CH II : JONCTION PN

1. Définition

La jonction PN est créée par la mise en contact d'un semiconducteur de type P et d'un
semiconducteur de type N. C'est la surface de séparation entre ces deux régions.

P N

Fig. 1 Jonction PN

2. Fonctionnement

Considérons un cristal de silicium :

• de type P d'un côté d'une frontière,
• de type N de l'autre côté.
Dans le semiconducteur de type P, les trous sont majoritaires par dopage et il existe aussi des
électrons libres minoritaires dus à la thermo-génération. De même dans le semiconducteur de type N,
les électrons libres sont majoritaires par dopage mais il existe des trous minoritaires dus à la thermo-
génération.

trou
- - - - + + + +
électron libre électron
minoritaire libre
- - - - + + + +
trou
minoritaire
- - - - + + + +

ion ion de
- - - - + + + +
d'accepteur donneur
Fig. 2 Coupe transversale d'une jonction PN

Le fonctionnement peut se décomposer en trois phases :

• établissement d'une tension de diffusion,
• établissement d'un courant de diffusion,
• établissement d'un courant de saturation.

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 2-1 Tension de diffusion

Il apparaît deux phénomènes :

o un phénomène de diffusion
Il est dû à la différence de concentration de trous et d'électrons de chaque côté. Les électrons de la
région N diffusent dans la région P tandis que les trous de la région P diffusent dans la région N.
o un phénomène de recombinaison
C'est le phénomène inverse de la génération. Les porteurs mobiles de charges opposées se
neutralisent dans une petite zone dite de transition (ZT) ou de charge d'espace (ZCE), qui s'étend de
part et d'autre de la jonction de largeur d0. Ces porteurs forment ainsi des liaisons covalentes.
Dans la zone de transition, il n' y a plus que des atomes de silicium neutres et des ions fixes :
positifs du côté N provenant des atomes donneurs,
négatifs du côté P provenant des atomes accepteurs.
d0

- - - - + + + +

- - - - + + + +
E

- - - - + + + +

- - - - + + + +

zone neutre ZCE zone neutre

Fig. 3 Champ électrique

Ces deux charges égales et opposées engendrent un champ électrique E dirigé de N vers P, qui
s'oppose au phénomène de diffusion qui l'a créé.
Ce champ entraîne l'existence d'une différence de potentiel U0 dite tension de diffusion ou tension
seuil ou barrière de potentiel entre les frontières de la ZT (U0 ≈ 0,7V).

2-2 Courant de diffusion

Les électrons libres de la région N qui pénètrent dans la ZCE sont soumis à une force électrostatique
répulsive dirigée de P vers N :
ils sont presque tous repoussés dans la région N,
quelques uns ayant acquis une énergie plus grande passent dans la région P malgré la force
répulsive.
Les trous de la région P ont un comportement semblable si bien que la jonction est traversée par un
double déplacement d'ensemble de porteurs majoritaires. Le courant qui en résulte est dit de
diffusion, noté ID et dirigé de P vers N.

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 P ID N

Fig. 4 Sens du courant de diffusion

2-3 Courant de saturation

Les porteurs minoritaires qui abordent la ZT sont précipités par le champ E dans l'autre région. Il en
résulte un courant IS dit de saturation dirigé de N vers P.

P IS N

Fig. 5 Sens du courant de saturation

Remarque :
• Comme le courant est nul à l'extérieur du cristal, il en est de même du courant à travers la
jonction : ID = IS.
On dit que la jonction est en équilibre ou en circuit ouvert.
• À l'équilibre, on a les expressions suivantes :

kT NA ND 2ε0 εr U0 1 1 U0
U0 = ln d0 = ( + ) E=
q n2i q NA ND d0

Avec k = 1,3810-23
J/K, la constante de Boltzmann
q = 1,6 10-19 C, la charge élémentaire
T(K), la température du semiconducteur en Kelvin
NA(m-3), la concentration en atomes accepteurs
ND(m-3), la concentration en atomes donneurs
ni, la concentration intrinsèque
ε0 = 8,85 10-14 F/m, la permittivité du vide
εr = 12, la permittivité relative du silicium

3. Polarisation
3-1 Polarisation directe

Dans cette polarisation, une tension UPN positive est appliquée à la structure.
Il y a alors diminution du champ dans la ZT et les porteurs majoritaires capables de franchir la jonction
sont plus nombreux. Le courant de diffusion ID devient alors très grand devant le courant de saturation
IS si bien que le courant dans le circuit dit direct et noté Id est tel que :

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 Id = ID - IS ≈ ID
Une jonction PN polarisée en direct est conductrice. Le courant Id circule de P vers N, sens dit
passant.

3-2 Polarisation inverse

Dans cette polarisation, la tension UPN appliquée à la structure est négative.

Il y a alors augmentation du champ dans la ZT et il n'y a plus de porteurs majoritaires capables de
franchir la jonction. Le courant de diffusion devient négligeable si bien que le courant dans le circuit Ii
dit inverse est tel que :
Ii = IS - ID ≈ IS
Le courant de saturation IS est dû aux porteurs minoritaires et est donc toujours très faible. En
définitive, la jonction PN polarisée en inverse est dite bloquée.

4. Claquage

Le claquage d'une jonction est l'augmentation brusque et incontrôlable du courant inverse Ii

provoquée par le champ électrique ou par la température. On distingue :
• le claquage par avalanche,
• et le claquage par effet zener

4-1 Claquage par avalanche

En polarisation inverse, une tension appliquée trop importante une augmentation du champ électrique
dans la jonction. Ceci conduit à l'accélération des électrons - trous de la thermo-génération et à
l'augmentation de leur énergie cinétique.
Il y alors création d'autres électrons - trous par chocs et augmentation de leur énergie cinétique à leur
tour. Ce phénomène devient incontrôlable comme un phénomène d'avalanche lorsque la tension
inverse atteint une valeur critique appelée tension de claquage notée UBR.

4-2 Claquage par effet zener

Dans le cas d'une jonction fortement dopée P et fortement dopée N, la ZCE est très étroite (500 Å) et
le champ électrique très intense (106 V/cm). En polarisation inverse, le champ électrique de la ZCE
est suffisamment intense pour arracher un électron de liaison pour le transformer en électron de
conduction. De plus, il se produit l'effet tunnel, passage d'un électron de valence du côté P vers le
côté N sans franchir la barrière de potentiel. Le courant inverse devient donc important et il est
incontrôlable lorsque la tension inverse atteint un seuil appelé tension Zener (VZ).

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 TRAVAUX DIRIGES I

EXERCICE I

Définir les termes suivants :

1. Couche périphérique.
2. Semiconducteur.
3. Génération.
4. Recombinaison.

EXERCICE II

Répondre aux questions suivantes :

1. Donner la définition de la jonction PN.
2. Rappeler le signe des porteurs de charges mobiles majoritaires dans les régions N et P.
3. En déduire le signe des ions fixes qui assurent la neutralité dans chacune des zones et les
représenter sur schéma.
4. Quelle est l'origine de ces ions?
5. Indiquer la nature des porteurs de charges mobiles minoritaires dans les régions N et P, et
rappeler leur origine.
6. Représenter la force électrostatique s'exerçant sur un porteur majoritaire issu de la région N et
pénétrant dans la zone de transition.

EXERCICE III

Soit une jonction PN à l'équilibre thermodynamique et caractérisée par les données suivantes :
KT
la tension thermique uT = =25,9 mV à T=300K ; NA = 1024m-3 ; U0 = 0,7V; ni = 1016m-3.
q
1. Calculer la concentration en atomes donneurs ND.
2. Déduire la largeur de la ZCE.
3. Calculer le champ à l'intérieur de celle-ci.

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