Micro Onde2 PDF

Master Microélectronique, Microtechnologies et Télécommunications
UE S22
Compléments de Micro-ondes: Les fonctions actives
Gilles DAMBRINE (Cours, TP)

Luc DUBOIS (TD, TP)
Cours (mardi 8-10h) TD (jeudi 10h15-12h15) TP

Bât. DESS salle 115 Bât. DESS salle 115 Bât P3 2ème Étage
15h 15h 20h
1
Emploi du temps
2
Plan du cours
Rappels et outils de base
Principales caractéristiques d’une ligne de propagation

Les structures de propagation usuelles
Les paramètres S, les conversions de matrices usuelles
L’abaque de Smith, son utilisation
Notions et principes caractérisant un quadripôle actif (concepts

courant/tension et ondes).
Impédance ou facteur de réflexion ramené à l’entrée ou en sortie d’un

quadripôle.
Définition des puissances et gains usuels.
Transformations d’impédances et transfert optimal de puissance.
Cercles de gain en puissance ou de gain disponible.
Stabilité des quadripôles actifs (critères, cercles de stabilité)
Facteur de bruit et cercles de bruit.
3
Plan du cours (suite)
Amplification micro-ondes faible bande à un étage.
Démarche générale.
Les bases de stabilisation d’un quadripôle actif.
Les bases des circuits de polarisation des transistors hyperfréquences.
Base de la conception d’un oscillateur hyperfréquence.
Base de conception des oscillateurs par l’approche des paramètres S.

Bases des résonateurs micro-ondes
Oscillateurs à résistance négative
Oscillateur en contre-réaction
Stages et travaux pratiques :
Initiation à la CAO hyperfréquence : l’amplificateur faible bande à un

étage.
Initiation à la CAO hyperfréquence : l’oscillateur à résonateur
diélectrique(approche linéaire)
4
Les circuits HF: Procédure Générale
Cahier des Charges
Concepts, outils de base
Conception
Réalisation
5
LES OUTILS DE BASE
Réseau d’adaptation /
transformation
d’impédance:
Les lignes de
propagation, Zc, α, β
Les composants
localisés:
Matrices S, Y, Z etc…
6
I. Rappels et Outils de base
Lignes de Transmission: Les bases

z Zo est fonction des dimensions physiques and
z Zo est générallement un nombre réel (e.g. 50 or 75
ohms)
Guide
d’onde
a
b w
bifilaire
Coaxiale
h
h
εr
w1
w Impedance Caractéristique de
w2
lignes microruban
Coplanair Microstrip 7
Lignes de propagation
V (0 ) V (L )
x
0 L
• Modèle des télégraphistes

I ( x ) Rdx Ldx I ( x + dx )
V (x ) Gdx Cdx V ( x + dx )
V = V0+ . e −γx + V0− . eγx = V +

+V −
I = I 0+ . e −γx + I 0− . eγx = I + + I −
8
• Ligne standard γ = α + jβ = (R + jLω )(. G + jCω )
R + jLω α ( N / m)
Zc = α en N/m α ( dB / m) =
8.686
G + jCω
β(rd/m).l (m) : Longueur électrique en rad
• Ligne sans pertes
Lω >> R L
Zc = α =0 β = ω LC
Cω >> G C
ω 1 C
Vitesse de propagation : β = ⇒v= = air
v LC ε reff
9
Lignes Microruban: Zc
Pour les substrats usuels

2.5<εr<10
Zo max ~100 – 150 Ω
Zo min ~ 25 – 40 Ω
Pourquoi ?
Quelques explications…
Impedance Caractéristique de
lignes microruban
10
• Matrice Chaîne d’une ligne (Zc, γ) de longueur L
⎡ Ch(γL) Z c Sh(γL)⎤
[Ch ]ligne =⎢
(γ ) (γ ) ⎥
⎣ c
Y Sh L Ch L ⎦
• Matrice [Z] & [Y] d’une ligne (Zc, γ) de longueur L
⎡ 1 ⎤ ⎡ 1 ⎤
⎢ cth (γL )
⎢ cth(γL) −
Sh(γL) ⎥ Sh(γL) ⎥
[Z ] = Zc ⎢
1
⎥ [Y ] = Yc ⎢ ⎥
⎢− 1
ligne ligne
⎢ cth(γL)⎥ cth(γL) ⎥
⎣⎢ Sh(γL) ⎦⎥ ⎢⎣ Sh(γL) ⎥⎦
11
Lignes de propagation: Impédance et Admittance
« ramenée »
• Calculons l’impédance vue à l’entrée d’une ligne (Zc, γ)
de longueur L connectée à une impédance de charge ZL
Zc
Zin ZL
• Calculons l’admittance vue à l’entrée d’une ligne (Yc, γ)

de longueur L connectée à une admittance de charge YL
Yc
Yin YL
12
« ramenée »
• Calculons l’impédance vue à l’entrée d’une ligne (Zc, γ)
de longueur L connectée à une impédance de charge ZL
Z c th(γl ) + Z L jZ c tg ( βl ) + Z L
Z in = Z c ≈ Zc
Z Lth(γl ) + Z c jZ L tg ( βl ) + Z c
• Calculons l’admittance vue à l’entrée d’une ligne (Yc, γ)

de longueur L connectée à une admittance de charge YL
Yc th(γl ) + YL jYc tg ( βl ) + YL
Yin = Yc ≈ Yc
YL th(γl ) + Yc jYLtg ( βl ) + Yc
13
« Ramenée »
• Cas particulier où ZL=0 -Æ tronçon de ligne en Court Circuit
Z in ≈ jZ c tg ( βl ) ∝ jLΩ
En modifiant Zc et / ou la longueur l: on voit à l’entrée du tronçon de ligne
une inductance série
L
Zc
L3
L=H
R=
14
« Ramenée »
• Cas particulier où ZL=0 -Æ tronçon de ligne en Court Circuit
Z in ≈ jZ c tg ( βl ) ∝ jLΩ Généralement l < λg/4
100
Inductance_equivalente (nH)
75
~ Inductance ~ Inductance
50
25
0
0 0.25 0.5 0.75 1
-25
Zc=50 Ω
-50
Freq=5 GHz
-75
-100
Longueur / λg
15
« Ramenée »
• Cas particulier où YL=0 -Æ tronçon de ligne en Circuit Ouvert
Yin ≈ jYc tg ( βl ) ∝ j C Ω
En modifiant Yc et / ou la longueur l: on voit à l’entrée du tronçon de ligne
une Capacité équivalent en parallèle (shunt)
C
C3 Yc
C=pF
16
« Ramenée »
• Cas particulier où YL=0 -Æ tronçon de ligne en Circuit Ouvert
Yin ≈ jYc tg ( βl ) ∝ j C Ω
Généralement l < λg/4
50
Capacité_equivalente (pF)
~ Capacité ~ Capacité
25
0
0 0.25 0.5 0.75 1
-25
Yc=20 mS
Freq=5 GHz
-50
Longueur / λg
17
« Ramenée »; Tronçons de Ligne en Court Circuit
100
Inductance_equivalente (nH)
75
~ Inductance ~ Inductance
50
25
0
0 0.25 0.5 0.75 1
-25
-50
-75
-100
Longueur / λg
Longueur = λg/4; Zin = infinie

Longueur = λg/2; Zin = 0 Longueur = 3λg/4;
L Zin = infinie
C L L4
L=nH
C3 L3 R=
C L
Zin C=pF L=nH Zin C3 L3
R=
C
C4 Zin C=pF L=nH
C=pF R=
18
« Ramenée »; Tronçons de Ligne en Circuit Ouvert
50
Capacité_equivalente (pF)
~ Capacité ~ Capacité
25
0
0 0.25 0.5 0.75 1
-25
-50
Longueur / λg
Longueur = λg/4; Yin = infinie
Longueur = 3λg/4;
Longueur = λg/2; Yin = 0
L Yin = infinie
L4
L=nH L
C L L4
R=
C3 L3 L=nH
Yin C Yin C=pF L=nH R=
C4
C=pF
R= Yin C
C4
C=pF
19
Yc
Yin YL
Une ligne quart d’onde idéale est un inverseur d ’admittance idéal
un tronçon de ligne λg/4
⎡ cos Θ jZ c sin Θ⎤
[ch]UE Zc =⎢
⎣ jYc sin Θ cos Θ ⎥⎦
J2
Π ⎛ λg ⎞ Yin =
avec Θ = à ω = ω0 ⎜⎜ l = ⎟⎟ YL
2 ⎝ 4⎠
⎡ 0 j Zc ⎤ ⎡ 0 j / J⎤
[ch]UE Zc =⎢ ⎥ ≡⎢ ⎥ d ' où J = Yc
⎣ j Yc 0 ⎦ ⎣j J 0 ⎦
20
Paramètres S / Matrice S
• Justification des paramètres S
Problèmes liés à la mesure des paramètres H, Z ou Y
I1 I2
⎡ I1 ⎤ ⎡Y11 Y12 ⎤ ⎡V1 ⎤

V1 V2 ⎢ I ⎥ = ⎢Y Y ⎥ ⎢V ⎥
⎣ 2 ⎦ ⎣ 21 22 ⎦ ⎣ 2 ⎦
Les notions de courant et tension

ne sont pas mesurables en HF…
21
a1 b2
• Ondes incidentes / réfléchies b1 a2
• Matrice S ⎡ b1 ⎤ ⎡ S11 S12 ⎤ ⎡ a1 ⎤

⎢b ⎥ = ⎢ S S 22 ⎥⎦ ⎢⎣a2 ⎥⎦
⎣ 2 ⎦ ⎣ 21
b1 = S11a1 + S12 a2
b2 = S 21a1 + S 22 a2
22
• Signification physique des paramètres S
⎡ b1 ⎤
S11 = ⎢ ⎥ Facteur de réflexion à l’entrée, la sortie étant adaptée
⎣ a1 ⎦ a2 =0
Coefficient de réflexion à l’entrée d ’un dispositif
⎡ b2 ⎤
S 21 = ⎢ ⎥ Facteur de transmission entrée sortie, la sortie étant adaptée
⎣ a1 ⎦ a2 =0 Gain d’un amplificateur
⎡ b2 ⎤
S 22 = ⎢ ⎥ Facteur de réflexion en sortie, l’entrée étant adaptée
⎣ a2 ⎦ a1 =0
⎡ b1 ⎤
S12 = ⎢ ⎥ Facteur de transmission sortie entrée, l’entrée étant adaptée
⎣ a2 ⎦ a1 =0
23
• Autres intérêts de la matrice S
2
a1 = Puissance incidente à l' entrée d' un dispositif
2
a2 = Puissance incidente à la sortie d' un dispositif
2
b1 = Puissance réfléchie à l' entrée d' un dispositif
2
b2 = Puissance réfléchie par la sortie d' un dispositif
24
2 Puissance réfléchie à l' entrée d' un dispositif

S11 =
Puissance incidente à l' entrée d' un dispositif
2 Puissance réfléchie à la sortie d' un dispositif

S 22 =
Puissance incidente à la sortie d' un dispositif
2 Puissance reçue par une charge d' impédance Z 0

S 21 =
Puissance délivrée par une source d' impédance Z 0
= Gain en puissance pour une source et une charge d' impédance Z 0
2
S12 = Gain en puissance inverse avec source et charge à 50 Ω
25
a1 b2
Les paramètres S mesurés ou calculés dans

b1 DUT a2 une gamme de fréquences
Format Usuel de stockage: Touchstone file (*.S2P); compatible avec tous les logiciels
de CAO HF
! Commentaire
! Transistor MGF 1302; Vgs=0V; Vds=3V
! Header
# Hz S RI R 50
! Freq r11 i11 r21 i21 r12 i12 r22 i22
0.50000E+09 0.99738E+00 -0.35828E-01 -0.19139E+01 0.90332E-01 0.64850E-04 0.43337E-02 0.87308E+00 -0.27405E-01
0.75000E+09 0.99677E+00 -0.60699E-01 -0.19084E+01 0.13055E+00 0.36621E-03 0.65374E-02 0.87247E+00 -0.45074E-01
26
Mesures des paramètres S: Analogie

avec l’Optique…
Incident
Transmise
Réflechie Onde
Lumineuse
RF
27
Mesures des paramètres S: principe
Incident DUT Transmise

R B
Réflechie
A
REFLEXION TRANSMISSION
Réflechie A Transmise B
= =
Incident R Incident R
Return Group
SWR Gain / Loss Delay
Loss
S-Parameters Impedance, Insertion
S11,S22 Reflection Admittance S-Parameters Phase
Coefficient S21,S12 Transmission
R+jX,
Coefficient
Γ, ρ G+jB
Τ,τ
28
Abaque de Smith: Principe .
o
+jX 90
Polar plane
1.0
.8
.6
0 +R ∞ → .4
+ 180 o .2
0
o
-
-jX 0 ∞
Rectilinear impedance -90 o

plane
Constant X
Z L = Zo Constant R
Γ= 0
Z L = 0 (short) Z L= (open)
Γ= 1 ±180O Γ =1 0
O
Z-type Smith Chart

Power Transfer Basics

+ -
I
Low frequencies
z wavelengths >> wire length
z current (I) travels down wires easily for efficient power transmission
z measured voltage and current not dependent on position along wire
High frequencies
z wavelength ≈ or << length of transmission medium
z need transmission lines for efficient power transmission
z matching to characteristic impedance (Z0) is very important for low
reflection and maximum power transfer

z measured envelope voltage dependent on position along line
Transmission Line Terminated with Zo
Zo = characteristic impedance of
Zs = Zo transmission line
Zo
V inc
Vrefl = 0! (all the incident power is
absorbed in the load)
For reflection, a transmission line terminated in Zo behaves

like an infinitely long transmission line
Transmission Line Terminated with

Short, Open
Zs = Zo
V inc
In phase (0 o ) for open

Vrefl Out of phase (180 o ) for short
For reflection, a transmission line terminated in a short or

open reflects all power back to source
Transmission Line Terminated with 25 Ω
Zs = Zo
ZL = 25 Ω
V inc
Vrefl
Standing wave pattern does not go to

zero as with short or open
Reflection Parameters
Reflection Vreflected ZL − ZO
Coefficient Γ =
Vincident
= ρ Φ =
Z L + ZO
Return loss = -20 log(ρ), ρ = Γ Voltage Standing Wave Ratio

Emax
Emin Emax 1+ρ
VSWR = =
Emin 1-ρ
No reflection Full reflection

(ZL = Zo) (ZL = open, short)
0 ρ 1
1 VSWR ∞
Power Transfer Efficiency

For complex impedances, maximum power
transfer occurs when ZL = ZS* (conjugate
match)
Zs = R + jX
Rs +jX
-jX
RL
ZL = Zs* = R - jX
Zo
At high frequencies, maximum
power transfer occurs when Zo
RS = RL = Zo
II. Synthèse des Réseaux d’adaptation
Synthèse des réseaux d’adaptation

Objectifs:
-1- Modifier la valeur d’une impédance / admittance
-2- Synthétiser l’impédance / admittance conjuguée pour un transfert
optimal de puissance
Généralement il s’agit de transformer une impédance ou admittance
quelconque en 50 Ω ou 20 mS et réciproquement.
Zin ou Yin Zout ou Yout
OU
Zin ou Yin
Zout ou Yout
Zin* ou Yin*

L’Abaque de Smith permet de faire l’analogie entre un paramètre de
réflexion (Sii) et un schéma électrique équivalent (R, L, C)
m3
freq=5.000GHz
m3=0.494 / 105.784
impedance = Z0 * (0.500 + j0.628)
Circuits Séries
m3
Term R
L
Term7 R1
L1
Num=6 R=25 Ohm
L=1.0 nH L R
Z=50 Ohm L2
R= R3
S(6,6)
C R
C1 R2
m3
freq=5.000GHz
m3=0.497 / -105.149
impedance = Z0 * (0.500 - j0.637)
freq (5.000GHz to 5.000GHz)
L R
L2 R3
Term R
Term7 C R6
S(6,6)
Num=6 C3
Z=50 Ohm
m3
C R
C1 R2


L’Abaque de Smith permet de faire l’analogie entre un paramètre de
réflexion (Sii) et un schéma électrique équivalent (R, L, C)
C R
Circuit // (ou Shunt) C4 R7 Lecture de
l’admittance
Term C R
Term8 C3 R6
S(7,7)
S(6,6)
Num=7
Z=50 Ohm
L R
L3 R5
C R
C4 R7
Term L R
Term8 L4 R8
Num=7
Z=50 Ohm S(7,7)
S_y
Lecture de
L R
l’admittance
L3 R5


La problématique
Exemple: Régler le gain d’un transistor…en changeant les impédances,
admittances ou facteurs de réflexion du générateur et / ou de la charge
Γg ou Zg ou Yg ΓL ou ZL ou YL

La problématique
-1- Synthèse d’une impédance (Zg) ou admittance (Yg) ou Γg de “générateur”
Imposée par le système Choisie pour une application donnée
50Ω ou 20 mS Zg ou Yg ou Γg
-2- Synthèse d’une impédance (ZL) ou admittance (YL) ou ΓL de “charge”
Choisie pour une application donnée Imposée par le système
ZL ou YLou ΓL
50Ω ou 20 mS

La problématique:
atteindre des lieux particuliers de l’abaque de Smith
g=Go/0.02 =1 r=Ro/50 =1
S(1,1)
x=X/50 = 0 ou
b=B/0.02 = 0

La problématique:
Essayez de repérer toutes les solutions et imaginez qualitativement

leurs réalisations
Exemple: nous souhaitons transformer ce Γ=0.572<-30° en Γ=0…


-1- éléments « localisés » (annulation de la Z=50*(2 – j *1.7)
partie imaginaire) inductance série ou capacité Calculer la valeur de
//; inductances spirales / capacité MIM; techno L série
monolithique (freq < 20 GHz)
OK
C R L
C4 R7 L7
S(1,1)
S_y
L + C R
L5 C1 R2
R=
OK


-2- éléments semi-localisés (annulation
de la partie imaginaire) inductance série
ou capacité //; Lignes haute ou basse
impédance
L’inductance en // n’est pas

réalisable
C R L
C4 R7 L7
S(1,1)
S_y
C
L
C3
L
L + C R
L5 L6 R2
R= R= L5 C1
R=
OK


-2- éléments semi-localisés (annulation
de la partie imaginaire) inductance série
ou capacité //; Lignes haute ou basse
impédance
On choisit donc une inductance en
série
C R L
C4 R7 L7
Zinitiale=50*(2 – j *1.7) +
S(1,1)
S_y
Montrer que l’impédance de la ligne
équivalente à cette inductance est:
Im( Z )
Zc = L + C R
ϕ ( rd )
L5 C1 R2
R=
OK
A 5 GHz, Zc~270 Ω pour l=λg/20
Impossible en technologie hybride

-3- Tronçons de ligne (annulation de la partie
imaginaire, et changement de la partie réelle)
« transformateur λg/4 »
a. Rejoindre l’axe réel par l’ajout d’une ligne 50Ω
2ème solution
1ère solution
βl=75°, Zc=50Ω
S(2,2)
S(1,1)
Γinitial Longueur croissante
∆φ
βl = = 75° freq (5.000GHz to 5.000GHz)
2

-3- Tronçons de ligne (annulation de la partie
imaginaire, et changement de la partie réelle)
« transformateur λg/4 »
b. Ajouter en série un transformateur λg/4
Z c = Z 2 = Z in Z out
Z2 croissant
βl=λg/4=90°, Z2=26 Ω
S(3,3)
S(2,2)
S(1,1)
βl=75°, Z1=50Ω

Zin Zout

-4- Tronçons de ligne (atteindre g=1, et annulation de la partie imaginaire)
technique « simple stub »
2ème solution
C R
C4 R7
l, Zc=50Ω
S(2,2)
S(1,1)
Γin Γinitial L
L3
R
R5
• 1ère solution βl=47.5°: ligne un peu trop courte et

il faudra placer un « stub » en CC.
Longueur croissante
•2ème solution βl=102.5°: (>λg/4), Longueur
possible et on peut placer un « stub » en CO
1ère solution

βl=102.5°, Zc=50Ω
Γin Γinitial
S(2,2)
S(1,1)
S_y
L R
ℑm(Yin ) L3 R5
βlstub _ CO = ATAN ( )
Yc _ stub _ CO Juste pour lire la valeur de
Im(Yin) = -27.93 mS Im(Yin) (en Siemens)
si Yc_stub_CO= 20 mS
Donc βlstub_CO = 54.39° freq (5.000GHz to 5.000GHz)

βl=54.39°, Zc=50Ω
βl=102.5°, Zc=50Ω
S(3,3)
S(2,2)
S(1,1)
Γfinal Γinitial
Γin


-5- Variantes de la technique « simple stub », en changeant l’impédance de la
ligne …
βl, Zc>50Ω
S(4,4)
S(3,3)
S(2,2)
S(1,1)
Γin Γinitial
• en modifiant Zc de la ligne, on peut obtenir

un βl plus petit (< lg/4) et une longueur de
« stub » plus faible également
• avec une ligne, on peut synthétiser
directement 50Ω pour un couple de valeur Z c th(γl ) + Z L jZ tg ( βl ) + Z L
Z in = Z c ≈ Zc c
(βl,Zc) (ici 52,5° et 110 Ω) Z Lth(γl ) + Z c jZ Ltg ( βl ) + Z c
Choisie pour une application donnée
Imposée par le système
Zg ou Yg ou Γg
• on choisit un Γg
• on « transforme » conj(Γg) en 50 Ω
βl=90°, Z2=26 Ω
βl=75°, Z1=50Ω
S(4,4)
S(1,1)
50Ω
Conj(Γinitial) freq (5.000GHz to 5.000GHz)

III. Les amplificateurs microondes: Utilisation des paramètres S
Notions de STABILITÉ: Pourquoi?
La conception d’un amplificateur nécessite le réglage des impédances de

générateur et de charge.
Ce réglage modifie les impédances d’entrée et de sortie du quadripôle
actif.
Cet ensemble reste-t-il toujours stable?
Γg ou Zg ou Yg ΓL ou ZL ou YL
S11’ ou Zin ou Yin S22’ ou Zout ou Yout

53
Notions de STABILITÉ: Pourquoi?
i1 i2
Zg [Z]
v1 v2 ZL
v1 Z12 Z 21 v2 Z12 Z 21
Z in = = Z11 − Z out = = Z 22 −
i1 Z 22 + Z L i2 Z11 + Z g
Pour tout ZL à partie réelle positive -Æ Real(Zin)>0

et
Pour tout Zg à partie réelle positive -Æ Real(Zout)>0
54
Notions de STABILITÉ: facteurs de réflexion « ramenés » Sii’
a1 a2
Zg b1 [S] b2 ZL
a1 a2
Γg = ΓL =
b1 b2
b S S Γ b2 S12 S 21 Γg
S11 ' = 1 = S11 + 12 21 L S 22 ' = = S 22 +
a1 1 − S 22 ΓL a2 1 − S11 Γg
55
Notions de STABILITÉ
Stabilité inconditionnelle:
|S11’| < 1 & |S22’| < 1 pour toute terminaison à partie réelle positive (|ΓL| et |Γg| < 1).
Stabilité Conditionnelle:
|S11’| < 1 & |S22’| < 1 pour quelques valeurs de terminaison à partie réelle positive
(|ΓL| et |Γg| < 1).
Dans un cas réel de conception d’un amplificateur, la stabilité est généralement

conditionnelle, donc comment connaître les terminaisons (ΓL et Γg) qui
entraîneraient une oscillation…?
--Æ Critère de stabilité (critère k ou de Rollet)
--Æ Méthode graphique: cercles de stabilité
56
Stabilité : quelles sont les questions que l’on doit se poser ?
-1- Dans le plan ΓL, quelles sont les valeurs de ΓL donnant |S11’| < 1 ?
-2- Dans le plan |S11’| , comment est transformé le plan |ΓL| = 1 ?
S11 ' < 1 ΓL < 1
[S] ZL
On peut avoir le même raisonnement en considérant S22’ et Γg

57
|S11’| < 1 ---------Æ S11 − DΓL < 1 − S 22 ΓL (D est le déterminant de [S])

De cette inégalité, on trouve l’équation d’un cercle dans le plan de ΓL
ΓL = U L + jVL
2
(U L − U L0 )2 + (VL − VL 0 )2 = r0
avec C0 = U L 0 + jVL 0 =
(S 22
*
− D* S11 )
2 2
S 22 − D
S12 S 21
et r0 = 2 2
S 22 − D
On peut avoir le même raisonnement en considérant |S22’| < 1, cela donnera un cercle
(autres équations) dans le plan de Γg. 58
ΓL < 1 ΓL < 1
Inconditionnellement Stable Conditionnellement Stable

Toute la zone donnera |S11’|<1 Une partie de la zone donnera |S11’|<1
59
ΓL < 1
C0
r0
Le quadripôle est inconditionnellement stable si:

|C0| - r0 > 1
2 2 2
1 − S11 − S 22 + D ≥ 2 S12 S 21
2 2 2
1 − S11 − S 22 + D
k= ≥1
2 S12 S 21
k est le critère de stabilité (facteur de Rollet) 60
-2- Dans le plan |S11’| , comment est transformé le plan |ΓL| = 1 ?
*
On décrit également un cercle S12 S 21S 22
Pour une stabilité inconditionnelle, il faut C = S11 + 2
que r < 1 c’est-à-dire:
S12 S 21 < 1 − S 22
2 1 − S 22
S12 S 21
et r=
S11 ' < 1 S11 ' < 1 1 − S 22
2
Inconditionnellement Stable Conditionnellement Stable

61
Notions de STABILITÉ: Résumé
Pour avoir une stabilité inconditionnelle absolue, il est nécessaire et suffisant que
2 2 2
1 − S11 − S 22 + D
k= ≥1
2 S12 S 21
et 2
S12 S 21 < 1 − S11
2
S12 S 21 < 1 − S 22
et si S11’ = Γg* et S22’ = ΓL* ;
alors les impédances de terminaison Zg, ZL sont à parties réelles positives
62
Notions de STABILITÉ: Remarques Pratiques
Remarques: k > 1 est suffisant pour obtenir une stabilité inconditionnelle.
Pour concevoir un amplificateur la première chose consiste à
tracer le paramètre k en fonction de la fréquence (large bande)
1.3 ΓL < 1
1.2
StabFact1
L_StabCircle1
1.1
m1
1.0 freq= 5.100GHz
m1 m1=0.906
0.9
0 2 4 6 8 10 12 14 16 18 20
freq, GHz
indep(L_StabCircle1) (0.000 to 51.000)
Méthodologie:
• On cherche à augmenter k > 1
• Sinon on vérifie aux fréquences où k < 1 si les terminaisons (ΓL ou
Γg) sont dans des zones instables (cercles de stabilité).
63
Notions de PUISSANCE
• I(t) dépend du réseau de charge

• Puissance instantanée : p(t) = v(t) i(t)
– si p(t)>0 Transfert d ’énergie du géné vers la charge
Réseau
– si p(t)<0 Transfert de la charge vers le géné.
I Passif
1 nT V
• Puissance Moyenne : P= nT ∫ p dt
0
– C ’est généralement la puissance mesurée par un Bolométre par exemple
• Puissance Complexe : P = V I*
– soit V=Va exp(j α) et I=Ia exp(j(α + φ)) P= Va Ia (cos(Φ) - j sin (Φ))
– Puissance moyenne = Real(P) = Va Ia cos(Φ)
– Exemple : Calculer la puissance moyenne dissipée dans un réseaux passif G C.
– Puissance moyenne = ½ Real (vi*)
64
• Les principales unités de puissance...
– Puissance Absolue : le Watt

P
Pref
– Puissance relative : Exemple : Pref = 1mW
P(W )
10 * log10( )
1e − 3
– le dBm :
– 0 dBm ----> ?W; 1W-------> ?dBm
65
Puissances délivrées à une charge:
2 2
Pdel _ ch arg e = a1 − b1 = a1 1 − ΓL
2
( 2
)
bg a1
C’est une grandeur mesurable
Zg b1 ZL
2 2 bg
a1 = bg + bg ΓL Γg + bg ΓL Γg + ... =
1 − ΓL Γg
donc
Γg ΓL
Pdel _ ch arg e =
2
(
bg 1 − ΓL
2
)
2
1 − ΓL Γg
Remarque: si le générateur était connecté sur une charge non- réflective,
66
l’onde émise serait égale à bg
Puissances disponibles (d’un générateur): Transfert de puissance optimal

C’est une grandeur calculable (mesurable dans des conditions particulières)
bg a1
Zg b1 ZL=Zg*
Pdel _ ch arg e =
2
(
bg 1 − ΓL
2
)
2
1 − ΓL Γg
*
si ΓL = Γg
bg ⎛⎜1 − Γg ⎞⎟
*2
Γg * 2
ΓL = Γg ⎝ ⎠= b
2
( )
g
alors Pa _ gene = 2 2
*
1 − Γg Γg 1 − Γg
67
Notions de Gains en Puissance

Gain en puissance « Transducique »):
C’est une grandeur calculable traduisant le transfert de puissance au travers
d’un quadripôle. (pas très utilisée mais utile à la compréhension)
2
Pdel _ ch arg e b2 2 2
GT = = f ( ΓL ; Γg ;[ S ]) = (1 − Γg )(1 − ΓL )
Pa _ gene bg
2
2
(
Pdel _ ch arg e = b2 1 − ΓL
2
) Pa _ gene =
bg
(1 − Γ ) 2
68
g

Gain en puissance « Transducique »):
2
Pdel _ ch arg e b2 2 2
GT = = f ( ΓL ; Γg ;[ S ]) = (1 − Γg )(1 − ΓL )
Pa _ gene bg
1 − Γ ) S (1 − Γ )
( 2 2 2
g 21 L
GT = 2 2
'
1 − S11Γg 1 − S 22 ΓL
' S12 S 21Γg
S 22 = S 22 +
1 − S11Γg
69

Gain en puissance « Disponible »:
C’est une grandeur calculable (très utilisée pour l’optimisation des amplificateurs de
réception « LNA » car ce gain ne dépend que de Γg)
Pa _ out
GA = = f ( Γg ;[ S ])
Pa _ gene
GA = GT pour ΓL = S22’*
2 2
(1 − Γg ) S 21
GA = 2 ' 2
1 − Γg S11 (1 − S 22 )
' S12 S 21Γg
S 22 = S 22 +
1 − S11Γg
70

Gain en « Puissance »:
C’est une grandeur calculable (très utilisée pour l’optimisation des amplificateurs
d’émission ou de puissance « PA » car ce gain ne dépend que de ΓL)
Pdel _ ch arg e
GP = = f ( Γg ;[ S ])
Pdel _ in
GP = GT pour Γg = S11’*
2 2
S 21 (1 − ΓL )
GP =
' 2 2
(1 − S 11 ) 1 − ΓL S 22
' S12 S 21ΓL

S = S11 +
11
1 − S 22 ΓL
71
Notions de cercles à Gain disponible constant
Γg < 1
GA = GT pour ΓL = S22’*
Zg [S] ZL_opt
L’ensemble des valeurs de Γg donnant un gain disponible « donné » décrit un cercle
72
Notions de cercles à Gain disponible constant
m7 m6
indep(m7)=51 indep(m6)=48
m7=0.882 / 140.914 m6=0.162 / 77.815
gain=10.953352 gain=6.953352
impedance = Z0 * (0.071 + j0.353) impedance = Z0 * (1.017 + j0.331)
m7 Γg < 1
m6
SmGamma1
GaCircle1
cir_pts (0.000 to 51.000) 73

Notions de cercles à Gain en Puissance constant
ΓL < 1
GP = GT pour Γg = S11’*
Zg_opt [S] ZL
L’ensemble des valeurs de ΓL donnant un gain en puissance « donné » décrit un cercle
74
m8 m5
indep(m8)= 51 indep(m5)= 36
m8=0.782 / 78.039 m5=0.034 / 177.057
gain=10.953352 gain=8.453352
impedance = Z0 * (0.302 + j1.188) impedance = Z0 * (0.935 + j0.003)
m8
ΓL < 1
SmGamma2
GpCircle1
m5
À 14.5 GHz: K>1, le

gain max peut être
obtenu à la valeur
de 10.95 dB.
cir_pts (0.000 to 51.000) 75


et cercles de stabilité
ΓL < 1
L_StabCircle1
GpCircle1
cir_pts (0.000 to 51.000)

Le même transistor à 8 GHz: K<1; le gain max ne peut être atteint…

76
Notions de Gain en Puissance Maximal (MAG)
Notons que lorsque k>1; le gain maximum peut être atteint

en plaçant des terminaisons particulières ΓGopt et ΓLopt
De plus le gain maximal disponible est égal au gain maximal en puissance
Gav_max = Gp_max = MAG
Dans ce cas, il y a simultanément transfert optimal de la puissance

du générateur vers l’entrée du quadripôle S11’ = ΓGopt* et transfert optimal
de la sortie du quadripôle vers la charge , S22’ = ΓLopt*
77
Notions de Gain en Puissance Maximal (MAG)
Pour k>1:
S 21 2
MAG = ( k − k − 1)
S12
78
Exercices
• Calculer le centre et le rayon des cercles à gain disponible constant

pour S12 = 0
• Calculons les expressions de ΓGopt et ΓLopt en fonction des Sij
79
III. Les amplificateurs microondes: Les transistors micro-ondes
Comment choisir le bon transistor?

• Lire dans le « data sheet », la gamme de fréquences d’utilisation et les
principales applications
Exemple:
80
• Calculer les fréquences caractéristiques en particulier ft.
ft est la fréquence de transition (gain=1 ou 0dB) du gain en courant de court-

circuit |H21|².
• Choisir un transistor dans le ft est au moins supérieur ou égal à 2 à 3 x Fampli

(c’est-à-dire au moins 6 à 10 dB pour le |H21|²).
• |H21|² peut être calculer à partir des paramètres Sij (trouvés dans les « data
sheet » ou dans les modèles CAO (ADS…)
81
82
83
A partir des paramètres S, on calcule 10log10(|H21|²) que l’on trace en fonction

du log de la fréquence, on en déduit ft à partir d’une extrapolation à -20 dB /dec
Exemple: ft=35 GHz, fampli < 17.5 GHz
25
20
dB(h(2,1))
15
10
ft=35 GHz
5
0
1E9 1E10 4E10
freq, Hz
84
Il faut vérifier si les caractéristiques statiques conviennent par rapport
au cahier des charges
85
86

Il faut vérifier le type de boîtier est compatible avec la technologie envisagée
87
III. Les amplificateurs microondes: Les circuits de polarisation
Quel est leur rôle ?

• Connecter le transistor à une source d’alimentation continue (généralement une
source de tension)
• Ne pas perturber le fonctionnement haute fréquence de l’amplificateur « ils doivent
être transparents en HF ».
88
Polarisation des transistors bipolaires: point de vue DC
I_DC V_DC R R
SRC2 SRC1 R1 R4
Idc=Ic Vdc=Vcc V R=R1 Ohm R=RC Ohm
I_DC
SRC3
BIP R BIP
Idc=Ib
BIP2 R2 BIP1
R=R2 Ohm
89
Polarisation des transistors à effet de champ: point de vue DC
Montage classique à 2 alimentations DC

V_DC
SRC2
Vdc=Vds V
V_DC
SRC1
Vdc=Vgs V
FET
FET1
Montage à 1 alimentation DC (auto polarisation)

Ids
Igs = 0 V_DC
SRC1
L Vdc=Vds V
L1
sp_fuj_FHX30X_19920501
Vgs SNP4
R
R1
Ids
Vgs = Rs Ids R=Rs Ohm
90
Source DC de tension est équivalent à un CC en HF
Peut on connecter directement ces

sources pour une application haute
fréquence?
Source DC de courant est équivalent à un CO en HF
Peut être réaliser avec un dispositif actif

ou une alimentation en tension en série avec une
résistance élevée.
91
VDD
Vgs IDS
IN (HF) OUT (HF)
On vient placer une impédance infinie

en // en BF mais en HF ?
On vient placer une impédance Rarement utilisée
nulle en // en HF. Impossible, il
faut intercaler un circuit
transformateur d’impédance 92
Montage Basse Fréquence jusque quelques MHz
I_AC
I_DC I_AC I_AC
I_AC
V_DC C R R
L
SRC1 C3 R1 R4
L1
Vdc=Vcc V C=Cbias uF R=R1 Ohm R=RC Ohm
L=Lchoc uH I_DC I_DC I_AC I_AC
R=
R
I_AC
C R5
I_AC I_AC+I_DC C2 R=RL Ohm
C=Cout pF
P_AC
PORT3 C
C1
I_AC
BIP R
I_AC
C=Cin pF R
I I BIP1 R3
R2 _DC _DC
R=R2 Ohm R=RE Ohm
I_AC I_AC
Courants à Minimiser au
Courants indispensables maximum
I_DC
au bon fonctionnement
93
Pont de base: son rôle est

d’injecter suffisamment
de courant DC de base, mais
R1//R2 doit rester suffisamment
élevé pour limiter le signal AC
V_DC C R R
L remontant vers l’alimentation
SRC1 C3 R1 R4
L1
L=Lchoc uH
R=
R
C R5
C2 R=RL Ohm
C=Cout pF
P_AC
PORT3 C
C1
C=Cin pF R BIP R
R2 BIP1 R3
R=R2 Ohm R=RE Ohm
Capacités de liaison: son action est double

• bloque le DC vers le générateur ou la charge
• limite la bande passante pour les basses fréquences (Passe Haut) 94
Self-Inductance de choc: son rôle est

de limiter le signal AC vers l’alimentation;
sa valeur doit être choisie en fonction de la
fréquence AC la plus basse.
V_DC C R R
L
SRC1 C3 R1 R4
L1
L=Lchoc uH
R=
R
C R5
C2 R=RL Ohm
C=Cout pF
P_AC
PORT3 C
C1
C=Cin pF R BIP R
R2 BIP1 R3
R=R2 Ohm R=RE Ohm
Capacité de découplage: son rôle est de drainer le courant AC vers la masse

afin qu’il ne remonte pas vers l’alimentation. sa valeur doit être choisie en
fonction de la fréquence AC la plus basse. 95
C
L1
L
C1
La polarisation en HF ?
• il faut garder les mêmes concepts qu’en BF mais la technologie diffère.
• les éléments utilisés (inductances, capacités, résistances, lignes …) ne sont pas
ultra large bande, leur influence est souvent perturbante dans certaines zones du
spectre.
96
C1
C
L1
L
C1
C
C1
La polarisation en HF ? C’est une association d ’éléments inductifs séries et

capacitifs // dont l’action est limitée à une gamme de fréquences restreinte.
• les technologies employées sont multiples: elles correspondent aux fréquences de
fonctionnement.
• lignes haute impédance pour réaliser une inductance série
• « stub » basse impédance pour réaliser une capacité //
• lignes couplées pour réaliser une capacité série
97
Stub basse impédance (YB , LB)

V_DC
SRC1
Vdc=Vgs V MRSTUB
Stub1
MLIN ligne haute impédance (YH , LH)

TL1
Générateur 50 Ω
P_AC
PORT2 C
C1
sp_fuj_FHX30X_19920501
SNP1
Capacité de liaison
YG vue par le
transistor
Calculons YG quand LB = LH =λg/4?
98
III. Les amplificateurs microondes: La démarche générale
Cahier des Charges (type d’amplificateur,
fréquence de fonctionnement, gain, TOS etc…)
Choix du transistor
1.3
1.2
StabFact1
L_StabCircle1
GpCircle1
1.1
m1
1.0 freq= 5.100GHz
m1 m1=0.906
0.9
0 2 4 6 8 10 12 14 16 18 20
freq, GHz
cir_pts (0.000 to 51.000)
C1
C
Optimisation
C
L1
L
C1
C
C1
Synthèse des circuits de polarisation,

d’adaptation voire de stabilisation 99
III. Les amplificateurs microondes: La démarche générale cas d’um
ampli faible bande autour de fo entre f1 et f2
100
III. Les oscillateurs micro-ondes: leur rôle
Info
Osc Osc
Les sources micro-ondes permettent de transposer le signal en haute fréquence.

Elles jouent le rôle de « chef d’orchestre » pour le système d’émission / réception
La qualité de récupération des informations (taux d’erreur) dépend fortement des
caractéristiques des sources HF.
Ces caractéristiques sont:
• la pureté spectrale (bruit, taux d’harmoniques)
• la puissance émise
• sa stabilité en amplitude et en fréquence
101
III. Les oscillateurs micro-ondes: les principes, condition d’oscillation
102
III. Les oscillateurs micro-ondes: les principaux types de sources micro-
ondes
• Les oscillateurs à fréquence fixe (la stabilité dépend du type de résonateur)

Généralement il s’agit d’oscillateur micro-onde de référence
• Les VCO (Voltage Controled Oscillator)

Ils font généralement partis d’un système bouclé (PLL)
Générateur micro-onde (« Sweeper »)
• Les synthétiseurs de fréquence
103
R R
L
Ractif C Rcharge
Lresonateur
Cresonateur
Diode
d
C L
Cactif Lcharge
Il faut:
• un dispositif actif (diode, transistor, amplificateur…) pour générer de la puissance
(effet de résistance négative)
• un dispositif passif résonant (quartz, bobine/capacité, cavité…) pour fixer la
fréquence
• il faut tenir compte de la charge
104
R R
L
R a c tif C R c harg e
L r e s o n a te u r
C r e s o n a te u r
D io d e
d
C L
C a c tif Lcha rg e
Pulsation d’oscillation (A démontrer):

1
ωo =
Cactif Creso
( ) ( Lreso + Lch arg e )
Cactif + Creso
Les principaux coefficients de qualité:
1
Qactif =
Ractif Cactif ω o
( Lreso + Lch arg e )ω o Cresoω o
Qext = Qext =
Rch arg e Gch arg e 105
R R
L
R a c tif C R c harg e
L r e s o n a te u r
C r e s o n a te u r
D io d e
d
C L
C a c tif Lcha rg e
-Ractif R1
Xactif X1
Γ1 Γactif
106
Z1 Zactif
Condition d’Oscillation dans le formalisme courant - tension
Ce système bouclé délivre une oscillation

i(ω) à ωo si:
-Ractif R1
[Z actif ]
( A,ω o ) + Z1 (ω o ) i (ω o ) = 0
Xactif X1
R1 (ω o ) = Ractif ( A, ω o )
X 1 (ω o ) = − X actif ( A, ω o )
avec i (ω o ) = TF ( A sin(ω ot ))
Γ1 Γactif
Z1 Zactif
Zactif + Z1 = 0
107
Condition d’Oscillation dans le formalisme d’ondes

a1
bg
b1
Avec le formalisme des paramètres [S]:
2 2 bg
i(ω) a1 = bg + bg Γ1Γactif + bg Γ1 Γactif + ... =
-Ractif R1 1 − Γ1Γactif
b1
bg = a1 (1 − Γ1Γactif ) = (1 − Γ1Γactif )
Γ1
b1 Γ1
=
Xactif X1 bg (1 − Γ1Γactif )
Ce système se comportera comme un oscillateur
s’il génère de la puissance même en absence de
Γactif la puissance d’un générateur bg = 0
Γ1
Z1 Zactif donc bg = 0 ⇒ Γ1 Γactif = 1
Montrer que cette condition est équivalente à Z1 + Zactif = 0

108
Condition d’Oscillation dans le formalisme d’ondes

a1
bg
b1
i(ω) Γ1 Γactif = 1
-Ractif R1
Γ1 < 1 car c’est un dipôle passif
Xactif X1 donc
Γactif > 1 (le dipôle actif délivre de la puissance)

Γ1 Γactif
Z1 Zactif
109
La condition d’oscillation est une notion valable en régime établi

Régime transitoire
[Z actif ]
( A,ω o ) + Z1 (ω o ) i (ω o ) = 0
R1 (ω o ) = Ractif ( A, ω o )
X 1 (ω o ) = − X actif ( A, ω o )
avec i (ω o ) = TF ( A sin(ω ot ))
L’impédance du dipôle actif Zactif dépend de l’amplitude (non linéaire)
|Zactif|
110
t
La condition d’oscillation est une notion valable en régime établi

Régime transitoire
|Zactif|
t
Il est conseillé de choisir Γactif de manière à obtenir:
Γactif ≥ 1.2
donc
Γ1 ≤ 0.8 111
Condition d’oscillation stable

bg
b1
∂ ( X 1 + X actif )
i(ω) >0
-Ractif R1 ∂ω
Lieu d’impédance
lorsque la pulsation
Xactif X1 croit
Γ1 Γactif
Z1 Zactif
112
Comment réaliser un dipôle à

« résistance négative »?
Il faut déstabiliser un composant actif (transistor par exemple)
Utilisation de contre réaction négative…
A partir du schéma équivalent de base

d’un FET calculer l’impédance d’entrée
de ce montage
FET
FET1
C R
C1 R1
C=Cs R=RL Ohm
113
III. Les oscillateurs micro-ondes: quelques exemples
114
III. Les oscillateurs micro-ondes: quelques exemples
115

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Master Microélectronique, Microtechnologies et Télécommunications

Compléments de Micro-ondes: Les fonctions actives

Gilles DAMBRINE (Cours, TP)

Cours (mardi 8-10h) TD (jeudi 10h15-12h15) TP

15h 15h 20h

Principales caractéristiques d’une ligne de propagation

Notions et principes caractérisant un quadripôle actif (concepts

Impédance ou facteur de réflexion ramené à l’entrée ou en sortie d’un

Base de la conception d’un oscillateur hyperfréquence.

Base de conception des oscillateurs par l’approche des paramètres S.

Stages et travaux pratiques :

Initiation à la CAO hyperfréquence : l’amplificateur faible bande à un

Concepts, outils de base

Lignes de Transmission: Les bases

• Modèle des télégraphistes

V = V0+ . e −γx + V0− . eγx = V +

• Ligne sans pertes

Pour les substrats usuels

• Matrice [Z] & [Y] d’une ligne (Zc, γ) de longueur L

• Calculons l’admittance vue à l’entrée d’une ligne (Yc, γ)

• Calculons l’admittance vue à l’entrée d’une ligne (Yc, γ)

Z in ≈ jZ c tg ( βl ) ∝ jLΩ Généralement l < λg/4

Longueur = λg/4; Zin = infinie

Une ligne quart d’onde idéale est un inverseur d ’admittance idéal

un tronçon de ligne λg/4

Problèmes liés à la mesure des paramètres H, Z ou Y

⎡ I1 ⎤ ⎡Y11 Y12 ⎤ ⎡V1 ⎤

Les notions de courant et tension

• Ondes incidentes / réfléchies b1 a2

• Matrice S ⎡ b1 ⎤ ⎡ S11 S12 ⎤ ⎡ a1 ⎤

2 Puissance réfléchie à l' entrée d' un dispositif

2 Puissance réfléchie à la sortie d' un dispositif

2 Puissance reçue par une charge d' impédance Z 0

Les paramètres S mesurés ou calculés dans

Mesures des paramètres S: Analogie

Mesures des paramètres S: principe

Incident DUT Transmise

Abaque de Smith: Principe .

Rectilinear impedance -90 o

Z-type Smith Chart

Power Transfer Basics

z measured voltage and current not dependent on position along wire

z need transmission lines for efficient power transmission

z matching to characteristic impedance (Z0) is very important for low

reflection and maximum power transfer

Transmission Line Terminated with Zo

For reflection, a transmission line terminated in Zo behaves

Transmission Line Terminated with

In phase (0 o ) for open

For reflection, a transmission line terminated in a short or

Transmission Line Terminated with 25 Ω

Standing wave pattern does not go to

Return loss = -20 log(ρ), ρ = Γ Voltage Standing Wave Ratio

No reflection Full reflection

Power Transfer Efficiency

Synthèse des réseaux d’adaptation

Zin ou Yin Zout ou Yout

Synthèse des réseaux d’adaptation

freq (5.000GHz to 5.000GHz)

freq (5.000GHz to 5.000GHz)

Synthèse des réseaux d’adaptation

freq (5.000GHz to 5.000GHz)

freq (5.000GHz to 5.000GHz)