R appel : N otions de bases des Sem i-C onducteurs

1. D ans un sem i-conducteur intrinsèque :

La densité d’électrons dans la bande de conduction est :

La densité des trous dans la bande de valence est :

où nc et nv sont les densités effectives des états de bande de conduction et des états de bande
de valence, respectivement.
Cette grandeur, dépendante de l'énergie électronique E, correspond à la place disponible pour
les électrons dans la bande de conduction Nc(E) et à la place disponible pour les trous dans
la bande de valence Nv(E).
Pour le silicium cristallin, à 300°K :
Nc ≈ 3. 1019 cm-3 et Nv ≈ 2 . 1019 cm-3
kB la constante de Boltzmann : 1,38 . 10-23 m2 .kg.s-2.K-1

La densité des porteurs intrinsèques :

Le niveau de Fermi dans ce cas se déduit de l’équation n = p :

Au final, le niveau de Fermi (pour un semi-conducteur intrinsèque) en fonction de la

température est donné par :
Ou
EF est le niveau de Fermi définit comme étant le niveau d'énergie, apparent dans la bande
interdite, à partir duquel les porteurs majoritaires (électrons de type n et trous de type p)
sont excités pour devenir des porteurs de charge, positionné approximativement au milieu
de la bande interdite.
Le niveau de Fermi en fait en étant le niveau d'énergie maximale qu'un électron peut
atteindre, il détermine si les électrons peuvent être ou non dans la bande de conduction. Car
si le niveau de Fermi est situé dans la bande interdite ou la bande de valence, les électrons
ne pourront pas atteindre la bande de conduction… Ainsi le niveau de Fermi permet de
déterminer la nature du matériau entre conducteur et isolant.

Les semi-conducteurs sont un cas particulier, que le niveau de Fermi permet de voir. Pour
certains matériaux, le niveau de Fermi est dans la bande interdite à 0K. Cependant, le niveau
de Fermi est fonction de la température par définition et augmente avec celle-ci. Ce qui fait
qu'à température normal comme 20°C, le niveau de Fermi atteint la bande de conduction
qui rend le système conducteur. Au final un semi-conducteur est isolant à basse température
et devient peu à peu conducteur avec l'augmentation de température (bien que la conduction
ne soit pas aussi forte qu'un métal à température ambiante, il reste en partie isolant malgré
tout).

L'égalisation du niveau de Fermi à une jonction PN vient tout simplement du fait que la
discontinuité en physique n'est pas quelque chose de très naturel, en approchant les deux
matériaux ils vont créer un équilibre physique et chimique qui implique l'égalisation du
niveau de Fermi (ce qui s'explique par la définition du niveau de Fermi, l'équation tenant
compte de la température et du potentiel chimique du matériau ce qui s'égalise forcément
dans un tel cas…).

2. D ans un sem i-conducteur extrinsèque :

La présence d'impuretés dans le réseau cristallin change d'une manière considérable les
propriétés électrique du semi-conducteur.
a. D ans un sem i-conducteur de type N
Dans un semi-conducteur de type n, la densité en donneur (Nd) est supérieure à la densité
d'accepteurs (Na), et la densité d'électrons (n) et supérieure à la densité de trous (p).
L’équation de neutralité donne :

Le nouveau niveau de Fermi après dopage sera donné par l’expression :

 b. D ans un sem i-conducteur de type P
Dans un semi-conducteur de type n, la densité en accepteur (Na) est supérieure à la densité
en donneurs (Nd), et la densité de trous (p) et supérieure à la densité d’électrons (n).

De façon analogue :

Le nouveau niveau de Fermi après dopage sera donné par l’expression :

3. La jonction P N au repos :
Au repos, la jonction n’est soumise à une tension extérieure. Un courant de diffusion
s’établit à travers les régions P et N, ainsi qu'un courant de dérive.
Quand on place un SC dopé P à côté d'un SC dopé N, des échanges de porteurs de charges
vont avoir lieu. Des courants de diffusion vont alors naitre, avec un courant d’électrons libre
d'un côté, et un courant de trous de l'autre. Les électrons de la région N vont diffuser dans
la région P et y se recombiner avec les trous présents.

Même chose pour les trous de la région P, qui vont diffuser dans la région N et s'y recombiner
avec les électrons autochtones. Le bord de la région P va ainsi voir ses trous disparaitre
progressivement, alors que celui de la région N s'appauvrit en électrons. Si les régions P et
N étaient intégralement neutre électriquement, ce qui n'est plus le cas après diffusion des
porteurs de charges. La région N perd des électrons et devient donc positive, alors que la
disparition des trous donne une charge négative à la région P. Il va rester une zone sans
trous ou électrons, intercalée entre les régions P et N "normales", non-chargées. Cette zone
de déplétion est composée d'une zone chargée positivement collée à une zone de charge
négative.

Ainsi qu'à proximité de la jonction les électrons de conduction excédentaires côté N passent
côté P pour se recombiner avec des trous. Ainsi, une charge d'espace statique négative se
crée coté P et une charge d'espace statique positive se crée coté N. Le lieu ou réside cette
charge d'espace est appelé zone de charge d'espace ou zone de déplétion.

Les charges présentes dans la zone de déplétion vont entrainer l'apparition d’un champ
électrique intense et d'une tension entre les régions N et P. Les électrons et trous auront du
mal à passer cette barrière de tension.
À l'équilibre, les courants d'électrons et de trous vont se compenser parfaitement, donnant
un équilibre stable. Il existe alors une légère tension existe donc aux bornes de la zone de
déplétion. Nous appellerons celle-ci tension de déplétion (purement interne à la jonction PN
et ne se retrouve pas à ses bornes). La tension aux bornes d'une jonction PN au repos est
nulle, même si la tension de déplétion ne l'est pas.
En raison de la présence, dans cette zone, d'un champ électrique intense, la densité de
porteurs libres dans cette région est négligeable. En outre les frontières entre la zone
dépeuplée et les zones neutres de la jonction sont très abruptes.

La mise en contact des deux SC N&P provoque la constitution d’une barrière de potentiel
pour les trous et les électrons. En effet, la double couche de charges négatives coté P et
positives coté N, crée un champ électrique dirigé de N vers P qui empêche la diffusion et
maintient la séparation des trous coté P et des électrons coté N.
Par ailleurs à cause de cette double couche, le potentiel électrostatique varie brusquement
dans la zone de la jonction et la d.d.p. Vd, appelée tension de diffusion, atteint des valeurs
non négligeables (ex : 0,7V pour le Silicium, 0,3V pour le Germanium).

N .B : Cependant si l'on connecte un multimètre entre les deux extrémités du cristal il

indiquera 0, car cet instrument de mesure est sensible à une d.d.p. électrochimique et non
pas à une d.d.p. électrostatique seule. En effet, le potentiel électrochimique est constant dans
tout le cristal y compris dans la zone de charge d'espace car ce potentiel prend en compte
non seulement le potentiel électrostatique mais aussi le gradient de concentration des
porteurs qui compense exactement l'effet de ce dernier.
 4. P olarisation de la jonction :
La caractéristique d'une jonction PN peut se mettre en équations, l'équation obtenue étant appelée
l'équation de Shockley. Elle est déduite de la théorie des semi-conducteurs, appliquée aux jonctions
PN :

U est la tension aux bornes de la diode ;

Ut est la tension thermique

Is est un paramètre dépendant de la diode, appelé courant de saturation.

On peut aussi réécrire cette équation pour obtenir la tension aux bornes de la diode :

L'équation de Schokley donne la caractéristique I-U d'une diode, d'une jonction PN idéale.

On distingue deux régimes de fonctionnement sur cette courbe : le régime direct pour des courants
positifs, le régime inverse pour les courants négatifs.

a. R égim e inverse
Pour des courants négatifs, les diodes ne laissent pas vraiment passer le courant, elles se comportent
comme des circuits ouverts. Néanmoins, elles laissent malgré tout passer un courant de saturation il
ne fait que quelques nano-ampères et peut être négligé).

I ≈ - Is
P ar conséquent, on peut considérer en régim e inverse que la diode est totalem ent
bloquée et ne laisse passer aucun courant.
Cependant, pour de forte polarisation inverse on augmente de ce fait le champ électrique à l'intérieur
de la jonction. Car en-deçà d'une tension appelée la tension de claquage, la diode cède et finit par
laisser passer le courant. Elle fonctionne alors dans le régime de claquage.

Or, il existe une valeur limite à ce champ électrique. En effet, lorsque le champ électrique
augmente, la force électrique qui s'exerce sur les électrons liés au réseau cristallin s'accroît
et devient supérieure à la force de liaison des électrons de valence sur les noyaux. Ces électrons sont
ainsi libérés, le cristal devient alors conducteur et la tension de polarisation inverse. Ceci signifie que
le champ électrique maximum que l'on peut établir dans un cristal semi-conducteur est celui qui
provoque l'excitation directe d'un électron de la bande de valence à la bande de conduction, c'est à
dire l'ionisation du matériau.
Le phénomène de claquage survient quand le champ électrique élevé génère des paires électron-trou.
Les électrons associés à ces paires sont émis à travers la zone de déplétion, de la bande de valence
vers la bande de conduction, sans m odification d'énergie , d'où le terme d'effet tunnel.
Les diodes normales ne survivent généralement pas à ce régime, qui les endommage assez rapidement.
Mais certaines diodes, appelées diodes Zener, sont conçues pour fonctionner sans problèmes au-delà
de la tension de claquage car elles sont fortement dopées.

b. R égim e direct :
Étudions maintenant le régime direct. Pour cela, partons de l'équation de Schokley, écrite ainsi :

Pour le régime direct, une approximation possible est de regarder ce qui se passe quand le courant
est important. Dans ce cas, le courant est largement supérieur au courant de saturation : I(U)>>Is.
Le courant est exprimé par :

La tension peut être exprimée par :

Pour les courants positifs, la diode laisse passer le courant comme tout conducteur, avec cependant
une résistance qui diminue exponentiellement avec le courant.
En polarisation continue directe (V>0) et dans le cadre de l'injection faible, le courant total
traversant la jonction est une fonction exponentielle de la tension de polarisation V.
Cependant, lorsque la polarisation directe devient importante, la barrière de potentielle constituée
par la zone de déplétion devient faible et ainsi la résistance propre de la jonction devient négligeable
devant la résistance ohmique R des deux semi-conducteurs N et P.