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Chapitre III : la cellule photovoltaïque

Dr Adama OUEDRAOGO
Enseignant-Chercheur, CUP-Kaya
Ouedraogo.adama@univ-ouaga.bf/damissau@yahoo.com
Page perso ORCID : https://orcid.org/0000-0003-2478-2521

Dr Adama OUEDRAOGO, Cellule photovoltaïque, ESUPEX, 2018-2019 1


Table des matières
I- L'effet photovoltaïque - Cellule photovoltaïque ...................................................................................................................... 3
1- L'effet photovoltaïque ........................................................................................................................................................ 3
a- Le matériau ..................................................................................................................................................................... 4
b- La cellule photovoltaïque à base de silicium ................................................................................................................. 5
2- Description d’une cellule photovoltaïque (PV) .................................................................................................................... 6
3- Notion de rendement........................................................................................................................................................... 7
4- Absorption du rayonnement dans le matériau ................................................................................................................... 8
II- Caractéristique I = f(V) des cellules ................................................................................................................................... 9
1- La cellule à l'obscurité ........................................................................................................................................................ 9
2- La cellule sous illumination ................................................................................................................................................ 9
3- Schéma équivalent d'une cellule ....................................................................................................................................... 10
III- Influence de l'ensoleillement et de la température ........................................................................................................... 11
1- Influence de l'ensoleillement ............................................................................................................................................. 11
2- Influence de la température.............................................................................................................................................. 12
IV- Autres caractéristiques ..................................................................................................................................................... 13
1- Puissance crête .................................................................................................................................................................. 13
2- Facteur de forme (FF) (Fill Factor en anglais) ............................................................................................................... 13
3- Relation rendement-facteur forme ........................................................................................................................................ 13
V- Les technologies photovoltaïques ..................................................................................................................................... 14
1- Le silicium cristallin .......................................................................................................................................................... 14
a- Le silicium monocristallin ............................................................................................................................................ 14
b- Le silicium multicristallin............................................................................................................................................. 15
c- Rubans et couches semi-minces .................................................................................................................................... 15
2- Le silicium amorphe en couche mince.............................................................................................................................. 16
3- Autres types de cellules ..................................................................................................................................................... 16
a- Cellules à l'arséniure de gallium GaAs ........................................................................................................................ 16
b- Cellules à couches minces polycristallines ................................................................................................................... 16
Bibliographie ................................................................................................................................................................................. 17

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Introduction

Dans ce chapitre et dans les chapitres suivants, nous utiliserons dans la mesure du possible
la technologie retenue par la Commission Electrotechnique International (CEI) résultant d'une
tentative de normalisation.

Terminologie :
L'élément de base dans la conversion du rayonnement est la cellule photovoltaïque.
Plusieurs cellules sont associées dans un module qui est la plus petite surface de captation
transformable, montable et démontable, sur un site. Les modules sont groupés en panneaux,
eux-mêmes associés pour former le champ photovoltaïque. Si dans un champ photovoltaïque
existent deux (2) ou plusieurs sortes de modules, ils seront groupés par catégorie dans des sous-
champ de module.
Le terme générateur est réservé à l'ensemble producteur, d'énergie qui se situe en amont
des charges. Le générateur comprend donc le champ photovoltaïque, le stockage
d'énergie, l'électronique de gestions et la conversion en alternatif si ces éléments existent.

I- L'effet photovoltaïque - Cellule photovoltaïque


1- L'effet photovoltaïque
Le phénomène mis en œuvre est celui de l'interaction de la lumière avec les atomes. Le
rayonnement solaire peut être considéré comme composé de particules : les photons dont
l’énergie varie avec la longueur d'onde Eph = h v, où h est la constante de Planck (h = 6,62.10-
34
j.s) et v la fréquence correspondante à la longueur d'onde 𝜆. 𝜆 = c/v avec c = vitesse de
propagation de la lumière (3.108 m/s). On peut encore Eph (ev) = l,24/ 𝜆. (μm).
Un spectre standard, appelé spectre de référence, a été défini au niveau international
(figure 1). Il set pour des mesures comparative car une cellule photovoltaïque n'est sensible que
dans un domaine précis de longueur d'onde (ou d'énergie).

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Figure 1 : spectre de référence
a- Le matériau
On considère la structure électronique pour les trois grandes familles de matériaux
: les métaux, les isolants et les semi-conducteurs.

Figure 2 : structure de bande des solides

Lorsqu'un photon d'énergie hv heurte un atome, il peut arracher un électron et lui


communiquer une certaine vitesse.
Dans un métal l'énergie apportée par le rayonnement est perdue sous forme de chaleur.
L'énergie transférée à l'électron est immédiatement reperdue.
Dans un isolant, le rayonnement solaire n'est pas absorbé à cause de la grande largeur de
la bande interdite Eg = 8 à 10 eV.
Dans un semi-conducteur, la largeur de la bande interdite est plus faible que pour les

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isolants, de 0,6 eV à 2 ou 3 eV. Les photons du spectre solaire pourront être absorbés et créés
des paires électron-trou.
En définitive seul un semi-conducteur possède la structure électronique permettant
de générer des paires électron - trou utilisables à partir du rayonnement solaire. La cellule
solaire sera donc une plaquette de matériau semi-conducteur.

b- La cellule photovoltaïque à base de silicium


Pour être utilisable, les paires électron-trou doivent être dissociées dans le volume
du matériau. Cela est obtenu en réalisant une jonction p-n. Une telle jonction crée entre zone n
et zone p à une distance de la surface qui a été choisie égale à environ 0,3um, une zone de
champ électrique élevé. Tout porteur, électron ou trou, ayant pu diffuser jusqu'à cette zone de
champ sera drainé préférentiellement d'un côté (électrons vers la zone n et trous vers la zone p)
(figure 3).
La cellule photovoltaïque est une diode conçue de manière à ce que la lumière puisse
pénétrer dans la région de la jonction p-n.
Deux électrodes sont élaborées sur la plaquette de silicium pour la collecte du courant
photovoltaïque. L'une recouvre la totalité de la face arrière pour assurer le contact avec la zone
p. L'autre en forme de grille sur la face avant assure un bon contact électrique avec la zone n,
sans occultation notable du rayonnement.

Figure 3 : jonction p-n

*notion de Dopage :
Des impuretés bien choisies permettent d'augmenter soit le nombre d'électrons
(dopage n), soit le nombre de trous (Dopage p) par rapport aux valeurs intrinsèques (semi-
conducteur pur).
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Le dopage n est obtenu avec des impuretés pentavalentes (phosphore (P), Arsenic (As)). Ce sont des impuretés
donateurs.
Le dopage p est produit en ajoutant des impuretés trivalentes ou accepteuses (bore (B), Gallium (Ga)).
2- Description d’une cellule photovoltaïque (PV)
Le silicium peut être à l’état massif, il est dit dans ce cas cristallin, du fait de sa structure ordonnée. Il est produit sous forme de
barreaux purifiés, de section ronde ou carrée, qui sont ensuite découpés en plaquettes d’environ 0,2 mm d’épaisseur, de
dimensions 12 × 12cm ou 15 × 15 cm par exemple (figure 4).

Figure 4 : Schéma d’une photopile au silicium cristallin.

Selon la technologie employée, ce silicium cristallin peut être :


• monocristallin : les photopiles sont formées d’un seul cristal ordonné. Ce matériau est fabriqué en barreaux étirés à partir
d’un germe, ou recristallisés à haute température ;
• poly (ou multi) cristallin : il est constitué de cristaux de 1 mm à environ 2 cm assemblés, appelés « grains ». Ce matériau,
moins onéreux, est élaboré dans de grands creusets industriels par fonte et refroidissement de blocs de silicium purifié. Dans les

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deux cas, le silicium est ensuite découpé en tranches par des scies à fil.
Sur ces plaquettes (wafers), on réalise alors l’incorporation des dopants par des
techniques de diffusion ou d’implantation sous vide. Puis, le silicium est couvert
d’une couche anti-reflet en face avant, qui réduit à moins de 5 % les pertes par
réflexion de la lumière incidente, et qui lui donne une couleur bleu foncé,
caractéristique des photogénérateurs au silicium cristallin.
Le dessus et le dessous de la plaquette doivent ensuite être couverts de contacts
métalliques pour collecter l’électricité générée. Pour laisser passer la lumière,
l’électrode avant est déposée sous forme de grille, l’arrière étant simplement
recouvert d’une couche métallique continue.
3- Notion de rendement
Le rendement de conversion d'une cellule photovoltaïque est le rapport entre la
puissance électrique maximale pouvant être extraite, à la puissance du
rayonnement incident sur la surface S de la cellule.

Vmax I max

S
Il est défini sous le spectre de référence et à une température de 25°C. Pour une cellule de
commerce, le rendement est de l'ordre de 13-16% (C-Si).
En Laboratoire, le rendement atteint 24% pour le mono cristallin.
Différents phénomènes limitent théoriquement le rendement à 26 % pour le C-Si Toute
l'énergie de la lumière solaire n'est pas transformée en électricité :
- Certains photons sont réfléchis sur la face avant des cellules (figure 4(d))
- Certains ne sont pas assez énergétiques pour arracher un électron (E < Eg). Dans le
silicium, le seuil correspond à une longueur d'onde de 1,1μm ; la partie infrarouge du
spectre solaire est inutilisée. (figure 4(c) et figure 5).
- Seuls les photons d'énergie suffisante (E > Eg) sont absorbés et créent des paires électrons-
trous (figure 4 (a)) ; l'énergie excédentaire est cédée aux électrons sous forme d'énergie
cinétique qu'ils perdent rapidement pour se retrouver sous forme de chaleur figure 4 (b).
- Enfin de nombreux créés rencontrent des charges positives et se recombinent avant
d'avoir fourni un courant utile.

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Figure 5 : limitation du rendement

Figure 6 : Zone "utile" du spectre solaire


Zone I : elle correspond à l'énergie perdue par les photons non absorbés (figure 4(c))
Zone II : elle correspond aux pertes d'énergie par thermalisation (excès d'énergie) figure 4(b)
Zone III : c'est la zone "utile" du spectre pour le silicium (environ 48%).
Pour diminuer la réflexivité de la surface on utilise les traitements suivants :
- une couche antireflet (couche d'oxyde) figure 6 (a)
- une texturisation de la surface: une attaque chimique créée des pyramides figure 6(b);
(a) (b)

Figure 7 : traitement antireflet

4- Absorption du rayonnement dans le matériau

De manière générale, si ϕ0 est l’irradiance du rayonnement incident (partie non réfléchie par
la surface). L’irradiance à une profondeur x dans le matériau est donnée par :

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  x   0 e     x

Φ0 est l'irradiance du rayonnement incident (partie non réfléchie par la surface). Où     est
le coefficient d’absorption du matériau ; il est fonction de la longueur d’onde.

Figure 8 : absorption du rayonnement dans le matériau


    diminue lorsque λ augmente ( il est nul si λ > λs , λs étant la longueur d'onde seuil

correspondant à Eg.) les faibles longueurs d'onde sont absorbées près de la surface du
matériau, créant donc des paires électrons-trous et que plus grandes seront les longueurs
d'ondes, les paires électrons-trou seront générées plus loin de la surface. La surface du
silicium est une zone priviligiée pour la recombinaison et donc l'annihilationdes paires
électrons trous. On peut donc concevoir que les paires électrons trous générés près de la
surface par des photons faibles de faibles longueurs d'ondes ne seront pas utilisables, ce qui
limites la reponse de la cellule photovoltaique au domaine 0,4μm-1,1μm pour le silicium.
II- Caractéristique I = f(V) des cellules
1- La cellule à l'obscurité
Elle se comporte comme une diode. C'est un récepteur vu de l'extérieur. Si elle est soumise
à un circuit extérieur, la théorie montre que la tension et le courant répondent à l'équation de la
diode : I D   T  S exp  T V   1 (Voir figure 9)
q
*  T  
nkT
où n est un facteur d'idéalité de la jonction, k la constante de Boltzmann et q: la charge de
l'électron. kT/q = 26 mV à 300°K (27°C) ;
* β(T).S = Is est le courant de saturation. β(T) et γ(T) sont des coefficients caractéristiques de
la jonction en fonction de la température.

2- La cellule sous illumination

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Si la cellule est éclairée, il y a naissance d'un photo-courant Iph dû au rayonnement solaire
aux bornes de la jonction p-n. Iph = 𝛂(T).ϕ.S
𝛂(T) est un coefficient dépendant faiblement de la température. Pour les cellules
photovoltaïques sur silicium mono ou multicristallin, il est de l'ordre de 0,35AW-l pour le
spectre de référence. Le courant I généré par la cellule et disponible à ses bornes est égal à :
I(V) = Iph - ID
I(V) = 𝛂(T).ϕ.S - β(T).S.[ exp[γ(T) V] - 1]
Sous une irradiance ϕ et une température T données, la caractéristique courant - tension de
la cellule est parfaitement définie. La figure 6 donne cette caractéristique théorique pour
une cellule en Si-monocristallin de 100 mm de diamètre à 25°C et sous l'irradiance de
référence 1kW/m2. La caractéristique I-V correspond à la soustraction de deux courbes,
courbe a (Iph) - courbe b (ID(V). Cette caractéristique peut être déterminée en plaçant une
charge résistive variable aux bornes de la cellule.

Figure 9 : caractéristique I = f(V) d'une cellule


3- Schéma équivalent d'une cellule
La figure 10 présente le schéma équivalent d'une cellule photovoltaïque sous éclairement.

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Figure 10 : schéma équivalent d’une cellule PV couplé à un recepteur
Deux résistances parasites (dues à la technologie de fabrication) vont influer sur la
caractéristique I-V de la cellule :
- Rs (résistance série) : est liée à l'impédance des électrodes et du matériau ;
- Rsh (résistance shunt) : correspond à une résistance de fuite au niveau de la jonction.
L'équation complète de la cellule photovoltaïque compte tenu des résistances parasites Rs et Rsh
s'écrit donc : I (V) = α(T).ϕ.S - β(T).S.[ exp[q(V + Rs I ) / (nkT)] - 1] - (V + Rs I) / Rsh
III- Influence de l'ensoleillement et de la température
1- Influence de l'ensoleillement
Pour une température donnée (25 °C par exemple) la valeur de l'irradiance va modifier la
caractéristique, non pas dans sa forme générale, mais pour les valeurs I cc, Vco et le produit (Im
Vm). La figure 11 présente le réseau de courbes I-V obtenues pour diverses irradiances ϕ, la
température étant maintenue à 25°C. Le réseau obtenu résulte des faits suivants :
- Icc = Iph est pratiquement proportionnel à Φ ;
- le courant ID (Vj) de la jonction n'est pas modifié.
On observe une légère diminution de la tension en circuit ouvert Vco. Sur la même figure on a
représenté les courbes d'équipuissance (P = VI = Cte) et les points de puissance maximale. On
remarque que ces points de puissance maximale se situent à peu près sur une verticale. Ceci
met en évidence un problème de base concernant l'utilisation des cellules solaires : l'adaptation
de l'impédance de charge.

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Figure 11: influence de l’ensoleillement
2- Influence de la température
On opère à un ensoleillement constant. La température est un paramètre important et souvent
négligé dans le comportement des cellules.
* Le photocourant va légèrement augmenter avec la température (variation de 0,1% par degré
soit 3.10-5 AK-1 par cm2 de cellule sous les conditions de référence ;
* Par contre le courant de diode ID (Vj) augmente très rapidement avec la température. Il en
résulte une diminution de Vco (de 2mV/°C) qui décale le point de puissance maximal.
Ces deux processus conduisent aux courbes de la figure 12. L'augmentation de la température
de travail se traduit par une diminution de la puissance maximale disponible, de l'ordre de
5.10-5W. K-1 par cm2 de cellule sous les conditions de référence, soit une variation d'environ
0,35% par degré. Il faut tenir compte de ces modifications de caractéristiques lors du
dimensionnement d'un générateur photovoltaïque.

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Figure 12 : Influence de la température
IV- Autres caractéristiques
1- Puissance crête
C'est la puissance optimale délivrée par la cellule pour un ensoleillement de 1kW.m-2, AM1,5 et
pour une température de 25°C. Elle est exprimée en Watt-crète (Wc).
Remarque : Le Watt-crête est l'unité servant à définir la puissance disponible aux bornes d'une
cellule ou d'un assemblage de cellules (module ou champ), sous l'irradiance de référence c’est-
à-dire les conditions STC (Standard Test Conditions) (1kW.m-², AM 1,5) et à 25°C. Wc est en
fait une dimension de surface car étant le rapport puissance en W sur l'irradiance en W.m-².

2- Facteur de forme (FF) (Fill Factor en anglais)


On appelle facteur de forme le rapport (Im .Vm), valeur maximale de la puissance
pouvant être extraite, au produit (Icc .Vco) (figure 13)
Vm I m
FF 
VCO I CC
Ce rapport traduit la forme rectangulaire de la caractéristique I-V. Le paramètre FF est le facteur
de remplissage ou facteur de forme, il mesure le caractère rectangulaire de la courbe I(V). Il varie
de 0,25 pour une cellule à faible rendement à 0,9 pour une cellule idéale. L'influence des
résistances série et shunt se manifeste directement par une baisse du facteur de forme. Enfin le
facteur de forme FF est fonction de la tension en circuit ouvert Vco et des résistances série rs et
shunt rsh de la diode. FF est d'autant plus grand que Vco et rsh sont grands et que rs est petit.

Figure 13 : Facteur de forme


3- Relation rendement-facteur forme
Le rendement de la photopile est donné par le rapport de la puissance maximum disponible à la

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puissance du rayonnement incident
Pm FFVCO I CC
 
Psolaire Psolaire

Avec Psolaire   S où S est la surface de la cellule PV. L'expression du rendement montre que
les performances d'une photopile résultent directement des valeurs des trois paramètres Icc,
Vco et FF. Ces paramètres sont fonction d'une part de propriétés spécifiques du matériau telles
que le gap, les coefficients d'absorption et de réflexion, la longueur de diffusion des porteurs ou
la vitesse de recombinaison en surface, et d'autre part de paramètres technologiques tels que la
profondeur de la jonction, la largeur de la zone de charge d'espace ou la présence de résistances
parasites.
Exemple de calcul de rendement
Prenons un panneau en silicium polycristallin de 40 Wc (2,35 A/17 V) d’une surface de 3600
cm2 sous1 000 W/m2. Rappelons que ce rendement est indicatif et ne permet pas de rendre
compte des performances du panneau par temps couvert.
V- Les technologies photovoltaïques
Il existe différents types de cellules photovoltaïques, dont deux principalement sont
commercialisés : les cellules au silicium cristallin et les cellules au silicium amorphe. Nous
allons faire un bref bilan des différentes technologies.

1- Le silicium cristallin
C'est le principal matériau de base des cellules photovoltaïques. Il est utilisé sous forme
monocristalline ou multicristalline en plaquettes ou en ruban et plus récemment en couches semi-
minces sur substrat.

a- Le silicium monocristallin
II est obtenu par tirage Czochralski (tirage à partir d'un germe en rotation d'un bain
maintenu en fusion). Les cellules au silicium monocristallin ont de bons rendements de
conversion 13 à 18% en production industrielle. Au laboratoire les rendements atteignent
26% (A. M. Green, Université de Nouvelles Galles de Sud, Australie). Leur fiabilité est
excellente, mais leur coût est élevé. Ces cellules sont généralement rondes (100mm de
diamètre ou parfois "carrées" à angles arrondis). Initialement, l'industrie photovoltaïque
achetait les plaquettes destinées à l'industrie électronique. Maintenant, elle fabrique ses

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propres lingots à partir d'une charge de silicium de qualité chimique moins parfaite et moins
chère (rebuts de l'industrie électronique).

cellule de silicium monocristallin

b- Le silicium multicristallin
La matière première utilisée est le silicium électronique dégradé. On procède à une refusion
et une solidification directionnelle dans un même creuset en donnant des lingots
parallèlepidiques de 30 à 150 kg selon les industriels. Les plaquettes de silicium multicristallin
sont découpées avec des scies à fil permettant d'économiser deux fois plus de matière que les
méthodes classiques. Les rendements obtenus sont de 13 à 15% en production industrielle, et
atteignent 18% en laboratoire. Le silicium multicristallin présente un bon potentiel de baisse de
coûts avec des bonnes performances. Les plaquettes obtenues sont carrées (coté 100 à 150mm).

cellule de silicium polycristallin

c- Rubans et couches semi-minces


Ce sont des voies proposées pour faire face à une éventuelle pénurie de matière première
du fait de la croissance du marché photovoltaïque. Le tirage en rubans (directement à partir de
creusets contenant du silicium fondu) ne permet pas encore de produire des cellules
disponibles sur le marché.

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Pour le dépôt de silicium cristallin en couches, la société ASTROPOWER de Newark (US)
effectue actuellement une fabrication pilote (rendement de 10% pour une épaisseur de 50 μm).
Des efforts de recherche sont effectués dans les laboratoires pour rendre cette voie compétitive.

2- Le silicium amorphe en couche mince


Les couches minces offrent théoriquement un bon potentiel de fabrication à faible coût.
Elles utilisent une très faible quantité de matériau. Un avantage considérable est que les
cellules sont mises en série électriquement dans un module en un seul procédé sur le substrat
même par une technique de rayures par laser. Cependant le silicium amorphe est handicapé par
un rendement de conversion modeste et un vieillissement important en début de vie (dégradation
des performances). Après stabilisation le rendement tourne autour de 5-7% (en grande surface).
La limite pratique maximum est située à 12,4% (non stabilisé). Pour augmenter le rendement de
conversion la tendance est de fabriquer des tandems multijonctions : a-Si : H / a-Si : H, Ge.
Les cellules au silicium amorphe sont utilisées pour des applications de faible puissance.

Cellule de silicium amorphe

3- Autres types de cellules


a- Cellules à l'arséniure de gallium GaAs
Elles sont réservées au spatial ou pour une utilisation sous haute concentration à cause de
leur coût très élevé. Ce sont des cellules à haut rendement (25% en laboratoire).

b- Cellules à couches minces polycristallines


Dans la voie des couches minces polycristallines on a en production pilote :
- des cellules Cd Te / Cd S combiné de Tellurure de cadmium et de sulfure de cadmium
- des cellules Cu In Se / Cd S (di-séléniure de cuivre et d'indium / sulfure de cadmium).
Elles sont caractérisées par une bonne stabilité. En laboratoire le rendement atteint 14,8% en
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petite surface pour le CuInSe2 (Siemens solaire Industries (US)).
Le CdTe est production pilote chez Golden PHOTON, Solar Cells (US), Matsushita (JP).
Il faut toutefois noter l'usage de gaz toxiques et la rareté du tellure et de l'indium. Comme autres
types de cellules on peut citer :

- des cellules basées sur des films minces manocristallins revêtus de colorants (M.
Grätzel, Lausanne) : Ti O2/colorants. On observe un problème de vieillissement des colorants.
- des cellules micro-billes de silicium: C'est un procédé de Texas Instrument repris par
Ontario Hydro (CA).

Bibliographie
 Pr Z. KOALAGA, Cours d’électricité solaire photovoltaïque, Master spécialisé Génie
Energétique 2iE, 2011-2012.
 B. Equer. Physique et technologie de la conversion photovoltaïque : Energie Solaire
Photovoltaïque, volume 1. UNESCO, 1991. Ecole d’été : Electricité solaire pour les
zones Rurales et isolées.
 H. Mathieu and H. Fanet. Physique des semiconducteurs et des composants
électroniques. Dunod, 6e édition, 2009.
 Anne LABOURET, Pascal CUMUNEL, Jean-Paul BRAUN, Benjamin FARAGGI,
Cellules solaires : Les bases de l’énergie photovoltaïque, 5e édition, Dunod, Paris,
1998, 2001, 2005, 2010.
 A. Moliton. Electronique et photo - électronique des matériaux et composants 2 :
photo-électronique et composants. Hermes Science, 2009.
 Patrick HOUÉE, Une installation photovoltaïque en site isolé, 2011.
 https://www.researchgate.net/profile/Adama_Ouedaogo3
 Pveducation.com

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