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Université Chouaib Doukkali Année Universitaire : 2019/2020

Faculté des sciences Filière : SMP4


Département de Physique Module : Electronique de base

Correction de la Série 3

Exercice 1 : Semi-conducteur intrinsèque


On considère un semi-conducteur intrinsèque dont les densités équivalentes d’états énergétiques
dans la bande de conduction et dans la bande de valence sont notées respectivement NC et NV.
1. Rappelez les expressions de la densité d’électron n dans la bande de conduction et la densité
de trous p dans la bande de valence.
2. En déduire l’expression de la densité intrinsèque ni et la position du niveau de Fermi intrinsèque EFi
3. Le semi-conducteur considéré est du silicium de largeur de bande interdite (ou gap) Eg = 1,11eV et
pour lequel NC = 2,71019cm −3 et NV = 1,11019cm −3
En supposant que Eg, NC et NV ne varient pas avec la température ; calculez sa densité intrinsèque et
la position du niveau de Fermi à 27°C, 127°C et 227°C puis conclure.
On donne k= 1.3810-23J/K et kT = 26 meV à 300°K.
On prendra comme référence énergétique, le haut de la bande de valence (EV = 0eV).

Correction :
1. Expressions des densités d’électron et de trou :

( ) et ( )
2.
 Densité intrinsèque ni :
Le semi-conducteur étant intrinsèque, on a donc : n = p= ni

( ) ( )
ni2 = n.p

d’où : √ √ ( )

 Niveau de Fermi intrinsèque EFi :

On a : n/p =1 [( ) ( )]

D’où :

3. A.N :

Il faut convertir la température en Kelvin :

27°C = 300K , 127°C = 400K et 227°C = 500K

T=300K : KT = 26 meV

1
T= 400K : et pour T=500K, KT=43,1meV

T(K) KT (meV) ni(cm-3) EFi(eV)


300 26 9.244 109 0.543
400 34.5 1.777 1012 0.539
500 43.1 4.405 1013 0.535

c/c : plus la température augmente, plus il y a génération des paires électron-trou ; d’où l’augmentation
de la densité intrinsèque du S.C. Le niveau de Fermi intrinsèque se rapproche légèrement de celui de la
bande de valence.

Exercice 2 : Semi-conducteur extrinsèque


On considère un matériau semi-conducteur en silicium dopé avec du phosphore (groupe V du tableau périodique)
de concentration ND = 1018cm-3

1. Calculez à 27°C, la densité d'électrons du Si ainsi dopé. En déduire la densité de trous. Quel est
le type du semi-conducteur ainsi obtenu ?
2. Calculez à 27°C la position du niveau de Fermi EF puis donnez une représentation du diagramme de
bandes d’énergies du silicium ainsi dopé.

On donne : ni = 1,12x1010 cm-3, Eg = 1,11 eV, KT = 26 meV pour T = 27°C

Correction :
1. Le phosphore, P, est une impureté de type donneur: ND=1018cm-3.

A température ambiante on suppose que tous les atomes donneurs sont ionisés, c.à.d. ND+ = ND. Pour
calculer la densité des porteurs on se base sur deux lois fondamentales :

- Loi d’action de masse : np = ni2


- La neutralité électrique du matériau : -e.n + (-e).NA + e.p + e.ND = 0

donc n + NA = p + ND

Pas d’accepteurs donc NA = 0. Ainsi les deux équations donnent : dont la


N D  N D2  4ni2 N D  N D2
solution est : n    N D car (ND=1018cm-3 et ni = 1,12x1010
2 2
cm-3), ainsi la densité d'électrons est égale à la densité de donneurs :

n= ND = 1018cm-3

Selon la loi d’action de masse la densité de trous est donnée par :

ni 2 ni 2 1,12 10 
10 2

p    125 cm-3
n ND 1018

c/c Le semi-conducteur obtenu est de type N


2
2. L'énergie de Fermi peut être déduite de la densité d'électrons comme suit :
 Ec  EFn   Ec  EFi  EFi  EFn 
n  N c exp     N D  N D  N c exp   
 kT   kT 
EFn est le niveau de Fermi pour un SC dopé N, EFi est le niveau de Fermi du SC intrinsèque.
 Ec  EFi   EFi  EFn   EFi  EFn 
 N D  N c exp    exp     ni exp   
 kT   kT   kT 
EFi  EFn N  N 
   ln  D   EFn  EFi  kT ln  D 
kT  ni   ni 
A.N

c/c : pour un S.C type N, le niveau de Fermi est proche de la bande de conduction ; par contre pour un
S.C type P, il est proche de la bande de valence.

Exercice 3 : Influence de la température sur les semi-conducteurs


Un barreau de silicium de type N, de longueur L et de section S est soumis à la différence de potentiel U
et parcouru par le courant I.
1. Déterminer sa conductivité σ
2. En déduire :
 la densité des porteurs majoritaires et minoritaires
 le niveau de Fermi par rapport à celui de la bande de conduction
On donne : ni =1.1 1010 cm-3, L = 2cm, S = 10-3cm2, U = 5V, I = 1mA, µN = 0.15 m2/V.s, Eg=1.1eV,
Nc = 2.5.1019 cm-3.
3. Que deviennent à une température T= 400K les densités des états disponibles dans la bande de
valence et de conduction sachant que ces densités dépendent de la température suivant la loi :

( ) ( )( ) et leur valeur à l’ambiante sont: Nc = Nv = 2.5.1019 états d’énergie par cm3
(on suppose que les masses effectives ne changent pas avec la température).

4. Si on néglige la variation du gap avec la température (en réalité <4%)


Déterminer à T = 400K :
4-1. La valeur de la densité des porteurs intrinsèque ni’.
4-2. Les densités des porteurs majoritaires et minoritaires
4-3. La nouvelle position du niveau de Fermi par rapport à EC
4-4. La conductivité σ’, sachant que les mobilités dépendent de la température suivant la loi :
µ(T) =µ0(T/T0)-3/2

3
Correction :
1. La conductivité
donc
2.
 Densité des porteurs :
Le S.C est de type N donc n≈ND et

D’où et par conséquent

 Niveau de Fermi :
On a : ( ) , donc
3. T=400K

( ) ( ) ( )( )

4. A T= 400K
4-1. densité intrinsèque :n’i

√ ( ) ( )
4-2. Les densités des porteurs majoritaires et minoritaires
ND étant la densité des atomes d’impuretés : ND = 1,666.1015cm-3
D’après Loi d’action de masse et l’équation de neutralité électrique du matériau, on a :

-q n’ +q p’ = -q ND
√ n’=1.666 1015 cm-3
n’.p’=ni’2
p’= 9.465 109 cm-3

Lorsque la température augmente, la densité des minoritaires augmente aussi.


4-3. La nouvelle position du niveau de Fermi par rapport à EC
On a :

d’où : EC-EF’= 0.346 eV


4-4. La conductivité σ’

On a : ( ) d’où :

c/c : l’augmentation de la température favorise les porteurs minoritaires et diminue la conductivité du


S.C.

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Exercice 4 : Jonction PN
Une jonction PN abrupte au (Si) est dopée d’un côté avec 5.1016atomes de Bore par cm3et de l’autre côté
avec 1015atomes de Phosphore par cm3.
1. Modéliser le profil de la densité volumique de charge ρ(x). on note –xp et xn les frontières de la
ZCE.
2. Déterminer l’expression du potentiel de diffusion Vbi en fonction de NA,ND et ni.
(On écrira que la structure est à l’équilibre thermodynamique : on pourra raisonner sur le niveau de
Fermi).
( )
3. A partir de l’équation de poisson , déterminer l’expression du champ électrique E(x)
et le potentiel V(x) à l’intérieur de la ZCE. En déduire une relation entre NA,ND,xn et xp.

4. Montrer que la zone de charge d’espace s’exprime par √ ( )


5. Calculer les valeurs numériques de xp et xn.
6. Donner l’expression des densités de porteurs majoritaires (nn et pp) et minoritaires (np et pn) en
dehors de la ZCE, en fonction de NA,ND et Vbi.

On donne : T=300°K , Eg= 1.1eV, NC = 2,7.1019cm −3, NV = 1,1.1019 cm −3 et ε = 11.68 ε0


avec , kT = 26 meV (T = 300°K)

Correction :
1. densité volumique de charge ρ(x) :
la ZCE s’étend :
de –xp à du côté P
de 0 à xn du côté N
W= xp + xn : épaisseur de la ZCE (space charge layer width)
à x = xp le semi-conducteur passe brutalement de l’état neutre (tous les majoritaires présents) à l’état
déserté (tous les majoritaires absents).
à x = xn le semi-conducteur passe brutalement de l’état déserté (tous les majoritaires absents) à
l’état neutre (tous les majoritaires présents).
Dans ces conditions, l’évolution spatiale de la densité volumique des charges s’écrit :
ρ(x) = pour x < –xp et x > xn
ρ(x) = -qNA pour –xp < x < 0
ρ(x) = qND pour 0 < x < xn

2. Potentiel de diffusion Vbi :


En effet, à l’équilibre les niveaux de Fermi EFn et EFp s’alignent. Il en résulte une dénivellation des
bandes d’énergie, tel que Ecp – Ecn = qVbi , Vbi barrière de potentiel interne.
La densité des électrons dans la zone P est donnée par:

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( )

D’où : ( )

De même, la densité des électrons dans la zone N est donnée par :

( )

D’où : ( )

Comme EFn = EFp et il vient :

( )

Pour le Si : ( )
Soit Vbi = 0.69 V ≈0.7V
3.
3-a Expression du champ électrique E(x) :

D’après la loi de poisson ⃗ et compte tenu de l’expression de la densité de charges ρ(x)


obtenue à la question 1, le champ électrique s’écrit :
 Côté N :
( )
( )

En dehors de la ZCE Ex(x)=0 en particulier pour x=xn , d’où : ( ) ( )


 Côté P :
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( ) ( )

3-b Expression du potentiel V(x)


 Côté N :
( ) ( ) (on prend Vn(xn)=Vbi )
 Côté P :
( ) ( ) (on prend Vp(xp)=0 )
En exprimant la continuité du champ électrique en x=0 : NA. xp = ND .xn

4. Zone de charge d’espace :


La continuité du potentiel et du champ en x=0 donne : et NA. xp = ND .xn
⁄ ⁄
D’où : [ ] [ ]

√ ( )

5. Application numérique :
xn = 0,94 μm
xp = 1,88 10-2μm
c/c : La ZCE s’étend plus vers la zone le moins dopée.
6. Expression des densités de porteurs majoritaires et minoritaires :
En dehors de la ZCE on a :
pp = NA (densité des trous du côté P) et np = ni2/NA (densité des électrons du côté P)
nn = ND (densité des électrons du côté N) et pn = ni2/ND (densité des trous du côté N)

En tenant compte de l’expression ( ) on obtient :

( ) et ( )

c/c : La densité des porteurs minoritaires de part et d’autre de la ZCE est proportionnelle à l’inverse de
l’exponentielle de la tension de diffusion ; donc en modifiant la valeur de la tension de diffusion on va
modifier fortement la densité des porteurs minoritaires à la sortie de la ZCE.