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Université de Jijel

Faculté des Sciences et de la Technologie


Départem ent d’Electronique
2ème année de Licence - S5

Matière : ELEMENTS DE PHYSIQUE DES

COMPOSANTS ELECTRONIQUES (EPCE)

(UED2.2/crédit 1/coefficient 1) Pr B. BIROUK

Avant-propos : Lors de la dernière séance de cours, nous avons vu que les niveaux

électroniques d’un atome isolé étaient remplacés par des bandes d’énergie, lorsque

ces atomes forment un matériau solide. Des exemples de matériaux ont été présentés

en termes de remplissage de ces bandes. Ainsi, la notion de bande de valence (BV),

bande de conduction (BC) et bande interdite (BI), a été expliquée, et la distinction

entre les trois types de matériaux (conducteurs, semiconducteurs, isolants) a été

présentée.

Nous avons vu en outre, que les électrons les plus éloignés du noyau (électrons de

valence), sont les moins liés à ce dernier, et donc peuvent facilement se libérer.

L’énergie minimale que doit absorber l'électron pour passer de la BV à la BC est EG.

En effet, pour avoir ce minimum, l'électron doit passer du haut de la BV (niveau

d’énergie EV ) vers le bas de la BC (niveau d’énergie EC ), d'où :

ΔE = EC - EV = EG

BC
BC BC
EG EC EG > 5 eV
BV EV
BV BV
Conducteur
Semiconducteur (EG < 3 eV) Isolant

Nous avons également introduit la notion de trou dans le cas des semiconducteurs et

montré que les trous restent toujours dans la BV. En effet, les trous sont l'équivalent
électrique de l'absence d'un électron dans une liaison entre deux atomes . Les trous

donc, ne peuvent exister en l’absence de liaisons interatomiques. Les électrons qui

créent ces trous sont les électrons de valence (puisqu’ils forment les liaisons). Lorsque

l’un d’eux devient libre, on dit qu’il y a création d’une paire électron-trou : un électron

dans la BC et un trou dans la BV. Lorsqu’un électron réoccupe une place vacante dans

un liaison (c’est-à-dire un trou), on dit qu’il y a recombinaison entre ces deux

porteurs de charge (la paire e-t disparaît).

CONDUCTION ELECTRIQUE DANS LES SEMICONDUCTEURS

Les électrons se déplacent librement dans le matériau tandis que les trous se déplacent

« virtuellement » par un jeu de disparition-apparition : ils disparaissent dans une

liaison et apparaissent dans une autre liaison. Il faut comprendre par là qu’un électron

s’est déplacé dans le sens contraire de ce trou, par exemple par les 2 opérations de

création- recombinaison. Mais, ce n’est pas obligatoire que ça soit le même électron

qui réalise les 2 opérations.

BC

c r

BV

Cristal de silicium intrinsèque (T ≠ 0 K) Création et Recombinaison de paires e-t


(Source de l’image : Alanpedia)

Donc, les deux porteurs participent à la conduction électrique dans les

semiconducteurs. Leurs concentrations sont liées par la loi d’action de masse (bien

connue en chimie) qui établie que leur produit est toujours constant, soit :
n p = constante (*)

La conductivité électrique du matériau semiconducteur s’exprime comme suit :

σ = |q| (n μe + p μh )

où, µe et µh sont les mobilités des deux porteurs (définies dans les cours précéde nts).

Habituellement, on utilise plus l’inverse de cette grandeur qui est la résistivité


électrique :

1
ρ = 1/σ =
|q| (n μe + p μh )

Unités : en général, les concentrations sont exprimées en cm-3, les mobilités en

cm2V-1s -1, ce qui donne pour σ l’unité Ω-1cm-1 et Ωcm pour ρ.

Dans le cas d’un matériau pur (on dit aussi intrinsèque), il y a autant d’électrons

que de trous (puisqu’ils sont créés par paires). Alors, leurs concentrations sont égales :

n = p = ni

La valeur commune n i est appelée concentration intrinsèque.

Dans ce cas, la conductivité intrinsèque est donnée par l’expression suivante :

σi = e (µe + µh) ni

De plus, on déduit que la constante de la relation (*) vaut ni2.

La conductivité électrique des semiconducteurs s’étale de 10-8 à 103 Ω-1cm-1,

approximativement.

La résistivité intrinsèque est donnée par :

1
ρi = 1/σi =
e ni ( μe + μh )
Silicium (Si) Germanium (Ge) Arséniure de Gallium (GaAs)
ni (cm−3 )
1,6.1010 2,4.1013 1,1.107

EG (eV)
1,12 0,66 1,43

µe (cm2/V.s)
1500 4000 8500
µh (cm2/V.s)
500 2000 400

Tab.1 : Valeurs typiques à la température T = 300 K, des grandeurs


µe , µh, EG et ni caractérisant les semiconducteurs les plus connus .

La densité de courant est définie comme étant le courant traversant une section par

𝑑𝑖 𝐼
unité de surface : 𝑗= ou si le courant est constant.
𝑑𝑆 𝑆

En l’absence de champ électrique, aucun courant ne circule dans le matériau :

𝜉⃗ = ⃗0⃗ ⇒ ⃗⃗𝑗 = ⃗0⃗

Si un champ électrique est appliqué (⃗ξ ≠ ⃗0⃗), les électrons et les trous se mettent en

mouvement dans le matériau. Ce déplacement des porteurs donne lieu à un courant

parallèlement au champ, telle que sa densité soit égale à :

⃗⃗j = σe ⃗ξ pour les électrons


⃗⃗jt = σt ⃗ξ = (σe + σh )ξ⃗⃗ avec { e
⃗⃗jh = σh ⃗ξ pour les trous.

Les quantités σe et σh sont les conductivités associées aux électrons et les trous,

respectivement, telles que :

σe = e μe n pour les électrons


{σ = e μ p pour les trous.
h h
Ce qui donne pour la densité totale de courant l’expression :

⃗⃗jt = e(μe n + μh p)ξ⃗⃗


Remarque : Ce courant est appelé courant de conduction car il est provoqué par un

champ électrique (on verra plus tard un autre type de courant appelé courant de

diffusion et qui est provoqué par un gradient de concentration).

DOPAGE D’UN SEMICONDUCTEUR

Qu’appelle-t-on dopage (en électronique) ?

Réponse : C’est l’opération de rajout d’atomes étrangers au matériau semiconducteur


)‫(عملية إدخال درات أجنبية عن المادة نفسها‬

Quel est le but du dopage ?


Réponse : Le but est d’augmenter la conductivité du matériau semiconducteur en

remplaçant quelques atomes par les impuretés et réaliser le type N ou P.

P‫ أو‬N‫( الهدف من ذلك هو لزيادة الناقلية الكهربائية أل نصاف النواقل و كذلك خلق الصنف‬

Lorsqu’un échantillon de semiconducteur est dopé, on l’appelle semiconducteur

extrinsèque.

Lorsqu’un échantillon de silicium est dopé avec des atomes pentavalents (c’est-à-

dire du groupe V sur le tableau de Mendeliev), il devient extrinsèque de type N, car

ces atomes dopants libèrent leurs cinquièmes électrons (le N vient de Négatif). Ces

électrons dont le nombre égalait celui des trous, avant le dopage, les dépassent

maintenant et sont de ce fait appelés majoritaires. Les atomes dopants sont dits dans

ce cas, Donneurs et sont ionisés en D+.


Si Si Si
5ème électron du
donneur
D+ (facilement libéré).
Si Si

Si Si Si

Diagramme énergétique d'un matériau de type N:

nN
e- e- e- e- e- e- e- e- EC
+ + + + + + ED
Eg EFN
ND
EV

pN

On peut voir sur ce diagramme, deux niveaux supplémentaires qui sont :

• Le niveau donneur ED sur lequel on positionne les atomes dopants ionisés D+ (les

cercles comprenant des +);

• Le niveau de Fermi EFN qui est un niveau de référence.

Remarque : L’énergie minimale que doit absorber l'électron pour passer dans la

BC est :

Ed = EC - ED

NB : Il a été représenté, sur ce diagramme, 8 électrons, 6 ions donneurs et 2 trous.

Les concentrations d'électrons et de trous dans un matériau semiconducteur dopé N,

sont liées par les deux relations :

➢ La loi d'action de masse : nN . pN = ni2

➢ L’équation d’équilibre des charges : nN = ND + pN


Cette dernière relation veut dire que les charges négatives des nN électrons sont

équilibrées par les charges positives des ND donneurs et des pN trous.

La conductivité de ce matériau est donnée par :

σN = |q| (nN μe + pN μh )

Mais, généralement, ND est très supérieure à la concentration intrinsèque ni. Par

conséquent, on a, d’après la loi d’action de masse :

pN = ni2/nN ≈ ni2/ND = ni (ni/ND ) << ND .

D’où :

σN = │q│.nN.µe = e.ND .µe

Exemple numérique : Un échantillon de silicium a été dopé avec des atomes

pentavalents en concentration 1016 cm-3. En déduire la conductivité et la résistivité,

sachant que la mobilité des électrons vaut 1500 cm2V-1s -1.

Données : ND = 1016 cm-3 ; µe = 1500 cm2V-1s -1.

On déduit d’après l’énoncé que le semiconducteur est de type N, d’où la concentration

des électrons : nN ≈ ND = 1016 cm-3

La conductivité de ce matériau est donnée par :

σN = 𝑒 nN μe

On peut remarquer que ND est très supérieure à la concentration intrinsèque ni =

1,6.1010 cm-3, donc : pN = (1,6.1010)2/1016 << ND .

D’où : σN = e.ND .µe = 1,6.10-19 x 1016 x 1500

Soit, σN = 2,4 Ω-1.cm-1.

On en déduit la résistivité : ρN = 1/σN = 1/2,4 = 0,417 Ω.cm


Lorsqu’un échantillon de silicium est dopé avec des atomes trivalents (c’est-à-dire du

groupe III sur le tableau de Mendeliev), il devient extrinsèque de type P, car ces

atomes dopants possèdent trois électrons de valence et génèrent un trou lorsqu’ils

forment des liaisons avec le silicium (la 4ème liaison n’est pas saturée et correspond à

un trou de charge positive). Ces trous dont le nombre égalait celui des électrons, avant

le dopage, les dépassent maintenant et sont de ce fait appelés majoritaires. Les

atomes dopants sont dits dans ce cas, accepteurs et sont ionisés en A-.

Si Si Si
Inexistence du 4ème
électron du dopant
(équivaut à un trou) .
Si A- Si

Si Si Si

Diagramme énergétique d'un matériau de type P :

nP
e- e- EC
Eg EFP
-- - - EA
EV

pP
On peut voir sur ce diagramme, deux niveaux supplémentaires qui sont :

• Le niveau accepteur EA sur lequel on positionne les atomes dopants ionisés

A- (les cercles comprenant des -);

• Le niveau de Fermi EFP qui est un niveau de référence.

Remarque : L’énergie minimale que doit absorber l'électron pour passer de la BV au

niveau EA est : Ea = EA – EV
NB : Il a été représenté, sur ce diagramme, 2 électrons, 4 ions accepteurs et 6 trous.

Les concentrations d'électrons et de trous dans un matériau semiconducteur dopé P,

sont liées par les deux relations :

➢ La loi d'action de masse : nP . pP = ni2

➢ L’équation d’équilibre des charges : pP = NA + nP

Cette dernière relation veut dire que les charges positives des pP trous sont équilibrées

par les charges négatives des NA accepteurs ionisés et des nP électrons.

La conductivité de ce matériau est donnée par l ’expression de la conductivité dans le cas

du semiconducteur de type P avec pP » nP : σP= e µh pP = e µh NA

σN = |q| (nN μe + pN μh )

Mais, généralement, NA est très supérieure à la concentration intrinsèque ni. Par

conséquent, on a, d’après la loi d’action de masse :

nP = ni2/pP ≈ ni2/NA = ni (ni/NA ) << NA

D’où :

σP = │q│.pP.µh = e.NA.µh

Exemple numérique : Un échantillon de silicium a été dopé avec des atomes trivalents

en concentration 1016 cm-3. En déduire la conductivité et la résistivité, sachant que la

mobilité des trous vaut 500 cm2V-1s -1.

Données : NA = 1016 cm-3 ; µh = 500 cm2V-1s -1.

Les atomes trivalents donnent lieu à un semiconducteur de type P, d’où la

concentration des électrons : pP ≈ NA = 1016 cm-3

La conductivité de ce matériau est donnée par :

σP = eNA μh
On peut remarquer que NA est très supérieure à la concentration intrinsèque ni =

1,6.1010 cm-3, donc : nP = (1,6.1010)2/1016 << ND .

D’où : σP = e.NA.µh = 1,6.10-19 x 1016 x 500

Soit, σP = 0,8 Ω-1.cm-1.

On en déduit la résistivité : ρP = 1/σP = 1/0,8 = 1,25 Ω.cm

Il est remarquable que la conductivité du silicium dopé P, est 3 fois moins élevée que

celle du silicium dopé N, d’après les résultats trouvés dans les exemples numériques.

Cette observation est assez générale, car les trous sont moins mobiles que les

électrons.

DIFFUSION DE PARTICULES DANS UN SEMICONDUCTEUR

Le phénomène de diffusion est assez général et touche plusieurs domaines. Dans le

domaine des composants électroniques, la diffusion intéresse les particules (atomes,

ions, porteurs) et constitue la base de leur fonctionnement.

Définition de la diffusion : C’est le mouvement de particules causé par une différence

de concentrations entre deux régions (gradient de concentration).

Ce mouvement a lieu de la région de haute densité vers celle de plus faible densité.

Sens de l a diffusion

Régi on à concentration élevée Régi on à concentration faible

La région de concentration élevée s’appelle la source de diffusion. Si les particules sont

chargées, ce mouvement génère un courant dit courant de diffusion. Il tend à


uniformiser les concentrations et son intensité tend vers zéro, si la source n’est pas

alimentée par un apport permanent de ces charges.

Si on mesure longitudinalement, la concentration des particules diffusantes, on obtient

le profil de diffusion suivant :

N(x)
Concentration à l’origine de la diffusion NS

Ld x
Longueur de diffusion
Le flux de particules F est donné à une dimension par :

F = - D . dN/dx

où D s'appelle le coefficient de diffusion ; dN/dx est le gradient de concentration à une

dimension (selon l'axe x).

Unités : [F] = cm - 2 s-1 ; [dN/dx] = cm - 3 /cm = cm - 4 ; ce qui donne pour le coefficient de

diffusion : [D] = cm2 s- 1.

Pour les porteurs de charges, les coefficients de diffusion sont reliés à la mobilité par

De Dh kT
la relation d’Einstein : = = = UT (appelée unité thermodynamique)
µe µh e

Le courant de diffusion créé par le flux de particules chargées a pour densité :

dN
j = −qD dx

où q est la charge des particules. Soit, par type de porteur :

jnd = +eDe dn Densité de courant de diffusion relative aux électrons


dx
dp
j
{ pd
= −eD h Densité de courant de diffusion relative aux trous.
dx
Le coefficient de diffusion D s'exprime en fonction de la température par la relation :

𝐸𝑎
𝐷 = 𝐷0 exp(− )
𝑘𝑇
D0 constante pré-exponentielle (en cm2 s- 1), Ea est l'énergie d'activation (en eV) et k la

constante de Boltzmann (8,6.10 - 5 eV/K).