NANOFABRICATION ‐3

NANOFABRICATION 3
NOVEL PROCESSES

EEE5425 Introduction to Nanotechnology 1
 Focused Ion Beam

A focused ion beam system (FIB) is a relatively new tool that has a high degree of analogy 
with a focused electron beam system such as a scanning electron microscope or a 
transmission electron microscope. In these systems the electron beam is directed towards the 
sample, and upon interaction it generates signals that are used to create high magnification 
images of the sample. The major difference with a focused ion beam system is the use of a
images of the sample. The major difference with a focused ion beam system is the use of a 
different particle to create the primary beam that interacts with the sample. As the name 
FIB indicates, ions are used instead of electrons.
© Nezih Pala  npala@fiu.edu                                       EEE5425 Introduction to Nanotechnology 2
 Focused Ion Beam ‐2

Ions are positive, large, heavy and slow whereas 
electrons are negative, small, light and fast.
The most important consequence of the 
p q
properties listed above is that ion beams will 
remove atoms from the substrate and because 
the beam position, dwell time and size are so 
well controlled it can be applied to remove 
ll t ll d it b li d t
material locally in a highly controlled manner, 
down to the nanometer scale.

The choice of Ga+ ions
h h f
As a source, Ga+ ions are used in a FIB for various 
reasons:
Low melting temperature and hence it is a very convenient material to construct a compact 
•Low melting temperature and hence it is a very convenient material to construct a compact
gun with limited heating.
•A high brightness is obtained due to the surface potential, the flow properties of the Ga, 
the sharpness of the tip
Th l t G is nicely positioned in the center of the periodic table (element number 
•The element Ga i i l iti d i th t f th i di t bl ( l t b
31) and its momentum transfer capability is optimal
© Nezih Pala  npala@fiu.edu                                       EEE5425 Introduction to Nanotechnology 3
 Focused Ion Beam ‐4

© Nezih Pala  npala@fiu.edu                                       EEE5425 Introduction to Nanotechnology 4
 Focused Ion Beam ‐5

SSE image made with ion beam of
i d i hi b f
catalyst covered ceramic balls. The use of  Ion beam deposited tungsten nano‐wires 
FIB allows any individual particle to be 
for direct electrical measurements (4 point 
selected and analyzed for industrial 
quality control. In this case the FIB has 
li l I hi h FIB h probe) of nano structures, in this case a 
probe) of nano structures in this case a
machined a TEM sample of the top  carbon nanotube.
surface. Time to result: 60 minutes.

© Nezih Pala  npala@fiu.edu                                       EEE5425 Introduction to Nanotechnology 5
 Vapor‐Liquid‐Solid Method ‐1
The vapor‐liquid‐solid method (VLS) is a 
mechanism for the growth of one‐dimensional 
structures, such as nanowires, from chemical vapor 
deposition Growth of a crystal through direct
deposition. Growth of a crystal through direct 
adsorption of a gas phase on to a solid surface is 
generally very slow. The VLS mechanism 
circumvents this by introducing a catalytic liquid 
alloy phase which can rapidly adsorb a vapor to 
supersaturation levels, and from which crystal 
growth can subsequently occur from nucleated 
seeds at the liquid‐solid
seeds at the liquid solid interface. The physical 
interface. The physical
characteristics of nanowires grown in this manner 
depend, in a controllable way, upon the size and 
physical properties of the liquid alloy.

The VLS mechanism was proposed in 1964 as an explanation for silicon whisker growth from 
the gas phase in the presence of a liquid gold droplet placed upon a silicon substrate. The 
p y (
explanation was motivated by the absence of axial screw dislocations in the whiskers (which 
in themselves are a growth mechanism), the requirement of the gold droplet for growth, and 
the presence of the droplet at the tip of the whisker during the entire growth process.
© Nezih Pala  npala@fiu.edu                                       EEE5425 Introduction to Nanotechnology 6
 Vapor‐Liquid‐Solid Method ‐2

The VLS mechanism is typically described in three 
stages:

1. Preparation of a liquid alloy droplet upon the 
substrate from which a wire is to be grown 

2 IIntroduction of the substance to be grown as a 
2. t d ti f th bt t b
vapor, which adsorbs on to the liquid surface, and 
diffuses in to the droplet 

3. Supersaturation and nucleation at the liquid/solid 
interface leading to axial crystal growth 

© Nezih Pala  npala@fiu.edu                                       EEE5425 Introduction to Nanotechnology 7
 Vapor‐Liquid‐Solid Method ‐3
The VLS process takes place as follows:
1.  A thin (~1‐10 nm) Au film is deposited onto a 
silicon (Si) wafer substrate by sputter deposition or 
th
thermal evaporation. 
l ti

2. The wafer is annealed at temperatures higher 
than the Au‐Si eutectic point, creating Au‐Si alloy 
droplets on the wafer surface (the thicker the Au 
film, the larger the droplets). Mixing Au with Si 
greatly reduces the melting temperature of the 
alloy as compared to the alloy constituents The
alloy as compared to the alloy constituents. The 
melting temperature of the Au:Si alloy reaches a 
minimum (~363 °C) when the ratio of its 
constituents is 4:1 Au:Si, also known as the Au:Si
eutectic point. 

3. Lithography techniques can also be used to controllably manipulate the diameter and 
position of the droplets (and as you will see below, the resultant nanowires). 
p p ( y , )

© Nezih Pala  npala@fiu.edu                                       EEE5425 Introduction to Nanotechnology 8
 Vapor‐Liquid‐Solid Method ‐4
4. One‐dimensional crystalline nanowires are then grown by a liquid metal‐alloy droplet‐
catalyzed chemical or physical vapor deposition process, which takes place in a vacuum 
deposition system. Au‐Si droplets on the surface of the substrate act to lower the activation 
energy of normal vapor‐solid
energy of normal vapor solid growth. For example, Si can be deposited by means of a SiCl
growth For example Si can be deposited by means of a SiCl4:H2
gaseous mixture reaction (chemical vapor deposition), only at temperatures above 800 °C, in 
normal vapor‐solid growth. Moreover, below this temperature almost no Si is deposited on 
the growth surface. 
However, Au particles can form Au‐Si eutectic 
droplets at temperatures above 363 °C and 
adsorb Si from the vapor state (due to the fact 
that Au can form a solid‐solution
that Au can form a solid solution with all Si 
with all Si
concentrations up to 100%) until reaching a 
supersaturated state of Si in Au. Furthermore, 
nanosized Au‐Si droplets have much lower 
melting points (ref) due to the fact that the 
li i ( f) d h f h h
surface area‐to‐volume ratio is increasing, 
becoming energetically unfavorable, and 
nanometer‐sized particles act to minimize their 
p
surface energy by forming droplets (spheres or 
half‐spheres). 
© Nezih Pala  npala@fiu.edu                                       EEE5425 Introduction to Nanotechnology 9
 Vapor‐Liquid‐Solid Method ‐5

5. Si has a much higher melting point (~1414 
°C) than that of the eutectic alloy, therefore Si 
atoms precipitate out of the supersaturated 
p p p
liquid‐alloy droplet at the liquid‐alloy/solid‐Si 
interface, and the droplet rises from the 
surface. This process is illustrated in the figure.

© Nezih Pala  npala@fiu.edu                                       EEE5425 Introduction to Nanotechnology 10
 Oblique Angle Deposition ‐1

Oblique angle deposition technique (also know as 
glancing angle deposition) has attracted the 
interest of many researchers due to its ability to
interest of many researchers due to its ability to 
generate nanostructures relatively easily. Oblique 
angle growth, as illustrated in the figure, basically 
combines a typical deposition system with a tilted 
and rotating substrate. Due to the shadowing 
effect, the incident flux of material that comes to 
the surface with an oblique angle is preferentially 
deposited on to the top of surface features with
deposited on to the top of surface features with 
larger values in height. This referential growth 
dynamic gives rise to the formation of isolated 
columnar structures.

© Nezih Pala  npala@fiu.edu                                       EEE5425 Introduction to Nanotechnology 11
 Oblique Angle Deposition ‐2

From T. Karabacak, 
U Arkansas Little
U Arkansas, Little 
Rock

© Nezih Pala  npala@fiu.edu                                       EEE5425 Introduction to Nanotechnology 12
 Oblique Angle Deposition ‐3

•Simple, cheap, & effective: 3D nanostructures through physical self‐assembly
• Structures that are not possible to produce by lithographical techniques (e.g. springs, 
p p y g p q ( g p g,
slanted rods, balls)
• Almost no materials limit
• Can be grown on almost any substrate material
• Control of nanostructure size and separation (tens hundreds of nm)
• Control of nanostructure size and separation (tens– hundreds of nm)
• Novel material properties

© Nezih Pala  npala@fiu.edu                                       EEE5425 Introduction to Nanotechnology 13
 Oblique Angle Deposition ‐4

From T. Karabacak, U Arkansas, Little Rock
© Nezih Pala  npala@fiu.edu                                       EEE5425 Introduction to Nanotechnology 14