando con la conductividad de unas varillas de selenio
amorfo embebidas en hierro, descubrieron que se creaba una diferencia de potencial
cuando sus aparatos eran iluminados.
Por otra parte, en el año 1873, W. Smith observó una variación de la capacidad de
conducción del selenio por efecto de la luz. A partir de ese descubrimiento,
denominado efecto fotoconductivo, Siemens construyó un fotómetro, que contribuyó
a la divulgación del nuevo fenómeno.
En 1887, investigando la descarga eléctrica entre dos electrodos usada como fuente de
ondas electromagnéticas, Hertz descubrió el efecto fotoeléctrico externo o
fotoemisión, observando que la intensidad de la descarga aumentaba si radiaba el
electrodo positivo con luz ultravioleta, lo que sugirió que las superficies iluminadas
emitían más electrones. En 1888 Hallwachs analizó este efecto en profundidad y
además descubrió que si radiaba un electrodo negativo no se observaba ninguna
variación. Cabe señalar en aquel entonces se utilizaban superficies metálicas pulidas de
selenio policristalino de alto grado de pureza y doce años después Hallwachs observó
el mismo fenómeno en un semiconductor compuesto por cobre y óxido cuproso.
Por su parte, en el año 1900 Planck desarrolló la teoría cuántica, que le permitió a
Einstein explicar la fotoemisión en 1905. De manera simplificada, esta explicación
indica:

1 - La luz recibida se debe considerar como una lluvia de partículas cuánticas (fotones)
que transmiten su energía a los electrones del metal irradiado. Si la energía que
suministran es suficientemente grande como para que los electrones adquieran una
energía superior a la energía de ligazón de la red cristalina, se liberan electrones de la
estructura atómica, los que éstos salen de la superficie del metal.

2 - La energía cuántica depende directamente de la frecuencia de las ondas luminosas
(a través de la constante de Planck). La intensidad de la luz determina sólo la cantidad
de electrones que se pueden liberar si los fotones suministran la energía mínima
necesaria para la salida de los electrones.

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3 - La carga eléctrica de la placa metálica expuesta a la radiación luminosa puede

facilitar la salida de los electrones con carga negativa, o dificultar su salida con carga
positiva.
La carga positiva aumenta la atracción entre los electrones y por lo tanto se necesita
una mayor energía para romper la estructura atómica, mientras que la carga negativa
produce el efecto contrario.
Las celdas fotovoltaicas modernas están formadas generalmente por una juntura
semiconductora P-N de silicio de gran superficie y reducido espesor (típico: 0,3 mm),
similar a la utilizada en los diodos de estado sólido; pero cuando la unión P-N se
emplea como generador fotovoltaico, el sentido del flujo de los electrones es opuesto
al que se observa cuando se lo usa como rectificador.

En la transición entre las capas P y N (capas con dopaje positivo y negativo
respectivamente) se forma por difusión una capa límite en la que se establece una
barrera de potencial. Para lograr un buen rendimiento energético, la capa límite
deberá encontrarse lo mas cerca posible de la superficie expuesta a la luz.
La celda se completa mediante los contactos óhmicos (no rectificadores) en las capas P
y N, de reducida resistencia eléctrica para no provocar caídas de tensión adicionales.
Al incidir la luz sobre la juntura, una parte de la luz se refleja (energía perdida) y la otra
penetra en el semiconductor. Los fotones que ingresan con energía suficiente liberan
cada uno un par electrón-hueco. Los portadores de carga liberados se propagan por el
cristal mediante difusión o bajo la influencia de un campo eléctrico. Los electrones
pueden recombinarse durante su recorrido, pero si un portador minoritario (electrón
en la zona P, hueco en la zona N) alcanza la capa límite de la barrera de potencial,
queda atraído por el campo eléctrico de esa capa y penetra en la región en que son
mayoritarios los portadores de igual signo.Por otro lado, el campo de la capa límite
retiene los portadores mayoritarios en la región en que han sido liberados.

De este modo, cualquiera que sea la región en que queda absorbido el fotón y
liberados los portadores de carga, el efecto fotovoltaico produce un desplazamiento
de portadores que da lugar a una diferencia de potencial aprovechable de alrededor
de 0,5 V entre los electrodos a circuito abierto. La barrera de potencial impide que el
proceso se revierta, aunque puede existir una pequeña corriente de fuga. En circuito
cerrado la corriente pasa por la carga del borne P al N, por el exterior de la célula.

Desde el punto de vista eléctrico, las celdas fotovoltaicas pueden compararse con los
diodos de silicio normales.
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Así la curva tensión-corriente trazada en la oscuridad (O) resulta igual a la de un diodo

ordinario, mientras que la curva correspondiente a la incidencia sobre la celda de una
determinada iluminación (E), resulta de la traslación de la curva anterior, proporcional
a la energía luminosa recibida.

Analizando la curva (E) se ve, que en el primer cuadrante (1), correspondiente al diodo
con polarización directa, la característica no sale del origen, pues a corriente nula la
tensión en bornes no es cero (Vco).

En el tercer cuadrante (3), la curva (O) indica la corriente inversa de fuga en la
oscuridad en función de la tensión inversa, mientras que la curva (E) da la variación de
esa corriente con la iluminación. Aquí la celda funciona como fotodiodo.

Finalmente, en el cuarto cuadrante (4), la celda funciona como generador de energía,
siendo la región de trabajo normal de las celdas fotovoltaicas. En estas condiciones, la
potencia que entrega pasa por un máximo (Pm) para determinados valores de tensión
(Vm) y corriente (Im), fijados en función de la resistencia óptima de carga (Rm = Vm /
Im ).
En la práctica, las celdas fotovoltaicas trabajan con dificultad fuera del cuarto
cuadrante (4), sobre todo, la tensión inversa que pueden soportar es pequeña, lo que
obliga a la instalación de un diodo de protección en serie para prevenir daños.

En una celda determinada, el rendimiento energético es función del reparto espectral
de los fotones, lo que equivale a decir que, con radiaciones de determinadas
longitudes de onda (colores) proporciona más energía eléctrica que con otras.
Si una de las celdas conectadas en serie queda oscurecida, aunque sea parcialmente,
de forma que sólo recibe una parte de la energía solar que llega a las que la rodean,
sólo podrá generar una corriente limitada. Si la carga aplicada al panel solar es tal que
13
demanda una corriente superior a dicha corriente limitada, la celda afectada

funcionará en sentido inverso, lo que provoca su calentamiento y acarrea un riesgo de
ruptura.

Para solucionar este inconveniente, se limita la tensión inversa máxima que puede
producirse añadiendo diodos en paralelo, situados habitualmente en la caja de
conexiones, para proteger a las celdas del sobrecalentamiento debido a sombras
parciales en la superficie del panel.
Análogamente, si una de las celdas conectadas en paralelo queda oscurecida, aunque

sea parcialmente, de forma que sólo recibe una parte de la energía solar que llega a las
que la rodean, sólo podrá generar una tensión limitada, menor a las restantes en
paralelo. Entonces la celda afectada funcionará como receptor si la tensión de
funcionamiento se hace superior a la suya a circuito abierto; lo que también provoca
su calentamiento y acarrea un riesgo de ruptura.

Para solucionar este inconveniente, se añaden diodos anti-retorno, situados
habitualmente en la caja de conexiones, para proteger a las celdas del
sobrecalentamiento debido a sombras parciales en la superficie del panel.

Por todo lo anterior, resulta evidente que es muy importante que los paneles no
reciban sombras de obstáculos cercanos, ni hacerse sombra mutuamente en cualquier
horario y época del año.
Aplicación
Las buenas comunicaciones son esenciales para mejorar la calidad de vida en áreas
alejadas. Sin embargo el costo de energía eléctrica de hacer funcionar estos sistemas y
el alto coste de mantenimiento de los sistemas convencionales han limitado su uso.
Los sistemas fotovoltaicos han proporcionado una solución rentable a este problema
con el desarrollo de estaciones repetidoras de telecomunicaciones en área remotas.
Estas estaciones típicamente consisten de un receptor, un transmisor y un sistema
basado en una fuente de alimentación fotovoltaica. Existen miles de estos sistemas
instalados alrededor del mundo y tienen una excelente reputación por su confiabilidad
y costos relativamente bajos de operación y mantenimiento.
Principios similares se aplican a radios y televisiones accionadas por energía solar, los
teléfonos de emergencia y los sistemas de monitoreo. Los sistemas de monitoreo
remotos se pueden utilizar para recolectar datos del tiempo u otra información sobre
el medio ambiente y transmitirla automáticamente vía radio a una central.
DIODO TUNEL
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En 1958, el físico japonés Esaki, descubrió que los diodos semiconductores obtenidos
con un grado de contaminación del material básico mucho más elevado que lo habitual
exhiben una característica tensión-corriente muy particular, la corriente comienza por
aumentar de modo casi proporcional a la tensión aplicada hasta alcanzar un valor
máximo, denominado corriente de cresta. A partir de este punto, si se sigue
aumentando la tensión aplicada, la corriente comienza a disminuir y lo siga haciendo
hasta alcanzar un mínimo, llamado corriente de valle, desde el cual de nuevo aumenta.
El nuevo crecimiento de la corriente es al principio lento, pero luego se hace cada vez
más rápido hasta llegar a destruir el diodo si no se lo limita de alguna manera. Este
comportamiento particular de los diodos muy contaminados se debe a lo que los
físicos denominan efecto túnel.
Para las aplicaciones prácticas del diodo túnel, la parte mas interesante de su curva
característica es la comprendida entre la cresta y el valle. En esta parte de la curva a un
aumento de la tensión aplicada corresponde una disminución de la corriente; en otros
términos, la relación entre un incremento de la tensión y el incremento resultante de
la corriente es negativa y se dice entonces que esta parte de la curva representa una
“resistencia incremental negativa”. Una resistencia negativa puede compensar total o
parcialmente una resistencia positiva.
Cuando la resistencia es negativa, la corriente disminuye al aumentar el voltaje. En

consecuencia, el diodo túnel puede funcionar como amplificador, como oscilador o
como biestable. Esencialmente, este diodo es un dispositivo de baja potencia para
aplicaciones que involucran microondas y que están relativamente libres de los efectos
de la radiación.
Aplicaciones
Los diodos túnel tienen la cualidad de pasar entre los niveles de corriente Ip e Iv muy
rápidamente, cambiando de estado de conducción al de no conducción incluso más
rápido que los diodos Schottky.
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Desgraciadamente, este tipo de diodo no se puede utilizar como rectificador debido a

que tiene una corriente de fuga muy grande cuando están polarizados en reversa.
Así estos diodos sólo encuentran aplicaciones reducidas como en circuitos osciladores
de alta frecuencia.
DIODOS ZENER.
Se emplean para producir entre sus extremos una tensión constante e independiente
de la corriente que las atraviesa según sus especificaciones. Para conseguir esto se
aprovecha la propiedad que tiene la unión PN cuando se polariza inversamente al
llegar a la tensión de ruptura (tensión de Zener), pues, la intensidad inversa del diodo
sufre un aumento brusco. Para evitar la destrucción del diodo por la avalancha
producida por el aumento de la intensidad se le pone en serie una resistencia que
limita dicha corriente.
La fabricacion de los Zener es desde los 3,3v y con una potencia mínima de 250mW.
Algunas características a resaltar del diodo Zener:
 Su dirección de conducción es inversa a la de un diodo rectificador, esto quiere

decir que la representación gráfica es V(-) ->∫ V(+) , la flecha flecha del símbolo
esta en contra de la dirección de conducción.
 La localización de la región Zener puede controlarse variando los niveles de

dopado. Un incremento en el dopado, que produzca un aumento en el numero
de impurezas, disminuirá el potencial Zener.
 Los diodos Zener se encuentran disponibles con potenciales Zener desde 1.8 [V]
hasta 200 [V], con rangos de potencia desde 0.25 a 50 [Watz].
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Aplicaciones del diodo Zener:
Una de las aplicaciones más usuales de los diodos zener es su utilización como
reguladores de tensión. La figura de abajo muestra el circuito de un diodo usado como
regulador.
Este circuito se diseña de tal forma que el diodo zener opere en la región de ruptura,
aproximándose así a una fuente ideal de tensión. El diodo zener está en paralelo con
una resistencia de carga RL y se ncarga de mantener constante la tensión entre los
extremos de la resistencia de carga (Vout=VZ), dentro de unos limites requeridos en el
diseño, a pesar de los cambios que se puedan producir en la fuente de tensión VAA, y
en la corriente de carga IL. Analicemos a continuación el funcionamiento del circuito.
Consideremos primero la operación del circuito cuando la fuente de tensión
proporciona un valor VAA constante pero la corriente de carga varia. Las corrientes IL
= VZ/RL e IZ están ligadas a través de la ecuación:
17
IT = IL + IZ (1)
y para las tensiones:
VAA=IT ⋅ R + VZ =VR + VZ (2)
Por lo tanto, si VAA y VZ permanecen constantes, VR debe de serlo también (VR = IT ⋅

R). De esta forma la corriente total IT queda fijada a pesar de las variaciones de
lacorriente de carga. Esto lleva a la conclusión de que si IL aumenta, IZ disminuye y
viceversa (debido a la ecuación (1)). En consecuencia VZ no permanecerá
absolutamente constante, variará muy poco debido a los cambios de IZ que se
producen para compensar los cambios de IL. Si ahora lo que permanece constante es
la corriente de carga y la fuente de tensión VAA varía, un aumento de ésta produce un
aumento de IT y por tanto de IZ pues IL permanece constante, y lo contrario si se
produjera una disminución de VAA. Tendríamos lo mismo que antes, una tensión de
salida prácticamente constante, las pequeñas variaciones se producirían por las
variaciones de IZ para compensar las variaciones de VAA.
Características de prueba principales de un diodo Zener:
Para un diodo Zener (Fairchild 1N961) de 500m-W y 20%.
 Vz es un valor típico promedio,

 El 20% nos indica que se puede esperar que el potencial Zener varie de 10V ±
20% (Entre 8 y 12 V),
 I ZM es la corriente de prueba definida por la potencia de 0.25,
 Z ZT es la impedancia dinámica en este nivel de corriente,
 La máxima impedancia del punto de inflexión ocurre en la corriente del punto
de inflexión I ZK , e
 I ZM representa la corriente maxima para la unidad de 20%.
18
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DE LA CRUZ TORRES DANIEL

ANAYA SAYAVEDRA JOSÉ LUIS

 Tamaño y peso pequeños: Un diodo típico del láser mide menos de un

Diferencias del diodo láser con un diodo LED.

 La emisión de luz láser es monocromática: Los fotones emitidos por un láser

A frecuencias bajas un diodo normal puede conmutar fácilmente cuando la

Así se dice que el diodo Schottky es un dispositivo semiconductor "portador

Cuando se realiza una ensambladura entre una terminal metálica y un material

El metal se deposita generalmente en un tipo de material N, debido a la movilidad más

En una deposición de aluminio Al (3 electrones en la capa de valencia), los electrones

Se puede observar que solamente los electrones (los portadores mayoritarios de

La alta velocidad de conmutación permite rectificar señales de muy altas frecuencias y

La limitación más evidente del diodo de Schottky es la dificultad de conseguir

Las dos principales desventajas del diodo Schottky son:

El efecto Gunn es una propiedad del cuerpo de los semiconductores y no depende de

El diodo gunn generador de microondas formado por un semiconductor de dos

se puede utilizar como oscilador

Oscilaciones corresponden aproximadamente al tiempo que los electrones necesitan

Funcionamiento en resistencia negativa: A la placa anterior se le sigue aumentando la

Presentan varios valles en la banda de conducción. Cuando la tensión es fuerte en el

Klystron es similar a las antiguas válvulas y el diodo Gunn es de estado solido y a la

Usados para construir osciladores en el rango de frecuencias comprendido entre los

Otra aplicación para estos diodos se da en sensores ultrasónicos se utilizan para

El sensor ultrasónico funciona según el principio "impulso-eco" en combinación con la

Su desarrollo empezó en el año 1839 cuando Becquerel descubrió que si se ilumina

3 - La carga eléctrica de la placa metálica expuesta a la radiación luminosa puede

Así la curva tensión-corriente trazada en la oscuridad (O) resulta igual a la de un diodo

demanda una corriente superior a dicha corriente limitada, la celda afectada

Análogamente, si una de las celdas conectadas en paralelo queda oscurecida, aunque

Cuando la resistencia es negativa, la corriente disminuye al aumentar el voltaje. En

Desgraciadamente, este tipo de diodo no se puede utilizar como rectificador debido a

Algunas características a resaltar del diodo Zener:

 Su dirección de conducción es inversa a la de un diodo rectificador, esto quiere

 La localización de la región Zener puede controlarse variando los niveles de

Aplicaciones del diodo Zener:

Por lo tanto, si VAA y VZ permanecen constantes, VR debe de serlo también (VR = IT ⋅

Características de prueba principales de un diodo Zener:

Para un diodo Zener (Fairchild 1N961) de 500m-W y 20%.

 Vz es un valor típico promedio,

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